KR100298519B1 - 알루미나연마입자및희토류이온을포함하는슬러리,표면의연마방법및희토류수산화물의현탁액 - Google Patents

Abstract

연마 입자 및 이중 원자가(dual-valent)의 희토류 이온 또는 희토류 이온의 콜로이드성 수산화물의 현탁액을 함유하는 슬러리는 초소형 전자공학에 사용되는 표면과 같은 표면의 연마에 특히 유용하다. 콜로이드성 이중 원자가의 희토류 수산화물의 현탁액은 실리카를 연마시키는데 특히 유용하다.

Description

알루미나 연마 입자 및 희토류 이온을 포함하는 슬러리, 표면의 연마방법 및 희토류 수산화물의 현탁액{DUAL-VALENT RARE EARTH ADDITIVES TO POLISHING SLURRIES}

본 발명은 표면 연마에 특히 적합한 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 특히 초소형 전자공학에서 유용하다. 그러나, 슬러리 조성물을 유리를 포함한 다른 기판에도 사용할 수 있다. 본 발명의 슬러리는 향상된 연마 특성을 나타낸다.

초소형 전자공학 산업에서는, 관련 구조물을 평탄화시키거나 원치않는 물질들을 제거할 목적으로 전형적으로 긁힘이 없는 표면들을 연마시킨다. 예를 들면,알루미늄, 구리 및 텅스텐과 같은 금속이 평탄화된다. 이들 금속 표면들을, 연마제에 의해서 긁힘이 생기지 않도록 산화시킨다. 그러나, 전형적으로 알루미늄, 구리 또는 텅스텐 아래에는 내화성(refractory) 금속 라이너가 있어서 그 아래에 있는 절연체에 대한 우수한 접착성을 제공할 뿐만 아니라 보다 낮은 수준의 금속화(metallization)에 대한 우수한 내접촉성을 제공한다. 라이너는 니오브, 탄탈 및 티탄 단독일 수 있거나 이들의 질화물과의 혼합물 또는 임의의 기타 내화성 금속일 수 있다. BEOL 용도에 사용되는 이중(dual) 다마신(Damascene) 공정에서, 금속 뿐만 아니라 이들을 분리시키는 SiO₂의 라인 폭은 매우 좁다. 연마 공정에 의해서 SiO₂라인이 침식될 경우, 금속 라인은 이들로 인해 침식될 것이고 이들의 저항이 증가될 것이다. 따라서, 라이너가 연마 저지제(polish stop)으로서 작용할 수 있는 연마용 슬러리를 제공하는 것이 바람직하다.

알루미늄 합금은 절연체내에 에칭된 트렌치(trench)를 채우기 때문에, 그 위의 연속 알루미늄 층은 상기 패턴화되지 않은 영역보다 트렌치 깊이의 절반 정도 더 얇을 것이므로, 금속 라인 폭과 SiO₂스페이스(space) 폭은 동일할 것이라고 짐작할 수 있다. 알루미늄 합금이 상기 영역으로부터 제거되려면, 패턴화된 영역은 그 위에 있는 연속 알루미늄 필름이 제거된 지 훨씬 후에 연마될 것이다. 얇은 SiO₂라인의 상부에서 연마가 강력하게 저지되지 않으면, 패턴화된 영역은 크게 침식되어 과도하게 높은 저항을 갖게 될 것이다.

초소형 전자공학 산업과 관련된 또다른 문제점으로, BEOL 용도에서의 전도체의 일례가 구리 함량이 0.5중량%인 알루미늄 구리 합금이라는 것이다. 라이너 아래에는 티탄이 있는데, 이들은 350℃보다 높은 온도에 노출되면 TiAl₃을 형성한다. 과거에는 금속을 패턴화시키고 절연체를 연마시키는 반응성 이온 에칭 공정에서 상기 야금속학을 사용하였다. 절연체를 패턴화시키고 재유동(reflow) 공정에 의해 알루미늄 합금으로 패턴을 충진시키는 신규한 다마신 기술에서는 수계(water-based) 슬러리로 연마시킴으로써 과량의 알루미늄을 제거한다. 연마 공정 동안에 Al-Cu 합금으로부터 나온 구리는 용액내로 들어간다. 연마 공정이 TiAl₃층 아래의 티탄이 많은 층까지 도달하게 되면 구리가 무전해 도금에 의해 그 위에 석출된다(plate out). 그 이유는 구리는 활성 티탄보다 훨씬 더 양전기성이기 때문이다(티탄은 종래 기술의 연마 공정 동안에는 비활성이 되지 않는다).

SiO₂연마 분야에서, 가장 흔히 사용되는 연마제는 실리카이지만 이는 높은 연마 속도를 제공하지는 못한다. 더욱이, 시판중인 특정 실리카 슬러리는 니켈 불순물을 함유한다. 이러한 슬러리를 초소형 전자공학 용도에서 SiO₂절연체의 연마 용도로 사용할 경우, 니켈 불순물이 텅스텐 스터드(stud)위에 또는 그에 인접하게 석출되어 단락(short)을 유발시킴으로써 신뢰도를 상실시킬 것이다.

본 발명의 목적은 초소형 전자공학에서 사용되는 표면과 같은 표면을 연마시키는데 있어서, 향상된 연마 효과를 제공하고 구리 및 니켈이 존재할 경우 이들을석출시키지 않는 연마용 슬러리 조성물을 제공하는 것이다.

도 1은 본 발명에 따라 연마된 다마신 구조물을 개략적으로 도시한 것이다.

도 2는 종래 기술의 슬러리를 사용한 경우 라인 후단(back end of the line: BEOL) 구조물상의 구리 석출의 메카니즘이 제안된 도면이다.

본 발명은 전술된 종래기술의 문제점을 극복하기 위한, 연마에 적합한 슬러리 조성물을 제공하는 것이다. 특히, 본 발명은 내화성 금속 라이더가 연마 저지제로서 작용하는 슬러리를 제공한다. 또한, 본 발명의 슬러리는 향상된 연마 효과를 제공한다. 본 발명의 슬러리는, 구리 및 니켈이 존재할 경우 이들이 석출되는 것을 방지한다.

본 발명은 연마 입자 및 이중 원자가의 희토류 이온 또는 희토류 이온의 콜로이드성 수산화물의 현탁액을 함유하는 슬러리에 관한 것이다. 희토류 이온은 더 높은 원자가 형태로 있어야 한다. 연마 입자의 양은 약 0.2 내지 약 20중량%이고 이중 원자가의 희토류 이온 또는 수산화물의 양은 약 0.05 내지 약 2중량%이다. 이 양은 슬러리내의 연마 입자 및 희토류 이온 또는 그의 수산화물의 총량을 기준으로 한 것이다.

본 발명은 또한 표면을 연마시키는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 연마시킬 표면에 본원에서 기술된 유형의 슬러리를 제공함을 포함한다. 이어서 슬러리를 갖는 이 표면을 연마 패드와 접촉시켜 연마시킨다.

또한, 본 발명은 더 높은 원자가 상태에 있는 콜로이드성 이중 원자가의 희토류 수산화물을 0.05 내지 약 2중량%로 함유하는 현탁액에 관한 것이다.

본 발명은 또한 전술된 현탁액을 사용하여 실리카 기판을 연마시키는 방법에관한 것이다. 이 방법은 연마시킬 표면에 전술된 유형의 현탁액을 제공함을 포함한다. 이어서 실리카를 연마 패드와 접촉시킴으로써 연마시킨다. 이 공정은 어떠한 연마제도 필요로 하지 않는다.

본 발명의 한 양상에 따라, 연마 입자와 이중 원자가의 희토류 이온 또는 그의 콜로이드성 수산화물의 현탁액을 포함하는 슬러리가 제공된다. 더 높은 원자가 형태의 희토류가 사용된다. 본 발명에 적합한 몇몇 희토류의 예로는 Ce⁴⁺, Pr⁴⁺, Tb⁴⁺또는 이들의 콜로이드성 수산화물(예: Ce(OH)₄)의 현탁액이 있다. 이중 원자가의 희토류 이온 또는 희토류 수산화물 콜로이드는 산화 촉매로서 또한 연마 슬러리내 OH 이온의 공급원으로서 작용한다.

이중 원자가의 희토류는 알루미늄, 구리, 텅스텐의 연마 가공을 향상시키는데 특히 효과적이다. 또한, OH 라디칼의 공여체로서, 콜로이드성 이중 원자가 희토류 수산화물 슬러리의 더 높은 원자가의 형태는 그 자체로 또는 다른 연마제와 함께, 초소형 전자공학 산업에 사용되는 종래 기술의 연마 슬러리보다 더 빠른 SiO₂연마 속도를 제공한다. 콜로이드성 수산화물은 유리 OH 라디칼을 방출하고, SiO₂의 해중합을 가속화하여 SiO₂연마 속도를 증가시킬 수 있다.

