JPH10189538A - 半導体装置製造用乾式エッチング装置 - Google Patents

半導体装置製造用乾式エッチング装置

Info

Publication number
JPH10189538A
JPH10189538A JP9277619A JP27761997A JPH10189538A JP H10189538 A JPH10189538 A JP H10189538A JP 9277619 A JP9277619 A JP 9277619A JP 27761997 A JP27761997 A JP 27761997A JP H10189538 A JPH10189538 A JP H10189538A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
dry etching
manufacturing
semiconductor device
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9277619A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3401508B2 (ja
Inventor
Kim Byong-Dong
キム ビョング−ドング
Rii Jung-Kyu
リー ジュング−キュー
Kim Sung-Iru
キム スング−イル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JPH10189538A publication Critical patent/JPH10189538A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3401508B2 publication Critical patent/JP3401508B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェーハ１３が置かれるサセプター１２、該
サセプター１２に設置された冷却手段及びＲＦ電界を印
加しプラズマを生成するＲＦ電極とを備え、高集積、高
精密を要する半導体装置製造用乾式エッチング装置にお
いて、ウェーハ内でのエッチング率を調節し、エッチン
グ不均一性による工程不良を減らす。 【解決手段】 前記RF電極のうち上部電極４１の形態を
調節し、該RF電極上下の対向面にわたり電極の間の間隔
を部分的に異なるしめる。ウェーハ１３に対向する面で
エッチングガスの単位面積当り供給量を部分的に異なる
ようにしたガス分散器を備える。前記RF電極のうち、電
源と連結される電極の電極面を複数個の領域に分け、各
領域には面積当たり印加されるRF電力が差別化されるよ
うそれぞれのRF電源１６を連結する。サセプター１２を
複数の領域に分け、各領域はそれぞれ異なる温度を有す
るように前記冷却手段の設置分布を異なるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造に使
用される乾式エッチング装置に関するもので、より詳し
くは半導体装置製造のためのウェーハを加工する時、乾
式エッチングの均一性を高めることができる乾式エッチ
ング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造において、素子の高集
積化が続いている。より集積度が高い装置を作るために
はより精密なウェーハの加工技術を必要とする。従っ
て、半導体装置製造の主な工程であるエッチング工程で
もより精密なエッチングを必要とする。
【０００３】一般的にエッチング工程が備えられる条件
としては高選択性、高エッチング率、エッチングの均一
性、工程の安定性、基板に対する少くない損傷などが要
求される。そして、精密なエッチングとはいくつかのエ
ッチング変数に対するエッチング量の調節が正確で、ウ
ェーハ上の位置によるエッチング程度が均一なエッチン
グである。
【０００４】エッチングには大きく乾式エッチングと湿
式エッチングとに分けられるが、それぞれが特性と長短
所を持っているので工程の性質により選択的に使用され
る。湿式エッチングは費用がかからなく、選択比とエッ
チング率が高く、信頼性が高いという利点があるため広
く使用されている。一方、線の幅が狭い精巧なエッチン
グには適合ではなく、化学的なエッチングで等方性を有
するのでアンダーカットなどの問題がある。
【０００５】乾式エッチングはイオンミーリング（Ion
Milling）のような物理的なエッチング、RIE（Reactive
Ion Etching）のような物理化学的なエッチング、プラ
ズマエッチングのような化学的なエッチングで分けられ
る。物理的なエッチング性を有すればするほど非等方性
で正確なパターン転写の効果を有することができるが、
選択比が落ちる問題がある。反対に、プラズマエッチン
グは選択比は良いがアンダーカットなど等方性のエッチ
ングの問題点をそのまま持っている。
【０００６】プラズマエッチングでエッチングの量と質
に影響を与える要素として、エッチングガスの種類、エ
ッチング工程が行われるチャンバーの圧力と温度、エッ
チングガスのプラズマ化された粒子の全般的な密度と分
布、エネルギーなどがあげられる。しかし、これらの要
素はエッチング装備の構成及び装備に印加されるエネル
ギーと密接な連関を持つ。
【０００７】従って、プラズマエッチングの様相を正確
に分析するためにはこれらの要素に影響を与えるエッチ
ング装備の構成を分析する必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】エッチング装備は多数
のウェーハを一緒に処理するバッチ方式と個々のウェー
ハを小型の工程チャンバーで処理する個別方式（Single
Type）に分けられる。従来の小口径ウェーハを使用す
る場合にはバッチ方式の処理が多かったし、バッチ方式
のエッチング装備でのエッチングが行われる小口径のウ
ェーハの場合、ウェーハ内、あるいはウェーハの間のエ
ッチング不均一性が大きな問題にならなかった。
【０００９】一方、8インチや12インチにウェーハが大
口径化されることによりバッチ方式のエッチング装備の
構造的な限界で加工均一性が問題になる。従って、最近
はウェーハの間のエッチング均一性を向上させるために
個別方式のエッチング装備を利用したエッチングが多く
なっている。
【００１０】しかし、個別方式のエッチング装備を利用
したエッチング工程でも、装備内のいくつかの変数のた
め、ウェーハ内のエッチング均一性が相変わらず問題と
なっている。そして、これは半導体装置の高集積化によ
ってさらに問題になっている。以下、エッチング均一性
