JPH10292034A - 側鎖にエチレンオキシド鎖を有するポリ(フェニレン)およびその製造方法 - Google Patents
側鎖にエチレンオキシド鎖を有するポリ(フェニレン)およびその製造方法Info
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Abstract
ェニレン)およびその工業的に有利な製造方法を提供す
る。 【解決手段】 下記一般式[1]で表されるエチレンオ
キシド鎖を有するポリ(フェニレン)、および下記一般
式[3]で表わされるジアルコキシベンゼンを酸化重合
するエチレンオキシド鎖を有するポリ(フェニレン)の
製造方法にかかるものである。 (式中、R1は下記一般式[2]で表わされるエチレン
オキシド鎖を表わし、R2は炭素数1〜10の炭化水素
基または下記一般式[2]で表わされるエチレンオキシ
ド鎖を表わし、nは平均の重合度で2以上の数を表わ
す。) (式中、R3〜R6は水素原子または炭素数1〜10の炭
化水素基を表わし、R7は炭素数1〜10の炭化水素基
を表わす。mは1〜10の整数である。) (式中、R1およびR2はそれぞれ前記と同じである。)
Description
に表示材料または電池用途の電極材料として有用であ
る、エチレンオキシド鎖を有する新規なポリ(フェニレ
ン)およびその製造方法に関する。
て、特に高分子発光素子への応用が期待されている。こ
の分野では、高分子発光電気化学素子(LEC)といわ
れる素子が最近提案され、その発光効率の高さから着目
されている。その構造は両電極間に導電性高分子とイオ
ン伝導性を有するポリエチレンオキシドおよび支持塩か
らなる高分子膜を挟んだもので、電極からの正負電荷の
注入とドーパントとなる支持塩の正負両イオンの移動に
より、膜中でp−n接合が形成されることが動作原理と
なっていると推定される。電子伝導性を有する導電性高
分子にさらにイオン伝導性をも付与することができれ
ば、前記のような複合膜ではなく単一の材料で素子の製
造が可能になり、プロセス上大きな利点がある。
池などの電極材料としても利用されている。電極活物質
と電解質成分との界面のイオン抵抗が高いこと、あるい
は活物質と集電体との電子伝導性が問題であり、電子伝
導性とイオン伝導性とを併せ持つ高分子材料はその解決
策として期待できる。
とを併せ持つ高分子材料については従来ほとんど知られ
ていない。エチレンオキシド鎖を有するポリ(フェニレ
ン)誘導体として、J. Am. Chem. Soc., Vol. 118, pp
7416-7417 (1996)には、ポリ[9,9−ビス(3,6−
ジオキサヘプチル)フルオレン−2,7−ジイル]が報
告されているが、原料モノマーの製造が煩雑であるとい
う問題があった。
が解決しようとする課題、即ち本発明の目的は、新規な
エチレンオキシド鎖を有するポリ(フェニレン)および
その工業的に有利な製造方法を提供することにある。
達成するべく鋭意研究を行った結果、安価な原料を用い
て温和な条件下に短いステップで容易に新規なエチレン
オキシド鎖を有するポリ(フェニレン)が得られること
を見出し本発明を完成するに至った。即ち本発明は、下
記一般式[1]で表されるエチレンオキシド鎖を有する
ポリ(フェニレン)、および下記一般式[3]で表わさ
れるジアルコキシベンゼンを酸化重合するエチレンオキ
シド鎖を有するポリ(フェニレン)の製造方法にかかる
ものである。 (式中、R1は下記一般式[2]で表わされるエチレン
オキシド鎖を表わし、R2は炭素数1〜10の炭化水素
基または下記一般式[2]で表わされるエチレンオキシ
ド鎖を表わし、nは平均の重合度で2以上の数を表わ
す。) (式中、R3〜R6は水素原子または炭素数1〜10の炭
化水素基を表わし、R7は炭素数1〜10の炭化水素基
を表わす。mは1〜10の整数である。) (式中、R1およびR2はそれぞれ前記と同じである。)
上記一般式[1]においてR1は上記一般式[2]で表
わされるエチレンオキシド鎖を表わす。一般式[2]に
おけるR3〜R6は水素原子または炭素数1〜10の炭化
水素基を表わす。炭化水素基としてはアルキル基が好ま
しく、具体例としてはメチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso−ブ
チル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、オクチル基などが例示される。R3〜R6は好ましく
は、水素原子またはメチル基であり、最も好ましくは水
素原子である。
〜10の炭化水素基を表わす。炭化水素基としてはアル
キル基が好ましく、具体例としてはメチル基、エチル
基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル
基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、オクチル基などが例示される。R7は
好ましくは、炭素数1〜5の炭化水素基であり、さらに
好ましくはメチル基またはエチル基である。
整数である。mは好ましくは1〜5であり、より好まし
くは1〜3である。
〜10の炭化水素基または一般式[2]で表わされるエ
チレンオキシド鎖を表わす。炭化水素基としてはアルキ
ル基が好ましく、具体例としてはメチル基、エチル基、
