JPH11227332A

JPH11227332A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH11227332A
Application number: JP10032908A
Authority: JP
Inventors: Tsutayoshi Misawa; 伝美三沢; Taizo Nishimoto; 泰三西本; Takashi Tsukahara; 宇塚原; Akira Ogiso; 章小木曽; Hirosuke Takuma; 啓輔詫摩; Kenji Mizogami; 健二溝上; Kenichi Kato; 健一加藤; Yojiro Kumagai; 洋二郎熊谷
Original assignee: Yamamoto Chemicals Inc; Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Yamamoto Chemicals Inc; Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 1998-02-16
Filing date: 1998-02-16
Publication date: 1999-08-24
Anticipated expiration: 2018-02-16
Also published as: JP3740564B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】波長５２０〜６９０ｎｍのレーザーで良好な
高密度記録再生が可能で耐久性に優れた追記型光記録媒
体を提供する。【解決手段】下記一般式（１）で示されるジピロメテ
ン金属キレート化合物を記録層に含有してなる光記録媒
体。〔式中、Ｒ₁、Ｒ₃及びＲ₉は、各々独立に炭素数２０以
下の置換または未置換のフェニル基を表し、Ｒ₂、Ｒ₄、
Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇及びＲ₈は、各々独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、炭素数２０以下の置換または未置換のアルキル
基、アルコキシ基、アルケニル基、アシル基、アルコキ
シカルボニル基またはアラルキル基を表す。但し、
Ｒ₂、Ｒ₄〜Ｒ₈の少なくとも１つがハロゲン原子、又は
Ｒ₁、Ｒ₃、Ｒ₉の少なくとも１つがハロゲン置換フェニ
ル基である。Ｍはコバルトまたは銅を表す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ジピロメテン金属
キレート化合物を用いた、従来に比較して高密度に記録
および再生可能な光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、ＣＤと比較して大容量な光記録媒
体として、容量４．７ＧＢであるＤＶＤが開発され、商
品化されている。ＤＶＤは再生専用媒体であるので、こ
の容量に見合った記録再生可能な光記録媒体が望まれて
いる。その中でも、追記型のものはＤＶＤ−Ｒと呼ぶ。

【０００３】ＤＶＤでは高密度記録を行うためにレーザ
ー光の発信波長が６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ近傍とＣＤの
場合より短波長化している。このような短波長用途の有
機色素系光記録媒体の色素としては、シアニン、アゾ、
ベンゾピラン、ベンゾジフラノン、インジゴ、ジオキサ
ジン、ポルフィリン系色素等が提案されており、特開平
４−７４６９０号公報、特開平５−３８８７８号公報、
特開平６−４０１６１号公報、特開平６−４０１６２号
公報、特開平６−１９９０４５号公報、特開平６−３３
６０８６号公報、特開平７−７６１６９号公報、特開平
７−１２５４４１号公報、特開平７−２６２６０４号公
報、特開平９−１５６２１８号公報、特開平９−１９３
５４４号公報、特開平９−１９３５４５号公報、特開平
９−１９３５４７号公報、特開平９−１９４７４８号公
報、特開平９−２０２０５２号公報、特開平９−２６７
５６２号公報、特開平９−２７４７３２号公報等がある
が、耐久性の問題や、特に短波長用途に固有の問題、例
えば、絞られたレーザー光で小さいピットを開けるべき
ところが、周りへの影響が大きく分布の大きいピットに
なり、ジッターが大きくなったり、半径方向へのクロス
トークが悪化する、あるいはピットが極端に小さくなっ
て十分な変調度がとれない、などについてはなんら解決
されていないのが現状である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、波長
５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録および再
生が可能でかつ、耐久性に優れた高密度記録に適した光
記録媒体を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、有機色素
としてジピロメテン金属キレート化合物を用いた記録お
よび再生が可能な高密度記録に適した光記録媒体の提案
を行っている（特願平９−２００５９６号）。本発明者
らは、前記ジピロメテン金属キレート化合物を用いた光
記録媒体についてさらに鋭意検討を進めた結果、前記ジ
ピロメテン金属キレート化合物の中で、ハロゲン原子等
の特定の置換基、並びに銅やコバルトの配位金属を選択
することにより、記録特性と耐久性に優れた光記録媒体
が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、基板上に少なくとも記録層および反射層を有する光記
録媒体において、記録層中に下記一般式（１）で示され
るジピロメテン金属キレート化合物を含有する光記録媒
体、

