JPH10161564A - Display device - Google Patents
Display deviceInfo
- Publication number
- JPH10161564A JPH10161564A JP8331388A JP33138896A JPH10161564A JP H10161564 A JPH10161564 A JP H10161564A JP 8331388 A JP8331388 A JP 8331388A JP 33138896 A JP33138896 A JP 33138896A JP H10161564 A JPH10161564 A JP H10161564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- transistor
- display device
- light
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 22
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 67
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、表示装置に関
し、さらに詳しくは、エレクトロルミネッセンス（以
下、ＥＬという）素子によりドットマトリクス表示パネ
ルを構成するＥＬ表示装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a display device, and more particularly, to an EL display device comprising a dot matrix display panel using electroluminescence (hereinafter referred to as EL) elements.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、自発光表示素子である有機ＥＬ素
子をドットマトリクス状に配置した表示装置が知られて
いる。この表示装置では、カソード・スキャンライン
（金属電極側）をコモンラインとし、ＩＴＯ（indume t
in oxide）でなるアノード・スキャンラインをデータラ
インとし、このデータライン側に正電圧をカソード選択
期間内で一斉に印加して、コモンラインとデータライン
とが直交する部分の有機ＥＬ素子を線順次駆動して画像
を表示している。しかし、このような表示装置にあって
は、コモンラインとデータラインとが直交する部分の有
機ＥＬ素子を線順次駆動して画像を表示するようになっ
ているため、コモンライン数およびデータライン数が多
くなるにしたがって、１画素当たりの選択時間（デュー
ティＨ）が短くなり、表示装置として必要な輝度を得る
ことができないという問題点がある。このため、１画素
当たりの輝度を高めるために有機ＥＬ素子に印加する電
圧を高くすると有機ＥＬ層の劣化や非発光部分（ダーク
スポット）が成長し易くなるなどの問題が発生する。2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a display device in which organic EL elements which are self-luminous display elements are arranged in a dot matrix. In this display device, the cathode scan line (the metal electrode side) is used as a common line, and the
The anode scan line made of in oxide) is used as the data line, and a positive voltage is applied to this data line at the same time during the cathode selection period, and the organic EL elements where the common line and the data line are orthogonal to each other are line-sequentially The image is displayed by driving. However, in such a display device, an image is displayed by driving the organic EL element in a portion where the common line and the data line are orthogonal to each other in a line-sequential manner. As the number of pixels increases, the selection time (duty H) per pixel becomes shorter, and there is a problem that the luminance required for the display device cannot be obtained. For this reason, if the voltage applied to the organic EL element is increased in order to increase the luminance per pixel, problems such as deterioration of the organic EL layer and easy growth of a non-light emitting portion (dark spot) occur.
【０００３】このような問題に対処した表示装置とし
て、画素内に２つの薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと
いう）を組み合わせて形成して各画素にメモリ性をもた
せたものが提案されている。この２つのＴＦＴのうち、
一方は選択トランジスタであり、他方はメモリトランジ
スタとしての機能を備えている。この表示装置は、ガラ
ス基板上の各画素領域内にこれら２つのＴＦＴが形成さ
れ、各画素領域内におけるＴＦＴが形成されていない領
域に、順次、透明なアノード電極、有機ＥＬ層、不透明
なカソード電極が積層された構成となっている。この表
示装置においては、電子と正孔との再結合により発生す
る励起エネルギーにより有機ＥＬ層が発光する機構にな
っている。すなわち、電圧印加時に、アノード電極から
正孔が、カソード電極から電子が、それぞれ有機ＥＬ層
に注入されることになる。ここで、キャリア注入効率
は、アノード電極のイオン化ポテンシャル、カソード電
極の電子親和力（仕事関数）に依存しており、キャリア
注入効率に起因する発光効率を向上するため、カソード
電極には低仕事関数の材料が選択されていた。しかしな
がら、低仕事関数の材料はマグネシウム等の金属からな
るため、有機ＥＬ層が発光する光に対し反射性を有して
おり、有機ＥＬ層は透明なＩＴＯ等のアノード電極側か
ら基板を介して発光するような構造になっている。な
お、上記したように、発光する有機ＥＬ層は２つのＴＦ
Ｔが形成された領域と平面的に重ならない配置となって
おり、表示光がＴＦＴへ入射するのを防止するよう配慮
されている。この理由は、ＴＦＴへ光が入射すると、Ｔ
ＦＴのチャネル領域で不要な光起電力が生じて誤動作を
引き起こす問題が発生するからである。As a display device which addresses such a problem, there has been proposed a display device in which two thin film transistors (hereinafter, referred to as TFTs) are formed in combination in a pixel so that each pixel has a memory property. Of these two TFTs,
One is a selection transistor, and the other has a function as a memory transistor. In this display device, these two TFTs are formed in each pixel region on a glass substrate, and a transparent anode electrode, an organic EL layer, and an opaque cathode are sequentially formed in a region where the TFT is not formed in each pixel region. It has a configuration in which electrodes are stacked. In this display device, the organic EL layer emits light by excitation energy generated by recombination of electrons and holes. That is, when a voltage is applied, holes are injected from the anode electrode and electrons are injected from the cathode electrode into the organic EL layer. Here, the carrier injection efficiency depends on the ionization potential of the anode electrode and the electron affinity (work function) of the cathode electrode. To improve the luminous efficiency due to the carrier injection efficiency, the cathode electrode has a low work function. Material was selected. However, since the material having a low work function is made of a metal such as magnesium, the organic EL layer has reflectivity for light emitted from the organic EL layer. It is structured to emit light. As described above, the organic EL layer that emits light has two TFs.
The arrangement is such that it does not overlap the region where T is formed in a plane, so that display light is prevented from entering the TFT. The reason is that when light enters the TFT, T
This is because unnecessary photovoltaic power is generated in the channel region of the FT to cause a malfunction.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た表示装置では、各画素において発光を起こす領域が２
つのＴＦＴを除いた領域に限定されるため、画素領域に
占める発光領域の割合（開口率）が低いという問題が挙
げられていた。また、有機ＥＬ層で発生した光は、ガラ
ス基板やその上に形成されたゲート絶縁膜などにより吸
収されて通過するため、ガラス基板から出射される表示
光の外部発光効率が低くなる点が指摘されていた。これ
ら２つの問題点によって、表示装置が高精細化するほど
開口率が低下して所望の輝度を得ることが困難になると
いう問題がある。However, in the above-mentioned display device, the area where light emission occurs in each pixel is two.
There is a problem that the ratio of the light emitting region to the pixel region (aperture ratio) is low because it is limited to the region excluding one TFT. In addition, it is pointed out that since the light generated in the organic EL layer is absorbed and passed by the glass substrate and the gate insulating film formed thereon, the external luminous efficiency of display light emitted from the glass substrate is reduced. It had been. Due to these two problems, there is a problem that the higher the definition of the display device, the lower the aperture ratio and the more difficult it is to obtain a desired luminance.
【０００５】この発明が解決しようとする課題は、各画
素部分の開口率を高くすることにより面発光輝度を確保
することができるとともに、高精細化しても消費電力の
増加を抑制でき、しかも発光寿命の長い表示装置を得る
には、どのような手段を講じればよいかという点にあ
る。The problem to be solved by the present invention is that, by increasing the aperture ratio of each pixel portion, surface emission luminance can be ensured, and even if the definition is increased, an increase in power consumption can be suppressed. What means should be taken to obtain a display device with a long life?
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板上に設けられ、走査ライン及び信号ラインに接続さ
れたスイッチング素子と、スイッチング素子の上方に設
けられた第１電極、第１電極上に設けられ、電界に応じ
て光を発光する電界発光層及び前記電界発光層上に設け
られ、前記電界発光層の光を透過する第２電極、を有す
る発光素子と、からなることを特徴としている。According to the first aspect of the present invention,
A switching element provided on the substrate and connected to the scanning line and the signal line; a first electrode provided above the switching element; an electroluminescent layer provided on the first electrode and emitting light according to an electric field And a second electrode provided on the electroluminescent layer and transmitting light of the electroluminescent layer.
【０００７】請求項１記載の発明によれば、発光素子の
電界発光層が電界に応じて発光する光を、電界発光層を
挾んでなる、下方にスイッチング素子が設けられた第１
電極と第２電極のうち、第２電極の方から出射させるこ
とができるので、スイッチング素子により開口率を低く
することなく、表示光を発光することができる。According to the first aspect of the present invention, the light emitting element emits light in response to an electric field by the electroluminescent layer, and the first switching element is provided below the electroluminescent layer and provided with the switching element.
Since the light can be emitted from the second electrode of the electrode and the second electrode, display light can be emitted without reducing the aperture ratio by the switching element.
【０００８】請求項２記載の発明は、スイッチング素子
は、絶縁膜を介して前記第１電極と接続されていること
を特徴としている。The invention according to claim 2 is characterized in that the switching element is connected to the first electrode via an insulating film.
【０００９】請求項３記載の発明は、スイッチング素子
は、前記走査ライン及び前記信号ラインに接続された選
択トランジスタと、前記選択トランジスタに接続された
駆動トランジスタと、からなることを特徴としている。According to a third aspect of the present invention, the switching element includes a selection transistor connected to the scanning line and the signal line, and a driving transistor connected to the selection transistor.
【００１０】請求項４記載の発明は、選択トランジスタ
は、前記走査ラインに接続されたドレイン電極と、前記
信号ラインに接続されたゲート電極と、半導体層と、を
有する薄膜トランジスタであり、前記駆動トランジスタ
は、前記選択トランジスタのソース電極に接続されたゲ
ート電極と、前記第１電極に接続されたソース電極と、
半導体層と、を有する薄膜トランジスタであることを特
徴としている。According to a fourth aspect of the present invention, the selection transistor is a thin film transistor having a drain electrode connected to the scan line, a gate electrode connected to the signal line, and a semiconductor layer. A gate electrode connected to a source electrode of the select transistor, a source electrode connected to the first electrode,
And a semiconductor layer.
【００１１】請求項５記載の発明は、発光素子は、マト
リクス状に複数配置され、前記スイッチング素子は、前
記発光素子の下方に各々配置されていることを特徴とし
ている。[0011] The invention according to claim 5 is characterized in that a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix, and the switching elements are respectively arranged below the light emitting elements.
