JPH10303086A - 電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH10303086A JPH10303086A JP9106402A JP10640297A JPH10303086A JP H10303086 A JPH10303086 A JP H10303086A JP 9106402 A JP9106402 A JP 9106402A JP 10640297 A JP10640297 A JP 10640297A JP H10303086 A JPH10303086 A JP H10303086A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極箔の箔つなぎ部が巻回される不良品とし
てのコンデサ素子を正確に検出ないし判定して、当該コ
ンデサ素子の形成時にこれを自動的に排除することがで
き、効率的なコンデサ素子の形成ないし電解コンデンサ
の製造を行うことができる電解コンデンサの製造方法を
提供する。 【解決手段】 電極箔１２の移送経路における箔つなぎ
部検出位置Ａ1 から箔カット位置Ａ2 に至る距離に対応
して複数のコマ数からなるメモリを設定した監視メモリ
５４を設け、前記検出位置に対応するメモリＭ1 に箔つ
なぎ部１２ａの検出に伴う不良品データを書き込み、次
いで電極箔１２の移動に対応させて前記メモリに書き込
まれた不良品データを順次メモリＭ1 〜Ｍn にシフトさ
せ、前記箔カット位置に対応するメモリＭn において前
記不良品データを読み出すと共に前記メモリのシフトに
伴い不良品データが通過した際に箔カット指令を出力し
て、コンデンサ素子の不良品判定とその排除を自動的に
行う。
てのコンデサ素子を正確に検出ないし判定して、当該コ
ンデサ素子の形成時にこれを自動的に排除することがで
き、効率的なコンデサ素子の形成ないし電解コンデンサ
の製造を行うことができる電解コンデンサの製造方法を
提供する。 【解決手段】 電極箔１２の移送経路における箔つなぎ
部検出位置Ａ1 から箔カット位置Ａ2 に至る距離に対応
して複数のコマ数からなるメモリを設定した監視メモリ
５４を設け、前記検出位置に対応するメモリＭ1 に箔つ
なぎ部１２ａの検出に伴う不良品データを書き込み、次
いで電極箔１２の移動に対応させて前記メモリに書き込
まれた不良品データを順次メモリＭ1 〜Ｍn にシフトさ
せ、前記箔カット位置に対応するメモリＭn において前
記不良品データを読み出すと共に前記メモリのシフトに
伴い不良品データが通過した際に箔カット指令を出力し
て、コンデンサ素子の不良品判定とその排除を自動的に
行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電解コンデンサの
製造方法に係り、特に電極箔にタブ端子またはリード端
子を取付けた後、適宜セパレータを介して重ね合せ巻回
することにより電解コンデンサのコンデンサ素子を形成
する電解コンデンサの製造方法に関するものである。
製造方法に係り、特に電極箔にタブ端子またはリード端
子を取付けた後、適宜セパレータを介して重ね合せ巻回
することにより電解コンデンサのコンデンサ素子を形成
する電解コンデンサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電解コンデンサの製造において
は、帯状に連続するアルミニウム箔等の電極箔に、アル
ミニウムからなるタブ端子あるいはリード端子を、コー
ルドウェルド法またはかしめ付け法により所定間隔離間
させて取付け、その後前記電極箔を適宜セパレータテー
プと重ね合せて巻回し、所定の長さで切断してコンデン
サ素子を形成している。
は、帯状に連続するアルミニウム箔等の電極箔に、アル
ミニウムからなるタブ端子あるいはリード端子を、コー
ルドウェルド法またはかしめ付け法により所定間隔離間
させて取付け、その後前記電極箔を適宜セパレータテー
プと重ね合せて巻回し、所定の長さで切断してコンデン
サ素子を形成している。
【０００３】しかるに、従来におけるコンデンサ素子を
形成するための電極箔の巻回を行うに際しては、予め適
所において箔つなぎを行って連続した電極箔を所定のリ
ールに巻装したものを使用している。
形成するための電極箔の巻回を行うに際しては、予め適
所において箔つなぎを行って連続した電極箔を所定のリ
ールに巻装したものを使用している。
【０００４】しかしながら、このリールに巻装された電
極箔を繰り出してコンデンサ素子を形成する場合、前記
箔つなぎ部分が混入されたコンデンサ素子は、電解コン
デンサとしての電気的特性が不適確となり、不良品とし
て取り扱わなければならない。
極箔を繰り出してコンデンサ素子を形成する場合、前記
箔つなぎ部分が混入されたコンデンサ素子は、電解コン
デンサとしての電気的特性が不適確となり、不良品とし
て取り扱わなければならない。
【０００５】このため、従来においては、コンデンサ素
子の巻回操作の一部において、電極箔の箔つなぎ部を検
出するセンサを設け、このセンサが箔つなぎ部を検出し
た際に、コンデンサ素子の製造工程を一時停止させてい
る。すなわち、この一時停止において、作業者は、箔つ
なぎ部が電極箔の移送経路のどの位置で停止しているか
を確認し、この確認に基づいてその後に巻回形成され、
不良品となるコンデンサ素子を手動操作等によって排除
している。
子の巻回操作の一部において、電極箔の箔つなぎ部を検
出するセンサを設け、このセンサが箔つなぎ部を検出し
た際に、コンデンサ素子の製造工程を一時停止させてい
る。すなわち、この一時停止において、作業者は、箔つ
なぎ部が電極箔の移送経路のどの位置で停止しているか
を確認し、この確認に基づいてその後に巻回形成され、
不良品となるコンデンサ素子を手動操作等によって排除
している。
【０００６】なお、前記箔つなぎ部を検出するためのセ
ンサは、通常箔つなぎ部として透明なＰＰテープまたは
透光性のある紙材が使用されていることから、例えば光
電センサや近接センサ等が好適に採用されている。
ンサは、通常箔つなぎ部として透明なＰＰテープまたは
透光性のある紙材が使用されていることから、例えば光
電センサや近接センサ等が好適に採用されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来における電極箔の箔つなぎ部の検出に際し、コン
デンサ素子の製造工程の一時停止は、コンデンサ素子製
造の稼動率を低下させる難点がある。
た従来における電極箔の箔つなぎ部の検出に際し、コン
デンサ素子の製造工程の一時停止は、コンデンサ素子製
造の稼動率を低下させる難点がある。
【０００８】そこで、不良品の自動排出を行うように構
成することが提案されるが、前記従来のシステム構成で
は、検出された箔つなぎ部が、現在電極箔を巻回中のコ
ンデンサ素子に存在するるか、その次に巻回されるコン
デンサ素子に存在するか、あるいは前記両コンデンサ素
子に跨がって存在するかが不明であるため、基本的には
前記両コンデンサ素子を不良品として取り扱わなければ
ならない。
成することが提案されるが、前記従来のシステム構成で
は、検出された箔つなぎ部が、現在電極箔を巻回中のコ
ンデンサ素子に存在するるか、その次に巻回されるコン
デンサ素子に存在するか、あるいは前記両コンデンサ素
子に跨がって存在するかが不明であるため、基本的には
前記両コンデンサ素子を不良品として取り扱わなければ
ならない。
【０００９】そこで、本発明者等は、鋭意研究を重ねた
結果、電極箔の移送経路の一部に箔つなぎ部を検出する
ためのセンサを設け、このセンサと連動して前記電極箔
の移送経路の監視メモリ（例えば１ビット＝１ｍｍとし
て設定する）を制御部に内蔵し、さらに前記電極箔の移
送経路には箔の移動状態を検出するエンコーダを設け
て、前記箔の移動に同期させて前記監視メモリをシフト
させるように構成する。そして、例えば前記エンコーダ
によって発生する１パルスを１ｍｍとして設定し、前記
センサによって箔つなぎ部を検出すると、前記検出位置
と対応する監視メモリの一部に、箔つなぎ部としての検
出データを書き込む。次いで、箔の移動と共に監視メモ
リに書き込まれたデータをシフトさせ、箔つなぎ部がど
のコンデンサ素子に巻回されるかを演算処理により判定
すると共に、箔つなぎ部が箔カット位置を通過した際に
箔をカットし、その後該当するコンデンサ素子を形成し
た時点においてこれを自動的に排除するように構成すれ
ば、箔つなぎ部が巻回された不良品であるコンデンサ素
子を正確に自動排除できることを突き止めた。
結果、電極箔の移送経路の一部に箔つなぎ部を検出する
ためのセンサを設け、このセンサと連動して前記電極箔
の移送経路の監視メモリ（例えば１ビット＝１ｍｍとし
て設定する）を制御部に内蔵し、さらに前記電極箔の移
送経路には箔の移動状態を検出するエンコーダを設け
て、前記箔の移動に同期させて前記監視メモリをシフト
させるように構成する。そして、例えば前記エンコーダ
によって発生する１パルスを１ｍｍとして設定し、前記
