JPH10253643A - 走査型近接場光学顕微鏡 - Google Patents

走査型近接場光学顕微鏡

Info

Publication number
JPH10253643A
JPH10253643A JP9058013A JP5801397A JPH10253643A JP H10253643 A JPH10253643 A JP H10253643A JP 9058013 A JP9058013 A JP 9058013A JP 5801397 A JP5801397 A JP 5801397A JP H10253643 A JPH10253643 A JP H10253643A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
probe
optical microscope
field optical
scanning near
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9058013A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3249419B2 (ja
Inventor
Eisuke Tomita
英介 冨田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP05801397A priority Critical patent/JP3249419B2/ja
Priority to US09/038,259 priority patent/US6194711B1/en
Priority to EP98301808A priority patent/EP0864899B1/en
Priority to CA002229221A priority patent/CA2229221A1/en
Priority to DE69817239T priority patent/DE69817239T2/de
Priority to TW087103580A priority patent/TW376448B/zh
Priority to KR1019980008370A priority patent/KR100534039B1/ko
Publication of JPH10253643A publication Critical patent/JPH10253643A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3249419B2 publication Critical patent/JP3249419B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q30/00Auxiliary means serving to assist or improve the scanning probe techniques or apparatus, e.g. display or data processing devices
    • G01Q30/08Means for establishing or regulating a desired environmental condition within a sample chamber
    • G01Q30/10Thermal environment
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q60/00Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
    • G01Q60/18SNOM [Scanning Near-Field Optical Microscopy] or apparatus therefor, e.g. SNOM probes
    • G01Q60/22Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/84Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/849Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
    • Y10S977/86Scanning probe structure
    • Y10S977/862Near-field probe