【００１２】請求項６記載の発明は、第１電極は、絶縁
膜を介して前記選択トランジスタ及び前記駆動トランジ
スタの上方に設けられ、前記絶縁膜に設けられたコンタ
クトホールを介して前記駆動トランジスタに接続されて
いることを特徴としている。According to a sixth aspect of the present invention, the first electrode is provided above the selection transistor and the drive transistor via an insulating film, and is connected to the drive transistor via a contact hole provided in the insulating film. It is characterized by being connected.
【００１３】請求項７記載の発明は、第１電極は、電界
発光層の発光する光と同じ波長域の光に対し反射性を有
するカソード電極であり、第２電極は、電界発光層の発
光する光と同じ波長域の光に対し透過性を有するアノー
ド電極であることを特徴としている。このため、第１電
極が、低仕事関数の電極材料を適用することができ、発
光効率を向上するとともに、電界発光層の発光する光が
スイッチング素子に入射することを抑制できるので、ス
イッチング素子への光入射による誤動作を防止すること
ができ、良好な輝度表示を行うことができ、さらにスイ
ッチング素子の外光によるちらつきがないので視認性が
向上する。また、電界発光層の発光する光を反射し、第
２電極側に出射するので表示輝度効率がよい。According to a seventh aspect of the present invention, the first electrode is a cathode electrode having reflectivity for light in the same wavelength region as the light emitted from the electroluminescent layer, and the second electrode is light emitting from the electroluminescent layer. The anode electrode is characterized in that it is an anode electrode that is transparent to light in the same wavelength range as the light to be emitted. For this reason, the first electrode can use an electrode material having a low work function, improve luminous efficiency, and suppress light emitted from the electroluminescent layer from being incident on the switching element. Erroneous operation due to light incidence can be prevented, good luminance display can be performed, and visibility is improved because there is no flicker due to external light of the switching element. In addition, light emitted from the electroluminescent layer is reflected and emitted toward the second electrode, so that display luminance efficiency is high.
【００１４】請求項８記載の発明は、選択トランジスタ
は、前記信号ラインからの前記電界発光層の発光輝度デ
ータに応じた信号電圧に応じた電圧を前記駆動トランジ
スタに印加するトランジスタであり、前記駆動トランジ
スタは、前記発光素子の次の選択期間まで前記発光輝度
データに応じた電圧を前記第１電極に印加し続けるトラ
ンジスタであることを特徴としている。In a preferred embodiment of the present invention, the selection transistor is a transistor that applies a voltage corresponding to a signal voltage corresponding to light emission luminance data of the electroluminescent layer from the signal line to the drive transistor. The transistor is a transistor that continues to apply a voltage according to the light emission luminance data to the first electrode until a next selection period of the light emitting element.
【００１５】請求項９記載の発明は、選択トランジスタ
は、消去期間に前記信号ラインから消去電圧が印加され
書き込み期間に前記信号ラインから書き込み電圧が印加
されることを特徴としている。According to a ninth aspect of the present invention, in the selection transistor, an erasing voltage is applied from the signal line during an erasing period, and a writing voltage is applied from the signal line during a writing period.
【００１６】請求項１０記載の発明は、電界発光層は、
電界に応じて発光する有機エレクトロルミネッセンス層
であることを特徴としている。According to a tenth aspect of the present invention, the electroluminescent layer comprises:
It is an organic electroluminescent layer that emits light in response to an electric field.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る表示装置の
詳細を図面に示す各実施形態に基づいて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, details of a display device according to the present invention will be described based on embodiments shown in the drawings.
【００１８】（実施形態１）まず、図１および図２を用
いて本発明に係る表示装置の実施形態１の構成を説明す
る。図１は本実施形態の表示装置の１画素部分を示す平
面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。図中１
は表示装置を示している。この表示装置１は、図１およ
び図２に示すように、基体としてのガラス基板２の上
に、ｎチャネルの選択トランジスタＱ1と、ｎチャネル
の駆動トランジスタとしてメモリトランジスタＱ2と、
有機ＥＬ素子３などが形成されて構成されている。(Embodiment 1) First, the configuration of Embodiment 1 of the display device according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view showing one pixel portion of the display device of the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1 in the figure
Indicates a display device. As shown in FIGS. 1 and 2, this display device 1 has an n-channel selection transistor Q 1 , a memory transistor Q 2 as an n-channel driving transistor, and a glass transistor 2 on a glass substrate 2 as a base.
The organic EL element 3 is formed.
【００１９】具体的な構成を説明すると、ガラス基板２
の上に例えばアルミニウム（Ａｌ）でなるゲートメタル
膜がパターニングされて、所定方向に沿って平行かつ等
間隔をなす複数のアドレス線４と、このアドレス線４に
一体的な、選択トランジスタＱ1のゲート電極４Ａと、
メモリトランジスタＱ2のゲート電極４Ｂと、が形成さ
れている。なお、これらゲート電極４Ａ、４Ｂおよびア
ドレス線４の表面には、陽極酸化膜５が形成されてい
る。また、これらアドレス線４、ゲート電極４Ａ、４Ｂ
およびガラス基板２の上には、窒化シリコンでなるゲー
ト絶縁膜６が形成されている。さらに、ゲート電極４
Ａ、４Ｂの上方のゲート絶縁膜６、ゲート絶縁膜６Ａの
上には、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）でなる半導
体層７Ａ、７Ｂがパターン形成されている。また、それ
ぞれの半導体層７Ａ、７Ｂの中央には、チャネル幅方向
に沿って形成されたブロッキング層８Ａ、８Ｂが形成さ
れている。そして、半導体層７Ａの上には、ブロッキン
グ層８Ａ上でソース側とドレイン側に分離されたオーミ
ック層９Ａ、９Ａが、形成されている。他方、半導体層
７Ｂの上には、ブロッキング層８Ｂ上でソース側とドレ
イン側に分離されたオーミック層９Ｂ、９Ｂが、形成さ
れている。さらに、選択トランジスタＱ1においては、
ドレイン側のオーミック層９Ａに積層されて接続するデ
ータ線１０Ａと、ソース側のオーミック層９Ａに積層さ
れて接続するソース電極１０Ｂと、が形成されている。
このソース電極１０Ｂは、メモリトランジスタＱ2のゲ
ート電極４Ｂに対して、ゲート絶縁膜６に開口したコン
タクトホール１１を介して接続されている。メモリトラ
ンジスタＱ2においては、ソース側のオーミック層９Ｂ
に積層されて接続するＧＮＤ線１２と、一端がドレイン
側のオーミック層９Ｂに積層されて接続して他端が有機
ＥＬ素子３の後記するカソード電極１５に接続するドレ
イン電極１３が形成されている。このような選択トラン
ジスタＱ1とメモリトランジスタＱ2とで電圧制御手段が
構成されている。The specific structure will be described.
A gate metal film made of, for example, aluminum (Al) is patterned thereon, and a plurality of address lines 4 which are parallel and equally spaced along a predetermined direction, and a select transistor Q 1 integrated with the address lines 4 are formed. A gate electrode 4A;
A gate electrode 4B of the memory transistor Q 2, is formed. An anodic oxide film 5 is formed on the surfaces of the gate electrodes 4A, 4B and the address lines 4. Further, these address lines 4, gate electrodes 4A, 4B
A gate insulating film 6 made of silicon nitride is formed on the glass substrate 2. Further, the gate electrode 4
Semiconductor layers 7A and 7B made of amorphous silicon (a-Si) are pattern-formed on the gate insulating film 6 above the gate insulating films A and 4B. Further, blocking layers 8A and 8B formed along the channel width direction are formed at the centers of the respective semiconductor layers 7A and 7B. On the semiconductor layer 7A, ohmic layers 9A, 9A separated on the blocking layer 8A on the source side and the drain side are formed. On the other hand, on the semiconductor layer 7B, ohmic layers 9B, 9B separated on the blocking layer 8B on the source side and the drain side are formed. Further, in the select transistor Q 1,
A data line 10A stacked and connected to the drain-side ohmic layer 9A and a source electrode 10B stacked and connected to the source-side ohmic layer 9A are formed.
The source electrode 10B, to the gate electrode 4B of the memory transistor Q 2, is connected through a contact hole 11 opened in the gate insulating film 6. In the memory transistor Q 2, the source-side ohmic layer 9B
And a drain electrode 13 connected at one end to the drain-side ohmic layer 9B and connected at the other end to a cathode electrode 15 described later of the organic EL element 3. . The voltage control means is configured in such a select transistor Q1 and the memory transistor Q 2.
【００２０】次に、有機ＥＬ素子３の構成を説明する。
まず、上記した選択トランジスタＱ1、メモリトランジ
スタＱ2およびゲート絶縁膜６の上に、表示装置１の表
示領域全域に亙って、層間絶縁膜１４が堆積されてい
る。そして、上記したメモリトランジスタＱ2のドレイ
ン電極１３の端部上の層間絶縁膜１４にコンタクトホー
ル１４Ａが形成されている。なお、メモリトランジスタ
Ｑ2のドレイン電極１３の端部は、１画素領域の略中央
に位置するように設定されている。そして、層間絶縁膜
１４の上に、例えばＭｇＩｎでなるカソード電極１５が
パターン形成されている。このカソード電極１５は、１
画素領域の大部分を覆うような面積および形状（本実施
形態では略正方形）を有している。なお、本実施形態に
おいては、カソード電極１５が、相隣接するデータ線１
０Ａ、１０Ａと相隣接するアドレス線４、４とで囲まれ
る領域（１画素領域）を略覆うように形成されている。
ここで、選択トランジスタＱ1とメモリトランジスタＱ2
とは、カソード電極１５で全面的に覆われている。Next, the configuration of the organic EL element 3 will be described.
First, an interlayer insulating film 14 is deposited over the selection transistor Q 1 , the memory transistor Q 2, and the gate insulating film 6 over the entire display region of the display device 1. Then, a contact hole 14A is formed in the interlayer insulating film 14 on the end of the drain electrode 13 of the memory transistor Q 2 to which the above-mentioned. The end portion of the drain electrode 13 of the memory transistor Q 2 is set to be positioned at substantially the center of one pixel region. On the interlayer insulating film 14, a cathode electrode 15 made of, for example, MgIn is formed by patterning. This cathode electrode 15
It has an area and shape (substantially square in this embodiment) that covers most of the pixel region. In this embodiment, the cathode electrode 15 is connected to the adjacent data line 1.