に影響を与えるようないくつかの要因を図面を参照に調
べてみることにする。
【００１１】図８は従来のプラズマのエッチング装備の
工程チャンバーでウェーハが置かれる部分を表し、高周
波電圧が印加される一つの電極を構成するサセプター及
び対向電極の一つの例を概略的に示す断面図である。
【００１２】サセプター12には高周波電力を供給するRF
電源16がコンデンサーを通じて連結され下部電極の役割
をする。又、サセプター12にはエッチングされるウェー
ハ13の温度を均一にし、エッチングの均一性を高めるた
めのバックサイドヘリウムがバックサイドヘリウム管14
から、サセプターの冷却のためのバックサイドヘリウム
がバックサイドヘリウム管15から各々供給される。サセ
プター12と対向される上段の上部電極11は主に金属板と
コイルで構成され、接地されている。逆に下段の下部電
極に高周波電源が連結されサセプター12が接地され得
る。
【００１３】上部電極11には多数のノズル孔を持つ分散
器と誘導コイルが一体に形成され平らな形態を持ち、下
段の電極は上の方に若干膨らんだ形態を有する場合が多
い。そして、工程中に均一性の向上のためのバックサイ
ドヘリウムがバックサイドヘリウム管１４からウェーハ
の裏の面の中央部で放出されると、その圧力が工程チャ
ンバー10の内部の圧力より少し高いので、若干の弾性を
有するウェーハ13を上の方に膨らむように変化させる。
【００１４】このような理由で、ウェーハ13の中央部に
かかる高周波電界が周辺部より強化され、他の条件が同
一であるとすると、エッチングガスの分布が一定な場合
にもプラズマ粒子の密度が高くなる。結局、ウェーハの
中央部のエッチング率が高くて、均一性の確保が難しく
エッチングを思い通りに調節しにくくなる。
【００１５】図9はエッチングチャンバーの上段電極を
なす従来のエッチングガス分散器に形成された多数のガ
ス分散口の散布状態を示す図である。
【００１６】ウェーハの上部に位置する円板形の分散器
21の全面には、多数のガスノズル孔22が中央部及び周辺
部の区分なく均一に分布されている。しかし、エッチン
グ用工程チャンバーの構造をみると供給されるガスの残
余分と反応ガスがウェーハの縁部とチャンバーの壁面の
間にぬけていく形態になるので、常にウェーハの周辺部
のソースガスの濃度が少し低くなる。従ってこれを補充
するためにウェーハ周辺部にソースガスの濃度を高める
必要が生じる。
【００１７】図10は工程チャンバー内でウェーハが置か
れるサセプターにRF電源がかかっている状態を示す図面
である。
【００１８】エッチング率に影響を与える要素としてRF
電力があるが、図10のような形態のエッチング装置では
印加されるRF電界を部分的に調節できなくなる。
【００１９】その他サセプター12の部分的な温度、即ち
ウェーハ13の部分的な温度によってもウェーハ内の部分
的なエッチング率に差がある。しかし、既存の装備では
ウェーハ全面に一定な形態だけで冷却用のバックサイド
ヘリウムが流れるのでこれを通じた部分的な温度の調節
は考慮できない。
【００２０】以上の要素はエッチングされるウェーハの
全面にわたってエッチング物質の活性化されたプラズマ
粒子の濃度を同一な水準に維持するという目的によって
調節されると理想的であるが、十分な調節手段は持たな
い。
【００２１】本発明の目的は、既存のエッチング装置で
固定的に構成されるか形態が定められていてエッチング
工程でウェーハ内の部分的なエッチング不均一性が調節
できなかったことを補完することができる半導体装置製
造用乾式エッチング装置を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明による半導体装置製造用乾式エッチング装置
は、ウェーハが置かれるサセプターと、該サセプターに
設置された冷却手段と、ＲＦ電界を印加してプラズマを
生成させるＲＦ電極とを備えた半導体装置製造用乾式エ
ッチング装置において、前記RF電極の中で上部電極の形
態を調節して前記RF電極上下の対向面にわたり電極の間
の間隔を部分的に異なるようにしたことを特徴とする。
また、前記ウェーハに対向される面でエッチングガスの
単位面積当たり供給量を部分的に異なるようにしたガス
分散器を有することを特徴とする。
【００２３】前記目的を達成するための本発明の他の形
態による半導体装置製造用乾式エッチング装置は、ウェ
ーハが置かれるサセプターと、該サセプターに設置され
た冷却手段と、ＲＦ電界を印加してプラズマを生成させ
るＲＦ電極とを備えた半導体装置製造用乾式エッチング
装置において、前記RF電極のうち、電源と連結される電
極の電極面を複数個の領域に分け、各領域には面積当た
り印加されるRF電力が差別化されるようにそれぞれのRF
電源を連結したことを特徴とする。
【００２４】前記目的を達成するための本発明のもう一
つの形態による半導体装置製造用乾式エッチング装置
は、ウェーハが置かれるサセプターと、該サセプターに
設置された冷却手段と、ＲＦ電界を印加してプラズマを
生成させるＲＦ電極とを備えた半導体装置製造用乾式エ
ッチング装置において、前記サセプターは複数個の領域
に分かれ、各領域は異なる温度を有するように前記冷却
手段の設置分布を違うようにしたことを特徴とする。
【００２５】結局、本発明によるこれらの特徴は、ウェ
ーハの全面にわたり他の要因によって変わったエッチン
グ物質で一定以上の活性を持つプラズマ粒子の濃度を補
償してエッチングされるウェーハの全面にわたって同一
な水準に維持するようにすることである。
【００２６】そして、本発明による乾式エッチング装置
は大体ウェーハの中心から放射状の点対称の構成を有す
るので別途の調節手段もウェーハの中心を基準に放射状
の点対称の形態を有する場合が多い。
【００２７】対向する上下RF電極の中で上部電極の形態
を調節して、対向される電極面にわたって部分的に間隔
を変えるようにする本発明においては、中央から周辺部
に移りながらRF電極の間隔を変えるようにすることが一
般的である。
【００２８】即ち、上部電極を平らな面ではない一定な
曲率を持つ曲面にするか、平面が一定な角で合ってなさ
れる調合面にするか、コーン(cone)の形態を持つように
して全体的に凹んだ形態にするか、または膨らんだ形態
にすることである。
【００２９】従来の技術で言及されたように、大体のウ
ェーハの全面の温度を平均的にするバックサイドヘリウ
ムの圧力の影響や一般的に下部電極になるサセプターが
上の方に膨らんだ結果ウェーハが膨らんだように置かれ
ウェーハの周辺部の電界が小さくなり易い。従って、上
部電極を下方向に対して凹むように形成する電極間の間
隔が均一になるようにすることが理想的である。しか
し、他の変数により中央部のエッチングが活発に行われ
ない時は、逆に上部電極を下の方に膨らむように成形す
ることもできる。
【００３０】ノズルの孔の大きさや分布を部分的に異な
るようにしたガス分散器を有することを特徴とする本発
明において、異なるエッチング条件がウェーハの全面に
わたって一定な場合、真空ポンプによって排出される周
辺部のエッチングガスのプラズマの作用を補充するよう
にガス分散器のガス供給用ノズル孔の分布が中心部より
も周辺部のほうが密集するようにすることが一般的な形
態になる。ノズルの孔の分布密度を大きくする代わりに
周辺部のノズルの孔を大きくすることもできる。
【００３１】しかし、このような一般的な場合とは違う
原因で中心部のエッチング作用が不振な場合、ガス分散
器のノズル孔の分布を中央に集中するようにすることも
できる。
【００３２】RF電極の上下のうち、少なくとも一つの電
極面は複数個の領域に分けられ、各領域には異なるRF電
界が印加されるようそれぞれのRF電源が連結される本発
明においては、下部電極は主にウェーハが置かれるサセ
プターになる場合が多く、サセプターを同心円を描く線
でいくつかの領域に分け、各領域毎に絶縁して他の電源
を連結し、印加されるRF電界が異なるようにする形態が
一般的である。
【００３３】また、温度調節が可能になるようにサセプ
ター内の冷却手段の設置分布を異なるようにした本発明
においては、サセプター冷却用バックサイドヘリウムや
冷却水の経路分布を別にし、同心円を描く線によって分
かれる領域毎に温度が変わる形態にすることができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態例を添付した図面を参照しながら詳細に説明する。図
1ないし図2は本発明による乾式エッチング装置の実施の
形態例の概略的な構成を示した断面図であり、上部RF電
極を下方向に対して凹むようにした場合である。
【００３５】図3ないし図4は本発明による乾式エッチン
グ装置の実施の形態例の概略的な構成を示す断面図であ
り、上部RF電極を下方向に対して膨らんだようにした場
合である。
【００３６】図1と図3では上部電極41、61の形態が一定
な曲率を有する滑らかな曲面になっているのに対して、
図2と図4では上部電極51、71をなす面と面が一定の角度
を保ちながら合い全体的には膨らんだ又は凹んだ形態を
なす調合面で構成される。
【００３７】図5は本発明のある実施形態例による乾式
エッチング装置のガス分散器81のノズル孔(82a,82b)の
分布を示すものである。
【００３８】図5の拡大図で示されたように、中央部の
ノズル孔82aよりも周辺部のノズル孔82bの設置密度がよ
り高く、ウェーハの周辺部と工程チャンバーの側壁の間
に残余エッチングガスと工程で発生されるガスが継続的
に排出される構成でも、エッチングガスの分圧がウェー
ハの全面にわたって同一な水準をなすように補償するよ
うになる。しかし、他の変数によって中央部のエッチン
グ率を高める必要がある時にはその反対に中央部のノズ
ル孔82aの密度を大きくすることもできる。
【００３９】図6は本発明のある実施形態例による乾式
エッチング装置であり、サセプター92の中央部と周辺部
に面積当たり各々異なるRF電界が印加されるようにそれ
ぞれに別の電源96、97を連結させた状態を示す概略的な
図面である。
【００４０】本実施形態例ではサセプター92の領域を分
割して、異なるRF電源96、97を印加したが、反対に上部
電極11にRF電源を印加しても良く、領域を、同心円を描
くより多くの領域に分割して異なる電源を印加すること
もできる。
【００４１】図7は本発明の一つの実施形態例による乾
式エッチング装置であり、サセプター中央部と周辺部に
別々の密度で冷却用バックサイドヘリウム管が設置され
ている状態を示す概略的な断面図である。
【００４２】図7では図6と同様にサセプター102の領域
を区分して、冷却用バックサイドヘリウム管105の経路
分布を別にして領域別に工程の時、維持される温度を変
えることができるということを示している。
【００４３】以上の具体的な実施形態例では本発明で上
部RF電極の形態によるRF電極の間の間隔を調節するこ
と、ガス分散器のエッチングガス供給用ノズル孔の設置
密度を異なる密度にすること、サセプターや上部電極を
領域別に区分して各々別個のRF電力を印加すること、領
域別に温度を変えることをそれぞれあげているが、これ
らの本発明の特徴は全てウェーハ内のエッチング均一性
を目的にすることである。従って、これらの本発明の特
徴は実際的なプラズマ乾式エッチング装置内でお互い組
み合わされて使用され得る。即ち、一つの要素で調節し
にくい場合、複合的に使用できる。
【００４４】以上で、本発明は記載された具体例に対し
てのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲内で多
様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明
白なことであり、このような変形及び修正したものが、
添付された特許請求の範囲に属することは当然なことで
ある。
【００４５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、高集
積、高精密を要する半導体装置の製造において、ウェー
ハ内でのエッチング率を調節して、エッチング不均一性
による工程不良を減らす効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による乾式エッチング装置の実施例の概
略的な構成を表し、上部RF電極を下方向に対して凹むよ
うにした場合の一例を示す断面図である。
【図２】本発明による乾式エッチング装置の実施例の概
略的な構成を表し、上部RF電極を下方向に対して凹むよ
うにした場合の他の例を示す断面図である。
【図３】本発明による乾式エッチング装置の実施例の概
略的な構成を表し、上部RF電極を下方向に対して膨らむ
ようにした場合の一例を示す断面図である。
【図４】本発明による乾式エッチング装置の実施例の概
略的な構成を表し、上部RF電極を下方向に対して膨らむ
ようにした場合の他の例を示す断面図である。
【図５】本発明の一つの実施例による乾式エッチング装
置における、ガス分散器のノズル孔の分布を示す説明
図。
【図６】本発明の一つの実施例による乾式エッチング装
置でサセプターの中央部と周辺部に別々のRF電源がかか
る状態を示す概略的な断面図である。
【図７】本発明の一つの実施例による乾式エッチング装
置で、サセプターの中央部と周辺部に異なる密度で冷却
用バックサイドヘリウム管が設置されている状態を示す
概略的な断面図である。
【図８】従来のプラズマエッチング装備の工程チャンバ
ーでウェーハが置かれ、高周波電圧が印加される一つの
電極を構成するサセプター及び対向電極の一つの例を概
略的に示した断面図である。
【図９】エッチングチャンバー上段電極をなす従来のエ
ッチングガス分散器に形成された多数のガス分散口の散
布状態を示す図面である。
【図１０】従来のエッチングチャンバー内でウェーハが
置かれるサセプターにRF(Radio Frequency)電源がかか
っている状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１０…工程チャンバー １１，４１，５１，６１，７１…上部電極 １２，９２，１０２…サセプター(下部電極) １３…ウェーハ １４，１５，１０５…バックサイドヘリウム管 １６，９６，９７…ＲＦ(Radio Frequency) 電源 ２１，８１…ガス分散器 ２２，８２ａ，８２ｂ…ノズル孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジュング−キュー リー 大韓民国，ソウル，カングナム−グ，イラ ヲン−ドング，ヒュンダイ アパート 22 −202 (72)発明者 スング−イル キム 大韓民国，ソウル，ヤングチョン−グ，モ ク ６−ドング，シンシカジ アパート 108−504

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェーハが置かれるサセプターと、該サ
    セプターに設置された冷却手段と、ＲＦ電界を印加して
    プラズマを生成させるＲＦ電極とを備えた半導体装置製
    造用乾式エッチング装置において、 前記ＲＦ電極のうち、上部電極の形態を調節して前記Ｒ
    Ｆ電極上下の対向面にわたって電極の間の間隔を部分的
    に異なるようにしたことを特徴とする半導体装置製造用
    乾式エッチング装置。
  2. 【請求項２】 前記上部電極はウェーハの中心を基準に
    放射状の点対称の形態を有することを特徴とする請求項
    １に記載の半導体装置製造用乾式エッチング装置。
  3. 【請求項３】 前記上部電極の形態は一定な曲率を有す
    る、下方に向かう面では凹んだ形態であり、前記ＲＦ電
    極の間の間隔は電極面全体にわたり同一なものであるこ
    とを特徴とする請求項２に記載の半導体装置製造用乾式
    エッチング装置。
  4. 【請求項４】 ウェーハが置かれるサセプターと、該サ
    セプターに設置された冷却手段と、ＲＦ電界を印加して
    プラズマを生成させるＲＦ電極とを備えた半導体装置製
    造用乾式エッチング装置において、 前記ウェーハに対向する面でエッチングガスの単位面積
    当たりの供給量を部分的に相違にしたガス分散器を有す
    ることを特徴とする半導体装置製造用乾式エッチング装
    置。
  5. 【請求項５】 前記ガス分散器は前記ＲＦ電極の上部電
    極と一体をなし、ウェーハ中心を基準に放射状の点対称
    のノズル孔の分布を有することを特徴とする請求項４に
    記載の半導体装置製造用乾式エッチング装置。
  6. 【請求項６】 前記ガス分散器の中央部よりも周辺部の
    ノズル孔設置密度を高めたことを特徴とする請求項５に
    記載の半導体製造用乾式エッチング装置。
  7. 【請求項７】 前記ＲＦ電極のうち、上部電極の形態を
    調節して前記ＲＦ電極の上下の対向面にわたって電極の
    間の間隔を部分的に異なるようにしたことを特徴とする
    請求項４又は５又は６に記載の半導体装置製造用乾式エ
    ッチング装置。
  8. 【請求項８】 ウェーハが置かれるサセプターと、該サ
    セプターに設置された冷却手段と、ＲＦ電界を印加して
    プラズマを生成させるＲＦ電極とを備えた半導体装置製
    造用乾式エッチング装置において、 前記ＲＦ電極のうち、電源が連結される電極の電極面を
    複数個の領域に分け、各領域には印加されるＲＦ電界が
    差別化されるようそれぞれのＲＦ電源を連結したことを
    特徴とする半導体装置製造用乾式エッチング装置。
  9. 【請求項９】 前記電源と連結する電極はサセプターを
    兼ねた下部電極であり、前記領域はウェーハの中心を中
    心とする同心円によって区分されるように構成されてい
    ることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置製造用
    乾式エッチング装置。
  10. 【請求項１０】 前記ＲＦ電極のうち、上部電極の形態
    を調節して前記ＲＦ電極上下の対向面にわたり電極の間
    の間隔を部分的に異なるようにしたことを特徴とする請
    求項８又は９に記載の半導体装置製造用乾式エッチング
    装置。
  11. 【請求項１１】 前記ウェーハに対向する面でエッチン
    グガスを供給するノズル孔の大きさや分布を部分的に異
    なるようにしたガス分散器を有することを特徴とする請
    求項１０に記載の半導体装置製造用乾式エッチング装
    置。
  12. 【請求項１２】 前記ウェーハに対向する面でエッチン
    グガスを供給するノズル孔の大きさや分布を部分的に異
    なるようにしたガス分散器を有することを特徴とする請
    求項８又は９に記載の半導体装置製造用乾式エッチング
    装置。
  13. 【請求項１３】 ウェーハが置かれるサセプターと、該
    サセプターに設置された冷却手段と、ＲＦ電界を印加し
    てプラズマを生成させるＲＦ電極とを備えた半導体装置
    製造用乾式エッチング装置において、 前記サセプターは複数個の領域として分かれ、各領域は
    異なる温度を持つように前記冷却手段の設置分布を異な
    るように構成したことを特徴とする半導体装置製造用乾
    式エッチング装置。
  14. 【請求項１４】 前記冷却手段はヘリウムが流れるヘリ
    ウム管であり、前記ヘリウム管の経路分布を異なるよう
    にして、中心から周辺に分かれる領域毎に温度を異なる
    ようにしたことを特徴とする請求項１３に記載の半導体
    装置製造用乾式エッチング装置。
  15. 【請求項１５】 前記ＲＦ電極のうち、上部電極の形態
    を調節して前記ＲＦ電極上下の対向面にわたり、電極の
    間の間隔を部分的に異なるようにしたことを特徴とする
    請求項１３又は１４に記載の半導体装置製造用乾式エッ
    チング装置。
  16. 【請求項１６】 前記ウェーハに対向する面でエッチン
    グガスを供給するノズル孔の大きさや分布を部分的に異
    なるようにしたガス分散器を有することを特徴とする請
    求項１５に記載の半導体装置製造用乾式エッチング装
    置。
  17. 【請求項１７】 前記ＲＦ電極のうち、電源が連結され
    る電極の電極面を複数個の領域に分け、各領域には印加
    されるＲＦ電界が差別化されるようそれぞれのＲＦ電源
    を連結したことを特徴とする請求項１６に記載の半導体
    装置製造用乾式エッチング装置。
  18. 【請求項１８】 前記ウェーハに対向する面でエッチン
    グガスを供給するノズル孔の大きさや分布を部分的に異
    なるようにしたガス分散器を有することを特徴とする請
    求項１３又は１４に記載の半導体装置製造用乾式エッチ
    ング装置。
  19. 【請求項１９】 前記ＲＦ電極のうち、電源が連結され
    る電極の電極面を複数個の領域に分け、各領域には印加
    されるＲＦ電界が差別化されるようそれぞれのＲＦ電源
    を連結したことを特徴とする請求項１８に記載の半導体
    装置製造用乾式エッチング装置。
  20. 【請求項２０】 前記ＲＦ電極のうち、電源が連結され
    る電極の電極面を複数個の領域に分け、各領域には印加
    されるＲＦ電界が差別化されるようにそれぞれのＲＦ電
    源を連結したことを特徴とする請求項１３又は１４に記
    載の半導体装置製造用乾式エッチング装置。
JP27761997A 1996-12-24 1997-10-09 半導体装置製造用乾式エッチング装置 Expired - Fee Related JP3401508B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR96-70899 1996-12-24
KR1019960070899A KR100252210B1 (ko) 1996-12-24 1996-12-24 반도체장치 제조용 건식식각장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10189538A true JPH10189538A (ja) 1998-07-21
JP3401508B2 JP3401508B2 (ja) 2003-04-28

Family

ID=19490524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27761997A Expired - Fee Related JP3401508B2 (ja) 1996-12-24 1997-10-09 半導体装置製造用乾式エッチング装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5990016A (ja)
JP (1) JP3401508B2 (ja)
KR (1) KR100252210B1 (ja)
TW (1) TW455943B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128446A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Ulvac Japan Ltd プラズマｃｖｄ方法及び装置
JP2007059306A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法および装置
US7446048B2 (en) 2004-01-30 2008-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dry etching apparatus and dry etching method

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3341619B2 (ja) * 1997-03-04 2002-11-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR100279963B1 (ko) * 1997-12-30 2001-04-02 윤종용 반도체소자제조용가스디퓨져및이를설치한반응로
JP4625183B2 (ja) 1998-11-20 2011-02-02 ステアーグ アール ティ ピー システムズ インコーポレイテッド 半導体ウェハのための急速加熱及び冷却装置
JP3595853B2 (ja) * 1999-03-18 2004-12-02 日本エー・エス・エム株式会社 プラズマｃｖｄ成膜装置
US6635580B1 (en) * 1999-04-01 2003-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Apparatus and method for controlling wafer temperature in a plasma etcher
US6228438B1 (en) * 1999-08-10 2001-05-08 Unakis Balzers Aktiengesellschaft Plasma reactor for the treatment of large size substrates
US20040011468A1 (en) * 2000-05-30 2004-01-22 Jun Hirose Gas introduction system for temperature adjustment of object to be processed
US6391787B1 (en) * 2000-10-13 2002-05-21 Lam Research Corporation Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
JP2002134484A (ja) 2000-10-19 2002-05-10 Asm Japan Kk 半導体基板保持装置
JP4137419B2 (ja) * 2001-09-28 2008-08-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3865695B2 (ja) * 2002-07-16 2007-01-10 沖電気工業株式会社 エッチング装置の電極部劣化防止機構、エッチング装置、エッチング装置の電極部劣化防止方法及びエッチング方法
DE10340147B4 (de) * 2002-08-27 2014-04-10 Kyocera Corp. Trockenätzverfahren und Trockenätzvorrichtung
US7556741B2 (en) * 2002-08-28 2009-07-07 Kyocera Corporation Method for producing a solar cell
US7459098B2 (en) * 2002-08-28 2008-12-02 Kyocera Corporation Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein
US6937064B1 (en) * 2002-10-24 2005-08-30 Altera Corporation Versatile logic element and logic array block
US7316761B2 (en) * 2003-02-03 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for uniformly etching a dielectric layer
US6794302B1 (en) * 2003-03-20 2004-09-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Dynamic feed forward temperature control to achieve CD etching uniformity
KR100500470B1 (ko) * 2003-03-31 2005-07-12 삼성전자주식회사 고주파 파워를 이용하는 반도체소자 제조설비의 공정가스공급장치와 공정가스 공급시스템 및 그 방법
KR20050013734A (ko) * 2003-07-29 2005-02-05 삼성전자주식회사 플라즈마 식각장치
US7785672B2 (en) * 2004-04-20 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films
US20050233092A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Applied Materials, Inc. Method of controlling the uniformity of PECVD-deposited thin films
US8083853B2 (en) 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US8328939B2 (en) 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
US20060005771A1 (en) * 2004-07-12 2006-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of shaping profiles of large-area PECVD electrodes
US8074599B2 (en) 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
US20060054090A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-16 Applied Materials, Inc. PECVD susceptor support construction
US7429410B2 (en) * 2004-09-20 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
US7686971B2 (en) * 2004-11-24 2010-03-30 Panasonic Corporation Plasma processing apparatus and method
KR100880540B1 (ko) * 2004-12-08 2009-02-02 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
KR100677039B1 (ko) * 2004-12-22 2007-01-31 동부일렉트로닉스 주식회사 건식 식각 방법
US7560144B2 (en) * 2005-03-22 2009-07-14 Asm Japan K.K. Method of stabilizing film quality of low-dielectric constant film
FR2884044A1 (fr) * 2005-04-01 2006-10-06 St Microelectronics Sa Reacteur de depot et procede de determination de son diffuseur
US7588668B2 (en) 2005-09-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers
US20070056845A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Multiple zone sputtering target created through conductive and insulation bonding
KR100703563B1 (ko) * 2005-12-28 2007-04-03 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 층간절연층 식각방법
KR101340768B1 (ko) * 2006-10-09 2013-12-11 엘지디스플레이 주식회사 식각 장치, 그 동작 방법 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법
US7541290B2 (en) 2007-03-08 2009-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming mask patterns on semiconductor wafers that compensate for nonuniform center-to-edge etch rates during photolithographic processing
US8435379B2 (en) * 2007-05-08 2013-05-07 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods
US20080299326A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Asm Japan K.K. Plasma cvd apparatus having non-metal susceptor
US20080317973A1 (en) 2007-06-22 2008-12-25 White John M Diffuser support
US20090221149A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-03 Hammond Iv Edward P Multiple port gas injection system utilized in a semiconductor processing system
US8066895B2 (en) * 2008-02-28 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Method to control uniformity using tri-zone showerhead
US20090302002A1 (en) * 2008-02-29 2009-12-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing polymer from a substrate
US8097082B2 (en) * 2008-04-28 2012-01-17 Applied Materials, Inc. Nonplanar faceplate for a plasma processing chamber
US20090277874A1 (en) * 2008-05-09 2009-11-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing polymer from a substrate
KR101293434B1 (ko) * 2008-12-02 2013-08-05 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 플라즈마 처리 장치용 부재 및 그의 제조방법
US20120135609A1 (en) * 2010-11-30 2012-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20120298302A1 (en) * 2011-05-23 2012-11-29 Yaomin Xia Vacuum plasma pprocessing chamber with a wafer chuck facing downward above the plasma
US20140299273A1 (en) * 2013-04-08 2014-10-09 Lam Research Corporation Multi-segment electrode assembly and methods therefor
KR102161873B1 (ko) * 2014-05-09 2020-10-06 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판의 플라즈마 처리 방법 및 장치
KR102361377B1 (ko) 2017-06-27 2022-02-10 캐논 아네르바 가부시키가이샤 플라스마 처리 장치
TWI693860B (zh) 2017-06-27 2020-05-11 日商佳能安內華股份有限公司 電漿處理裝置
CN110800378B (zh) * 2017-06-27 2021-12-28 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置
WO2019003309A1 (ja) 2017-06-27 2019-01-03 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
PL3648550T3 (pl) 2017-06-27 2021-11-22 Canon Anelva Corporation Urządzenie do przetwarzania plazmowego
US20190244793A1 (en) * 2018-02-05 2019-08-08 Lam Research Corporation Tapered upper electrode for uniformity control in plasma processing
WO2020003557A1 (ja) 2018-06-26 2020-01-02 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、プログラムおよびメモリ媒体
CN111952226B (zh) * 2019-05-16 2024-03-26 华景电通股份有限公司 晶圆载具监控系统及其监控方法
US11664184B2 (en) * 2019-07-09 2023-05-30 Varex Imaging Corporation Electron gun driver
US11754510B2 (en) 2021-10-14 2023-09-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Inspection system of semiconductor wafer and method of driving the same

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4230515A (en) * 1978-07-27 1980-10-28 Davis & Wilder, Inc. Plasma etching apparatus
US4297162A (en) * 1979-10-17 1981-10-27 Texas Instruments Incorporated Plasma etching using improved electrode
JPS62277730A (ja) * 1986-05-26 1987-12-02 Nec Corp 半導体製造装置
KR0129663B1 (ko) * 1988-01-20 1998-04-06 고다까 토시오 에칭 장치 및 방법
JPH0314228A (ja) * 1989-06-13 1991-01-22 Nec Corp プラズマ処理装置
US5254170A (en) * 1989-08-07 1993-10-19 Asm Vt, Inc. Enhanced vertical thermal reactor system
JPH0637051A (ja) * 1992-07-15 1994-02-10 Tokyo Electron Ltd プラズマ装置
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
DE69323716T2 (de) * 1993-01-28 1999-08-19 Applied Materials Inc Verfahren zur CVD-Beschichtung einer Mehrschichtstruktur in einer einzigen Kammer
US5439524A (en) * 1993-04-05 1995-08-08 Vlsi Technology, Inc. Plasma processing apparatus
US5614055A (en) * 1993-08-27 1997-03-25 Applied Materials, Inc. High density plasma CVD and etching reactor
US5628869A (en) * 1994-05-09 1997-05-13 Lsi Logic Corporation Plasma enhanced chemical vapor reactor with shaped electrodes
DE69506619T2 (de) * 1994-06-02 1999-07-15 Applied Materials Inc Induktiv gekoppelter Plasmareaktor mit einer Elektrode zur Erleichterung der Plasmazündung
US5556521A (en) * 1995-03-24 1996-09-17 Sony Corporation Sputter etching apparatus with plasma source having a dielectric pocket and contoured plasma source
US5565074A (en) * 1995-07-27 1996-10-15 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with a segmented balanced electrode for sputtering process materials from a target surface

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7446048B2 (en) 2004-01-30 2008-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dry etching apparatus and dry etching method
JP2006128446A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Ulvac Japan Ltd プラズマｃｖｄ方法及び装置
JP2007059306A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法および装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100252210B1 (ko) 2000-04-15
JP3401508B2 (ja) 2003-04-28
TW455943B (en) 2001-09-21
US5990016A (en) 1999-11-23
KR19980051972A (ko) 1998-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10189538A (ja) 半導体装置製造用乾式エッチング装置
KR102455673B1 (ko) 포커스 링 및 기판 처리 장치
KR101094982B1 (ko) 플라즈마 에칭 처리 장치 및 플라즈마 에칭 처리 방법
JP3162880U (ja) センタリング機能を備えるシャワーヘッド電極
US8097120B2 (en) Process tuning gas injection from the substrate edge
JP5268626B2 (ja) プラズマ処理装置
US20090218317A1 (en) Method to control uniformity using tri-zone showerhead
US7718007B2 (en) Substrate supporting member and substrate processing apparatus
KR100735937B1 (ko) 기판 유지 부재 및 기판 처리 장치
US6963043B2 (en) Asymmetrical focus ring
JP2927211B2 (ja) ウェーハ処理装置
US20220148894A1 (en) Multi-zone semiconductor substrate supports
US20180182635A1 (en) Focus ring and substrate processing apparatus
JP2018014492A (ja) アーク放電および点火を防ぎプロセスの均一性を向上させるための特徴を有する静電チャック
JP4433614B2 (ja) エッチング装置
JP2002246368A (ja) ウェハー表面径方向均一プラズマを用いるウェハー処理システム
KR20080011626A (ko) 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
JP2007067037A (ja) 真空処理装置
KR102441447B1 (ko) 증가하는 면적 밀도를 갖는 기판 지지부 및 대응하는 제조 방법
JPH11330219A (ja) 静電吸着装置
TW202142724A (zh) 雙面沈積設備及方法
KR20010039218A (ko) 반도체 웨이퍼 식각방법 및 그 장치
US20050022934A1 (en) Plasma etching apparatus
JP2022171027A (ja) 基板支持部及び処理装置
JP2002009049A (ja) プラズマ処理方法及びこれを用いたプラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080221

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees