JPH0727891B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0727891B2 JPH0727891B2 JP26226186A JP26226186A JPH0727891B2 JP H0727891 B2 JPH0727891 B2 JP H0727891B2 JP 26226186 A JP26226186 A JP 26226186A JP 26226186 A JP26226186 A JP 26226186A JP H0727891 B2 JPH0727891 B2 JP H0727891B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma processing
- ashing
- etch tunnel
- processed
- inner tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、各種基板上のレジスト等の有機薄膜、およ
び、金属等の無機薄膜を除去することに利用し得る円筒
型プラズマ処理装置に関するものである。
び、金属等の無機薄膜を除去することに利用し得る円筒
型プラズマ処理装置に関するものである。
従来の技術 従来、この種のプラズマ処理装置は第４図に示すような
構成であった。第４図において、１はチャンバー、２は
チャンバー１内に設けられた多孔状の管（以後エッチト
ンネルと称す）、2aはエッチトンネル２の側面に設けら
れた孔、３は真空ポンプ、４は高周波電源、５はキャリ
ヤーガスまたは反応ガスの導入管、６はガス排気管、７
は真空ポンプのダクト、８は試料台（記述せず）上の被
処理体、９はチャンバーのドアである。動作としては、
まず、真空ポンプ３でチャンバー１内を排気し、ガス導
入管５よりガスを入れて、チャンバー１内をこの導入ガ
スで適当な圧力に保つ。次に、チャンバー１とエッチト
ンネル２を電極として、高周波電源４より電力を供給
し、プラズマを発生させる。プラズマが発生すると、エ
ッチトンネル２内へはエッチャントと呼ばれる電気的に
中性なラジカルが、孔2aより流入する。内部へ流入した
エッチャントは被処理体８と反応し、同被処理体上のレ
ジストの灰化や金属膜のエッチングをひきおこす。
構成であった。第４図において、１はチャンバー、２は
チャンバー１内に設けられた多孔状の管（以後エッチト
ンネルと称す）、2aはエッチトンネル２の側面に設けら
れた孔、３は真空ポンプ、４は高周波電源、５はキャリ
ヤーガスまたは反応ガスの導入管、６はガス排気管、７
は真空ポンプのダクト、８は試料台（記述せず）上の被
処理体、９はチャンバーのドアである。動作としては、
まず、真空ポンプ３でチャンバー１内を排気し、ガス導
入管５よりガスを入れて、チャンバー１内をこの導入ガ
スで適当な圧力に保つ。次に、チャンバー１とエッチト
ンネル２を電極として、高周波電源４より電力を供給
し、プラズマを発生させる。プラズマが発生すると、エ
ッチトンネル２内へはエッチャントと呼ばれる電気的に
中性なラジカルが、孔2aより流入する。内部へ流入した
エッチャントは被処理体８と反応し、同被処理体上のレ
ジストの灰化や金属膜のエッチングをひきおこす。
第４図に示したプラズマ処理装置において、エッチトン
ネル２を用いる理由は被処理体８に直接プラズマがあた
ることにより発生する損傷（プラズマ損傷）を防止する
こと、被処理体の部分的な温度上昇による灰化またはエ
ッチングの不均一性を減少させることにある。
ネル２を用いる理由は被処理体８に直接プラズマがあた
ることにより発生する損傷（プラズマ損傷）を防止する
こと、被処理体の部分的な温度上昇による灰化またはエ
ッチングの不均一性を減少させることにある。
発明が解決しようとする問題点 上述の従来構成では、ガスの流れ、および、孔2aの径，
密度等により、被処理体８の表面に達するエッチャント
の量が変化し、加えて被処理体８の温度も変化するの
で、灰化またはエッチングの不均一性が部分的に発生す
る。特にエッチトンネル２の口径が大きくなればなるほ
ど、そして、被処理体８が大きくなればなるほど、不均
一性が増してくるという問題があった。
密度等により、被処理体８の表面に達するエッチャント
の量が変化し、加えて被処理体８の温度も変化するの
で、灰化またはエッチングの不均一性が部分的に発生す
る。特にエッチトンネル２の口径が大きくなればなるほ
ど、そして、被処理体８が大きくなればなるほど、不均
一性が増してくるという問題があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、その目的
とするところは、均一性の良いプラズマ処理装置を提供
することにある。
とするところは、均一性の良いプラズマ処理装置を提供
することにある。
問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために、本発明はガス導入管側の
エッチトンネルの開口部を閉塞する遮蔽板と、エッチト
ンネルの孔を部分的に閉塞する側板とからなる調整装置
をそなえたものである。
エッチトンネルの開口部を閉塞する遮蔽板と、エッチト
ンネルの孔を部分的に閉塞する側板とからなる調整装置
をそなえたものである。
作用 この構成により、エッチトンネルの開口部から流入する
エッチャントを遮蔽板で締め出し、また、側板によりエ
ッチトンネルの孔を部分的に開閉することで、エッチト
ンネル内へ流入するエッチャントの量を調整することが
でき、このことによって、エッチトンネル内で均一な灰
化あるいはエッチングを実施することができる。
エッチャントを遮蔽板で締め出し、また、側板によりエ
ッチトンネルの孔を部分的に開閉することで、エッチト
ンネル内へ流入するエッチャントの量を調整することが
でき、このことによって、エッチトンネル内で均一な灰
化あるいはエッチングを実施することができる。
実施例 第１図a,bは本発明の一実施例装置の要部側面図，断面
図であり、本発明による調整装置をレジストの灰化装置
に適用したものである。すなわち、第1a図は本発明によ
る調整装置をもつ灰化装置のエッチトンネルの側面図、
第1b図は第１図のａ−ａ′における断面図である。第１
図a,bにおいて、10はエッチトンネル２の開口部に設け
られた開閉可能な遮蔽板、11は孔2aを部分的に閉塞する
ための側板である。
図であり、本発明による調整装置をレジストの灰化装置
に適用したものである。すなわち、第1a図は本発明によ
る調整装置をもつ灰化装置のエッチトンネルの側面図、
第1b図は第１図のａ−ａ′における断面図である。第１
図a,bにおいて、10はエッチトンネル２の開口部に設け
られた開閉可能な遮蔽板、11は孔2aを部分的に閉塞する
ための側板である。
第１図a,bにおいて、エッチトンネル２は、側板11によ
り、孔2aの閉塞具合をガス導入管５から排気管６にかけ
て全閉から全開まで変化させることができる。本実施例
では、ガス導入管５に近い位置Ａの部分は全閉、排気管
６に近い位置Ｃの部分は全閉、中間位置Ｂの部分は、被
処理体の大きさに相当する部分のみ、孔2aが開放されて
いる。
り、孔2aの閉塞具合をガス導入管５から排気管６にかけ
て全閉から全開まで変化させることができる。本実施例
では、ガス導入管５に近い位置Ａの部分は全閉、排気管
６に近い位置Ｃの部分は全閉、中間位置Ｂの部分は、被
処理体の大きさに相当する部分のみ、孔2aが開放されて
いる。
第１図a,bに示すような遮蔽板10と側板11からなる調整
装置を取付けたプラズマ灰化装置で、ガラス基板上に塗
布したレジストの灰化を行ったときの灰化速度の分布を
第１図ａのエッチトンネル２の位置、A,B,Cで測定した
例を第２図に示す。とくに、位置Ａの部分での灰化速度
が低下することにより、全体の均一性が大幅に向上して
いる。
装置を取付けたプラズマ灰化装置で、ガラス基板上に塗
布したレジストの灰化を行ったときの灰化速度の分布を
第１図ａのエッチトンネル２の位置、A,B,Cで測定した
例を第２図に示す。とくに、位置Ａの部分での灰化速度
が低下することにより、全体の均一性が大幅に向上して
いる。
第３図は本発明の別の実施例である。第３図において、
側板11は、第１図に示された階段状の側板の形状のかわ
りに、ガス導入管５から排気管６へかけて孔2aの開放が
順次に多くなるような形状をしている。
側板11は、第１図に示された階段状の側板の形状のかわ
りに、ガス導入管５から排気管６へかけて孔2aの開放が
順次に多くなるような形状をしている。
発明の効果 以上述べてきたように本発明によれば、きわめて簡単な
構造により均一性よく灰化およびエッチングができるプ
ラズマ処理装置を供することができ、実用的にきわめて
有用である。
構造により均一性よく灰化およびエッチングができるプ
ラズマ処理装置を供することができ、実用的にきわめて
有用である。
第１図は本発明の一実施例におけるプラズマ処理装置を
示す図、第２図は第１図に示したプラズマ処理装置によ
る灰化速度の測定例を示す図、第３図は本発明の別の実
施例を示す図、第４図は従来のプラズマ処理装置を示す
図である。 １……チャンバー、２……エッチトンネル、2a……孔、
８……被処理体、10……遮蔽板、11……側板。
示す図、第２図は第１図に示したプラズマ処理装置によ
る灰化速度の測定例を示す図、第３図は本発明の別の実
施例を示す図、第４図は従来のプラズマ処理装置を示す
図である。 １……チャンバー、２……エッチトンネル、2a……孔、
８……被処理体、10……遮蔽板、11……側板。
Claims (1)
- 【請求項１】ガス導入手段および排気手段を有する槽内
に、多孔状の内管および同内管中に被処理体を装着して
そなえ、かつ、前記内管の一端開口部を塞ぐ遮蔽板およ
び前記内管の壁面で、同内管の多孔の一部を塞ぐ側板を
そなえたプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26226186A JPH0727891B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26226186A JPH0727891B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63115340A JPS63115340A (ja) | 1988-05-19 |
| JPH0727891B2 true JPH0727891B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=17373321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26226186A Expired - Lifetime JPH0727891B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727891B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3529063B2 (ja) * | 1995-07-28 | 2004-05-24 | 日本電子株式会社 | プラズマエッチング装置を備えた表面分析装置 |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP26226186A patent/JPH0727891B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63115340A (ja) | 1988-05-19 |
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