It is formed so as to substantially cover a region (one pixel region) surrounded by address lines 4 and 4 adjacent to 0A and 10A.
Here, the selection transistor Q 1 and the memory transistor Q 2
Is completely covered with the cathode electrode 15.
【００２１】このように、各画素毎にパターン形成され
たカソード電極１５、および層間絶縁膜１４の上に、有
機ＥＬ層１６が表示領域全域に亙って形成されている。
さらに、有機ＥＬ層１６の上には、透明なＩＴＯ（indu
me tin oxide）でなるアノード電極１７が表示領域全域
に亙って形成されている。なお、図示しないが、アノー
ド電極１７の周縁部には、駆動電源が接続されている。As described above, the organic EL layer 16 is formed over the entire display region on the cathode electrode 15 and the interlayer insulating film 14 which are patterned for each pixel.
Further, on the organic EL layer 16, a transparent ITO (indu
An anode electrode 17 made of me tin oxide is formed over the entire display area. Although not shown, a driving power supply is connected to a peripheral portion of the anode electrode 17.
【００２２】ここで、本実施形態の表示装置１の作用・
効果について説明する。上記した構成でなる本実施形態
の表示装置１においては、カソード電極１５が、相隣接
するデータ線１０Ａ、１０Ａと相隣接するアドレス線
４、４とで囲まれる領域（１画素領域）を略覆うように
形成されているため、有機ＥＬ素子３は１画素領域の略
全域に亙って発光を行うことができる。このため、本実
施形態の表示装置１では、１画素当たりの開口率を飛躍
的に高めることができる。また、カソード電極１５が光
反射性を有するＭｇＩｎで形成されているため、カソー
ド電極１５とアノード電極１７との間に駆動電圧が印加
された場合に、有機ＥＬ層１６で発生した表示光は、下
方（ガラス基板２側）に漏れることなくアノード電極１
７側に出射されるため、選択トランジスタＱ1およびメ
モリトランジスタＱ2の半導体層７Ａ、７Ｂへ不要に光
が入射するのを防止することができる。このため、各ト
ランジスタの光起電力による誤動作を回避することがで
きる。また、表示光は、透明なアノード電極１７から出
射されるため、ガラス基板２などにより光吸収されるこ
とがなく、輝度の高い状態で出射される。Here, the operation of the display device 1 of the present embodiment will be described.
The effect will be described. In the display device 1 of the present embodiment having the above-described configuration, the cathode electrode 15 substantially covers a region (one pixel region) surrounded by the adjacent data lines 10A and 10A and the adjacent address lines 4 and 4. With such a configuration, the organic EL element 3 can emit light over substantially the entire area of one pixel area. For this reason, in the display device 1 of the present embodiment, the aperture ratio per pixel can be dramatically increased. In addition, since the cathode electrode 15 is made of MgIn having light reflectivity, when a driving voltage is applied between the cathode electrode 15 and the anode electrode 17, display light generated in the organic EL layer 16 is: Anode electrode 1 without leaking downward (to glass substrate 2 side)
Since the light is emitted to the side 7, it is possible to prevent unnecessary light from entering the semiconductor layers 7 </ b > A and 7 </ b > B of the selection transistor Q 1 and the memory transistor Q 2 . For this reason, a malfunction due to the photovoltaic power of each transistor can be avoided. Further, since the display light is emitted from the transparent anode electrode 17, the display light is not absorbed by the glass substrate 2 or the like and is emitted in a state of high luminance.
【００２３】次に、本実施形態の表示装置１の駆動原理
を説明する。まず、本実施形態の表示素子１の１画素部
分を図３および図４に示す等価回路図を用いて説明す
る。図３に示すように、本実施形態の表示素子の１画素
部分のＥＬ表示回路は、有機ＥＬ素子３と電圧制御手段
Ｖｃとから構成されている。この電圧制御手段Ｖｃは、
図４に示すように、選択トランジスタＱ1とメモリトラ
ンジスタＱ2とから構成されている。有機ＥＬ素子３に
おいては、アノード電極側に一定の駆動電源（Ｖｄｄ）
が接続され、そのカソード電極側に電圧制御手段Ｖｃが
接続され、電圧制御手段Ｖｃを構成するメモリトランジ
スタＱ2のソース電極側はＧＮＤ線１２を介して接地さ
れている。Next, the driving principle of the display device 1 of the present embodiment will be described. First, one pixel portion of the display element 1 of the present embodiment will be described with reference to the equivalent circuit diagrams shown in FIGS. As shown in FIG. 3, the EL display circuit of one pixel portion of the display element of the present embodiment includes an organic EL element 3 and a voltage control means Vc. This voltage control means Vc
As shown in FIG. 4, and a selection transistor Q 1, the memory transistor Q 2 Prefecture. In the organic EL element 3, a constant driving power supply (Vdd) is provided on the anode electrode side.
The voltage control means Vc is connected to the cathode electrode side, and the source electrode side of the memory transistor Q 2 constituting the voltage control means Vc is grounded via the GND line 12.
【００２４】これらの等価回路において、電圧制御手段
Ｖｃにより、選択時に入力画像データによる階調データ
に応じて有機ＥＬ素子３の発光輝度を変化させるように
電圧を制御することができる。図４に示したメモリトラ
ンジスタＱ2は、ＥＥＰＲＯＭメモリ機能を有するＴＦ
Ｔであり、選択トランジスタＱ1のゲート電極４Ａには
アドレス線４が接続されるとともに、そのドレイン側に
データ線１０Ａが接続されている。この選択トランジス
タＱ1では、アドレス線４から入力される選択信号によ
りゲートがＯＮされることによって、データ線１０Ａか
ら入力される入力画像データが、メモリトランジスタＱ
2に蓄積される。メモリトランジスタＱ2では、そのゲー
ト電極４Ｂに入力される入力画像データ電圧Ｖａに含ま
れる階調情報により、ゲート電極４Ｂのメモリ深さ（書
き込み／消去によるＯＮ閾値電圧Ｖｔシフト量）で有機
ＥＬ素子３の発光輝度を制御する。このため、１フレー
ム中で、その画素データ書き込み時間以外は、その書き
込み情報に応じた出力（発光）をする。In these equivalent circuits, the voltage can be controlled by the voltage control means Vc so as to change the light emission luminance of the organic EL element 3 in accordance with the gradation data based on the input image data at the time of selection. Memory transistor Q 2 to which shown in Figure 4, TF with EEPROM memory function
A T, with address line 4 is connected to the gate electrode 4A of the selection transistors Q 1, the data line 10A is connected to the drain side. In the selection transistors Q 1, by the gate is turned ON by the selection signal input from the address line 4, the input image data is inputted from the data line 10A, the memory transistor Q
Stored in 2 . In the memory transistor Q 2, the gradation information contained in the input image data voltage Va input to the gate electrode 4B, the memory depth of the gate electrode 4B (ON threshold voltage Vt shift due to the write / erase) in the organic EL device 3 is controlled. For this reason, during one frame other than the pixel data writing time, an output (light emission) according to the writing information is performed.
【００２５】ここで、図５を用いて有機ＥＬ素子３の電
気特性の説明をする。図５においては、横軸はアノード
−カソード間電圧Ｖａｃを、その縦軸は輝度を設定し
て、電圧−輝度特性を示している。この図５に示すよう
に、本実施形態の有機ＥＬ素子３は、アノード−カソー
ド間電圧Ｖａｃが１／２Ｖｄｄ〜Ｖｄｄの範囲で制御さ
れることにより、その輝度特性が制御される。Here, the electrical characteristics of the organic EL element 3 will be described with reference to FIG. In FIG. 5, the horizontal axis represents the voltage Vac between the anode and the cathode, and the vertical axis represents the luminance, indicating the voltage-luminance characteristics. As shown in FIG. 5, the luminance characteristic of the organic EL element 3 of the present embodiment is controlled by controlling the anode-cathode voltage Vac in the range of 1/2 Vdd to Vdd.
【００２６】ところで、メモリトランジスタＱ2は、ゲ
ート絶縁膜６Ａに不純物イオンがドープされた窒化シリ
コン膜でなり、ＥＥＰＲＯＭ機能をもつ。このため、メ
モリトランジスタＱ2は、有機ＥＬ素子３を駆動するた
めの画素駆動用トランジスタとすることができる。The memory transistor Q 2 is a silicon nitride film in which the gate insulating film 6 A is doped with impurity ions, and has an EEPROM function. Therefore, the memory transistor Q 2 can be a pixel driving transistor for driving the organic EL element 3.
【００２７】また、選択トランジスタＱ1のソース電極
１０Ｂは、メモリトランジスタＱ2のゲート電極４Ｂに
接続され、ドレイン側にはデータ線１０Ａより書き込み
・消去電圧が印加される。これにより、線順次で各画素
領域のメモリトランジスタＱ2にデータを書き込むの
に、選択トランジスタＱ1のドレイン側のバイアスが画
像データで、選択トランジスタＱ1のゲート電極４Ａが
アドレス選択とすれば、表示装置１における選択ライン
以外の領域の全画素は、メモリトランジスタＱ2のゲー
ト電極４Ｂのデータに応じた階調で発光し続ける。Further, the source electrode 10B of the selection transistor Q 1 is connected to the gate electrode 4B of the memory transistor Q 2, the drain-side write-erase voltage from the data line 10A is applied. Thus, to write data to the memory transistor Q 2 of each pixel region in a line sequential manner, with bias image data of the drain side select transistors Q 1, if the gate electrode 4A of the selective transistor Q 1 is the address selection, all pixels in the area other than the selected lines in the display device 1 continues to emit light with gradation corresponding to the data of the gate electrode 4B of the memory transistor Q 2.
