JPH10190240A - 半導体装置用基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体装置用基板において、すべての絶縁層
に、高い精度でバイアホール加工を行うことが可能で、
従って高密度、高信頼性の半導体装置用基板を得るこ
と、各絶縁層の厚さのばらつきが小さく、また半導体装
置用基板としても厚さが均一で、かつ薄型である半導体
装置用基板を得ること、耐熱性も高い半導体装置用基板
を安価に得ることを課題とする。 【解決手段】三層以上の配線層を有し、各配線層が絶縁
層により互いに絶縁されてなる半導体装置用基板におい
て、前記絶縁層のすべての層が液状樹脂を硬化させてな
ることを特徴とする半導体装置用基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用の基
板及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】高精度、高密度な配線を有する多層プリ
ント配線板は、例えば特開平７ー１６２１５４公報に示
されている。従来のビルドアップ法を用いたプリント配
線板の製造方法を、図７に示す。リジッドな基板からな
る絶縁基板５１上に配線層および絶縁層を交互に形成す
るいわゆるビルドアップ法によって、半導体装置用基板
であるプリント配線板が形成されている。ビルドアップ
法は薄い配線層、絶縁層を低コストで形成できる、ドリ
ルを用いることなく小径のバイアホールを精度よく加工
することが可能なため、低コストで小径のバイアホール
が得られる、等の利点を有している。従って、薄型で高
密度な半導体装置用基板を安価に得ることが可能とな
る。

【０００３】上述の例について詳しく説明すると、ガラ
ス−エポキシ基板等の材料からなるリジッドな基板５１
の一方の面に、配線層（配線パターン）５２、５６、６
１の形成工程と、絶縁層５３、５７の形成工程を繰り返
して、リジッド基板上の配線層（配線パターン）５２に
加えて二層の配線層（配線パターン）５６、６１、即ち
合計で三層の配線層を形成している。代表的な工程の具
体例をあげると、絶縁層５３、５７の形成工程は、感光
性液状樹脂を塗布し、露光現像によりバイアホール５
４、５５、５９を形成するという工程であり、配線層５
６、６１の形成工程は、無電解、電解めっきによって得
た銅等の金属層をエッチングするという工程である。

【０００４】その後、リジッドな基板及び上述の配線層
にドリルで穿孔（貫通孔５８）してスルーホール６０と
し、さらにリジッド基板の上記配線層を形成した面とは
反対面に電源層のパターン６２を形成している。この後
ソルダーレジスト６３を設けて、プリント配線板が完成
する。このような工程において、リジッドな基板は液状
樹脂を塗布したり、配線層を形成したりする際の支持体
としての役割を果たしている。そのため、そのような役
割に見合った剛性を有する材料であることが要求され
る。さらに、近年の電子機器の薄型化、小型化に対応す
るために、半導体装置用基板にも薄型化が要求されてお
り、半導体装置用基板の薄型化に対応するためには、支
持体の役割を果たすための剛性を有することに加え、薄
い基板であることが要求される。

【０００５】ところで、上述の例ではリジッド基板から
なる支持体の一方の面に、複数の配線層を形成している
が、支持体に対して、その一方の面に形成できる配線層
の数は平坦性やコストの面から限られている。つまり、
配線層を複数形成する場合には、形成した配線層の上に
液状樹脂を塗布し、硬化させて絶縁層を形成するが、そ
の際、配線層が存在する部分と存在しない部分とで、絶
縁層に凹凸が生ずる。この凹凸は、配線層が多層化する
につれて継承され、累積され、凹凸が著しくなる。その
ため、しだいに絶縁層を均一な厚さで形成することが困
難となり、電気特性を低下させるという問題が生ずる。
また、配線パターンの形成時に、従来用いられているサ
ブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ
法のいずれの場合も、配線層あるいは絶縁層上にレジス
トを形成するが、その際の露光工程で、露光面が平滑で
ないと、所望の形状のレジストが得られなくなり、従っ
て配線パターンの形成精度が低下する。

