JPH10168431A - 平坦化のための研磨工程およびスラリ - Google Patents

平坦化のための研磨工程およびスラリ

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JPH10168431A JP31509397A JP31509397A JPH10168431A JP H10168431 A JPH10168431 A JP H10168431A JP 31509397 A JP31509397 A JP 31509397A JP 31509397 A JP31509397 A JP 31509397A JP H10168431 A JPH10168431 A JP H10168431A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロエレクトロニクス産業において、従
来より著しく高度の平坦化を達成する。 【解決手段】 研磨剤粒子を含有し、垂直応力効果を示
すスラリを用いて研磨する。スラリは非研磨粒子も含有
し、凹部での研磨速度が低下するのに対し、凸部では研
磨剤粒子が研磨速度を高く維持する。 【効果】 これにより平坦化が改善される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はスラリ組成物に関す
るものである。このスラリ組成物は、研磨、特にマイク
ロエレクトロニクス産業における表面の平坦化に有用で
ある。本発明はまた、鏡およびレンズの凸面および凹面
など、フィーチャの大きさに対して曲率半径の大きい、
または研磨される表面の変動を有する、平坦化されてい
ない表面の研磨にきわめて有用である。本発明によれ
ば、従来可能であったものより著しく高度の平坦化が達
成される。本発明はまた、スクラッチを生じることな
く、硬度の高い研磨パッドの使用を可能にする。
【0002】
【従来の技術】歴史的には、研磨の目的はスクラッチが
なければ平坦な表面からスクラッチを除去することにあ
る。鋭いピークにおける研磨速度は、ピークに応力が集
中するため、凹部における研磨速度より高い。このため
に自動的にピークが除去されることになる。
【0003】上記に反して、マイクロエレクトロニクス
産業における研磨の目的は、スクラッチのない表面を平
坦化することにある。表面の形状は、大規模で考えた場
合、ほとんどの付着工程のコンフォーマルな本質によっ
て、広い谷に隣接した広い平坦部を有することが多い。
広い平坦部には応力が著しく集中することがないので、
広い谷より速く研磨されない。したがって、平坦化を達
成するには不十分であり、最初の表面形状(段差)は、
限られた範囲しか平坦化されない。
【0004】フィーチャの幅が広くなるほど、平坦化は
困難になる。軟質のパッドは硬質のパッドよりコンフォ
ーマルであるため、軟質のパッドを使用したのでは平坦
化の可能性はほとんどない。硬質(剛性)のパッドは、
平坦化の見地からは軟質のパッドよりは好ましいが、コ
ンフォーマル度は減少してもなくなることはないので、
依然問題はなくならない。さらに、硬質のパッドは、研
磨材または研磨用砕片によりスクラッチを起こさせ、こ
れらのスクラッチがさらに欠点の原因となるため、許容
できない。
【0005】平坦化の必要条件はSiO2の浅いトレン
チによる分離(STI)アプリケーションでもっとも厳
しい。これは、このフィーチャが基本であり、これに続
く各層がこの表面形状の非平坦性を複製するためであ
る。真に平坦化する研磨法がないため、現在では谷の部
分を平坦部の高さまで上げる「ダミー構造」または「研
磨ストップ」を付着させることによりこの問題を解決し
ている。このためには、余分な設計努力、余分なパター
ン形成、余分な付着、反応性イオン・エッチング、およ
び研磨工程を必要とする。これらの高価な付帯的工程の
数は6工程に及ぶが、もし元の研磨工程による平坦化が
十分であれば、1工程で十分となるであろう。
【0006】酸化物の平坦化に関しては、酸化物の研磨
は金属の研磨より平坦化度が低いという事実を認識する
ことが重要である。レベル間の誘電体については、酸化
物の初期厚さを増大させれば、増大した量を除去するこ
とによって平坦化が改善されるため、この問題は少なく
なる。この方法により平坦化の費用は増大するが、平坦
化の程度は依然として大規模集積回路には十分に良好で
あるとはいえない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、凸部
(平坦部)における研磨速度が凹部(谷)より著しく速
く、したがって従来可能であったものより平坦化度が著
しく大きい平坦化の方法を提供することにある。本発明
はまた、スクラッチの原因となる研磨用破砕をコーティ
ングすることにより、スクラッチを生じることなくこれ
までより硬いパッドを使用することができる。
【0008】
【課題を解決するための手段】さらに詳細には、本発明
は研磨剤粒子を含有し、垂直応力効果を有する研磨用ス
ラリに関するものである。本発明のスラリ組成物は、懸
濁した粒子の一部として、研磨作用および垂直応力効果
が減少した粒子、たとえばパターン上のくぼみに侵入し
て、その部分の研磨速度を減少させる粒子を含有する。
これは、研磨剤粒子および高分子電解質を含有するスラ
リにより達成される。高分子電解質は研磨剤粒子の一部
に吸着し、くぼみにおける研磨速度を減少させる垂直応
力効果を示す。高分子電解質の濃度は、研磨剤粒子の重
量に対して約5ないし50%である。
【0009】代替実施例によれば、研磨用スラリは研磨
剤粒子と水に不溶性の高分子の粒子を含有する。さらに
他の実施例は、研磨剤粒子と界面活性剤のミセルを含有
する研磨用スラリに関するものである。
【0010】本発明はまた、表面の平坦化に関するもの
である。この方法は、平坦化すべき表面上に上述のスラ
リを供給することを含む。次に表面を研磨パッド、好ま
しくはプラテンおよびキャリアの回転速度を高くするこ
とにより、スラリのせん断速度を高めるじん性の高い研
磨パッドに接触させることにより平坦化させる。
【0011】本発明はまた、鏡およびレンズの凸面およ
び凹面など、フィーチャの大きさ、すなわち、研磨され
る表面の変動に対して曲率半径の大きい、平坦化されて
いない表面の研磨に使用することができる。重合体粒子
がくぼみに侵入する(さらにその部分の研磨速度を減少
させ、顕微鏡規模での平坦化を行う)垂直応力効果の成
分を利用することに加えて、垂直応力効果の他の点、す
なわち高分子の粒子は、研磨されている表面の中央に向
かって横方向に移行する傾向があることを、たとえば湾
曲を減少させるなどの、表面の巨視的な形状形成にも利
用することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明によれば、研磨剤粒子を含
有し、垂直応力効果を示す研磨用スラリが提供される。
ある種の非ニュートン重合体溶液および重合体流体の非
線形弾性は、せん断の方向に垂直に生じる垂直応力差の
発生を示す。この効果を説明するため、2枚の剛性の平
行ディスク間のねじり流動により研磨する状態を近似さ
せ、円筒状座標系、z、θ、r(図1)を使用すること
ができる。ここで、z=0におけるディスクの角速度は
Ω0、z=dにおける他のディスクの角速度はΩd、ΔΩ
=Ωd−Ω0=0とする。
【0013】せん断速度X=rΔΩ/dであり、rはデ
ィスクの中心からの半径方向の距離である。せん断応力
zr=Tθr=0、Tzθ=τ(X)である。ここで特に
重要なことは、第1の垂直応力差、Tzz−Trr=σ
1(X)である。
【0014】第1の垂直応力差により、流体が2枚の回
転板の間を放射状に内側に向かって流れ、回転板を分離
する傾向が生じる。上側のディスクに複数の穴をあけ、
この穴に毛細管を通すと、流体が毛細管を上昇する。こ
のことを図2に示す。せん断速度が高いほど、σ
1(X)が大きくなることに注目することが重要であ
る。重合体溶液については、σ(X)はτ(X)より大
きいことがあるが、ニュートン流体ではσ1 0であ
る。
【0015】従来の技術で使用された研磨用スラリは、
研磨剤粒子の水性懸濁液で、ニュートン流動を示す。す
なわち第1の垂直応力が0である。しかし、このような
スラリに本発明による、それ自体が溶液中で垂直応力効
果を示し、研磨剤粒子に吸着する高分子電解質を添加す
ることにより、非ニュートン流動を示すようになる。こ
の高分子電解質は、研磨剤粒子にも同様の挙動を与え
る。高分子電解質は、重合体分子鎖と官能基を含有し、
これらは電子の移動により、電荷の異なる表面に化学吸
着する。研磨剤粒子の表面に高度に吸引されたポリイオ
ンは、ラングミュア型の吸着挙動を示し、重合体は「単
分子層」による被覆が達成されるまで、研磨剤粒子の表
面上に平滑に付着する。もちろん、ポリイオンは工作物
(ウエーハ)の表面上にも単分子層の形状で吸着する。