【００２８】次に、図６に示す表示装置１の駆動回路図
について説明する。この駆動回路図においては、４画素
分の表示回路を示している。同図に示すように、各画素
領域は、選択トランジスタＱ1とメモリトランジスタＱ2
と有機ＥＬ素子３とにより構成されている。各選択トラ
ンジスタＱ1のゲート電極４Ａにはアドレス線４が接続
され、各選択トランジスタＱ1のドレイン側にはデータ
線１０Ａが接続されている。また、アドレス線４におい
て、選択されたラインには正電位である選択電圧Ｖａｄ
が、非選択のラインにはグランド電位である非選択電圧
Ｖｎａｄが、印加されるよう設定されている。データ線
１０Ａには、選択期間に、発光輝度に応じた正電位であ
る書き込み電圧Ｖｒと、グランド電位または負電位であ
る消去電圧Ｖｅと、が印加されるように設定されてい
る。Next, a driving circuit diagram of the display device 1 shown in FIG. 6 will be described. In this drive circuit diagram, a display circuit for four pixels is shown. As shown in the figure, each pixel region, select transistors Q 1, the memory transistor Q 2
And the organic EL element 3. The gate electrode 4A of each selection transistor Q 1 is connected to address lines 4, the drain side of each of the selection transistors Q 1 is connected to a data line 10A. In the address line 4, a selected voltage Vad which is a positive potential is applied to a selected line.
However, it is set so that a non-selection voltage Vnad, which is a ground potential, is applied to the non-selected lines. The data line 10A is set so that, during the selection period, a write voltage Vr that is a positive potential according to the light emission luminance and an erase voltage Ve that is a ground potential or a negative potential are applied.
【００２９】以下に、本実施形態の表示装置１の動作に
ついて説明する。まず、図６に示すように、第Ｍ列のア
ドレス線４を選択する場合において説明する。第Ｍ列の
アドレス線４には選択時に選択電圧Ｖａｄが印加され、
その他の列には非選択電圧Ｖｎａｄが印加される。第Ｍ
列に接続された選択トランジスタＱ1には、選択期間の
第１フィールドに、まずデータ線１０Ａから消去電圧Ｖ
ｅが印加され、前の選択期間にメモリトランジスタＱ2
のゲート絶縁膜６Ａに蓄積されたキャリアの抜き取りを
行う。次いで選択期間の第２フィールドに、データ線１
０Ａから書き込み電圧Ｖｒを印加する。書き込み電圧Ｖ
ｒに応じて有機ＥＬ素子３が階調発光を行う。非選択期
間中は、書き込み電圧Ｖｒに応じてメモリトランジスタ
Ｑ2のゲート絶縁膜６Ａ内に蓄積されたキャリアの帯電
により、メモリトランジスタＱ2のドレイン電流は流れ
続けるので、１フレーム期間発光し続けることができ
る。Hereinafter, the operation of the display device 1 of the present embodiment will be described. First, as shown in FIG. 6, a case where the address line 4 in the Mth column is selected will be described. The selection voltage Vad is applied to the address line 4 in the M-th column at the time of selection,
The non-selection voltage Vnad is applied to the other columns. Mth
The selection transistors Q 1 connected to the column, the erase voltage V to the first field of the selection period, first from the data line 10A
e is applied to the memory transistor Q 2 during the previous selection period.
The carrier accumulated in the gate insulating film 6A is extracted. Next, the data line 1 is added to the second field of the selection period.
A write voltage Vr is applied from 0A. Write voltage V
The organic EL element 3 emits gradation light according to r. In the non-selection period, the charging of the carriers accumulated in the gate insulating film 6A of the memory transistor Q 2 in accordance with the write voltage Vr, since the drain current of the memory transistor Q 2 continues to flow, continue to one frame period emission Can be.
【００３０】以上のように、本実施形態の表示装置１に
おいては、アドレス線４が非選択時での有機ＥＬ素子３
の発光状態を維持することができるため、高精細化して
も有機ＥＬ素子３を高輝度化せずに面発光状態を維持す
ることができる。例えば、従来の線順次方式の表示装置
において面輝度１００ｃｄを得ようとした場合、アドレ
ス線の数が４８０本あるとすると、４８０００ｃｄ程度
の発光輝度が必要だったものが、本実施形態では選択時
に非発光になったとしも約１００ｃｄ程度で良いことに
なる。As described above, in the display device 1 of the present embodiment, the organic EL element 3 when the address line 4 is not selected is selected.
Can be maintained, so that even when the definition is increased, the surface emission state can be maintained without increasing the luminance of the organic EL element 3. For example, in the case of obtaining a surface luminance of 100 cd in a conventional line-sequential display device, assuming that the number of address lines is 480, a light emission luminance of about 48000 cd is required. Even if no light is emitted, about 100 cd is sufficient.
【００３１】また、アドレス線数が１０００本の場合も
従来４８０００ｃｄの発光輝度が必要だったものが、本
実施形態では、やはり１００ｃｄ程度で良い。ただし、
６０Ｈｚが１フレームとすると、アドレス線が増えると
画像データの書き込み／消去時間が足りなくなる。書き
込み、消去とも５０μｓでできるとすると、最大アドレ
ス本数はノンインタレース方式で３３３本、インタレー
ス方式で６６７本程度となる。Also, when the number of address lines is 1,000, the light emission luminance of 48,000 cd was required in the past, but in the present embodiment, it may be about 100 cd. However,
Assuming that 60 Hz is one frame, if the number of address lines increases, the writing / erasing time of image data becomes insufficient. Assuming that both writing and erasing can be performed in 50 μs, the maximum number of addresses is about 333 in the non-interlace system and about 667 in the interlace system.
【００３２】ちなみに、本実施形態のように、ＳｉＮ膜
トラップを用いたメモリトランジスタＱ2の保持時間は
非常に長い（通常１年〜１０年）ため、画面の変化部分
だけ書き換えていく方式であれば、書き込み・消去速度
がｍｓｅｃオーダもフリッカレスでＯＡ表示パネルレベ
ルの表示は可能であり、高品位な静止画を表示すること
ができる。したがって、本実施形態の表示装置１は、従
来提案されていた線順次駆動方式の有機ＥＬ表示パネル
に較べて、高輝度化した有機ＥＬ素子を用いずに面発光
状態を維持することができる。このため、高輝度かつ中
間階調表示を可能とした表示装置を実現することがで
き、その入力画像の表現力を向上させることができる。
アドレス線４の本数の増加に伴い、キャリアの電位を高
速に変位させるためにＰチャネル電流の影響がない程度
に消去電圧Ｖｅを負電位にしても良い。[0032] Incidentally, as in this embodiment, since the retention time of the memory transistor Q 2 to which using a SiN film trap very long (usually 1 year to 10 years), there in a manner that will rewrite only the change of the screen For example, the OA display panel level display can be performed with a writing / erasing speed of the order of msec without flickering, and a high-quality still image can be displayed. Therefore, the display device 1 of the present embodiment can maintain the surface light emitting state without using the organic EL element having a higher luminance as compared with the conventionally proposed organic EL display panel of the line sequential driving method. For this reason, it is possible to realize a display device capable of displaying high-brightness and half-tone images, and improve the expressiveness of the input image.
As the number of address lines 4 increases, the erase voltage Ve may be set to a negative potential so as not to be affected by the P-channel current in order to rapidly change the carrier potential.
【００３３】（実施形態２）図７〜図１１は本発明に係
る表示装置の実施形態２を示している。図７は本実施形
態の表示装置の１画素部を示す平面図であり、図８は図
７のＢ−Ｂ断面図、図９は図７のＣ−Ｃ断面図である。
また、図１０は等価回路図、図１１は本実施形態におけ
るアドレス線に出力されるアドレスデータ信号と電圧制
御手段の電圧値を示すタイミングチャートである。(Embodiment 2) FIGS. 7 to 11 show Embodiment 2 of the display device according to the present invention. 7 is a plan view showing one pixel portion of the display device of the present embodiment, FIG. 8 is a sectional view taken along line BB of FIG. 7, and FIG. 9 is a sectional view taken along line CC of FIG.
FIG. 10 is an equivalent circuit diagram, and FIG. 11 is a timing chart showing an address data signal output to the address line and a voltage value of the voltage control means in this embodiment.
【００３４】以下、本実施形態の表示装置の構成を説明
する。図中２１は、表示装置を示している。本実施形態
の表示装置２１では、図８および図９に示すように、ガ
ラス基板２２上に例えばＡｌ、ＩＴＯなどでなる接地電
極２３が表示領域全域に形成されている。この接地電極
２３上の全面には、例えばシリコン酸化膜でなる下地絶
縁膜２４が形成されている。そして、この下地絶縁膜２
４の上には、複数のアドレス線Ｘ1〜Ｘnが互いに所定間
隔を隔てて平行に形成されている。また、アドレス線Ｘ
1〜Ｘnおよび下地絶縁膜２４の上には、第１ゲート絶縁
膜２５が形成されている。さらに、第１ゲート絶縁膜２
５の上には、図７および図８に示すように、例えばアモ
ルファスシリコンでなる、第１半導体層２６と第２半導
体層２７とがパターン形成されている。ここで、第１半
導体層２６は、上記したアドレス線Ｘがゲート電極とし
ての機能を果たすようになっている。Hereinafter, the configuration of the display device of this embodiment will be described. In the figure, reference numeral 21 denotes a display device. In the display device 21 of the present embodiment, as shown in FIGS. 8 and 9, a ground electrode 23 made of, for example, Al or ITO is formed on a glass substrate 22 over the entire display region. A base insulating film 24 made of, for example, a silicon oxide film is formed on the entire surface of the ground electrode 23. Then, the base insulating film 2
Over 4 are formed in parallel a plurality of address lines X 1 to Xn is at a predetermined distance from each other. Also, the address line X
A first gate insulating film 25 is formed on 1 to Xn and the underlying insulating film 24. Further, the first gate insulating film 2
As shown in FIGS. 7 and 8, a first semiconductor layer 26 and a second semiconductor layer 27 made of, for example, amorphous silicon are pattern-formed on 5. Here, in the first semiconductor layer 26, the above-mentioned address line X functions as a gate electrode.
【００３５】さらに、第１半導体層２６の上には、ゲー
ト長方向の中央をゲート幅方向に渡ってブロッキング層
２８がパターン形成されている。そして、第２半導体層
２７の上面および側壁を覆うように、第２ゲート絶縁膜
２９が形成されている。なお、ブロッキング層２８およ
び第２ゲート絶縁膜２９は、ＣＶＤ法にて成膜された、
例えば窒化シリコンで形成されている。そして、第１半
導体層２６のゲート幅方向の両側には、ソース電極３０
およびドレイン電極３１が第１半導体層２６に接続する
ように形成されている。このように、上記したアドレス
線Ｘと、第１ゲート絶縁膜２５と、第１半導体層２６
と、ソース・ドレイン電極３０、３１と、で選択トラン
ジスタとしての第１薄膜トランジスタＱ3が構成されて
いる。なお、この第１薄膜トランジスタＱ3の入力イン
ピーダンスは、大きくなるように設定されている。そし
て、図７に示すように、ドレイン電極３１はデータ線Ｙ
（Ｙj）と一体的にパターン形成されている。また、ソ
ース電極３０は、第２半導体層２７の中央上方を第２ゲ
ート絶縁膜２９を介して横切るゲート電極３２と一体的
にパターン形成されている。加えて、このソース電極３
０およびゲート電極３２は、図９に示すように、容量３
３を構成する容量上部電極３４とも一体的にパターン形
成されている。ところで、容量３４は、上記した容量上
部電極３４と、この容量上部電極３４の下に形成された
第２ゲート絶縁膜２９と、第１ゲート絶縁膜２５と、容
量下部電極３５と、から構成されている。なお、容量下
部電極３５は、下地絶縁膜２４に開口したコンタクトホ
ール２４Ａを介して接地電極２３と接続されている。Further, on the first semiconductor layer 26, a blocking layer 28 is pattern-formed over the center in the gate length direction in the gate width direction. Then, a second gate insulating film 29 is formed so as to cover the upper surface and the side wall of the second semiconductor layer 27. The blocking layer 28 and the second gate insulating film 29 were formed by a CVD method.
For example, it is formed of silicon nitride. The source electrode 30 is provided on both sides of the first semiconductor layer 26 in the gate width direction.
And a drain electrode 31 is formed so as to be connected to the first semiconductor layer 26. Thus, the above-described address line X, first gate insulating film 25, and first semiconductor layer 26
When a source-drain electrodes 30 and 31, in the first thin film transistor Q 3 as a selection transistor is configured. The input impedance of the first thin film transistor Q 3 are is set to be larger. Then, as shown in FIG. 7, the drain electrode 31 is connected to the data line Y.
The pattern is formed integrally with (Y j ). Further, the source electrode 30 is integrally formed with the gate electrode 32 which crosses over the center of the second semiconductor layer 27 with the second gate insulating film 29 interposed therebetween. In addition, this source electrode 3
0 and the gate electrode 32, as shown in FIG.
The capacitor upper electrode 34 constituting 3 is also integrally patterned. Incidentally, the capacitor 34 is composed of the above-mentioned capacitor upper electrode 34, the second gate insulating film 29 formed below the capacitor upper electrode 34, the first gate insulating film 25, and the capacitor lower electrode 35. ing. The capacitance lower electrode 35 is connected to the ground electrode 23 via a contact hole 24A opened in the base insulating film 24.
【００３６】また、第２半導体層２７のゲート電極３２
の両側方には、第２半導体層２７に接続されたソース電
極３６およびドレイン電極３７が形成されている。この
ように、第２半導体層２７と、第２ゲート絶縁膜２９
と、ゲート電極３２と、ソース電極３６およびドレイン
電極３７と、でメモリ用トランジスタとしての第２薄膜
トランジスタＱ4が構成されている。なお、ドレイン電
極３７は、図７に示すように、データ線Ｙに平行に形成
された電源線３８に一体的に形成されている。また、ソ
ース電極３６は、後記する有機ＥＬ素子３９を構成する
ＥＬ上部電極４０と一体的にパターン形成されている。
上記したように、第１薄膜トランジスタＱ3と第２薄膜
トランジスタＱ4と容量３３とを接続・構成することに
より、電圧制御手段が構成されている。The gate electrode 32 of the second semiconductor layer 27
A source electrode 36 and a drain electrode 37 connected to the second semiconductor layer 27 are formed on both sides. Thus, the second semiconductor layer 27 and the second gate insulating film 29
, The gate electrode 32, the source electrode 36 and the drain electrode 37 constitute a second thin film transistor Q 4 as a memory transistor. Note that, as shown in FIG. 7, the drain electrode 37 is formed integrally with a power supply line 38 formed in parallel with the data line Y. The source electrode 36 is integrally formed with an EL upper electrode 40 constituting an organic EL element 39 described later.
As described above, by connecting, constituting the first thin film transistor Q 3 and a second thin film transistor Q 4 and the capacitor 33, the voltage control means.
【００３７】有機ＥＬ素子３９は、図８および図９に示
すように、例えばＩＴＯでなる透明なアノード電極とし
てのＥＬ上部電極４０と、このＥＬ上部電極４１の下に
形成された有機ＥＬ層４１と、この有機ＥＬ層４１の下
に形成された、例えばＭｇＩｎなどの遮光性をもつカソ
ード電極としてのＥＬ下部電極４２と、で構成されてい
る。この有機ＥＬ素子３９は、第１薄膜トランジスタＱ
3と第２薄膜トランジスタＱ4の上を覆いかつ表示領域全
域に亙って形成された層間絶縁膜４３の上に、形成され
ている。ＥＬ下部電極４２は、層間絶縁膜４３、第２ゲ
ート絶縁膜２９、第１ゲート絶縁膜２５および下地絶縁
膜２４に開口したコンタクトホール４４を介して、接地
電極２３に接続されている。このＥＬ下部電極４２は、
図７に二点鎖線で示す領域においてＥＬ上部電極突出部
４０Ａを除く領域を覆うように形成されている。すなわ
ち、ＥＬ下部電極４２は、矩形の電極であり、第１薄膜
トランジスタＱ3、第２薄膜トランジスタＱ4、容量３３
などを確実に覆う形状・面積を有し、１画素の占有面積
の大部分を占めるように形成されている。さらに、有機
ＥＬ層４１は、表示領域全域に亙って一枚の層をなすよ
うに形成されている。また、ＥＬ上部電極４０は、図７
の二点鎖線が示す領域に亙って形成されている。このＥ
Ｌ上部電極４０の突出部４０Ａは、同図に示すようにコ
ンタクトホール４５を介して、第２薄膜トランジスタＱ
4のソース電極３６と接続されている。以上、本実施形
態の表示装置２１の構成を説明した。As shown in FIGS. 8 and 9, the organic EL element 39 includes an EL upper electrode 40 as a transparent anode electrode made of, for example, ITO, and an organic EL layer 41 formed below the EL upper electrode 41. And an EL lower electrode 42 formed below the organic EL layer 41 and serving as a light-shielding cathode electrode made of, for example, MgIn. The organic EL element 39 includes a first thin film transistor Q
3 and on the second thin film transistor Q Cover the 4 and display area interlayer formed over the entire insulating film 43 is formed. The EL lower electrode 42 is connected to the ground electrode 23 via a contact hole 44 opened in the interlayer insulating film 43, the second gate insulating film 29, the first gate insulating film 25, and the base insulating film 24. This EL lower electrode 42
It is formed so as to cover a region excluding the EL upper electrode protruding portion 40A in a region indicated by a two-dot chain line in FIG. That is, the EL lower electrode 42 is a rectangular electrode, and includes the first thin film transistor Q 3 , the second thin film transistor Q 4 , and the capacitor 33.
It has a shape and an area that surely covers the pixel and the like, and is formed so as to occupy most of the area occupied by one pixel. Further, the organic EL layer 41 is formed so as to form a single layer over the entire display area. In addition, the EL upper electrode 40 is formed as shown in FIG.
Are formed over the region indicated by the two-dot chain line. This E
The protruding portion 40A of the L upper electrode 40 is connected to the second thin film transistor Q through a contact hole 45 as shown in FIG.
4 are connected to the source electrode 36. The configuration of the display device 21 of the present embodiment has been described above.
【００３８】図１０は、本実施形態の表示装置２１の１
画素部分の等価回路図を示している。また、図１１は、
アドレス線Ｘiに選択信号が出力された場合の容量３３
の端子電圧を示すタイミングチャートである。以下、図
１０および図１１を用いて、本実施形態の表示装置２１
を発光させるための駆動方法を説明する。FIG. 10 shows one of the display devices 21 of the present embodiment.
3 shows an equivalent circuit diagram of a pixel portion. Also, FIG.
Capacity when the selection signal is outputted to the address line X i 33
6 is a timing chart showing the terminal voltages of FIG. Hereinafter, the display device 21 of the present embodiment will be described with reference to FIGS.
A driving method for causing the device to emit light will be described.
【００３９】まず、図示しないデータドライバを駆動さ
せてデータ線Ｙjに電圧が設定された時点で、アドレス
線Ｘiに選択信号を出力して選択を行う。この場合、選
択信号は図１１に示すように、アドレス線Ｘの本数がＮ
とすると、１フレーム期間Ｔ中の１走査期間はＴ／Ｎに
なり、１走査期間の前半にグランド電位を印加し、次い
で後半にしきい値Ｖｔｈを越える書き込み電圧Ｖｒを印
加する。このとき、図１０に示した第１薄膜トランジス
タＱ3はオンの状態となり、消去及び容量３３の端子電
圧量として書き込まれる。そして、容量３３の端子電圧
Ｖｃの電位状態に応じて、第２薄膜トランジスタＱ4が
当該画素部分の有機ＥＬ層４１に印加する電界を制御す
る。本実施形態では、選択が解除された後でも、図１１
に示すように容量３３に電位（Ｖｃ）が保持されるた
め、第２薄膜トランジスタＱ4は次回の選択時まで、保
持された電位Ｖｃにより、電源線３８からの負電位であ
る電位−ＶDDを表示電圧に制御して有機ＥＬ層４１へ流
し続ける。この間、第２薄膜トランジスタＱ4は電源線
３８から電流を供給される。このような動作を繰り返す
ことで、表示装置２１は発光状態を持続させることがで
きるため、コントラストを飛躍的に向上することが可能
となる。また、薄膜トランジスタを用いて有機ＥＬ層４
１へ流す電流を精密に制御できるため、階調表示が容易
となり、例えば画素部分をＲＧＢで整列させれば、フル
カラー表示も実現可能となる。First, when a data driver (not shown) is driven to set a voltage on the data line Yj , a selection signal is output to the address line Xi to perform selection. In this case, as shown in FIG. 11, the number of address lines X is N.
Then, one scanning period in one frame period T becomes T / N, a ground potential is applied in the first half of one scanning period, and then a writing voltage Vr exceeding the threshold value Vth is applied in the second half. At this time, the first thin film transistor Q 3 shown in FIG. 10 is turned on, and the data is erased and written as the terminal voltage of the capacitor 33. Then, depending on the potential state of the terminal voltage Vc of the capacitor 33, a second thin film transistor Q 4 to control the electric field applied to the organic EL layer 41 of the pixel portion. In the present embodiment, even after the selection is released, FIG.
Since the potential (Vc) is held in the capacitor 33 as shown in, the second thin film transistor Q 4 are until the next selection, the retained potential Vc, the negative potential is the potential -V DD from the power supply line 38 The display voltage is controlled to continue to flow to the organic EL layer 41. During this time, a current is supplied to the second thin film transistor Q 4 from the power supply line 38. By repeating such an operation, the display device 21 can maintain the light emitting state, so that the contrast can be dramatically improved. Further, the organic EL layer 4 is formed by using a thin film transistor.
Since the current flowing to 1 can be precisely controlled, gradation display becomes easy. For example, if the pixel portions are arranged in RGB, full-color display can be realized.
【００４０】本実施形態においては、第１および第２薄
膜トランジスタＱ3、Ｑ4がＭＯＳ型トランジスタである
が、これらがバイポーラトランジスタであっても、第１
のトランジスタにおいては選択信号電圧がベースに印加
された場合、１選択信号線あたりに多数の第１のトラン
ジスタが接続されていても、それぞれの第１のトランジ
スタの入力インピーダンスが大きく設定されていること
により、アドレス線を流れる電流量を小さく抑える作用
がある。このため、有機ＥＬ素子３９に要する電流量を
小さくすることができ、電源の寿命を長くすることがで
きる。また、第２のトランジスタにデータ信号電圧が印
加された場合も、このトランジスタの入力インピーダン
スが大きく設定されているため、容量３３に蓄積された
電圧の減衰を低く抑えることができ、データ信号電圧の
保持時間を長くすることが可能となる。In the present embodiment, the first and second thin film transistors Q 3 and Q 4 are MOS transistors.
When the selection signal voltage is applied to the base of each of the transistors, the input impedance of each of the first transistors is set to be large even if a large number of first transistors are connected to one selection signal line. Thus, the amount of current flowing through the address line can be reduced. Therefore, the amount of current required for the organic EL element 39 can be reduced, and the life of the power supply can be prolonged. Also, when the data signal voltage is applied to the second transistor, the input impedance of this transistor is set to be large, so that the attenuation of the voltage stored in the capacitor 33 can be suppressed low, and the data signal voltage can be reduced. It is possible to extend the holding time.
【００４１】本実施形態の表示装置２１は、上記したよ
うにＥＬ下部電極４２の面積が、１画素の占有領域の面
積に近い面積であるため画素の発光効率や開口率を飛躍
的に高くできる。また、ＥＬ下部電極４２は、遮光性を
もつ電極であるため、このＥＬ下部電極４２の下方に存
在する第１薄膜トランジスタＱ3や第２薄膜トランジス
タＱ4に表示光を出射させることがなく、両トランジス
タのチャネル領域に起電力を生じさせる光が入射するこ
とを防止できる。このため、表示特性が安定な駆動を行
うことができる。さらに、本実施形態においては、各画
素部分の開口率を向上して輝度を確保できるため、各有
機ＥＬ素子３９に印加する電圧を高くして高輝度化を図
る必要がなく、有機ＥＬ層４１に過剰の電圧を印加する
必要がなくなり、有機ＥＬ層４１の劣化を抑制すること
ができる。In the display device 21 of this embodiment, as described above, the area of the EL lower electrode 42 is close to the area occupied by one pixel, so that the luminous efficiency and the aperture ratio of the pixel can be significantly increased. . Further, since the EL lower electrode 42 is a light-shielding electrode, the first thin film transistor Q 3 and the second thin film transistor Q 4 located below the EL lower electrode 42 do not emit display light. Light that causes electromotive force to be incident on the channel region can be prevented. Therefore, driving with stable display characteristics can be performed. Further, in the present embodiment, since the luminance can be ensured by improving the aperture ratio of each pixel portion, it is not necessary to increase the voltage applied to each organic EL element 39 to achieve high luminance. It is not necessary to apply an excessive voltage to the organic EL layer 41, and the deterioration of the organic EL layer 41 can be suppressed.
【００４２】以上、実施形態１および実施形態２につい
て説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
く、構成の要旨に付随する各種の変更が可能である。例
えば、上記した実施形態１では、メモリトランジスタＱ
2として、不純物がドープされた窒化シリコン膜でなる
ゲート絶縁膜を備えたＭＯＳトランジスタを適用した
が、ドープしていないゲート絶縁膜のトランジスタを適
用することも可能である。また、上記した実施形態で
は、カソード電極１５をＭｇＩｎで形成したが、光が透
過できない他のカソード材料を用いても勿論よい。さら
に、上記した実施形態１および実施形態２においては、
基体としてガラス基板２を用いたが、不透明な基板を適
用したり、合成樹脂からなる基板を適用しても勿論よ
い。さらにまた、上記した実施形態１では、半導体層を
アモルファスシリコンで形成したが、多結晶シリコンを
用いて形成してもよい。また、上記した実施形態１で
は、アノード電極１７から表示光が出射される構成とし
たが、アノード電極１７の前方にカラーフィルタを適宜
配置する構成としても勿論良い。実施形態２において
も、カラーフィルタを備える構成としても勿論よい。さ
らに、上記した実施形態１および実施形態２において
は、ＥＬ層を有機ＥＬ材料で形成したが、無機ＥＬ材料
を用いた構成としても勿論よい。又アノード電極上に透
明絶縁膜を形成してもよい。Although the first and second embodiments have been described above, the present invention is not limited to these, and various changes accompanying the gist of the configuration are possible. For example, in the first embodiment, the memory transistor Q
As 2 , the MOS transistor provided with the gate insulating film made of the silicon nitride film doped with impurities is applied, but it is also possible to apply a transistor having an undoped gate insulating film. In the above-described embodiment, the cathode electrode 15 is formed of MgIn. However, other cathode materials that cannot transmit light may be used. Further, in the first and second embodiments described above,
Although the glass substrate 2 is used as the base, an opaque substrate or a substrate made of a synthetic resin may be used as a matter of course. Furthermore, in Embodiment 1 described above, the semiconductor layer is formed of amorphous silicon, but may be formed of polycrystalline silicon. In the first embodiment, the display light is emitted from the anode electrode 17. However, a color filter may be appropriately disposed in front of the anode electrode 17. Also in the second embodiment, a configuration including a color filter may be used. Further, in the above-described first and second embodiments, the EL layer is formed of an organic EL material, but may be of a structure using an inorganic EL material. Further, a transparent insulating film may be formed on the anode electrode.
【００４３】[0043]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、選択トランジスタと駆動トランジスタでな
る電圧制御手段を反射性電極が覆う構成としたため、ト
ランジスタに光入射がなく、光起電力に起因する誤動作
を防止することができる。また、カソード電極を画素領
域を略覆うように形成し、アノード電極側から光を出射
するので画素における開口率を大幅に向上させることが
できる。このため、各画素部分の輝度を確保できるた
め、各発光素子を高輝度化する必要がなく、電界発光層
に過剰の電圧を印加する必要がなくなり、電界発光層の
劣化を抑制する効果を奏する。As is apparent from the above description, according to the present invention, since the voltage control means comprising the selection transistor and the driving transistor is covered by the reflective electrode, no light is incident on the transistor, and Can be prevented from malfunctioning. Further, since the cathode electrode is formed so as to substantially cover the pixel region, and light is emitted from the anode electrode side, the aperture ratio in the pixel can be greatly improved. For this reason, since the brightness of each pixel portion can be ensured, it is not necessary to increase the brightness of each light emitting element, it is not necessary to apply an excessive voltage to the electroluminescent layer, and the effect of suppressing the deterioration of the electroluminescent layer is exhibited. .
【図１】本発明に係る表示装置の実施形態１を示す平面
図。FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of a display device according to the present invention.
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.
【図３】実施形態１のＥＬ表示回路を示す等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating an EL display circuit according to the first embodiment.
【図４】実施形態１のＥＬ表示回路の具体例を示す等価
回路図。FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing a specific example of the EL display circuit according to the first embodiment.
【図５】実施形態１の有機ＥＬ素子の電気特性を示すグ
ラフ。FIG. 5 is a graph showing electric characteristics of the organic EL element according to the first embodiment.
【図６】実施形態１の表示装置の駆動回路図。FIG. 6 is a drive circuit diagram of the display device of the first embodiment.
【図７】本発明に係る表示装置の実施形態２を示す平面
図。FIG. 7 is a plan view showing Embodiment 2 of the display device according to the present invention.
【図８】図７のＢ−Ｂ断面図。FIG. 8 is a sectional view taken along line BB of FIG. 7;
【図９】図７のＣ−Ｃ断面図。FIG. 9 is a sectional view taken along the line CC of FIG. 7;
【図１０】実施形態２のＥＬ表示回路を示す等価回路
図。FIG. 10 is an equivalent circuit diagram illustrating an EL display circuit according to a second embodiment.
【図１１】実施形態２のタイミングチャート。FIG. 11 is a timing chart of the second embodiment.
１ 表示装置 ２ ガラス基板 ３ 有機ＥＬ素子 ４ アドレス線 ４Ａ、４Ｂ ゲート電極 ６ ゲート絶縁膜 ６Ａ ゲート絶縁膜 ７Ａ、７Ｂ 半導体層 １０Ａ データ線 １０Ｂ ソース電極 １２ ＧＮＤ線 １３ ドレイン電極 １５ カソード電極 １６ 有機ＥＬ層 １７ アノード電極 Ｑ1 選択トランジスタ Ｑ2 メモリトランジスタReference Signs List 1 display device 2 glass substrate 3 organic EL element 4 address line 4A, 4B gate electrode 6 gate insulating film 6A gate insulating film 7A, 7B semiconductor layer 10A data line 10B source electrode 12 GND line 13 drain electrode 15 cathode electrode 16 organic EL layer 17 an anode electrode Q 1 selected transistor Q 2 memory transistors
Claims (10)
ラインに接続されたスイッチング素子と、前記スイッチ
ング素子の上方に設けられた第１電極と、前記第１電極
上に設けられ、電界に応じて光を発光する電界発光層
と、前記電界発光層上に設けられ、前記電界発光層の光
を透過する第２電極と、を有する発光素子と、 からなることを特徴とする表示装置。A switching element provided on a substrate and connected to a scanning line and a signal line; a first electrode provided above the switching element; and a first electrode provided on the first electrode, the first electrode being provided in response to an electric field. A light emitting element, comprising: an electroluminescent layer that emits light by light emission; and a second electrode provided on the electroluminescent layer and transmitting light of the electroluminescent layer.