【０００６】

【化２】〔式中、Ｒ₁、Ｒ₃及びＲ₉は、各々独立に炭素数２０以
下の置換または未置換のフェニル基を表し、Ｒ₂、Ｒ₄、
Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇及びＲ₈は、各々独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、炭素数２０以下の置換または未置換のアルキル
基、アルコキシ基、アルケニル基、アシル基、アルコキ
シカルボニル基またはアラルキル基を表す。但し、
Ｒ₂、Ｒ₄〜Ｒ₈の少なくとも１つがハロゲン原子、又は
Ｒ₁、Ｒ₃、Ｒ₉の少なくとも１つがハロゲン置換フェニ
ル基である。Ｍはコバルトまたは銅を表す。〕

【０００７】波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択
されるレーザー光に対して、記録および再生が可能であ
る記載の光記録媒体、に関するものである。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の一般式（１）で示される
ジピロメテン金属キレート化合物において、Ｒ₁、Ｒ₃及
びＲ₉の具体例としては、フェニル基、ニトロフェニル
基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチル
フェニル基、エチルフェニル基、n-ブチルフェニル基、
t-ブチルフェニル基、cyclo-ヘキシルフェニル基、2,4-
ジメチルフェニル基、2,4-ジイソプロピルフェニル基、
2,4,6-トリメチルフェニル基、2,6-ジメチル4-t-ブチル
フェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、
ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、2,4-ジフルオロ
フェニル基、2,4-ジクロロフェニル基、2,4-ブロモフェ
ニル基、2,4-ヨードフェニル基、メトキシフェニル基、
エトキシフェニル基、n-ブトキシフェニル基、iso-アミ
ロキシフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、N,
N-ジメチルアミノフェニル基、N,N-ジエチルアミノフェ
ニル基、N,N-ジブチルアミノフェニル基、2-N,N-ジエチ
ルアミノ--4-イソプロピルフェニル基等の炭素数２０以
下の置換または未置換のフェニル基が挙げられる。

【０００９】Ｒ₂、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇及びＲ₈の具体例
としては、水素原子；フッ素、塩素、臭素、沃素のハロ
ゲン原子；メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プ
ロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、
t-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、2-メチル
ブチル基、1-メチルブチル基、neo-ペンチル基、1,2-ジ
メチルプロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、cyclo-ペ
ンチル基、n-ヘキシル基、4-メチルペンチル基、3-メチ
ルペンチル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペンチル
基、3,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、1,
3-ジメチルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、1,2-ジメ
チルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、3-エチルブチル
基、2-エチルブチル基、1-エチルブチル基、1,2,2-トリ
メチルブチル基、1,1,2-トリメチルブチル基、1-エチル
-2-メチルプロピル基、cyclo-ヘキシル基、n-ヘプチル
基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-メチ
ルヘキシル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチルペン
チル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,5-ジメ
チルヘキシル基、2,5,5-トリメチルペンチル基、2,4-ジ
メチルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル基、3,5,
5-トリメチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基、4-
エチルオクチル基、4-エチル-4,5-メチルヘキシル基、n
-ウンデシル基、n-ドデシル基、1,3,5,7-テトラエチル
オクチル基、4-ブチルオクチル基、6,6-ジエチルオクチ
ル基、n-トリデシル基、6-メチル-4-ブチルオクチル
基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、3,5-ジメチ
ルヘプチル基、2,6-ジメチルヘプチル基、2,4-ジメチル
ヘプチル基、2,2,5,5-テトラメチルヘキシル基、1-cycl
o-ペンチル-2,2-ジメチルプロピル基、1-cyclo-ヘキシ
ル-2,2-ジメチルプロピル基、クロロメチル基、ジクロ
ロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基、ノナフルオロブチル基な
どの炭素数２０以下の置換または未置換のアルキル基；

【００１０】メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ
基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、iso-ブトキシ
基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、
iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ基、n-ヘキシルオキ
シ基、n-ドデシルオキシ基、メトキシエトキシ基、エト
キシエトキシ基、3-メトキシプロピルオキシ基、3-（is
o-プロピルオキシ）プロピルオキシ基などの炭素数２０
以下の置換または未置換のアルコキシ基；ビニル基、プ
ロペニル基、1-ブテニル基、iso-ブテニル基、1-ペンテ
ニル基、2-ペンテニル基、2-メチル-1-ブテニル基、3-
メチル-1-ブテニル基、2-メチル-2-ブテニル基、2,2-ジ
シアノビニル基、2-シアノ-2-メチルカルボキシルビニ
ル基、2-シアノ-2-メチルスルホンビニル基などの炭素
数２０以下の置換または未置換のアルケニル基；

【００１１】ホルミル基、アセチル基、エチルカルボニ
ル基、n-プロピルカルボニル基、iso-プロピルカルボニ
ル基、n-ブチルカルボニル基、n-ペンチルカルボニル
基、iso-ペンチルカルボニル基、neo-ペンチルカルボニ
ル基、2-メチルブチルカルボニル基、ニトロベンジルカ
ルボニル基などの炭素数２０以下の置換または未置換の
アシル基；

【００１２】メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、イソプロピルオキシカルボニル基、2,4-ジメチル
ブチルオキシカルボニル基などの炭素数２０以下の置換
または未置換のアルコキシカルボニル基；ベンジル基、
ニトロベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベン
ジル基、メチルベンジル基、ジメチルベンジル基、トリ
メチルベンジル基、ジクロロベンジル基、メトキシベン
ジル基、エトキシベンジル基、トリフルオロメチルベン
ジル基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、
シアノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチル
基、メチルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフ
チルメチル基などの炭素数２０以下の置換または未置換
のアラルキル基等を挙げることができる。

【００１３】本発明では、一般式（１）中の置換基Ｒ₁
〜Ｒ₉のいずれかにハロゲン原子を少なくとも一つ含ん
でいる化合物を使用することを特徴としている。

【００１４】本発明の一般式（１）で示されるジピロメ
テン金属キレート化合物の具体例としては、表−１に示
す置換基を有する化合物が挙げられる。

【００１５】

【表１】

【００１６】

【表２】

【００１７】

【表３】

【００１８】本発明の具体的構成について以下に説明す
る。本発明の光記録媒体は図１に示すような貼り合わせ
構造を有している。すなわち、基板１上に記録層２が形
成されており、その上に密着して反射層３が設けられて
おり、さらにその上に接着層４を介して基板５が貼り合
わされている。ただし、記録層２の下または上に別の層
があっても良く、反射層３の上に別の層があっても良
い。

【００１９】基板の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピット
を形成することもある。このような案内溝やピットは、
基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に
紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。通常
ＤＶＤとして用いる場合は、厚さ１．２ｍｍ程度、直径
８０ないし１２０ｍｍ程度の円盤状であり、中央に直径
１５ｍｍ程度の穴が開いている。

【００２０】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、その吸収極大が４５０ｎｍ〜
６３０ｎｍ付近に存在する一般式（１）で示されるジピ
ロメテン金属キレート化合物を含有する。中でも、５２
０ｎｍ〜６９０ｎｍより選択される記録および再生レー
ザー波長に対して適度な光学定数を有する必要がある。

【００２１】光学定数は複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）で表さ
れる（ｉは虚数単位を表す）。式中のｎ、ｋは、実数部
ｎと虚数部ｋとに相当する係数である。ここでは、ｎを
屈折率、ｋを消衰係数とする。