【0016】本発明の発明者が重合体をコーティングし
た研磨剤粒子に関して認識した点には、下記のようなも
のがある。 1.これらの粒子による研磨作用は大幅に減少し、研磨
速度が低下する。 2.重合体をコーティングした研磨剤粒子は、重合体高
分子として作用し、せん断の方向に垂直な凹部空間を上
昇する(図2参照)。
【0017】一方、本発明の発明者がコーティングしな
い研磨剤粒子に関して認識した点には、下記のようなも
のがある。 1.研磨速度はコーティングしない研磨剤粒子の容量濃
度に依存する。 2.コーティングしない粒子は、せん断の方向に垂直な
凹部空間を上昇しない。
【0018】これらの観察を平坦化の達成に利用するた
め、研磨剤懸濁液中の高分子電解質の量は、粒子の一部
が高分子電解質でコーティングされ、粒子の他の部分が
コーティングされないような量とする。さらに、コーテ
ィングされた研磨剤粒子とコーティングされない研磨剤
粒子の両方を含有するスラリに関して本発明の発明者が
認識した点には、下記のようなものがある。 1.垂直応力効果は、コーティングされた粒子とコーテ
ィングされない粒子を分離する。コーティングされた粒
子はパターンの凹部(谷)を上昇して蓄積するのに対し
て、コーティングされない粒子は、図3に示すように、
スラリの下部、すなわちパターンの凸部(平坦部)に残
留する。図3では、1はコーティングされた粒子、2は
コーティングされない粒子を示す。平坦化すべき表面
は、研磨パッド上に上下反対に置かれる。 2.重合体をコーティングした粒子はパターンの凹部に
蓄積して、これらは研磨作用をほとんど行わないため、
凹部における研磨速度は非常に遅い。 3.コーティングされない粒子はパターンの凸部、すな
わち平坦部に蓄積して、これらは研磨作用が減少しない
ため、ここでは研磨速度は速い。 4.凸部における研磨速度が速く、凹部(谷)における
研磨速度が遅いことにより、図4に示すように平坦化が
行われる。図4で、点線は研磨前の断面形状を表し、実
線は研磨後の断面形状を表す。
【0019】また、本発明の好ましい態様によれば、研
磨パッドは下記の性質を有するものでなければならな
い。 1.研磨パッドは剛性を有し、パターン凹部の形状に完
全に変形しないことが好ましい。これは、変形した場
合、コーティングされた研磨剤粒子とコーティングされ
ない粒子を分離する余地がないためである。剛性が好ま
しいため、より硬いパッドの使用が必要となる。より硬
いパッドは、研磨用砕片によるスクラッチを生じる傾向
がある。この問題は、研磨材粒子の一部をコーティング
し、研磨用砕片の分散剤としても機能する高分子電解質
の使用により解決する。研磨用砕片を分散させると、ス
クラッチの発生が防止され、より硬いパッドを使用する
ことができる。本発明による「より硬いパッド」とは、
従来のスラリに対して平坦化比が3より大きいものをい
う。ここで平坦化比とは、最初の段差の高さを最後の
(研磨後の)段差の高さで割ったものをいう。したがっ
て、本発明に使用するのに適した「より硬いパッド」
は、本開示に注目すれば、必要以上に実験を行わなくて
も当業者は容易に決定することができる。 2.研磨パッドは平坦で、突起のないもことが好まし
い。突起があると、コーティングされた粒子がそこに蓄
積して、平坦化すべきウエーハ上のパターンの凹部にあ
る粒子の数が減少する。
【0020】スラリは、研磨剤粒子と高分子電解質を含
有することが好ましい。電解質は研磨剤粒子に付随する
イオン性電荷と異なるイオン性電荷を有する。たとえ
ば、研磨剤粒子に付随するイオン性電荷が陰イオン性
(すなわち負)の場合は、高分子電解質は陽イオン性で
あり、研磨剤粒子に付随するイオン性電荷が陽イオン性
の場合は、高分子電解質は陰イオン性である。研磨剤粒
子に付随するイオン性電荷が中性の場合は、高分子電解
質は陰イオン性でも陽イオン性でもよい。
【0021】高分子電解質とは、ポリイオンを含有し、
多数のイオン化可能な基を有する高分子物質をいう。高
分子電解質の電気的中性を保つため、ポリイオンの電荷
は反対の電荷を有するイオン、代表的にはH+またはN
a+などの低分子量のイオンで相殺されなければならな
い。ほとんどの帯電しない重合体と異なり、高分子電解
質は、通常水などの極性溶媒に可溶である。水溶液中で
のプロトン化平衡に関しては、高分子酸、高分子塩基と
して分類され、酸性基と塩基性基の両方が存在する場合
は高分子両性物質と分類される。
【0022】高分子電解質は、スラリに垂直応力効果を
与える。溶液中では、高分子電解質は垂直応力効果を示
し、研磨剤粒子に吸着されると粒子に同様の挙動を与え
る。これは、垂直応力効果を示さない従来のスラリと異
なる点である。
【0023】本発明によれば、平坦化を達成するために
は、研磨剤懸濁液中の高分子電解質の量は、粒子の一部
が高分子電解質でコーティングされ、粒子の他の部分が
コーティングされないまま残存するような量とする。こ
のためには、高分子電解質の量はスラリ中の研磨剤粒子
の重量に対して約5ないし約50重量%、好ましくは約
15ないし約30重量%、最も好ましくは約20重量%
である。これらの比は、研磨剤粒子と高分子電解質の相
対的大きさにもある程度依存する。
【0024】ポリイオンを研磨剤粒子に結合させるイオ
ン化可能な、またはアンカー作用を有する基には次のよ
うなものがある。 1.たとえばポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリ
メチルメタクリル酸、ポリマレイン酸、飽和または不飽
和のポリカルボン酸に存在するカルボキシル基などの酸
性基。重合体に取り込まれたリン酸基またはスルホン酸
基も、酸性官能基として機能する。 2.アミノ、アミド、イミド、ビニルピリジン、ピペリ
ジン、およびピペラジン誘導体を有する重合体などの、
窒素含有基を有する塩基性基。
【0025】ポリイオンが研磨剤粒子の表面への高い結
合エネルギーを有するためには、ポリイオンが高い帯電
エネルギーを有することが望ましい。電解質を添加する
と、たとえばポリアクリル酸のような弱い高分子酸の強
度を増大させ、したがって研磨剤粒子への吸着を増大さ
せる。たとえば、図2参照。
【0026】高分子電解質が研磨剤表面への高い結合エ
ネルギーを有するため、塩基性の性質を有する研磨剤を
コーティングするには高分子酸を使用すべきである。た
とえば、アルミナ研磨剤にはポリアクリル酸を使用す
る。一方、酸性の性質を有する研磨剤をコーティングす
るには高分子塩基を使用すべきである。たとえば、シリ
カ研磨剤にはポリエチレンイミンを使用する。ジルコニ
ア、セリアなどの中性に近い性質を有する研磨剤は、酸
性ポリイオン、塩基性ポリイオン、または高分子両性物
質のいずれをコーティングしてもよい。
【0027】本発明に適したいくつかのイオン化可能な
鎖状分子を示す。平坦化用スラリに使用されるいくつか
のイオン化可能な鎖状分子の例ポリアクリル酸
【化1】 ポリメタクリル酸
【化2】 ポリビニルスルホン酸
【化3】 アクリル酸マレイン酸共重合体
【化4】 ポリビニルアミン
【化5】 ポリエチレンイミン
【化6】 ポリ4−ビニルピリジン
【化7】
【0028】特に、高分子電解質添加剤では、高分子電
解質の好ましい分子量範囲である500ないし10,0
00となるように、nすなわち単量体単位の繰り返し数
は、5ないし200の範囲が好ましい。
【0029】マイクロエレクトロニクス産業で、ほとん
どすべての酸化物による研磨には、pHがアルカリ性領
域のコロイド状シリカスラリを適用している。本発明に
よれば、平坦化ポリイオン添加剤は、アミノ、アミド、
イミド、ビニルピリジン、ピペリジン、およびピペラジ
ン誘導体を有する重合体などの、窒素含有基を有するこ
とが好ましい。最も好ましい添加剤は、分子量が約2,
000のポリエチレンイミンである。平坦化スラリのp
Hは9ないし11とすべきである。コロイド状シリカ研
磨スラリは、シリカ粒子と脱イオン水からなるため、平
坦化用スラリの調製は、水性シリカスラリを所期の固形
濃度になるように希釈し、必要量のポリエチレンイミン
水溶液を添加し、使用前に少なくとも1時間撹拌して吸
着平衡を確立することにより行う。これらの平坦化用ス
ラリとともに、穴または凹部パターンのない硬質研磨パ
ッドを使用することが好ましい。
【0030】ZrO2およびCeO2研磨剤も、SiO2
の研磨に使用することができる。これらの等電点は中性
に近いため、酸性ポリイオンも塩基性ポリイオンもこれ
らに吸着され、したがってポリアクリル酸もポリエチレ
ンイミンもジルコニアおよびセリア・スラリの平坦化添
加剤として機能する。同様に有用なものは、ポリアミノ
酸やポリアクリル酸アンモニウムなど、その構造中に窒
素含有基およびカルボキシル基の両方を有する高分子電
解質である。これらの添加剤の分子量は、500ないし
10,000の範囲が好ましい。これらの平坦化用スラ
リとともに、穴または凹部パターンのない硬質研磨パッ
ドを使用することが好ましい。
【0031】金属の平坦化分野では、本発明の最も重要
な適用分野はアルミニウムおよびアルミニウム合金の平
坦化である。工程の例の詳細は、実施例の項で示す。
【0032】タングステンの平坦化の場合、通常スラリ
はアルミナ研磨剤と硝酸第二鉄酸化剤を含有する。本発
明によれば、ポリアクリル酸など、カルボキシル基を含
有する高分子電解質を用いることが好ましい。ポリイオ
ン添加剤は平坦化を改善し、このような研磨工程に見ら
れるような酸化物のスクラッチを防止する。
【0033】銅の平坦化の場合、通常アルミナ・スラリ
および酸性酸化剤を使用する。本発明によれば、ポリア
クリル酸、ポリメタクリル酸、ポリマレイン酸など、カ
ルボキシル基を含有する高分子電解質を用いることが好
ましい。ポリイオン添加剤は平坦化を改善し、硬質のパ
ッドによるスクラッチを防止する。
【0034】研磨剤粒子の一部をコーティングする高分
子電解質の他に、スラリは研磨用砕片を分散させる分散
剤を含有し、これによりスクラッチの発生を防止し、よ
り硬い研磨パッドの使用を可能にすることが好ましい。
電荷密度が高い低分子量ポリイオンは研磨用砕片の分散
剤として機能するため、適切な高分子電解質を選択すれ
ば、これは両方の機能を行うことができる。特に、高分
子電解質添加剤では、高分子電解質の分子量範囲が50
0ないし10,000、好ましくは約1,000ないし
約5,000、最も好ましくは約2,000となるよう
に、nすなわち単量体単位の繰り返し数は、5ないし2
00の範囲が好ましい。万一高分子電解質が分散剤とし
て機能しない場合は、スラリは非晶質ポリリン酸塩、ア
クリルアミド重合体、ポリマレイン酸塩、タンニン、リ
グニン、アルギン酸塩などの従来の分散剤を含有させる
ことができる。
【0035】本出願の実施例に示すように、従来の研磨
剤粒子と複数の原子価を持つ(dual-valent)希土類イ
オン、または希土類イオンの原子価がこれより高い希土
類イオンのコロイド状水酸化物の懸濁液を含有する研磨
用スラリとともに、使用する研磨剤粒子は、従来から使
用されているものが含まれる。いくつかの適当な希土類
の例は、Ce4+、Pr4+、Tb4+、またはCe(OH)
4など、これらのコロイド状水酸化物の懸濁液である。
複数の原子価を持つ希土類または希土類の水酸化物は、
酸化触媒、およびスラリ中のOHイオン源として機能す
る。
【0036】共出願の米国特許出願第08/756,3
61号(FI−996−106)明細書に開示されてい
るような複数の原子価を持つ希土類が、研磨スラリの一
部とすることができる。
【0037】適当な研磨剤粒子の例には、アルミナ、セ
リア、シリカ、およびジルコニアがある。研磨剤は通
常、粒径が約30ないし約200nm、好ましくは約7
5ないし約100nmである。
【0038】高分子電解質を含有するスラリ組成物は、
すでに研磨剤粒子を含有するスラリに高分子電解質を添
加して調製することが好ましく、これにより、研磨剤粒
子の一部が「その場で」コーティングされる。代替方法
によれば、研磨剤粒子の一部をプリコートした後、コー
ティングされていない残りの研磨剤粒子を含有するスラ
リと混合する。さらに、研磨剤粒子の一部を前処理し
て、スラリからの高分子電解質を吸着しやすくすること
が望ましい。たとえば、複数の原子価を持つ希土類元素
のうち、高い原子価のものの塩、または硝酸第二鉄な
ど、他の酸化剤がこの目的に適している。
【0039】代替実施例によれば、水に不溶性の重合体
を、高分子電解質をコーティングした研磨剤粒子の代わ
りに、またはこれに加えて、非研磨粒子として使用する
ことができる。適当な剛性有機重合体には、ポリスチレ
ン、ブタジエンゴム、および水に分散する粉末ポリウレ
タンなどがある。これらの重合体は、形態が1μm未満
の粉末粒子である。必要があれば、重合体粒子をラウリ
ル硫酸ナトリウムなどの界面活性剤で処理して、親水性
にしてもよい。
【0040】使用する場合、重合体粒子は通常、スラリ
中の研磨剤粒子の重量に対して、約5ないし約50重量
%、さらに代表的には約15ないし約30重量%、好ま
しくは約20重量%含有する。
【0041】さらに他の実施例では、界面活性剤のミセ
ルを高分子電解質をコーティングした研磨剤粒子の代わ
りに非研磨粒子として使用することができる。臨界ミセ
ル濃度(CMC)を超える濃度の界面活性剤分子または
イオンは、ミセルと称する凝集体に会合する。水溶液中
のミセルにおける界面活性剤の配向は、親水性の分子ま
たはイオンが水に露出するような向きである。ミセルは
球形であることが多く、凝集数は20ないし100であ
る。たとえばアルミナ・スラリに使用されるためには、
ラウリル硫酸ナトリウム界面活性剤を、CMCを超える
濃度、代表的には約0.1ないし約2重量%、好ましく
は少なくとも約0.25重量%で使用する。もちろん、
界面活性剤は必要に応じて、陽イオン性でも、陰イオン
性でも、非イオン性でもよい。界面活性剤の濃度は、研
摩剤の濃度に依存しない。
【0042】必要があれば、上記の2種類以上の非研磨
粒子を混合して使用することもできる。
【0043】スラリは水性スラリが好ましいが、ポリシ
ロキサン流体、セタンに溶解したポリイソブチレンなど
の非水ベースのスラリ、または水性スラリと非水性スラ
リの混合物も本発明に含まれる。
【0044】研磨および平坦化のパラメータは、本開示
に注目すれば、必要以上に実験を行わなくても当業者は
容易に決定することができる。たとえば、研磨パッドお
よびウエーハの回転速度は、毎分約10ないし約150
回転、圧力は約0.14ないし約0.7kgf/cm2
(約2ないし約10psi)である。ウエーハの直径は
100ないし300mmの範囲とすることができる。鏡
またはレンズを研磨する場合は、最低限に近い速度を通
常使用する。これは、非研磨粒子の増量および(また
は)低圧を使用することによって達成される。
【0045】
【実施例】下記の非制限の例は、本発明をさらに詳細に
説明するためのものである。
【0046】比較例1 磁気撹拌装置を有する容器に、脱イオン水約4リットル
を入れた後、粒径のピークが75nm、固形分が6重量
%のコロイド状アルミナの水性スラリ約1リットルを入
れる。(NH42Ce(NO36約21gを脱イオン水
約1リットルに溶解して上記容器に加える。次に、スラ
リを少なくとも20分撹拌すると、アルミナ含有量1重
量%のスラリ約6リットルが生成する。セリア塩は酸化
剤として機能する。
【0047】研磨すべきウエーハは、100μm×10
0μmの寸法で、エッチング深さ0.8μmのワイヤ・
ボンディング用パッドを有する。研磨前の表面の断面形
状は、表面上に0.8μmの段差を示し、完全にコンフ
ォーマルに付着していることを示す。これらは平坦化す
る必要のある段差である。
【0048】より硬いパッドを使用すると、アルミニウ
ム皮膜を傷つける「黒い砕片」を生成するため、軟質ポ
リウレタン・パッド、ローデル・コーポレーション(Ro
delCorporation)のポリテックス(PolytexTM)を使用
する。他のメタライゼーション・レベルにスクラッチが
生じると、収率が減少する。
【0049】Al0.5重量%を含有する厚さ1.1μ
mのCu合金皮膜を、ウェステク(Westech)372研
磨機を使用して、研磨パッドの上に研磨すべきウエーハ
を置き、0.42kgf/cm2(6psi)の下向き
の力と0.14kgf/cm2(2psi)の背圧を用
いて研磨した。プラテンの回転速度は毎分75回転、キ
ャリアの回転速度は毎分50回転とした。スラリの流量
は毎分200mlとした。
【0050】図5は、アルミニウム合金を除去した後の
パッドの表面の断面形状を示す。パターンの隅は丸めら
れているが、段差の高さは同じく0.8μmで、平坦化
は行われなかった。
【0051】例2 磁気撹拌装置を有する容器に、脱イオン水約3リットル
を入れた後、粒径のピークが75nm、固形分が6重量
%のコロイド状アルミナの水性スラリ約1リットルを入
れる。(NH42Ce(NO36約21gを脱イオン水
約1リットルに溶解して上記容器に加え、少なくとも2
0分撹拌する。次に、65重量%の分子量2,000の
ポリアクリル酸溶液約20mlをスラリに加え、ポリア
クリル酸を計量したメスシリンダを脱イオン水1リット
ルで洗浄してスラリに加える。このスラリを少なくとも
1時間撹拌し、吸着平衡に到達させる。
【0052】生成するスラリは6リットルで、アルミナ
1重量%と、ポリアクリル酸0.2重量%を含有する。
セリア塩は酸化剤として機能するほかに、アルミナ研磨
剤へのポリアクリル酸の吸着を促進させる。
【0053】平坦化には、比較例1で使用したパッドよ
り硬いパッドを使用する。このパッドはFreudenberg Co
mpanyからPedroの名称で入手できる。3.8ないし7.
5cm(1.5ないし3インチ)に切断したレイヨン繊
維を敷いて作成した不織布のパッドである。次に、アク
リル・ブタジエン・ゴムのバインダを繊維上に載せ、バ
インダを硬化させて所期の粘弾性特性を得る。比較例1
で上述したものと同じ研磨条件およびウエーハを使用す
る。研磨中、黒い砕片は観察されない。研磨によりワイ
ヤ・ボンディング用パッドの周囲からアルミニウム合金
を除去した後の、パッドの表面の断面形状を図6に示
す。図6は、段差の高さがわずか0.06μmで、本発
明により従来の技術による0.8μmから0.06μm
へと、1桁以上平坦化が改善されたことを示している。
【0054】比較例3 より硬いペドロを使用した以外、比較例1を反復して行
う。研磨中、大量の黒い砕片が観察され、アルミニウム
皮膜は著しくスクラッチが発生して、マイクロエレクト
ロニクス用途としては使用不能となる。研磨後の段差の
高さは0.2μmで、ほとんどに適用分野ではまだ大き
すぎる。
【0055】例2を比較例3と比較すると、本発明の有
用性がわかる。たとえば、高分子電解質は平坦化を改善
するだけでなく、黒い砕片を分散させることにより、よ
り硬いパッドが使用できるようになる。黒い砕片は、研
磨により除去されたアルミニウム粒子からなる。これら
は表面上に硬質の酸化物を生成し、ウエーハを傷つけ
る。本発明によれば、高分子電解質はこれらの粒子と結
合し、これらのスクラッチ生成作用を防止する。事実、
例2の方法を第1レベルのメタライゼーションに使用す
ると、本発明による例2の収率は少なくとも95%であ
ったが、比較例3の方法を第1レベルのメタライゼーシ
ョンに使用すると、比較例3の収率は激しいスクラッチ
のため0%であった。
【0056】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【0057】(1)研磨剤粒子を含有し、垂直応力効果
を示すことを特徴とする研磨用スラリ。 (2)さらに、上記研磨剤粒子に関連する電荷とは異な
るイオン性の電荷を有する高分子電解質を含有し、上記
高分子電解質の濃度が上記研磨剤粒子に対して約5ない
し約50重量%であることを特徴とする、上記(1)に
記載のスラリ。 (3)上記高分子電解質が、酸性基を有することを特徴
とする、上記(2)に記載のスラリ。 (4)上記高分子電解質が、塩基性基を有することを特
徴とする、上記(2)に記載のスラリ。 (5)上記高分子電解質が、高分子両性電解質であるこ
とを特徴とする、上記(2)に記載のスラリ。 (6)上記高分子電解質の分子量が、約500ないし約
10,000であることを特徴とする、上記(2)に記
載のスラリ。 (7)上記高分子電解質が、ポリエチレンイミンである
ことを特徴とする、上記(6)に記載のスラリ。 (8)上記高分子電解質が、ポリアクリル酸、ポリメタ
クリル酸、およびポリマレイン酸からなるグループから
選択されたものであることを特徴とする、上記(6)に
記載のスラリ。 (9)上記研磨剤粒子の一部が、上記高分子電解質を吸
収する能力を強化するための前処理が行われていること
を特徴とする、上記(2)に記載のスラリ。 (10)上記研磨剤粒子の一部が、上記高分子電解質を
吸収する能力を強化するのに十分な量の酸化剤により前
処理が行われていることを特徴とする、上記(2)に記
載のスラリ。 (11)上記酸化剤が硝酸第二鉄であることを特徴とす
る、上記(10)に記載のスラリ。 (12)さらに、水に不溶性の重合体粒子を含有するこ
とを特徴とする、上記(1)に記載のスラリ。 (13)さらに、界面活性剤ミセルを含有することを特
徴とする、上記(1)に記載のスラリ。 (14)上記研磨剤粒子の粒径が約30ないし約200
nmであることを特徴とする、上記(2)に記載のスラ
リ。 (15)上記研磨剤粒子の粒径が約75ないし約100
nmであることを特徴とする、上記(2)に記載のスラ
リ。 (16)上記研磨剤粒子が、アルミナ、セリア、シリ
カ、およびジルコニアからなるグループから選択された
ものであることを特徴とする、上記(1)に記載のスラ
リ。 (17)水性スラリであることを特徴とする、上記
(1)に記載のスラリ。 (18)さらに、複数の原子価を持つ希土類イオンまた
はそのコロイド状水酸化物の懸濁液を含有することを特
徴とする、上記(1)に記載のスラリ。 (19)上記研磨剤粒子が、アルミナ、セリア、シリ
カ、およびジルコニアからなるグループから選択された
ものであることを特徴とする、上記(2)に記載のスラ
リ。 (20)水性スラリであることを特徴とする、上記
(2)に記載のスラリ。 (21)非水性スラリであることを特徴とする、上記
(2)に記載のスラリ。 (22)上記高分子電解質が、研磨用砕片を分散させる
ことができることを特徴とする、上記(2)に記載のス
ラリ。 (23)上記高分子電解質の分子量が、約500ないし
約10,000であることを特徴とする、上記(2)に
記載のスラリ。 (24)上記高分子電解質が陽イオン性であり、分子量
が約1,000ないし約5,000であることを特徴と
する、上記(2)に記載のスラリ。 (25)上記高分子電解質が陽イオン性であり、分子量
が約2,000であることを特徴とする、上記(2)に
記載のスラリ。 (26)さらに、複数の原子価を持つ希土類イオンまた
はそのコロイド状水酸化物の懸濁液を含有することを特
徴とする、上記(2)に記載のスラリ。 (27)上記高分子電解質分子量が約1,000ないし
約5,000であり、陰イオン性であることを特徴とす
る、上記(2)に記載のスラリ。 (28)上記濃度が15ないし約25%であることを特
徴とする、上記(2)に記載のスラリ。 (29)研磨剤粒子と、上記研磨剤粒子に関連する電荷
とは異なるイオン性の電荷を有する高分子電解質を含有
し、上記高分子電解質の濃度が上記研磨剤粒子に対して
約5ないし約50重量%であることを特徴とする、研磨
用組成物。 (30)上記粒子を含有するスラリに上記高分子電解質
を添加し、これにより上記研磨剤粒子の一部をその場で
コーティングする工程を含む、上記(2)のスラリを調
製する方法。 (31)上記研磨剤粒子の一部をプレコートした後、プ
レコートした研磨剤粒子を、上記研磨剤粒子の残部のス
ラリと混合する工程を含む、上記(2)のスラリを調製
する方法。 (32)上記研磨剤粒子の一部を、スラリからの高分子
電解質を吸収しやすくするための前処理を行う工程を含
む、上記(2)のスラリを調製する方法。 (33)表面を研磨する方法において、上記表面上に、
研磨剤粒子を含有し、垂直応力効果を示すスラリを供給
し、上記表面を研磨パッドと接触させることによって平
坦化することを特徴とする方法。 (34)上記研磨パッドが、剛性の研磨パッドであるこ
とを特徴とする、上記(33)に記載の方法。 (35)表面を研磨する方法において、上記表面上に、
研磨剤粒子と、上記研磨剤粒子に関連する電荷とは異な
るイオン性の電荷を有する高分子電解質を含有し、上記
高分子電解質の濃度が上記研磨剤粒子に対して約5ない
し約50重量%であるスラリを供給し、上記表面を研磨
パッドと接触させることによって平坦化することを特徴
とする方法。 (36)上記研磨パッドが、剛性の研磨パッドであるこ
とを特徴とする、上記(35)に記載の方法。 (37)上記高分子電解質が、さらに研磨用砕片を分散
し、これにより上記砕片によるかき傷を減少させること
を特徴とする、上記(35)に記載の方法。 (38)上記表面が、微細電子回路用ウエーハであるこ
とを特徴とする、上記(35)に記載の方法。 (39)上記表面が、鏡またはレンズであることを特徴
とする、上記(35)に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図1】研磨の状態を示すための、円筒状座標系を示す
図である。
【図2】σ1(X)が回転するディスク間のせん断によ
って、重合体流体中に発生する、第1の垂直応力差を示
す図である。
【図3】ウエーハが研磨中上下が反対になる、本発明に
よるせん断のためコーティングされた粒子とコーティン
グされない粒子との相対位置を示す図である。
【図4】本発明により達成される平坦化を示す図であ
る。
【図5】本発明によらずに得られた表面の断面形状を示
す図である。
【図6】本発明によって得られた表面の断面形状を示す
図である。

Claims (39)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】研磨剤粒子を含有し、垂直応力効果を示す
    ことを特徴とする研磨用スラリ。
  2. 【請求項2】さらに、上記研磨剤粒子に関連する電荷と
    は異なるイオン性の電荷を有する高分子電解質を含有
    し、上記高分子電解質の濃度が上記研磨剤粒子に対して
    約5ないし約50重量%であることを特徴とする、請求
    項1に記載のスラリ。
  3. 【請求項3】上記高分子電解質が、酸性基を有すること
    を特徴とする、請求項2に記載のスラリ。
  4. 【請求項4】上記高分子電解質が、塩基性基を有するこ
    とを特徴とする、請求項2に記載のスラリ。
  5. 【請求項5】上記高分子電解質が、高分子両性電解質で
    あることを特徴とする、請求項2に記載のスラリ。
  6. 【請求項6】上記高分子電解質の分子量が、約500な
    いし約10,000であることを特徴とする、請求項2
    に記載のスラリ。
  7. 【請求項7】上記高分子電解質が、ポリエチレンイミン
    であることを特徴とする、請求項6に記載のスラリ。
  8. 【請求項8】上記高分子電解質が、ポリアクリル酸、ポ
    リメタクリル酸、およびポリマレイン酸からなるグルー
    プから選択されたものであることを特徴とする、請求項
    6に記載のスラリ。
  9. 【請求項9】上記研磨剤粒子の一部が、上記高分子電解
    質を吸収する能力を強化するための前処理が行われてい
    ることを特徴とする、請求項2に記載のスラリ。
  10. 【請求項10】上記研磨剤粒子の一部が、上記高分子電
    解質を吸収する能力を強化するのに十分な量の酸化剤に
    より前処理が行われていることを特徴とする、請求項2
    に記載のスラリ。
  11. 【請求項11】上記酸化剤が硝酸第二鉄であることを特
    徴とする、請求項10に記載のスラリ。
  12. 【請求項12】さらに、水に不溶性の重合体粒子を含有
    することを特徴とする、請求項1に記載のスラリ。
  13. 【請求項13】さらに、界面活性剤ミセルを含有するこ
    とを特徴とする、請求項1に記載のスラリ。
  14. 【請求項14】上記研磨剤粒子の粒径が約30ないし約
    200nmであることを特徴とする、請求項2に記載の
    スラリ。
  15. 【請求項15】上記研磨剤粒子の粒径が約75ないし約
    100nmであることを特徴とする、請求項2に記載の
    スラリ。
  16. 【請求項16】上記研磨剤粒子が、アルミナ、セリア、
    シリカ、およびジルコニアからなるグループから選択さ
    れたものであることを特徴とする、請求項1に記載のス
    ラリ。
  17. 【請求項17】水性スラリであることを特徴とする、請
    求項1に記載のスラリ。
  18. 【請求項18】さらに、複数の原子価を持つ希土類イオ
    ンまたはそのコロイド状水酸化物の懸濁液を含有するこ
    とを特徴とする、請求項1に記載のスラリ。
  19. 【請求項19】上記研磨剤粒子が、アルミナ、セリア、
    シリカ、およびジルコニアからなるグループから選択さ
    れたものであることを特徴とする、請求項2に記載のス
    ラリ。
  20. 【請求項20】水性スラリであることを特徴とする、請
    求項2に記載のスラリ。
  21. 【請求項21】非水性スラリであることを特徴とする、
    請求項2に記載のスラリ。
  22. 【請求項22】上記高分子電解質が、研磨用砕片を分散
    させることができることを特徴とする、請求項2に記載
    のスラリ。
  23. 【請求項23】上記高分子電解質の分子量が、約500
    ないし約10,000であることを特徴とする、請求項
    2に記載のスラリ。
  24. 【請求項24】上記高分子電解質が陽イオン性であり、
    分子量が約1,000ないし約5,000であることを
    特徴とする、請求項2に記載のスラリ。
  25. 【請求項25】上記高分子電解質が陽イオン性であり、
    分子量が約2,000であることを特徴とする、請求項
    2に記載のスラリ。
  26. 【請求項26】さらに、複数の原子価を持つ希土類イオ
    ンまたはそのコロイド状水酸化物の懸濁液を含有するこ
    とを特徴とする、請求項2に記載のスラリ。
  27. 【請求項27】上記高分子電解質分子量が約1,000
    ないし約5,000であり、陰イオン性であることを特
    徴とする、請求項2に記載のスラリ。
  28. 【請求項28】上記濃度が15ないし約25%であるこ
    とを特徴とする、請求項2に記載のスラリ。
  29. 【請求項29】研磨剤粒子と、上記研磨剤粒子に関連す
    る電荷とは異なるイオン性の電荷を有する高分子電解質
    を含有し、上記高分子電解質の濃度が上記研磨剤粒子に
    対して約5ないし約50重量%であることを特徴とす
    る、研磨用組成物。
  30. 【請求項30】上記粒子を含有するスラリに上記高分子
    電解質を添加し、これにより上記研磨剤粒子の一部をそ
    の場でコーティングする工程を含む、請求項2のスラリ
    を調製する方法。
  31. 【請求項31】上記研磨剤粒子の一部をプレコートした
    後、プレコートした研磨剤粒子を、上記研磨剤粒子の残
    部のスラリと混合する工程を含む、請求項2のスラリを
    調製する方法。
  32. 【請求項32】上記研磨剤粒子の一部を、スラリからの
    高分子電解質を吸収しやすくするための前処理を行う工
    程を含む、請求項2のスラリを調製する方法。
  33. 【請求項33】表面を研磨する方法において、上記表面
    上に、研磨剤粒子を含有し、垂直応力効果を示すスラリ
    を供給し、上記表面を研磨パッドと接触させることによ
    って平坦化することを特徴とする方法。
  34. 【請求項34】上記研磨パッドが、剛性の研磨パッドで
    あることを特徴とする、請求項33に記載の方法。
  35. 【請求項35】表面を研磨する方法において、上記表面
    上に、研磨剤粒子と、上記研磨剤粒子に関連する電荷と
    は異なるイオン性の電荷を有する高分子電解質を含有
    し、上記高分子電解質の濃度が上記研磨剤粒子に対して
    約5ないし約50重量%であるスラリを供給し、上記表
    面を研磨パッドと接触させることによって平坦化するこ
    とを特徴とする方法。
  36. 【請求項36】上記研磨パッドが、剛性の研磨パッドで
    あることを特徴とする、請求項35に記載の方法。
  37. 【請求項37】上記高分子電解質が、さらに研磨用砕片
    を分散し、これにより上記砕片によるかき傷を減少させ
    ることを特徴とする、請求項35に記載の方法。
  38. 【請求項38】上記表面が、微細電子回路用ウエーハで
    あることを特徴とする、請求項35に記載の方法。
  39. 【請求項39】上記表面が、鏡またはレンズであること
    を特徴とする、請求項35に記載の方法。
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Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001002415A (ja) * 1999-06-18 2001-01-09 Hitachi Chem Co Ltd Cmp研磨剤及び基板の研磨方法
US6375545B1 (en) 1999-01-18 2002-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Chemical mechanical method of polishing wafer surfaces
JP2002241739A (ja) * 2001-02-20 2002-08-28 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及び基板の研磨方法
US6454819B1 (en) 1999-01-18 2002-09-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Composite particles and production process thereof, aqueous dispersion, aqueous dispersion composition for chemical mechanical polishing, and process for manufacture of semiconductor device
JP2003514374A (ja) * 1999-11-04 2003-04-15 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 有機添加剤含有のtaバリアスラリー
US6559056B2 (en) 2000-05-18 2003-05-06 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing
JP2004031772A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Yasuhiro Tani 化学的機械的研磨パッド及びその製造方法
KR100416587B1 (ko) * 2000-12-22 2004-02-05 삼성전자주식회사 씨엠피 연마액
KR100425261B1 (ko) * 2001-06-13 2004-03-30 제일모직주식회사 반도체 소자의 금속층 연마용 고순도 슬러리
JPWO2002067309A1 (ja) * 2001-02-20 2004-06-24 日立化成工業株式会社 研磨剤及び基板の研磨方法
KR100445757B1 (ko) * 2001-12-28 2004-08-25 제일모직주식회사 금속배선 연마용 슬러리 조성물
KR100449614B1 (ko) * 2001-12-28 2004-09-22 제일모직주식회사 침식현상이 개선된 금속배선 연마용 슬러리 조성물
US6827752B2 (en) 2001-05-25 2004-12-07 Ekc Technology K.K. Cerium oxide slurry, and method of manufacturing substrate
JP2005515646A (ja) * 2002-01-18 2005-05-26 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション アミン含有ポリマーを用いるcmpシステムおよび方法
JP2005286224A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Nitta Haas Inc 半導体研磨用組成物
JP2006049912A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Samsung Electronics Co Ltd Cmpスラリー、前記cmpスラリーを使用する化学機械的研磨方法、及び前記cmpスラリーを使用する金属配線の形成方法
KR100641951B1 (ko) 2004-07-28 2006-11-02 주식회사 하이닉스반도체 고평탄성 슬러리 조성물 및 이를 이용한 층간 절연막의cmp 방법
US7232529B1 (en) 1999-08-26 2007-06-19 Hitachi Chemical Company, Ltd. Polishing compound for chemimechanical polishing and polishing method
US7582127B2 (en) 2004-06-16 2009-09-01 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for a tungsten-containing substrate
JP4790707B2 (ja) * 2004-06-16 2011-10-12 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション タングステン含有基材の研磨方法
US8038898B2 (en) 1998-08-31 2011-10-18 Hitachi Chemical Company, Ltd. Abrasive liquid for metal and method for polishing
CN102504705A (zh) * 2011-10-17 2012-06-20 刘玉林 光通讯Zr02陶瓷插芯精密加工用抛光液及其制备方法
US8518297B2 (en) 2008-02-01 2013-08-27 Fujimi Incorporated Polishing composition and polishing method using the same
WO2020009055A1 (ja) * 2018-07-04 2020-01-09 住友精化株式会社 研磨用組成物

Families Citing this family (129)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5827781A (en) * 1996-07-17 1998-10-27 Micron Technology, Inc. Planarization slurry including a dispersant and method of using same
US5916819A (en) 1996-07-17 1999-06-29 Micron Technology, Inc. Planarization fluid composition chelating agents and planarization method using same
EP1610367B1 (en) * 1996-09-30 2010-03-17 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cerium oxide abrasive and method of polishing substrates
US6110396A (en) * 1996-11-27 2000-08-29 International Business Machines Corporation Dual-valent rare earth additives to polishing slurries
JPH10321570A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Tokuyama Corp 半導体ウェーハポリッシング用研磨剤及びその製造方法、ポリッシング方法
US20060147369A1 (en) * 1997-07-21 2006-07-06 Neophotonics Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US20090075083A1 (en) * 1997-07-21 2009-03-19 Nanogram Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US6726990B1 (en) * 1998-05-27 2004-04-27 Nanogram Corporation Silicon oxide particles
JPH11181403A (ja) * 1997-12-18 1999-07-06 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
US6294105B1 (en) 1997-12-23 2001-09-25 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polishing slurry and method for polishing metal/oxide layers
JPH11349925A (ja) * 1998-06-05 1999-12-21 Fujimi Inc エッジポリッシング用組成物
WO1999064527A1 (en) * 1998-06-10 1999-12-16 Rodel Holdings, Inc. Composition and method for polishing in metal cmp
EP0969057A1 (en) * 1998-07-03 2000-01-05 International Business Machines Corporation Dual-valent rare earth additives to polishing slurries
KR100298519B1 (ko) * 1998-07-03 2001-09-06 포만 제프리 엘 알루미나연마입자및희토류이온을포함하는슬러리,표면의연마방법및희토류수산화물의현탁액
US6468909B1 (en) 1998-09-03 2002-10-22 Micron Technology, Inc. Isolation and/or removal of ionic contaminants from planarization fluid compositions using macrocyclic polyethers and methods of using such compositions
US6428388B2 (en) 1998-11-06 2002-08-06 Beaver Creek Concepts Inc. Finishing element with finishing aids
US6739947B1 (en) 1998-11-06 2004-05-25 Beaver Creek Concepts Inc In situ friction detector method and apparatus
US6634927B1 (en) 1998-11-06 2003-10-21 Charles J Molnar Finishing element using finishing aids
US6541381B2 (en) 1998-11-06 2003-04-01 Beaver Creek Concepts Inc Finishing method for semiconductor wafers using a lubricating boundary layer
US6656023B1 (en) 1998-11-06 2003-12-02 Beaver Creek Concepts Inc In situ control with lubricant and tracking
US7131890B1 (en) 1998-11-06 2006-11-07 Beaver Creek Concepts, Inc. In situ finishing control
KR100797218B1 (ko) * 1998-12-25 2008-01-23 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법
TWI224128B (en) * 1998-12-28 2004-11-21 Hitachi Chemical Co Ltd Materials for polishing liquid for metal, polishing liquid for metal, method for preparation thereof and polishing method using the same
TWI267549B (en) * 1999-03-18 2006-12-01 Toshiba Corp Aqueous dispersion, aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for manufacture of semiconductor devices, method for manufacture of semiconductor devices, and method for formation of embedded wiring
US6551933B1 (en) 1999-03-25 2003-04-22 Beaver Creek Concepts Inc Abrasive finishing with lubricant and tracking
US6375693B1 (en) 1999-05-07 2002-04-23 International Business Machines Corporation Chemical-mechanical planarization of barriers or liners for copper metallurgy
US7410409B1 (en) 1999-06-18 2008-08-12 Hitachi Chemical Co., Ltd. Abrasive compound for CMP, method for polishing substrate and method for manufacturing semiconductor device using the same, and additive for CMP abrasive compound
US6221119B1 (en) * 1999-07-14 2001-04-24 Komag, Inc. Slurry composition for polishing a glass ceramic substrate
TW501197B (en) * 1999-08-17 2002-09-01 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing compound for chemical mechanical polishing and method for polishing substrate
US6443812B1 (en) 1999-08-24 2002-09-03 Rodel Holdings Inc. Compositions for insulator and metal CMP and methods relating thereto
US6974367B1 (en) * 1999-09-02 2005-12-13 Micron Technology, Inc. Chemical mechanical polishing process
US6348076B1 (en) * 1999-10-08 2002-02-19 International Business Machines Corporation Slurry for mechanical polishing (CMP) of metals and use thereof
US20040055993A1 (en) * 1999-10-12 2004-03-25 Moudgil Brij M. Materials and methods for control of stability and rheological behavior of particulate suspensions
US6468910B1 (en) * 1999-12-08 2002-10-22 Ramanathan Srinivasan Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide
US6491843B1 (en) * 1999-12-08 2002-12-10 Eastman Kodak Company Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide
US6294470B1 (en) * 1999-12-22 2001-09-25 International Business Machines Corporation Slurry-less chemical-mechanical polishing
JP2001269859A (ja) * 2000-03-27 2001-10-02 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
JP3975047B2 (ja) * 2000-04-21 2007-09-12 泰弘 谷 研磨方法
KR100378180B1 (ko) * 2000-05-22 2003-03-29 삼성전자주식회사 화학기계적 연마 공정용 슬러리 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
US6964923B1 (en) * 2000-05-24 2005-11-15 International Business Machines Corporation Selective polishing with slurries containing polyelectrolytes
US6348395B1 (en) 2000-06-07 2002-02-19 International Business Machines Corporation Diamond as a polish-stop layer for chemical-mechanical planarization in a damascene process flow
US6443811B1 (en) * 2000-06-20 2002-09-03 Infineon Technologies Ag Ceria slurry solution for improved defect control of silicon dioxide chemical-mechanical polishing
US6383066B1 (en) 2000-06-23 2002-05-07 International Business Machines Corporation Multilayered polishing pad, method for fabricating, and use thereof
US6964604B2 (en) * 2000-06-23 2005-11-15 International Business Machines Corporation Fiber embedded polishing pad
US6593240B1 (en) * 2000-06-28 2003-07-15 Infineon Technologies, North America Corp Two step chemical mechanical polishing process
US6646348B1 (en) 2000-07-05 2003-11-11 Cabot Microelectronics Corporation Silane containing polishing composition for CMP
CN1197930C (zh) * 2000-07-19 2005-04-20 花王株式会社 抛光液组合物
US6702954B1 (en) 2000-10-19 2004-03-09 Ferro Corporation Chemical-mechanical polishing slurry and method
JP2002164307A (ja) 2000-11-24 2002-06-07 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
JP3768401B2 (ja) * 2000-11-24 2006-04-19 Necエレクトロニクス株式会社 化学的機械的研磨用スラリー
US6676718B2 (en) * 2001-01-12 2004-01-13 Rodel Holdings, Inc. Polishing of semiconductor substrates
US6796883B1 (en) 2001-03-15 2004-09-28 Beaver Creek Concepts Inc Controlled lubricated finishing
US6568997B2 (en) 2001-04-05 2003-05-27 Rodel Holdings, Inc. CMP polishing composition for semiconductor devices containing organic polymer particles
US20040192172A1 (en) * 2001-06-14 2004-09-30 Dan Towery Oxidizing polishing slurries for low dielectric constant materials
US6656241B1 (en) * 2001-06-14 2003-12-02 Ppg Industries Ohio, Inc. Silica-based slurry
US6485355B1 (en) 2001-06-22 2002-11-26 International Business Machines Corporation Method to increase removal rate of oxide using fixed-abrasive
US7156717B2 (en) 2001-09-20 2007-01-02 Molnar Charles J situ finishing aid control
US6589100B2 (en) * 2001-09-24 2003-07-08 Cabot Microelectronics Corporation Rare earth salt/oxidizer-based CMP method
US7416680B2 (en) * 2001-10-12 2008-08-26 International Business Machines Corporation Self-cleaning colloidal slurry composition and process for finishing a surface of a substrate
US6821897B2 (en) * 2001-12-05 2004-11-23 Cabot Microelectronics Corporation Method for copper CMP using polymeric complexing agents
US6841480B2 (en) 2002-02-04 2005-01-11 Infineon Technologies Ag Polyelectrolyte dispensing polishing pad, production thereof and method of polishing a substrate
US6776810B1 (en) * 2002-02-11 2004-08-17 Cabot Microelectronics Corporation Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP
US6582279B1 (en) 2002-03-07 2003-06-24 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Apparatus and method for reclaiming a disk substrate for use in a data storage device
US7677956B2 (en) * 2002-05-10 2010-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for dielectric CMP
KR100457743B1 (ko) * 2002-05-17 2004-11-18 주식회사 하이닉스반도체 산화막용 cmp 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의형성 방법
US6616514B1 (en) 2002-06-03 2003-09-09 Ferro Corporation High selectivity CMP slurry
US6974777B2 (en) * 2002-06-07 2005-12-13 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions for low-k dielectric materials
US6936543B2 (en) * 2002-06-07 2005-08-30 Cabot Microelectronics Corporation CMP method utilizing amphiphilic nonionic surfactants
US20040127045A1 (en) * 2002-09-12 2004-07-01 Gorantla Venkata R. K. Chemical mechanical planarization of wafers or films using fixed polishing pads and a nanoparticle composition
US6641632B1 (en) 2002-11-18 2003-11-04 International Business Machines Corporation Polishing compositions and use thereof
US7229484B2 (en) * 2002-11-27 2007-06-12 Intel Corporation Pre-coated particles for chemical mechanical polishing
US6916742B2 (en) 2003-02-27 2005-07-12 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Modular barrier removal polishing slurry
US7407601B2 (en) * 2003-04-24 2008-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Polymeric particle slurry system and method to reduce feature sidewall erosion
KR100539983B1 (ko) * 2003-05-15 2006-01-10 학교법인 한양학원 Cmp용 세리아 연마제 및 그 제조 방법
US7300478B2 (en) * 2003-05-22 2007-11-27 Ferro Corporation Slurry composition and method of use
JP2005093785A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Toshiba Corp Cmp用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法
US7022255B2 (en) * 2003-10-10 2006-04-04 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Chemical-mechanical planarization composition with nitrogen containing polymer and method for use
US7427361B2 (en) * 2003-10-10 2008-09-23 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Particulate or particle-bound chelating agents
US6964600B2 (en) 2003-11-21 2005-11-15 Praxair Technology, Inc. High selectivity colloidal silica slurry
JP4292117B2 (ja) * 2004-07-15 2009-07-08 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法
US20060021972A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Lane Sarah J Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
US7709053B2 (en) * 2004-07-29 2010-05-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing of polymer-coated particles for chemical mechanical polishing
US7182798B2 (en) * 2004-07-29 2007-02-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polymer-coated particles for chemical mechanical polishing
US20070037892A1 (en) * 2004-09-08 2007-02-15 Irina Belov Aqueous slurry containing metallate-modified silica particles
US7504044B2 (en) 2004-11-05 2009-03-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
US7531105B2 (en) * 2004-11-05 2009-05-12 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
EP1844122B1 (en) * 2004-12-29 2013-02-20 LG Chem, Ltd. Adjuvant for chemical mechanical polishing slurry
US7297632B2 (en) * 2005-03-17 2007-11-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Scratch reduction for chemical mechanical polishing
TWI361218B (en) * 2005-04-14 2012-04-01 Showa Denko Kk Polishing composition
KR101332302B1 (ko) * 2005-06-06 2013-11-25 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 단일 플래튼 처리를 위한 방법 및 일체형 화학적 기계적연마 조성물
US7393461B2 (en) * 2005-08-23 2008-07-01 Kesheng Feng Microetching solution
US20070075042A1 (en) * 2005-10-05 2007-04-05 Siddiqui Junaid A Stabilizer-Fenton's reaction metal-vinyl pyridine polymer-surface-modified chemical mechanical planarization composition and associated method
KR100813100B1 (ko) * 2006-06-29 2008-03-17 성균관대학교산학협력단 실시간 확장 가능한 스테레오 매칭 시스템 및 방법
US7691287B2 (en) * 2007-01-31 2010-04-06 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization
US7696095B2 (en) * 2007-02-23 2010-04-13 Ferro Corporation Auto-stopping slurries for chemical-mechanical polishing of topographic dielectric silicon dioxide
US20080203059A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Cabot Microelectronics Corporation Dilutable cmp composition containing a surfactant
US8858819B2 (en) 2010-02-15 2014-10-14 Air Products And Chemicals, Inc. Method for chemical mechanical planarization of a tungsten-containing substrate
EP2518120A1 (en) 2011-04-28 2012-10-31 Basf Se A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a polymeric polyamine
KR20140019401A (ko) 2011-03-22 2014-02-14 바스프 에스이 중합체성 폴리아민을 포함하는 화학적 기계적 폴리싱 (cmp) 조성물
US8859428B2 (en) * 2012-10-19 2014-10-14 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical mechanical polishing (CMP) composition for shallow trench isolation (STI) applications and methods of making thereof
US9358659B2 (en) 2013-03-04 2016-06-07 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing glass
US9421666B2 (en) 2013-11-04 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein
US9993907B2 (en) 2013-12-20 2018-06-12 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having printed window
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
SG10202002601QA (en) 2014-10-17 2020-05-28 Applied Materials Inc Cmp pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
WO2017074773A1 (en) 2015-10-30 2017-05-04 Applied Materials, Inc. An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
KR101823083B1 (ko) * 2016-09-07 2018-01-30 주식회사 케이씨텍 표면개질된 콜로이달 세리아 연마입자, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물
US10294399B2 (en) 2017-01-05 2019-05-21 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing silicon carbide
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
KR101991823B1 (ko) 2017-11-10 2019-06-21 가천대학교 산학협력단 하수관로 연결부 가지관 절단용 로봇 장치
KR102005047B1 (ko) * 2017-11-13 2019-07-30 김덕주 소리 조절이 가능한 목탁
US20200002607A1 (en) 2018-06-29 2020-01-02 Versum Materials Us, Llc Low Oxide Trench Dishing Chemical Mechanical Polishing
US11072726B2 (en) 2018-06-29 2021-07-27 Versum Materials Us, Llc Low oxide trench dishing chemical mechanical polishing
US11078417B2 (en) 2018-06-29 2021-08-03 Versum Materials Us, Llc Low oxide trench dishing chemical mechanical polishing
US11549034B2 (en) 2018-08-09 2023-01-10 Versum Materials Us, Llc Oxide chemical mechanical planarization (CMP) polishing compositions
CN112654655A (zh) 2018-09-04 2021-04-13 应用材料公司 先进抛光垫配方
US20200095502A1 (en) 2018-09-26 2020-03-26 Versum Materials Us, Llc High Oxide VS Nitride Selectivity, Low And Uniform Oxide Trench Dishing In Shallow Trench Isolation(STI) Chemical Mechanical Planarization Polishing(CMP)
US11180678B2 (en) 2018-10-31 2021-11-23 Versum Materials Us, Llc Suppressing SiN removal rates and reducing oxide trench dishing for Shallow Trench Isolation (STI) process
US11326076B2 (en) 2019-01-25 2022-05-10 Versum Materials Us, Llc Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with low abrasive concentration and a combination of chemical additives
US11608451B2 (en) 2019-01-30 2023-03-21 Versum Materials Us, Llc Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with tunable silicon oxide and silicon nitride removal rates
US20200270479A1 (en) 2019-02-26 2020-08-27 Versum Materials Us, Llc Shallow Trench Isolation Chemical And Mechanical Polishing Slurry
US11254839B2 (en) 2019-12-12 2022-02-22 Versum Materials Us, Llc Low oxide trench dishing shallow trench isolation chemical mechanical planarization polishing
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2556615A (en) * 1947-03-10 1951-06-12 Vaughn Charles C De Lamp supporting clamp for vehicles and the like
US4478883A (en) * 1982-07-14 1984-10-23 International Business Machines Corporation Conditioning of a substrate for electroless direct bond plating in holes and on surfaces of a substrate
US4554182A (en) * 1983-10-11 1985-11-19 International Business Machines Corporation Method for conditioning a surface of a dielectric substrate for electroless plating
US4752628A (en) * 1987-05-15 1988-06-21 Nalco Chemical Company Concentrated lapping slurries
JP2714411B2 (ja) * 1988-12-12 1998-02-16 イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー ウェハーのファイン研摩用組成物
US5304284A (en) * 1991-10-18 1994-04-19 International Business Machines Corporation Methods for etching a less reactive material in the presence of a more reactive material
US5262354A (en) * 1992-02-26 1993-11-16 International Business Machines Corporation Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias
JP2757668B2 (ja) * 1992-03-11 1998-05-25 国際電信電話株式会社 画像解析装置
US5445996A (en) * 1992-05-26 1995-08-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for planarizing a semiconductor device having a amorphous layer
US5225034A (en) * 1992-06-04 1993-07-06 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing
US5382272A (en) * 1993-09-03 1995-01-17 Rodel, Inc. Activated polishing compositions
WO1996038262A1 (en) * 1995-06-01 1996-12-05 Rodel, Inc. Compositions for polishing silicon wafers and methods
US5603739A (en) * 1995-06-09 1997-02-18 Diamond Scientific, Inc. Abrasive suspension system

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8491807B2 (en) 1998-08-31 2013-07-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. Abrasive liquid for metal and method for polishing
US8038898B2 (en) 1998-08-31 2011-10-18 Hitachi Chemical Company, Ltd. Abrasive liquid for metal and method for polishing
US6375545B1 (en) 1999-01-18 2002-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Chemical mechanical method of polishing wafer surfaces
US6454819B1 (en) 1999-01-18 2002-09-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Composite particles and production process thereof, aqueous dispersion, aqueous dispersion composition for chemical mechanical polishing, and process for manufacture of semiconductor device
JP2001002415A (ja) * 1999-06-18 2001-01-09 Hitachi Chem Co Ltd Cmp研磨剤及び基板の研磨方法
US7232529B1 (en) 1999-08-26 2007-06-19 Hitachi Chemical Company, Ltd. Polishing compound for chemimechanical polishing and polishing method
JP2003514374A (ja) * 1999-11-04 2003-04-15 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 有機添加剤含有のtaバリアスラリー
US6559056B2 (en) 2000-05-18 2003-05-06 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing
KR100416587B1 (ko) * 2000-12-22 2004-02-05 삼성전자주식회사 씨엠피 연마액
JP2002241739A (ja) * 2001-02-20 2002-08-28 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及び基板の研磨方法
JPWO2002067309A1 (ja) * 2001-02-20 2004-06-24 日立化成工業株式会社 研磨剤及び基板の研磨方法
JP2009010402A (ja) * 2001-02-20 2009-01-15 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及び基板の研磨方法
US6827752B2 (en) 2001-05-25 2004-12-07 Ekc Technology K.K. Cerium oxide slurry, and method of manufacturing substrate
KR100425261B1 (ko) * 2001-06-13 2004-03-30 제일모직주식회사 반도체 소자의 금속층 연마용 고순도 슬러리
KR100449614B1 (ko) * 2001-12-28 2004-09-22 제일모직주식회사 침식현상이 개선된 금속배선 연마용 슬러리 조성물
KR100445757B1 (ko) * 2001-12-28 2004-08-25 제일모직주식회사 금속배선 연마용 슬러리 조성물
JP2005515646A (ja) * 2002-01-18 2005-05-26 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション アミン含有ポリマーを用いるcmpシステムおよび方法
JP2004031772A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Yasuhiro Tani 化学的機械的研磨パッド及びその製造方法
JP4532149B2 (ja) * 2004-03-30 2010-08-25 ニッタ・ハース株式会社 シリコンウエハ研磨用組成物およびシリコンウエハの研磨方法
JP2005286224A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Nitta Haas Inc 半導体研磨用組成物
US7582127B2 (en) 2004-06-16 2009-09-01 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for a tungsten-containing substrate
JP4790707B2 (ja) * 2004-06-16 2011-10-12 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション タングステン含有基材の研磨方法
KR100641951B1 (ko) 2004-07-28 2006-11-02 주식회사 하이닉스반도체 고평탄성 슬러리 조성물 및 이를 이용한 층간 절연막의cmp 방법
JP2006049912A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Samsung Electronics Co Ltd Cmpスラリー、前記cmpスラリーを使用する化学機械的研磨方法、及び前記cmpスラリーを使用する金属配線の形成方法
US8518297B2 (en) 2008-02-01 2013-08-27 Fujimi Incorporated Polishing composition and polishing method using the same
CN102504705A (zh) * 2011-10-17 2012-06-20 刘玉林 光通讯Zr02陶瓷插芯精密加工用抛光液及其制备方法
WO2020009055A1 (ja) * 2018-07-04 2020-01-09 住友精化株式会社 研磨用組成物

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