て前記第１電極と接続されていることを特徴とする請求
項１記載の表示装置。2. The display device according to claim 1, wherein the switching element is connected to the first electrode via an insulating film.
ン及び前記信号ラインに接続された選択トランジスタ
と、前記選択トランジスタに接続された駆動トランジス
タと、からなることを特徴とする請求項１又は２に記載
の表示装置。3. The switching device according to claim 1, wherein the switching element includes a selection transistor connected to the scanning line and the signal line, and a driving transistor connected to the selection transistor. Display device.
ンに接続されたドレイン電極と、前記信号ラインに接続
されたゲート電極と、半導体層と、を有する薄膜トラン
ジスタであり、前記駆動トランジスタは、前記選択トラ
ンジスタのソース電極に接続されたゲート電極と、前記
第１電極に接続されたソース電極と、半導体層と、を有
する薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項３
記載の表示装置。4. The selection transistor is a thin-film transistor having a drain electrode connected to the scan line, a gate electrode connected to the signal line, and a semiconductor layer, and the driving transistor is a selection transistor 4. A thin film transistor having a gate electrode connected to the first source electrode, a source electrode connected to the first electrode, and a semiconductor layer.
The display device according to the above.
置され、前記スイッチング素子は、前記発光素子の下方
に各々配置されていることを特徴とする請求項１乃至４
に記載の表示装置。5. The light emitting device according to claim 1, wherein a plurality of the light emitting elements are arranged in a matrix, and the switching elements are respectively arranged below the light emitting elements.
The display device according to claim 1.
択トランジスタ及び前記駆動トランジスタの上方に設け
られ、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介し
て前記駆動トランジスタに接続されていることを特徴と
する請求項３乃至５のいずれかに記載の表示装置。6. The first electrode is provided above the selection transistor and the driving transistor via an insulating film, and is connected to the driving transistor via a contact hole provided in the insulating film. The display device according to claim 3, wherein:
する光と同じ波長域の光に対し反射性を有するカソード
電極であり、前記第２電極は、前記電界発光層の発光す
る光と同じ波長域の光に対し透過性を有するアノード電
極であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに
記載の表示装置。7. The light emitting device according to claim 7, wherein the first electrode is a cathode electrode having reflectivity to light in the same wavelength range as light emitted from the electroluminescent layer, and the second electrode is light emitted from the electroluminescent layer. The display device according to claim 1, wherein the display device is an anode electrode having a transmittance for light in the same wavelength range as that of the display device.
ンからの前記電界発光層の発光輝度データに応じた信号
電圧に応じた電圧を前記駆動トランジスタに印加するト
ランジスタであり、前記駆動トランジスタは、前記発光
素子の次の選択期間まで前記発光輝度データに応じた電
圧を前記第１電極に印加し続けるトランジスタであるこ
とを特徴とする請求項３乃至７のいずれかに記載の表示
装置。8. The selection transistor is a transistor that applies a voltage corresponding to a signal voltage corresponding to light emission luminance data of the electroluminescent layer from the signal line to the drive transistor, and the drive transistor is configured to control the light emission. 8. The display device according to claim 3, wherein the display device is a transistor that continues to apply a voltage corresponding to the emission luminance data to the first electrode until a next selection period of an element. 9.
記信号ラインから消去電圧が印加され書き込み期間に前
記信号ラインから書き込み電圧が印加されることを特徴
とする請求項３乃至８のいずれかに記載の表示装置。9. The select transistor according to claim 3, wherein an erase voltage is applied from the signal line during an erase period and a write voltage is applied from the signal line during a write period. Display device.
する有機エレクトロルミネッセンス層であることを特徴
とする請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置。10. The display device according to claim 1, wherein the electroluminescent layer is an organic electroluminescent layer that emits light according to an electric field.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33138896A JP3457819B2 (en) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | Display device |
| US08/976,217 US6072450A (en) | 1996-11-28 | 1997-11-21 | Display apparatus |
| EP97120472A EP0845812B1 (en) | 1996-11-28 | 1997-11-21 | Display apparatus |
| DE69739633T DE69739633D1 (en) | 1996-11-28 | 1997-11-21 | display device |
| KR1019970062650A KR100259978B1 (en) | 1996-11-28 | 1997-11-25 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33138896A JP3457819B2 (en) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | Display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10161564A true JPH10161564A (en) | 1998-06-19 |
| JP3457819B2 JP3457819B2 (en) | 2003-10-20 |
Family
ID=18243142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33138896A Expired - Lifetime JP3457819B2 (en) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | Display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3457819B2 (en) |
Cited By (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000173770A (en) * | 1998-10-13 | 2000-06-23 | Sony Internatl Europ Gmbh | Active matrix system display device and manufacture thereof |
| JP2001043980A (en) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Sony Corp | Organic electroluminescent element and display device |
| JP2001076868A (en) * | 1999-06-28 | 2001-03-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El display device and electronic device |
| JP2001134214A (en) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Display device |
| JP2001267086A (en) * | 2000-03-23 | 2001-09-28 | Fujitsu Ltd | Display panel and information processing equipment carrying the same |
| JP2001312223A (en) * | 2000-02-22 | 2001-11-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Spontaneous light emitting device and method for manufacturing the same |
| WO2002063928A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-15 | Nec Corporation | Emitting body, emitting device, and emitting display device |
| KR100354639B1 (en) * | 1999-10-01 | 2002-09-30 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | Electro luminescence display device |
| JP2003229282A (en) * | 2003-01-09 | 2003-08-15 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic active el light emitting device |
| JP2004046154A (en) * | 2002-06-03 | 2004-02-12 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | Active matrix organic electroluminescent display device and manufacturing method therefor |
| US6897838B2 (en) | 2001-01-18 | 2005-05-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Memory-integrated display element |
| JP2005190992A (en) * | 2003-11-14 | 2005-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device and its fabrication method |
| CN1297948C (en) * | 2002-04-26 | 2007-01-31 | 三洋电机株式会社 | Display device |
| KR100693767B1 (en) * | 1999-11-29 | 2007-03-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | EL display device and electronic apparatus |
| JP2007115859A (en) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Casio Comput Co Ltd | Thin-film transistor panel and manufacturing method thereof |
| CN1332370C (en) * | 2003-01-29 | 2007-08-15 | 胜华科技股份有限公司 | Digital drive method and apparatus for active organic light-emitting diode display |
| CN100392691C (en) * | 2002-05-15 | 2008-06-04 | 株式会社半导体能源研究所 | Light emitting device and its producing method |
| JP2008186808A (en) * | 2008-03-03 | 2008-08-14 | Samsung Sdi Co Ltd | Light emitter, light-emitting element, and light-emitting display device |
| CN101266996A (en) * | 1999-09-17 | 2008-09-17 | 株式会社半导体能源研究所 | EL display device and method for manufacturing the same |
| JP2008252101A (en) * | 2008-04-18 | 2008-10-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El display apparatus and method of manufacturing the same |
| JP2009152615A (en) * | 1999-04-30 | 2009-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and electronic device |
| US7710028B2 (en) | 1999-09-03 | 2010-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device having pixel electrode with projecting portions and manufacturing method thereof |
| US7859187B2 (en) | 2003-11-14 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for fabricating the same |
| JP2011023340A (en) * | 2009-07-20 | 2011-02-03 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Organic light-emitting display device |
| JP2011095776A (en) * | 1999-11-29 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El display device, electric device, and semiconductor device substrate for the el display device |
| JP2011187449A (en) * | 2000-02-22 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Self-light-emitting device, and method of manufacturing the same |
| JP2012043800A (en) * | 2011-09-01 | 2012-03-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacturing method of el display device |
| JP2012108519A (en) * | 2000-03-27 | 2012-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, light-emitting device, module, and electronic equipment |
| JP2012191216A (en) * | 1999-02-23 | 2012-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El display device |
| JP2013057959A (en) * | 2000-04-27 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El display device and electronic apparatus |
| WO2014147964A1 (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-25 | パナソニック株式会社 | Thin film semiconductor substrate, light emitting panel, and method for manufacturing thin film semiconductor substrate |
| JP2015035609A (en) * | 2000-05-12 | 2015-02-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2015039004A (en) * | 2014-09-22 | 2015-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2015043087A (en) * | 1999-04-12 | 2015-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El display device |
| JP2015109465A (en) * | 1999-06-02 | 2015-06-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device and electronic apparatus |
| CN105679791A (en) * | 2014-12-05 | 2016-06-15 | 乐金显示有限公司 | Organic light emitting display device and method of fabricating the same |
| JP2016192563A (en) * | 2007-07-27 | 2016-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
| TWI557901B (en) * | 2014-01-17 | 2016-11-11 | Japan Display Inc | A light emitting element display device |
| JP2017152406A (en) * | 2000-03-10 | 2017-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device and electronic apparatus |
| JP2018087976A (en) * | 2016-11-22 | 2018-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display and method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
| JP2022141697A (en) * | 2005-07-04 | 2022-09-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0757871A (en) * | 1993-08-19 | 1995-03-03 | Hitachi Ltd | Electroluminescence display device |
| JPH07111341A (en) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Nec Corp | Current control type light emitting device array |
| JPH0854836A (en) * | 1994-08-10 | 1996-02-27 | Nec Corp | Drive circuit for active matrix type current controlling light emitting element |
-
1996
- 1996-11-28 JP JP33138896A patent/JP3457819B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0757871A (en) * | 1993-08-19 | 1995-03-03 | Hitachi Ltd | Electroluminescence display device |
| JPH07111341A (en) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Nec Corp | Current control type light emitting device array |
| JPH0854836A (en) * | 1994-08-10 | 1996-02-27 | Nec Corp | Drive circuit for active matrix type current controlling light emitting element |
Cited By (83)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4536184B2 (en) * | 1998-10-13 | 2010-09-01 | ソニー インターナショナル （ヨーロッパ） ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Active matrix display device |
| JP2000173770A (en) * | 1998-10-13 | 2000-06-23 | Sony Internatl Europ Gmbh | Active matrix system display device and manufacture thereof |
| US9431431B2 (en) | 1999-02-23 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| JP2012191216A (en) * | 1999-02-23 | 2012-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El display device |
| JP2018200467A (en) * | 1999-02-23 | 2018-12-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display device |
| US9910334B2 (en) | 1999-02-23 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| JP2015043087A (en) * | 1999-04-12 | 2015-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El display device |
| JP2016042190A (en) * | 1999-04-12 | 2016-03-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | EL display device |
| JP4637948B2 (en) * | 1999-04-30 | 2011-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device and electronic equipment |