【０００６】以上から、同じ層の数の半導体装置用基板
を製造する際には、支持体の片面にビルドアップ法によ
る配線層を形成するよりも、支持体の両面に形成したほ
うが、基板の凹凸は半分程度に抑制することができ、好
ましい。また、上述のような半導体装置用基板は、部品
実装の面でも高密度化が求められている。上述の例で
は、リジッドな基板の配線層形成面とは反対面には電源
層のみを形成しているが、両面に配線層を形成し、部品
実装に半導体装置用基板の両面を用いるいわゆる両面実
装が行われている。このように、基板の凹凸を抑制する
面から、また両面実装を可能にする面から支持体の両面
に配線層を形成する構成が好ましい。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のよう
にガラスクロスにエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹
脂を含浸させた、ガラス−エポキシ基板等の絶縁基板を
支持体として半導体装置用基板を製造し、その両面に配
線層を形成する場合には、次のような問題があった。 ガラスクロスを含んでいるため、支持体を薄くするこ
とが困難であり、従って半導体装置用基板の薄型化が困
難であった。また、薄いガラス−エポキシ基板等の絶縁
基板は非常に高価である。

【０００８】支持体の両面に配線層を形成するために
は、絶縁基板に両面の配線層間の導通を行うために、絶
縁基板にバイアホールを設ける必要がある。しかし、高
い精度でかつ簡易な工程で、絶縁基板に穿孔する適当な
手段がない。詳しくいえば、細いドリルは折れやすく、
高価であるため、小さい径の孔を穿孔することは困難で
あり、コストも上昇する。また、レーザーを用いるとガ
ラスクロスを除去することが困難であり、孔壁からひげ
状に突出してしまう。レーザーの出力を上昇させると、
ガラスクロスに含浸させた樹脂が穿孔したい孔径以上に
除去されてしまう。

【０００９】ガラスクロスを含んでいる場合、ガラス
クロスと含浸させた樹脂との密着性は必ずしもよくな
く、半導体装置用基板の製造時の乾燥工程や、使用時に
熱が加わった場合、ガラスクロスと含浸させた樹脂の界
面で、剥離が生じやすい。つまり、ガラスクロスおよび
含浸させた樹脂、それぞれの単体としての耐熱性より
も、ガラスクロスに樹脂を含浸させた状態での耐熱性は
低くなる。 支持体として使用しているガラス−エポキシ基板等の
絶縁基板は、ガラスクロスに樹脂を含浸させた構造であ
るため、板厚バラツキがあったり表面の平坦性が十分で
ないので、支持基板上に高精度に絶縁層を形成すること
や、微細なバイアホールや配線層を形成することが困難
である。

【００１０】詳しく言えば、前記絶縁層として０．４〜
０．８ｍｍまたはそれ以上の厚さのものを使用している
が、厚さの約１０％の面内及び面間バラツキが避けられ
ないため、支持体の表面には４０〜８０μｍの高さのバ
ラツキが存在する。このような状態の支持体表面に均一
な厚さの絶縁層を形成することや、例えば幅５０μｍ以
下の微細な配線や直径１００μｍ以下のバイアホールを
支持体のほぼ全面にわたって均一かつ安定して形成する
ことは著しく困難である。このことは、半導体素子の製
造で使用するシリコンウェハーや液晶表示装置のガラス
基板が１μｍ程度またはそれ以下の板厚バラツキを要求
することから、支持体の板厚バラツキ以下の微細なバタ
−ンを安定して形成することはほとんど不可能なことが
わかる。

【００１１】したがって、半導体装置用基板の場合も支
持体の板厚バラツキを形成しようとする微細パターンの
寸法以下に押さえる必要があり、ガラス−エポキシ基板
を支持体として使用することは望ましくないと言える。
本発明は、かかる従来の問題点を解消するためのもので
あって、すべての絶縁層に、高い精度でバイアホール加
工を行うことが可能で、従って高密度、高信頼性の半導
体装置用基板を得ること、各絶縁層の厚さのばらつきが
小さく、また半導体装置用基板としても厚さが均一で、
かつ薄型である半導体装置用基板を得ること、耐熱性も
高い半導体装置用基板を安価に得ることを課題とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明はかかる課題を達
成するため、まず第一の発明は、三層以上の配線層を有
し、各配線層が絶縁層により互いに絶縁されてなる半導
体装置用基板において、前記絶縁層のすべての層が液状
樹脂を硬化させてなることを特徴とする半導体装置用基
板、としたものである。次に本発明の第二の発明は、前
記絶縁層が、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド
樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、フッ素樹脂のうちの一
種類以上の樹脂を含むことを特徴とする請求項１記載の
半導体装置用基板、としたものである。