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長以下の高分解能を有し、局所的な励起発
光測定が可能な近接 場光学顕微鏡を提供する。 【解決手段】 先端に直径が波長以下の微小開口部を有
する光導波プロ−ブ1と、圧電振動体2と交流電圧発生
手段3からなる加振部と、水晶振動子4と電流電圧増幅
回路5からなる振動検出部と、光導波プロ−ブを試料表
面に接近させる粗動機構6と、レンズ7、8と光検出器
9とからなる光検出手段と、Z軸微動素子11とZサ−
ボ回路12とからなる試料とプロ−ブ間の距離制御手段
と、XY微動素子13とXY走査回路14とからなる2
次元走査手段と、測定信号の3次元画像化を行うデ−タ
処理手段15とからなり、さらに、弾性体16のバネ圧
で光導波プロ−ブ1を水晶振動子4に固定することとし
た査型近接場光学顕微鏡の構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長以下の光学分
解能を有する走査型近接場光学顕微鏡に関する。さら
に、半導体素子等の局所励起発光現象を低温下で測定す
るための走査型近接場光学顕微鏡に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、波長以下の光学分解能を有する光
学顕微鏡としては、いわゆる走査型近接場光学顕微鏡が
知られている。この種の顕微鏡の例としては、近距離場
走査光学顕微鏡が「特開平4−291310、近距離場
走査光学顕微鏡及びその用途、ロバート・エリック・ベ
ツトズイツグ」、「特開平6−50750、力検知手段
を含む走査型顕微鏡、ロバート・エリック・ベツトズイ
ツグ」に開示されている。また、試料を冷却できる低温
走査型近接場光学顕微鏡の例としては、ロバート・D・
グローバー等により、Rev.Sci.Instru
m.65(3)、1994、626〜631ページに開
示されている。さらに、水晶振動子を用いた近接場光学
顕微鏡の例としては、カレド・カライ等により、App
l.Phys.Lett.66(14)、1995、1
842〜1844ページに開示されている。以下、これ
らの装置の概略を述べる。
【0003】近距離場走査光学顕微鏡は、NSOMとも
呼ばれる。図2は従来の「近距離場走査光学顕微鏡」の
概略図である。光ファイバー310の先端をテーパー状
70に加工する。テーパー状のプローブの先端には波長
以下の開口が形成されている。XYZステージ50上に
試料台20が設置されている。試料台の上には試料30
がセットされている。XYZ微動素子40を用いて、試
料表面に接近して保持し、一定領域をラスター走査す
る。光ファイバープローブ70を微動素子40を用い
て、試料面と平行に振動させる。プローブ先端には試料
表面からの水平方向の力すなわちシアーフォースが働
き、プローブの振動状態が変化する。プローブ70の振
動状態の測定には、位置制御用のレーザー光(図では省
略)を先端に照射し、プローブ70の影をレンズ90と
光検出器30で検出することで行う。シアーフォースを
一定に保持するように、すなわち、振幅変化または位相
変化を一定に保持するように微動素子40を用いて、試
料表面とプローブ先端の距離を制御する。試料からの距
離に応じてシアーフォースが急速に減衰することを利用
して、試料表面とプローブ先端との距離をナノメーター
のオーダーで一定に制御できる。この状態でレーザー光
60をレンズ150を用いてファイバー310に導入
し、先端の開口より試料表面を照射する。反射光または
透過光の一部を従来の光学系(図では省略)により検出
する。以上説明したように、NSOMの分解能は、プロ
ーブ先端の開口の大きさに依存する。波長以下の開口
(例えば、100nm以下)は容易に製作でき、このた
め、波長以下の高分解能が実現できる。
【0004】図3は従来の「低温走査型近接場光学顕微
鏡」の概略図である。Cは試料と試料走査用のピエゾ圧
電スキャナーであり、Dは光ファイバープローブと振動
用ピエゾ圧電素子である。光ファイバープローブはテー
パー状に加工され、先端には波長以下の開口が形成され
ている。光ファイバープローブを振動用ピエゾ圧電素子
を用いて、試料面と平行に振動させる。プローブ先端に
は試料表面からの水平方向の力すなわちシアーフォース
が働き、プローブの振動状態が変化する。プローブの振
動状態の測定には、レーザー光を用いる。Aはダイオー
ドレーザーであり、Bはレンズ、Fはホトダイオード検
出器である。位置制御用のレーザー光を光ファイバープ
ローブ先端に照射し、プローブの影をレンズと検出器で
検出する。
【0005】シアーフォースを一定に保持するように、
すなわち、振幅変化または位相変化を一定に保持するよ
うにピエゾ圧電スキャナーCを用いて、試料表面とプロ
ーブ先端の距離を制御する。試料からの距離に応じてシ
アーフォースが急速に減衰することを利用して、試料表
面とプローブ先端との距離をナノメーターのオーダーで
一定に制御できる。この状態で近接場光測定用レーザー
光(図では省略)をファイバーDに導入し、先端の開口
より試料表面を照射する。反射光の一部を従来の光学系
(図では省略)により検出する。分解能は、プローブ先
端の開口の大きさに依存し、波長以下の開口(例えば、
100nm以下)は容易に製作できるため、波長以下の
高分解能が実現できる。試料の冷却にはクライオスタッ
トを用いる。Eはクライオスタットのチャンバーと光学
窓である。試料をクライオスタットの内部に配置するこ
とで、試料を液体ヘリウム温度に冷却できる。このよう
な構成により試料を冷却した状態での近接場光測定が可
能となっている。
【0006】図4は従来の「水晶振動子を用いた近接場
光学顕微鏡」の主要部の概略図である。400は光ファ
イバープローブ、410は水晶振動子である。光ファイ
バープローブを水晶振動子に接着する。水晶振動子を振
動用ピエゾ素子(図では省略)で共振させる。水晶振動
子の振動により、光ファイバープローブは振動する。プ
ローブの先端が試料に接近すると、プローブ先端には試
料表面からの水平方向の力すなわちシアーフォースが働
き、水晶振動子の振動状態が変化する。水晶の圧電効果
による発生電荷を測定することで、水晶振動子の振動状
態を測定する。シアーフォースを一定に保持するよう
に、すなわち、水晶振動子の出力の振幅変化または位相
変化を一定に保持するようにピエゾ圧電スキャナー(図
では省略)を用いて、試料表面とプローブ先端の距離を
制御する。試料からの距離に応じてシアーフォースが急
速に減衰することを利用して、試料表面とプローブ先端
との距離をナノメーターのオーダーで一定に制御でき
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の走査型近接場顕微鏡では、以下に述べるような欠点
があった。近距離場走査光学顕微鏡(NSOM)では、
シアーフォース検出のためにレーザー光を光プローブ先
端近傍の試料表面に照射し、その反射光中のプローブ先
端像(影)を検出している。このため、反射光量が試料
表面の形状、反射率に影響されやすく、振動振幅の測定
が困難であり、正確な表面形状測定が困難となってい
た。また、レーザー光の位置合わせが容易でなく、デー
タの再現性に問題があった。また、試料表面の測定領域
に、光プローブからの励起光以外にシアーフォース検出
用のレーザー光を照射するため、バックグラウンドノイ
ズの増大を招き、またノイズ除去も困難である。さらに
分光測定では、シアーフォース用レーザー光の波長近傍
の測定が不可能になる他、シアーフォース用レーザー光
の除去に光学フィルター等が必要となり、検出に寄与す
る発光光量の減少を招き、データのS/N比の低下を生
じることが問題となっていた。
【0008】低温走査型近接場光学顕微鏡では、上記、
近距離場走査光学顕微鏡(NSOM)と同様に、シアー
フォース検出のためにレーザー光を用いるため、振動振
