JPH10242123A - 減圧処理装置 - Google Patents

減圧処理装置

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Publication number
JPH10242123A
JPH10242123A JP4056397A JP4056397A JPH10242123A JP H10242123 A JPH10242123 A JP H10242123A JP 4056397 A JP4056397 A JP 4056397A JP 4056397 A JP4056397 A JP 4056397A JP H10242123 A JPH10242123 A JP H10242123A
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JP
Japan
Prior art keywords
opening
exhaust pipe
closing
degree
pipe valve
Prior art date
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Pending
Application number
JP4056397A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Yokawa
孝士 余川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Priority to JP4056397A priority Critical patent/JPH10242123A/ja
Publication of JPH10242123A publication Critical patent/JPH10242123A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】視角的に、開口度または閉口度を把握すること
ができる減圧処理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】真空容器4に接続された真空ポンプ8と、
排気管バルブ7の開閉角度を調整する排気コンダクタン
ス調整制御装置6と、反応ガス供給手段と、プラズマ発
生手段として高周波発振機3とローパスフィルタ2を備
えた減圧処理装置において、排気管バルブ7の開口度ま
たは閉口度を算出する開閉口度演算装置15と、開口度
または閉口度を表示する表示装置16とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子やLCD
(Liquid Crystal Device)等の製造工程において用いら
れる減圧処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子やLCD等の製造工程におい
ては、真空容器を真空ポンプで減圧し、また、反応ガス
を導入して、成膜処理工程として気相成長法、エッチン
グ処理工程としてドライエッチング法等の処理を行う減
圧処理装置が用いられている。
【0003】図3は従来の減圧処理装置を示す図であ
る。図に示すように、真空ポンプ8により排気管4aを
介して真空容器4を排気して減圧する。なお、12は隣
接真空容器と隔離するためのゲートバルブである。次
に、真空容器4内に、反応ガス供給手段(図示せず)に
より反応ガス導入管1、シャワー板13を介して反応ガ
スを導入する。次に、排気管バルブ7と、排気コンダク
タンス調整制御装置6と、真空センサ5とにより排気コ
ンダクタンス調整制御手段を構成し、真空センサ5から
の信号を受けた排気コンダクタンス調整制御装置6によ
り、排気管バルブ7の開閉角度を制御し、真空容器4の
真空度を一定に保つ制御を行う。その後、高周波発信器
3により高周波電力を発生させ、ローパスフィルタ2を
通してカソード14に印加し、カソード14とアノード
9の間に反応ガスのプラズマを発生させる。このような
プラズマ発生手段を用いて発生させたプラズマにより、
反応ガスを分解し、分解された生成物をサセプタ10の
上に載せた基板(またはウェハ)11上に堆積させて成
膜処理を行う。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の減圧処理装置においては、排気コンダクタンス調整
制御装置6からの表示用データは真空容器4の真空度、
排気管バルブ7の開閉角度のみであり、感覚的、視角的
に排気管バルブ7の開閉状態が分かりずらく、また、排
気管バルブ7の開口度(開口面積)、または閉口度(閉
口面積)が分からないという問題点があった。
【0005】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、視角的に開口度または閉口度を把握するこ
とができる減圧処理装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、真空容器に接続された排気手段
と、排気管バルブの開閉角度を調整する排気コンダクタ
ンス調整制御手段と、反応ガス供給手段と、プラズマ発
生手段とを備えた減圧処理装置において、上記排気管バ
ルブの開口度または閉口度を算出する開閉口度演算装置
と、上記開口度または閉口度を表示する表示装置とを設
ける。
【0007】
【発明の実施の形態】図1は本発明に係る減圧処理装置
を示す図である。図に示すように、図3の構成に加え
て、排気管バルブ7の開口度または閉口度を算出する開
閉口度演算装置15と、開口度または閉口度を表示する
表示装置16を設けている。ここで、排気コンダクタン
ス調整制御装置6より出力された、排気管バルブ7の開
閉角度の信号を開閉口度演算装置15に入力し、以下に
示す計算処理を行って、排気管バルブ7の開口度または
閉口度を算出し、表示装置16によりモニタデータとし
て表示する。
【0008】(開口度、開口度算出法)図2に示すよう
に、排気管バルブ7の開閉角度をθとすると、 (a)排気管バルブ7全閉時:θ=0° バルブ表面積=πr2cos0°=πr2 (b)排気管バルブ7制御時:θ=0°〜90° バルブ表面積=πr2cosθ バルブ開口度=1−(バルブ角度θ時の表面積/バルブ全閉時の表面積 ) =1−πr2cosθ/πr2 =1−cosθ バルブ閉口度=(バルブ角度θ時の表面積/バルブ全閉時の表面積) =πr2cosθ/πr2 =cosθ 本来は排気管バルブ7制御時の投影面積にはバルブ自体
の厚みが加わるが、バルブ全閉時の投影面積はバルブ自
体の厚みによる投影面積に対して無視しうるものと考え
る。
【0009】上述のように、今まで自分で計算しなけれ
ばならなかった排気管バルブ7の開口度または閉口度を
開閉口度演算装置15と表示装置16により視覚的に認
識することができようになった。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る減圧
処理装置においては、開閉口度演算装置および表示装置
を用いることにより、視角的に排気管バルブの制御状
態、開口度または閉口度を把握することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る減圧処理装置を示す図である。
【図2】排気管バルブの開閉状態を示す図である。
【図3】従来の減圧処理装置を示す図である。
【符号の説明】
1 :反応ガス導入管 2 :ローパスフィルタ 3 :高周波発信機 4 :真空容器 4a:排気管 5 :真空センサ 6 :排気コンダクタンス調整制御装置 7 :排気管バルブ 8 :真空ポンプ 9 :アノード 10 :サセプタ 11 :基板 12 :ゲートバルブ 13 :シャワー板 14 :カソード 15 :開閉口度演算装置 16 :表示装置

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】真空容器に接続された排気手段と、排気管
    バルブの開閉角度を調整する排気コンダクタンス調整制
    御手段と、反応ガス供給手段と、プラズマ発生手段とを
    備えた減圧処理装置において、上記排気管バルブの開口
    度または閉口度を算出する開閉口度演算装置と、上記開
    口度または閉口度を表示する表示装置とを有することを
    特徴とする減圧処理装置。
JP4056397A 1997-02-25 1997-02-25 減圧処理装置 Pending JPH10242123A (ja)

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JP4056397A JPH10242123A (ja) 1997-02-25 1997-02-25 減圧処理装置

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JP4056397A JPH10242123A (ja) 1997-02-25 1997-02-25 減圧処理装置

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JPH10242123A true JPH10242123A (ja) 1998-09-11

Family

ID=12583944

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4056397A Pending JPH10242123A (ja) 1997-02-25 1997-02-25 減圧処理装置

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JP (1) JPH10242123A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1197583A1 (en) * 2000-10-13 2002-04-17 General Electric Company Vapor-coating system including coating container with control of vapor-source activity

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1197583A1 (en) * 2000-10-13 2002-04-17 General Electric Company Vapor-coating system including coating container with control of vapor-source activity

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