JPH10189567A - 半導体基板の層間絶縁膜及び／又は表面保護膜用組成物並びに半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐熱性に優れ、低誘電率で、低吸湿性を示
し、膜状態の良好な被膜を形成できる、半導体基板の層
間絶縁膜及び／又は表面保護膜用組成物並びに耐熱性に
優れ、低誘電率で、低吸湿性を示し、膜状態の良好な被
膜が層間絶縁膜及び／又は表面保護膜として形成され
た、耐湿信頼性に優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】 ポリキノリン樹脂又はポリキノキサリン
樹脂と、キノリン又はイソキノリンを必須成分とする溶
媒とを含有してなる半導体基板の層間絶縁膜及び／又は
表面保護膜用組成物並びにこの組成物を用いて形成され
るポリキノリン樹脂又はポリキノキサリン樹脂を含む被
膜を半導体基板の層間絶縁膜及び／又は表面保護膜とし
て有してなる半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板の層間絶
縁膜及び／又は表面保護膜用組成物並びに導体層間の層
間絶縁膜及び／又は表面保護膜として好適なポリキノリ
ン樹脂膜又はポリキノキサリン樹脂膜を用いた多層配線
構造の半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、多層配線構造を有する半導体の層
間絶縁膜及び表面保護膜には、化学気相成長法等で形成
した二酸化シリコン等の無機絶縁膜と比べて高平坦性を
有することから、ポリイミド系樹脂が広く用いられてい
る。しかしながら、ポリイミド樹脂は耐熱性が低いこ
と、誘電率が高いこと、吸湿性であることなどの問題が
あり、その用途は信頼性の上でバイポーラＩＣなどの一
部の素子に限られていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】請求項１記載の発明
は、耐熱性に優れ、低誘電率で、低吸湿性を示し、膜状
態の良好な被膜を形成できる、半導体基板の層間絶縁膜
及び／又は表面保護膜用組成物を提供する。請求項２記
載の発明は、耐熱性に優れ、低誘電率で、低吸湿性を示
し、膜状態の良好な被膜が層間絶縁膜及び／又は表面保
護膜として形成された、耐湿信頼性に優れた半導体装置
を提供する。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、ポリキノリン
樹脂又はポリキノキサリン樹脂と、キノリン又はイソキ
ノリンを必須成分とする溶媒とを含有してなる半導体基
板の層間絶縁膜及び／又は表面保護膜用組成物に関す
る。また本発明は、前記組成物を用いて形成されるポリ
キノリン樹脂又はポリキノキサリン樹脂を含む被膜を半
導体基板の層間絶縁膜及び／又は表面保護膜として有し
てなる半導体装置に関する。

【０００５】

【発明の実施の形態】本発明におけるポリキノリン樹脂
又はポリキノキサリン樹脂とは、繰り返し単位中にキノ
リン環又はキノキサリン環を有する重合体である。ポリ
キノリン樹脂は、例えば、米国特許第４，０００，１８
７号明細書、米国特許第５，０１７，６７７号明細書、
米国特許第５，２４７，０５０号明細書、マクロモレキ
ュールズ(Macromolecules)14巻(1981年)，870-880ペー
ジ(J.K.Stille)等に合成法と共に記載されている。ポリ
キノキサリン樹脂は、例えば、J.Macromol.Sci.-Rev.Ma
cromol.Chem.1971,C6,l(P.M.Hergenrother)、Encycloped
ia of Polymer Science and Technology;Interscience:
NewYork,1969,vol.11p389(J.K.Stille)、Polymer Eng.an
d Sci.1976,16,303(P.M.Hergenrother)、特開平３−１
２２１２４号公報、特開平５−２９５１１４号公報等に
合成法と共に記載されている。

【０００６】また、ポリキノリン樹脂は、上記文献の合
成法とは別に、キノリン環を有するジフルオロモノマ、
ジオールモノマ及び必要に応じて用いるモノフルオロモ
ノヒドロキシモノマ（通常、フルオロ基とヒドロキシ基
とが、ほぼ当量となるような使用割合で、各モノマを使
用する）と塩基とを、無水溶媒中で加熱し、共沸的に水
を除去することにより、製造することもできる。また、
モノフルオロモノヒドロキシモノマと塩基とを、無水溶
媒中で加熱し、共沸的に水を除去することにより、製造
することもできる。このときの、加熱条件は、使用する
溶媒の共沸温度／還流温度を考慮して、適宜決定される
が、通常、１００〜２５０℃で、１〜２４時間とされ
る。