幅の測定が困難であり、正確な表面形状測定が困難とな
っていた。また、レーザー光の位置合わせが容易でな
く、データの再現性に問題があった。また、試料表面の
測定領域に、シアーフォース検出用のレーザー光を照射
するため、バックグラウンドノイズの増大を招き、さら
に分光測定では、シアーフォース用レーザー光の波長近
傍の測定が不可能になる他、シアーフォース用レーザー
光の除去に光学フィルター等が必要となり、検出に寄与
する発光光量の減少を招き、データのS/N比の低下を
生じることが問題となっていた。さらに、試料がクライ
オスタット内にあり、シアーフォース検出用のレーザー
等の光学系がクライオスタットの外部にあることから、
光学窓によるレーザー光量の減衰が生じやすく、測定を
困難にしていた。また、低温のヘリウムガスまたは液体
ヘリウムのフローによるレーザー光の揺らぎが生じやす
く、光プローブの位置制御が困難となっていた。また、
反射ミラーを用いた集光光学系を用いているため、収差
を除去することが困難であり、像のぼけが問題となって
いた。
【0009】水晶振動子を用いた近接場光学顕微鏡で
は、水晶振動子と光ファイバーの接着部が極めて微小領
域(例えば、一辺が約100μmの正方形部分)となり
やすく、接着作業が困難であった。また、接着量および
硬化度、接着部位などにより、水晶振動子の素子特性が
変化しやすく、再現性よい振動子センサーを得ることが
困難となっていた。このため、工業用の目的では利用が
困難となっていた。また、光プローブの交換時には、水
晶振動子と共に交換しなければならず、コストアップと
ともに再現性のある近接場光学測定が不可能となってい
た。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の走査型近接場光
学顕微鏡は、先端に直径が波長以下の微小開口部を有す
る光導波プローブと、圧電振動体と交流電圧発生手段か
らなる加振部と、水晶振動子と電流電圧増幅回路からな
る振動検出部と、光導波プローブを試料表面に接近させ
る粗動機構と、レンズと光検出器とからなる光検出手段
と、Z軸微動素子とZサーボ回路とからなる試料とプロ
ーブ間の距離制御手段と、XY微動素子とXY走査回路
とからなる2次元走査手段と、測定信号の3次元画像化
を行うデータ処理手段とから構成され、弾性体のバネ圧
で光導波プローブを水晶振動子に固定することを特徴と
する走査型近接場光学顕微鏡とした。そしてこのような
構成をとることにより、波長以下の高分解能を有し、局
所的な励起発光測定が可能な近接場光学顕微鏡を提供す
る。さらに、試料を冷却する手段がさらに含まれること
を特徴とする走査型近接場光学顕微鏡とすることで、低
温下で波長以下の高分解能を有し、局所的な励起発光測
定が可能な近接場光学顕微鏡を提供する。
【0011】
【実施の形態】図1は、本発明の走査型近接場光学顕微
鏡の概略図である。本発明の走査型近接場光学顕微鏡
は、先端に直径が波長以下の微小開口部を有する光導波
プローブ1と、圧電振動体2と交流電圧発生手段3から
なる加振部と、水晶振動子4と電流電圧増幅回路5から
なる振動検出部と、光導波プローブを試料表面に接近さ
せる粗動機構6と、レンズ7、8と光検出器9とからな
る光検出手段と、Z軸微動素子11とZサーボ回路12
とからなる試料とプローブ間の距離制御手段と、XY微
動素子13とXY走査回路14とからなる2次元走査手
段と、測定信号の3次元画像化を行うデータ処理手段1
5とから構成され、さらに、弾性体16のバネ圧で光導
波プローブ1を水晶振動子4に固定する。
【0012】光導波プローブを水平に振動させながら試
料表面近傍に接近させると、プローブ先端にシアーフォ
ースが働き、プローブの振動振幅が減少する。プローブ
と水晶振動子とはバネ圧で固定され一体として作動する
ため、プローブの振動振幅の減少は水晶振動子の振動振
幅の減少となる。水晶振動子の振動振幅の減少は、出力
電流の減少となり電流電圧増幅回路で検出される。水晶
振動子の出力電流を一定にするように、Z軸微動素子と
Zサーボ回路により試料とプローブとの距離を制御する
ことで、プローブ先端が試料面から一定の距離に保たれ
る。このような状態で試料を励起するための光を光導波
プローブ内に導入し、プローブ先端の開口より試料表面
の局所領域に照射するか、または試料からの光を光プロ
ーブでピックアップする。光プローブを試料面内で相対
的に2次元走査し、3次元画像化を行うようにした。さ
らに、試料を冷却する手段が含まれることで低温下での
走査型近接場光学顕微鏡の構成とした。
【0013】上記のように、光導波プローブと試料との
距離制御を水晶振動子の振動振幅を用いて行うことで、
近距離場走査光学顕微鏡(NSOM)、および低温走査
型近接場光学顕微鏡のような位置制御用レーザーが不要
となり、レーザー光の位置および反射光量の変動による
データの不正確さ、およびヘリウムガスまたは液体ヘリ
ウムのゆらぎによるレーザー光の変動でデータが変質す
るような問題を回避できる。また、試料面に位置制御用
のレーザーを照射することがないため、近接場光学測定
時のバックグラウンドノイズが増大することがない。ま
た、分光測定時には、位置制御用レーザーの波長の光を
除去するために光学フィルターが不要となり、分光デー
タの波長領域が広く確保でき、また検出光量の減少によ
るデータのS/N比の低下の問題を回避できる。また、
弾性体のバネ圧で光導波プローブを水晶振動子に固定す
ることで、従来の水晶振動子を用いた近接場光学顕微鏡
で問題となっていた接着の変動によるデータの変動がな
く、また、プローブ交換時にはプローブのみ交換すれば
よいため、同一の水晶振動子が使用でき、測定条件の再
現性、さらにデータの再現性を高めることが可能であ
る。また、プローブ交換のみであるため、低コストであ
り、かつ困難な接着が不要となり、取り扱いが極めて簡
単になる。さらに、試料を冷却する手段がさらに含まれ
ることで、低温下での走査型近接場光学顕微鏡が実現で
きる。位置制御用レーザー不要なため、データの正確さ
の向上、および再現性の向上が可能である。また、低温
下での近接場光学測定による分光データのS/N比向
上、測定波長領域の拡大が実現できる。
【0014】
【実施例】以下に、この発明の実施例を説明する. [実施例1]図5は、本発明の走査型近接場光学顕微鏡
の実施例1の概略図である。低温下での透過型の走査型
近接場光学顕微鏡としての実施例を示した。
【0015】水晶振動子4と圧電振動体2は、水晶振動
子ホルダー25に接着固定されている。圧電振動体とし
ては板状のPZT素子を、水晶振動子としては時計用の
水晶振動子を用いた。PZT素子に交流電圧を印加する
とPZT素子が振動し、水晶振動子を強制振動させる。
振動周波数を水晶振動子の共振周波数(例えば32.7
kHz)にすると、水晶振動子が共振する。水晶振動子
が振動すると、圧電効果により水晶振動子の電極に電荷
が誘起され、電流として電流電圧増幅回路により検出さ
れる。水晶振動子の振動振幅に比例した電流が発生する
ため、検出された電流により水晶振動子の振動状態が測
定できる。圧電振動体としてはPZT板の他、円筒形の
PZTスキャナーや積層PZT板などが考えられ、いず
れも本発明に含まれる。また、水晶振動子としては時計
用以外の水晶振動子も本発明に含まれる。
【0016】光導波プローブ1は、弾性体16のバネ圧
で水晶振動子に固定される。光導波プローブとしては、
シングルモード光ファイバーの先端を化学エッチング
し、テーパー状に加工した後、先端の開口部を除いて、
アルミニウム薄膜をテーパー部分に形成したものを用い
た。光導波プローブとしては、マルチモード光ファイバ
ーやガラスピペットをテーパー状に加工したものも考え
られ、本発明に含まれる。また、テーパー加工方法につ
いては、化学エッチングの他、機械的研磨や加熱延伸加
工も考えられ、本発明に含まれる。金属薄膜コーティン
グについては、アルミニウムの他、金や白金などの貴金
属類、あるいは、多層膜、合金薄膜なども考えられ、本
発明に含まれる。開口の大きさについては、測定に用い
る光の波長以下になるように形成する。本発明では、1
00nm以下の開口を形成した。開口の大きさについて
は、光量を必要とする場合は、より大きくなり150〜
200nm程度が望ましい。一方、高分解能を必要とす
る場合、20〜50nm程度が望ましい。このように開
口については、20〜300nmの大きさが考えられ、
いずれも本発明に含まれる。弾性体としては、ステンレ
ス鋼の板バネを用いた。水晶振動子は力検出感度が高い
ため、弾性体のバネ定数は小さいものが望ましい。本発
明では、厚さ100μm、幅1mm、長さ10mmの片
持ちバネを用いた。弾性体としては、この他、りん青銅
の板バネやコイル状のバネ、シリコンゴムなどのゴム類
などが考えられ、いずれも本発明に含まれる。また、光
導波プローブ自身のバネ性を生かして固定することも可
能であり、本発明に含まれる。バネ固定の場合、バネ圧
のめあすとしては、水晶振動子の振動特性すなわちQ値
を利用する。光導波プローブを固定しない場合、水晶振
動子のQ値は、例えば、3000程度である。光導波プ
ローブをバネ固定すると、Q値は500以下になる。走
査型近接場光学顕微鏡として望ましいQ値は100〜4
00程度である。Q値がこの範囲になるようにバネ圧を
調整する。
【0017】水晶振動子ホルダー25はXYZ微動素子
11、13に固定される。微動素子としては、XYZの
3軸スキャナーが一体となった円筒形ピエゾ圧電素子を
用いた。微動素子としては、この他、Z軸とXY軸が分
離したピエゾスキャナーや電歪素子を用いたものが考え
られ、本発明に含まれる。この他、ピエゾステージや平
行バネを用いたステージ、1軸ピエゾ素子をXYZの3
軸に配置し一体化したトライポッド形圧電素子、積層形
のピエゾスキャナーなどが考えられ、いずれも本発明に
含まれる。
【0018】光導波プローブの試料17への接近には粗
動機構6を用いる。試料としては、フォトルミネセンス
現象を生じる半導体薄膜を用いた。この他試料として、
無機薄膜、生物試料、有機薄膜などで光透過性のあるも
のを用いる。試料の作成方法としては、例えば、真空蒸
着法によるもの、揮発性溶媒に分散した微粒子状の試料
をガラス面に展開する方法、CVD法などが用いられ
る。粗動機構としては、ステッピングモーターと減速ギ
ヤ、粗動ネジ、リニアガイドからなる粗動機構を用い
た。粗動機構については、この他に、Zステージにステ
ッピングモーターを付加したものや、圧電素子を用いた
ステージ、例えばインチワーム機構などやZステージと
圧電素子を組み合わせたステージなどが考えられ、いず
れも本発明に含まれる。
【0019】レーザー光源19から出射したレーザー光
をレンズ21で集光し、光導波プローブ1に導入する。
レーザー光は、プローブ1の先端開口より出射し、試料
17を照射する。レーザー光源としては、波長488n
mのアルゴンイオンレーザーを用いた。試料がレーザー
光によって励起され、フォトルミネセンス現象により発
光する。この発光は、プローブ先端の開口近傍のみで生
じ、レンズ7とミラー22、レンズ8で集光され、光検
出器9で検出される。レンズは、単レンズの他、組み合
わせレンズも考えられ、本発明に含まれる。光検出器と
しては、光電子増倍管を用いた。この他に、CCD素子
やシリコンフォトダイオード、シリコンアバランシェフ
ォトダイオード、ゲルマニウム検出器などが考えられ、
本発明に含まれる。光検出器9の信号は、XY走査信号
と共にデータ処理手段15へ入力され、3次元画像化さ
れる。データ処理手段としては、電子計算機とCRT表
示体を用いた。データ処理手段としてはこの他、ストレ
ージオシロスコープや電子計算機と液晶表示体の組み合
わせなど種々の方法が考えられるが、いずれも本発明に
含まれる。
【0020】クライオスタット18を用いて、試料温度
を液体ヘリウム温度程度(例えば5K)に冷却した。光
測定は、クライオスタットの光学窓24をとうして行
う。用いたクライオスタットは、ヘリウムガスフローに
よる冷却機構を有している。このため、短時間(約30
分)で試料温度を室温から液体ヘリウム温度まで冷却で
きる。試料を冷却する手段としては、この他に、銅など
の金属を冷却し、真空中の試料に接触させて冷却する方
法や液体ヘリウムの断熱膨張を利用した機械式冷凍機な
どが考えられるが、いずれも本発明に含まれる。以上の
ような構成により、試料の温度を液体ヘリウム温度程度
に冷却した状態で、試料表面に、光導波プローブの波長
以下の開口よりレーザー光を照射し、フォトルミネセン
ス現象により発光させ、レンズで集光し、光検出器で検
出できた。光導波プローブを試料面内で走査することに
より、試料面内の発光分布を波長以下の高分解能で測定
できた。
【0021】[実施例2]図6は、本発明の走査型近接
場光学顕微鏡の実施例2の概略図である。低温下での反
射型の走査型近接場光学顕微鏡としての実施例を示し
た。レーザー光源19をカップリング21によって光導
波プローブ1に導入する。光導波プローブの先端開口よ
り試料17に照射する。試料からのルミネセント光をレ
ンズ7、ミラー23、22と光学窓24を介して、レン
ズ8で集光する。光検出器9で検出し、データ処理手段
15で3次元の画像化を行う。試料表面の測定領域の移
動は、試料のXYステージ26を用いて行う。XYステ
ージとしては、ピエゾ駆動方式のXYステージを用い
た。XYステージとしては、この他、ステッピングモー
ターとXYステージを組み合わせたステージなどが考え
られるが、本発明に含まれる。その他の構成は、実施例
1に示した内容のものを用いた。以上のような構成によ
り、試料の温度を液体ヘリウム温度程度に冷却した状態
で、試料表面に、光導波プローブの波長以下の開口より
レーザー光を照射し、フォトルミネセンス現象により発
光させ、レンズで集光し、光検出器で検出できた。光導
波プローブを試料面内で走査することにより、試料面内
の発光分布を波長以下の高分解能で測定できた。
【0022】[実施例3]図7は、本発明の走査型近接
場光学顕微鏡の実施例3の概略図である。低温下の反射
型の走査型近接場光学顕微鏡としての実施例を示した。
レーザー光源19から出た光は光変調器27によって周
期的に振幅変調を受ける。光変調器としては、音波によ
る光変調器(AOモジュレータ)を用いた。光変調器と
しては、この他、電界による光変調器(EOモジュレー
タ)やモーターで光チョッパーを回転させる機械式モジ
ュレータなどが考えられ、いずれも本発明に含まれる。
変調されたレーザー光は、カップリング21によって光
導波プローブ1に導入する。光導波プローブの先端開口
より試料17に照射する。試料からのルミネセント光を
レンズ7、ミラー23、22と光学窓24を介して、レ
ンズ8で集光する。集光された光は、ハーフミラー31
で2方向に分岐し、光検出器9と分光分析装置29で測
定される。ハーフミラーは、場合によっては、ダイクロ
イックミラーで置き換えることも可能であり、また、分
光用の光量確保のため、ミラーを使用しないことも考え
られる。光検出器9によって検出された光は、ロックイ
ンアンプを用いて、S/N比よく測定され、データ処理
手段15で3次元の画像化を行う。試料表面の測定領域
の移動は、試料のXYステージ26を用いて行う。XY
ステージとしては、ピエゾ駆動方式のXYステージを用
いた。XYステージとしては、この他、ステッピングモ
ーターとXYステージを組み合わせたステージなどが考
えられるが、本発明に含まれる。その他の構成は、実施
例1に示した内容のものを用いた。
【0023】以上のような構成により、試料の温度を液
体ヘリウム温度程度に冷却した状態で、試料表面に、光
導波プローブの波長以下の開口よりレーザー光を照射
し、フォトルミネセンス現象により発光させ、レンズで
集光し、光検出器で検出できた。光導波プローブを試料
面内で走査することにより、試料面内の発光分布を波長
以下の高分解能で測定できた。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、この発明では、先
端に直径が波長以下の微小開口部を有する光導波プロー
ブと、圧電振動体2と交流電圧発生手段3からなる加振
部と、水晶振動子4と電流電圧増幅回路5からなる振動
検出部と、光導波プローブを試料表面に接近させる粗動
機構6と、レンズ7、8と光検出器9とからなる光検出
手段と、Z軸微動素子11とZサーボ回路12とからな
る試料とプローブ間の距離制御手段と、XY微動素子1
3とXY走査回路14とからなる2次元走査手段と、測
定信号の3次元画像化を行うデータ処理手段15とから
構成され、さらに、弾性体16のバネ圧で光導波プロー
ブ1を水晶振動子4に固定することとした。
【0025】上記のように、光導波プローブと試料との
距離制御を水晶振動子の振動振幅を用いて行うことで、
近距離場走査光学顕微鏡(NSOM)、および低温走査
型近接場光学顕微鏡のような位置制御用レーザーが不要
となり、レーザー光の位置および反射光量の変動による
データの不正確さ、およびヘリウムガスまたは液体ヘリ
ウムのゆらぎによるレーザー光の変動でデータが変質す
るような問題を回避できる。また、試料面に位置制御用
のレーザーを照射することがないため、近接場光学測定
時のバックグラウンドノイズが増大することがない。ま
た、分光測定時には、位置制御用レーザーの波長の光を
除去するために光学フィルターが不要となり、分光デー
タの波長領域が広く確保でき、また検出光量の減少によ
るデータのS/N比の低下の問題を回避できる。また、
弾性体のバネ圧で光導波プローブを水晶振動子に固定す
ることで、従来の水晶振動子を用いた近接場光学顕微鏡
で問題となっていた接着の変動によるデータの変動がな
く、また、プローブ交換時にはプローブのみ交換すれば
よいため、同一の水晶振動子が使用でき、測定条件の再
現性、さらにデータの再現性を高めることが可能であ
る。また、プローブ交換のみであるため、低コストであ
り、かつ困難な接着が不要となり、取り扱いが極めて簡
単になる。さらに、試料を冷却する手段がさらに含まれ
ることで、低温下での走査型近接場光学顕微鏡が実現で
きる。位置制御用レーザー不要なため、データの正確さ
の向上、および再現性の向上が可能である。また、低温
下での近接場光学測定による分光データのS/N比向
上、測定波長領域の拡大が実現できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の走査型近接場光学顕微鏡の概略図であ
る。
【図2】従来の「近距離場走査光学顕微鏡」の概略図で
ある。
【図3】従来の「低温走査型近接場光学顕微鏡」の概略
図である。
【図4】従来の「水晶振動子を用いた近接場光学顕微
鏡」の概略図である。
【図5】本発明の走査型近接場光学顕微鏡の実施例1の
概略図である。
【図6】本発明の走査型近接場光学顕微鏡の実施例2の
概略図である。
【図7】本発明の走査型近接場光学顕微鏡の実施例3の
概略図である。
【符号の説明】
1 光導波プローブ 2 圧電振動体 3 交流電圧発生手段 4 水晶振動子 5 電流電圧増幅回路 6 粗動機構 7,8 レンズ 9 光検出器 11 Z軸微動素子 12 Zサーボ回路 13 XY微動素子 14 XY走査回路 15 データ処理手段 16 弾性体 17 試料 18 クライオスタット 19 レーザー光源 21 レンズ 22,23 ミラー 24 光学窓 25 水晶振動子ホルダー 26 XYステージ 27 光変調器 28 ロックインアンプ 29 分光分析装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成10年1月16日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項9
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0003
【補正方法】変更
【補正内容】
【0003】近距離場走査光学顕微鏡は、NSOMとも
呼ばれる。図2は従来の「近距離場走査光学顕微鏡」の
概略図である。光ファイバ−310の先端をテ−パ−状
70に加工する。テ−パ−状のプロ−ブの先端には波長
以下の開口が形成されている。XYZステ−ジ50上に
試料台20が設置されている。試料台の上には試料30
がセットされている。XYZ微動素子40を用いて、試
料表面に接近して保持し、一定領域をラスタ−走査す
る。光ファイバ−プロ−ブ70を微動素子40を用い
て、試料面に対して平行に振動させる。プロ−ブ先端に
は試料表面からの水平方向の力すなわちシア−フォ−ス
が働き、プロ−ブの振動状態が変化する。プロ−ブ70
の振動状態の測定には、位置制御用のレ−ザ−光(図で
は省略)を先端に照射し、プロ−ブ70の影をレンズ9
0と光検出器30で検出することで行う。シア−フォ−
スを一定に保持するように、すなわち、振幅変化また
は位相変化を一定に保持するように微動素子40を用
いて、試料表面とプロ−ブ先端の距離を制御する。試料
からの距離に応じてシア−フォ−スが急速に減衰するこ
とを利用して、試料表面とプロ−ブ先端との距離をナノ
メ−タ−のオ−ダ−で一定に制御できる。この状態でレ
−ザ−光60をレンズ150を用いてファイバ−310
に導入し、先端の開口より試料表面を照射する。反射光
または透過光の一部を従来の光学系(図では省略)によ
り検出する。以上説明したように、NSOMの分解能
は、プロ−ブ先端の開口の大きさに依存する。波長以下
の開口(例えば、100nm以下)は容易に製作でき、
このため、波長以下の高分解能が実現できる。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0004
【補正方法】変更
【補正内容】
【0004】図3は従来の「低温走査型近接場光学顕微
鏡」の概略図である。Cは試料と試料走査用のピエゾ圧
電スキャナ−であり、Dは光ファイバ−プロ−ブと振動
用ピエゾ圧電素子である。光ファイバ−プロ−ブはテ−
パ−状に加工され、先端には波長以下の開口が形成され
ている。光ファイバ−プロ−ブを振動用ピエゾ圧電素子
を用いて、試料面に対して平行に振動させる。プロ−ブ
先端には試料表面からの水平方向の力すなわちシア−フ
ォ−スが働き、プロ−ブの振動状態が変化する。プロ−
ブの振動状態の測定には、レ−ザ−光を用いる。Aはダ
イオ−ドレ−ザ−であり、Bはレンズ、Fはホトダイオ
−ド検出器である。位置制御用のレ−ザ−光を光ファイ
バ−プロ−ブ先端に照射し、プロ−ブの影をレンズと検
出器で検出する。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0005
【補正方法】変更
【補正内容】
【0005】シア−フォ−スを一定に保持するように、
すなわち、振幅変化または位相変化を一定に保持す
るようにピエゾ圧電スキャナ−Cを用いて、試料表面と
プロ−ブ先端の距離を制御する。試料からの距離に応じ
てシア−フォ−スが急速に減衰することを利用して、試
料表面とプロ−ブ先端との距離をナノメ−タ−のオ−ダ
−で一定に制御できる。この状態で近接場光測定用レ−
ザ−光(図では省略)をファイバ−Dに導入し、先端の
開口より試料表面を照射する。反射光の一部を従来の光
学系(図では省略)により検出する。分解能は、プロ−
ブ先端の開口の大きさに依存し、波長以下の開口(例え
ば、100nm以下)は容易に製作できるため、波長以
下の高分解能が実現できる。試料の冷却にはクライオス
タットを用いる。Eはクライオスタットのチャンバ−と
光学窓である。試料をクライオスタットの内部に配置す
ることで、試料を液体ヘリウム温度に冷却できる。この
ような構成により試料を冷却した状態での近接場光測定
が可能となっている。

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 先端に直径が波長以下の微小開口部を有
    する光導波プローブと、圧電振動体と交流電圧発生手段
    からなる加振部と、水晶振動子と電流電圧増幅回路から
    なる振動検出部と、光導波プローブを試料表面に接近さ
    せる粗動機構と、レンズと光検出器とからなる光検出手
    段と、Z軸微動素子とZサーボ回路とからなる試料とプ
    ローブ間の距離制御手段と、XY微動素子とXY走査回
    路とからなる2次元走査手段と、測定信号の3次元画像
    化を行うデータ処理手段とからなる走査型近接場光学顕
    微鏡において、 a)弾性体のバネ圧で光導波プローブを水晶振動子に固
    定することを特徴とする走査型近接場光学顕微鏡。
  2. 【請求項2】 試料を冷却する手段がさらに含まれるこ
    とを特徴とする請求項1記載の走査型近接場光学顕微
    鏡。
  3. 【請求項3】 試料を冷却する手段が液体ヘリウムを寒
    剤とするクライオスタットであることを特徴とする請求
    項2記載の走査型近接場光学顕微鏡。
  4. 【請求項4】 光導波プローブ内に導入し、光導波プロ
    ーブ先端から試料表面を局所的に照射するためのレーザ
    ー光源がさらに含まれることを特徴とする請求項3記載
    の走査型近接場光学顕微鏡。
  5. 【請求項5】 レーザー光の周期的変調手段とロックイ
    ン検出手段がさらに含まれることを特徴とする請求項4
    記載の走査型近接場光学顕微鏡。
  6. 【請求項6】 試料表面の測定位置を移動できる試料ス
    テージがさらに含まれることを特徴とする請求項4記載
    の走査型近接場光学顕微鏡。
  7. 【請求項7】 試料を透過した光または試料表面の反射
    光を集光するレンズをクライオスタットの試料室内に導
    入することがさらに含まれることを特徴とする請求項4
    記載の走査型近接場光学顕微鏡。
  8. 【請求項8】 試料からの発光を分光分析するための手
    段がさらに含まれることを特徴とする請求項4記載の走
    査型近接場光学顕微鏡。
  9. 【請求項9】 先端に直径が波長以下の微小開口部を有
    する光導波プローブと、圧電振動体と交流電圧発生手段
    からなる加振部と、水晶振動子と電流電圧増幅回路から
    なる振動検出部と、光導波プローブを試料表面に接近さ
    せる粗動機構と、レンズと光検出器とからなる光検出手
    段と、Z軸微動素子とZサーボ回路とからなる試料とプ
    ローブ間の距離制御手段と、XY微動素子とXY走査回
    路とからなる2次元走査手段と、測定信号の3次元画像
    化を行うデータ処理手段とからなる走査型近接場光学顕
    微鏡において、 a)光導波プローブを水晶振動子に接着固定し、 b)試料を冷却する手段がさらに含まれることを特徴と
    する請求項1記載の走査型近接場光学顕微鏡。
  10. 【請求項10】 試料を冷却する手段が液体ヘリウムを
    寒剤とするクライオスタットであることを特徴とする請
    求項9記載の走査型近接場光学顕微鏡。
  11. 【請求項11】 光導波プローブ内に導入し、光導波プ
    ローブ先端から試料表面を局所的に照射するためのレー
    ザー光源がさらに含まれることを特徴とする請求項10
    記載の走査型近接場光学顕微鏡。
  12. 【請求項12】 レーザー光の周期的変調手段とロック
    イン検出手段がさらに含まれることを特徴とする請求項
    11記載の走査型近接場光学顕微鏡。
  13. 【請求項13】 試料表面の測定位置を移動できる試料
    ステージがさらに含まれることを特徴とする請求項11
    記載の走査型近接場光学顕微鏡。
  14. 【請求項14】 試料を透過した光または試料表面の反
    射光を集光するレンズをクライオスタットの試料室内に
    導入することがさらに含まれることを特徴とする請求項
    11記載の走査型近接場光学顕微鏡。
  15. 【請求項15】 試料からの発光を分光分析するための
    手段がさらに含まれることを特徴とする請求項11記載
    の走査型近接場光学顕微鏡。
JP05801397A 1997-03-12 1997-03-12 走査型近接場光学顕微鏡 Expired - Fee Related JP3249419B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05801397A JP3249419B2 (ja) 1997-03-12 1997-03-12 走査型近接場光学顕微鏡
US09/038,259 US6194711B1 (en) 1997-03-12 1998-03-10 Scanning near-field optical microscope
CA002229221A CA2229221A1 (en) 1997-03-12 1998-03-11 Scanning near-field optical microscope
DE69817239T DE69817239T2 (de) 1997-03-12 1998-03-11 Optisches Nahfeld-Rastermikroskop
EP98301808A EP0864899B1 (en) 1997-03-12 1998-03-11 Scanning near-field optical microscope
TW087103580A TW376448B (en) 1997-03-12 1998-03-11 Scanning near-field optical microscope
KR1019980008370A KR100534039B1 (ko) 1997-03-12 1998-03-12 주사형근접장광학현미경

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05801397A JP3249419B2 (ja) 1997-03-12 1997-03-12 走査型近接場光学顕微鏡

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10253643A true JPH10253643A (ja) 1998-09-25
JP3249419B2 JP3249419B2 (ja) 2002-01-21

Family

ID=13072095

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP05801397A Expired - Fee Related JP3249419B2 (ja) 1997-03-12 1997-03-12 走査型近接場光学顕微鏡

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6194711B1 (ja)
EP (1) EP0864899B1 (ja)
JP (1) JP3249419B2 (ja)
KR (1) KR100534039B1 (ja)
CA (1) CA2229221A1 (ja)
DE (1) DE69817239T2 (ja)
TW (1) TW376448B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000258330A (ja) * 1999-03-04 2000-09-22 Seiko Instruments Inc 走査型プローブ顕微鏡
US6559926B2 (en) 2000-10-10 2003-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming apparatus and pattern forming method
JP2009025037A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 走査型プローブ顕微鏡用プローブ及びそれを用いた走査型プローブ顕微鏡
JP2009541742A (ja) * 2006-06-21 2009-11-26 ユニバーシティ・オブ・デイトン 偏光設計の方法およびそれらの適用例

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3949831B2 (ja) * 1998-11-11 2007-07-25 セイコーインスツル株式会社 光カンチレバーとその製造方法
US20050026209A1 (en) * 1999-01-08 2005-02-03 Vann Charles S. Optical fiber bundle for detecting binding of chemical species
US7595189B2 (en) * 1999-01-08 2009-09-29 Applied Biosystems, Llc Integrated optics fiber array
TW424155B (en) * 1999-05-03 2001-03-01 Ind Tech Res Inst Beating mode near-field optical microscope
DE19925431C2 (de) * 1999-06-02 2002-11-07 Ind Tech Res Inst Optisches Nahfeld-Abtastmikroskop
AU6256300A (en) * 1999-07-20 2001-02-05 Dmitri N. Davydov High q-factor micro tuning fork by thin optical fiber for nsom
US6429968B1 (en) * 2000-03-09 2002-08-06 Agere Systems Guardian Corp Apparatus for photoluminescence microscopy and spectroscopy
JP4379758B2 (ja) 2000-11-13 2009-12-09 日本分光株式会社 近接場顕微鏡
IL151949A (en) * 2001-02-06 2007-07-24 Univ Bristol Optical microscope for shooting a field near a radiating body
US7498564B2 (en) 2001-02-06 2009-03-03 University Of Bristol Of Senate House Resonant scanning near-field optical microscope
KR100434542B1 (ko) * 2001-09-18 2004-06-05 삼성전자주식회사 근접장용 광 프로브 개구 측정장치 및 방법
US7473887B2 (en) 2002-07-04 2009-01-06 University Of Bristol Of Senate House Resonant scanning probe microscope
US7454095B2 (en) * 2004-04-27 2008-11-18 California Institute Of Technology Integrated plasmon and dielectric waveguides
US7372013B2 (en) * 2004-04-27 2008-05-13 California Institute Of Technology Near field scanning microscope probe and method for fabricating same
KR100558778B1 (ko) * 2004-04-30 2006-03-10 학교법인 서강대학교 유전체 공진기를 이용한 근접장 현미경
US20070240757A1 (en) * 2004-10-15 2007-10-18 The Trustees Of Boston College Solar cells using arrays of optical rectennas
US9423693B1 (en) 2005-05-10 2016-08-23 Victor B. Kley In-plane scanning probe microscopy tips and tools for wafers and substrates with diverse designs on one wafer or substrate
US7571638B1 (en) * 2005-05-10 2009-08-11 Kley Victor B Tool tips with scanning probe microscopy and/or atomic force microscopy applications
US7043104B1 (en) 2005-06-14 2006-05-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. High gain optical probe
US7149395B1 (en) 2005-08-09 2006-12-12 Instrument Technology Research Center Light-enhancing component and fabrication method thereof
KR20080069958A (ko) 2005-08-24 2008-07-29 더 트러스티스 오브 보스턴 칼리지 나노 스케일 코메탈 구조물을 사용하는 태양 에너지 변환을위한 장치 및 방법
US7754964B2 (en) * 2005-08-24 2010-07-13 The Trustees Of Boston College Apparatus and methods for solar energy conversion using nanocoax structures
US7649665B2 (en) * 2005-08-24 2010-01-19 The Trustees Of Boston College Apparatus and methods for optical switching using nanoscale optics
US7589880B2 (en) * 2005-08-24 2009-09-15 The Trustees Of Boston College Apparatus and methods for manipulating light using nanoscale cometal structures
WO2007025013A2 (en) * 2005-08-24 2007-03-01 The Trustees Of Boston College Nanoscale optical microscope
US7397030B1 (en) 2006-06-01 2008-07-08 N&K Technology, Inc. Integrated local and global optical metrology for samples having miniature features
US7784107B2 (en) * 2006-06-02 2010-08-24 Victor B. Kley High speed measurement, analysis and imaging systems and methods for length scales from meter to sub-nanometer
JP4825697B2 (ja) * 2007-01-25 2011-11-30 株式会社ミツトヨ デジタル式変位測定器
CN101627479B (zh) * 2007-01-30 2011-06-15 索拉斯特公司 光电池及其制造方法
WO2008143721A2 (en) * 2007-02-12 2008-11-27 Solasta, Inc. Photovoltaic cell with reduced hot-carrier cooling
WO2009005805A2 (en) * 2007-07-03 2009-01-08 Solasta, Inc. Distributed coax photovoltaic device
GB0809768D0 (en) * 2008-05-29 2008-07-09 Univ Sheffield Hallam Improvements to mass spectrometry
TWI449915B (zh) * 2010-12-15 2014-08-21 Nat Applied Res Laboratoires 近場光學顯微裝置
US9778572B1 (en) 2013-03-15 2017-10-03 Victor B. Kley In-plane scanning probe microscopy tips and tools for wafers and substrates with diverse designs on one wafer or substrate
KR101466807B1 (ko) * 2013-07-29 2014-11-28 포항공과대학교 산학협력단 분광 측정을 위한 튜닝포크 기반의 근접장 탐침 및 이를 이용한 근접장 현미경, 근접장 현미경을 이용한 분광 분석 방법
CN103528798A (zh) * 2013-10-22 2014-01-22 中国科学院半导体研究所 一种对光波导通光性能进行测试的方法
KR102125284B1 (ko) 2015-03-11 2020-07-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사와 계측을 위한 방법 및 장치
CN109682995A (zh) * 2019-01-21 2019-04-26 仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司 一种散射式低温扫描近场光学显微镜
KR20220067593A (ko) 2020-11-16 2022-05-25 삼성전자주식회사 근접장 검출용 프로브 및 이를 포함하는 근접장 검출 시스템
CN113252947B (zh) * 2021-04-21 2022-05-03 上海交通大学 基于多探针的无光源式近场热辐射扫描显微镜系统
CN113341180B (zh) * 2021-05-24 2023-07-18 西安交通大学 一种基于近场无孔式探针的多模式测量方法及测量系统
CN116168996B (zh) * 2023-04-24 2023-06-27 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种电子显微镜及其工作方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH650605A5 (de) * 1980-10-24 1985-07-31 Cerberus Ag Infrarot-einbruchdetektor.
DE3771711D1 (de) 1987-05-12 1991-08-29 Ibm Atomares kraeftemikroskop mit oscillierendem quarz.
US4738562A (en) * 1987-05-15 1988-04-19 Jmk International, Inc. Apparatus for inserting backing rod into concrete expansion joints
JPH02297003A (ja) * 1989-05-12 1990-12-07 Canon Inc 検出部位置決機構、圧電素子微動機構およびこれらを用いた走査型トンネル顕微鏡
US5636035A (en) * 1991-09-30 1997-06-03 The Trustees Of The Stevens Institute Of Technology Method and apparatus for dual modulation laser spectroscopy
US5254854A (en) * 1991-11-04 1993-10-19 At&T Bell Laboratories Scanning microscope comprising force-sensing means and position-sensitive photodetector
JPH05180616A (ja) * 1992-01-08 1993-07-23 Canon Inc プローブ保持機構
JPH06251435A (ja) * 1993-03-01 1994-09-09 Canon Inc 記録再生装置
GB2289759B (en) * 1994-05-11 1996-05-22 Khaled Karrau Coupled oscillator scanning imager
GB2290656B (en) 1994-06-23 1998-03-25 Grongar Wynn Lloyd A scanning probe and an approach mechanism therefor
JPH0894650A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Nikon Corp 近接場走査型顕微鏡の光プローブ保持装置
TW280928B (ja) * 1994-10-24 1996-07-11 At & T Corp
US5574278A (en) * 1995-05-23 1996-11-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Atomic force microscope using piezoelectric detection
DE19524907A1 (de) 1995-07-08 1997-01-09 Frieder Mugele Rastersondenmikroskop
JP3290586B2 (ja) * 1996-03-13 2002-06-10 セイコーインスツルメンツ株式会社 走査型近視野光学顕微鏡

