JPH10226172A

JPH10226172A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH10226172A
Application number: JP9200596A
Authority: JP
Inventors: Tsutayoshi Misawa; 伝美三沢; Kenichi Sugimoto; 賢一杉本; Taizo Nishimoto; 泰三西本; Takashi Tsukahara; 宇塚原; Takeshi Tsuda; 武津田; Hideki Umehara; 英樹梅原; Hirosuke Takuma; 啓輔詫摩
Original assignee: Yamamoto Chemicals Inc; Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Yamamoto Chemicals Inc; Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 1996-07-29
Filing date: 1997-07-25
Publication date: 1998-08-25
Anticipated expiration: 2017-07-25
Also published as: JP3708298B2

Abstract

(57)【要約】【課題】波長５２０〜６９０ｎｍのレーザーで良好な
高密度記録及び再生が可能な追記型光記録媒体及びこれ
に使用されるピロメテン金属キレート化合物を提供す
る。【解決手段】下記一般式（１）で示されるピロメテン
系化合物と金属イオンとのピロメテン金属キレート化合
物を記録層に含有してなる光記録媒体。【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ジピロメテン金属
キレート化合物、及びこれを用いた、従来に比較して高
密度に記録及び再生可能な光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンパクトディスク（以下、ＣＤと略
す）規格に対応した追記型光記録媒体としてＣＤ−Ｒ
（CD-Recordable）が提案・開発されている［例えば、
日経エレクトロニクスＮｏ．４６５，Ｐ．１０
７，１９８９年１月２３日号、OPTICAL DATA STORAGE
DIGEST SERIES vol.1 P45, 1989 等］。このＣＤ−Ｒ
は図１に示すように透明樹脂基板１上に記録層２、反射
層３、保護層４がこの順で積層されており、該記録層に
高パワーのレーザー光を照射することにより、記録層が
物理的あるいは化学的変化を起こし、ピットの形で情報
を記録する。形成されたピット部位に低パワーのレーザ
ー光を照射し、反射率の変化を検出することによりピッ
トの情報を再生することができる。このような光記録媒
体の記録・再生には一般に波長７７０〜８３０ｎｍの近
赤外半導体レーザーを用いており、レッドブックやオレ
ンジブック等のＣＤの規格に準拠しているため、ＣＤプ
レーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーと互換性を有すると
いう特徴を有する。

【０００３】しかし、上記の従来の媒体の記録容量は６
５０ＭＢ程度であり、動画の記録を考慮すると容量が十
分でなく、情報量の飛躍的増加に伴い情報記録媒体に対
する高密度化・大容量化の要求は高まっている。

【０００４】また、光ディスクシステムに利用される短
波長半導体レーザーの開発が進み、波長６８０ｎｍ、６
５０ｎｍ及び６３５ｎｍのの赤色半導体レーザーが実用
化されている［例えば、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．
５８９、Ｐ．５５、１９９３年１０月１１日号］。記録
・再生用レーザーの短波長化及び対物レンズの開口数を
大きくすることによりビームスポットを小さくすること
ができ、高密度な光記録媒体が可能になる。実際に半導
体レーザーの短波長化、対物レンズの開口数大化、デー
タ圧縮技術などにより動画を長時間記録できる大容量の
光記録媒体が開発されてきている〔例えば、日経エレク
トロニクス、Ｎｏ．５９２、Ｐ．６５、１９９３年８月
３０日号、Ｎｏ．５９４、Ｐ．１６９、１９９３年１１
月８日号］。最近では、２時間以上の動画をデジタル記
録したデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）が開発されて
きた。ＤＶＤは４．７ＧＢの記録容量を有する再生専用
の媒体であり、この容量に合った記録可能な光ディスク
の開発が更に要望されている。

【０００５】また、ＹＡＧレーザーの高調波変換による
５３２ｎｍのレーザーも実用可されている。

【０００６】５３２ｎｍより更に短波長の４９０ｎｍの
青／緑色半導体レーザーも研究されているが、まだ実用
化の段階まで至っていない［例えば、Applied Physics
Letter, P.1272-1274, Vol.59 (1991)や『日経エレクト
ロニクス』Ｎｏ．５５２，Ｐ．９０，１９９２年４月２
７日号］。

【０００７】短波長レーザーを使用した場合、光ディス
クの線記録密度と半径方向記録密度は理論的には同等に
高密度化できるが、現状では、半径方向の記録密度は線
記録密度ほど大きくすることは困難である。レーザー光
は溝又はランドにより回折散乱されるため、トラックピ
ッチを狭くするほど信号検出光量が低下する。また、十
分なトラッキング信号が得られる深さを保ったままトラ
ックピッチを狭くするにも成形上限界がある。また溝が
深く狭いと、記録層を均一に成膜することが困難であ
る。更に、溝とランドのエッジ部分は平滑ではなく微小
凹凸があるため、ノイズの原因となる。このような悪影
響はある程度トラックピッチが狭くなったところで急激
に生じる。これらのことを考慮すると、波長５２０ｎｍ
で対物レンズの開口数が０．６では溝ピッチの限界は約
０．５μｍと考えられる。

【０００８】追記型光記録媒体の色素層にレーザー光を
照射し、物理変化又は化学変化を生じさせることでピッ
トを形成させる際、色素の光学定数、分解挙動が良好な
ピットができるかの重要な要素となる。分解しづらいも
のは感度が低下し、分解が激しいか又は、変化しやすい
ものはピット間及び半径方向のランド部への影響が大き
くなり、信頼性のあるピット形成が困難になる。従来の
ＣＤ−Ｒ媒体では、高密度で用いられているレーザー波
長では色素層の屈折率も低く、消衰係数も適度な値では
ないため、反射率が低く変調度が取れなかった。更に
は、絞られたビームで小さいピットを開けるべきところ
が、周りへの影響が大きく分布の大きいピットになった
り、半径方向へのクロストークが悪化した。逆にピット
が極端に小さくなり変調度が取れない場合もあった。従
って、記録層に用いる色素の光学的性質、分解挙動の適
切なものを選択する必要がある。

【０００９】例えば、特開平６−１９９０４５号公報
は、波長６８０ｎｍの半導体レーザーで記録再生可能な
光記録媒体が提案されている。この媒体は、記録層にシ
アニン色素を用いており高密度の記録再生の可能性は示
しているものの、実際に高密度に記録した記述はない。

【００１０】また、ＵＳＰ４，７７４，３３９号、４，
９１６，７１１号、５，２４８，７８２号、５，２７
４，１１３号、５，４９８，６４１号にジピロメテンと
ハロゲン化ホウ素とのキレート化合物が開示されている
が、同化合物を用いた光記録媒体についての記載はな
い。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ジピ
ロメテン金属キレ−ト化合物、及びこれを含有する、波
長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録及び再
生が可能な高密度記録に適した光記録媒体を提供するこ
とにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明は、基板上に少なくとも記録層及び反射層を有する光記
録媒体において、記録層中に、下記一般式（１）で示さ
れるジピロメテン系化合物と金属イオンとから得られる
ジピロメテン金属キレート化合物を含有する光記録媒
体、