【００２２】一般に有機色素の屈折率と消衰係数は大き
な波長依存性を示す。この特徴を考慮して、目的とする
レーザー波長において好ましい光学定数を有する有機色
素を選択し、記録層を成膜することで、高い反射率を有
し、かつ、感度の良い媒体とすることができる。

【００２３】本発明によれば、記録層に必要な光学定数
は、前記レーザー光の波長において、ｎが１．８以上、
かつ、ｋが０．０４〜０．４０であり、好ましくは、ｎ
が２．０以上で、かつ、ｋが０．０４〜０．２０であ
る。ｎが１．８より小さい値になると正確な信号読み取
りに必要な反射率と信号変調度は得られず、ｋが０．４
０を越えても反射率が低下して良好な再生信号が得られ
ないだけでなく、再生光により信号が変化しやすく実用
に適さない。この特徴を考慮して、目的とするレーザー
波長において好ましい光学定数を有する有機色素を選択
し記録層を成膜することで、高い反射率を有し、かつ、
感度の良い媒体とすることができる。本発明で使用する
一般式（1）の化合物は、いずれも上記の好ましい光学
定数を有するものである。

【００２４】本発明の光記録媒体を５２０ｎｍ〜６９０
ｎｍから選択されるレーザー光で再生することは、基本
的には、反射率が２０％あれば一応可能であるが、３０
％以上の反射率が好ましい。

【００２５】また、記録特性などの改善のために、波長４
５０ｎｍ〜６３０ｎｍに吸収極大を持ち、５２０ｎｍ〜
６９０ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の色素と混合し
ても良い。具体的には、シアニン色素、スクアリリウム
系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、
ポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色
素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオ
ピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニル
メタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色
素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニ
ン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサ
ジン系色素などがあり、複数の色素の混合であっても良
い。これらの色素の混合割合は、０．１％〜３０％程度
である。

【００２６】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の色素に、クエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収
剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのような効
果を有する化合物を前記色素の置換基として導入するこ
とも可能である。

【００２７】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフ
ェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミン
も好適である。

【００２８】熱分解促進剤としては、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。

【００２９】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などを併用することもできる。好まし
いバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、
ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタ
ン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポ
リオレフィンなどが挙げられる。

【００３０】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。

【００３１】ここで、記録層における一般式（１）で示
されるジピロメテン金属キレート化合物の含有量は、３
０％以上、好ましくは６０％以上である。尚、実質的に
１００％であることも好ましい。

【００３２】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。

【００３３】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式（１）で示されるジピロメテン金属キレー
ト化合物を１〜４０重量％、好ましくは３〜３０重量％
となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用
いるが、この際、溶媒は基板にダメージを与えないもの
を選ぶことが好ましい。例えば、メタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール、オクタフルオロペンタノ
ール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ、テトラフルオロプロパノールなどのアルコー
ル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シ
クロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘ
キサン、ジメチルシクロヘキサンなどの脂肪族または脂
環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンな
どの芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホル
ム、テトラクロロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲ
ン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエー
テル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサンなどのエー
テル系溶媒、アセトン、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブタ
ノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなど
のエステル系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独
で用いても良く、あるいは、複数混合しても良い。

【００３４】なお、必要に応じて、記録層の色素を高分
子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【００３５】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【００３６】色素層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。色素層
の膜厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため
記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅
が小さくなる。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場合は
反射率が低下し、再生信号特性が悪化する。

【００３７】次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜
３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射層の材料と
しては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例え
ば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｔａ、ＣｒおよびＰｄの金属を単独あるいは合金に
して用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、
Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属お
よび半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分
とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため
好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以
上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈
折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層と
して用いることも可能である。

【００３８】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。

【００３９】さらに、反射層の上の保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げること
ができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ
₄、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂などが挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
紫外線硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外
線を照射して硬化させることによって形成することがで
きる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンア
クリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアク
リレートなどのアクリレート樹脂を用いることができ
る。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良
く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。

【００４０】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【００４１】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜
３０μｍであり、より好ましくは５μｍ〜２０μｍであ
る。保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を行うこと
もできる。

【００４２】また、反射層面に保護シートまたは基板を
張り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。

【００４３】また、基板鏡面側に、表面保護やごみ等の
付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成
膜しても良い。

【００４４】本発明でいう波長５２０ｎｍ〜６９０ｎｍ
のレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域
の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長６３３
ｎｍのヘリウムネオンレーザー、最近開発されている波
長６８０、６５０、６３５ｎｍ付近の高出力半導体レー
ザー、波長５３２ｎｍの高調波変換ＹＡＧレーザーなど
が挙げられる。本発明では、これらから選択される１波
長または複数波長において高密度記録および再生が可能
となる。

【００４５】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。

【００４６】実施例１ジピロメテン金属キレート化合物（１−１）０．２ｇを
ジメチルシクロヘキサン１０ｍｌに溶解し、色素溶液を
調製した。基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続した
案内溝（トラックピッチ：０．８μｍ）を有する直径１
２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状のものを用いた。

【００４７】この基板上に色素溶液を回転数１５００ｒ
ｐｍでスピンコートし、７０℃で３時間乾燥して記録層
を形成した。

【００４８】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置（ＣＤＩ−９００）を用いてAuをスパッタし、厚さ
１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、ア
ルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー
２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０^-2Ｔｏｒｒで
行った。

【００４９】さらに反射層上に紫外線硬化性接着剤ＳＤ
−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコート
し、その上にポリカーボネート樹脂製で直径１２０ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状基板をのせた後、紫外線を
照射して貼り合わせた光記録媒体を作製した。

【００５０】得られた光記録媒体に、波長６３５ｎｍで
レンズの開口数が０．６の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−
１０００）およびＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダー
を用いて、線速３．８ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷ
で最短ピット長が０．４０μｍになるように記録した。
記録後、６５０ｎｍ、６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘ
ッド（レンズの開口数は０．６）を搭載した評価装置を
用いて信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調度を
測定した結果、６５０ｎｍ再生で反射率５０％、ジッタ
ー８．５％、変調度０．６８、６３５ｎｍ再生で反射率
４８％、ジッター９．０％、変調度０．６７といずれも
良好な値を示した。また、１００時間のカーボンアーク
での耐光性試験、並びに８０℃、８５％ＲＨの耐湿熱試
験後も変化は見られなかった。

【００５１】実施例２基板にポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラ
ックピッチ：０．７４μｍ）を有する直径１２０ｍｍ、
厚さ０．６ｍｍの円盤状のものを用いる以外は実施例１
と同様にして光記録媒体を作製した。

【００５２】得られた光記録媒体に、実施例１と同様に
パルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０
００）および、ＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを
用いて記録した。記録後、６５０ｎｍおよび６３５ｎｍ
赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて
信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調度を測定し
た結果、６５０ｎｍ再生で反射率４８％、ジッター９．
０％、変調度０．６７、６３５ｎｍ再生で反射率４７
％、ジッター９．５％、変調度０．６６といずれも良好
な値を示した。また、１００時間のカーボンアークでの
耐光性試験、並びに８０℃、８５％ＲＨの耐湿熱試験後
も変化は見られなかった。

【００５３】実施例３〜３６表−１に記載したジピロメテン金属キレート化合物（１
−２〜１−３５）を用いる以外は実施例１と同様にして
光記録媒体を作製し、記録した。記録後、６５０ｎｍお
よび６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評
価装置を用いて信号を再生し、反射率、ジッターおよび
変調度を測定した結果、いずれも良好な値を示した。ま
た、１００時間のカーボンアークでの耐光性試験、並び
に８０℃、８５％ＲＨの耐湿熱試験後も変化は見られな
かった。

【００５４】以上の実施例１〜３６において、各光記録
媒体を６３５ｎｍで記録して、６５０および６３５ｎｍ
で再生したときの反射率、ジッター、変調度を表−２に
まとめて示す。