【０００７】キノリン環を有するジフルオロモノマとし
ては、例えば、２−（２−フルオロフェニル）−５−フ
ルオロ−４−フェニルキノリン、２−（４−フルオロフ
ェニル）−５−フルオロ−４−フェニルキノリン、４−
（２−フルオロフェニル）−５−フルオロ−２−フェニ
ルキノリン、２−（４−フルオロフェニル）−７−フル
オロ−４−フェニルキノリン、２，４−ジフルオロキノ
リン、２，７−ジフルオロキノリン、２，５−ジフルオ
ロキノリン、２，７−ジフルオロ−６−フェニルキノリ
ン、４−（４−フルオロフェニル）−７−フルオロキノ
リン、６，６′−ビス〔２−（４−フルオロフェニル）
−４−フェニルキノリン〕、６，６′−ビス〔２−（２
−フルオロフェニル）−４−フェニルキノリン〕、６，
６′−ビス〔２−（４−フルオロフェニル）−４−tert
−ブチルキノリン〕、６，６′−ビス〔４−（４−フル
オロフェニル）−２フェニルキノリン〕、６，６′−ビ
ス−４−フルオロキノリン、６，６′−ビス〔４−（４
−フルオロフェニル）−２−（２−ピリジル）キノリ
ン〕、６，６′−ビス−２−フルオロキノリン、６，
６′−ビス〔４−（４−フルオロフェニル）−２−（メ
チル）キノリン〕、６，６′−ビス〔２−フルオロ−４
−フェニルキノリン〕、オキシ−６，６′−ビス〔２−
（４−フルオロフエニル）−４−フェニルキノリン〕、
１，４−ベンゼン−ビス−２，２−〔４−（４−フルオ
ロフェニル）キノリン〕、１，４−ベンゼン−ビス−
２，２−〔４−フルオロキノリン〕、１，４−ベンゼン
−ビス−４，４−〔２−（４−フルオロフェニル）キノ
リン〕、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソ
プロピリデン−ビス−〔（４−フェノキシ−４−フェニ
ル）−２−（４−フルオロキノリン）〕等が挙げられ
る。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使
用される。

【０００８】ジオールモノマとしては、例えば、レゾル
シノール、ヒドロキノン、４，４′−ジヒドロキシビフ
ェニル、１，３−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジ
ヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレ
ン、３，４′−ジヒドロキシビフェニル、３，３′−ジ
ヒドロキシビフェニル、メチル−２，４−ジヒドロキシ
ベンゾエート、イソプロピリデンジフェノール（ビスフ
ェノールＡ）、ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェ
ノール（ビスフェノールＡＦ）、トリフルオロイソプロ
ピリデンジフェノール、フェノールフタレイン、フェノ
ールレッド、１，２−ジ（４−ヒドロキシフェニル）エ
タン、ジ（４−ヒドロキシフェニル）メタン、４，４−
ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる、これら
は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。

【０００９】モノフルオロモノヒドロキシモノマとして
は、例えば、２−（４−フルオロフェニル）−６−ヒド
ロキシ−４−フェニルキノリン、２−（２−フルオロフ
ェニル）−６−ヒドロキシ−４−フェニルキノリン、４
−（２−フルオロフェニル）−６−ヒドロキシ−２−フ
ェニルキノリン、２，３−ジフェニル−４−（２−フル
オロフェニル）−６−ヒドロキシキノリン、２，３−ジ
フェニル−４−（４−フルオロフェニル）−６−ヒドロ
キシキノリン、２，３−ジフェニル−６−（２−フルオ
ロフェニル）−４−ヒドロキシキノリン、２，３−ジフ
ェニル−６−（４−フルオロフェニル）−４−ヒドロキ
シキノリン、７−フルオロ−２−ヒドロキシキノリン、
７−フルオロ−２−ヒドロキシ−４−フェニルキノリ
ン、７−（４−フルオロフェニル）−２−ヒドロキシ−
４−フェニルキノリン、７−フルオロ−４−ヒドロキシ
−４−フェニルキノリン、７−（４−フルオロフェニ
ル）−４−ヒドロキシ−２−フェニルキノリン、２−
（４−フルオロフェニル）−４−ヒドロキシ−３−フェ
ニルキノリン、２−（４−フルオロフェニル）−６−ヒ
ドロキシ−３−フェニルキノリン、２−（４−フルオロ
フェニル）−８−ヒドロキシ−３−フェニルキノリン、
２−（４−フルオロフェニル）−８−ヒドロキシキノリ
ン、２−（２−フルオロフェニル）−４−（４−ヒドロ
キシフェニル）キノリン等が挙げられる。これらは、単
独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。

【００１０】合成に用いられる溶媒としては、例えば、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラメチルウレ
ア、ジメチルスルフォキシド、スルホラン、ジフェニル
スルホン、トルエン、ジクロロベンゼン等が挙げられ
る。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使
用される。塩基としては、例えば、炭酸カリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、金属
ハイドライド、金属アマイド、ブチルリチウム等が挙げ
られる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせ
て使用される。

【００１１】ポリキノリン樹脂としては、取扱性、電気
特性、低吸湿性等の点から、下記の一般式（Ｉ）又は一
般式（II）

【化１】 〔式中、Ｒ¹及びＲ²は、各々独立に、アルキル基、アリ
ール基、アルコシキ基、アリルオキシ基、ホルミル基
（−ＣＯＨ）、ケトン基（−ＣＯＲ³）、エステル基
（−ＣＯ₂Ｒ⁴若しくは−ＯＣＯＲ⁵）、アミド基（−Ｎ
Ｒ⁶ＣＯＲ⁷若しくは−ＣＯＮＲ⁸Ｒ⁹）、ヘテロアリール
基、シアノ基又は２つがつながって形成される不飽和結
合を含んでいてもよい２価の炭化水素基を示し（但し、
Ｒ³〜Ｒ⁹は、水素原子、アルキル基、アリール基又はヘ
テロアリール基を示す）、ｍ及びｎは、各々独立に０〜
５の整数であり、Ｘは、無し（化学結合）、−Ｏ−、−
Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−Ａ−、−(Ｏ
−Ａ)_q−Ｏ−又は−Ｑ−（但し、ｑは１〜３の整数であ
り、Ａは、−Ａｒ¹−（アリーレン基）、−Ｈｒ¹−（ヘ
テロアリレン基）、−Ａｒ¹−Ｏ−Ａｒ¹−、−Ａｒ¹−
ＣＯ−Ａｒ¹−、−Ａｒ¹−Ｓ−Ａｒ¹−、−Ａｒ¹−ＳＯ
−Ａｒ¹−、Ａｒ¹−ＳＯ₂−Ａｒ¹−又は−Ａｒ¹−Ｑ−
Ａｒ¹を示し、Ｑは

【化２】 （Ｌ¹及びＬ²はメチル基、トリフルオロメチル基又は２
つがつながって形成される不飽和結合を含んでいてもよ
い２価の炭化水素基を示す）を示し、Ｚ¹及びＺ²は、そ
れぞれ独立に、無し（化学結合）又はアリーレン基を示
し、Ｙは、−Ｏ−又は−Ｏ−Ａ−Ｏ−を示す〕で表され
る繰り返し単位を有するポリキノリン樹脂が好ましい。

【００１２】上記一般式（Ｉ）又は一般式（II）の定義
中で、アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブ
チル基、tert−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル
基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オク
チル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、ウンデシル
基、ドデシル基、ドコシル基等が挙げられる。アリール
基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフ
チル基、アントラセニル基、ジフェニルフェニル基等が
挙げられる。ヘテロアリール基としては、例えば、ピリ
ジル基、キノリニジル基、ピラジル基等が挙げられる。

【００１３】Ｒ¹が２つ、Ｒ²が２つ、並びにＬ¹及びＬ²
がそれぞれ２つ、つながって形成される、不飽和結合を
含んでいてもよい２価の炭化水素基としては、例えば、
１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、１，５−
ペンチレン基等のアルキレン基、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝
ＣＨ−、

【化３】 などが挙げられる。

【００１４】ポリキノキサリン樹脂としては、取扱性、
電気特性、低吸湿性等の点から、下記の一般式（III）
又は一般式（IV）

【化４】 〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁹、Ｘ、Ｚ¹、Ｚ²、Ｙ、ｍ及びｎは、上
記一般式（Ｉ）、一般式（II）におけると同意義であ
る〕で表されるポリキノキサリン樹脂が好ましい。

【００１５】ポリキノリン樹脂及びポリキノキサリン樹
脂の分子量は、本発明の組成物を基体に均一な膜として
塗布することができる限り特に限定されないが、ゲルパ
ーミェーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により標準
ポリスチレンの検量線を使用して測定したときの重量平
均分子量が、１０，０００〜１，０００，０００である
ことが好ましく、２０，０００〜２００，０００である
ことがより好ましい。樹脂の分子量は、形成する硬化塗
膜の膜厚、塗布方法等の塗膜形成の目的や条件に応じて
適宜選択することができる。数平均分子量では、１，０
００〜４００，０００であることが好ましく、５，００
０〜２００，０００であることがより好ましい。

【００１６】本発明において、前記ポリキノリン樹脂及
びポリキノキサリン樹脂は、溶媒に溶解して半導体基板
の層間絶縁膜及び／又は表面保護膜用組成物とされる
が、用いる溶媒は、キノリン又はイソキノリンを必須成
分とする。これらの樹脂の溶媒として通常用いられるシ
クロペンタノンのみの場合は、スピンコートにより薄膜
を形成する場合、ウエハー周辺部にひげ状の塗膜が形成
され、クリーンルームの汚染や、後工程の障害になる恐
れがあり、また、塗膜表面にクレーター等が発生しやす
い等の問題があり、良好な塗膜が得られない。また、Ｎ
−メチル−２−ピロリドンのみを溶媒とする場合は、ス
ピンコーティング中に溶液が吸湿し、樹脂が沈殿し、そ
の後加温しても、良好で均一な塗膜が得られない欠点が
あるため、これらの樹脂塗膜を用いた半導体装置を製造
する上で障害となる。これらに対して、キノリン又はイ
ソキノリンを溶媒として用いるとこれらの問題がなく、
均一で良好な塗膜を得ることができる。キノリン及びイ
ソキノリンは、全溶媒の１０重量％以上含まれることが
好ましく、３０重量％以上含まれることがより好まし
く、４０〜１００重量％含まれることがさらに好まし
い。キノリン及びイソキノリンが１０重量％未満である
と、樹脂の溶解性が落ち、均一な溶液ができにくいた
め、スピンコートによる良好で均一な被膜ができにくい
傾向にある。

【００１７】キノリン又はイソキノリンは、その他の溶
媒と混合して使用することができる。その他の溶媒とし
ては、フェノール、クレゾール等の芳香族系溶媒、シク
ロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、テ
トラヒドロフラン、ジエチレングリコールジメチルエー
テル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等のエー
テル系溶媒、γ−ブチロラクトン等のエステル系溶媒な
どが好ましいものとしてあげられる。ジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等
の吸湿性の高い溶媒は、スピンコート中に樹脂が沈殿す
る傾向にあるため、併用しない方が好ましい。

【００１８】溶媒の配合量は、上記ポリキノリン樹脂又
はポリキノキサリン樹脂１００重量部に対して１００〜
３５００重量部であることが好ましく、２００〜２５０
０重量部であることがより好ましく、６００〜２０００
重量部であることが特に好ましい。溶媒の配合量が少な
すぎると固形分の比率が高くなるため、塗布性が悪く、
塗膜面の厚みを一定に保つことが困難となる傾向にあ
る。また、溶媒が多すぎると、粘度が低くくなるため、
安定した塗膜を得ることが困難となる傾向にある。

【００１９】ポリキノリン樹脂又はポリキノキサリン樹
脂と、キノリン又はイソキノリンを必須成分とする溶媒
の混合は、特に制限はなく、例えば室温で両者を混合撹
拌して本発明の組成物とすることができる。なお、本発
明の効果を損なわない範囲において、その他の樹脂、添
加剤等を混合することは何ら制限されるものではない。

【００２０】本発明の半導体装置の製造工程の一例を図
を用いて以下に説明する。図１は、多層配線構造の半導
体装置の製造工程図の一例である。図１において、回路
素子を有するＳｉ基板、ガラス板、金属板などの半導体
基板１は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜
等の保護膜２で被覆され、露出した回路素子上に第１導
体層３が形成されている。該半導体基板上に前述したキ
ノリン樹脂又はキノキサリン樹脂がスピナー法などで塗
布され、熱処理により溶媒の除去が行われ、層間絶縁膜
としてのポリキノリン樹脂膜又はポリキノキサリン樹脂
膜４が形成される（工程（ａ））。

【００２１】次に、例えば塩化ゴム系又はフェノールノ
ボラック系の感光性樹脂層５が前記層間絶縁膜４上にス
ピナー法によって形成され、写真食刻技術によって所定
部分の層間絶縁膜４が露出するように窓６Ａが設けられ
る（工程（ｂ））。該窓６Ａの層間絶縁膜４は、酸素、
四フッ化炭素等のガスを用いるドライエッチング手段に
よって選択的にエッチングされ、窓６Ｂがあけられる。
次いで窓６Ｂから露出した第１導体層３を腐食すること
なく感光樹脂層５のみを腐食するようなエッチング溶
液、例えば感光性樹脂層５が前記のものの場合、ｎ−酢
酸ブチル等を用いて感光樹脂層５が完全に除去される
（工程（ｃ））。

【００２２】さらに公知の金属膜形成法及び写真食刻技
術を用いて第２導体層７を形成させ、第１導体層３との
電気的接続が完全に行われる（工程（ｄ））。

【００２３】３層以上の多層配線構造体を形成する場合
は、上記の各工程を繰り返して行い各層を形成する。す
なわち導体層の上に絶縁層となる層間絶縁膜を形成する
工程（ａ）、この被膜の所定の場所を選択的に除去し窓
を開口して下部に存する導体層を露出させる工程（ｂ）
及び（ｃ）並びに上記被膜上に延在し、下部に存する導
体層の所定部分と接続された上部の導体を形成する工程
（ｄ）を繰り返すことになる。

【００２４】次に表面保護膜８が形成される。該保護膜
８は、前述のポリキノリン樹脂又はポリキノキサリン樹
脂を多層配線構造の半導体装置の最上部の導体層上に同
様に塗布しのち所定部分に窓６Ｃを形成して作製される
（工程（ｅ））。この表面保護膜８によって導体層を外
部からの水分、異物などから保護することができる。

【００２５】なお、本発明の半導体装置においては、前
述のポリキノリン樹脂膜又はポリキノキサリン樹脂膜を
半導体装置の層間絶縁膜又は表面保護膜のいずれかのみ
に用いても、半導体装置の層間絶縁膜及び表面保護膜の
両者に用いてもよい。また、上記ポリキノリン樹脂膜又
はポリキノキサリン樹脂膜は、半導体装置のバッファー
コート膜として使用してもよく、これは例えば、上記表
面保護膜８の上に形成され、表面保護膜８の形成と同様
の方法により、膜が形成される。

【００２６】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。 合成例１（ポリキノリンの合成） ６，６′−ビス（２−（４″−フルオロフェニル）−４
−フェニルキノリン）７４．３ｇ（０．１２４モル、
１．０３当量）、４，４′−（１，１，１，３，３，３
−ヘキサフルオロ−２，２−プロピリデン）ビスフェノ
ール４０．６ｇ（０．１２１モル、１．００当量）、無
水炭酸カリウム２５ｇ（０．１８１モル、１．５当量）
を１リットルのステンレスフラスコに加え、溶媒として
Ｎ−メチル−２−ピロリドン４５０ml、トルエン９０ml
をさらに加えた。塩化カルシウム管及び水分除去のため
のディーンスターク管をつけた水冷式の冷却管、乾燥窒
素導入管、メカニカルスターラ、温度計を設置した。オ
イルバスを使用し、２４時間加熱還流し、さらに２４時
間トルエンとともに系中の水分を留去した。溶液は最初
は黄色であったが、段々茶褐色に変わり、この段階で黒
色になった。さらに反応温度を２００℃まで上げ、６時
間反応させた。反応溶液は黒色から粘度の上昇とともに
深青色に変わっていった。Ｎ−メチル−２−ピロリドン
６５０mlを加えて希釈し冷却することによって反応を停
止した。得られたポリマー溶液を精製するために、水中
へ投入し沈殿させた。引き続いて、５０℃の水中で２時
間撹拌し洗浄することを３度繰り返したのち、ポリマー
をろ別し、６０℃の真空乾燥機で一昼夜乾燥させた。ポ
リマーの収量は１０１．１ｇ（８９．０％）であった。
このものの重量平均分子量は、ポリスチレン換算で８
７，０００であった。

【００２７】得られたポリマーは、下記式（Ｖ）の繰り
返し単位を有する。

【化５】

【００２８】合成例２（ポリキノリンの合成） メカニカルスターラ、凝縮器と窒素導入管を付けたディ
ーンスターク管及び温度計を備え付けた２リットルの丸
底三ツ口フラスコに、６，６′−ビス（２−（４″−フ
ルオロフェニル）−４−フェニルキノリン）１１４．７
５ｇ（０．９２２５モル、１．０３当量）、９，９−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン６６．０４７
２ｇ（０．１８８４８モル、１．００当量）、炭酸カリ
ウム３９．１ｇ（０．２８モル、１．５当量）、Ｎ−メ
チル−ピロリドン７０５ml、トルエン４２１mlを仕込ん
だ。反応混合物は窒素雰囲気下で１５時間加熱された。
トルエンがディーンスターク管によって除かれ、反応混
合物はさらに２００℃で１２時間加熱された。ついで、
反応混合物はＮ−メチル−ピロリドンで希釈され、室温
まで冷却された。得られたポリマー溶液を３倍容量のア
セトンにゆっくり注ぐことによりポリマーを凝縮させ
た。ポリマーを濾過して集め、Ｎ−メチル−ピロリドン
に溶解し、三倍容量の水で凝縮した。また、ポリマーが
集められ真空下１３０℃で１２時間乾燥した。ポリマー
の収量は１７０ｇ（９９％）であった。このものの数平
均分子量は、ポリスチレン換算で４６，９００、ガラス
転移点は約３０６℃であった。

【００２９】得られたポリマーは、下記式（VI）の繰り
返し単位を有する。

【化６】

【００３０】実施例１ 合成例１で得られたポリキノリン樹脂１００重量部に対
し、キノリン９００重量部を加えて、室温で均一に混合
させ、ポリキノリン樹脂溶液を得た。 実施例２ 合成例２で得られたポリキノリン樹脂１００重量部に対
し、キノリン９００重量部を加えて、室温で均一に混合
させ、ポリキノリン樹脂を得た。

【００３１】実施例３ 実施例１において、キノリン９００重量部に代えてキノ
リン４５０重量部及びシクロペンタノン４５０重量部を
用いた以外は実施例１と同様にして、ポリキノリン樹脂
溶液を得た。 実施例４ 実施例１において、キノリン９００重量部に代えてキノ
リン４５０重量部及びγ−ブチロラクトン４５０重量部
を用いた以外は同様にして、ポリキノリン樹脂溶液を得
た。 実施例５ 実施例１においてキノリン９００重量部に代えてイソキ
ノリン９００重量部を用いた以外は同様にして、ポリキ
ノリン樹脂溶液を得た

【００３２】比較例１ 実施例１においてキノリン９００重量部の代わりにシク
ロペンタノン９００ｇを用いた以外は同様にして、ポリ
キノリン樹脂溶液を得た。 比較例２ 実施例２でキノリン９００重量部の代わりにＮ−メチル
−２−ピロリドン９００重量部に代えた以外は同様にし
て、ポリキノリン樹脂溶液を得た。

【００３３】評価法 実施例１〜５及び比較例１、２により得られたポリキノ
リン樹脂溶液をシリコンウエハー上にスピンコート法に
より塗布し、熱風循環式オーブンにて１３０〜１４０℃
で３０分加熱処理を行った。これらの塗膜を塗布直後及
び加熱処理後に目視で状態を観察した。

【００３４】

【表１】 上記の結果より、溶剤としてキノリン又はイソキノリン
を用いることにより、スピンコートでポリキノリンの均
一な塗膜が得られることがわかる。

【００３５】

【発明の効果】請求項１記載の半導体基板の層間絶縁膜
及び／又は表面保護膜用組成物は、シリコンウエハー上
に均一な被膜を形成でき、これを加工することにより、
低吸湿性、低誘電率及び高耐熱性を生かした半導体装置
を製造できる。請求項２記載の半導体装置は、シリコン
ウエハー上に均一で、低吸湿性、低誘電率及び高耐熱性
に優れた被膜を層間絶縁膜及び／又は表面保護膜を有
し、耐湿信頼性に優れたものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】多層配線構造の半導体装置の製造工程図であ
る。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ 保護膜 ３ 第１導体層 ４ 層間絶縁膜層 ５ 感光樹脂層 ６Ａ、６Ｂ、６Ｃ 窓 ７ 第２導体層 ８ 表面保護膜層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ポリキノリン樹脂又はポリキノキサリン
   樹脂と、キノリン又はイソキノリンを必須成分とする溶
   媒とを含有してなる半導体基板の層間絶縁膜及び／又は
   表面保護膜用組成物。
2. 【請求項２】 請求項１記載の組成物を用いて形成され
   るポリキノリン樹脂又はポリキノキサリン樹脂を含む被
   膜を半導体基板の層間絶縁膜及び／又は表面保護膜とし
   て有してなる半導体装置。