【００１３】

【化７】

【００１４】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁷は各々独立に水素原子、
ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、ア
ミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、炭素数１〜２
０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロゲノアルキル
基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜２０の
アルケニル基、炭素数２〜２０のアルコキシアルキル
基、炭素数２〜２０のアルコキシアルコキシ基、炭素数
６〜２０のアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアシル
基、炭素数２〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数
２〜２０のアルキルアミノカルボニル基、炭素数３〜２
０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数２〜２０の
アルキルカルボニルアミノ基、炭素数７〜２０のフェニ
ルカルボニルアミノ基、炭素数７〜２０のフェニルアミ
ノカルボニル基、炭素数７〜２０のフェノキシカルボニ
ル基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数６〜２０
のアリール基、炭素数４〜２０のヘテロアリール基、炭
素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数６〜２０のフェ
ニルチオ基、炭素数３〜２０のアルケニルオキシカルボ
ニル基、炭素数８〜２０のアラルキルオキシカルボニル
基、炭素数４〜２０のアルコキシカルボニルアルコキシ
カルボニル基、炭素数４〜２０のアルキルカルボニルア
ルコキシカルボニル基、炭素数２〜２０のモノ（ヒドロ
キシアルキル）アミノカルボニル基、炭素数３〜２０の
ジ（ヒドロキシアルキル）アミノカルボニル基、炭素数
３〜２０のモノ（アルコキシアルキル）アミノカルボニ
ル基又は炭素数５〜２０のジ（アルコキシアルキル）ア
ミノカルボニル基を表し、Ｒ²とＲ³及び／又はＲ⁵とＲ⁶
はそれぞれ互いに結合してピロ−ル環に縮合する芳香環
を形成してもよく、また、これらによって形成される縮
合芳香環は、それぞれ同一であっても異なるものであっ
てもよく、式（ａ）

【００１５】

【化８】

【００１６】（式中、Ｒ⁸〜Ｒ¹¹は各々独立に水素原
子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ
基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、炭素数
１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロゲノアル
キル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜２
０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルコキシアルキ
ル基、炭素数２〜２０のアルコキシアルコキシ基、炭素
数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアシ
ル基、炭素数２〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素
数２〜２０のアルキルアミノカルボニル基、炭素数３〜
２０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数２〜２０
のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数７〜２０のフェ
ニルカルボニルアミノ基、炭素数７〜２０のフェニルア
ミノカルボニル基、炭素数７〜２０のフェノキシカルボ
ニル基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数６〜２
０のアリール基、炭素数４〜２０のヘテロアリール基、
炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数６〜２０のフ
ェニルチオ基、炭素数３〜２０のアルケニルオキシカル
ボニル基、炭素数８〜２０のアラルキルオキシカルボニ
ル基、炭素数４〜２０のアルコキシカルボニルアルコキ
シカルボニル基、炭素数４〜２０のアルキルカルボニル
アルコキシカルボニル基、炭素数２〜２０のモノ（ヒド
ロキシアルキル）アミノカルボニル基、炭素数３〜２０
のジ（ヒドロキシアルキル）アミノカルボニル基、炭素
数３〜２０のモノ（アルコキシアルキル）アミノカルボ
ニル基又は炭素数５〜２０のジ（アルコキシアルキル）
アミノカルボニル基を表し、Ｒ¹⁰とＲ¹¹はそれぞれ互い
に結合して芳香環を形成してもよい）を表す。〕

【００１７】ジピロメテン金属キレート化合物が、
下記一般式（２）で示される化合物であるに記載の光
記録媒体、

【００１８】

【化９】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁷は前記と同じ意味を表し、Ｍは遷移元
素を表す。〕

【００１９】ジピロメテン金属キレート化合物が、
下記一般式（３）で示される化合物であるに記載の光
記録媒体、

【００２０】

【化１０】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁷は前記と同じ意味を表す。〕

【００２１】波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選
択されるレーザー光に対して、記録及び再生が可能であ
る〜のいずれかに記載の光記録媒体、レーザー波長において、記録層の屈折率が１．８以
上、且つ、消衰係数が０．０４〜０．４０である〜
のいずれかに記載の光記録媒体、波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択されるレー
ザー光に対して、基板側から測定した反射率が２０％以
上である〜のいずれかに記載の光記録媒体、下記一般式（４）で示されるジピロメテン金属キレ
−ト化合物、

【００２２】

【化１１】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｒ⁷〜Ｒ¹¹は前記と同じ意味を表
し、Ｍは遷移元素を表す。但し、Ｒ²とＲ³は芳香環を形
成することはない。〕

【００２３】下記一般式（５）で示されるジピロメ
テン金属キレ−ト化合物、

【００２４】

【化１２】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｒ⁷〜Ｒ¹¹は前記と同じ意味を表
す。但し、Ｒ²とＲ³は芳香環を形成することはない。〕
に関するものである。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明の一般式（１）で示される
ジピロメテン系化合物と金属イオンとのジピロメテン金
属キレート化合物において、Ｒ₁〜Ｒ₁₁としては、水素
原子；ニトロ基；シアノ基；ヒドロキシ基；アミノ基；
カルボキシル基；スルホン酸基；フッ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲン原子；

【００２６】メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-
プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル
基、t-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、2-メ
チルブチル基、1-メチルブチル基、neo-ペンチル基、1,
2-ジメチルプロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、cycl
o-ペンチル基、n-ヘキシル基、4-メチルペンチル基、3-
メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペン
チル基、3,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル
基、1,3-ジメチルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、1,
2-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、3-エチル
ブチル基、2-エチルブチル基、1-エチルブチル基、1,2,
2-トリメチルブチル基、1,1,2-トリメチルブチル基、1-
エチル-2-メチルプロピル基、cyclo-ヘキシル基、n-ヘ
プチル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、
4-メチルヘキシル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチ
ルペンチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,
5-ジメチルヘキシル基、2,5,5-トリメチルペンチル基、
2,4-ジメチルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル
基、n-オクチル基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-ノ
ニル基、n-デシル基、4-エチルオクチル基、4-エチル-
4,5-メチルヘキシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル
基、1,3,5,7-テトラエチルオクチル基、4-ブチルオクチ
ル基、6,6-ジエチルオクチル基、n-トリデシル基、6-メ
チル-4-ブチルオクチル基、n-テトラデシル基、n-ペン
タデシル基、3,5-ジメチルヘプチル基、2,6-ジメチルヘ
プチル基、2,4-ジメチルヘプチル基、2,2,5,5-テトラメ
チルヘキシル基、1-cyclo-ペンチル-2,2-ジメチルプロ
ピル基、1-cyclo-ヘキシル-2,2-ジメチルプロピル基等
の炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；

【００２７】クロロメチル基、ジクロロメチル基、フル
オロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ノナフルオロブチル基等の炭素数１〜２０の
ハロゲノアルキル基；メトキシエチル基、エトキシエチ
ル基、iso-プロピルオキシエチル基、3-メトキシプロピ
ル基、2-メトキシブチル基等の炭素数２〜２０のアルコ
キシアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキ
シ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、iso-ブトキシ
基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、
iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ基、n-ヘキシルオキ
シ基、ｎ−ドデシルオキシ基等の炭素数１〜２０のアル
コキシ基；

【００２８】ビニル基、プロペニル基、1-ブテニル基、
iso-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、2-
メチル-1-ブテニル基、3-メチル-1-ブテニル基、2-メチ
ル-2-ブテニル基、2,2-ジシアノビニル基、2-シアノ-2-
メチルカルボキシルビニル基、2-シアノ-2-メチルスル
ホンビニル基等の炭素数２〜２０のアルケニル基；メト
キシエトキシ基、エトキシエトキシ基、3-メトキシプロ
ピルオキシ基、3-(iso-プロピルオキシ）プロピルオキ
シ基等の炭素数２〜２０のアルコキシアルコキシ基；フ
ェノキシ基、2-メチルフェノキシ基、4-メチルフェノキ
シ基、4-t-ブチルフェノキシ基、2-メトキシフェノキシ
基、4-iso-プロピルフェノキシ基等の炭素数６〜２０の
アリールオキシ基；ホルミル基、アセチル基、エチルカ
ルボニル基、n-プロピルカルボニル基、iso-プロピルカ
ルボニル基、n-ブチルカルボニル基、iso-ブチルカルボ
ニル基、sec-ブチルカルボニル基、t-ブチルカルボニル
基、n-ペンチルカルボニル基、iso-ペンチルカルボニル
基、neo-ペンチルカルボニル基、2-メチルブチルカルボ
ニル基、ニトロベンジルカルボニル基等の炭素数１〜２
０のアシル基；

【００２９】メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、イソプロピルオキシカルボニル基、2,4-ジメチル
ブチルオキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル
基；メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニ
ル基、n-プロピルアミノカルボニル基、n-ブチルアミノ
カルボニル基、n-ヘキシルアミノカルボニル基等の炭素
数２〜２０のアルキルアミノカルボニル基；ジメチルア
ミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジ-n
-プロピルアミノカルボニル基、ジ-n-ブチルアミノカル
ボニル基、N-メチル-N-シクロヘキシルアミノカルボニ
ル基等の炭素数３〜２０のジアルキルアミノカルボニル
基；アセチルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ブ
チルカルボニルアミノ基等の炭素数２〜２０のアルキル
カルボニルアミノ基；

【００３０】フェニルアミノカルボニル基、4-メチルフ
ェニルアミノカルボニル基、2-メトキシフェニルアミノ
カルボニル基、4-n-プロピルフェニルアミノカルボニル
基等の炭素数７〜２０のフェニルアミノカルボニル基；
フェニルカルボニルアミノ基、4-エチルフェニルカルボ
ニルアミノ基、3-ブチルフェニルカルボニルアミノ基等
の炭素数７〜２０のフェニルカルボニルアミノ基；フェ
ノキシカルボニル基、2-メチルフェノキシカルボニル
基、4-メトキシフェノキシカルボニル基、4-t-ブチルフ
ェノキシカルボニル基等の炭素数７〜２０のフェノキシ
カルボニル基；ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノ
ベンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル
基、ジメチルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジク
ロロベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシベンジ
ル基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチル
基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル
基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチ
ル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基等の炭素数
７〜２０のアラルキル基；

【００３１】フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフ
ェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基、
ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、ジクロロ
フェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル
基、トリフルオロメチルフェニル基、N,N-ジメチルアミ
ノフェニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノ
ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル
基、トリフルオロメチルナフチル基等の炭素数６〜２０
のアリール基；ピロリル基、チエニル基、フラニル基、
オキサゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイ
ル基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾ
チアゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル
基、インドイル基等の炭素数４〜２０のヘテロアリール
基；

【００３２】メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピル
チオ基、iso-プロピルチオ基、n-ブチルチオ基、iso-ブ
チルチオ基、sec-ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、n-ペ
ンチルチオ基、iso-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチ
オ基、1-メチルブチルチオ基、neo-ペンチルチオ基、1,
2-ジメチルプロピルチオ基、1,1-ジメチルプロピルチオ
基等の炭素数１〜２０のアルキルチオ基；フェニルチオ
基、4-メチルフェニルチオ基、2-メトキシフェニルチオ
基、4-t-ブチルフェニルチオ基等の炭素数６〜２０のフ
ェニルチオ基;ビニル基、プロペニル基、1-ブテニル
基、iso-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル
基、2-メチル-1-ブテニル基、3-メチル-1-ブテニル基、
2-メチル-2-ブテニル基、2,2-ジシアノビニル基、2-シ
アノ-2-メチルカルボキシルビニル基、2-シアノ-2-メチ
ルスルホンビニル基等の炭素数２〜２０のアルケニル
基；アリルオキシカルボニル基、2-ブテノキシカルボニ
ル基等の炭素数３〜２０のアルケニルオキシカルボニル
基；ベンジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカ
ルボニル基等の炭素数８〜２０のアラルキルオキシカル
ボニル基；

【００３３】メトキシカルボニルメトキシカルボニル
基、エトキシカルボニルメトキシカルボニル基、n-プロ
ポキシカルボニルメトキシカルボニル基、イソプロポキ
シカルボニルメトキシカルボニル基等の炭素数４〜２０
のアルコキシカルボニルアルコキシカルボニル基；メチ
ルカルボニルメトキシカルボニル基、エチルカルボニル
メトキシカルボニル基等の炭素数４〜２０のアルキルカ
ルボニルアルコキシカルボニル基；ヒドロキシエチルア
ミノカルボニル基、2-ヒドロキシプロピルアミノカルボ
ニル基、3-ヒドロキシプロピルアミノカルボニル基等の
炭素数２〜２０のモノ(ヒドロキシアルキル)アミノカル
ボニル基；ジ（ヒドロキシエチル）アミノカルボニル
基、ジ（2-ヒドロキシプロピル）アミノカルボニル基、
ジ（3-ヒドロキシプロピル）アミノカルボニル基等の炭
素数３〜２０のジ（ヒドロキシアルキル）アミノカルボ
ニル基；メトキシメチルアミノカルボニル基、メトキシ
エチルアミノカルボニル基、エトキシメチルアミノカル
ボニル基、エトキシエチルアミノカルボニル基、プロポ
キシエチルアミノカルボニル基等の炭素数３〜２０のモ
ノ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基；ジ（メ
トキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（エトキシメチ
ル）アミノカルボニル基、ジ（エトキシエチル）アミノ
カルボニル基、ジ（プロポキシエチル）アミノカルボニ
ル基等の炭素数５〜２０のジ（アルコキシアルキル）ア
ミノカルボニル基等を挙げることができる。

【００３４】一般式（１）で示されるジピロメテン系化
合物と一緒にキレート化合物を形成する金属としては、
一般にジベンゾピロメテン系化合物とキレート化合物を
形成する能力を有する金属であれば特に制限されない
が、８、９、１０族（VIII族）、１１族（Ib族）、１２
族（IIb族）、３族（IIIa族）、４族（IVa族）、５族
（Va族）、６族（VIa族）、７族（VIIa族）の金属が挙
げられ、好ましくは、ニッケル、コバルト、鉄、ルテニ
ウム、ロジウム、パラジウム、銅、オスミウム、イリジ
ウム、白金、亜鉛等の遷移元素が挙げられる。

【００３５】本発明の一般式（１）で示されるジピロメ
テン系化合物及びジピロメテン金属キレート化合物は、
限定されないが、例えば、Aust. J. Chem, 1965, 11, 1
835-45、Heteroatom Chemistry, Vol.1, 5, 389(199
0)、USP-4,774,339、USP-5,433,896等に記載の方法に準
じて製造される。代表的には、以下のような２段階反応
にて製造することができる。

【００３６】まず、第１段階では一般式（６）で示され
る化合物と一般式（７）で示される化合物、又は一般式
（８）で示される化合物と一般式（９）で示される化合
物とを、臭化水素酸や塩化水素等の酸触媒の存在下、適
当な溶媒中で反応して、一般式（１０）で示されるジピ
ロメテン系化合物を得る。次いで第２段階では一般式
（１０）で示されるジピロメテン系化合物と三フッ化ホ
ウ素類やニッケル、コバルト、鉄、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、銅、オスミウム、イリジウム、白金、
亜鉛等金属の酢酸塩やハロゲン化物とを反応させて、金
属配位した一般式（１）で示されるジピロメテン金属キ
レート化合物を得る。

【００３７】

【化１３】

【００３８】

【化１４】

【００３９】

【化１５】

【００４０】

【化１６】

【００４１】

【化１７】

【００４２】〔式（６）〜式（１０）において、Ｒ¹〜
Ｒ⁷は前記と同じ意味を表す。〕表−１に、本発明の一般式（１）で示されるジピロメテ
ン金属キレート化合物の具体例を、それぞれ一般式
（２）〜（５）及び下記式（１１）及び（１２）におけ
る各置換基を例示して示す。尚、表中の化合物番号は式
番号と連続番号の組み合わせであり、例えば、２−１
は、式（２）の化合物の第１の例を示している。

【００４３】

【化１８】

【００４４】

【化１９】

【００４５】

【表１】

【００４６】

【表２】

【００４７】

【表３】

【００４８】

【表４】

【００４９】

【表５】

【００５０】

【表６】

【００５１】

【表７】

【００５２】

【表８】

【００５３】

【表９】

【００５４】

【表１０】

【００５５】

【表１１】

【００５６】

【表１２】

【００５７】本発明の具体的構成について以下に説明す
る。光記録媒体とは予め情報を記録されている再生専用
の光再生専用媒体及び情報を記録して再生することので
きる光記録媒体の両方を示すものである。但し、ここで
は適例として後者の情報を記録して再生のできる光記録
媒体、特に基板上に記録層、反射層を有する光記録媒体
に関して説明する。この光記録媒体は図１に示すような
基板、記録層、反射層及び保護層が順次積層している４
層構造を有しているか、図２に示すような貼り合わせ構
造を有している。即ち、基板１’上に記録層２’が形成
されており、その上に密着して反射層３’が設けられて
おり、更にその上に接着層４’を介して基板５’が貼り
合わされている。ただし、記録層２’の下又は上に別の
層があってもよく、反射層の上に別の層があってもかま
わない。

【００５８】基板の材質としては、基本的には記録光及
び再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチ
ル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成
形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピットを
形成することもある。このような案内溝やピットは、基
板の成形時に付与することが好ましいが、基板の上に紫
外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。通常Ｃ
Ｄとして用いる場合は、厚さ１．２ｍｍ程度、直径８０
ないし１２０ｍｍ程度の円盤状であり、中央に直径１５
ｍｍ程度の穴が開いている。

【００５９】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、λmaxが４５０〜６３０ｎｍ
に存在する一般式（１）で示されるジピロメテン系化合
物と金属イオンとのジピロメテン金属キレート化合物を
含有する。中でも、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍから選択さ
れる記録及び再生レーザー波長に対して適度な光学定数
を有する必要がある。

【００６０】光学定数は複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）で表現
される。式中のｎ，ｋは、実数部ｎと虚数部ｋに相当す
る係数である。ここで、ｎを屈折率、ｋを消衰係数とす
る。一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率ｎと消衰
係数ｋが大きく変化する特徴がある。この特徴を考慮し
て、目的とするレーザー波長において好ましい光学定数
を有する有機色素を選択し記録層を成膜することで、高
い反射率を有し、且つ、感度の良い媒体とすることがで
きる。

【００６１】本発明によれば、記録層に必要な光学定数
は、前記レーザー光の波長において、ｎが１．８以上、
且つ、ｋが０．０４〜０．４０であり、好ましくは、ｎ
が２．０以上で、且つ、ｋが０．０４〜０．２０であ
る。ｎが１．８より小さい値になると正確な信号読み取
りに必要な反射率と信号変調度は得られず、ｋが０．４
０を越えても反射率が低下して良好な再生信号が得られ
ないだけでなく、再生光により信号が変化しやすくなり
実用に適さない。この特徴を考慮して、目的とするレー
ザー波長において好ましい光学定数を有する有機色素を
選択し記録層を成膜することで、高い反射率を有し、且
つ、感度の良い媒体とすることができる。本発明の一般
式（１）で表されるジピロメテン金属キレート化合物
は、通常の有機色素に比べ、吸光係数が高く、また置換
基の選択により吸収波長域を任意に選択できるため、前
記レーザー光の波長において記録層に必要な光学定数
（ｎが１．８以上、且つ、ｋが０．０４〜０．４０であ
り、好ましくは、ｎが２．０以上で、且つ、ｋが０．０
４〜０．２０）を満足する極めて有用な化合物である。
本発明の光記録媒体を５２０〜６９０ｎｍから選択され
るレーザー光で再生する場合、基本的には、反射率が２
０％以上であれば一応可能ではあるが、３０％以上の反
射率が好ましい。

【００６２】また、記録特性などの改善のために、波長
４５０〜６３０ｎｍに吸収極大を有し、５２０〜６９０
ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の色素と混合してもよ
い。具体的には、シアニン色素、スクアリリウム系色
素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ポル
フィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色素、イ
ンドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオピリリ
ウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタン
系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色素、イン
ジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色
素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系
色素等があり、複数の色素の混合であってもよい。これ
らの色素の混合割合は、０．１〜３０％程度である。

【００６３】更に、一般式（１）で表されるジピロメテ
ン金属キレート化合物の５２０ｎｍ〜６９０ｎｍから選
択される記録及び再生レーザー波長に対してｋが小さい
場合には、記録特性などの改善のために、波長６００〜
９００ｎｍに吸収極大を有する光吸収化合物と混合して
もよい。具体的には、シアニン色素、スクアリリウム系
色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ポ
ルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色素、
インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオピリ
リウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタ
ン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色素、イ
ンジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色
素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系
色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素
等があり、複数の色素の混合であってもよい。これらの
色素の混合割合は、０．１〜３０％程度である。

【００６４】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の色素に、クエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収
剤、接着剤等を混合するか、あるいは、そのような効果
を有する化合物を前記色素の置換基として導入すること
も可能である。

【００６５】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系等のビスジチオール系、チオカテコ
ール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフェ
ノレート系等の金属錯体が好ましい。また、アミン系も
好適である。

【００６６】熱分解促進剤としては、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体等の金属化合物が挙げられる。

【００６７】更に、必要に応じて、バインダー、レベリ
ング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましいバ
インダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニル
ピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケト
ン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹
脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオ
レフィン等が挙げられる。

【００６８】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度等を向上させるために、基
板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
ここで、記録層における一般式（１）で表されるジピロ
メテン金属キレート化合物の含有量は、３０％以上、好
ましくは６０％以上である。尚、実質的に１００％であ
ることも好ましい。

【００６９】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法等の塗布法、
スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる
が、スピンコート法が簡便で好ましい。

【００７０】スピンコート法等の塗布法を用いる場合に
は、一般式（１）で表されるジピロメテン金属キレート
化合物を１〜４０重量％、好ましくは３〜３０重量％と
なるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用い
るが、この際、溶媒は基板にダメージを与えないものを
選ぶことが好ましい。例えば、メタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール、オクタフルオロペンタノ
ール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ、テトラフルオロプロパノール等のアルコール
系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シク
ロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキ
サン、ジメチルシクロヘキサン等の脂肪族又は脂環式炭
化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香
族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラ
クロロエタン、ジブロモエタン等のハロゲン化炭化水素
系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソ
プロピルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ア
セトン、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブタノン等のケトン
系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチル等のエステル系溶媒、
水などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、
或いは、複数混合して用いてもよい。

【００７１】なお、必要に応じて、記録層の色素を高分
子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【００７２】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【００７３】色素層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは５０〜３００ｎｍである。色素層の膜
厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため記録
出来ないか、記録信号に歪みが発生する上、信号振幅が
小さくなる。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場合は反
射率が低下し、再生信号特性が悪化する。

【００７４】次に記録層の上に、好ましくは、厚さ５０
〜３００ｎｍの反射層を形成する。反射層の材料として
は、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａ
ｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔ
ａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは合金にして用い
ることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反
射率が高く反射層の材料として適している。これ以外で
も下記のものを含んでいてもよい。例えば、Ｍｇ、Ｓ
ｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金
属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分としてい
るものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適
である。ここで主成分というのは含有率が５０％以上の
ものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率
薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として
用いることも可能である。

【００７５】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーテイング法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下
に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のた
めに公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設ける
こともできる。

【００７６】更に、反射層の上の保護層の材料としては
反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることがで
きる。また、無機物質としては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、
ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、
乾燥することによって形成することができる。ＵＶ硬化
性樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布
液を調製した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射し
て硬化させることによって形成することができる。ＵＶ
硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、
エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなど
のアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材
料は単独であるいは混合して用いてもよいし、１層だけ
でなく多層膜にして用いてもよい。

【００７７】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でも
スピンコート法が好ましい。

【００７８】保護層の膜厚は、一般には０．１〜１００
μｍの範囲であるが、本発明においては、３〜３０μｍ
であり、好ましくは５〜２０μｍがより好ましい。

【００７９】保護層の上に更にレーベル等の印刷を行う
こともできる。

【００８０】また、反射層面に保護シート又は基板を貼
り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向させ
光記録媒体２枚を貼り合わせる等の手段を用いてもよ
い。

【００８１】基板鏡面側に、表面保護やゴミ等の付着防
止のために紫外線硬化樹脂、無機系薄膜等を成膜しても
よい。

【００８２】本発明でいう波長５２０〜６９０ｎｍのレ
ーザーは、特に限定はないが、例えば、可視領域の広範
囲で波長選択のできる色素レーザーや波長６３３ｎｍの
ヘリウムネオンレーザー、最近開発されている波長６８
０、６５０、６３５ｎｍ付近の高出力半導体レーザー、
波長５３２ｎｍの高調波変換ＹＡＧレーザーなどが挙げ
られる。本発明では、これらから選択される一波長又は
複数波長において高密度記録及び再生が可能となる。

【００８３】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。

【００８４】〔実施例１〕一般式（１）で表されるジピ
ロメテン金属キレート化合物のうち、表−１に記載され
た化合物（２−１）０．２ｇをジメチルシクロヘキサン
１０ｍｌに溶解し、色素溶液を調製した。基板は、ポリ
カーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッ
チ：０．８μｍ）を有する直径１２０ｍｍφ、厚さ１．
２ｍｍの円盤状のものを用いた。

【００８５】この基板上に色素溶液を回転数１５００ｒ
ｐｍでスピンコートし、７０℃３時間乾燥して、記録層
を形成した。この記録層の吸収極大は５０５ｎｍであ
り、光学定数は、６８０ｎｍではｎが２．１、ｋは０．
０４であり、６５０ｎｍではｎが２．２、ｋは０．０５
であり、６３５ｎｍではｎが２．３、ｋは０．０７であ
る。

【００８６】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚
さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０^-2Ｔｏｒｒ
で行った。

【００８７】更に反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１
７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、
紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を形成し、光記録媒
体を作製した。

【００８８】得られた光記録媒体に、波長６３５ｎｍで
レンズの開口度が０．６の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−
１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを
用いて、線速度３．５ｍ／ｓ、レーザーパワー８ｍＷで
最短ピット長０．４４μｍになるように記録した。記録
後、６５０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ド（レンズの開口度は０．６）を搭載した評価装置を用
いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変調度を
測定した結果、いずれも良好な値を示した。

【００８９】次に６８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭
載したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ
−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダー
を用いて、線速度１．４ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍ
Ｗで最短ピット長０．６０μｍになるように記録した。
この記録した媒体を６８０ｎｍ、６５０ｎｍ及び６３５
ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック
工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）を用い
て信号を再生し、反射率、エラーレート及び変調度を測
定した。いずれも良好な値を示した。

【００９０】このように、この媒体は複数のレーザー波
長で記録及び再生を良好に行うことが出来た。

【００９１】なお、エラーレートはケンウッド社製ＣＤ
デコーダー（ＤＲ３５５２）を用いて計測し、変調度は
以下の式により求めた。

【００９２】

【数１】

【００９３】〔実施例２〕基板にポリカーボネート樹脂
製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．８μｍ）を
有する直径１２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍの円盤状のも
のを用いる以外は実施例１と同様にして塗布及び反射層
を形成した。

【００９４】更に反射層上に紫外線硬化性接着剤ＳＤ−
３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコートし、
その上にポリカーボネート樹脂製で直径１２０ｍｍφ、
厚さ０．６ｍｍの円盤状基板を乗せた後、紫外線照射し
て貼り合わせした光記録媒体を作製した。

【００９５】作製した媒体に、０．６ｍｍ厚に対応した
６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載している以外は
実施例１と同様にパルステック工業製光ディスク評価装
置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエ
ンコーダーを用いて記録した。記録後、６５０ｎｍ及び
６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装
置を用いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変
調度を測定した結果、いずれも良好な値を示した。

【００９６】〔実施例３〕基板にポリカーボネート樹脂
製で連続した案内溝（トラックピッチ：１．２μｍ）を
有する直径１２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍの円盤状のも
のを用いる以外は実施例２と同様にして光記録媒体を作
製した。

【００９７】作製した媒体に、０．６ｍｍ厚に対応した
６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載している以外は
実施例１と同様にパルステック工業製光ディスク評価装
置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエ
ンコーダーを用いて記録した。記録後、６５０ｎｍ及び
６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装
置を用いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変
調度を測定した結果、いずれも良好な値を示した。

【００９８】〔実施例４〕基板にポリカーボネート樹脂
製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．７μｍ）を
有する直径１２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍの円盤状のも
のを用いる以外は実施例２と同様にして光記録媒体を作
製した。

【００９９】作製した媒体に、０．６ｍｍ厚に対応した
６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載している以外は
実施例１と同様にパルステック工業製光ディスク評価装
置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエ
ンコーダーを用いて記録した。記録後、６５０ｎｍ及び
６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装
置を用いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変
調度を測定した結果、いずれも良好な値を示した。

【０１００】〔実施例５〕表−１に記載したジピロメテ
ン金属キレート化合物（３−１）と塗布溶媒としてジア
セトンアルコールを用い、基板にポリカーボネート樹脂
製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．５３μｍ）
を有する直径１２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の
ものを用いる以外は実施例２と同様にして光記録媒体を
作製した。この記録層の吸収極大は５２０ｎｍであり、
光学定数は、５３２ｎｍではｎが２．４、ｋは０．１５
である。

【０１０１】作製した媒体に、０．６ｍｍ厚に対応した
５３２ｎｍＹＡＧ高調波変換レーザーヘッドを搭載した
光ディスク評価装置及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコ
ーダーを用いて、線速度３．８ｍ／ｓ、レーザーパワー
７ｍＷで記録した。記録後、同評価装置を用いて信号を
再生した結果、反射率は約５１％、エラーレートが７ｃ
ｐｓ及び変調度が０．６５であり、いずれも良好な値を
示した。

【０１０２】〔実施例６〜９５〕表−１に記載したジピ
ロメテン金属キレート化合物（２−２〜２−２３、３−
２〜３−１３、４−１〜４−５１、５−１〜５−３７、
１１−１〜１１−１０、１２−１〜１２−１０）を用い
る以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を作製し
た。

【０１０３】作製した媒体に実施例１と同様に６３５ｎ
ｍ半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製
光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷ
ＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて記録した。記録
後、６５０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ドを搭載した評価装置を用いて信号を再生し、反射率、
エラーレート及び変調度を測定した結果、いずれも良好な値を
示した。

【０１０４】〔比較例１〕実施例２において、ベンゾピ
ロメテン金属キレート化合物（２−１）の代わりに、ペ
ンタメチンシアニン色素ＮＫ−２９２９［1,3,3,1',3',
3'-ヘキサメチル-2',2'-(4,5,4',5'-ジベンゾ)インドジ
カルボシアニンパークロレート、日本感光色素研究所
製］を用いること以外は同様にして光記録媒体を作製し
た。作製した媒体に実施例１と同様に６３５ｎｍ半導体
レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディス
ク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製
ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速３．５ｍ／ｓ、レー
ザーパワー７ｍＷで記録した。記録後、６５０ｎｍ及び
６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装
置を用いて信号を再生した結果、反射率は低く、エラー
レートは大きく、変調度も小さかった。更に、長時間再
生していると信号が劣化した。

【０１０５】〔比較例２〕比較例１において、ＮＫ２９
２９の代わりにトリメチンシアニン色素ＮＫ７９［1,3,
3,1',3',3'-ヘキサメチル-2',2'-インドジカルボシアニ
ンアイオダイド、日本感光色素研究所製］を用いたこと
以外は同様にして光記録媒体を作製した。作製した媒体
に実施例１と同様に６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを
搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤ
Ｕ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダ
ーを用いて、線速３．５ｍ／ｓ、レーザーパワー７ｍＷ
で記録した。記録後、６５０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半
導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を
再生した結果、波形が歪み、エラーレートは大きく、変
調度も小さかった。更に、長時間再生していると信号が
劣化した。

【０１０６】以上の実施例１〜４、６〜９５及び比較例
１〜２において、記録層の光学定数及び各媒体を６３５
ｎｍで記録して、６５０及び６３５ｎｍで再生した時の
反射率、エラーレート、変調度を表−２にまとめて示
す。

【０１０７】

【表１３】

【０１０８】

【表１４】

【０１０９】

【表１５】

【０１１０】

【表１６】

【０１１１】

【表１７】

【０１１２】

【表１８】

【０１１３】

【表１９】

【０１１４】

【表２０】

【０１１５】

【表２１】

【０１１６】

【表２２】

【０１１７】

【表２３】

【０１１８】

【表２４】

【０１１９】〔実施例９６〕窒素気流下、エタノール５
００ｍｌに1-ホルミル-3-フェニルイソインドール４．
８ｇ及び2,4-ジメチルピロール２．３ｇを溶解し、47%
臭化水素酸４．１ｇを滴下した後、還流温度で２時間撹
拌した。室温まで冷却した後、析出した結晶を濾取し、
エタノール及び水で洗浄し、下記構造式（１−ａ）で示
される化合物６．５ｇを得た。

【０１２０】

【化２０】

【０１２１】次に、エタノール６００ｍｌに式（１−
ａ）で示される化合物２．８ｇを溶解し、酢酸コバルト
四水和物１．８ｇを加えて、還流温度で２時間撹拌し
た。冷却後、析出物を濾取し、水洗後、エタノールで再
結晶して下記構造式（４−１）で示される化合物を０．
８ｇ得た。

【０１２２】

【化２１】

【０１２３】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。

【０１２４】

【表２５】

【０１２５】このようにして得られた化合物は、クロロ
ホルム溶液中において５４５ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数は１．４６×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであっ
た。

【０１２６】〔実施例９７〕窒素気流下、エタノール５
００ｍｌに1-ホルミル-3-(4-メトキシフェニル)イソイ
ンドール５．５ｇ及び2,4-ジメチルピロール２．３ｇを
溶解し、47%臭化水素酸４．２ｇを滴下した後、還流温
度で２時間撹拌した。室温まで冷却した後、析出した結
晶を濾取し、エタノール及び水で洗浄し、下記構造式
（１−ｂ）で示される化合物６．４ｇを得た。

【０１２７】

【化２２】

【０１２８】次に、エタノール７００ｍｌに式（１−
ｂ）で示される化合物３．０ｇを溶解し、酢酸コバルト
四水和物２．０ｇを加えて、還流温度で２時間撹拌し
た。冷却後、析出物を濾取し、水洗後、エタノールで再
結晶して下記構造式（４−２）で示される化合物を１．
１ｇ得た。

【０１２９】

【化２３】

【０１３０】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。

【０１３１】

【表２６】

【０１３２】このようにして得られた化合物は、クロロ
ホルム溶液中において５４７ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数は１．２０×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであっ
た。

【０１３３】〔実施例９８〕エタノール５００ｍｌに式
（１−ａ）で示される化合物２．８ｇを溶解し、酢酸亜
鉛１．５ｇを加えて、還流温度で２時間撹拌した。冷却
後、析出物を濾取し、水洗後、エタノールで再結晶して
下記構造式（４−３）で示される化合物を１．６ｇ得
た。

【０１３４】

【化２４】

【０１３５】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。

【０１３６】

【表２７】

【０１３７】このようにして得られた化合物は、クロロ
ホルム溶液中において５４５ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数は２．０１×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであっ
た。

【０１３８】〔実施例９９〕窒素気流下、エタノール５
００ｍｌに1-ホルミル-3-(4-tertブチルフェニルチオ)
イソインドール５．０ｇ及び2,4-ジメチルピロール１．
７ｇを溶解し、47%臭化水素酸３．１ｇを滴下した後、
還流温度で２時間撹拌した。室温まで冷却した後、析出
した結晶を濾取し、エタノール及び水で洗浄し、下記構
造式（１−ｃ）で示される化合物３．９ｇを得た。

【０１３９】

【化２５】

【０１４０】次に、エタノール１５０ｍｌに式（１−
ｃ）で示される化合物０．５ｇを溶解し、酢酸コバルト
四水和物０．３ｇを加えて、還流温度で２時間撹拌し
た。冷却後、析出物を濾取し、水洗後、エタノールで再
結晶して下記構造式（４−４）で示される化合物を０．
４ｇ得た。

【０１４１】

【化２６】

【０１４２】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。

【０１４３】

【表２８】

【０１４４】このようにして得られた化合物は、クロロ
ホルム溶液中において５５０ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数は１．２４×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであっ
た。

【０１４５】〔実施例１００〕窒素気流下、エタノール
６００ｍｌに1-ホルミル-3-フェニルイソインドール
４．８ｇ及び2,4-ジメチル-3-エチルピロール２．９ｇ
を溶解し、47%臭化水素酸４．１ｇを滴下した後、還流
温度で２時間撹拌した。室温まで冷却した後、析出した
結晶を濾取し、エタノール及び水で洗浄し、下記構造式
（１−ｄ）で示される化合物６．８ｇを得た。

【０１４６】

【化２７】

【０１４７】次に、エタノール７００ｍｌに式（１−
ｄ）で示される化合物２．８ｇを溶解し、酢酸コバルト
四水和物１．９ｇを加えて、還流温度で２時間撹拌し
た。冷却後、析出物を濾取し、水洗後、エタノールで再
結晶して下記構造式（４−５）で示される化合物を１．
７ｇ得た。

【０１４８】

【化２８】

【０１４９】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。

【０１５０】

【表２９】

【０１５１】このようにして得られた化合物は、クロロ
ホルム溶液中において５５５ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数は１．４７×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであっ
た。

【０１５２】〔実施例１０１〕エタノール７００ｍｌに
式（１−ｄ）で示される化合物２．８ｇを溶解し、酢酸
亜鉛１．４ｇを加えて、還流温度で２時間撹拌した。冷
却後、析出物を濾取し、水洗後、エタノールで再結晶し
て下記構造式（４−６）で示される化合物を２．１ｇ得
た。

【０１５３】

【化２９】

【０１５４】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。

【０１５５】

【表３０】

【０１５６】このようにして得られた化合物は、クロロ
ホルム溶液中において５５４ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数は１．８３×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであっ
た。

【０１５７】〔実施例１０２〕エタノール２００ｍｌに
式（１−ｃ）で示される化合物０．９ｇを溶解し、酢酸
亜鉛０．４ｇを加えて、還流温度で２時間撹拌した。冷
却後、析出物を濾取し、水洗後、エタノールで再結晶し
て下記構造式（４−７）で示される化合物を０．７ｇ得
た。

【０１５８】

【化３０】

【０１５９】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。

【０１６０】

【表３１】

【０１６１】このようにして得られた化合物は、クロロ
ホルム溶液中において５５０ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数は２．３３×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであっ
た。

【０１６２】〔実施例１０３〕エタノール３００ｍｌに
式（１−ｃ）で示される化合物２．０ｇ、及びシアン化
カリウム０．４ｇを溶解し、還流温度で７時間撹拌し
た。室温まで冷却した後、水３００ｍｌとローデファイ
ン５ｇを加え、析出物を濾取、水洗した。得られた濾塊
をクロロホルム１００ｍｌに溶解し、室温で臭素０．７
ｇのクロロホルム溶液を滴下した。室温で１０分間撹拌
した後、濃縮し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲ
ル／メタノール：クロロホルム；１：２０）で精製して
下記構造式（１−ｅ）で示される化合物を１．４ｇ得
た。

【０１６３】

【化３１】

【０１６４】次に、エタノール３００ｍｌに式（１−
ｅ）で示される化合物１．０ｇを溶解し、酢酸銅０．４
ｇを加えて、還流温度で２時間撹拌した。冷却後、析出
物を濾取し、水洗後、エタノールで再結晶して下記構造
式（４−８）で示される化合物を０．５ｇ得た。

【０１６５】

【化３２】

【０１６６】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。

【０１６７】

【表３２】

【０１６８】このようにして得られた化合物は、クロロ
ホルム溶液中において５７４ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数は１．１２×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであっ
た。

【０１６９】〔実施例１０４〕ジクロロメタン５０ｍｌ
に式（１−ａ）で示される化合物２．０ｇを溶解し、
Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン１．４ｇを加え
て、室温で３０分間撹拌した後、ボロントリフルオリド
エチルエーテルコンプレックス１．６ｇを加え更に２時
間撹拌した。水洗後、ジクロロメタンを溜去し、カラム
クロマトグラフィー（シリカゲル／メタノール：クロロ
ホルム；１：２０）にて精製し、下記構造式（５−１）
で示される化合物を０．９ｇ得た。

【０１７０】

【化３３】

【０１７１】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。

【０１７２】

【表３３】

【０１７３】このようにして得られた化合物は、クロロ
ホルム溶液中において５６９ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数は２．２６×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであっ
た。

【０１７４】〔実施例１０５〕ジクロロメタン５０ｍｌ
に式（１−ｂ）で示される化合物２．０ｇを溶解し、
Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン１．４ｇを加え
て、室温で３０分間撹拌した後、ボロントリフルオリド
エチルエーテルコンプレックス１．５ｇを加え更に２時
間撹拌した。水洗後、ジクロロメタンを溜去し、カラム
クロマトグラフィー（シリカゲル／メタノール：クロロ
ホルム；１：２０）にて精製し、下記構造式（５−２）
で示される化合物を０．８ｇ得た。

【０１７５】

【化３４】

【０１７６】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。

【０１７７】

【表３４】

【０１７８】このようにして得られた化合物は、クロロ
ホルム溶液中において５７６ｎｍに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数は２．１３×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであっ
た。

【０１７９】

【発明の効果】本発明によれば、ベンゾピロメテン系化
合物と金属イオンとのベンゾピロメテン金属キレート化
合物を記録層として用いることにより、高密度光記録媒
体として非常に注目されている波長５２０〜６９０ｎｍ
のレーザーで記録再生が可能な追記型光記録媒体を提供
することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光記録媒体及び本発明の層構成を示す断
面構造図

【図２】本発明の光記録媒体の層構成を示す断面構造図

【符号の説明】

１基板２記録層３反射層４保護層１’ 基板２’ 記録層３’ 反射層４’ 接着層５’ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＣ０７Ｄ 209/14 Ｃ０７Ｄ 209/14 209/30 209/30 209/58 209/58 403/06 ２０７ 403/06 ２０７ 403/14 ２０７ 403/14 ２０７ 413/14 ２０７ 413/14 ２０７Ｃ０９Ｂ 23/00 Ｃ０９Ｂ 23/00 ＬＧ１１Ｂ 7/24 ５１６Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ (72)発明者西本泰三神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者塚原宇神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者津田武神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者梅原英樹神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者詫摩啓輔神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも記録層及び反射層を
有する光記録媒体において、記録層中に、下記一般式
（１）で示されるジピロメテン系化合物と金属イオンと
から得られるジピロメテン金属キレート化合物を含有す
る光記録媒体。【化１】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁷は各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カ
ルボキシル基、スルホン酸基、炭素数１〜２０のアルキ
ル基、炭素数１〜２０のハロゲノアルキル基、炭素数１
〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜２０のアルケニル
基、炭素数２〜２０のアルコキシアルキル基、炭素数２
〜２０のアルコキシアルコキシ基、炭素数６〜２０のア
リールオキシ基、炭素数１〜２０のアシル基、炭素数２
〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜２０のア
ルキルアミノカルボニル基、炭素数３〜２０のジアルキ
ルアミノカルボニル基、炭素数２〜２０のアルキルカル
ボニルアミノ基、炭素数７〜２０のフェニルカルボニル
アミノ基、炭素数７〜２０のフェニルアミノカルボニル
基、炭素数７〜２０のフェノキシカルボニル基、炭素数
７〜２０のアラルキル基、炭素数６〜２０のアリール
基、炭素数４〜２０のヘテロアリール基、炭素数１〜２
０のアルキルチオ基、炭素数６〜２０のフェニルチオ
基、炭素数３〜２０のアルケニルオキシカルボニル基、
炭素数８〜２０のアラルキルオキシカルボニル基、炭素
数４〜２０のアルコキシカルボニルアルコキシカルボニ
ル基、炭素数４〜２０のアルキルカルボニルアルコキシ
カルボニル基、炭素数２〜２０のモノ（ヒドロキシアル
キル）アミノカルボニル基、炭素数３〜２０のジ（ヒド
ロキシアルキル）アミノカルボニル基、炭素数３〜２０
のモノ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基又は
炭素数５〜２０のジ（アルコキシアルキル）アミノカル
ボニル基を表し、Ｒ²とＲ³及び／又はＲ⁵とＲ⁶はそれぞ
れ互いに結合してピロ−ル環に縮合する芳香環を形成し
てもよく、また、これらによって形成される縮合芳香環
は、それぞれ同一であっても異なるものであってもよ
く、式（ａ）【化２】（式中、Ｒ⁸〜Ｒ¹¹は各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カ
ルボキシル基、スルホン酸基、炭素数１〜２０のアルキ
ル基、炭素数１〜２０のハロゲノアルキル基、炭素数１
〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜２０のアルケニル
基、炭素数２〜２０のアルコキシアルキル基、炭素数２
〜２０のアルコキシアルコキシ基、炭素数６〜２０のア
リールオキシ基、炭素数１〜２０のアシル基、炭素数２
〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜２０のア
ルキルアミノカルボニル基、炭素数３〜２０のジアルキ
ルアミノカルボニル基、炭素数２〜２０のアルキルカル
ボニルアミノ基、炭素数７〜２０のフェニルカルボニル
アミノ基、炭素数７〜２０のフェニルアミノカルボニル
基、炭素数７〜２０のフェノキシカルボニル基、炭素数
７〜２０のアラルキル基、炭素数６〜２０のアリール
基、炭素数４〜２０のヘテロアリール基、炭素数１〜２
０のアルキルチオ基、炭素数６〜２０のフェニルチオ
基、炭素数３〜２０のアルケニルオキシカルボニル基、
炭素数８〜２０のアラルキルオキシカルボニル基、炭素
数４〜２０のアルコキシカルボニルアルコキシカルボニ
ル基、炭素数４〜２０のアルキルカルボニルアルコキシ
カルボニル基、炭素数２〜２０のモノ（ヒドロキシアル
キル）アミノカルボニル基、炭素数３〜２０のジ（ヒド
ロキシアルキル）アミノカルボニル基、炭素数３〜２０
のモノ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基又は
炭素数５〜２０のジ（アルコキシアルキル）アミノカル
ボニル基を表し、Ｒ¹⁰とＲ¹¹はそれぞれ互いに結合して
芳香環を形成してもよい）を表す。〕
【請求項２】ジピロメテン金属キレート化合物が、下
記一般式（２）で示される化合物である請求項１記載の
光記録媒体。【化３】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁷は前記と同じ意味を表し、Ｍは遷移元
素を表す。〕
【請求項３】ジピロメテン金属キレート化合物が、下
記一般式（３）で示される化合物である請求項１記載の
光記録媒体。【化４】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁷は前記と同じ意味を表す。〕
【請求項４】波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択
されるレーザー光に対して、記録及び再生が可能である
請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項５】レーザー波長において、記録層の屈折率
が１．８以上、且つ、消衰係数が０．０４〜０．４０で
ある請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項６】波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択
されるレーザー光に対して、基板側から測定した反射率
が２０％以上である請求項１〜３のいずれかに記載の光
記録媒体。
【請求項７】下記一般式（４）で示されるジピロメテ
ン金属キレ−ト化合物。【化５】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｒ⁷〜Ｒ¹¹は前記と同じ意味を表
し、Ｍは遷移元素を表す。但し、Ｒ²とＲ³は芳香環を形
成することはない。〕
【請求項８】下記一般式（５）で示されるジピロメテ
ン金属キレ−ト化合物。【化６】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｒ⁷〜Ｒ¹¹は前記と同じ意味を表
す。但し、Ｒ²とＲ³は芳香環を形成することはない。〕