【００１３】次に本発明の第三の発明は、厚みが、配線
層の層数と５０μｍの積以下であることを特徴とする請
求項１または請求項２記載の半導体装置用基板、とした
ものである。次に本発明の第四の発明は、複数の絶縁層
にバイアホールを形成し、かつ各絶縁層全てに直径１０
０μｍ以下のバイアホールを少なくとも一つ以上形成し
たことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一
項記載の半導体装置用基板、としたものである。次に本
発明の第五の発明は、前記配線層のうちの一層の厚み
が、３５μｍ以上１００μｍ以下であり、かつ、他の配
線層の厚みが３０μｍ以下であることを特徴とする請求
項１乃至請求項４のいずれか一項記載の半導体装置用基
板、としたものである。

【００１４】次に本発明の第六の発明は、前記厚みが３
５μｍ以上１００μｍ以下の配線層の両側に、配線層が
形成されていることを特徴とする請求項５記載の半導体
装置用基板、としたものである。次に本発明の第七の発
明は、前記厚みが３５μｍ以上１００μｍ以下の配線層
は、５０μｍ以下の銅層の両面に、厚みが２５μｍ以下
の銅よりヤング率の高い金属からなる層が形成されてな
ることを特徴とする請求項５または請求項６記載の半導
体装置用基板、としたものである。次に本発明の第八の
発明は、前記銅よりヤング率の高い金属、がニッケルで
あることを特徴とする請求項７記載の半導体装置用基板
である。

【００１５】次に本発明の第九の発明は、請求項１乃至
請求項８のいずれか一項記載の半導体装置用基板の製造
方法であって、 （第１工程） 後にエッチングされて配線層の内の一層
となる支持金属板を用意する工程 （第２工程） 前記支持金属板の一方の面に、液状樹脂
を硬化させることにより、バイア部の樹脂が除去された
絶縁層を形成する工程 （第３工程） 前記支持金属板をエッチングし、配線層
とする工程 （第４工程） エッチングされた前記支持金属板の他方
の面に液状樹脂を硬化させることにより、バイア部の樹
脂が除去された絶縁層を形成する工程 （第２−Ａ工程） 第２工程で形成された絶縁層上に配
線層を形成する工程 （第４−Ａ工程） 第４工程で形成された絶縁層上に配
線層を形成する工程の工程を含み、第１工程から第４工
程は、第１から第４の順で、第２−Ａ工程は第２工程以
降に、第４−Ａ工程は第４工程以降に行うことを特徴と
する半導体装置用基板の製造方法、としたものである。

【００１６】次に本発明の第十の発明は、請求項７また
は請求項８記載の半導体装置用基板の製造方法であっ
て、 （第１工程） 銅箔の少なくとも一方の面に、銅よりヤ
ング率の高い金属層を配線パターン状に形成することに
より、後にエッチングされて配線層の内の一層となる支
持金属板を用意する工程 （第２工程） 前記支持金属板の一方の面に、液状樹脂
を硬化させることにより、バイア部の樹脂が除去された
絶縁層を形成する工程 （第３工程） 前記支持金属板をエッチングし、配線層
とする工程 （第４工程） 前記支持金属板をエッチングして得られ
た配線層の他方の面に液状樹脂を硬化させることによ
り、バイア部の樹脂が除去された絶縁層を形成する工程 （第２−Ａ工程） 第２工程で形成された絶縁層上に配
線層を形成する工程 （第４−Ａ工程） 第４工程で形成された絶縁層上に配
線層を形成する工程の工程を含み、第１工程から第４工
程は、第１から第４の順で、第２−Ａ工程は第２工程以
降に、第４−Ａ工程は第４工程以降に行うことを特徴と
する半導体装置用基板の製造方法、としたものである。

【００１７】

【作用】本発明によれば、すべての絶縁層に、高い精度
でバイアホール加工を行うことが出来、各絶縁層の薄型
化が可能である。また多層の配線になっても、各絶縁層
の厚さのばらつきを抑制することができる。また、半導
体装置用基板としても均一な厚さを得ることができる。
また、絶縁層にガラスクロスを含まないため、耐熱性の
高い半導体装置用基板を得ることが出来る。

【００１８】平滑な基板の両面に配線層を形成すること
により、片面あたりの絶縁層、配線層の数を半分にする
ことができ、結果的に層数の増加による凹凸の累積を減
少させることが可能となる。剛性の高い支持体を得るこ
とが可能となり、支持体としての役割を高めることがで
きる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施例により実施の
形態を説明する。

【００２０】

【実施例】

［実施例１］以下に本発明の実施例を示す図１、図２を
用い、説明する。 （１）厚さ１００μｍの銅板１を用意した（図１
（ａ））。 （２）銅板の一方の面に液状のエポキシ系の感光樹脂
（プロビーマー５２（商品名）、日本チバガイギー社
製）をコートし、露光、現像してバイア部の樹脂を除去
した。この工程により、銅板上の厚さが２０μｍの絶縁
層２を得た（図１（ｂ））。 （３）銅板の両面にポジ型感光性レジスト３（ＡＺー１
３０１（商品名）、ヘキストジャパン社製）をコートし
た後、銅板の一方の面に所望の配線パターンにレジスト
３を形成し、他方の面は全面にレジスト３を残した（図
１（ｃ））。 （４）前記の面に、塩化第二鉄液を用い、露出する銅板
をエッチングしレジストを剥離して、配線パターン４を
形成した（図１（ｄ））。

【００２１】（５）前記の面、即ち前記配線パターン及
び露出した絶縁層上に液状のエポキシ樹脂をコートし、
露光、現像してバイア部の樹脂を穴径１００μｍで除去
した。この工程により、配線パターン上の厚さが２０μ
ｍの絶縁層２を得た（図１（ｅ））。 （６）両面に無電解めっき、電解めっきを施し、レジス
ト塗布、エッチングして厚さ１０μｍの配線パターン
５、６を形成した（図２（ａ））。 （７）（２）と同様の工程を、両面に行い、絶縁層２を
形成。配線パターン上の絶縁層の厚さはそれぞれ２０μ
ｍであった（図２（ｂ））。

【００２２】（８）（６）同様に両面に厚さ１０μｍの
配線パターン７、８を形成した（図２（ｃ））。 （９）両面に厚さ１５μｍのソルダーレジスト９を形
成、露出するランド部分に、ニッケル−金めっき１０、
１１を行った（図２（ｄ））。このような工程で、平均
厚さ２４０μｍ、配線層が５層、大きさが５０ｍｍ角の
配線層を有する半導体装置用基板を得た。尚、厚さの測
定に当たっては半導体装置用基板の中心、四隅、四辺の
中点の９つの測定点をそれぞれ１０ｍｍ角で設定し、そ
の中央をマイクロメーターで測定し、その平均値を「平
均厚さ」とした。実施例２以降も同様である。

【００２３】［実施例２］以下に本発明の実施例を示す
図３、図４を用い、説明する。 （１）厚さ５０μｍの銅板１の両面に、後に（４）工程
でエッチングで除去する部分にレジスト３を形成した
（図３（ａ））。 （２）銅板の両面に、銅板を電極として、それぞれ厚さ
２５μｍのニッケル４０を、配線パターン状に電解めっ
きで形成（（１）で形成したレジストのない部分にニッ
ケル層を形成）した。このとき、塗布する樹脂とニッケ
ルとの密着性を保つため、表面が均一にあれた状態のニ
ッケル層を形成した（図３（ｂ））。

【００２４】（３）一方の面に液状のエポキシ樹脂をコ
ートし、露光、現像してバイア部の樹脂を穴径８０μｍ
で除去した。この工程により、ニッケル層上の厚さが２
０μｍの絶縁層２を得た（図３（ｃ））。 （４）レジスト除去後、アルカリエッチング液で、銅板
露出部をエッチングし、配線パターン４を形成した（図
３（ｄ））。 （５）他方の面に液状のエポキシ樹脂をコートし、露
光、現像してバイア部の樹脂を除去した。この工程によ
り、ニッケル層上の厚さが２０μｍの絶縁層２を得た
（図３（ｅ））。

【００２５】（６）両面に無電解めっき、電解めっきを
施し、レジスト塗布、エッチングして厚さ１０μｍの配
線パターン１２、１３を形成した（図４（ａ））。 （７）（３）と同様の工程を、両面に行い、絶縁層２を
形成した。配線パターン上の絶縁層の厚さは２０μｍで
あった（図４（ｂ））。 （８）（６）同様に両面に厚さ１０μｍの配線パターン
１４、１５を形成した（図４（ｃ））。 （９）表面に厚さ１５μｍのソルダーレジスト９を形
成、露出するランド部分に、ニッケル−金等のめっき１
０、１１を行った（図４（ｄ））。このような工程で、
平均厚さ２４５μｍ、配線層が５層、大きさが５０ｍｍ
角の配線層を有する半導体装置用基板を得た。

【００２６】［実施例３］基本的には、実施例２と同様
であって、（１）の銅板１として、厚さ１８μｍのもの
を用いた。（２）の配線パターン４０のニッケルめっき
の厚さを両面それぞれ１０μｍにした。このとき、ニッ
ケル層は通常用いられる表面に光沢のあるめっきを行
い、表面をソフトエッチングして粗面化した。

【００２７】（３）、（５）、（７）の絶縁層２の厚さ
を３０μｍとした。（６）、（８）の配線パターン１
２、１３、１４、１５の厚さを１５μｍとした。このよ
うな工程で、平均厚さ２４０μｍ、配線層が５層、大き
さが５０ｍｍ角の配線層を有する半導体装置用基板を得
た。

【００２８】［実施例４］基本的には、実施例２と同様
であって、（１）の銅板１として、厚さ５０μｍのもの
を用いた。（２）の配線パターン４０のニッケルめっき
の厚さを、両面それぞれ５μｍにした。

【００２９】（３）、（５）、（７）の絶縁層２の厚さ
を３０μｍとした。（６）、（８）の配線パターン１
２、１３、１４、１５の厚さを１０μｍとした。（９）
のソルダーレジスト９の厚さを１０μｍとした。このよ
うな工程で、平均厚さ２４０μｍ、配線層が５層、大き
さが６０ｍｍ角の配線層を有する半導体装置用基板を得
た。

【００３０】［実施例５］基本的には、実施例２と同様
であって、（１）の銅板１として、厚さ１８μｍのもの
を用いた。（２）の配線パターン４０のニッケルめっき
の厚さを両面それぞれ２０μｍにした。その後ニッケル
めっき上に２〜３μｍの厚さで銅めっきを行い、銅めっ
き表面を黒化処理して粗面化した。

【００３１】（３）、（５）、（７）の絶縁層２の厚さ
を２０μｍとした。（６）、（８）の配線パターン１
２、１３、１４、１５の厚さを２５μｍとした。（８）
工程の後に（７）、（８）の工程を繰り返し、配線層を
７層とした。（９）のソルダーレジスト９の厚さを１０
μｍとした。このような工程で、平均厚さ３４２μｍ、
配線層が７層、大きさが５０ｍｍ角の配線層を有する半
導体装置用基板を得た。

【００３２】［実施例６］以下に本発明の実施例を示す
図５、図６を用い、説明する。 （１）厚さ１８μｍの銅箔１を用意した（図５
（ａ））。 （２）銅箔の一方の面に非感光性のベンゾシクロブテン
（ＢＣＢ（材料名）、ダウケミカル社製）を絶縁層２０
が厚さ２５μｍとなるようにコーティングした（図５
（ｂ））。 （３）ＣＯ₂ レーザ加工機（ＭＬ５０５ＧＴ（機種
名）、三菱電機社製）でバイア部の樹脂を除去した（直
径６０μｍ）。その後、酸素ブラズマにて樹脂の表面を
粗面化した（図５（ｃ））。

【００３３】（４）銅箔面に銅めっき２１を約２０μｍ
つけた（図５（ｄ））。 （５）両面にエッチングレジスト２２（オリゴＥＤＵＶ
（商品名）、日本石油化学社製）を電着でつけた。超音
波水銀灯で１５０ｍＪ／ｃｍ² 露光し、３０度℃の１％
炭酸ナトリウム溶液でスプレー現像した（図５
（ｅ））。 （６）塩化第二銅溶液で露出部の銅をエッチングして配
線パターン２３、２４を形成した（図５（ｆ））。

【００３４】（７）両面にベンゾシクロブテン樹脂を絶
縁層２０が厚さ２５μｍとなるようにコーティングし、
レーザでバイア部の樹脂を除去した。その後、銅を両面
にスパッタリングで厚さ０．２μｍで形成した（図５
（ｇ））。 （８）両面に銅めっき２５を約１５μｍつけた（図６
（ａ））。 （９）（５）と同じである（図６（ｂ））。 （１０）（６）と同じである（図６（ｃ））。 （１１）（７）、（８）、（５）、（６）を繰り返す
（図６（ｄ））。 （１２）実施例１の（９）と同じである。

【００３５】この様な工程で、平均厚さ２５７μｍ、配
線層が６層、大きさが５０ｍｍ角の半導体装置用基板を
得た。実施例２〜６の（１）で用いる銅板としては、薄
型化と支持体としての剛性、さらには銅の導電性のよさ
を生かすために、厚さ１８μｍ〜７０μｍ程度のものを
用いることが好ましい。支持体としての役割である剛性
をもたせるために、両面にニッケル、クロム等の銅より
もヤング率の高い金属で、めっきを施した。銅板だけで
剛性をもたせるよりも、同じ厚さで高い剛性が得られ
た。

【００３６】なお、支持金属板の厚さについては半導体
装置用基板として要求される厚さ、価格、製造上要求さ
れる剛性を勘案して、適宜選択される。例えば、ある程
度の厚さが許容されるのであれば、厚めの銅板を用いる
ことが可能であり、採用できる。これは、薄い銅板ほど
厚いめっき（ニッケル等の）を施すことになり製造時間
が長くなる為である。絶縁樹脂としては、エポキシ系、
アクリル系、ポリイミド系、ベンゾシクロブテン系等の
樹脂を用いることが可能である。尚、本半導体装置用基
板の上に配線層を形成するのであるが、この配線層の形
成工程以降については、従来の技術と同等であるので説
明を省略するが、例えば特開平７−１６２１５４の公報
に記載されている。

【００３７】

【発明の効果】すべての絶縁層に、高い精度でバイアホ
ール加工を行うことが可能なため、高密度、高信頼性の
半導体装置用基板を得ることが可能である。薄型で絶縁
層の厚さが均一な半導体装置用基板を得ることが可能で
ある。耐熱性の高い半導体装置用基板を得ることが可能
である。

【００３８】

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｅ）は本発明の、実施例１に係る半
導体装置用基板の製造工程を示す断面で表した説明図。

【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明の、実施例１に係る半
導体装置用基板の製造工程を示す断面で表した説明図。

【図３】（ａ）〜（ｅ）は本発明の、実施例２に係る半
導体装置用基板の製造工程を示す断面で表した説明図。

【００３９】

【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明の、実施例２に係る半
導体装置用基板の製造工程を示す断面で表した説明図。

【図５】（ａ）〜（ｇ）は本発明の、実施例６に係る半
導体装置用基板の製造工程を示す断面で表した説明図。

【図６】（ａ）〜（ｄ）は本発明の、実施例６に係る半
導体装置用基板の製造工程を示す断面で表した説明図。

【図７】（ａ）〜（ｆ）は従来のビルドアップ法を用い
たプリント配線板の説明図。

【００４０】

【符号の説明】

１…銅板 ２、２０…絶縁層 ３…レジスト ４…配線パターン（銅板） ５、６、７、８、１２、１３、１４、１５、２３、２
４、２６、２７、２８、２９…配線パターン ９…ソルダーレジスト １０、１１…ニッケルー金めっき ２１、２５…銅めっき ２２…エッチングレジスト ４０…配線パターン（ニッケルめっき）

【００４１】５１…絶縁基板 ５２…配線パターン ５３…絶縁層 ５４…バイアホール形成部 ５５…バイアホール ５６…配線パターン ５７…絶縁層 ５８…貫通孔 ５９…バイアホール ６０…スルーホール ６１…配線パターン ６２…電源層のパターン ６３…ソルダーレジスト

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】三層以上の配線層を有し、各配線層が絶縁
   層により互いに絶縁されてなる半導体装置用基板におい
   て、前記絶縁層のすべての層が液状樹脂を硬化させてな
   ることを特徴とする半導体装置用基板。
2. 【請求項２】前記絶縁層が、エポキシ樹脂、アクリル樹
   脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、フッ素
   樹脂のうちの一種類以上の樹脂を含むことを特徴とする
   請求項１記載の半導体装置用基板。
3. 【請求項３】厚みが、配線層の層数と５０μｍの積以下
   であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の
   半導体装置用基板。
4. 【請求項４】複数の絶縁層にバイアホールを形成し、か
   つ各絶縁層全てに直径１００μｍ以下のバイアホールを
   少なくとも一つ以上形成したことを特徴とする請求項１
   乃至請求項３のいずれか一項記載の半導体装置用基板。
5. 【請求項５】前記配線層のうちの一層の厚みが、３５μ
   ｍ以上１００μｍ以下であり、かつ、他の配線層の厚み
   が３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請
   求項４のいずれか一項記載の半導体装置用基板。
6. 【請求項６】前記厚みが３５μｍ以上１００μｍ以下の
   配線層の両側に、配線層が形成されていることを特徴と
   する請求項５記載の半導体装置用基板。
7. 【請求項７】前記厚みが３５μｍ以上１００μｍ以下の
   配線層は、５０μｍ以下の銅層の両面に、厚みが２５μ
   ｍ以下の銅よりヤング率の高い金属からなる層が形成さ
   れてなることを特徴とする請求項５または請求項６記載
   の半導体装置用基板。
8. 【請求項８】前記銅よりヤング率の高い金属が，ニッケ
   ルであることを特徴とする請求項７記載の半導体装置用
   基板。
9. 【請求項９】請求項１乃至請求項８のいずれか一項記載
   の半導体装置用基板の製造方法であって、 （第１工程） 後にエッチングされて配線層の内の一層
   となる支持金属板を用意する工程 （第２工程） 前記支持金属板の一方の面に、液状樹脂
   を硬化させることにより、バイア部の樹脂が除去された
   絶縁層を形成する工程 （第３工程） 前記支持金属板をエッチングし、配線層
   とする工程 （第４工程） エッチングされた前記支持金属板の他方
   の面に液状樹脂を硬化させることにより、バイア部の樹
   脂が除去された絶縁層を形成する工程 （第２−Ａ工程） 第２工程で形成された絶縁層上に配
   線層を形成する工程 （第４−Ａ工程） 第４工程で形成された絶縁層上に配
   線層を形成する工程の工程を含み、第１工程から第４工
   程は、第１から第４の順で、第２−Ａ工程は第２工程以
   降に、第４−Ａ工程は第４工程以降に行うことを特徴と
   する半導体装置用基板の製造方法。
10. 【請求項１０】請求項７または請求項８記載の半導体装
    置用基板の製造方法であって、 （第１工程） 銅箔の少なくとも一方の面に、銅よりヤ
    ング率の高い金属層を配線パターン状に形成することに
    より、後にエッチングされて配線層の内の一層となる支
    持金属板を用意する工程 （第２工程） 前記支持金属板の一方の面に、液状樹脂
    を硬化させることにより、バイア部の樹脂が除去された
    絶縁層を形成する工程 （第３工程） 前記支持金属板をエッチングし、配線層
    とする工程 （第４工程） 前記支持金属板をエッチングして得られ
    た配線層の他方の面に液状樹脂を硬化させることによ
    り、バイア部の樹脂が除去された絶縁層を形成する工程 （第２−Ａ工程） 第２工程で形成された絶縁層上に配
    線層を形成する工程 （第４−Ａ工程） 第４工程で形成された絶縁層上に配
    線層を形成する工程の工程を含み、第１工程から第４工
    程は、第１から第４の順で、第２−Ａ工程は第２工程以
    降に、第４−Ａ工程は第４工程以降に行うことを特徴と
    する半導体装置用基板の製造方法。