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000258330A (ja) * 1999-03-04 2000-09-22 Seiko Instruments Inc 走査型プローブ顕微鏡
US6559926B2 (en) 2000-10-10 2003-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming apparatus and pattern forming method
JP2009541742A (ja) * 2006-06-21 2009-11-26 ユニバーシティ・オブ・デイトン 偏光設計の方法およびそれらの適用例
JP2009025037A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 走査型プローブ顕微鏡用プローブ及びそれを用いた走査型プローブ顕微鏡

Also Published As

Publication number Publication date
TW376448B (en) 1999-12-11
DE69817239T2 (de) 2004-07-01
KR100534039B1 (ko) 2006-03-07
EP0864899B1 (en) 2003-08-20
EP0864899A3 (en) 2000-08-02
EP0864899A2 (en) 1998-09-16
KR19980080196A (ko) 1998-11-25
DE69817239D1 (de) 2003-09-25
JP3249419B2 (ja) 2002-01-21
US6194711B1 (en) 2001-02-27
CA2229221A1 (en) 1998-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3249419B2 (ja) 走査型近接場光学顕微鏡
JP3202646B2 (ja) 走査型プローブ顕微鏡
JP3290586B2 (ja) 走査型近視野光学顕微鏡
JPH10283972A (ja) 走査型プローブ顕微鏡を用いた加工、記録、再生装置
US5138159A (en) Scanning tunneling microscope
US8001830B2 (en) High frequency deflection measurement of IR absorption
US7787133B2 (en) Optical displacement-detecting mechanism and probe microscope using the same
JP2000081443A (ja) 走査型プロ―ブ顕微鏡
US7387016B2 (en) Atomic force microscope and method of energy dissipation imaging using the same
KR100793122B1 (ko) 투명 기판을 이용한 프로브 현미경용의 프로브, 그 제조방법 및 프로브 현미경 장치
JP2000199736A (ja) 走査型近視野顕微鏡
JP4388559B2 (ja) 走査型近視野顕微鏡
JP2000009624A (ja) 走査型プローブ顕微鏡
KR100526217B1 (ko) 주사식 프로브 현미경을 이용한 가공장치와, 주사식 프로브 현미경을 이용한 기록 및 재생장치
JPH06323845A (ja) 走査型力顕微鏡用薄膜式力検出プローブ
JP3070316B2 (ja) 走査型力顕微鏡
JPH11101808A (ja) 近接場光学顕微分光測定装置
WO2004012201A2 (en) Method of and apparatus for calibrating cantilevers
JP2000304755A (ja) 走査型近接場顕微鏡
JPH11230972A (ja) 半導体評価装置

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071109

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081109

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081109

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091109

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091109

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109

Year of fee payment: 9

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131109

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131109

Year of fee payment: 12

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131109

Year of fee payment: 12

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees