JPH11321098A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH11321098A JPH11321098A JP10136736A JP13673698A JPH11321098A JP H11321098 A JPH11321098 A JP H11321098A JP 10136736 A JP10136736 A JP 10136736A JP 13673698 A JP13673698 A JP 13673698A JP H11321098 A JPH11321098 A JP H11321098A
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Abstract
高密度記録再生が可能な追記型光記録媒体及びこれに使
用されるジピロメテン金属キレート化合物を提供する。 【解決手段】 ジピロメテン金属キレート化合物、特に
下記一般式(1)で示されるジピロメテン金属キレート
化合物を少なくとも2種以上記録層に含有してなる光記
録媒体。 【化1】
Description
キレート化合物を用いた、従来に比較して高密度に記録
および再生可能な光記録媒体に関する。
体として、容量4.7GBであるDVDが開発され、商
品化されている。DVDは再生専用媒体であるので、こ
の容量に見合った記録再生可能な光記録媒体が望まれて
いる。その中でも、追記型のものはDVD−Rと呼ぶ。
ー光の発振波長が630nm〜680nm近傍とCDの
場合より短波長化している。このような短波長用途の有
機色素系光記録媒体の色素としては、シアニン、アゾ、
ベンゾピラン、ベンゾジフラノン、インジゴ、ジオキサ
ジン、ポルフィリン系色素等が提案されており、特開平
4−74690号公報、特開平5−38878号公報、
特開平6−40161号公報、特開平6−40162号
公報、特開平6−199045号公報、特開平6−33
6086号公報、特開平7−76169号公報、特開平
7−125441号公報、特開平7−262604号公
報、特開平9−156218号公報、特開平9−193
544号公報、特開平9−193545号公報、特開平
9−193547号公報、特開平9−194748号公
報、特開平9−202052号公報、特開平9−267
562号公報、特開平9−274732号公報等がある
が、耐久性の問題や、特に短波長用途に固有の問題、例
えば、絞られたレーザー光で小さいピットを開けるべき
ところが、周りへの影響が大きく、分布の大きいピット
形成に起因するジッターの悪化、半径方向へのクロスト
ークの悪化や、ピットが極端に小さくなることに起因す
る変調度の悪化、あるいは、目的とするレーザー波長に
おいて、不適切な光学定数(屈折率、消衰係数)を有す
る有機色素を記録層に選択することに起因する反射率の
低下や感度の悪化等についてはなんら解決されていない
のが現状である。
520〜690nmの短波長レーザーでの記録および再
生が可能でかつ、耐久性に優れた高密度記録に適した光
記録媒体を提供することにある。
としてジピロメテン金属キレート化合物を用いた記録お
よび再生が可能な高密度記録に適した光記録媒体の提案
を行っている(特願平9−200596号)。本発明者
らは、前記ジピロメテン金属キレート化合物を用いた光
記録媒体について更に鋭意検討を進めた結果、同化合物
を2種類以上記録層に用いることで、有機色素系の欠点
である光学特性の波長依存性に起因する反射率の低下や
感度の悪化の改善、更にはジッター特性や耐久性に優れ
た光記録媒体が得られることを見出し、本発明を完成す
るに至った。即ち、本発明は、 基板上に少なくとも記録層および反射層を有する光記
録媒体において、記録層中に、ジピロメテン金属キレー
ト化合物を少なくとも2種以上含有する光記録媒体、 ジピロメテン金属キレート化合物が、下記一般式
(1)から選ばれたものである記載の光記録媒体、
原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、
カルボキシル基、スルホン酸基、炭素数20以下の置換
または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル
基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル
基、アシルアミノ基、アラルキル基、アリール基又はヘ
テロアリール基を表す。ここで、R5とR6は結合して芳
香環を形成しても良く、置換基を有しても良い。Mは遷
移元素を表す。〕
くとも1種が、下記一般式(2)から選ばれたものであ
る又はに記載の光記録媒体、
ン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ
基、カルボキシル基、スルホン酸基、炭素数20以下の
置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルキ
ルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケ
ニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモ
イル基、アシルアミノ基、アラルキル基を表し、R8及
びR16は、各々独立に、炭素数20以下の置換または未
置換のアルケニル基又はアリール基を表し、Mは銅又は
コバルトを表す。〕
が1.8以上であり、消衰係数が0.04〜0.40で
ある〜のいずれかに記載の光記録媒体、 波長520〜690nmの範囲から選択されるレーザ
ー光に対して、記録および再生が可能である〜のい
ずれかに記載の光記録媒体、に関するものである。
メテン金属キレート化合物において、R1〜R16の具体
例としては、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シア
ノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基、スル
ホン酸基、炭素数20以下の未置換のアルキル基、アル
コキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリー
ルチオ基、アルケニル基、アシル基、アルコキシカルボ
ニル基、カルバモイル基、アシルアミノ基、アラルキル
基、アリール基又はヘテロアリール基等が挙げられる。
また、これらの置換基は、さらに置換されても良く、か
かる置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アル
キルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アラ
ルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基、エステル基、アシル基、ジア
ルキルアミノ基等が挙げられる。
とキレートを形成する能力を有する遷移元素であれば特
に制限されないが、8、9、10族(VIII族)、11族
(Ib族)、12族(IIb族)、3族(IIIa族)、4族(I
Va族)、5族(Va族)、6族(VIa族)、7族(VIIa
族)の金属が挙げられ、好ましくは、ニッケル、コバル
ト、鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オス
ミウム、イリジウム、白金、亜鉛等であり、耐光性の点
から特に銅、コバルトが好ましい。
テン金属キレート化合物は、限定されないが、例えば、
Aust. J. Chem, 1965, 11, 1835-45、Heteroatom Chemi
stry, Vol .1, 5, 389 (1990)、USP-4,774,339、USP-5,
433,896等に記載の方法に準じて製造される。代表的に
は、以下の2段階反応にて製造することができる。
る化合物と一般式(4)で示される化合物、又は一般式
(5)で示される化合物と一般式(6)で示される化合
物とを臭化水素酸や塩化水素酸等の酸触媒の存在下、適
当な溶媒中で反応して、一般式(7)で示されるジピロ
メテン化合物を得る。次いで第2段階では一般式(7)
で示されるジピロメテン化合物とニッケル、コバルト、
鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オスミウ
ム、イリジウム、白金、亜鉛等金属の酢酸塩やハロゲン
化物とを反応させて、一般式(1)で示されるジピロメ
テン金属キレート化合物を得る。
味を表す。〕
テン金属キレート化合物の好ましい。具体例としては、
表−1に示す置換基を有する化合物が挙げられる。
る。本発明の光記録媒体は図1に示すような貼り合わせ
構造を有している。すなわち、基板1上に記録層2が形
成されており、その上に密着して反射層3が設けられて
おり、さらにその上に接着層4を介して基板5が貼り合
わされている。ただし、記録層2の下または上に別の層
があっても良く、反射層3の上に別の層があっても良
い。
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピット
を形成することもある。このような案内溝やピットは、
基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に
紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。通常
DVDとして用いる場合は、厚さ1.2mm程度、直径
80ないし120mm程度の円盤状であり、中央に直径
15mm程度の穴が開いている。
るが、本発明の記録層は、ジピロメテン金属キレート化
合物を少なくとも2種以上含有する。好ましくはジピロ
メテン金属キレート化合物は一般式(1)で示される化
合物から選択されるものであり、より好ましくは、一般
式(2)で表される化合物を少なくと1種含むことが望
ましい。中でも、520nm〜690nmより選択され
る記録および再生レーザー波長に対して適度な光学定数
(光学定数は複素屈折率(n+ki)で表現される。式
中のn、kは、実数部nと虚数部kとに相当する係数で
ある。ここでは、nを屈折率、kを消衰係数とする。)
を有する必要がある。
nと消衰係数kが大きく変化する特徴がある。nが1.
8より小さい値になると正確な信号読み取りに必要な反
射率と信号変調度は得られず、kが0.40を越えても
反射率が低下して良好な再生信号が得られないだけでな
く、再生光により信号が変化しやすく実用に適さない。
この特徴を考慮して、目的とするレーザー波長において
好ましい光学定数を有する有機色素を選択し記録層を成
膜することで、高い反射率を有し、かつ、感度の良い媒
体とすることができる。
ジピロメテン金属キレート化合物は、いずれも上記の好
ましい光学定数を有するものであり、更に、記録層に2
種以上使用することで、所望の光学定数の選択を容易に
するものである。
は、その実用性から相互の最大吸収波長の差が100n
m以内であることが好ましく、更に好ましくは60nm
以内である。また、これらのジピロメテン金属キレート
化合物の混合割合については特に制限はされないが、前
記の理由で、光学定数nが1.8以上、好ましくは2.
0以上で、且つ、kが0.04〜0.40、好ましくは
0.04〜0.20になるように混合するのが好まし
い。
nmから選択されるレーザー光で再生することは、基本
的には、反射率が20%あれば一応可能であるが、30
%以上の反射率が好ましい。
の色素に、クエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収
剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのような効
果を有する化合物を前記色素の置換基として導入するこ
とも可能である。
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフ
ェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミン
も好適である。
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。
リング剤、消泡剤などを併用することもできる。好まし
いバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、
ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタ
ン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポ
リオレフィンなどが挙げられる。
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。
されるジピロメテン金属キレート化合物の含有量は、3
0%以上、好ましくは60%以上である。尚、実質的に
100%であることも好ましい。
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
には、一般式(1)で示されるジピロメテン金属キレー
ト化合物を1〜40重量%、好ましくは3〜30重量%
となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用
いるが、この際、溶媒は基板にダメージを与えないもの
を選ぶことが好ましい。例えば、メタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール、オクタフルオロペンタノ
ール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ、テトラフルオロプロパノールなどのアルコー
ル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シ
クロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘ
キサン、ジメチルシクロヘキサンなどの脂肪族または脂
環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンな
どの芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホル
ム、テトラクロロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲ
ン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエー
テル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサンなどのエー
テル系溶媒、アセトン、3−ヒドロキシ−3−メチル−
2−ブタノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メ
チルなどのエステル系溶媒、水などが挙げられる。これ
らは単独で用いても良く、あるいは、複数混合しても良
い。
子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。
いが、好ましくは50nm〜300nmである。色素層
の膜厚を50nmより薄くすると、熱拡散が大きいため
記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅
が小さくなる。また、膜厚が300nmより厚い場合は
反射率が低下し、再生信号特性が悪化する。
300nmの厚さの反射層を形成する。反射層の材料と
しては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例え
ば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、P
t、Ta、CrおよびPdの金属を単独あるいは合金に
して用いることが可能である。この中でもAu、Al、
Agは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、M
g、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、F
e、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、S
i、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Biなどの金属お
よび半金属を挙げることができる。また、Auを主成分
とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため
好適である。ここで主成分というのは含有率が50%以
上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈
折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層と
して用いることも可能である。
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙
げることができる。また、無機物質としては、Si
O2、Si3N4、MgF2、SnO2などが挙げられる。
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解し
て塗布液を塗布し、乾燥することによって形成すること
ができる。紫外線硬化性樹脂は、そのままもしくは適当
な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗
布し、紫外線を照射して硬化させることによって形成す
ることができる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、
ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエ
ステルアクリレートなどのアクリレート樹脂を用いるこ
とができる。これらの材料は単独であるいは混合して用
いても良く、1層だけでなく多層膜にして用いても良
い。
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。
00μmの範囲であるが、本発明においては、3μm〜
30μmであり、より好ましくは5μm〜20μmであ
る。保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を行うこと
もできる。
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体2枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。
付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成
膜しても良い。
のレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域
の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長633
nmのヘリウムネオンレーザー、最近開発されている波
長680、650、635nm付近の高出力半導体レー
ザー、波長532nmの高調波変換YAGレーザーなど
が挙げられる。本発明では、これらから選択される1波
長または複数波長において高密度記録および再生が可能
となる。
れによりなんら限定されるものではない。
合物(1−55)0.14gと化合物(1−68)0.
06gをジメチルシクロヘキサン10mlに溶解し、色
素溶液を調製した。基板は、ポリカーボネート樹脂製で
連続した案内溝(トラックピッチ:0.8μm)を有す
る直径120mm、厚さ0.6mmの円盤状のものを用
いた。
pmでスピンコートし、70℃で3時間乾燥して記録層
を形成した。この記録層の光学定数は、635nmでは
nが2.2、kが0.08であった。
装置(CDI−900)を用いてAuをスパッタし、厚
さ100nmの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー2.5kW、スパッタガス圧1.0×10-2Torr
で行った。
−301(大日本インキ化学工業製)をスピンコート
し、その上にポリカーボネート樹脂製で直径120m
m、厚さ0.6mmの円盤状基板をのせた後、紫外線を
照射して貼り合わせた光記録媒体を作製した。
レンズの開口数が0.6の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−
1000)およびKENWOOD製EFMエンコーダー
を用いて、線速3.8m/s、レーザーパワー10mW
で最短ピット長が0.40μmになるように記録した。
記録後、650nm赤色半導体レーザーヘッド(レンズ
の開口数は0.6)を搭載した評価装置を用いて信号を
再生し、反射率、ジッターおよび変調度を測定した結
果、650nm再生で反射率52%、ジッター8.2
%、変調度0.65といずれも良好な値を示した。ま
た、100時間のカーボンアークでの耐光性試験、並び
に80℃、85%の耐湿熱試験後も変化は見られなかっ
た。また、0.7mWの再生光で100万回再生しても
ジッターの変化は1%以下であった。
製で連続した案内溝(トラックピッチ:0.74μm)
を有する直径120mm、厚さ0.6mmの円盤状のも
のを用いる以外は実施例1と同様にして光記録媒体を作
製した。
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)および、KENWOOD製EFMエンコーダーを
用いて記録した。記録後、650nm赤色半導体レーザ
ーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を再生し、反
射率、ジッターおよび変調度を測定した結果、650n
m再生で反射率51%、ジッター8.4%、変調度0.
66といずれも良好な値を示した。また、100時間の
カーボンアークでの耐光性試験、並びに80℃、85%
の耐湿熱試験後も変化は見られなかった。また、0.7
mWの再生光で100万回再生してもジッターの変化は
1%以下であった。
合物(1−68)0.1gと化合物(1−102)0.
1gをジメチルシクロヘキサン10mlに溶解し、色素
溶液を調製する以外は、実施例2と同様にして光記録媒
体を作製した。この光記録媒体の記録層の光学定数は、
635nmではnが2.3、kが0.10であった。
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)および、KENWOOD製EFMエンコーダーを
用いて記録した。記録後、650nm赤色半導体レーザ
ーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を再生し、反
射率、ジッターおよび変調度を測定した結果、650n
m再生で反射率49%、ジッター7.8%、変調度0.
64といずれも良好な値を示した。また、100時間の
カーボンアークでの耐光性試験、並びに80℃、85%
の耐湿熱試験後も変化は見られなかった。また、0.7
mWの再生光で100万回再生してもジッターの変化は
1%以下であった。
ロメテン金属キレート化合物(1−1〜1−133)を
適宜、混合して用いる以外は実施例2と同様にして光記
録媒体を作製し、記録した。記録後、650nm赤色半
導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を
再生し、反射率、ジッターおよび変調度を測定した結
果、いずれも良好な値を示した。また、100時間のカ
ーボンアークでの耐光性試験、並びに80℃、85%の
耐湿熱試験後も変化は見られなかった。また、0.7m
Wの再生光で100万回再生してもジッターの変化は1
%以下であった。
テン金属キレート化合物(1−41)0.2gをジメチ
ルシクロヘキサン10mlに溶解してスピンコートする
以外は同様にして光記録媒体を作製した。作製した媒体
に実施例1と同様に635nm半導体レーザーヘッドを
搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置(DD
U−1000)および、KENWOOD製EFMエンコ
ーダーを用いて、線速度3.8m/s、レーザーパワー
10mWで記録した。記録後、650nm赤色半導体レ
ーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を再生
し、反射率、ジッターおよび変調度を測定した結果、6
50nm再生で反射率61%、ジッター20%以上、変
調度0.64とジッター特性が劣っていた。
チンシアニン色素NK−2929「1,3,3,1',3',3'-ヘ
キサメチル-2',2'-(4,5,4',5'-ジベンゾ)インドジカル
ボシアニンパークロレート、日本感光色素研究所製」1
gをテトラフルオロプロパノール10mlに溶解してス
ピンコートする以外は同様にして光記録媒体を作製し
た。作製した媒体に実施例1と同様に635nm半導体
レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディス
ク評価装置(DDU−1000)および、KENWOO
D製EFMエンコーダーを用いて、線速度3.8m/
s、レーザーパワー10mWで記録した。記録後、65
0nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を
用いて信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調度を
測定した結果、650nm再生で反射率9%、ジッター
20%以上、変調度0.13と劣っていた。また、10
0時間のカーボンアークでの耐光性試験後、信号は劣化
し、再生ができなかった。
おいて、記録層の光学定数及び各光記録媒体を635n
mで記録して、650nmで再生したときの反射率、ジ
ッター、変調度を表−2にまとめて示す。尚、表−2
中、混合比はジメチルシクロヘキサンに対して20g/
lの濃度となるジピロメテン金属化合物の重量比を表
す。また、各化合物の最大吸収波長(λmax)はそれぞ
れの化合物を単独で成膜した状態で測定したものであ
る。
物を少なくとも2種以上記録層として用いることによ
り、高密度光記録媒体として非常に注目されている波長
520〜690nmのレーザーで記録再生が可能で耐久
性に優れた追記形光記録媒体を提供することが可能とな
る。
断面構造図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 基板上に少なくとも記録層および反射層
を有する光記録媒体において、記録層中に、ジピロメテ
ン金属キレート化合物を少なくとも2種以上含有する光
記録媒体。 - 【請求項2】 ジピロメテン金属キレート化合物が、下
記一般式(1)から選ばれたものである請求項1記載の
光記録媒体。 【化1】 〔式中、R1〜R7は、各々独立に、水素原子、ハロゲン
原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、
カルボキシル基、スルホン酸基、炭素数20以下の置換
または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル
基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル
基、アシルアミノ基、アラルキル基、アリール基又はヘ
テロアリール基を表す。ここで、R5とR6は結合して芳
香環を形成しても良く、置換基を有しても良い。Mは遷
移元素を表す。〕 - 【請求項3】 ジピロメテン金属キレート化合物の少な
くとも1種が、下記一般式(2)から選ばれたものであ
る請求項1又は2に記載の光記録媒体。 【化2】 〔式中、R9〜R15は、各々独立に、水素原子、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ
基、カルボキシル基、スルホン酸基、炭素数20以下の
置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルキ
ルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケ
ニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモ
イル基、アシルアミノ基、アラルキル基を表し、R8及
びR16は、各々独立に、炭素数20以下の置換または未
置換のアルケニル基又はアリール基を表し、Mは銅又は
コバルトを表す。〕 - 【請求項4】 レーザー波長において、記録層の屈折率
が1.8以上であり、消衰係数が0.04〜0.40で
ある請求項1〜3のいずれか1項記載の光記録媒体。 - 【請求項5】 波長520〜690nmの範囲から選択
されるレーザー光に対して、記録および再生が可能であ
る請求項1〜3のいずれか1項記載の光記録媒体。
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