JPH10247706A - ボールグリッドアレイパッケージ - Google Patents

ボールグリッドアレイパッケージ

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JPH10247706A
JPH10247706A JP6915697A JP6915697A JPH10247706A JP H10247706 A JPH10247706 A JP H10247706A JP 6915697 A JP6915697 A JP 6915697A JP 6915697 A JP6915697 A JP 6915697A JP H10247706 A JPH10247706 A JP H10247706A
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JP
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substrate
resin
ceramic substrate
solder
grid array
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JP6915697A
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Sumio Nakano
澄夫 中野
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Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Original Assignee
Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 搭載する基板との間の熱応力を軽減してパッ
ケージの大型化に対応することのできるBGAパッケー
ジ電子部品の提供。 【解決手段】 電子部品10は,セラミック基板11
と,セラミック基板11上に搭載された電子素子(半導
体チップ12)と,外部接続用の半田ボール13を接合
してなる合成樹脂製の樹脂基板15と,セラミック基板
11の底面と樹脂基板15の上面との間に充填された合
成樹脂製のアンダーフィル16と,セラミック基板11
の底面と樹脂基板15の上面との間を電気的に接続する
中継用の半田部材17と,半導体チップ12とセラミッ
ク基板11の上部を被覆する樹脂モールド21とを有
し,アンダーフィル16の熱膨張係数は,セラミック基
板11の熱膨張係数と樹脂基板15の熱膨張係数の中間
の値を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【技術分野】本発明は,半導体素子を搭載するためのボ
ールグリッドアレイパッケージに関する。
【0002】
【従来技術】ボールグリッドアレイパッケージの電子部
品90の基本的な構成は,図3に示すように,基板92
に搭載された半導体チップなどの半導体素子91と,プ
リント配線基板96に接合し且つ電気的に接続するため
の半田ボール93とを有し,樹脂モールド95で半導体
素子91を気密封止したり、絶縁性のキャップを用いて
封止したりしている。同図において,符号941はボン
ディングワイヤー,符号942は基板92に形成された
導体回路である。なお,半導体素子の基板92への接続
方法としては,フリップチップ方式のようなボンディン
グワイヤーを使用しない方法もある。そして,基板92
の材料は,例えばアルミナ等のセラミックが多く用いら
れている。また,プリント配線基板96には,合成樹脂
製の基板が多く用いられている。
【0003】
【解決しようとする課題】しかしながら,上記ボールグ
リッドアレイパッケージの電子部品90の基板92とし
てセラミックを用い,合成樹脂製のプリント配線基板9
6に搭載した場合には,次のような問題点がある。それ
は,セラミック製の基板92と合成樹脂製のプリント配
線基板96との間の熱膨張係数の差により,電子部品9
0とプリント配線基板96との間に熱応力が働き,半田
ボール93にクラック等が発生して接合信頼性を著しく
損なうため、ボールグリッドアレイパッケージの大きさ
(面積)が制限されることである。その理由は,基板9
2の面積が大きいほど上記両部間に働く熱応力の大きさ
も大きくなるからである。その結果,電子部品1個当た
りの大きさ(面積)が制限され,ひいては電子部品を搭
載するプリントボード及び装置の小型化も妨げられるこ
とになる。
【0004】例えば,基板92にアルミナを用い,プリ