게다가, 본 발명의 첨가제는 연마될 구조물에 존재하는 경우 Nb, Ta, Ti와 같은 내화성 금속 라이너를 연마 저지제로 전환시킨다.

희토류 이온은 산성 pH 범위에서 산화 촉매로서 작용하고, 이들의 콜로이드성 수산화물은 중성과 알칼리 pH 범위에서 산화 촉매로서 작용한다. 따라서, 이중 원자가의 희토류 연마 첨가제는 전 pH 범위에서 작용한다. 따라서, 본 발명은 광범위한 연마 용도에 사용할 수 있으며, pH에 따라 그 작용이 약하거나 강할 수 있다.

사용되는 연마 입자에는 연마 슬러리에 통상적으로 사용되는 것이 포함된다. 적합한 연마 입자의 예로는 알루미나, 실리카, 지르코니아, 세리아가 있다.

연마 입자는 전형적으로 입경이 약 10 내지 약 1000nm, 바람직하게는 약 50 내지 약 100nm이다.

연마 입자의 양은 약 0.2 내지 약 20중량%, 바람직하게는 약 1 내지 약 5중량%이다. 이중 원자가의 희토류 이온 또는 수산화물의 양은 약 0.05 내지 약 2중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 0.6중량%이다. 이러한 양은 슬러리중의 연마 입자와 희토류 이온 또는 수산화물의 총량을 기준으로 한다.

슬러리는 바람직하게는 수성 슬러리이다.

본 발명의 현탁액 양상에 관하여, 현탁액은 콜로이드성 이중 원자가 희토류 수산화물 약 0.05 내지 약 2중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 0.6중량%를 함유하는데, 이때 희토류는 더 높은 원자가의 형태이다. 수산화물 입자는 전형적으로 직경이 약 5 내지 약 100nm이고, 구체적인 예는 약 20nm이다. 이들은, 예를 들어 소성된 CeO₂입자보다 (OH) 라디칼 공급원을 더 많이 제공한다. 전형적인 CeO₂입자는 직경이 약 1μ이고, 총 표면적이 콜로이드성 입자의 표면적보다 훨씬 작다.

소성된 세리아로부터 제조된 이산화세륨 입자 및 분쇄법은 광학 산업에 사용되지만 초소형 전자공업에는 사용되지 않는데, 그 이유는 수성 환경에서 안정한 현탁액을 형성하지 않는 상당히 큰 입자이기 때문이다. 게다가, 안정한 연마 속도를 얻기 위해서는 패드에서 100시간 정도의 조정시간(run-in time)이 필요하다. 조정시간은 연마 패드상의 연마제 농도를 필요한 수준으로 만드는데 필요한 시간이다.

본 개시내용을 알고 있는 당분야의 숙련자라면 과도한 실험을 하지 않고도 연마 또는 평탄화의 변수들을 결정할 수 있다. 예를 들어, 연마 패드의 회전속도는 약 10 내지 150rpm이고, 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)의 회전 속도는 약 10 내지 약 150rpm이고, 강하력은 약 2 내지 약 10psi이다. 연마 패드는 초소형 전자공학 분야의 연마에서 통상적으로 사용되는 것이다.

본 발명에 따라 연마될 수도 있는 표면은 이산화규소 및 규소원자와 산소원자를 함유하는 물질(예: 유동성 산화물)을 포함한다. 물론, 이 표면은 전술된 것 이외의 물질을 포함할 수도 있다.

본 발명을 더 예시하기 위해 하기의 비제한적인 예를 제공한다.

실시예 1

패턴화된 SiO₂상에 침착된 알루미늄 합금을 갖는 구조물(소위 다마신 구조물)을 평탄화시킨다(도 1을 참조). 패턴화된 SiO₂위의 알루미늄 층은 패턴화되지 않은 SiO₂영역보다 트렌치 깊이의 약 절반 정도가 더 얇다. 따라서, 그 영역으로부터 알루미늄 합금을 제거하기 위하여, 패턴화된 구역은 그 위의 연속 알루미늄필름이 제거된지 훨씬 후에 연마될 것이다. 본 발명에 의해 달성된 바와 같이 얇은 SiO₂라인의 위에 강한 연마 저지제가 없다면, 패턴화된 구역은 크게 침식되어 과도하게 높은 저항을 갖게 될 것이다. 동시계류중인 미국 특허출원 제 08/691,704 호(전 개시내용이 본원에 참조로 인용됨)에 개시된 것과 같은 니오브 라이너가 SiO₂의 위에 존재할 수도 있다.

사용된 연마 슬러리는 물중에서 pH가 약 4인 약 75nm 입경의 콜로이드성 알루미나 약 3중량%와 수용성 (NH₄)₂Ce(NO₃)₆약 3.5g/ℓ를 함유한다. 세륨은 4가 세륨이다. 세륨 화합물을 첨가한 후, 슬러리의 pH는 2이다. 이 슬러리는 회전속도 약 50/50rpm, 압력 약 6psi에서 폴리텍스(Polytex, 로델(Rodel) 제품)를 사용하여 알루미늄 합금을 약 300nm/분의 속도로 연마한다. 연마 공정이 SiO₂라인 위의 니오브 라이너에 도달하면, Ce⁴⁺이온은 니오브 라이너를 Nb₂O₅로 산화시키고, 연마 공정은 여기서 중단되어 좁은 SiO₂라인의 침식이 방지된다. 그러나, 패턴화되지 않은 영역의 알루미늄의 연마는 니오브 라이너가 있는 곳까지 계속된다.

그 다음, 산화된 나오브를 제거하는데 콜로이드성 실리카 슬러리가 사용되는데, 이는 용이하게 이루어진다. 라이너를 연마 저지제로서 작용하게 하는 본 발명에 따른 슬러리 첨가제를 사용하면 패턴화된 구역의 침식이 방지되고, 또한 웨이퍼의 가장자리와 중앙의 사이에서 일어나는 연마 속도의 불균일성의 불리한 영향이 제거된다.

실시예 2

알루미늄 합금 대신에 구리를 사용하고, 니오브 라이너 대신에 탄탈 또는 그의 질화물을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1의 공정을 반복한다. 얻어진 결과는 구리에 대한 제 1 금속 연마 속도가 알루미늄의 경우보다 훨씬 클 수 있다는 점을 제외하고는 상기 논의된 것과 유사하다. 이는 구리가 알루미늄 표면에서보다 이중 원자가의 희토류 이온에 의한 산화가 더 용이하고, 구리 산화물이 알루미늄 산화물보다 기계적으로 더 연질이라는 것에 기인할 수 있다.

실시예 3

알루미늄 합금 대신에 텅스텐을 사용하고, 니오브 라이너 대신에 티탄 또는 그의 질화물을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1의 공정을 반복한다. 얻어진 결과는 실시예 1의 결과와 유사하다.

실시예 4

도 2에 예시된 구조물을 평탄화시킨다. 이 구조물은 구리 약 0.5중량%를 함유하는 알루미늄 구리 합금의 BEOL 적용을 위한 전도체를 도시한다. 합금의 아래에는 350℃를 초과하는 온도에 노출되면 TiAl₃을 이루는 티탄 라이너가 있다. 도시된 바와 같이, 절연체가 패턴화되고 알루미늄 합금이 패턴을 채우면(예를 들어, 재유동 공정에 의해), 과량의 알루미늄은 연마에 의해 제거되어야 한다. Al-Cu 합금으로부터의 구리는 연마하는 동안 용액으로 들어간다. 연마 공정이 티탄 라이너의 티탄이 많은 층에 도달하면, 종래 기술에 따라 무전해 도금에 의해 구리가 석출된다. 구리는 활성 티탄보다 훨씬 더 양전기성이다.

그러나, 본 발명의 희토류 첨가제는 구리 이온을 불용성 구리 산화물로 변환시키고 티탄 라이너의 티탄이 많은 저부층을 산화시킴으로써, 구리의 석출을 방지한다.

실시예 1에 사용된 것과 같은 연마 슬러리를 본 실시예에 사용한다. 구리 석출이 방지되고, 알루미늄이 평탄화된다.

실시예 5

연마 슬러리가 실리카 약 10중량%와 Ce(OH)₄약 0.13중량%를 함유하는 수성 슬러리인 것을 제외하고는, 실시예 4를 반복한다. 이 슬러리의 pH는 중성에 가까우므로(pH 7.7) 비부식성이다.

이 슬러리는 물 약 2ℓ에 약 2ℓ의 30N50 클레보졸(Klebosol)을 첨가하여 제조한다. 30N50 클레보졸(훽스트(Hoechst) 제품)은 입경이 50nm인 실리카 입자 30중량%를 함유하고, pH가 9.86이다. 여기에 물 2ℓ에 용해시킨 6×3.5g의 (NH₄)₂Ce(NO₃)₆의 용액을 세게 교반하면서 첨가한다. 얻어진 결과는 실시예 4와 유사하다.

실시예 6

연마 슬러리가 실리카 10중량%와 콜로이드성 Ce(OH)₄약 0.11중량%를 함유하는 중성에 가까운 pH의 수성 슬러리인 것을 제외하고는, 실시예 4를 반복한다.

이 슬러리는 물 1ℓ에 4×3g의 (NH₄)₂Ce(NO₃)₆을 용해시켜 제조한다.4×1.5g의 고상 KOH를 다른 1ℓ의 물에 용해시켜 세리아 용액에 세게 교반하면서 첨가한다. Ce(OH)₄는 담황색의 콜로이드성 침전을 형성한다. 이 콜로이드 현탁액 2ℓ를 중성 pH의 시판중인 실리카 슬러리 2ℓ에 혼합한다. 실리카 슬러리의 실리카 농도는 20중량%이다.

실시예 7

이산화규소와 특히 TEOS 산화물을 Ce(OH)₄0.6중량%를 함유하는 pH 8.9의 슬러리로 연마한다.

연마는 플래튼(platen)과 캐리어에 대하여 각각 압력 5psi와 100/100rpm에서 팬(Pan)-W 패드(프로이덴베르크(Freudenberg) 제품)를 사용하여 수행한다. 얻어진 연마 속도는 약 200nm/분이다. 초소형 전자공학 산업에서 널리 사용되는, 실리카 10중량%를 함유하는 pH 10.2의 알칼리성 실리카 슬러리를 사용하는 유사한 조건하의 연마 속도는 단지 70nm/분이다.

유사한 조건하에 콜로이드성 Ce(OH)₄약 0.6중량%가 첨가된 상기 알칼리성 실리카 슬러리를 사용하여 연마하면 연마 속도가 약 70% 증가한다.

실시예 8

슬러리가 pH 8.9에서 소성된 CeO₂(입경 1μ) 약 1중량%와 콜로이드성 Ce(OH)₄0.6중량%를 함유하는 것을 제외하고는, 실시예 7을 반복한다. 연마 속도는 제 1 웨이퍼에서 조정시간 없이 약 500nm/분이고, 이 속도는 안정하게 유지된다.

조정시간은 연마 패드상의 연마제의 농도를 필요한 수준으로 만드는데 필요한 시간이다.

실시예 9

10중량%의 실리카를 제공하는, 물 2부 당 SC-1 실리카 분산액(카보트(Cabot) 제품) 1부와, 콜로이드성 Ce(OH)₄약 0.5중량%를 함유하는 pH 8.84의 슬러리를 사용하여 TEOS 산화물을 연마한다. Ce(OH)₄는 (NH₄)Ce(NO₃)₆과 K(OH)의 2:1 수용액으로부터 제조된다. 연마는 강하력 8psi와 50/50rpm에서 수바(Suba)IV/IC1000 패드로 수행한다. 연마 속도는 170nm/분이다.

실시예 10(비교용)

슬러리가 Ce(OH)₄를 함유하지 않고 pH가 10.18인 것을 제외하고는, 실시예 9를 반복한다. 연마 속도는 100nm/분으로 감소된다.

실시예 11

Ce(OH)₄를 3:2의 세륨 염과 K(OH)로부터 제조하여 슬러리의 pH가 9.6이고, 연마를 5psi의 강하력에서 수행하는 것을 제외하고는, 실시예 9를 반복한다. 연마 속도는 120nm/분이다.

실시예 12(비교용)

슬러리가 Ce(OH)₄를 함유하지 않는다는 것을 제외하고는, 실시예 11을 반복한다. 연마 속도는 70nm/분이다.

본 발명의 연마용 슬러리 조성물을 사용하면 향상된 연마 효과가 제공될 뿐만 아니라 구리 및 니켈을 사용하는 경우에도 이들이 석출되지 않는다.

Claims (32)

1. 알루미나 연마 입자 0.2 내지 20중량% 및 4+ 원자가 상태의 이중 원자가(dual-valent) 희토류 이온 0.05 내지 2중량%(여기서, 중량%는 슬러리 중의 연마 입자 및 희토류 이온의 합량 기준임)를 포함하는 슬러리.
2. 제 1 항에 있어서,

   희토류 이온이 Ce⁴⁺, Pr⁴⁺, Tb⁴⁺및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 슬러리.
3. 제 1 항에 있어서,

   희토류 이온이 Ce⁴⁺인 슬러리.
4. 제 1 항에 있어서,

   알루미나 연마 입자가 10 내지 1000㎚의 입경을 갖는 슬러리.
5. 제 1 항에 있어서,

   수성인 슬러리.
6. 알루미늄, 구리, 텅스텐 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속을 포함하는 표면의 연마 방법에 있어서,

   알루미나 연마 입자 0.2 내지 20중량% 및 4+ 원자가 상태의 이중 원자가 희토류 이온 0.05 내지 2중량%(여기서, 중량%는 슬러리 중의 연마 입자 및 희토류 이온의 합량 기준임)를 용해된 상태로 포함하는 산성 pH의 슬러리를 표면에 제공하는 단계 및

   상기 표면을 연마 패드에 접촉시켜 표면을 연마시키는 단계를 포함하는,

   표면의 연마방법.
7. 제 6 항에 있어서,

   희토류 이온이 Ce⁴⁺, Pr⁴⁺, Tb⁴⁺및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 연마방법.
8. 제 6 항에 있어서,

   희토류 이온이 Ce⁴⁺인 연마방법.
9. 제 6 항에 있어서,

   알루미나 연마 입자가 10 내지 1000㎚의 입경을 갖는 연마방법.
10. 제 6 항에 있어서,

    슬러리가 수성 슬러리인 연마방법.
11. 제 6 항에 있어서,

    연마시킬 표면 아래에 내화성(refractory) 금속 라이너가 있고 이중 원자가 희토류 이온이 상기 내화성 금속 라이너를 산화시켜 이것을 연마 저지제(polish stop)로 전환시키는 것을 포함하는 연마방법.
12. 제 11 항에 있어서,

    내화성 금속 라이너가 니오브, 탄탈, 티탄, 이들의 질화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 연마방법.
13. 제 6 항에 있어서,

    연마 단계 동안에 연마 패드의 속도가 10 내지 150rpm이고, 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)의 속도가 10 내지 150rpm인 연마방법.
14. 4+ 원자가 상태의 희토류 이온의 수산화물을 0.05 내지 2중량% 함유하는 콜로이드성 이중 원자가의 희토류 수산화물의 현탁액.
15. 제 14 항에 있어서,

    희토류 이온이 Ce⁴⁺, Pr⁴⁺, Tb⁴⁺, 그의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 현탁액.
16. 제 14 항에 있어서,

    희토류 이온이 Ce⁴⁺인 현탁액.
17. 제 14 항에 있어서,

    콜로이드성 수산화물이 5 내지 100㎚의 입경을 갖는 현탁액.
18. 제 14 항에 있어서,

    수성인 현탁액.
19. 4+ 원자가 상태의 희토류 이온의 수산화물을 0.05 내지 2중량% 함유하는 콜로이드성 이중 원자가의 희토류 수산화물의 현탁액을 표면에 제공하는 단계 및

    상기 표면을 연마 패드와 접촉시켜 표면을 연마시키는 단계를 포함하는,

    표면의 연마방법.
20. 제 19 항에 있어서,

    표면이 이산화규소인 연마방법.
21. 제 19 항에 있어서,

    표면이 유동성 산화물을 포함하는 규소 및 산소 원자 함유 물질인 연마방법.
22. 제 20 항에 있어서,

    연마 단계 동안에 연마 패드의 속도가 10 내지 150rpm이고 웨이퍼 캐리어의 속도가 10 내지 150rpm인 연마방법.
23. 제 19 항에 있어서,

    희토류 이온이 Ce⁴⁺, Pr⁴⁺, Tb⁴⁺및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 연마방법.
24. 제 19 항에 있어서,

    희토류 이온이 Ce⁴⁺인 연마방법.
25. 제 19 항에 있어서,

    현탁액이 수성인 연마방법.
26. 제 19 항에 있어서,

    콜로이드성 수산화물이 5 내지 100㎚의 입경을 갖는 연마방법.
27. 제 6 항에 있어서,

    표면이 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하는 연마방법.
28. 제 12 항에 있어서,

    표면이 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하는 연마방법.
29. 제 6 항에 있어서,

    표면이 초소형 전자소자인 연마방법.
30. 제 6 항에 있어서,

    표면이 Al-Cu 합금을 포함하는 연마방법.
31. 제 6 항에 있어서,

    슬러리의 pH가 약 2인 연마방법.
32. 제 1 항에 있어서,

    산성 pH를 갖는 슬러리.