【００５５】比較例１実施例１において、ジピロメテン金属キレート化合物
（１−１）の代わりに、ペンタメチンシアニン色素ＮＫ
−２９２９「1,3,3,1',3',3'-ヘキサメチル-2',2'-(4,
5,4',5'-ジベンゾ)インドジカルボシアニンパークロレ
ート、日本感光色素研究所製」を用いてテトラフルオロ
プロパノールに溶解してスピンコートする以外は同様に
して光記録媒体を作製した。作製した媒体に実施例１と
同様に６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したパル
ステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１００
０）および、ＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用
いて、線速度３．８ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで
記録した。記録後、６５０ｎｍおよび６３５ｎｍ赤色半
導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を
再生し、反射率、ジッターおよび変調度を測定した結
果、６５０ｎｍ再生で反射率９％、ジッター２０％以
上、変調度０．１３、６３５ｎｍ再生で反射率９％、ジ
ッター２０％以上、変調度０．１５と劣っていた。ま
た、１００時間のカーボンアークでの耐光性試験後、信
号は劣化し、再生ができなかった。

【００５６】比較例２実施例１において、ジピロメテン金属キレート化合物
（１−１）の代わりに、特願平０９−２００５９６記載
の下記化合物４−５１を用いること以外は同様にして光
記録媒体を作製した。作製した媒体に実施例１と同様に
６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したパルステッ
ク工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）およ
び、ＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線
速度３．８ｍ／ｓ、レーザーパワー１５ｍＷで記録し
た。記録後、６５０ｎｍおよび６３５ｎｍ赤色半導体レ
ーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を再生
し、反射率、ジッターおよび変調度を測定した結果、６
５０ｎｍ再生で反射率６１％、ジッター２０％以上、変
調度０．６４、６３５ｎｍ再生で反射率５８％、ジッタ
ー２０％以上、変調度０．６９とジッター特性が劣って
いた。

【００５７】

【化３】

【００５８】

【表４】

【００５９】

【表５】

【００６０】

【表６】

【００６１】

【表７】

【００６２】

【表８】

【００６３】

【表９】

【００６４】

【発明の効果】本発明によれば、特定の置換基を有する
ジピロメテン金属キレート化合物を記録層として用いる
ことにより、高密度光記録媒体として非常に注目されて
いる波長５２０〜６９０ｎｍのレーザーで記録再生が可
能で、特に耐久性に優れた追記型光記録媒体を提供する
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光記録媒体および本発明の層構成を示す
断面構造図である。

【符号の説明】

１：基板２：記録層３：反射層４：接着層５：基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者塚原宇神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井化学株式会社内 (72)発明者小木曽章神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井化学株式会社内 (72)発明者詫摩啓輔神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井化学株式会社内 (72)発明者溝上健二神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井化学株式会社内 (72)発明者加藤健一大阪府八尾市弓削町南１丁目43番地山本化成株式会社内 (72)発明者熊谷洋二郎大阪府八尾市弓削町南１丁目43番地山本化成株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも記録層および反射層
を有する光記録媒体において、記録層中に下記一般式
（１）で示されるジピロメテン金属キレート化合物を含
有する光記録媒体。【化１】〔式中、Ｒ₁、Ｒ₃及びＲ₉は、各々独立に炭素数２０以
下の置換または未置換のフェニル基を表し、Ｒ₂、Ｒ₄、
Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇及びＲ₈は、各々独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、炭素数２０以下の置換または未置換のアルキル
基、アルコキシ基、アルケニル基、アシル基、アルコキ
シカルボニル基またはアラルキル基を表す。但し、
Ｒ₂、Ｒ₄〜Ｒ₈の少なくとも１つがハロゲン原子、又は
Ｒ₁、Ｒ₃、Ｒ₉の少なくとも１つがハロゲン置換フェニ
ル基である。Ｍはコバルトまたは銅を表す。〕
【請求項２】波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択
されるレーザー光に対して、記録および再生が可能であ
る請求項１記載の光記録媒体。