ント配線基板96の材料としてガラスエポキシ等を用い
た場合には,上記ボールグリッドアレイパッケージの大
きさは25mm×25mm程度に制限される。本発明
は,かかる従来の問題点に鑑みてなされたものであり,
電子部品と電子部品を搭載する基板との間の熱応力を軽
減し,サイズを大型化することのできるボールグリッド
アレイパッケージを提供しようとするものである。
【0005】
【課題の解決手段】本願の発明は,半導体素子を構成す
るためのボールグリッドアレイパッケージであって,セ
ラミック基板と,このセラミック基板上に搭載される半
導体素子との接続端子と,外部との接続用の半田ボール
を接合してなる合成樹脂製の樹脂基板と,上記セラミッ
ク基板の底面と上記樹脂基板の上面との間に充填された
合成樹脂製のアンダーフィルと,上記セラミック基板の
底面と上記樹脂基板の上面との間を電気的に接続する中
継用の半田部材とを有しており,上記アンダーフィルの
熱膨張係数は,上記セラミック基板の熱膨張係数と上記
樹脂基板の熱膨張係数の中間の値を有していることを特
徴とするボールグリッドアレイパッケージにある。
【0006】本発明において最も注目すべきことは,電
子部品を搭載するためのセラミック基板の他に底面に半
田ボールで接合した合成樹脂製の樹脂基板がもう一つ設
けられており,上記セラミック基板と樹脂基板との間に
アンダーフィルを介設させてあること,そして,上記ア
ンダーフィルの熱膨張係数は,上記セラミック基板の熱
膨張係数と上記樹脂基板の熱膨張係数の中間の値を有し
ていることである。
【0007】その結果,第1に電子部品の底部に位置す
る基板を樹脂基板としたことにより,電子部品が搭載さ
れるプリント配線基板を合成樹脂基板とした場合にも,
電子部品の底部とプリント配線基板との間に働く熱応力
を小さくすることができる。従来のように電子部品の底
部をセラミック基板とした場合に比べて,プリント配線
基板とパッケージ底部との間の熱膨張係数の差が少なく
なるからである。従って,より面積の大きな大型のボー
ルグリッドアレイパッケージを電子部品に使用すること
が可能となり,電子装置の集約度を向上させることがで
きる。
【0008】また,第2点として,電子部品の内部にお
いては,セラミック基板と樹脂基板の間に中間的な熱膨
張係数のアンダーフィルを介設させてあるため,上下の
基板部に働く熱応力は分散されて低減する。その結果,
上記のようにボールグリッドアレイパッケージの面積を
大きくしても,電子部品をプリント配線板に搭載した場
合に生ずる熱応力の不具合が解消し実用上の問題が生じ
なくなる。上記のように,本発明に係るボールグリッド
アレイパッケージは,従来よりも大型化することが可能
となり,電子装置の小型化に寄与することができる。
【0009】なお,上記樹脂基板対しては,通常ビアホ
ールを形成して上記中継用の半田と半田ボールとの間を
電気的に接続する。また,請求項2記載のように,外部
接続用の半田ボールは,前記中継用の半田部材よりも融
点が低い共晶半田であることが好ましい。外部接続用の
半田ボールを介して、プリント配線板への接続時に中継
用の半田が溶融してはいけないからである。
【0010】
【発明の実施の形態】
実施形態例 本例は,図1に示すように,本発明にかかるボールグリ
ッドアレイ(BGA)パッケージ10を用いたの電子部
品1を樹脂製のプリント配線基板41に搭載した例であ
る。電子部品1は,半導体素子12をBGAパッケージ
10に搭載し,樹脂モールド21により封止したもので
ある。そして,BGAパッケージ10は,セラミック基
板11と,外部との接続用の半田ボール13と,底面に
半田ボール13を接合してなる合成樹脂製の樹脂基板1
5と,セラミック基板11の底面と樹脂基板15の上面
との間に充填された合成樹脂製のアンダーフィル16
と,セラミック基板11の底面と樹脂基板15の上面と
の間を電気的に接続する中継用の半田部材17とを有し
ている。
【0011】そして,アンダーフィル16の熱膨張係数
は,セラミック基板11の熱膨張係数と樹脂基板15の
熱膨張係数の中間の値を有している。また,樹脂基板1
5を形成する合成樹脂は,ガラスエポキシであり,アン
ダーフィル16を形成する合成樹脂は,エポキシ樹脂で
ある。そして,プリント配線板41の基板材料は,ガラ
スエポキシである。また,中継用の半田部材17は,融
点280℃ぐらいの高融点半田であり,半田ボール13
は,中継用の半田17よりも融点が低い共晶半田であ
る。なお同図において,符号22はボンディングワイヤ
ー,符号23及び111は導体回路,符号153は半田
部材17と半田ボール13ドとの間を接続するビアホー
ルである。
【0012】そして,上記セラミック基板11と樹脂基
板15との一体構造は,次のような工程により製作され
る。即ち,図2(a)に示すように,始めに回路パター
ン111と図示しないビアホールを形成したセラミック
基板11を用意する。次に,同図(b)に示すように,
ビアホール153を形成した樹脂基板15とセラミック
基板11とを中継用の半田ボール17で接合する。その
後,同図(c)に示すように,樹脂を注入する方法によ
りアンダーフィル16を両基板11,15の間に形成す
る。その後は,同図(a)に示すように従来と同様に半
導体素子12を搭載し,モールディングして電子部品1
を形成する。
【0013】上記のようにBGAパッケージ10を構成
した結果,本例の電子部品1並びに電子部品1をプリン
ト配線板41に搭載したプリントボード8は,次のよう
な作用効果を奏する。即ち,第1にパッケージ10の底
部を樹脂基板15としたことにより,電子部品1を搭載
するプリント配線基板41を樹脂製とした場合にも,電
子部品1の底部とプリント配線基板41との間に働く熱
応力が小さくなる。図3に示した従来の電子部品90の
ように,底部をセラミック基板92とした場合に比べ
て,プリント配線基板41との間の熱膨張係数の差が少
なくなるからである。その結果,より大面積のボールグ
リッドアレイパッケージ10を用いた電子部品1を樹脂
製のプリント配線基板41に搭載することが可能とな
る。
【0014】また,電子部品1の内部においては,セラ
ミック基板11と樹脂基板15の間に中間的な熱膨張係
数を有するアンダーフィル16を介設させてあるため,
上下の基板11,16の間に働く熱応力は分散されて低
減し,電子部品1及びBGAパッケージ10を大型化し
ても問題が生じなくなる。また,半田部材17の融点を
半田ボール13の融点より高くしたものを使うことによ
り、プリント配線板41への搭載時の加熱があっても、
半田部材17は溶融しないので、セラミック基板11と
樹脂基板15の剥離やズレ等の問題は起こらない。上記
のような作用効果により,本例のBGAパッケージ10
を用いることにより,相対的にプリントボード8又は電
子装置を小型化することができる。
【0015】
【発明の効果】上記のように,本発明によれば,電子部
品と電子部品を搭載する基板との間の熱応力を軽減する
ことができるためパッケージのサイズを大型化すること
ができ,その結果電子装置の小型化に寄与することので
きるボールグリッドアレイパッケージを得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態例のボールグリッドアレイパッケージ
を用いた電子部品をプリント配線基板に搭載したプリン
トボードの断面図。
【図2】実施形態例のボールグリッドパッケージのセラ
ミック基板と樹脂基板とを接合する行程を示す図。
【図3】従来のボールグリッドアレイパッケージを用い
た電子部品の断面図。
【符号の説明】
10...ボールグリッドアレイパッケージ, 11...セラミック基板, 13...半田ボール, 15...樹脂基板, 16...アンダーフィル, 17...半田部材,

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子を構成するためのボールグリ
    ッドアレイパッケージであって,セラミック基板と,こ
    のセラミック基板上に搭載される半導体素子との接続端
    子と,外部との接続用の半田ボールを接合してなる合成
    樹脂製の樹脂基板と,上記セラミック基板の底面と上記
    樹脂基板の上面との間に充填された合成樹脂製のアンダ
    ーフィルと,上記セラミック基板の底面と上記樹脂基板
    の上面との間を電気的に接続する中継用の半田部材とを
    有しており,上記アンダーフィルの熱膨張係数は,上記
    セラミック基板の熱膨張係数と上記樹脂基板の熱膨張係
    数の中間の値を有していることを特徴とするボールグリ
    ッドアレイパッケージ。
  2. 【請求項2】 請求項1において,前記外部接続用の半
    田ボールは,前記中継用の半田部材よりも融点が低い共
    晶半田であることを特徴とするボールグリッドアレイパ
    ッケージ。
JP6915697A 1997-03-05 1997-03-05 ボールグリッドアレイパッケージ Pending JPH10247706A (ja)

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