n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、
iso−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基、オクチル基などが例示される。炭化水素基
として好ましくは、炭素数1〜5の炭化水素基であり、
さらに好ましくはメチル基またはエチル基である。
度で2以上の数を表わす。nは好ましくは3〜100で
ある。さらに好ましくは、5〜50である。
式[3]で表されるエチレンオキシド鎖を有するジアル
コキシベンゼン類を酸化重合することにより製造可能で
ある。 (式中、R1およびR2はそれぞれ前記と同じである。)
シド鎖を有するジアルコキシベンゼン類は、安価な原料
であるハイドロキノンまたはそのモノアルキルエーテル
と、エチレンオキシドのハロゲン化物とをアルカリ存在
下に反応させて容易に合成することが可能である。ハイ
ドロキノンを原料に用いればベンゼン環の両側にエチレ
ンオキシド鎖を有するポリ(フェニレン)を、ハイドロ
キノンモノアルキルエーテルからはベンゼン環の片方に
エチレンオキシド鎖を有しもう片方にアルコキシ基を有
するポリ(フェニレン)を製造することができる。
シド鎖を有するジアルコキシベンゼン類を重合してポリ
(フェニレン)を得る際には、遷移金属錯体触媒、なか
でもオキソバナジウム(IV)錯体を触媒に用いて、酸化
剤、酸および溶媒存在下に酸化重合する方法が選択性お
よび経済性の上で好ましく用いられる。
セトナト)オキソバナジウム(IV)錯体、ビス(ベンゾ
イルアセトナト)オキソバナジウム(IV)錯体、ビス
(ジベンゾイルメタナト)オキソバナジウム(IV)錯
体、ビス(トリフルオロアセチルアセトナト)オキソバ
ナジウム(IV)錯体、ビス(ヘキサフルオロアセチルア
セトナト)オキソバナジウム(IV)錯体等のオキソバナ
ジウム錯体が挙げられる。触媒の使用量は原料であるジ
アルコキシベンゼンに対して通常0.001〜10倍の
モル比で用いられる。
任意のものが使用できるが、好ましくは酸素が用いられ
る。酸素源として好ましくは酸素ガスまたは空気が用い
られ、大気圧または加圧下において反応が行われる。
は酸無水物が用いられる。酸としてはプロトン酸と酸無
水物を併用することが好ましい。
く、具体的には硫酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロ
メタンスルホン酸などが例示される。より好ましくはト
リフルオロメタンスルホン酸が用いられる。プロトン酸
の使用量は、原料である芳香族化合物に対して通常0.
001〜10倍のモル比で用いられる。
オロ酢酸または無水トリフルオロメタンスルホン酸が用
いられる。酸無水物の使用量は、原料である芳香族化合
物に対して通常0.001〜10倍のモル比で用いられ
る。
が、通常は溶媒の存在下で行われる。溶媒としては重合
活性が維持される限り任意のものが使用できるが、好ま
しくは非プロトン性溶媒が用いられる。具体的には、ベ
ンゼン、トルエン、ジクロロメタン、クロロホルム、ジ
クロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ニ
トロメタン、ニトロベンゼン、ベンゾニトリル等が例示
される。溶媒の使用量は原料である芳香族化合物に対し
て、1〜100倍の重量比で用いられる。
説明するが、本発明はこれらの実施例によりその範囲を
限定されるものではない。
メトキシエトキシ)エトキシ−4−メトキシベンゼン
(以下ME2PMと略すことがある。)の合成例であ
る。 マグネチックスターラおよび還流冷却器を備えた200
ml三つ口フラスコ中に、窒素雰囲気下、4−メトキシ
フェノール2.48g(20mmol)、1−クロロ−
2−(2−メトキシエトキシ)エタン2.77g(20
mmol)、および塩化ベンジルトリメチルアンモニウ
ム0.74g(4mmol)を入れ、トルエン30ml
とジメチルスルホキシド10mlを加え撹拌した。これ
に50%水酸化ナトリウム水溶液40mlを加え、60
℃で8時間撹拌した。冷却後、水100mlに注ぎ濃塩
酸で中和した。トルエン100mlで3回抽出して合わ
せ、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンをエ
バポレータで留去した。残りの液を減圧蒸留することに
より、ME2PMを10mmHgで沸点が175℃の無
色液体として2.79g得た。1H−および13C−NM
Rスペクトル測定結果から得られた化合物がME2PM
である事が確認された。
えて1−クロロ−2−(2−(2−メトキシエトキシ)
エトキシ)エタン3.58g(20mmol)を用いた
他は参考例1を繰り返すことにより、下記式[5]で表
わされるモノマー、1−(2−(2−(2−メトキシエ
トキシ)エトキシ)エトキシ−4−メトキシベンゼン
(以下ME3PMと略すことがある。)を、10mmH
gで沸点が190℃の無色液体として3.35g得た。
1H−および13C−NMRスペクトル測定結果から得ら
れた化合物がME3PMである事が確認された。
ロエチルエーテル23.9g(0.22mol)、塩化
ベンジルトリエチルアンモニウム4.56g(0.02
mol)、トルエン120ml、およびジメチルスルホ
キシド40mlを用いて、参考例1と同様の反応を行
い、下記式[5]で表わされるモノマー、1,4−ビス
(2−エトキシエトキシ)ベンゼン(以下BE2Pと略
すことがある。)を、2.5mmHgで沸点が140℃
の無色液体として4.43g得た。 1H−および13C−
NMRスペクトル測定結果から得られた化合物がBE2
Pである事が確認された。
備えた50mlフラスコ中に,ビス(アセチルアセトナ
ト)オキソバナジウム(以下VO(acac) 2と略す
ことがある。)0.21g(0.8mmol)とME2
PM 2.26g(10mmol)を入れ、1,2−ジ
クロロエタン20mlを加え撹拌溶解した。これにトリ
フルオロメタンスルホン酸0.2mlと無水トリフルオ
ロ酢酸4.0mlを順次加えた。酸素ガスを吹き込みな
がら50℃で120時間撹拌を続けた。反応終了後反応
混合物を濃塩酸1mlを含むメタノール200ml中に
注ぎ込んだ。沈澱物を濾取し、50℃で5時間減圧乾燥
して、0.59gのポリ(2−メトキシ−5−(2−
(2−メトキシエトキシ)エトキシ)−1,4−フェニ
レン)が褐色粉末として得られた。IRスペクトルデー
タを図1に示す。
施例1を繰り返した結果、0.18gのポリ(2−メト
キシ−5−(2−(2−(2−メトキシエトキシ)エト
キシ)エトキシ)−1,4−フェニレン)が褐色粉末と
して得られた。IRスペクトルデータを図1に示す。
(acac)2を133mg、トリフルオロメタンスル
ホン酸を0.1ml、無水トリフルオロ酢酸を1.5m
lとして実施例1と同様の酸化重合を40℃で52時間
行った結果、0.42gのポリ(2,5−ビス(2−エ
トキシエトキシ)−1,4−フェニレン)が褐色粉末と
して得られた。
料または電池用途の電極材料として有用なエチレンオキ
シド鎖を有するポリ(フェニレン)、およびそれを安価
な原料を用いて温和な条件下に短いステップで容易に製
造する方法が提供される。
マーのIRスペクトルデータである。
Claims (7)
- 【請求項1】下記一般式[1]で表されることを特徴と
するエチレンオキシド鎖を有するポリ(フェニレン)。 (式中、R1は下記一般式[2]で表わされるエチレン
オキシド鎖を表わし、R2は炭素数1〜10の炭化水素
基または下記一般式[2]で表わされるエチレンオキシ
ド鎖を表わし、nは平均の重合度で2以上の数を表わ
す。) (式中、R3〜R6は水素原子または炭素数1〜10の炭
化水素基を表わし、R7は炭素数1〜10の炭化水素基
を表わす。mは1〜10の整数である。) - 【請求項2】R3〜R6が、水素原子又はメチル基である
ことを特徴とする請求項1記載のエチレンオキシド鎖を
有するポリ(フェニレン)。 - 【請求項3】下記一般式[3]で表されるジアルコキシ
ベンゼンを酸化重合することを特徴とするエチレンオキ
シド鎖を有するポリ(フェニレン)の製造方法。 (式中、R1およびR2はそれぞれ前記と同じである。) - 【請求項4】下記一般式[3]で表されるジアルコキシ
ベンゼンを、遷移金属錯体触媒、酸化剤および酸の存在
下に酸化重合することを特徴とするエチレンオキシド鎖
を有するポリ(フェニレン)の製造方法。 (式中、R1およびR2はそれぞれ前記と同じである。) - 【請求項5】遷移金属錯体が、オキソバナジウム(IV)
錯体であることを特徴とする請求項4記載のエチレンオ
キシド鎖を有するポリ(フェニレン)の製造方法。 - 【請求項6】酸化剤が、酸素であることを特徴とする請
求項4または5記載のエチレンオキシド鎖を有するポリ
(フェニレン)の製造方法。 - 【請求項7】酸が、プロトン酸および/または酸無水物
であることを特徴とする請求項4〜6のいずれかに記載
のエチレンオキシド鎖を有するポリ(フェニレン)の製
造方法。
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JP10161897A JP3738525B2 (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | 側鎖にエチレンオキシド鎖を有するポリ(フェニレン)およびその製造方法 |
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JP2013166871A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 製膜組成物並びにそれを使用する製膜方法、積層構造体及び有機電子素子 |
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1997
- 1997-04-18 JP JP10161897A patent/JP3738525B2/ja not_active Expired - Fee Related
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KR101209413B1 (ko) | 2004-06-28 | 2012-12-06 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 방향족 화합물 중합체의 제조 방법 |
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