センサによって箔つなぎ部を検出すると、前記検出位置
と対応する監視メモリの一部に、箔つなぎ部としての検
出データを書き込む。次いで、箔の移動と共に監視メモ
リに書き込まれたデータをシフトさせ、箔つなぎ部がど
のコンデンサ素子に巻回されるかを演算処理により判定
すると共に、箔つなぎ部が箔カット位置を通過した際に
箔をカットし、その後該当するコンデンサ素子を形成し
た時点においてこれを自動的に排除するように構成すれ
ば、箔つなぎ部が巻回された不良品であるコンデンサ素
子を正確に自動排除できることを突き止めた。
【００１０】従って、本発明の目的は、電極箔の箔つな
ぎ部が巻回される不良品としてのコンデサ素子を正確に
検出ないし判定して、当該コンデサ素子の形成時にこれ
を自動的に排除することができ、効率的なコンデサ素子
の形成ないし電解コンデンサの製造を行うことができる
電解コンデンサの製造方法を提供することにある。
ぎ部が巻回される不良品としてのコンデサ素子を正確に
検出ないし判定して、当該コンデサ素子の形成時にこれ
を自動的に排除することができ、効率的なコンデサ素子
の形成ないし電解コンデンサの製造を行うことができる
電解コンデンサの製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係る電解コンデンサの製造方法は、陽極箔
および陰極箔としての電極箔に、それぞれタブ端子また
はリード端子を取付けた後、適宜セパレータを介して重
ね合せ巻回することにより電解コンデンサのコンデンサ
素子を形成する電解コンデンサの製造方法において、電
極箔の移送経路における箔つなぎ部検出位置から箔カッ
ト位置に至る距離に対応して複数のコマ数からなるメモ
リを設定した監視メモリを設け、前記検出位置に対応す
るメモリに箔つなぎ部の検出に伴う不良品データを書き
込み、次いで電極箔の移動に対応させて前記メモリに書
き込まれた不良品データを順次メモリにシフトさせ、前
記箔カット位置に対応するメモリにおいて前記不良品デ
ータを読み出すと共に前記メモリのシフトに伴い不良品
データが通過した際に箔カット指令を出力して、コンデ
ンサ素子の不良品判定とその排除を自動的に行うことを
特徴とする。
に、本発明に係る電解コンデンサの製造方法は、陽極箔
および陰極箔としての電極箔に、それぞれタブ端子また
はリード端子を取付けた後、適宜セパレータを介して重
ね合せ巻回することにより電解コンデンサのコンデンサ
素子を形成する電解コンデンサの製造方法において、電
極箔の移送経路における箔つなぎ部検出位置から箔カッ
ト位置に至る距離に対応して複数のコマ数からなるメモ
リを設定した監視メモリを設け、前記検出位置に対応す
るメモリに箔つなぎ部の検出に伴う不良品データを書き
込み、次いで電極箔の移動に対応させて前記メモリに書
き込まれた不良品データを順次メモリにシフトさせ、前
記箔カット位置に対応するメモリにおいて前記不良品デ
ータを読み出すと共に前記メモリのシフトに伴い不良品
データが通過した際に箔カット指令を出力して、コンデ
ンサ素子の不良品判定とその排除を自動的に行うことを
特徴とする。
【００１２】この場合、前記電極箔の移動に対応させて
前記メモリに書き込まれた不良品データを順次メモリに
シフトさせるに際し、電極箔の移送経路に箔長測定エン
コーダを設けて電極箔の移動速度を検出し、この移動速
度に対応するタイミングで不良品データを順次メモリに
シフトさせることができる。
前記メモリに書き込まれた不良品データを順次メモリに
シフトさせるに際し、電極箔の移送経路に箔長測定エン
コーダを設けて電極箔の移動速度を検出し、この移動速
度に対応するタイミングで不良品データを順次メモリに
シフトさせることができる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明に係る電解コンデンサの製造方
法の実施例につき、添付図面を参照しながら以下詳細に
説明する。
法の実施例につき、添付図面を参照しながら以下詳細に
説明する。
【００１４】図１は、電解コンデンサのコンデンサ素子
を形成するための電極箔の移送経路とその周辺に配置し
た各種成形手段の構成配置を示す説明図である。すなわ
ち、図１において、参照符号１０は電極箔１２を巻装し
た箔リールを示し、この箔リール１０から繰り出される
電極箔１２は、ダンサローラ１４、端子接続手段１６、
たぐりローラ１８、ガイドローラ２０、箔長測定エンコ
ーダ２２、箔つなぎ部検出センサ２４、箔カット手段２
６を介してコンデンサ素子を形成するための巻軸２８に
供給する。一方、前記巻軸２８に対し、セパレータ３０
が適宜供給ローラ３２を介して供給される。
を形成するための電極箔の移送経路とその周辺に配置し
た各種成形手段の構成配置を示す説明図である。すなわ
ち、図１において、参照符号１０は電極箔１２を巻装し
た箔リールを示し、この箔リール１０から繰り出される
電極箔１２は、ダンサローラ１４、端子接続手段１６、
たぐりローラ１８、ガイドローラ２０、箔長測定エンコ
ーダ２２、箔つなぎ部検出センサ２４、箔カット手段２
６を介してコンデンサ素子を形成するための巻軸２８に
供給する。一方、前記巻軸２８に対し、セパレータ３０
が適宜供給ローラ３２を介して供給される。
【００１５】しかるに、前記ダンサローラ１４は、箔リ
ール１０より順次繰り出される電極箔１２の張力制御を
行う手段である。端子接続手段１６は、電極箔１２に対
し所定間隔離間してタブ端子またはリード端子を取付け
る手段である。箔長測定エンコーダ２２は、移送される
電極箔１２の移動速度を測定するための測定手段であ
る。箔つなぎ部検出センサ２４は、従来と同様の箔つな
ぎ部を検出するためのセンサである。そして、箔カット
手段２６は、単位コンデンサ素子を形成するに必要な長
さで電極箔１２をカットするための手段である。なお、
図示しないが、セパレータ３０の移送経路においても、
適宜カット手段が設けられる。
ール１０より順次繰り出される電極箔１２の張力制御を
行う手段である。端子接続手段１６は、電極箔１２に対
し所定間隔離間してタブ端子またはリード端子を取付け
る手段である。箔長測定エンコーダ２２は、移送される
電極箔１２の移動速度を測定するための測定手段であ
る。箔つなぎ部検出センサ２４は、従来と同様の箔つな
ぎ部を検出するためのセンサである。そして、箔カット
手段２６は、単位コンデンサ素子を形成するに必要な長
さで電極箔１２をカットするための手段である。なお、
図示しないが、セパレータ３０の移送経路においても、
適宜カット手段が設けられる。
【００１６】図２は、前記構成からなるコンデンサ素子
を形成するための各種成形手段を制御するためのシステ
ム構成を示すものである。なお、図２において、説明の
便宜上前記図１に示す構成要素と同一の構成要素につい
ては、同一の参照符号を付してその詳細な説明は省略す
る。また、図２において、セパレータ３０の制御に関し
ては省略した。
を形成するための各種成形手段を制御するためのシステ
ム構成を示すものである。なお、図２において、説明の
便宜上前記図１に示す構成要素と同一の構成要素につい
ては、同一の参照符号を付してその詳細な説明は省略す
る。また、図２において、セパレータ３０の制御に関し
ては省略した。
【００１７】図２において、コンデンサ素子を形成する
ための主制御装置４０が設けられ、この主制御装置４０
は、箔リール駆動制御装置４２に対して速度指令を送出
して箔リール駆動モータ４４を駆動制御し、箔リール１
０を回転駆動して、電極箔１２の供給を行う。また、前
記主制御装置４０は、巻軸２８の駆動を制御するための
速度指令を巻軸駆動制御装置４６へ送出し、巻軸駆動モ
ータ４８を駆動制御して巻軸３８を回転駆動する。
ための主制御装置４０が設けられ、この主制御装置４０
は、箔リール駆動制御装置４２に対して速度指令を送出
して箔リール駆動モータ４４を駆動制御し、箔リール１
０を回転駆動して、電極箔１２の供給を行う。また、前
記主制御装置４０は、巻軸２８の駆動を制御するための
速度指令を巻軸駆動制御装置４６へ送出し、巻軸駆動モ
ータ４８を駆動制御して巻軸３８を回転駆動する。
【００１８】このようにして、箔リール１０から巻軸２
８へ移送される電極箔１２は、ダンサローラ１４による
張力制御に基づいて、箔リール駆動制御装置４２に対し
てフィードバック速度指令を与える。また、前記主制御
装置４０からは、端子接続手段１６に対して端子接続指
令を送出する。そして、前記主制御装置４０は、電極箔
１２の移送が、単位コンデンサ素子を形成するに必要な
長さとなった際に、箔カット手段２６に対して箔カット
指令を出力するように構成されている。
８へ移送される電極箔１２は、ダンサローラ１４による
張力制御に基づいて、箔リール駆動制御装置４２に対し
てフィードバック速度指令を与える。また、前記主制御
装置４０からは、端子接続手段１６に対して端子接続指
令を送出する。そして、前記主制御装置４０は、電極箔
１２の移送が、単位コンデンサ素子を形成するに必要な
長さとなった際に、箔カット手段２６に対して箔カット
指令を出力するように構成されている。
【００１９】特に、本実施例のシステム構成において
は、箔長測定エンコーダ２２により測定される電極箔１
２の移送速度信号を、マイクロコンピュータ５２とメモ
リ５４とを備えた制御部５０に転送し、前記メモリ５４
の一部で構成される監視メモリに対して順次メモリにシ
フト可能に記憶保持させる。また、この制御部５０に
は、箔つなぎ部検出センサ２４により検出される信号を
入力させて、前記監視メモリに対して箔つなぎ部検出デ
ータを記憶させるように構成する。そして、前記箔つな
ぎ部が検出されれば、所定のタイミングで主制御装置４
０に対して不良品指令を送出し、主制御装置４０ではこ
の指令を受けて箔カット手段２６に対して電極箔１２の
カットを指令する。
は、箔長測定エンコーダ２２により測定される電極箔１
２の移送速度信号を、マイクロコンピュータ５２とメモ
リ５４とを備えた制御部５０に転送し、前記メモリ５４
の一部で構成される監視メモリに対して順次メモリにシ
フト可能に記憶保持させる。また、この制御部５０に
は、箔つなぎ部検出センサ２４により検出される信号を
入力させて、前記監視メモリに対して箔つなぎ部検出デ
ータを記憶させるように構成する。そして、前記箔つな
ぎ部が検出されれば、所定のタイミングで主制御装置４
０に対して不良品指令を送出し、主制御装置４０ではこ
の指令を受けて箔カット手段２６に対して電極箔１２の
カットを指令する。
【００２０】そこで、この監視メモリ５４と電極箔１２
の移送経路における箔つなぎ部の検出およびカットを行
う場合のタイミングについて、図３の（ａ）〜（ｅ）を
参照しながら説明する。すなわち、図３の（ａ）〜
（ｅ）は、本実施例における監視メモリのシフト機能を
示す説明図である。
の移送経路における箔つなぎ部の検出およびカットを行
う場合のタイミングについて、図３の（ａ）〜（ｅ）を
参照しながら説明する。すなわち、図３の（ａ）〜
（ｅ）は、本実施例における監視メモリのシフト機能を
示す説明図である。
【００２１】図３の（ａ）〜（ｅ）においては、それぞ
れガイドローラ２０から巻軸２８に至る間において、電
極箔１２の移送経路に設定される箔つなぎ部１２ａに対
するンサ２４による検出位置Ａ1 およびカット手段２６
によるカット位置Ａ2 とを対応させた、監視メモリ５４
の動作を示すものである。
れガイドローラ２０から巻軸２８に至る間において、電
極箔１２の移送経路に設定される箔つなぎ部１２ａに対
するンサ２４による検出位置Ａ1 およびカット手段２６
によるカット位置Ａ2 とを対応させた、監視メモリ５４
の動作を示すものである。
【００２２】すなわち、図３の（ａ）に示した監視メモ
リの１コマは、例えば前記移送経路の距離１ｍｍに相当
するように設定し、前記検出位置Ａ1 からカット位置Ａ
2 に至る距離に相当するコマ数からなる監視メモリ５４
を設定する。そして、前記検出位置Ａ1 に対応する監視
メモリＭ1 の位置において、箔つなぎ部１２ａの検出に
伴う不良品データを書き込む〔図３の（ｂ）参照〕。
リの１コマは、例えば前記移送経路の距離１ｍｍに相当
するように設定し、前記検出位置Ａ1 からカット位置Ａ
2 に至る距離に相当するコマ数からなる監視メモリ５４
を設定する。そして、前記検出位置Ａ1 に対応する監視
メモリＭ1 の位置において、箔つなぎ部１２ａの検出に
伴う不良品データを書き込む〔図３の（ｂ）参照〕。
【００２３】次いで、箔長測定エンコーダ２２により測
定される電極箔１２の移送速度信号に基づいて得られる
タイミングにより、箔つなぎ部１２ａの移動と対応させ
て監視メモリＭ1 〜Ｍn に順次前記不良品データをシフ
トさせる〔図３の（ｃ）〜（ｄ）参照〕。
定される電極箔１２の移送速度信号に基づいて得られる
タイミングにより、箔つなぎ部１２ａの移動と対応させ
て監視メモリＭ1 〜Ｍn に順次前記不良品データをシフ
トさせる〔図３の（ｃ）〜（ｄ）参照〕。
【００２４】そして、前記カット位置Ａ2 における監視
メモリＭn に対し不良品データがシフトされた時点〔図
３の（ｄ）〕において、前記不良品データを読み出し、
その後不良品データが順次シフトされて、不良品データ
が通過した際のタイミングにおいて、カット指令を出力
するように構成される〔図３の（ｅ）参照〕。
メモリＭn に対し不良品データがシフトされた時点〔図
３の（ｄ）〕において、前記不良品データを読み出し、
その後不良品データが順次シフトされて、不良品データ
が通過した際のタイミングにおいて、カット指令を出力
するように構成される〔図３の（ｅ）参照〕。
【００２５】このように構成することにより、前記カッ
ト指令がなされた際に成形されたコンデンサ素子は、不
良品として容易かつ確実に判定することができると共
に、生産ラインから自動的に排除することができる。
ト指令がなされた際に成形されたコンデンサ素子は、不
良品として容易かつ確実に判定することができると共
に、生産ラインから自動的に排除することができる。
【００２６】以上、本発明の好適な実施例についてそれ
ぞれ説明したが、本発明は前記実施例に限定されること
なく、本発明の精神を逸脱しない範囲内において、多く
の設計変更をすることができる。
ぞれ説明したが、本発明は前記実施例に限定されること
なく、本発明の精神を逸脱しない範囲内において、多く
の設計変更をすることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電解
コンデンサの製造方法によれば、陽極箔および陰極箔と
しての電極箔に、それぞれタブ端子またはリード端子を
取付けた後、適宜セパレータを介して重ね合せ巻回する
ことにより電解コンデンサのコンデンサ素子を形成する
電解コンデンサの製造方法において、電極箔の移送経路
における箔つなぎ部検出位置から箔カット位置に至る距
離に対応して複数のコマ数からなるメモリを設定した監
視メモリを設け、前記検出位置に対応するメモリに箔つ
なぎ部の検出に伴う不良品データを書き込み、次いで電
極箔の移動に対応させて前記メモリに書き込まれた不良
品データを順次メモリにシフトさせ、前記箔カット位置
に対応するメモリにおいて前記不良品データを読み出す
と共に前記メモリのシフトに伴い不良品データが通過し
た際に箔カット指令を出力して、コンデンサ素子の不良
品判定とその排除を自動的に行うように構成することに
より、電極箔の箔つなぎ部が巻回される不良品としての
コンデサ素子を正確に検出ないし判定して、当該コンデ
サ素子の形成時にこれを自動的に排除することができ、
効率的なコンデサ素子の形成ないし電解コンデンサの製
造を行うことができる。
コンデンサの製造方法によれば、陽極箔および陰極箔と
しての電極箔に、それぞれタブ端子またはリード端子を
取付けた後、適宜セパレータを介して重ね合せ巻回する
ことにより電解コンデンサのコンデンサ素子を形成する
電解コンデンサの製造方法において、電極箔の移送経路
における箔つなぎ部検出位置から箔カット位置に至る距
離に対応して複数のコマ数からなるメモリを設定した監
視メモリを設け、前記検出位置に対応するメモリに箔つ
なぎ部の検出に伴う不良品データを書き込み、次いで電
極箔の移動に対応させて前記メモリに書き込まれた不良
品データを順次メモリにシフトさせ、前記箔カット位置
に対応するメモリにおいて前記不良品データを読み出す
と共に前記メモリのシフトに伴い不良品データが通過し
た際に箔カット指令を出力して、コンデンサ素子の不良
品判定とその排除を自動的に行うように構成することに
より、電極箔の箔つなぎ部が巻回される不良品としての
コンデサ素子を正確に検出ないし判定して、当該コンデ
サ素子の形成時にこれを自動的に排除することができ、
効率的なコンデサ素子の形成ないし電解コンデンサの製
造を行うことができる。
【図１】本発明に係る電解コンデンサの製造方法を実施
するコンデンサ素子を形成するための電極箔の移送系統
とその周辺に配置した各種成形手段の構成配置を示す説
明図である。
するコンデンサ素子を形成するための電極箔の移送系統
とその周辺に配置した各種成形手段の構成配置を示す説
明図である。
【図２】本発明に係る電解コンデンサの製造方法を実施
するためのコンデンサ素子を形成する制御システムの構
成例を示すシステム構成図である。
するためのコンデンサ素子を形成する制御システムの構
成例を示すシステム構成図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は本発明に係る電解コンデンサ
の製造方法を実施するための監視メモリのシフト機能を
示すそれぞれ説明図である。
の製造方法を実施するための監視メモリのシフト機能を
示すそれぞれ説明図である。
１０ 箔リール １２ 電極箔 １２ａ 箔つなぎ部 １４ ダンサローラ １６ 端子接続手段 １８ たぐりローラ ２０ ガイドローラ ２２ 箔長測定エンコーダ ２４ 箔つなぎ部検出センサ ２６ 箔カット手段 ２８ 巻軸 ３０ セパレータ ３２ 供給ローラ ４０ 主制御装置 ４２ 箔リール駆動制御装置 ４４ 箔リール駆動モータ ４６ 巻軸駆動制御装置 ４８ 巻軸駆動モータ ５０ 制御部 ５２ マイクロコンピュータ ５４ メモリ（監視メモリ） ５６ 箔長カウンタ Ａ1 検出位置（データ書き込み） Ａ2 カット位置（データ読み出し） Ｍ1 〜Ｍn 監視メモリ
Claims (2)
- 【請求項１】 陽極箔および陰極箔としての電極箔に、
それぞれタブ端子またはリード端子を取付けた後、適宜
セパレータを介して重ね合せ巻回することにより電解コ
ンデンサのコンデンサ素子を形成する電解コンデンサの
製造方法において、 電極箔の移送経路における箔つなぎ部検出位置から箔カ
ット位置に至る距離に対応して複数のコマ数からなるメ
モリを設定した監視メモリを設け、前記検出位置に対応
するメモリに箔つなぎ部の検出に伴う不良品データを書
き込み、次いで電極箔の移動に対応させて前記メモリに
書き込まれた不良品データを順次メモリにシフトさせ、
前記箔カット位置に対応するメモリにおいて前記不良品
データを読み出すと共に前記メモリのシフトに伴い不良
品データが通過した際に箔カット指令を出力して、コン
デンサ素子の不良品判定とその排除を自動的に行うこと
を特徴とする電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項２】 電極箔の移動に対応させて前記メモリに
書き込まれた不良品データを順次メモリにシフトさせる
に際し、電極箔の移送経路に箔長測定エンコーダを設け
て電極箔の移動速度を検出し、この移動速度に対応する
タイミングで不良品データを順次メモリにシフトさせて
なる請求項１記載の電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10640297A JP3865155B2 (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | 電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10640297A JP3865155B2 (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | 電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303086A true JPH10303086A (ja) | 1998-11-13 |
| JP3865155B2 JP3865155B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=14432702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10640297A Expired - Lifetime JP3865155B2 (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | 電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3865155B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012023422A1 (ja) * | 2010-08-19 | 2012-02-23 | コマツＮｔｃ株式会社 | 電極巻き取り方法および電極巻き取り装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111630463B (zh) * | 2020-04-23 | 2024-04-23 | 深圳市诚捷智能装备股份有限公司 | 一种电容器素子的自动化生产控制系统及生产控制方法 |
-
1997
- 1997-04-23 JP JP10640297A patent/JP3865155B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5084070B2 (ja) * | 2010-08-19 | 2012-11-28 | コマツＮｔｃ株式会社 | 電極巻き取り方法および電極巻き取り装置 |
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| JP3865155B2 (ja) | 2007-01-10 |
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