JPH10275997A - 電波吸収性パネル - Google Patents
電波吸収性パネルInfo
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- JPH10275997A JPH10275997A JP9081491A JP8149197A JPH10275997A JP H10275997 A JPH10275997 A JP H10275997A JP 9081491 A JP9081491 A JP 9081491A JP 8149197 A JP8149197 A JP 8149197A JP H10275997 A JPH10275997 A JP H10275997A
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電波吸収性に優れ、パネル厚みが薄い建造物
の開口部に適した電波吸収性パネルを提供する。 【解決手段】 パネルの一方の面を形成する絶縁性基板
２と、この絶縁性基板２の内側表面に一様にコーティン
グされた導電性被膜３と、絶縁性基板２と所定の距離を
おいて平行に配置されたパネルのもう一方の面を形成す
る絶縁性基板６と、絶縁性基板６の内側表面に一様にコ
ーティングされた導電性被膜７と、絶縁性基板２と絶縁
性基板６の間に平行に配置された絶縁性基板４と、絶縁
性基板４の表面にストライブ形状または格子形状にコー
ティングされた導電性被膜５とを備え、これら絶縁性基
板２、６、４を固定し、空気層８を密封した電波吸収性
パネル１。
の開口部に適した電波吸収性パネルを提供する。 【解決手段】 パネルの一方の面を形成する絶縁性基板
２と、この絶縁性基板２の内側表面に一様にコーティン
グされた導電性被膜３と、絶縁性基板２と所定の距離を
おいて平行に配置されたパネルのもう一方の面を形成す
る絶縁性基板６と、絶縁性基板６の内側表面に一様にコ
ーティングされた導電性被膜７と、絶縁性基板２と絶縁
性基板６の間に平行に配置された絶縁性基板４と、絶縁
性基板４の表面にストライブ形状または格子形状にコー
ティングされた導電性被膜５とを備え、これら絶縁性基
板２、６、４を固定し、空気層８を密封した電波吸収性
パネル１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は建造物に到来する
電波を吸収するために用いられる電波吸収性パネルに係
り、特に到来した電波を吸収することができるととも
に、可視光を透過することができる電波吸収性パネルに
関する。
電波を吸収するために用いられる電波吸収性パネルに係
り、特に到来した電波を吸収することができるととも
に、可視光を透過することができる電波吸収性パネルに
関する。
【０００２】
【従来の技術】高層建造物の増加に伴い、ＶＨＦやＵＨ
Ｆ等のＴＶ周波数帯域の電波が建造物によって反射され
るケースが多くなり、ＴＶ受像機のアンテナにＴＶ局か
ら直接に到来した電波（直接波）と建造物によって反射
された電波（反射波）とが同時に入射することによって
ＴＶ画面に生ずるゴースト等の受信障害は、大きな社会
問題となっている。
Ｆ等のＴＶ周波数帯域の電波が建造物によって反射され
るケースが多くなり、ＴＶ受像機のアンテナにＴＶ局か
ら直接に到来した電波（直接波）と建造物によって反射
された電波（反射波）とが同時に入射することによって
ＴＶ画面に生ずるゴースト等の受信障害は、大きな社会
問題となっている。
【０００３】このため、このような建造物の外壁で反射
される電波の低減を目的とし、フェライト等の磁性体か
らなる電波吸収性パネルを外壁に貼り付けたり、埋設し
たりして建造物に到来した電波を吸収させることは従来
から行なわれている。
される電波の低減を目的とし、フェライト等の磁性体か
らなる電波吸収性パネルを外壁に貼り付けたり、埋設し
たりして建造物に到来した電波を吸収させることは従来
から行なわれている。
【０００４】また、建造物の開口部に設置される窓ガラ
スには、夏季の冷房負荷の低減（低消費電力化）を図る
ために熱線反射機能を有する膜をコーティングしたもの
が用いられるが、熱線反射能力の高い膜は、電気抵抗が
低いために電波の反射率が高く、電波障害の原因となっ
ている。
スには、夏季の冷房負荷の低減（低消費電力化）を図る
ために熱線反射機能を有する膜をコーティングしたもの
が用いられるが、熱線反射能力の高い膜は、電気抵抗が
低いために電波の反射率が高く、電波障害の原因となっ
ている。
【０００５】フェライトを用いた電波の反射を低減する
電波吸収性パネルは、フェライトが可視光を透過させる
ことができないため、建造物の開口部に適用することが
できない。このため、現状では、熱線反射能力を犠牲に
して電気抵抗の比較的高い透明の熱線反射膜をコーティ
ングし、電波を開口部から室内に透過させることによっ
て電波の反射を減少させて電波障害を防止するととも
に、一部可視光の透過も実現している。
電波吸収性パネルは、フェライトが可視光を透過させる
ことができないため、建造物の開口部に適用することが
できない。このため、現状では、熱線反射能力を犠牲に
して電気抵抗の比較的高い透明の熱線反射膜をコーティ
ングし、電波を開口部から室内に透過させることによっ
て電波の反射を減少させて電波障害を防止するととも
に、一部可視光の透過も実現している。
【０００６】また、建築用窓ガラスや車載用窓ガラスと
して、高性能の熱線反射膜の電波反射による障害の防止
や電波透過性を付与する目的で、導電性の膜を入射電波
の波長より十分小さいサイズに分割することにより電波
透過性を上げ、高い熱線反射性および低い電波反射性を
同時に実現する技術が開示されている（例えば、特開平
３−２５０７９７公報、特開平５−４２６２３号公報、
特開平５−５０５４８号公報、特開平７−２４２４４１
号公報を参照）。
して、高性能の熱線反射膜の電波反射による障害の防止
や電波透過性を付与する目的で、導電性の膜を入射電波
の波長より十分小さいサイズに分割することにより電波
透過性を上げ、高い熱線反射性および低い電波反射性を
同時に実現する技術が開示されている（例えば、特開平
３−２５０７９７公報、特開平５−４２６２３号公報、
特開平５−５０５４８号公報、特開平７−２４２４４１
号公報を参照）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】電波透過性を有する従
来の電波吸収性パネルは、建造物の開口部の窓ガラスに
電波透過性を持たせることにより電波反射の障害を防止
しようとするものであるが、外来電波が建造物の内部へ
透過し、室内に設置されているパソコン等のＯＡ機器に
対して影響を及ぼしたり、室内に設置された電子機器か
ら放射される電磁波が窓ガラスを透過して建造物の外部
に漏洩する課題がある。
来の電波吸収性パネルは、建造物の開口部の窓ガラスに
電波透過性を持たせることにより電波反射の障害を防止
しようとするものであるが、外来電波が建造物の内部へ
透過し、室内に設置されているパソコン等のＯＡ機器に
対して影響を及ぼしたり、室内に設置された電子機器か
ら放射される電磁波が窓ガラスを透過して建造物の外部
に漏洩する課題がある。
【０００８】このような電波障害が今後増加することが
予想されるにも拘らず、建造物の開口部の窓に対して導
電性の金網や導電性被膜を用いることによって電波を反
射させて遮蔽する以外に有効な対策はなされておらず、
電波反射の障害が発生する恐れのある地域に、大面積の
開口部を備えた電波遮蔽性を有する建造物を建設するこ
とは困難な状況にあった。
予想されるにも拘らず、建造物の開口部の窓に対して導
電性の金網や導電性被膜を用いることによって電波を反
射させて遮蔽する以外に有効な対策はなされておらず、
電波反射の障害が発生する恐れのある地域に、大面積の
開口部を備えた電波遮蔽性を有する建造物を建設するこ
とは困難な状況にあった。
【０００９】このような課題を解決するためには、電波
を反射したり、透過させる機能に代えて電波吸収機能を
有する透明なパネルを実用化することが必要である。現
時点では、制御された面抵抗を有する導電性被膜をコー
ティングした透明基板を２枚平行に配置して電波吸収性
パネルを構成し、電波の多重反射の干渉による共振を利
用することによって高い電波吸収性能を実現できる電波
吸収性パネルが知られている。
を反射したり、透過させる機能に代えて電波吸収機能を
有する透明なパネルを実用化することが必要である。現
時点では、制御された面抵抗を有する導電性被膜をコー
ティングした透明基板を２枚平行に配置して電波吸収性
パネルを構成し、電波の多重反射の干渉による共振を利
用することによって高い電波吸収性能を実現できる電波
吸収性パネルが知られている。
【００１０】しかし、ＶＨＦ帯（１００ＭＨｚ程度）の
電波を吸収するためには、電波吸収性パネルを構成する
２枚の基板の間の空気層の厚みを数１０ｃｍから１ｍ以
上にしなければならず、通常の建造物の窓に適用するに
は現実的ではない。
電波を吸収するためには、電波吸収性パネルを構成する
２枚の基板の間の空気層の厚みを数１０ｃｍから１ｍ以
上にしなければならず、通常の建造物の窓に適用するに
は現実的ではない。
【００１１】本発明はこのような課題を解決するためな
されたもので、その目的は２枚の基板の間が薄い電波吸
収性および光透過性に優れた電波吸収性パネルを提供す
ることにある。
されたもので、その目的は２枚の基板の間が薄い電波吸
収性および光透過性に優れた電波吸収性パネルを提供す
ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
この発明に係る電波吸収性パネルは、一様な導電性被膜
が基板の少なくとも一面に形成され、所定の距離をおい
て平行に配置された少なくとも２枚の絶縁性基板と、こ
れらの絶縁性基板の間に平行に配置され、ストライプ形
状または格子形状の導電性被膜が基板の表面に形成され
た少なくとも１枚の絶縁性基板とを備えたことを特徴と
する。
この発明に係る電波吸収性パネルは、一様な導電性被膜
が基板の少なくとも一面に形成され、所定の距離をおい
て平行に配置された少なくとも２枚の絶縁性基板と、こ
れらの絶縁性基板の間に平行に配置され、ストライプ形
状または格子形状の導電性被膜が基板の表面に形成され
た少なくとも１枚の絶縁性基板とを備えたことを特徴と
する。
【００１３】この発明に係る電波吸収性パネルは、一様
な導電性被膜が基板の少なくとも一面に形成され、所定
の距離をおいて平行に配置された少なくとも２枚の絶縁
性基板と、これらの絶縁性基板の間に平行に配置され、
ストライプ形状または格子形状の導電性被膜が基板の表
面に形成された少なくとも１枚の絶縁性基板とを備えて
いるので、電波吸収性パネルの比誘電率を大きくしてパ
ネルの幅を短くしても電波の吸収率を高めることができ
る。
な導電性被膜が基板の少なくとも一面に形成され、所定
の距離をおいて平行に配置された少なくとも２枚の絶縁
性基板と、これらの絶縁性基板の間に平行に配置され、
ストライプ形状または格子形状の導電性被膜が基板の表
面に形成された少なくとも１枚の絶縁性基板とを備えて
いるので、電波吸収性パネルの比誘電率を大きくしてパ
ネルの幅を短くしても電波の吸収率を高めることができ
る。
【００１４】また、この発明に係る電波吸収性パネル
は、一様な導電性被膜の面抵抗値が１Ω／□から３００
０Ω／□であるとともに、ストライプ形状の導電性被膜
の幅をＨｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／□、ストライプ形状
の導電性被膜が形成された絶縁性基板の絶縁抵抗値をＲ
DｃｍΩとした場合に、Ｈ、ＲBMおよびＲDが以下の値で
あることを特徴とする。 １ｃｍ ≦ Ｈ ≦ ５０ｃｍ １Ω／□ ≦ ＲBM ≦ ４０Ω／□ ＲD ≧ ３００００ｃｍΩ
は、一様な導電性被膜の面抵抗値が１Ω／□から３００
０Ω／□であるとともに、ストライプ形状の導電性被膜
の幅をＨｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／□、ストライプ形状
の導電性被膜が形成された絶縁性基板の絶縁抵抗値をＲ
DｃｍΩとした場合に、Ｈ、ＲBMおよびＲDが以下の値で
あることを特徴とする。 １ｃｍ ≦ Ｈ ≦ ５０ｃｍ １Ω／□ ≦ ＲBM ≦ ４０Ω／□ ＲD ≧ ３００００ｃｍΩ
【００１５】この発明に係る電波吸収性パネルは、一様
な導電性被膜の面抵抗値が１Ω／□から３０００Ω／□
であるとともに、ストライプ形状の導電性被膜の幅をＨ
ｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／□、ストライプ形状の導電性
被膜が形成された絶縁性基板の絶縁抵抗値をＲDｃｍΩ
とした場合に、Ｈ、ＲBMおよびＲDが上記所定の範囲に
入っておれば、ストライプ形状の導電性被膜を用いてい
るため、電波吸収性パネルの比誘電率を大きくして電波
の吸収率を高めることができる。
な導電性被膜の面抵抗値が１Ω／□から３０００Ω／□
であるとともに、ストライプ形状の導電性被膜の幅をＨ
ｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／□、ストライプ形状の導電性
被膜が形成された絶縁性基板の絶縁抵抗値をＲDｃｍΩ
とした場合に、Ｈ、ＲBMおよびＲDが上記所定の範囲に
入っておれば、ストライプ形状の導電性被膜を用いてい
るため、電波吸収性パネルの比誘電率を大きくして電波
の吸収率を高めることができる。
【００１６】さらに、この発明に係る電波吸収性パネル
は、一様な導電性被膜の面抵抗値が１Ω／□から３００
０Ω／□であるとともに、格子形状の導電性被膜の幅を
Ｈｃｍ、長さをＶｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／□、格子形
状の導電性被膜が形成された絶縁性基板の絶縁抵抗値を
ＲDｃｍΩとした場合に、Ｈ、Ｖ、ＲBMおよびＲDが以下
の値であることを特徴とする。 １ｃｍ ≦ Ｈ ≦ ５０ｃｍ １ｃｍ ≦ Ｖ ≦ ５０ｃｍ １Ω／□ ≦ ＲBM ≦ ４０Ω／□ ＲD ≧ ３００００ｃｍΩ
は、一様な導電性被膜の面抵抗値が１Ω／□から３００
０Ω／□であるとともに、格子形状の導電性被膜の幅を
Ｈｃｍ、長さをＶｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／□、格子形
状の導電性被膜が形成された絶縁性基板の絶縁抵抗値を
ＲDｃｍΩとした場合に、Ｈ、Ｖ、ＲBMおよびＲDが以下
の値であることを特徴とする。 １ｃｍ ≦ Ｈ ≦ ５０ｃｍ １ｃｍ ≦ Ｖ ≦ ５０ｃｍ １Ω／□ ≦ ＲBM ≦ ４０Ω／□ ＲD ≧ ３００００ｃｍΩ
【００１７】この発明に係る電波吸収性パネルは、一様
な導電性被膜の面抵抗値が１Ω／□から３０００Ω／□
であるとともに、格子形状の導電性被膜の幅をＨｃｍ、
長さをＶｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／□、格子形状の導電
性被膜が形成された絶縁性基板の絶縁抵抗値をＲDｃｍ
Ωとした場合に、Ｈ、Ｖ、ＲBMおよびＲDが上記所定の
範囲に入っておれば、格子形状の導電性被膜を用いてい
るため、電波吸収性パネルの比誘電率を大きくして電波
の吸収率を高めることができる。
な導電性被膜の面抵抗値が１Ω／□から３０００Ω／□
であるとともに、格子形状の導電性被膜の幅をＨｃｍ、
長さをＶｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／□、格子形状の導電
性被膜が形成された絶縁性基板の絶縁抵抗値をＲDｃｍ
Ωとした場合に、Ｈ、Ｖ、ＲBMおよびＲDが上記所定の
範囲に入っておれば、格子形状の導電性被膜を用いてい
るため、電波吸収性パネルの比誘電率を大きくして電波
の吸収率を高めることができる。
【００１８】また、この発明に係る電波吸収性パネル
は、一方の絶縁性基板の表面に形成された一様な導電性
被膜の面抵抗値が３０Ω／□以下であり、他方の絶縁性
基板の表面に形成された一様な導電性被膜の面抵抗値が
５０Ω／□以上３０００Ω／□以下であるとともに、ス
トライプ形状の導電性被膜の幅をＨｃｍ、面抵抗値をＲ
BMΩ／□、ストライプ形状の導電性被膜が形成された絶
縁性基板の絶縁抵抗値をＲDｃｍΩとした場合に、Ｈ、
ＲBMおよびＲDが以下の値であることを特徴とする。 １ｃｍ ≦ Ｈ ≦ ５０ｃｍ １Ω／□ ≦ ＲBM ≦ ４０Ω／□ ＲD ≧ ３００００ｃｍΩ
は、一方の絶縁性基板の表面に形成された一様な導電性
被膜の面抵抗値が３０Ω／□以下であり、他方の絶縁性
基板の表面に形成された一様な導電性被膜の面抵抗値が
５０Ω／□以上３０００Ω／□以下であるとともに、ス
トライプ形状の導電性被膜の幅をＨｃｍ、面抵抗値をＲ
BMΩ／□、ストライプ形状の導電性被膜が形成された絶
縁性基板の絶縁抵抗値をＲDｃｍΩとした場合に、Ｈ、
ＲBMおよびＲDが以下の値であることを特徴とする。 １ｃｍ ≦ Ｈ ≦ ５０ｃｍ １Ω／□ ≦ ＲBM ≦ ４０Ω／□ ＲD ≧ ３００００ｃｍΩ
【００１９】この発明に係る電波吸収性パネルは、一方
の絶縁性基板の表面に形成された一様な導電性被膜の面
抵抗値が３０Ω／□以下であり、他方の絶縁性基板の表
面に形成された一様な導電性被膜の面抵抗値が５０Ω／
□以上３０００Ω／□以下であるとともに、ストライプ
形状の導電性被膜の幅をＨｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／
□、ストライプ形状の導電性被膜が形成された絶縁性基
板の絶縁抵抗値をＲDｃｍΩとした場合に、Ｈ、ＲBMお
よびＲDが上記所定の範囲に入っておれば、ストライプ
の導電性被膜を用いているため、電波吸収性パネルの比
誘電率を大きくして電波の吸収率を高めることができ
る。
の絶縁性基板の表面に形成された一様な導電性被膜の面
抵抗値が３０Ω／□以下であり、他方の絶縁性基板の表
面に形成された一様な導電性被膜の面抵抗値が５０Ω／
□以上３０００Ω／□以下であるとともに、ストライプ
形状の導電性被膜の幅をＨｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／
□、ストライプ形状の導電性被膜が形成された絶縁性基
板の絶縁抵抗値をＲDｃｍΩとした場合に、Ｈ、ＲBMお
よびＲDが上記所定の範囲に入っておれば、ストライプ
の導電性被膜を用いているため、電波吸収性パネルの比
誘電率を大きくして電波の吸収率を高めることができ
る。
【００２０】さらに、この発明に係る電波吸収性パネル
は、一方の絶縁性基板の表面に形成された一様な導電性
被膜の面抵抗値が３０Ω／□以下であり、他方の絶縁性
基板の表面に形成された一様な導電性被膜の面抵抗値が
５０Ω／□以上３０００Ω／□以下であるとともに、格
子形状の導電性被膜の幅をＨｃｍ、長さをＶｃｍ、面抵
抗値をＲBMΩ／□、格子形状の導電性被膜が形成された
絶縁性基板の絶縁抵抗値をＲDｃｍΩとした場合に、
Ｈ、Ｖ、ＲBMおよびＲDが以下の値であることを特徴と
する。 １ｃｍ ≦ Ｈ ≦ ５０ｃｍ １ｃｍ ≦ Ｖ ≦ ５０ｃｍ １Ω／□ ≦ ＲBM ≦ ４０Ω／□ ＲD ≧ ３００００ｃｍΩ
は、一方の絶縁性基板の表面に形成された一様な導電性
被膜の面抵抗値が３０Ω／□以下であり、他方の絶縁性
基板の表面に形成された一様な導電性被膜の面抵抗値が
５０Ω／□以上３０００Ω／□以下であるとともに、格
子形状の導電性被膜の幅をＨｃｍ、長さをＶｃｍ、面抵
抗値をＲBMΩ／□、格子形状の導電性被膜が形成された
絶縁性基板の絶縁抵抗値をＲDｃｍΩとした場合に、
Ｈ、Ｖ、ＲBMおよびＲDが以下の値であることを特徴と
する。 １ｃｍ ≦ Ｈ ≦ ５０ｃｍ １ｃｍ ≦ Ｖ ≦ ５０ｃｍ １Ω／□ ≦ ＲBM ≦ ４０Ω／□ ＲD ≧ ３００００ｃｍΩ
【００２１】この発明に係る電波吸収性パネルは、一方
の絶縁性基板の表面に形成された一様な導電性被膜の面
抵抗値が３０Ω／□以下であり、他方の絶縁性基板の表
面に形成された一様な導電性被膜の面抵抗値が５０Ω／
□以上３０００Ω／□以下であるとともに、格子形状の
導電性被膜の幅をＨｃｍ、長さをＶｃｍ、面抵抗値をＲ
BMΩ／□、格子形状の導電性被膜が形成された絶縁性基
板の絶縁抵抗値をＲDｃｍΩとした場合に、Ｈ、Ｖ、Ｒ
BMおよびＲDが上記所定の範囲に入っておれば、格子形
状の導電性被膜を用いているため、電波吸収性パネルの
比誘電率を大きくして電波の吸収率を高めることができ
る。
の絶縁性基板の表面に形成された一様な導電性被膜の面
抵抗値が３０Ω／□以下であり、他方の絶縁性基板の表
面に形成された一様な導電性被膜の面抵抗値が５０Ω／
□以上３０００Ω／□以下であるとともに、格子形状の
導電性被膜の幅をＨｃｍ、長さをＶｃｍ、面抵抗値をＲ
BMΩ／□、格子形状の導電性被膜が形成された絶縁性基
板の絶縁抵抗値をＲDｃｍΩとした場合に、Ｈ、Ｖ、Ｒ
BMおよびＲDが上記所定の範囲に入っておれば、格子形
状の導電性被膜を用いているため、電波吸収性パネルの
比誘電率を大きくして電波の吸収率を高めることができ
る。
【００２２】また、この発明に係る電波吸収性パネル
は、絶縁性基板に透明な板ガラスを用いるとともに、ス
トライプ形状または格子形状の導電性被膜をＳｎＯ2を
主成分とする透明導電膜、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とする透明
導電膜、またはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌのいずれかを主
成分とする金属膜で形成したことを特徴とする。
は、絶縁性基板に透明な板ガラスを用いるとともに、ス
トライプ形状または格子形状の導電性被膜をＳｎＯ2を
主成分とする透明導電膜、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とする透明
導電膜、またはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌのいずれかを主
成分とする金属膜で形成したことを特徴とする。
【００２３】この発明に係る電波吸収性パネルは、絶縁
性基板に透明な板ガラスを用いるとともに、ストライプ
形状または格子形状の導電性被膜をＳｎＯ2を主成分と
する透明導電膜、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とする透明導電膜、
またはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌのいずれかを主成分とす
る金属膜で形成したので、導電性被膜の面抵抗値を低く
して光の透過性を高めることができる。
性基板に透明な板ガラスを用いるとともに、ストライプ
形状または格子形状の導電性被膜をＳｎＯ2を主成分と
する透明導電膜、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とする透明導電膜、
またはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌのいずれかを主成分とす
る金属膜で形成したので、導電性被膜の面抵抗値を低く
して光の透過性を高めることができる。
【００２４】さらに、この発明に係る電波吸収性パネル
は、少なくとも２枚の絶縁性基板と、ストライプ形状ま
たは格子形状の導電性被膜が基板の表面に形成された少
なくとも１枚の絶縁性基板との空間に、乾燥空気を密閉
したことを特徴とする。
は、少なくとも２枚の絶縁性基板と、ストライプ形状ま
たは格子形状の導電性被膜が基板の表面に形成された少
なくとも１枚の絶縁性基板との空間に、乾燥空気を密閉
したことを特徴とする。
【００２５】この発明に係る電波吸収性パネルは、少な
くとも２枚の絶縁性基板と、ストライプ形状または格子
形状の導電性被膜が基板の表面に形成された少なくとも
１枚の絶縁性基板との空間に、乾燥空気を密閉したの
で、外部温度の変化による結露を防止することができ、
導電性被膜の水分による電波吸収性能の劣化を防止する
ことができる。
くとも２枚の絶縁性基板と、ストライプ形状または格子
形状の導電性被膜が基板の表面に形成された少なくとも
１枚の絶縁性基板との空間に、乾燥空気を密閉したの
で、外部温度の変化による結露を防止することができ、
導電性被膜の水分による電波吸収性能の劣化を防止する
ことができる。
【００２６】また、この発明に係る電波吸収性パネル
は、少なくとも２枚の絶縁性基板と、ストライプ形状ま
たは格子形状の導電性被膜が基板の表面に形成された絶
縁性基板との空間に、樹脂を封入して密着させた合わせ
ガラスとしたことを特徴とする。
は、少なくとも２枚の絶縁性基板と、ストライプ形状ま
たは格子形状の導電性被膜が基板の表面に形成された絶
縁性基板との空間に、樹脂を封入して密着させた合わせ
ガラスとしたことを特徴とする。
【００２７】この発明に係る電波吸収性パネルは、少な
くとも２枚の絶縁性基板と、ストライプ形状または格子
形状の導電性被膜が基板の表面に形成された絶縁性基板
との空間に、樹脂を封入して密着させた合わせガラスと
したので、ガラスが割れて飛び散ることを防止すること
ができる。
くとも２枚の絶縁性基板と、ストライプ形状または格子
形状の導電性被膜が基板の表面に形成された絶縁性基板
との空間に、樹脂を封入して密着させた合わせガラスと
したので、ガラスが割れて飛び散ることを防止すること
ができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。なお、本発明は、建造物の開
口部の窓ガラス等に適用し、可視光の透過性を確保する
とともに、外来電波を吸収することによって電波の反射
および建造物内への電波の透過を防止することができる
パネル厚みの薄い電波吸収性パネルを提供するものであ
る。
図面に基づいて説明する。なお、本発明は、建造物の開
口部の窓ガラス等に適用し、可視光の透過性を確保する
とともに、外来電波を吸収することによって電波の反射
および建造物内への電波の透過を防止することができる
パネル厚みの薄い電波吸収性パネルを提供するものであ
る。
【００２９】図１はこの発明に係る電波吸収性パネルの
構成図である。図１において、電波吸収性パネル１は、
パネルの一方の面を形成する絶縁性基板２と、この絶縁
性基板２の内側表面に一様にコーティングされた導電性
被膜３と、絶縁性基板２と所定の距離をおいて平行に配
置されたパネルのもう一方の面を形成する絶縁性基板６
と、絶縁性基板６の内側表面に一様にコーティングされ
た導電性被膜７と、絶縁性基板２と絶縁性基板６の間に
平行に配置された絶縁性基板４と、絶縁性基板４の表面
にストライプ形状または格子形状にコーティングされた
導電性被膜５とを備え、これら絶縁性基板２、６、４を
固定し、空気層８を密封する。
構成図である。図１において、電波吸収性パネル１は、
パネルの一方の面を形成する絶縁性基板２と、この絶縁
性基板２の内側表面に一様にコーティングされた導電性
被膜３と、絶縁性基板２と所定の距離をおいて平行に配
置されたパネルのもう一方の面を形成する絶縁性基板６
と、絶縁性基板６の内側表面に一様にコーティングされ
た導電性被膜７と、絶縁性基板２と絶縁性基板６の間に
平行に配置された絶縁性基板４と、絶縁性基板４の表面
にストライプ形状または格子形状にコーティングされた
導電性被膜５とを備え、これら絶縁性基板２、６、４を
固定し、空気層８を密封する。
【００３０】なお、図１において、電波吸収性パネル１
を絶縁性基板２、絶縁性基板４および絶縁性基板６の３
層構造としたが、この３層を一組として複数組で構成し
てもよい。また、導電性被膜３または導電性被膜７は、
それぞれ絶縁性基板２および絶縁性基板６の外側表面に
一様にコーティングしてもよいし、絶縁性基板６の両側
表面に一様にコーティングしてもよい。
を絶縁性基板２、絶縁性基板４および絶縁性基板６の３
層構造としたが、この３層を一組として複数組で構成し
てもよい。また、導電性被膜３または導電性被膜７は、
それぞれ絶縁性基板２および絶縁性基板６の外側表面に
一様にコーティングしてもよいし、絶縁性基板６の両側
表面に一様にコーティングしてもよい。
【００３１】さらに、絶縁性基板２と絶縁性基板６の間
に、複数枚のストライプ形状または格子形状の導電性被
膜が基板の表面に形成された絶縁性基板４を備えてもよ
い。また、絶縁性基板２と絶縁性基板６の間に、ストラ
イプ形状または格子形状の導電性被膜が基板の表面に形
成された１枚の絶縁性基板４と、少なくとも１枚の単な
る絶縁性基板を備えてもよい。
に、複数枚のストライプ形状または格子形状の導電性被
膜が基板の表面に形成された絶縁性基板４を備えてもよ
い。また、絶縁性基板２と絶縁性基板６の間に、ストラ
イプ形状または格子形状の導電性被膜が基板の表面に形
成された１枚の絶縁性基板４と、少なくとも１枚の単な
る絶縁性基板を備えてもよい。
【００３２】図２はこの発明に係る電波吸収性パネルの
ストライプ形状導電性被膜のパターン図である。図２に
おいて、ストライプ形状導電性被膜５Ａは、導電性被膜
で形成し、それぞれのストライプ幅がＨ、隣接するスト
ライプ間の幅をＤとしたパターンで形成する。
ストライプ形状導電性被膜のパターン図である。図２に
おいて、ストライプ形状導電性被膜５Ａは、導電性被膜
で形成し、それぞれのストライプ幅がＨ、隣接するスト
ライプ間の幅をＤとしたパターンで形成する。
【００３３】図３はこの発明に係る電波吸収性パネルの
格子形状導電性被膜のパターン図である。図３におい
て、格子形状導電性被膜５Ｂは、導電性被膜で形成し、
列方向のそれぞれのパターン幅をＨ、行方向のそれぞれ
のパターン幅をＶ、隣接する列方向および行方向のパタ
ーン間隔をＤとして格子形状にパターンを形成する。
格子形状導電性被膜のパターン図である。図３におい
て、格子形状導電性被膜５Ｂは、導電性被膜で形成し、
列方向のそれぞれのパターン幅をＨ、行方向のそれぞれ
のパターン幅をＶ、隣接する列方向および行方向のパタ
ーン間隔をＤとして格子形状にパターンを形成する。
【００３４】図４はこの発明に係るストライプ形状導電
性被膜が基板の表面に形成された絶縁性基板の構成図で
ある。（ａ）図にストライプ形状導電性被膜５Ａが基板
の表面に形成された絶縁性基板４の構成、および（ｂ）
図、（ｃ）図に示す極偏平な楕円柱を有するストライプ
形状導電性被膜５Ａに印加される一様な電波の電場の作
用を示す。（ｂ）図にストライプ形状導電性被膜５Ａパ
ターン図、（ｃ）図に（ｂ）図のストライプ形状導電性
被膜５ＡをＣ−Ｃで切断した断面図を示す。
性被膜が基板の表面に形成された絶縁性基板の構成図で
ある。（ａ）図にストライプ形状導電性被膜５Ａが基板
の表面に形成された絶縁性基板４の構成、および（ｂ）
図、（ｃ）図に示す極偏平な楕円柱を有するストライプ
形状導電性被膜５Ａに印加される一様な電波の電場の作
用を示す。（ｂ）図にストライプ形状導電性被膜５Ａパ
ターン図、（ｃ）図に（ｂ）図のストライプ形状導電性
被膜５ＡをＣ−Ｃで切断した断面図を示す。
【００３５】（ａ）図において、ｙ軸方向のベクトル
（実線矢印）が一様な電波の電場の向きを示し、ｘ−ｚ
座標の傾斜αを有するベクトル（実線表示）が電波の電
磁波伝播方向を示す。
（実線矢印）が一様な電波の電場の向きを示し、ｘ−ｚ
座標の傾斜αを有するベクトル（実線表示）が電波の電
磁波伝播方向を示す。
【００３６】（ｃ）図おいて、ストライプ形状導電性被
膜５Ａは、極偏平な楕円パターンの長径（ストライプ形
状の導電性被膜の幅）がＨ、単径（パターンの厚み）が
Ａの導電性被膜で形成され、隣接するストライプ形状パ
ターン間隔はＤで形成している。また、隣接するストラ
イプ形状パターン間隔の絶縁抵抗値をＲD、極偏平な楕
円パターンの周囲の比誘電率をεeXとする。
膜５Ａは、極偏平な楕円パターンの長径（ストライプ形
状の導電性被膜の幅）がＨ、単径（パターンの厚み）が
Ａの導電性被膜で形成され、隣接するストライプ形状パ
ターン間隔はＤで形成している。また、隣接するストラ
イプ形状パターン間隔の絶縁抵抗値をＲD、極偏平な楕
円パターンの周囲の比誘電率をεeXとする。
【００３７】一般的に、２枚の一様な導電性被膜が形成
された絶縁性基板が平行に配置されている場合（図１で
導電性被膜５がコーティングされた絶縁性基板４が存在
しなく空気層８となっている場合）に、多重反射の干渉
による共振に伴う電波吸収を発生させるためには、両基
板間の距離を電波の波長の１／４程度の長さにすること
が要求される。両基板間が空気層の場合には比誘電率が
１であるので、例えば周波数１００ＭＨｚ電波に対して
両基板の間の距離が７５ｃｍとなる。
された絶縁性基板が平行に配置されている場合（図１で
導電性被膜５がコーティングされた絶縁性基板４が存在
しなく空気層８となっている場合）に、多重反射の干渉
による共振に伴う電波吸収を発生させるためには、両基
板間の距離を電波の波長の１／４程度の長さにすること
が要求される。両基板間が空気層の場合には比誘電率が
１であるので、例えば周波数１００ＭＨｚ電波に対して
両基板の間の距離が７５ｃｍとなる。
【００３８】また、空気層の代わりに誘電率のより大き
いガラスを用いると、比誘電率が７程度の値となるの
で、両基板間の距離は約２８ｃｍとなる。さらに、両基
板間の距離を１０ｃｍ程度まで小さくするためには、周
波数１００ＭＨｚの電波に対して誘電率が数１０以上の
媒体が必要となる。
いガラスを用いると、比誘電率が７程度の値となるの
で、両基板間の距離は約２８ｃｍとなる。さらに、両基
板間の距離を１０ｃｍ程度まで小さくするためには、周
波数１００ＭＨｚの電波に対して誘電率が数１０以上の
媒体が必要となる。
【００３９】図４に示すストライプ状に分割された導電
性被膜５Ａは、隣接するストライプ形状パターン間隔の
中心線と直角方向の電波の電界に対し、一定の条件の下
では、導電性被膜５Ａの膜厚をＡｃｍ、極偏平な楕円パ
ターンの長径をＨｃｍとすると、Ｈ／Ａの程度（通常の
場合この大きさは１０7程度）の巨大な大きさの実数の
比誘電率を有し、かつ厚さがＡｃｍの一様な媒体と見な
してよいという性質を持つことが本発明者等の研究によ
って明らかになった。
性被膜５Ａは、隣接するストライプ形状パターン間隔の
中心線と直角方向の電波の電界に対し、一定の条件の下
では、導電性被膜５Ａの膜厚をＡｃｍ、極偏平な楕円パ
ターンの長径をＨｃｍとすると、Ｈ／Ａの程度（通常の
場合この大きさは１０7程度）の巨大な大きさの実数の
比誘電率を有し、かつ厚さがＡｃｍの一様な媒体と見な
してよいという性質を持つことが本発明者等の研究によ
って明らかになった。
【００４０】本発明の電波吸収性パネルは、このような
巨大な実数の誘電率を持つ誘電体膜が、一様な導電性被
膜が形成された２枚の絶縁性基板が平行に配置されてい
る中に配置されている場合と同様な機能を有し、ストラ
イプ形状または格子形状に分割された導電性被膜の両側
で、電波に対して大きな位相変化をもたらすことがで
き、その結果、２枚の絶縁性基板間の距離（パネルの厚
さ）が１／４波長よりも大幅に短い場合でも、多重反射
の干渉による共鳴を発生させることができ、高い電波吸
収性を実現することができる。
巨大な実数の誘電率を持つ誘電体膜が、一様な導電性被
膜が形成された２枚の絶縁性基板が平行に配置されてい
る中に配置されている場合と同様な機能を有し、ストラ
イプ形状または格子形状に分割された導電性被膜の両側
で、電波に対して大きな位相変化をもたらすことがで
き、その結果、２枚の絶縁性基板間の距離（パネルの厚
さ）が１／４波長よりも大幅に短い場合でも、多重反射
の干渉による共鳴を発生させることができ、高い電波吸
収性を実現することができる。
【００４１】次に、前述した巨大な実数の誘電率の近似
的な演算を簡単なモデルに基づいて算出する。図４の
（ｃ）図に示すように、ストライプ状に分割された導電
性被膜５Ａを、電波の電場の向き（ｙ軸方向）と直角な
方向に伸びた極偏平な楕円柱とし、隣接する楕円柱間を
絶縁抵抗値ＲD、距離（幅）Ｄで形成し、楕円柱の周辺
を比誘電率εeXの誘電体で囲むという形にモデル化し、
この楕円柱１個に一様な外部電場が印加される場合の分
極を計算し、分割された導電膜の層全体に亘って空間平
均することより、この仮想誘電体層の実効的な比誘電率
ΣBMは数１で表わされる。
的な演算を簡単なモデルに基づいて算出する。図４の
（ｃ）図に示すように、ストライプ状に分割された導電
性被膜５Ａを、電波の電場の向き（ｙ軸方向）と直角な
方向に伸びた極偏平な楕円柱とし、隣接する楕円柱間を
絶縁抵抗値ＲD、距離（幅）Ｄで形成し、楕円柱の周辺
を比誘電率εeXの誘電体で囲むという形にモデル化し、
この楕円柱１個に一様な外部電場が印加される場合の分
極を計算し、分割された導電膜の層全体に亘って空間平
均することより、この仮想誘電体層の実効的な比誘電率
ΣBMは数１で表わされる。
【００４２】
【数１】
【００４３】ストライプ形状パターン間隔の絶縁抵抗値
ＲDが充分大きな場合には、ＲD→∞とすることによって
数１は簡略化されて数２で表わされる。
ＲDが充分大きな場合には、ＲD→∞とすることによって
数１は簡略化されて数２で表わされる。
【００４４】
【数２】
【００４５】さらに、導電性被膜の楕円パターンの長径
Ｈを入射する電波の波長λより充分小さな値（Ｈ<<λ）
に設定し、導電性被膜の面抵抗値をＲBMが真空の空間イ
ンピーダンスＺOより充分小さい値（ＲBM<<ＺO）に設定
した場合には、数２は簡略化されて数３で表わされる。
Ｈを入射する電波の波長λより充分小さな値（Ｈ<<λ）
に設定し、導電性被膜の面抵抗値をＲBMが真空の空間イ
ンピーダンスＺOより充分小さい値（ＲBM<<ＺO）に設定
した場合には、数２は簡略化されて数３で表わされる。
【００４６】
【数３】
【００４７】数３から、図４に示すストライプ状に分割
された導電性被膜５Ａの仮想誘電体層の実効的な比誘電
率ΣBMは、巨大な実数の比誘電率（１０7 の程度）に相
当することになる。
された導電性被膜５Ａの仮想誘電体層の実効的な比誘電
率ΣBMは、巨大な実数の比誘電率（１０7 の程度）に相
当することになる。
【００４８】数３に示す比誘電率ΣBMを用いて２枚の一
様な導電性被膜が形成された絶縁性基板が平行に配置さ
れている状態で、その間にストライプ状に分割された導
電性被膜が形成された絶縁性基板を入れる場合の電波の
透化・反射・吸収特性をマックスウェルの方程式を用い
て計算した。
様な導電性被膜が形成された絶縁性基板が平行に配置さ
れている状態で、その間にストライプ状に分割された導
電性被膜が形成された絶縁性基板を入れる場合の電波の
透化・反射・吸収特性をマックスウェルの方程式を用い
て計算した。
【００４９】２枚の一様な導電性被膜が形成された絶縁
性基板が平行に配置されている状態で、その間にストラ
イプ状に分割された導電性被膜の形成された絶縁性基板
を入れない場合と、入れた場合の電波の透過・反射・吸
収周波数特性の演算結果を図５、図６に示す。
性基板が平行に配置されている状態で、その間にストラ
イプ状に分割された導電性被膜の形成された絶縁性基板
を入れない場合と、入れた場合の電波の透過・反射・吸
収周波数特性の演算結果を図５、図６に示す。
【００５０】図５はストライプ状に分割された導電性被
膜の形成された絶縁性基板を入れたない場合の電波の透
過・反射・吸収周波数特性図である。なお、２枚の一様
な導電性被膜が形成された絶縁性基板間の空気層の厚み
は６０ｃｍとする。
膜の形成された絶縁性基板を入れたない場合の電波の透
過・反射・吸収周波数特性図である。なお、２枚の一様
な導電性被膜が形成された絶縁性基板間の空気層の厚み
は６０ｃｍとする。
【００５１】図５において、周波数１００ＭＨｚ近傍
で、電波吸収率は大幅に増大（吸収率＝１）し、一方電
波反射率は大幅に低下（反射率＝０. ００１：減衰量６
０ｄＢ）する。
で、電波吸収率は大幅に増大（吸収率＝１）し、一方電
波反射率は大幅に低下（反射率＝０. ００１：減衰量６
０ｄＢ）する。
【００５２】図６はこの発明に係るストライプ状に分割
された導電性被膜の形成された絶縁性基板を入れた場合
の電波の透過・反射・吸収周波数特性図である。なお、
空気層の厚みは、図１に示す絶縁性基板２と絶縁性基板
４間が１５ｃｍ、絶縁性基板４と絶縁性基板６間が１ｃ
ｍとする。
された導電性被膜の形成された絶縁性基板を入れた場合
の電波の透過・反射・吸収周波数特性図である。なお、
空気層の厚みは、図１に示す絶縁性基板２と絶縁性基板
４間が１５ｃｍ、絶縁性基板４と絶縁性基板６間が１ｃ
ｍとする。
【００５３】図６において、周波数１００ＭＨｚ近傍
で、電波吸収率は大幅に増大（吸収率＝１）し、一方電
波反射率は大幅に低下（反射率＝０. ０１：減衰量４０
ｄＢ）する。
で、電波吸収率は大幅に増大（吸収率＝１）し、一方電
波反射率は大幅に低下（反射率＝０. ０１：減衰量４０
ｄＢ）する。
【００５４】このように、本発明の電波吸収性パネル
は、ストライプ状に分割された導電性被膜の形成された
絶縁性基板を少なくとも２枚の一様な導電性被膜が形成
された絶縁性基板間に設けたので、ストライプ状に分割
された導電性被膜の形成された絶縁性基板がない状態と
比較してパネル幅を１／４程度に短くしても、電波の反
射率を低減し、吸収率を増大することができる。
は、ストライプ状に分割された導電性被膜の形成された
絶縁性基板を少なくとも２枚の一様な導電性被膜が形成
された絶縁性基板間に設けたので、ストライプ状に分割
された導電性被膜の形成された絶縁性基板がない状態と
比較してパネル幅を１／４程度に短くしても、電波の反
射率を低減し、吸収率を増大することができる。
【００５５】なお、本発明の電波吸収性パネルに用いら
れる一様な導電性被膜の特性には、電波を１００％近く
反射する作用と、電波の一部を反射・透過させ一部を吸
収する作用とがある。
れる一様な導電性被膜の特性には、電波を１００％近く
反射する作用と、電波の一部を反射・透過させ一部を吸
収する作用とがある。
【００５６】前者の特性を得るためには、面抵抗値ＲBM
の小さいものが適しているが、面抵抗値ＲBMを小さくす
るには導電性被膜を厚くする必要があり、製造するコス
トが増大する。
の小さいものが適しているが、面抵抗値ＲBMを小さくす
るには導電性被膜を厚くする必要があり、製造するコス
トが増大する。
【００５７】また、導電性被膜を厚くすると、導電性被
膜に金属膜を用いる場合には、可視光の透過性が低下し
てしまう。
膜に金属膜を用いる場合には、可視光の透過性が低下し
てしまう。
【００５８】このため、製造コストおよび可視光の透過
性の課題を解消するために、面抵抗値ＲBMを１Ω／□以
上３０００Ω／□以下に設定する。特に、面抵抗値ＲBM
は５Ω／□〜２０Ω／□に設定することが望ましい。
性の課題を解消するために、面抵抗値ＲBMを１Ω／□以
上３０００Ω／□以下に設定する。特に、面抵抗値ＲBM
は５Ω／□〜２０Ω／□に設定することが望ましい。
【００５９】後者の特性の場合、一様な導電性被膜をコ
ーティングした絶縁性基板を多層にすることによって電
波吸収特性は様々に変化するが、面抵抗値ＲBMを３００
０Ω／□以上にすると電波の透過が多すぎて十分な吸収
のものを得ることが困難になり、一方、面抵抗値ＲBMを
５０Ω／□以下にすると電波の反射が多すぎて十分な吸
収のものを得ることが困難になる。このため、面抵抗値
ＲBMは、２００Ω／□〜１５００Ω／□が望ましい。
ーティングした絶縁性基板を多層にすることによって電
波吸収特性は様々に変化するが、面抵抗値ＲBMを３００
０Ω／□以上にすると電波の透過が多すぎて十分な吸収
のものを得ることが困難になり、一方、面抵抗値ＲBMを
５０Ω／□以下にすると電波の反射が多すぎて十分な吸
収のものを得ることが困難になる。このため、面抵抗値
ＲBMは、２００Ω／□〜１５００Ω／□が望ましい。
【００６０】また、ストライプ形状または格子形状の導
電性被膜の特性は、電波の吸収率を高めるために実効的
な比誘電率ΣBMを大きくすることが要求される。
電性被膜の特性は、電波の吸収率を高めるために実効的
な比誘電率ΣBMを大きくすることが要求される。
【００６１】なお、比誘電率ΣBMの実数部分が虚数部分
に比較して十分大きくないと共鳴が起こりにくくなって
吸収率も低下するので、導電性被膜の楕円パターンの長
径Ｈを入射する電波の波長λよりも充分小さな値（Ｈ<<
λ）に設定し、導電性被膜の面抵抗値をＲBMが真空の空
間インピーダンスＺOより充分小さい場合（ＲBM<<ＺO）
に設定することが重要となる。
に比較して十分大きくないと共鳴が起こりにくくなって
吸収率も低下するので、導電性被膜の楕円パターンの長
径Ｈを入射する電波の波長λよりも充分小さな値（Ｈ<<
λ）に設定し、導電性被膜の面抵抗値をＲBMが真空の空
間インピーダンスＺOより充分小さい場合（ＲBM<<ＺO）
に設定することが重要となる。
【００６２】比誘電率ΣBMは、数３からストライプ形状
の導電性被膜の幅Ｈの値を大きくすると大きい値に設定
できるが、到来する電波がＶＨＦ帯の場合には波長λが
３００ｃｍ程度であるので、Ｈ<<λとするためにはスト
ライプ形状の導電性被膜の幅Ｈを５０ｃｍより小さく設
定する。
の導電性被膜の幅Ｈの値を大きくすると大きい値に設定
できるが、到来する電波がＶＨＦ帯の場合には波長λが
３００ｃｍ程度であるので、Ｈ<<λとするためにはスト
ライプ形状の導電性被膜の幅Ｈを５０ｃｍより小さく設
定する。
【００６３】一方、ストライプ形状の導電性被膜の幅Ｈ
の値を小さくすると、比誘電率ΣBMが小さくなって電波
の吸収率が小さくなるとともに、導電性被膜が製造しに
くいという問題も発生するため、通常、Ｈの値は１ｃｍ
以上（Ｈ≧１ｃｍ）に設定する。
の値を小さくすると、比誘電率ΣBMが小さくなって電波
の吸収率が小さくなるとともに、導電性被膜が製造しに
くいという問題も発生するため、通常、Ｈの値は１ｃｍ
以上（Ｈ≧１ｃｍ）に設定する。
【００６４】ストライプ形状の導電性被膜の面抵抗値を
ＲBMは、前述したように真空の空間インピーダンスＺO
より充分小さい値（ＲBM<<ＺO≒３７７Ω）にする必要
があり、通常、面抵抗値ＲBMは４０Ω／□以下（ＲBM≦
４０Ω／□）に設定する。
ＲBMは、前述したように真空の空間インピーダンスＺO
より充分小さい値（ＲBM<<ＺO≒３７７Ω）にする必要
があり、通常、面抵抗値ＲBMは４０Ω／□以下（ＲBM≦
４０Ω／□）に設定する。
【００６５】しかし、面抵抗値ＲBMを小さくするために
は導電性被膜の厚みを大きくする必要があって製造する
コストが増大する。さらに、導電性被膜の膜厚が大きく
すると、導電性被膜に金属膜を用いる場合には可視光の
透過率が低下してしまう課題があり、このため面抵抗値
ＲBMは１Ω／□以上（ＲBM≧１Ω／□）に設定する。特
に、面抵抗値ＲBMは、５Ω／□〜２０Ω／□に設定する
ことが望ましい。
は導電性被膜の厚みを大きくする必要があって製造する
コストが増大する。さらに、導電性被膜の膜厚が大きく
すると、導電性被膜に金属膜を用いる場合には可視光の
透過率が低下してしまう課題があり、このため面抵抗値
ＲBMは１Ω／□以上（ＲBM≧１Ω／□）に設定する。特
に、面抵抗値ＲBMは、５Ω／□〜２０Ω／□に設定する
ことが望ましい。
【００６６】また、比誘電率ΣBMの実数部が虚数部より
大きいための条件は、隣接するストライプ形状パターン
間隔の絶縁抵抗値ＲDが大きいことが必要であり、数４
で表わされる。
大きいための条件は、隣接するストライプ形状パターン
間隔の絶縁抵抗値ＲDが大きいことが必要であり、数４
で表わされる。
【００６７】
【数４】
【００６８】通常、ストライプ形状の導電性被膜の幅Ｈ
は、隣接するストライプ形状パターン間隔Ｄより充分大
きく（Ｈ>>Ｄ）設定するのが一般的で、この条件を数４
に適用して数５が得られる。
は、隣接するストライプ形状パターン間隔Ｄより充分大
きく（Ｈ>>Ｄ）設定するのが一般的で、この条件を数４
に適用して数５が得られる。
【００６９】
【数５】
【００７０】数５に、電波の波長λ＝３００ｃｍ、比誘
電率εeX ＝７（ガラス）、ＺO＝３７７Ωを代入する
と、ストライプ形状パターン間隔の絶縁抵抗値ＲD >>
３３００ｃｍΩが得られ、通常、絶縁抵抗値ＲDは３０
０００ｃｍΩより大きく設定する。
電率εeX ＝７（ガラス）、ＺO＝３７７Ωを代入する
と、ストライプ形状パターン間隔の絶縁抵抗値ＲD >>
３３００ｃｍΩが得られ、通常、絶縁抵抗値ＲDは３０
０００ｃｍΩより大きく設定する。
【００７１】一方、一方向にストライプ形状に分割され
た導電性被膜にストライプの長手方向に電波の電場が印
加される場合には、これまでに述べたストライプ形状の
導電性被膜の効果は期待できず、一様な導電性被膜の場
合と同様な特性になってしまう。
た導電性被膜にストライプの長手方向に電波の電場が印
加される場合には、これまでに述べたストライプ形状の
導電性被膜の効果は期待できず、一様な導電性被膜の場
合と同様な特性になってしまう。
【００７２】任意の向きの電場に対して、ストライプ形
状の導電性被膜と同様な電波吸収特性を発揮させるため
に、導電性被膜を格子形状に設定する。なお、格子形状
は、前述した一方向のストライプ形状の条件が満たされ
ている必要がある。
状の導電性被膜と同様な電波吸収特性を発揮させるため
に、導電性被膜を格子形状に設定する。なお、格子形状
は、前述した一方向のストライプ形状の条件が満たされ
ている必要がある。
【００７３】次に、電波吸収性パネルの実施の形態とし
て、ストライプ形状または格子形状の導電性被膜がコー
ティングされた絶縁性基板を有する電波吸収性パネルを
用い、図１に示すパネルの一方の外周を構成する絶縁性
基板の表面上に形成された一様な導電性被膜として電波
を１００％近く反射する作用を有するものを配置し、他
方の外周を構成する絶縁性基板の表面に形成された一様
な導電性被膜として電波を部分的に反射・透過し、部分
的に吸収する作用を有するものを配置し、両絶縁性基板
の間に格子形状の導電性被膜を表面上に形成された絶縁
性基板を少なくとも１枚配置したものについて説明す
る。
て、ストライプ形状または格子形状の導電性被膜がコー
ティングされた絶縁性基板を有する電波吸収性パネルを
用い、図１に示すパネルの一方の外周を構成する絶縁性
基板の表面上に形成された一様な導電性被膜として電波
を１００％近く反射する作用を有するものを配置し、他
方の外周を構成する絶縁性基板の表面に形成された一様
な導電性被膜として電波を部分的に反射・透過し、部分
的に吸収する作用を有するものを配置し、両絶縁性基板
の間に格子形状の導電性被膜を表面上に形成された絶縁
性基板を少なくとも１枚配置したものについて説明す
る。
【００７４】このような、電波吸収性パネルは、パネル
の両外周に電波を部分的に反射・透過し部分的に吸収す
る機能を有する絶縁性基板を配置した場合と比較して、
空気層の厚みを約１／２、ストライプ状もしくは格子状
に分割された導電性被膜を形成された絶縁性基板の効果
を倍の枚数相当にすることができる。
の両外周に電波を部分的に反射・透過し部分的に吸収す
る機能を有する絶縁性基板を配置した場合と比較して、
空気層の厚みを約１／２、ストライプ状もしくは格子状
に分割された導電性被膜を形成された絶縁性基板の効果
を倍の枚数相当にすることができる。
【００７５】電波を１００％近く反射する機能を有する
一様な導電性被膜の面抵抗値ＲBMは１Ω／□〜３０Ω／
□に設定する。特に、より最適な面抵抗値ＲBMとして
は、５Ω／□〜２０Ω／□が望ましい。しかし、光の透
過性を要求しないような場合には、より低い面抵抗値Ｒ
BMの導電性被膜を用いることができ、より顕著な効果が
得られる。
一様な導電性被膜の面抵抗値ＲBMは１Ω／□〜３０Ω／
□に設定する。特に、より最適な面抵抗値ＲBMとして
は、５Ω／□〜２０Ω／□が望ましい。しかし、光の透
過性を要求しないような場合には、より低い面抵抗値Ｒ
BMの導電性被膜を用いることができ、より顕著な効果が
得られる。
【００７６】電波を部分的に反射・透過し、部分的に吸
収する機能を有する一様な導電性被膜の面抵抗値ＲBMは
５０Ω／□〜３０００Ω／□に設定する。特に、より最
適な面抵抗値ＲBMとしては、２００Ω／□〜１５００Ω
／□が望ましい。
収する機能を有する一様な導電性被膜の面抵抗値ＲBMは
５０Ω／□〜３０００Ω／□に設定する。特に、より最
適な面抵抗値ＲBMとしては、２００Ω／□〜１５００Ω
／□が望ましい。
【００７７】本発明の電波吸収性パネルを建造物の開口
部に適用するためには、絶縁性基板として可視光に対し
て透明な基板を用いる必要があり、透明な板ガラスが好
適である。また、絶縁性基板に形成される導電性被膜も
透光性を有するものを用いる。
部に適用するためには、絶縁性基板として可視光に対し
て透明な基板を用いる必要があり、透明な板ガラスが好
適である。また、絶縁性基板に形成される導電性被膜も
透光性を有するものを用いる。
【００７８】特に、ストライプ形状または格子形状の導
電性被膜の面抵抗値を低くし、かつ透光性を維持するた
めに、膜材料を限定して選択する必要がある。このよう
な機能を実現できる膜材料としては、ＳｎＯ2を主成分
とする透明導電膜、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とする透明導電
膜、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌのいずれかを主成分とする
金属膜が適している。
電性被膜の面抵抗値を低くし、かつ透光性を維持するた
めに、膜材料を限定して選択する必要がある。このよう
な機能を実現できる膜材料としては、ＳｎＯ2を主成分
とする透明導電膜、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とする透明導電
膜、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌのいずれかを主成分とする
金属膜が適している。
【００７９】このような導電膜または金属膜は、太陽光
の近赤外線をよく反射したり、熱線の低輻射機能を有す
るため、電波吸収機能に加えて窓ガラスに使用される場
合には、室内の冷暖房の省エネルギー化を図ることがで
きる。
の近赤外線をよく反射したり、熱線の低輻射機能を有す
るため、電波吸収機能に加えて窓ガラスに使用される場
合には、室内の冷暖房の省エネルギー化を図ることがで
きる。
【００８０】前記のような膜材料、特にＡｇ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ａｌのいずれかを主成分とする金属膜を用いる場
合、膜の耐久性を確保するために、乾燥空気をガラス基
板の間に密封して作られる複層ガラスや、ガラス基板間
に樹脂を挿入して密着させた合わせガラスにして用いる
ことが好ましい。なお、乾燥空気や樹脂を用いて電波吸
収作用を持たせるために、空気層の厚みやガラス基板の
厚み、樹脂層の厚みを上述の各種条件に基づいて設計す
る。
ｕ、Ａｌのいずれかを主成分とする金属膜を用いる場
合、膜の耐久性を確保するために、乾燥空気をガラス基
板の間に密封して作られる複層ガラスや、ガラス基板間
に樹脂を挿入して密着させた合わせガラスにして用いる
ことが好ましい。なお、乾燥空気や樹脂を用いて電波吸
収作用を持たせるために、空気層の厚みやガラス基板の
厚み、樹脂層の厚みを上述の各種条件に基づいて設計す
る。
【００８１】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と合わせて具
体的に説明する。 ＜実施例１＞インライン型スパッタ装置を用い、窒素９
０ｍｏｌ％、酸素１０ｍｏｌ％のガスを導入し、Ｃｒ金
属ターゲットを用いた反応性スパッタ法により酸窒化膜
ＣｒＯｘＮｙ膜を、厚さ４ｍｍのソーダライムシリカガ
ラス上に形成した。この膜の厚さは約４０ｎｍであり、
膜の面抵抗の値は約４００Ω／□であった。
体的に説明する。 ＜実施例１＞インライン型スパッタ装置を用い、窒素９
０ｍｏｌ％、酸素１０ｍｏｌ％のガスを導入し、Ｃｒ金
属ターゲットを用いた反応性スパッタ法により酸窒化膜
ＣｒＯｘＮｙ膜を、厚さ４ｍｍのソーダライムシリカガ
ラス上に形成した。この膜の厚さは約４０ｎｍであり、
膜の面抵抗の値は約４００Ω／□であった。
【００８２】次に、インラインスパッタ装置により、厚
さ４ｍｍのソーダライムシリカガラス基板上にＡｇの膜
として基板側から順にＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯを成膜し
た。各膜厚を順に、４０ｎｍ、１５ｎｍ、４０ｎｍにな
るように制御する。ＺｎＯ膜は、Ａｇ膜の耐久性を維持
する役割を有する。得られた膜の面抵抗は約５Ω／□で
あった。
さ４ｍｍのソーダライムシリカガラス基板上にＡｇの膜
として基板側から順にＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯを成膜し
た。各膜厚を順に、４０ｎｍ、１５ｎｍ、４０ｎｍにな
るように制御する。ＺｎＯ膜は、Ａｇ膜の耐久性を維持
する役割を有する。得られた膜の面抵抗は約５Ω／□で
あった。
【００８３】さらに、同じインラインスパッタ装置を用
い、隣り合うの穴の間隔が４ｍｍで１辺が５ｃｍの正方
形の穴をあけた厚さ０. ５ｍｍの薄いステンレス板のマ
スクを準備して厚さ４ｍｍのソーダライムシリカガラス
上にのせ、ガラス基板側から順にＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ
の膜を膜厚が順に４０ｎｍ、１５ｎｍ、４０ｎｍになる
ように制御し、成膜した。マスクを取り除いて、基板上
に１辺が５ｃｍの正方形の透明なＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ
膜を格子状に形成した。膜の面抵抗は約５Ω／□であ
り、隣接する格子の膜の間の絶縁抵抗は２０ＭΩ以上の
値となる。
い、隣り合うの穴の間隔が４ｍｍで１辺が５ｃｍの正方
形の穴をあけた厚さ０. ５ｍｍの薄いステンレス板のマ
スクを準備して厚さ４ｍｍのソーダライムシリカガラス
上にのせ、ガラス基板側から順にＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ
の膜を膜厚が順に４０ｎｍ、１５ｎｍ、４０ｎｍになる
ように制御し、成膜した。マスクを取り除いて、基板上
に１辺が５ｃｍの正方形の透明なＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ
膜を格子状に形成した。膜の面抵抗は約５Ω／□であ
り、隣接する格子の膜の間の絶縁抵抗は２０ＭΩ以上の
値となる。
【００８４】この３種類を１辺が１２０ｃｍの正方形に
切り取り、ガラス４ｍｍ／ＣｒＯｘＮｙ：空気層０. ６
ｃｍ：格子状ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ膜／ガラス４ｍｍ：
空気層２. ４ｃｍ：ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ膜／ガラス４
ｍｍの構造の積層体を構成する。
切り取り、ガラス４ｍｍ／ＣｒＯｘＮｙ：空気層０. ６
ｃｍ：格子状ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ膜／ガラス４ｍｍ：
空気層２. ４ｃｍ：ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ膜／ガラス４
ｍｍの構造の積層体を構成する。
【００８５】この積層体の周波数２００ＭＨｚから１Ｇ
Ｈｚまでの電波反射率、電波透過率を測定した結果、約
５００ＭＨｚ付近に反射が減少し、強い共振的吸収が発
生する領域があることが判明した。
Ｈｚまでの電波反射率、電波透過率を測定した結果、約
５００ＭＨｚ付近に反射が減少し、強い共振的吸収が発
生する領域があることが判明した。
【００８６】この構成のパネルについて、前述の近似理
論による電波反射吸収特性の計算結果を第７図に示す。
論による電波反射吸収特性の計算結果を第７図に示す。
【００８７】＜比較例１＞実施例１の格子状Ａｇ膜の形
成された厚さ４ｍｍのガラス基板を、膜の形成されてい
ないガラス基板に置き換えた積層体を製作し、周波数２
００ＭＨｚから１ＧＨｚまでの電波反射率、電波透過率
を測定した結果、周波数１ＧＨｚ付近に反射率の低減と
吸収率の増加があるが、周波数１ＧＨｚ以下では共振的
吸収は現れなかった。
成された厚さ４ｍｍのガラス基板を、膜の形成されてい
ないガラス基板に置き換えた積層体を製作し、周波数２
００ＭＨｚから１ＧＨｚまでの電波反射率、電波透過率
を測定した結果、周波数１ＧＨｚ付近に反射率の低減と
吸収率の増加があるが、周波数１ＧＨｚ以下では共振的
吸収は現れなかった。
【００８８】この構成に対する電波反射吸収特性の理論
計算結果では、図８に示すように周波数１. ２ＧＨｚ付
近に共振的吸収が現れた。実施例１と同じ周波数５００
ＭＨｚ付近に共振的吸収を生じさせるためには２. ５ｃ
ｍの空気層の厚みを１０ｃｍまで増加させることが必要
であった。
計算結果では、図８に示すように周波数１. ２ＧＨｚ付
近に共振的吸収が現れた。実施例１と同じ周波数５００
ＭＨｚ付近に共振的吸収を生じさせるためには２. ５ｃ
ｍの空気層の厚みを１０ｃｍまで増加させることが必要
であった。
【００８９】＜実施例２＞インラインスパッタ装置にＩ
ＴＯ焼結体ターゲットを取り付け、Ａｒに酸素２０ｍｏ
ｌ％添加したガスを導入して厚さ４ｍｍのソーダライム
シリカガラス上に約６０ｎｍの厚さのＩＴＯ膜を形成し
た。
ＴＯ焼結体ターゲットを取り付け、Ａｒに酸素２０ｍｏ
ｌ％添加したガスを導入して厚さ４ｍｍのソーダライム
シリカガラス上に約６０ｎｍの厚さのＩＴＯ膜を形成し
た。
【００９０】膜の面抵抗値を約４００Ω／□になるよう
に成膜条件を調整した。この基板を実施例１のＣｒＯｘ
Ｎｙ膜の形成された基板に置き換えて積層体パネルを形
成し、周波数２００ＭＨｚから１ＧＨｚまでの電波反射
率、電波透過率を測定したところ実施例１とほぼ同じ特
性を示した。
に成膜条件を調整した。この基板を実施例１のＣｒＯｘ
Ｎｙ膜の形成された基板に置き換えて積層体パネルを形
成し、周波数２００ＭＨｚから１ＧＨｚまでの電波反射
率、電波透過率を測定したところ実施例１とほぼ同じ特
性を示した。
【００９１】＜実施例３＞インラインスパッタ装置を用
いてＳｎＯ2／Ａｇ／ＳｎＯ2を厚さ４ｍｍのソーダライ
ムシリカガラス基板上に成膜した。膜厚は順に、４０ｎ
ｍ、１５ｎｍ、４０ｎｍとなるように制御し、面抵抗約
５Ω／□の膜が得られた。
いてＳｎＯ2／Ａｇ／ＳｎＯ2を厚さ４ｍｍのソーダライ
ムシリカガラス基板上に成膜した。膜厚は順に、４０ｎ
ｍ、１５ｎｍ、４０ｎｍとなるように制御し、面抵抗約
５Ω／□の膜が得られた。
【００９２】このガラス基板の膜面を鋼鉄性の針を用い
て碁盤目状にけがき疵を入れ、約２０ｃｍ角の正方形に
分割した。分割部を光学顕微鏡で観察すると２００μｍ
弱の幅の線状に膜が削り取られていた。
て碁盤目状にけがき疵を入れ、約２０ｃｍ角の正方形に
分割した。分割部を光学顕微鏡で観察すると２００μｍ
弱の幅の線状に膜が削り取られていた。
【００９３】分割された隣接する導電膜間の電気抵抗は
おおむね５０ｋΩを越えている。この２０ｃｍ角の正方
形の格子状の膜を形成したガラス基板を実施例１の格子
状ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ膜の形成されたガラス基板に置
き換えて積層体を構成し、周波数２００ＭＨｚから１Ｇ
Ｈｚまでの電波反射率、電波透過率を測定した。周波数
２５０ＭＨｚ付近に実施例１の場合よりもやや弱い共振
的吸収が発生した。
おおむね５０ｋΩを越えている。この２０ｃｍ角の正方
形の格子状の膜を形成したガラス基板を実施例１の格子
状ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ膜の形成されたガラス基板に置
き換えて積層体を構成し、周波数２００ＭＨｚから１Ｇ
Ｈｚまでの電波反射率、電波透過率を測定した。周波数
２５０ＭＨｚ付近に実施例１の場合よりもやや弱い共振
的吸収が発生した。
【００９４】＜比較例２＞インラインスパッタ装置を用
いて、ガラス／ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯを成膜する。 膜
厚は順に、４０ｎｍ、１５ｎｍ、４０ｎｍになるように
制御し、面抵抗約５Ω／□の膜が得られた。実施例３と
同様に、膜面を鋼鉄性の針を用いて碁盤目状にけがき疵
を入れ、約２０ｃｍ角の正方形に分割した。分割された
隣接する導電膜間の電気抵抗は５０Ω以下（ＲDで約１
０００ｃｍΩ）であった。
いて、ガラス／ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯを成膜する。 膜
厚は順に、４０ｎｍ、１５ｎｍ、４０ｎｍになるように
制御し、面抵抗約５Ω／□の膜が得られた。実施例３と
同様に、膜面を鋼鉄性の針を用いて碁盤目状にけがき疵
を入れ、約２０ｃｍ角の正方形に分割した。分割された
隣接する導電膜間の電気抵抗は５０Ω以下（ＲDで約１
０００ｃｍΩ）であった。
【００９５】この２０ｃｍ角の正方形の格子状の膜を形
成したガラス基板を実施例１の格子状ＺｎＯ／Ａｇ／Ｚ
ｎＯ膜の形成されたガラス基板に置き換えて積層体を構
成し、周波数２００ＭＨｚから１ＧＨｚまでの電波反射
率、電波透過率を測定した。周波数２５０ＭＨｚ付近に
ゆるやかな反射率の低下はあるが、共振的な吸収は生じ
なかった。
成したガラス基板を実施例１の格子状ＺｎＯ／Ａｇ／Ｚ
ｎＯ膜の形成されたガラス基板に置き換えて積層体を構
成し、周波数２００ＭＨｚから１ＧＨｚまでの電波反射
率、電波透過率を測定した。周波数２５０ＭＨｚ付近に
ゆるやかな反射率の低下はあるが、共振的な吸収は生じ
なかった。
【００９６】＜実施例４＞実施例１に記載した面抵抗約
４００Ω／□のＣｒの酸窒化膜ＣｒＮｘＯｙを厚さ１０
ｍｍのガラス上に成膜し、１辺が１８０ｃｍの正方形に
切断し床面と垂直に立てる。このガラスの膜面側に、１
辺が厚さ約１ｃｍの立方体形状の発泡スチロールを約３
０ｃｍ間隔の格子点に張り付けスペーサーとした。
４００Ω／□のＣｒの酸窒化膜ＣｒＮｘＯｙを厚さ１０
ｍｍのガラス上に成膜し、１辺が１８０ｃｍの正方形に
切断し床面と垂直に立てる。このガラスの膜面側に、１
辺が厚さ約１ｃｍの立方体形状の発泡スチロールを約３
０ｃｍ間隔の格子点に張り付けスペーサーとした。
【００９７】膜厚約３００ｎｍの弗素をドープした面抵
抗が約１０Ω／□のＳｎＯ２ 膜からなる透明導電膜付
きの板厚４ｍｍの無色フロートガラスを、幅２０ｃｍ、
長さ１８０ｃｍに切断し、それをプラスチックの板の上
に縦方向に密に並べて固定して１辺が１８０ｃｍのパネ
ルを製作した。このパネルを、鉛直に立てた厚さ１０ｍ
ｍのガラスに発泡スチロールのスペーサーを介して立て
かけた。さらに、このパネルを挟んで平行に厚さ１５μ
ｍ程度のアルミホイルを密に張りつめたもう１枚のパネ
ルを空気層の厚みが可変になるようにして設置した。
抗が約１０Ω／□のＳｎＯ２ 膜からなる透明導電膜付
きの板厚４ｍｍの無色フロートガラスを、幅２０ｃｍ、
長さ１８０ｃｍに切断し、それをプラスチックの板の上
に縦方向に密に並べて固定して１辺が１８０ｃｍのパネ
ルを製作した。このパネルを、鉛直に立てた厚さ１０ｍ
ｍのガラスに発泡スチロールのスペーサーを介して立て
かけた。さらに、このパネルを挟んで平行に厚さ１５μ
ｍ程度のアルミホイルを密に張りつめたもう１枚のパネ
ルを空気層の厚みが可変になるようにして設置した。
【００９８】以上に述べた積層体に、厚さ１０ｍｍのガ
ラス側から直線偏波の電波を入射させて周波数５０ＭＨ
ｚから５００ＭＨｚの範囲での反射率の測定を行った。
電波の電界の偏りが水平の場合、可変空気層の厚みが約
１５ｃｍの時に、周波数１００ＭＨｚ付近に著しい反射
率の低下が現れ、強い共振的吸収が生じた。
ラス側から直線偏波の電波を入射させて周波数５０ＭＨ
ｚから５００ＭＨｚの範囲での反射率の測定を行った。
電波の電界の偏りが水平の場合、可変空気層の厚みが約
１５ｃｍの時に、周波数１００ＭＨｚ付近に著しい反射
率の低下が現れ、強い共振的吸収が生じた。
【００９９】＜比較例３＞実施例４の積層構成に電界が
垂直に偏った電波を入射させた場合、反射率は周波数５
０ＭＨｚから５００ＭＨｚの範囲でほぼ１００％となっ
た。
垂直に偏った電波を入射させた場合、反射率は周波数５
０ＭＨｚから５００ＭＨｚの範囲でほぼ１００％となっ
た。
【０１００】＜比較例４＞実施例４の積層構成から、２
０ｃｍ×１８０ｃｍの透明導電膜付きガラスを並べたパ
ネルを取り除き、空気層の厚みを変えて周波数１００Ｍ
Ｈｚ付近に水平偏波に対する共振的吸収の生ずる条件を
調べると、空気層の厚みは約７０ｃｍ必要であることが
判明した。
０ｃｍ×１８０ｃｍの透明導電膜付きガラスを並べたパ
ネルを取り除き、空気層の厚みを変えて周波数１００Ｍ
Ｈｚ付近に水平偏波に対する共振的吸収の生ずる条件を
調べると、空気層の厚みは約７０ｃｍ必要であることが
判明した。
【０１０１】＜実施例５＞面抵抗約４００Ω／□の一様
なＩＴＯ膜の形成された厚さ４ｍｍのソーダライムシリ
カガラス基板と、面抵抗約５Ω／□のＳｎＯ2／Ａｇ／
ＳｎＯ2膜を形成した後、鋼鉄製の針でけがいて１辺が
５ｃｍの格子状に分割された透明な導電性被膜の形成さ
れた厚さ１８ｍｍのソーダライムシリカガラス基板、及
び面抵抗約３Ω／□の一様なＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／Ａ
ｇ／ＺｎＯ膜を形成した厚さ４ｍｍのソーダライムシリ
カガラス基板の３枚のガラスを樹脂を介在させて合わせ
ガラスとし、ガラス４ｍｍ／ＩＴＯ膜：樹脂０. ３６ｍ
ｍ：分割ＳｎＯ２／Ａｇ／ＳｎＯ２膜／ガラス１８ｍ
ｍ：樹脂０. ３６ｍｍ：ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／Ａｇ／
ＺｎＯ膜／ガラス４ｍｍの構成の積層体パネルを製作し
た。
なＩＴＯ膜の形成された厚さ４ｍｍのソーダライムシリ
カガラス基板と、面抵抗約５Ω／□のＳｎＯ2／Ａｇ／
ＳｎＯ2膜を形成した後、鋼鉄製の針でけがいて１辺が
５ｃｍの格子状に分割された透明な導電性被膜の形成さ
れた厚さ１８ｍｍのソーダライムシリカガラス基板、及
び面抵抗約３Ω／□の一様なＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／Ａ
ｇ／ＺｎＯ膜を形成した厚さ４ｍｍのソーダライムシリ
カガラス基板の３枚のガラスを樹脂を介在させて合わせ
ガラスとし、ガラス４ｍｍ／ＩＴＯ膜：樹脂０. ３６ｍ
ｍ：分割ＳｎＯ２／Ａｇ／ＳｎＯ２膜／ガラス１８ｍ
ｍ：樹脂０. ３６ｍｍ：ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ／Ａｇ／
ＺｎＯ膜／ガラス４ｍｍの構成の積層体パネルを製作し
た。
【０１０２】この積層体パネルにＩＴＯ膜付きガラス基
板の側から電波を入射させ、周波数４００ＭＨｚから
１. ５ＧＨｚまでの電波反射率、電波透過率を測定した
結果、周波数６００ＭＨｚ付近に共振的吸収が発生して
いることが判明した。
板の側から電波を入射させ、周波数４００ＭＨｚから
１. ５ＧＨｚまでの電波反射率、電波透過率を測定した
結果、周波数６００ＭＨｚ付近に共振的吸収が発生して
いることが判明した。
【０１０３】＜比較例５＞実施例５の積層構成の、格子
状に分割された透明な導電性被膜の形成された厚さ１８
ｍｍのソーダライムシリカガラス基板からの代わりに、
何もコートしていない厚さ１８ｍｍのソーダライムシリ
カガラス基板を用いて合わせガラスを構成した。
状に分割された透明な導電性被膜の形成された厚さ１８
ｍｍのソーダライムシリカガラス基板からの代わりに、
何もコートしていない厚さ１８ｍｍのソーダライムシリ
カガラス基板を用いて合わせガラスを構成した。
【０１０４】ＩＴＯ膜付きガラス基板の側から電波を入
射させて周波数４００ＭＨｚから１. ５ＧＨｚまでの電
波反射率、電波透過率を測定した結果、周波数１. ２Ｇ
Ｈｚ付近に共振的吸収が発生した。
射させて周波数４００ＭＨｚから１. ５ＧＨｚまでの電
波反射率、電波透過率を測定した結果、周波数１. ２Ｇ
Ｈｚ付近に共振的吸収が発生した。
【０１０５】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明に係る電波
吸収性パネルは、一様な導電性被膜が基板の少なくとも
一面に形成され、所定の距離をおいて平行に配置された
少なくとも２枚の絶縁性基板と、これらの絶縁性基板の
間に平行に配置され、ストライプ形状または格子形状の
導電性被膜が基板の表面に形成された少なくとも１枚の
絶縁性基板とを備え、電波吸収性パネルの比誘電率を大
きくしてパネルの厚みを薄くしても電波の吸収率を高め
ることができるので、建造物の開口部に設置する最適な
ＶＨＦ帯の電波吸収用パネルとして適用することができ
る。
吸収性パネルは、一様な導電性被膜が基板の少なくとも
一面に形成され、所定の距離をおいて平行に配置された
少なくとも２枚の絶縁性基板と、これらの絶縁性基板の
間に平行に配置され、ストライプ形状または格子形状の
導電性被膜が基板の表面に形成された少なくとも１枚の
絶縁性基板とを備え、電波吸収性パネルの比誘電率を大
きくしてパネルの厚みを薄くしても電波の吸収率を高め
ることができるので、建造物の開口部に設置する最適な
ＶＨＦ帯の電波吸収用パネルとして適用することができ
る。
【０１０６】また、この発明に係る電波吸収性パネル
は、一様な導電性被膜の面抵抗値が１Ω／□から３００
０Ω／□であるとともに、ストライプ形状の導電性被膜
の幅をＨｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／□、ストライプ形状
の導電性被膜が形成された絶縁性基板の絶縁抵抗値をＲ
DｃｍΩとした場合に、Ｈ、ＲBMおよびＲDを上記所定の
範囲に入っておれば、ストライプ形状の導電性被膜を用
いているため、電波吸収性パネルの比誘電率を大きくし
て電波の吸収率を高めることができるので、パネルの厚
みが薄くても一定の方向から到来する電波の吸収性を向
上させることができる。
は、一様な導電性被膜の面抵抗値が１Ω／□から３００
０Ω／□であるとともに、ストライプ形状の導電性被膜
の幅をＨｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／□、ストライプ形状
の導電性被膜が形成された絶縁性基板の絶縁抵抗値をＲ
DｃｍΩとした場合に、Ｈ、ＲBMおよびＲDを上記所定の
範囲に入っておれば、ストライプ形状の導電性被膜を用
いているため、電波吸収性パネルの比誘電率を大きくし
て電波の吸収率を高めることができるので、パネルの厚
みが薄くても一定の方向から到来する電波の吸収性を向
上させることができる。
【０１０７】さらに、この発明に係る電波吸収性パネル
は、一様な導電性被膜の面抵抗値が１Ω／□から３００
０Ω／□であるとともに、格子形状の導電性被膜の幅を
Ｈｃｍ、長さをＶｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／□、格子形
状の導電性被膜が形成された絶縁性基板の絶縁抵抗値を
ＲDｃｍΩとした場合に、１ｃｍ ≦ Ｈ ≦ ５０ｃｍ、
１ｃｍ ≦Ｖ ≦ ５０ｃｍ、１Ω／□ ≦ ＲBM ≦ ４０
Ω／□、ＲD ≧ ３００００ｃｍΩの範囲に入っておれ
ば、格子形状の導電性被膜を用いて電波吸収性パネルの
比誘電率を大きくして電波の吸収率を高めることができ
るので、パネルの厚みが薄くても任意の方向から到来す
る電波の吸収性を向上させることができる。
は、一様な導電性被膜の面抵抗値が１Ω／□から３００
０Ω／□であるとともに、格子形状の導電性被膜の幅を
Ｈｃｍ、長さをＶｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／□、格子形
状の導電性被膜が形成された絶縁性基板の絶縁抵抗値を
ＲDｃｍΩとした場合に、１ｃｍ ≦ Ｈ ≦ ５０ｃｍ、
１ｃｍ ≦Ｖ ≦ ５０ｃｍ、１Ω／□ ≦ ＲBM ≦ ４０
Ω／□、ＲD ≧ ３００００ｃｍΩの範囲に入っておれ
ば、格子形状の導電性被膜を用いて電波吸収性パネルの
比誘電率を大きくして電波の吸収率を高めることができ
るので、パネルの厚みが薄くても任意の方向から到来す
る電波の吸収性を向上させることができる。
【０１０８】また、この発明に係る電波吸収性パネル
は、一方の絶縁性基板の表面に形成された一様な導電性
被膜の面抵抗値が３０Ω／□以下であり、他方の絶縁性
基板の表面に形成された一様な導電性被膜の面抵抗値が
５０Ω／□以上３０００Ω／□以下であるとともに、ス
トライプ形状または格子形状の導電性被膜を基板の表面
にコーティングした絶縁性基板を用いているので、パネ
ルの厚みをより薄くしても電波の吸収性を向上させるこ
とができる
は、一方の絶縁性基板の表面に形成された一様な導電性
被膜の面抵抗値が３０Ω／□以下であり、他方の絶縁性
基板の表面に形成された一様な導電性被膜の面抵抗値が
５０Ω／□以上３０００Ω／□以下であるとともに、ス
トライプ形状または格子形状の導電性被膜を基板の表面
にコーティングした絶縁性基板を用いているので、パネ
ルの厚みをより薄くしても電波の吸収性を向上させるこ
とができる
【０１０９】さらに、この発明に係る電波吸収性パネル
は、絶縁性基板に透明な板ガラスを用いるとともに、ス
トライプ形状または格子形状の導電性被膜をＳｎＯ2を
主成分とする透明導電膜、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とする透明
導電膜、またはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌのいずれかを主
成分とする金属膜で形成したので、導電性被膜の面抵抗
値を低くして光の透過性を高めることができるので、建
造物の開口部に最適な窓ガラスとして適用することがで
きる。
は、絶縁性基板に透明な板ガラスを用いるとともに、ス
トライプ形状または格子形状の導電性被膜をＳｎＯ2を
主成分とする透明導電膜、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とする透明
導電膜、またはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌのいずれかを主
成分とする金属膜で形成したので、導電性被膜の面抵抗
値を低くして光の透過性を高めることができるので、建
造物の開口部に最適な窓ガラスとして適用することがで
きる。
【０１１０】また、この発明に係る電波吸収性パネル
は、少なくとも２枚の絶縁性基板と、ストライプ形状ま
たは格子形状の導電性被膜が基板の表面に形成された少
なくとも１枚の絶縁性基板との空間に、乾燥空気を密閉
したので、外部温度の変化による結露を防止することが
でき、導電性被膜の水分による電波吸収性能の劣化を防
止することができるので、電波吸収性能の信頼性を向上
することができる。
は、少なくとも２枚の絶縁性基板と、ストライプ形状ま
たは格子形状の導電性被膜が基板の表面に形成された少
なくとも１枚の絶縁性基板との空間に、乾燥空気を密閉
したので、外部温度の変化による結露を防止することが
でき、導電性被膜の水分による電波吸収性能の劣化を防
止することができるので、電波吸収性能の信頼性を向上
することができる。
【０１１１】さらに、この発明に係る電波吸収性パネル
は、少なくとも２枚の絶縁性基板と、ストライプ形状ま
たは格子形状の導電性被膜が基板の表面に形成された絶
縁性基板との空間に、樹脂を封入して密着させた合わせ
ガラスとしたので、ガラスが割れて飛び散ることを防止
することができる。
は、少なくとも２枚の絶縁性基板と、ストライプ形状ま
たは格子形状の導電性被膜が基板の表面に形成された絶
縁性基板との空間に、樹脂を封入して密着させた合わせ
ガラスとしたので、ガラスが割れて飛び散ることを防止
することができる。
【０１１２】よって、電波吸収性に優れ、パネル厚みが
薄い建造物の開口部に適した電波吸収性パネルを提供す
ることができる。
薄い建造物の開口部に適した電波吸収性パネルを提供す
ることができる。
【図１】この発明に係る電波吸収性パネルの構成図
【図２】この発明に係る電波吸収性パネルのストライプ
形状導電性被膜のパターン図
形状導電性被膜のパターン図
【図３】この発明に係る電波吸収性パネルの格子形状導
電性被膜のパターン図
電性被膜のパターン図
【図４】この発明に係るストライプ形状導電性被膜が基
板の表面に形成された絶縁性基板の構成図
板の表面に形成された絶縁性基板の構成図
【図５】ストライプ状に分割された導電性被膜の形成さ
れた絶縁性基板を入れたない場合の電波の透過・反射・
吸収周波数特性図
れた絶縁性基板を入れたない場合の電波の透過・反射・
吸収周波数特性図
【図６】この発明に係るストライプ状に分割された導電
性被膜の形成された絶縁性基板を入れた場合の電波の透
過・反射・吸収周波数特性図
性被膜の形成された絶縁性基板を入れた場合の電波の透
過・反射・吸収周波数特性図
【図７】本発明の実施例１の試料についての理論計算の
グラフ
グラフ
【図８】本発明の比較例１の試料についての理論計算の
グラフ
グラフ
１…電波吸収性パネル、２，４，６…絶縁性基板、３，
７…一様にコーティングされた導電性被膜、５…ストラ
イプ形状または格子形状にコーティングされた導電性被
膜、５Ａ…ストライプ形状導電性被膜、５Ｂ…格子形状
導電性被膜、８…空気層。
７…一様にコーティングされた導電性被膜、５…ストラ
イプ形状または格子形状にコーティングされた導電性被
膜、５Ａ…ストライプ形状導電性被膜、５Ｂ…格子形状
導電性被膜、８…空気層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 角 俊雄 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 御園生 雅郎 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 吉田 治信 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 富樫 元康 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 兵頭 賢一 東京都港区芝１丁目11番11号 日本板硝子 環境アメニティ株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 一様な導電性被膜が基板の少なくとも一
面に形成され、所定の距離をおいて平行に配置された少
なくとも２枚の絶縁性基板と、これらの絶縁性基板の間
に平行に配置され、ストライプ形状または格子形状の導
電性被膜が基板の表面に形成された少なくとも１枚の絶
縁性基板とを備えたことを特徴とする電波吸収性パネ
ル。 - 【請求項２】 前記一様な導電性被膜の面抵抗値が１Ω
／□から３０００Ω／□であるとともに、前記ストライ
プ形状の導電性被膜の幅をＨｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／
□、前記ストライプ形状の導電性被膜が形成された絶縁
性基板の絶縁抵抗値をＲDｃｍΩとした場合に、Ｈ、Ｒ
BMおよびＲDが以下の値であることを特徴とする請求項
１記載の電波吸収性パネル。 １ｃｍ ≦ Ｈ ≦ ５０ｃｍ １Ω／□ ≦ ＲBM ≦ ４０Ω／□ ＲD ≧ ３００００ｃｍΩ - 【請求項３】 前記一様な導電性被膜の面抵抗値が１Ω
／□から３０００Ω／□であるとともに、前記格子形状
の導電性被膜の幅をＨｃｍ、長さをＶｃｍ、面抵抗値を
ＲBMΩ／□、前記格子形状の導電性被膜が形成された絶
縁性基板の絶縁抵抗値をＲDｃｍΩとした場合に、Ｈ、
Ｖ、ＲBMおよびＲDが以下の値であることを特徴とする
請求項１記載の電波吸収性パネル。 １ｃｍ ≦ Ｈ ≦ ５０ｃｍ １ｃｍ ≦ Ｖ ≦ ５０ｃｍ １Ω／□ ≦ ＲBM ≦ ４０Ω／□ ＲD ≧ ３００００ｃｍΩ - 【請求項４】 一方の前記絶縁性基板の表面に形成され
た一様な導電性被膜の面抵抗値が３０Ω／□以下であ
り、他方の前記絶縁性基板の表面に形成された一様な導
電性被膜の面抵抗値が５０Ω／□以上３０００Ω／□以
下であるとともに、前記ストライプ形状の導電性被膜の
幅をＨｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／□、前記ストライプ形
状の導電性被膜が形成された絶縁性基板の絶縁抵抗値を
ＲDｃｍΩとした場合に、Ｈ、ＲBMおよびＲDが以下の値
であることを特徴とする請求項１記載の電波吸収性パネ
ル。 １ｃｍ ≦ Ｈ ≦ ５０ｃｍ １Ω／□ ≦ ＲBM ≦ ４０Ω／□ ＲD ≧ ３００００ｃｍΩ - 【請求項５】 一方の前記絶縁性基板の表面に形成され
た一様な導電性被膜の面抵抗値が３０Ω／□以下であ
り、他方の前記絶縁性基板の表面に形成された一様な導
電性被膜の面抵抗値が５０Ω／□以上３０００Ω／□以
下であるとともに、前記格子形状の導電性被膜の幅をＨ
ｃｍ、長さをＶｃｍ、面抵抗値をＲBMΩ／□、前記格子
形状の導電性被膜が形成された絶縁性基板の絶縁抵抗値
をＲDｃｍΩとした場合に、Ｈ、Ｖ、ＲBMおよびＲDが以
下の値であることを特徴とする請求項１記載の電波吸収
性パネル。 １ｃｍ ≦ Ｈ ≦ ５０ｃｍ １ｃｍ ≦ Ｖ ≦ ５０ｃｍ １Ω／□ ≦ ＲBM ≦ ４０Ω／□ ＲD ≧ ３００００ｃｍΩ - 【請求項６】 前記絶縁性基板に透明な板ガラスを用い
るとともに、前記ストライプ形状または格子形状の導電
性被膜をＳｎＯ2を主成分とする透明導電膜、Ｉｎ2Ｏ3
を主成分とする透明導電膜、またはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、
Ａｌのいずれかを主成分とする金属膜で形成したことを
特徴とする請求項１〜請求項５記載の電波吸収性パネ
ル。 - 【請求項７】 前記少なくとも２枚の絶縁性基板と、ス
トライプ形状または格子形状の導電性被膜が基板の表面
に形成された少なくとも１枚の絶縁性基板との空間に、
乾燥空気を密閉したことを特徴とする請求項１〜請求項
６記載の電波吸収性パネル。 - 【請求項８】 前記少なくとも２枚の絶縁性基板と、ス
トライプ形状または格子形状の導電性被膜が基板の表面
に形成された絶縁性基板との空間に、樹脂を封入して密
着させた合わせガラスとしたことを特徴とする請求項１
〜請求項６記載の電波吸収性パネル。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08149197A JP3243789B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 電波吸収性パネル |
| CN98800357A CN1097426C (zh) | 1997-03-31 | 1998-03-30 | 吸收无线电波的板材 |
| PCT/JP1998/001435 WO1998044772A1 (en) | 1997-03-31 | 1998-03-30 | Radio wave absorbing panel |
| TW087104749A TW359046B (en) | 1997-03-31 | 1998-03-30 | Radio wave absorbing panel |
| US09/171,210 US6195034B1 (en) | 1997-03-31 | 1998-03-30 | Radio wave absorbing panel |
| MYPI98001413A MY125883A (en) | 1997-03-31 | 1998-03-31 | Radio wave absorbing panel |
| US09/745,750 US6504501B2 (en) | 1997-03-31 | 2000-12-21 | Radio wave absorbing panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08149197A JP3243789B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 電波吸収性パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275997A true JPH10275997A (ja) | 1998-10-13 |
| JP3243789B2 JP3243789B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=13747878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08149197A Expired - Fee Related JP3243789B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 電波吸収性パネル |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6195034B1 (ja) |
| JP (1) | JP3243789B2 (ja) |
| CN (1) | CN1097426C (ja) |
| MY (1) | MY125883A (ja) |
| TW (1) | TW359046B (ja) |
| WO (1) | WO1998044772A1 (ja) |
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- 1997-03-31 JP JP08149197A patent/JP3243789B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-30 CN CN98800357A patent/CN1097426C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-30 WO PCT/JP1998/001435 patent/WO1998044772A1/en active IP Right Grant
- 1998-03-30 US US09/171,210 patent/US6195034B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-30 TW TW087104749A patent/TW359046B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-03-31 MY MYPI98001413A patent/MY125883A/en unknown
-
2000
- 2000-12-21 US US09/745,750 patent/US6504501B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPWO2020054762A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2021-09-16 | Ａｇｃ株式会社 | 電波透過性基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW359046B (en) | 1999-05-21 |
| WO1998044772A1 (en) | 1998-10-08 |
| US6195034B1 (en) | 2001-02-27 |
| MY125883A (en) | 2006-08-30 |
| CN1097426C (zh) | 2002-12-25 |
| US6504501B2 (en) | 2003-01-07 |
| JP3243789B2 (ja) | 2002-01-07 |
| CN1220815A (zh) | 1999-06-23 |
| US20010005184A1 (en) | 2001-06-28 |
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