| US7858987B2 (en) | 1999-04-30 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2009152615A (en) * | 1999-04-30 | 2009-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and electronic device |
| JP2015109465A (en) * | 1999-06-02 | 2015-06-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device and electronic apparatus |
| JP2001076868A (en) * | 1999-06-28 | 2001-03-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El display device and electronic device |
| JP2001043980A (en) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Sony Corp | Organic electroluminescent element and display device |
| US8198806B2 (en) | 1999-09-03 | 2012-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and manufacturing method thereof |
| US7710028B2 (en) | 1999-09-03 | 2010-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device having pixel electrode with projecting portions and manufacturing method thereof |
| US8358063B2 (en) | 1999-09-03 | 2013-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and manufacturing method thereof |
| CN101266996A (en) * | 1999-09-17 | 2008-09-17 | 株式会社半导体能源研究所 | EL display device and method for manufacturing the same |
| US9059049B2 (en) | 1999-09-17 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device |
| US9431470B2 (en) | 1999-09-17 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9735218B2 (en) | 1999-09-17 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and method for manufacturing the same |
| JP2018156952A (en) * | 1999-09-17 | 2018-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | EL display device |
| KR100354639B1 (en) * | 1999-10-01 | 2002-09-30 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | Electro luminescence display device |
| JP4596582B2 (en) * | 1999-11-05 | 2010-12-08 | 三洋電機株式会社 | Display device |
| JP2001134214A (en) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Display device |
| JP2011095776A (en) * | 1999-11-29 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El display device, electric device, and semiconductor device substrate for the el display device |
| KR100693767B1 (en) * | 1999-11-29 | 2007-03-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | EL display device and electronic apparatus |
| JP2014103117A (en) * | 2000-02-22 | 2014-06-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El display device and electric appliance |
| JP2012146686A (en) * | 2000-02-22 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El display device |
| JP2014075361A (en) * | 2000-02-22 | 2014-04-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El display device and electric appliance |
| JP2001312223A (en) * | 2000-02-22 | 2001-11-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Spontaneous light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2018006347A (en) * | 2000-02-22 | 2018-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Self-light-emitting device |
| JP2011187449A (en) * | 2000-02-22 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Self-light-emitting device, and method of manufacturing the same |
| US9293513B2 (en) | 2000-02-22 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self-light-emitting device comprising protective portions on a pixel electrode |
| JP2012033501A (en) * | 2000-02-22 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Self-light-emitting device |
| US9793328B2 (en) | 2000-02-22 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self-light-emitting device |
| US8158992B2 (en) | 2000-02-22 | 2012-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self-light-emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2017152406A (en) * | 2000-03-10 | 2017-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device and electronic apparatus |
| JP2001267086A (en) * | 2000-03-23 | 2001-09-28 | Fujitsu Ltd | Display panel and information processing equipment carrying the same |
| JP2012108519A (en) * | 2000-03-27 | 2012-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, light-emitting device, module, and electronic equipment |
| US8541804B2 (en) | 2000-03-27 | 2013-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US9780124B2 (en) | 2000-04-27 | 2017-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including pixel comprising first transistor second transistor and light-emitting element |
| US9419026B2 (en) | 2000-04-27 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP2017161911A (en) * | 2000-04-27 | 2017-09-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
| JP2013057959A (en) * | 2000-04-27 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El display device and electronic apparatus |
| JP2016053720A (en) * | 2000-05-12 | 2016-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2015035609A (en) * | 2000-05-12 | 2015-02-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| US6897838B2 (en) | 2001-01-18 | 2005-05-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Memory-integrated display element |
| US8664850B2 (en) | 2001-02-05 | 2014-03-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device including covered lower electrode |
| US8410687B2 (en) | 2001-02-05 | 2013-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device including covered lower electrode |
| US7495387B2 (en) | 2001-02-05 | 2009-02-24 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent device including the same |
| WO2002063928A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-15 | Nec Corporation | Emitting body, emitting device, and emitting display device |
| US7875882B2 (en) | 2002-04-26 | 2011-01-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic luminescent display device having a semiconductor with an amorphous silicon layer |
| CN1297948C (en) * | 2002-04-26 | 2007-01-31 | 三洋电机株式会社 | Display device |
| US7488972B2 (en) | 2002-04-26 | 2009-02-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic luminescent display device having a semiconductor with an amorphous silicon layer |
| CN100392691C (en) * | 2002-05-15 | 2008-06-04 | 株式会社半导体能源研究所 | Light emitting device and its producing method |
| JP2004046154A (en) * | 2002-06-03 | 2004-02-12 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | Active matrix organic electroluminescent display device and manufacturing method therefor |
| JP2003229282A (en) * | 2003-01-09 | 2003-08-15 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic active el light emitting device |
| CN1332370C (en) * | 2003-01-29 | 2007-08-15 | 胜华科技股份有限公司 | Digital drive method and apparatus for active organic light-emitting diode display |
| KR101111470B1 (en) * | 2003-11-14 | 2012-02-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Display device and method for fabricating the same |
| JP2005190992A (en) * | 2003-11-14 | 2005-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device and its fabrication method |
| US7859187B2 (en) | 2003-11-14 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for fabricating the same |
| JP2022141697A (en) * | 2005-07-04 | 2022-09-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting device |
| US8089068B2 (en) | 2005-10-20 | 2012-01-03 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin-film transistor panel having structure that suppresses characteristic shifts and method for manufacturing the same |
| JP2007115859A (en) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Casio Comput Co Ltd | Thin-film transistor panel and manufacturing method thereof |
| JP2016192563A (en) * | 2007-07-27 | 2016-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
| JP2008186808A (en) * | 2008-03-03 | 2008-08-14 | Samsung Sdi Co Ltd | Light emitter, light-emitting element, and light-emitting display device |
| JP2008252101A (en) * | 2008-04-18 | 2008-10-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El display apparatus and method of manufacturing the same |
| US8587499B2 (en) | 2009-07-20 | 2013-11-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| JP2011023340A (en) * | 2009-07-20 | 2011-02-03 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Organic light-emitting display device |
| JP2012043800A (en) * | 2011-09-01 | 2012-03-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacturing method of el display device |
| US9147722B2 (en) | 2013-03-18 | 2015-09-29 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor substrate, light-emitting panel, and method of manufacturing the thin-film semiconductor substrate |
| JP5948427B2 (en) * | 2013-03-18 | 2016-07-06 | パナソニック株式会社 | Thin film semiconductor substrate, light emitting panel, and method of manufacturing thin film semiconductor substrate |
| JPWO2014147964A1 (en) * | 2013-03-18 | 2017-02-16 | パナソニック株式会社 | Thin film semiconductor substrate, light emitting panel, and method of manufacturing thin film semiconductor substrate |
| CN104350533A (en) * | 2013-03-18 | 2015-02-11 | 松下电器产业株式会社 | Thin-film semiconductor substrate, light-emitting panel, and method of manufacturing the thin-film semiconductor substrate |
| WO2014147964A1 (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-25 | パナソニック株式会社 | Thin film semiconductor substrate, light emitting panel, and method for manufacturing thin film semiconductor substrate |
| USRE48032E1 (en) | 2013-03-18 | 2020-06-02 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor substrate, light-emitting panel, and method of manufacturing the thin-film semiconductor substrate |
| TWI557901B (en) * | 2014-01-17 | 2016-11-11 | Japan Display Inc | A light emitting element display device |
| JP2015039004A (en) * | 2014-09-22 | 2015-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| CN105679791A (en) * | 2014-12-05 | 2016-06-15 | 乐金显示有限公司 | Organic light emitting display device and method of fabricating the same |
| CN105679791B (en) * | 2014-12-05 | 2019-08-13 | 乐金显示有限公司 | Organic light-emitting display device and its manufacturing method |
| JP2018087976A (en) * | 2016-11-22 | 2018-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display and method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
| US11532650B2 (en) | 2016-11-22 | 2022-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing the same, and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3457819B2 (en) | 2003-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3457819B2 (en) | Display device | |
| JP4133339B2 (en) | Self-luminous display device | |
| JP5608781B2 (en) | Display device | |
| US6072450A (en) | Display apparatus | |
| US9202857B2 (en) | Display device | |
| KR101239157B1 (en) | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof | |
| JP5531032B2 (en) | Driving method of display device | |
| US8188941B2 (en) | Pixel circuit and display device, and a method of manufacturing pixel circuit | |
| US20150084940A1 (en) | Display apparatus and fabrication method for display apparatus | |
| JPH10214060A (en) | Electric field light emission display device and its driving method | |
| US7683860B2 (en) | Display device, driving method thereof, and element substrate | |
| JPH10232649A (en) | Electric field luminescent display device and driving method therefor | |
| JP3952965B2 (en) | Display device and driving method of display device | |
| WO2002077958A1 (en) | Circuit for driving active-matrix light-emitting element | |
| US20080231576A1 (en) | Pixel circuit and display apparatus as well as fabrication method for display apparatus | |
| JP2009116115A (en) | Active matrix display device and driving method | |
| JP4999390B2 (en) | Display device | |
| JP5352047B2 (en) | Display device and electronic device | |
| JP4501059B2 (en) | Pixel circuit and display device | |
| JPH09101761A (en) | El display device | |
| JP2008134346A (en) | Active-matrix type display device | |
| JP2006317909A (en) | Display device, and driving method of display device, and electronic equipment | |
| JP2008233400A (en) | Display device | |
| JP2008180785A (en) | Pixel circuit and display device | |
| JPS62514B2 (en) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080801 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080801 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090801 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100801 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130801 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |