JP2001134214A - Display device - Google Patents

Display device

Info

Publication number
JP2001134214A
JP2001134214A JP31580399A JP31580399A JP2001134214A JP 2001134214 A JP2001134214 A JP 2001134214A JP 31580399 A JP31580399 A JP 31580399A JP 31580399 A JP31580399 A JP 31580399A JP 2001134214 A JP2001134214 A JP 2001134214A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
display device
driving
supply line
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP31580399A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4596582B2 (en
Inventor
Naoaki Furumiya
直明 古宮
Masahiro Okuyama
正博 奥山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP31580399A priority Critical patent/JP4596582B2/en
Publication of JP2001134214A publication Critical patent/JP2001134214A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4596582B2 publication Critical patent/JP4596582B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device which is capable of obtaining satisfactory display by preventing a driving signal line and a driving signal line from being short-circuited while suppressing the increase of processes by the forming of them on different layers. SOLUTION: This device is a display device in which display pixels 110 which are respectively provided with an EL element 60 having a light emitting layer between a cathode 67 and a anode 61, a TFT for switching 30 supplying a driving signal to the element 60 and a TFT for driving an EL element supplying a current to the EL element 60 are arranged in a matrix shape and which is provided with driving signal lines 52a, 52b supplying a driving signal to the TFT for switching 30 and driving power source lines 53a, 53b supplying a current corresponding to the driving signal to the EL element 60 and the driving signal lines 52a, 52b are arranged by being made to be away from the driving power source lines 53a, 53b in this device.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は表示装置に関し、特
にエレクトロルミネッセンス素子及び薄膜トランジスタ
を備えたエレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a display device, and more particularly to an electroluminescence display device having an electroluminescence element and a thin film transistor.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス(Elec
tro Luminescence:以下、「EL」と称する。)素子
を用いた表示装置が、CRTやLCDに代わる表示装置
として注目されており、例えば、そのEL素子を駆動さ
せるスイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin F
ilm Transistor:以下、「TFT」と称する。)を備え
た表示装置の研究開発も進められている。
2. Description of the Related Art In recent years, electroluminescence (Elec)
tro Luminescence: Hereinafter, referred to as “EL”. A display device using an element has attracted attention as a display device replacing a CRT or an LCD. For example, a thin film transistor (Thin F) is used as a switching element for driving the EL element.
ilm Transistor: Hereinafter, referred to as “TFT”. Research and development of display devices equipped with) are also in progress.

【0003】表示装置の表示画素の配列方法としては、
列方向に同じ色の表示画素を配列したいわゆるストライ
プ配列及びデルタ配列とがある。ストライプ配列は、例
えばパソコンのディスプレイとしては有効であり、デル
タ配列は解像度が高く動画を表示するディスプレイとし
て有効であった。
As a method of arranging display pixels of a display device,
There are a so-called stripe arrangement and a delta arrangement in which display pixels of the same color are arranged in the column direction. The stripe arrangement is effective, for example, as a display of a personal computer, and the delta arrangement is effective as a display having a high resolution and displaying a moving image.

【0004】図5に従来の表示画素がストライプ配列で
あるEL表示装置の表示画素近傍の平面図を示し、図6
(a)に図5中のA−A線に沿った断面図を示し、図6
(b)に図5中のB−B線に沿った断面図を示し、図6
(c)に図5中のC−c線に沿った断面図を示す。
FIG. 5 is a plan view showing the vicinity of a display pixel of a conventional EL display device in which display pixels are arranged in stripes.
FIG. 6A is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
FIG. 5C is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG.

【0005】図5に示すように、行方向(同図左右方
向)にゲート信号線51a,51bが複数本延在してお
り、列方向(同図上下方向)に駆動信号線53a,53
bが複数本延在しており、それらは互いに交差してお
り、両信号線によって囲まれる領域は表示画素領域11
0であり、その各表示画素領域110には、EL表示素
子60、スイッチング用TFT30、保持容量50及び
EL素子駆動用TFT40が配置されている。
As shown in FIG. 5, a plurality of gate signal lines 51a, 51b extend in a row direction (horizontal direction in the figure), and drive signal lines 53a, 53 extend in a column direction (vertical direction in the figure).
b extend a plurality of lines, intersect each other, and a region surrounded by both signal lines is a display pixel region 11.
In each of the display pixel regions 110, an EL display element 60, a switching TFT 30, a storage capacitor 50, and an EL element driving TFT 40 are arranged.

【0006】ゲート信号線51a,51bと駆動信号線
53a,53bとに囲まれる表示画素領域110のEL
表示素子60、スイッチング用TFT30、保持容量5
0及びEL素子駆動用TFT40について図5及び図6
に従って説明する。
The EL of the display pixel region 110 surrounded by the gate signal lines 51a and 51b and the drive signal lines 53a and 53b
Display element 60, switching TFT 30, storage capacitor 5
0 and EL element driving TFT 40 FIGS. 5 and 6
It will be described according to.

【0007】スイッチング用TFT30は、ゲート信号
線51aに接続されておりゲート信号が供給されるゲー
ト電極11と、駆動信号線52aに接続されており駆動
信号が供給されるドレイン電極16と、EL素子駆動用
TFT40のゲート電極41に接続されているソース電
極13sとからなる。絶縁性基板10上に、能動層であ
る多結晶シリコン膜(以下、「p−Si膜」と称す
る。)を形成し、その上にゲート絶縁膜12を介してゲ
ート電極11が形成されている。
The switching TFT 30 includes a gate electrode 11 connected to a gate signal line 51a and supplied with a gate signal, a drain electrode 16 connected to a drive signal line 52a and supplied with a drive signal, and an EL element. And a source electrode 13s connected to the gate electrode 41 of the driving TFT 40. A polycrystalline silicon film (hereinafter, referred to as a “p-Si film”) as an active layer is formed on an insulating substrate 10, and a gate electrode 11 is formed thereover via a gate insulating film 12. .

【0008】また、ゲート信号線51aと並行に保持容
量電極線54が配置されている。この保持容量電極線5
4は、ゲート絶縁膜12を介して下層に形成した容量電
極55との間で電荷を蓄積して容量を成している。この
保持容量50は、ソース13sの一部を延在して成って
おり、EL素子駆動用TFT40のゲート電極41に印
加される電圧を保持するために設けられている。
A storage capacitor electrode line 54 is arranged in parallel with the gate signal line 51a. This storage capacitor electrode line 5
Reference numeral 4 denotes a capacitor that accumulates electric charge between the capacitor electrode 55 formed in the lower layer via the gate insulating film 12 to form a capacitor. The storage capacitor 50 extends a part of the source 13 s and is provided to hold a voltage applied to the gate electrode 41 of the EL element driving TFT 40.

【0009】EL素子駆動用TFT40は、スイッチン
グ用TFT30のソース13sに接続されているゲート
電極41と、EL素子60の陽極61に接続されソース
43sに接続されたソース電極44と、EL素子60に
供給される駆動電源線53bに接続されたドレイン43
dとから成る。
The EL element driving TFT 40 includes a gate electrode 41 connected to the source 13 s of the switching TFT 30, a source electrode 44 connected to the anode 61 of the EL element 60 and connected to the source 43 s, and an EL element 60. Drain 43 connected to supplied drive power supply line 53b
d.

【0010】また、EL素子60は、ソース電極43s
に接続された陽極61と、共通電極である陰極67、及
びこの陽極61と陰極67との間に挟まれた発光素子層
66から成る。
The EL element 60 has a source electrode 43s
, A cathode 67 serving as a common electrode, and a light emitting element layer 66 interposed between the anode 61 and the cathode 67.

【0011】ゲート信号線51aからのゲート信号がゲ
ート電極11に印加されると、スイッチング用TFT3
0がオンになる。そのため、駆動信号線52aから駆動
信号がEL素子駆動用TFT40のゲート電極41に供
給され、そのゲート電極41の電位がドレイン信号線5
2aの電位と同電位になる。そしてゲート電極41に供
給された電流値に相当する電流が駆動電源に接続された
駆動電源線53bからEL素子60に供給される。それ
によってEL素子60は発光する。
When a gate signal from the gate signal line 51a is applied to the gate electrode 11, the switching TFT 3
0 turns on. Therefore, a drive signal is supplied from the drive signal line 52 a to the gate electrode 41 of the EL element driving TFT 40, and the potential of the gate electrode 41 is changed to the drain signal line 5.
The potential becomes the same as the potential of 2a. Then, a current corresponding to the current value supplied to the gate electrode 41 is supplied to the EL element 60 from the driving power supply line 53b connected to the driving power supply. Thereby, the EL element 60 emits light.

【0012】なお、EL素子60は、ITO(Indium T
hin Oxide)等の透明電極から成る陽極61、MTDA
TA(4,4'-bis(3-methylphenylphenylamino)bipheny
l)から成る第1ホール輸送層62、TPD(4,4',4"-t
ris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine)から
なる第2ホール輸送層63、キナクリドン(Quinacrido
ne)誘導体を含むBebq2(10-ベンゾ〔h〕キノリノ
ール−ベリリウム錯体)から成る発光層64及びBeb
q2から成る電子輸送層65からなる発光素子層66、
フッ化リチウム(LiF)とアルミニウム(Al)の積
層体あるいはマグネシウム・インジウム合金から成る陰
極67がこの順番で積層形成された構造である。
The EL element 60 is made of ITO (Indium T
Anode 61 consisting of a transparent electrode such as hin Oxide), MTDA
TA (4,4'-bis (3-methylphenylphenylamino) bipheny
l), the first hole transport layer 62 composed of TPD (4,4 ', 4 "-t
The second hole transport layer 63 made of ris (3-methylphenylphenylamino) triphenylanine, quinacridone
ne) A light emitting layer 64 made of Bebq2 (10-benzo [h] quinolinol-beryllium complex) containing a derivative and Bebq2
a light-emitting element layer 66 composed of an electron transport layer 65 composed of q2;
A cathode 67 made of a laminate of lithium fluoride (LiF) and aluminum (Al) or a magnesium-indium alloy is laminated in this order.

【0013】またEL素子は、陽極から注入されたホー
ルと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で再結
合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生
じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から光が
放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して
外部へ放出されて発光する。
In the EL device, holes injected from the anode and electrons injected from the cathode are recombined inside the light emitting layer, and excite the organic molecules forming the light emitting layer to generate excitons. Light is emitted from the light emitting layer during the process of radiation deactivation of the excitons, and the light is emitted from the transparent anode to the outside through the transparent insulating substrate to emit light.

【0014】また、図7に従来のデルタ配列のEL表示
装置の表示画素付近の平面図を示し、図8(a)に図7
中のA−A線に沿った断面図を示し、図8(b)に図7
中のB−B線に沿った断面図を示し、図8(c)に図7
中のC−C線に沿った断面図を示す。
FIG. 7 is a plan view showing the vicinity of display pixels of a conventional delta-array EL display device, and FIG.
FIG. 8B is a sectional view taken along line AA in FIG.
FIG. 8C shows a cross-sectional view along the line BB in FIG.
FIG. 3 shows a cross-sectional view along the line CC in FIG.

【0015】図7に示すように、各ゲート信号線51
a,51b,51cが延在する方向(行方向)には複数
の表示画素が赤色(R),緑色(G),青色(B)を1
周期として繰り返し配置されている。そして、その隣接
する各ゲート信号線に接続された各表示画素は、隣接す
る各ゲート信号線同士で互いに、各ゲート信号線が延在
する方向にずれて配置されている。いわゆるデルタ配列
である。
As shown in FIG. 7, each gate signal line 51
In the direction (row direction) in which a, 51b, and 51c extend, a plurality of display pixels display red (R), green (G), and blue (B) in one.
It is arranged repeatedly as a cycle. The display pixels connected to the adjacent gate signal lines are arranged so as to be shifted from each other in the direction in which the gate signal lines extend. This is a so-called delta arrangement.

【0016】即ち、行方向に配列した複数の表示画素
と、それらの複数の表示画素に隣接した次の行に同じく
行方向に配列した複数の表示画素とは、互いに所定表示
画素分だけ行方向にずらせて配列されている。
That is, the plurality of display pixels arranged in the row direction and the plurality of display pixels similarly arranged in the row direction on the next row adjacent to the plurality of display pixels are mutually shifted by a predetermined display pixel in the row direction. It is arranged with a shift.

【0017】また、駆動電源線53aは、ゲート信号線
51aに対応した表示画素110RのEL素子駆動用T
FTのドレインに接続され、そしてゲート信号線51b
に対応した表示画素110GのEL素子駆動用TFTの
ドレインに接続されている。
The drive power supply line 53a is a driving element for driving the EL element of the display pixel 110R corresponding to the gate signal line 51a.
Connected to the drain of the FT and the gate signal line 51b
Is connected to the drain of the EL element driving TFT of the display pixel 110G corresponding to.

【0018】これらの各TFTに接続される際には、駆
動電源線53aは表示画素110Rに隣接する表示画素
に駆動信号を供給する駆動信号線52bと並行であり、
また表示画素110Gに隣接する表示画素に駆動信号を
供給する駆動信号線52aと並行に配置されている。
When connected to each of these TFTs, the drive power supply line 53a is parallel to the drive signal line 52b for supplying a drive signal to a display pixel adjacent to the display pixel 110R.
In addition, they are arranged in parallel with a drive signal line 52a that supplies a drive signal to a display pixel adjacent to the display pixel 110G.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】ところで、図5及び図
7のように、列方向に同じ色の表示画素を配列したいわ
ゆるストライプ配列、及び行毎に所定の表示画素分だけ
ずらせたデルタ配列において、いずれの配列の場合にも
駆動信号線と駆動電源線とはそれらの製造工程が増大す
ることを避けるために、同一の材料で同時に形成する。
By the way, as shown in FIGS. 5 and 7, in a so-called stripe arrangement in which display pixels of the same color are arranged in the column direction, and in a delta arrangement shifted by a predetermined display pixel for each row. In either case, the drive signal lines and the drive power supply lines are formed simultaneously from the same material in order to avoid an increase in the number of manufacturing steps.

【0020】即ち、両線52c,53bは両線の材料で
あるAlをCVD法等により層間絶縁膜15上に成膜
し、その上にレジストパターンを形成してAlをエッチ
ングすることにより同時に同一材料で同層に形成され
る。
That is, the two lines 52c and 53b are simultaneously formed by depositing Al, which is the material of both lines, on the interlayer insulating film 15 by a CVD method or the like, forming a resist pattern thereon, and etching the Al. The material is formed in the same layer.

【0021】ところが、その両線の形成の際に、そのパ
ターンを形成するマスク等に微少なゴミや異物が付着し
て、その異物等によりパターンが本来形成されるべき両
線の形状に形成できない場合には、そのパターンに基づ
いてエッチングしたAlが両線間をまたぐように残査し
てしまうことになる。
However, when the two lines are formed, minute dust or foreign matter adheres to a mask or the like for forming the pattern, and the foreign matter or the like cannot form the pattern into the shape of the two lines where the pattern should be originally formed. In such a case, Al etched based on the pattern will be left behind so as to straddle both lines.

【0022】そうすると、同一層に形成した駆動信号線
と駆動電源線が短絡してしまうことになるという欠点が
あった。
In this case, there is a disadvantage that the drive signal line and the drive power supply line formed in the same layer are short-circuited.

【0023】この欠点を解消するために、これらの配線
を異なる層に形成すればよいが、そうすると工程が増え
コストが増大してしまうという欠点があった。
In order to solve this drawback, these wirings may be formed in different layers, but this has the drawback that the number of steps increases and the cost increases.

【0024】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、工程が増大することなく、駆動
信号線と駆動電源線が短絡することなく良好な表示が得
られる表示装置を提供することを目的とする。
Accordingly, the present invention has been made in view of the above-mentioned conventional disadvantages, and a display device capable of obtaining a good display without increasing the number of steps and without short-circuiting the drive signal line and the drive power supply line. The purpose is to provide.

【0025】[0025]

【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、陰
極と陽極との間に発光層を有する自発光素子と、該自発
光素子に電流を供給するタイミングを制御する駆動信号
を供給するスイッチング用薄膜トランジスタと、前記自
発光素子に電流を供給する自発光素子駆動用薄膜トラン
ジスタとを備えた表示画素がマトリクス状に配置されて
おり、前記スイッチング用薄膜トランジスタに駆動信号
を供給する駆動信号線と、前記駆動信号に応じて電流を
前記自発光素子に供給する駆動電源線とを備えた表示装
置であって、前記駆動信号線又は前記駆動電源線のいず
れか一方が前記陽極と重畳するように配置されているも
のである。
A display device according to the present invention supplies a self-luminous element having a light-emitting layer between a cathode and an anode, and a drive signal for controlling the timing of supplying a current to the self-luminous element. A display signal comprising a switching thin film transistor and a self-luminous element driving thin film transistor for supplying a current to the self-luminous element is arranged in a matrix, and a driving signal line for supplying a driving signal to the switching thin film transistor; A drive power supply line for supplying a current to the self-luminous element in accordance with the drive signal, wherein one of the drive signal line and the drive power supply line is arranged to overlap the anode. Is what is being done.

【0026】また、前記駆動信号線又は前記駆動電源線
のいずれか一方が、前記陽極の下層に絶縁膜を介して重
畳するように配置されている表示装置である。
Further, in the display device, one of the drive signal line and the drive power supply line is arranged so as to overlap with the lower layer of the anode via an insulating film.

【0027】また、前記駆動電源線は、互いに隣接する
前記駆動信号線のほぼ中央に配置されている表示装置で
ある。
The driving power supply line is a display device which is arranged substantially at the center of the driving signal lines adjacent to each other.

【0028】このような構成を採ることにより、駆動信
号線と駆動電源線とが同一層に形成されながらも、両線
が短絡して表示不良が発生することを防止できる。
By adopting such a configuration, it is possible to prevent a display defect from occurring due to short-circuiting of both the drive signal line and the drive power supply line even though they are formed in the same layer.

【0029】また、本発明の表示装置は、前記スイッチ
ング用薄膜トランジスタ又は前記自発光素子駆動用薄膜
トランジスタのいずれか一方の薄膜トランジスタが前記
駆動電源線に対して一方の側に配置され、他方の薄膜ト
ランジスタが他方の側に配置されている表示装置であ
る。
Further, in the display device according to the present invention, one of the switching thin film transistor and the self-luminous element driving thin film transistor is disposed on one side of the driving power supply line, and the other thin film transistor is disposed on the other side. Is a display device arranged on the side of.

【0030】また、前記駆動信号線と前記駆動電源線と
は交互に配列されており、各駆動信号線と駆動電源線と
の間には前記スイッチング用薄膜トランジスタ及び前記
自発光素子駆動用薄膜トランジスタが交互に配置されて
いる表示装置である。
The drive signal lines and the drive power supply lines are alternately arranged, and the switching thin film transistor and the self-light emitting element drive thin film transistor are alternately provided between each drive signal line and the drive power supply line. It is a display device arranged in.

【0031】更に、前記駆動信号線及び駆動電源線は列
方向に延在するとともに、行方向に交互に配置されてお
り、該交互に配置された各前記駆動信号線及び駆動電源
線間に、前記スイッチング用薄膜トランジスタ又は前記
自発光素子駆動用薄膜トランジスタが配置されている表
示装置である。
Further, the drive signal lines and the drive power supply lines extend in the column direction and are alternately arranged in the row direction, and between the alternately arranged drive signal lines and drive power supply lines, A display device in which the switching thin film transistor or the self-light emitting element driving thin film transistor is arranged.

【0032】また、本発明の表示装置は、各々が所定の
色を呈する複数の前記表示画素を周期的に行方向に配列
し、該表示画素行を複数列設けると共に、隣接する行に
おいて前記表示画素が所定画素分だけ行方向にずれて配
列されており、列方向に延びる前記駆動電源線は、行毎
に異なる色の前記表示画素と接続されている表示装置で
ある。
In the display device of the present invention, a plurality of display pixels each exhibiting a predetermined color are periodically arranged in a row direction, a plurality of display pixel rows are provided, and the display pixels are arranged in adjacent rows. The driving device is a display device in which pixels are arranged by being shifted by a predetermined pixel in the row direction, and the driving power supply line extending in the column direction is connected to the display pixels of different colors for each row.

【0033】また、前記駆動信号線は行毎に同色の前記
表示画素と接続されている表示装置である。
Further, in the display device, the drive signal lines are connected to the display pixels of the same color for each row.

【0034】更に、前記各表示画素行には、赤、緑、青
色を呈する画素が周期的に行方向に配列されている表示
装置である。
Further, there is provided a display device in which red, green, and blue pixels are periodically arranged in a row direction in each of the display pixel rows.

【0035】更にまた、前記各色の表示画素の配列がス
トライプ配列又はデルタ配列である表示装置である。
Still further, in the display device, the arrangement of the display pixels of each color is a stripe arrangement or a delta arrangement.

【0036】また、前記自発光素子はエレクトロルミネ
ッセンス素子である表示装置である。
Further, in the display device, the self-luminous element is an electroluminescent element.

【0037】このような構成を採ることにより、駆動信
号線と駆動電源線とが同一層に形成されながらも両線が
短絡することなく、駆動信号線と駆動電源線との間の領
域に効率よくスイッチング用TFT及び自発光素子駆動
用TFTとを配置することができるとともに、これらの
各TFTが製造工程時のゴミ等の混入により互いに短絡
して各色の表示画素において表示不良が発生することが
防止できる。
By adopting such a configuration, the drive signal line and the drive power supply line are formed in the same layer, but the two lines are not short-circuited and the efficiency between the drive signal line and the drive power supply line is reduced. The switching TFT and the self-luminous element driving TFT can be arranged well, and these TFTs may be short-circuited to each other by dust or the like during the manufacturing process, causing display defects in display pixels of each color. Can be prevented.

【0038】また、駆動信号線と駆動電源線とが短絡し
て表示不良が発生することなく良好なパソコン等のモニ
ターとして、あるいは高解像度の必要な表示装置として
採用することができる。
Further, the present invention can be employed as a good monitor for a personal computer or the like without causing a display defect due to a short circuit between a drive signal line and a drive power supply line, or as a display device requiring a high resolution.

【0039】[0039]

【発明の実施の形態】本発明をEL表示装置に採用した
場合について以下に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The case where the present invention is applied to an EL display device will be described below.

【0040】図1は有機EL表示装置の表示画素領域の
平面図を示し、図2(a)は図1中のA−A線に沿った
断面図を示し、図2(b)は図1中のB−B線に沿った
断面図を示し、図2(c)は図1中のC−C線に沿った
断面図を示す。
FIG. 1 is a plan view of a display pixel region of an organic EL display device, FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1, and FIG. FIG. 2C shows a cross-sectional view along the line BB in FIG. 1, and FIG. 2C shows a cross-sectional view along the line CC in FIG.

【0041】本実施の形態においては、EL素子を備え
た表示画素がストライプ状に配列された場合について説
明する。
In the present embodiment, a case where display pixels having EL elements are arranged in a stripe shape will be described.

【0042】本実施の形態においては、各色を発光する
EL表示装置に備えた各TFT30,40は、ゲート電
極をゲート絶縁膜を介して能動層の上層に設けたいわゆ
るトップゲート構造のTFTであり、能動層としてa−
Si膜にレーザ光を照射して多結晶化したp−Si膜を
用いている。
In the present embodiment, each of the TFTs 30 and 40 provided in the EL display device that emits each color is a so-called top gate TFT in which a gate electrode is provided above an active layer via a gate insulating film. A- as an active layer
A polycrystalline p-Si film is used by irradiating the Si film with laser light.

【0043】ここで、ゲート信号線51a、ゲート信号
線51b、ドレイン信号線52b及びドレイン信号線5
2cによって囲まれた表示画素領域に注目して説明す
る。
Here, the gate signal line 51a, the gate signal line 51b, the drain signal line 52b, and the drain signal line 5
The following description focuses on the display pixel area surrounded by 2c.

【0044】図1及び図2に示すように、行方向(同図
左右方向)にゲート信号線51a,51b,51cが複
数本延在しており、列方向(同図上下方向)に駆動信号
線52a,52b,52cが複数本延在している。これ
らの両信号線が互いに交差しており、それら両信号線に
よって囲まれる領域は表示画素領域110でありマトリ
クス状に配置されている。両信号線51a,52bの交
点付近にはスイッチング用TFTである第1のTFT3
0が備えられており、そのTFT30のソース33sは
保持容量電極線54との間で容量をなす容量電極55を
兼ねるとともに、EL素子駆動用TFTである第2のT
FT40のゲート41に接続されており、第2のTFT
のソース43sは有機EL素子60の陽極61に接続さ
れ、他方のドレイン43dは有機EL素子60に供給さ
れる電流源である駆動電源線53に接続されている。ま
た、各駆動信号線52a,52b,52c及び駆動電源
線53a,53b,53cは、同じ色の表示画素に接続
されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of gate signal lines 51a, 51b and 51c extend in the row direction (horizontal direction in the figure), and drive signals in the column direction (vertical direction in the figure). A plurality of lines 52a, 52b, 52c extend. These two signal lines intersect each other, and a region surrounded by the two signal lines is a display pixel region 110, which is arranged in a matrix. A first TFT 3 serving as a switching TFT is provided near the intersection of the two signal lines 51a and 52b.
0, the source 33 s of the TFT 30 also serves as a capacitance electrode 55 that forms a capacitance with the storage capacitance electrode line 54, and the second T TFT that is a TFT for driving an EL element.
The second TFT connected to the gate 41 of the FT 40
The source 43s is connected to the anode 61 of the organic EL element 60, and the other drain 43d is connected to the drive power supply line 53 which is a current source supplied to the organic EL element 60. The drive signal lines 52a, 52b, 52c and the drive power lines 53a, 53b, 53c are connected to display pixels of the same color.

【0045】また、ゲート信号線51と並行に保持容量
電極線54が配置されている。この保持容量電極線54
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜12を介して
TFTのソース33sと接続された容量電極55との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量は、
第2のTFT40のゲート電極41に印加される電圧を
保持するために設けられている。
A storage capacitor electrode line 54 is arranged in parallel with the gate signal line 51. This storage capacitor electrode line 54
Is made of chromium or the like, and forms a capacitor by storing charges between the capacitor 33 and the source 33 s of the TFT via the gate insulating film 12. This storage capacity
It is provided to hold a voltage applied to the gate electrode 41 of the second TFT 40.

【0046】なお、有機EL素子60は、第1の電極で
ある陽極61と発光材料からなる発光素子層66と、第
2の電極である陰極67とから成っている。
The organic EL element 60 includes an anode 61 as a first electrode, a light emitting element layer 66 made of a light emitting material, and a cathode 67 as a second electrode.

【0047】図2に示すように、有機EL表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板10上に、TFT及び
有機EL素子を順に積層形成して成る。ただし、基板1
0として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板10上にSiO2やSiNなどの
絶縁膜を形成した上に第1、第2のTFT及び有機EL
素子を形成する。いずれのTFTともに、ゲート電極が
ゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトッ
プゲート構造である。
As shown in FIG. 2, the organic EL display device comprises:
A TFT and an organic EL element are sequentially laminated on a substrate 10 such as a substrate made of glass or synthetic resin, a conductive substrate, or a semiconductor substrate. However, substrate 1
When a substrate having conductivity and a semiconductor substrate are used as 0, an insulating film such as SiO 2 or SiN is formed on the substrate 10 and the first and second TFTs and the organic EL are formed.
An element is formed. Each of the TFTs has a so-called top gate structure in which a gate electrode is located above an active layer via a gate insulating film.

【0048】まず、スイッチング用TFTである第1の
TFT30について説明する。
First, the first TFT 30, which is a switching TFT, will be described.

【0049】図2(a)に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板10上に、非晶質
シリコン膜(以下、「a−Si膜」と称する。)をCV
D法等にて成膜し、そのa−Si膜にレーザ光を照射し
て溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜(以下、「p−
Si膜」と称する。)とし、これを能動層13とする。
その上に、SiO2膜、SiN膜の単層あるいは積層体
をゲート絶縁膜12として形成する。更にその上に、C
r、Moなどの高融点金属からなるゲート電極11を兼
ねたゲート信号線51aが形成されている。このときゲ
ート電極11は、2つのゲート電極から成るいわゆるダ
ブルゲート構造である。第1のTFT30はスイッチン
グ機能を有するため、オフ電流を抑制するためにこの構
造を採る。
As shown in FIG. 2A, an amorphous silicon film (hereinafter, referred to as an "a-Si film") is formed on an insulating substrate 10 made of quartz glass, non-alkali glass, or the like.
The a-Si film is irradiated with a laser beam and melted and recrystallized to form a polycrystalline silicon film (hereinafter referred to as “p-
It is referred to as “Si film”. ), And this is the active layer 13.
A single layer or a stack of a SiO 2 film and a SiN film is formed thereon as the gate insulating film 12. In addition, C
A gate signal line 51a also serving as a gate electrode 11 made of a high melting point metal such as r or Mo is formed. At this time, the gate electrode 11 has a so-called double gate structure including two gate electrodes. Since the first TFT 30 has a switching function, this structure is employed to suppress off-state current.

【0050】その能動層13には、ゲート電極11下方
のチャネル13cと、このチャネル13cの両側にチャ
ネル13c上のゲート電極11をマスクにしてイオンド
ーピングし、更にゲート電極11及びその両側をレジス
トにてカバーしてイオンドーピングして、ゲート電極1
1の両側に低濃度領域13LDと、その外側に高濃度領
域のソース13s及びドレイン13dが設けられてい
る。即ち、いわゆるLDD構造である。
The active layer 13 is ion-doped on the channel 13c below the gate electrode 11 and on both sides of the channel 13c using the gate electrode 11 on the channel 13c as a mask. Cover and ion dope the gate electrode 1
1, a low concentration region 13LD is provided on both sides, and a source 13s and a drain 13d of a high concentration region are provided outside the low concentration region 13LD. That is, it is a so-called LDD structure.

【0051】そして、ゲート絶縁膜12及び能動層13
上の全面には、SiO2膜、SiN膜及びSiO2膜の順
に積層された層間絶縁膜15が形成されており、ドレイ
ン13dに対応して設けたコンタクトホールにAl等の
金属を充填してドレイン電極16を兼ねたドレイン信号
線52bが設けられる。このとき同時に、駆動電源線5
3bをAlによって形成する。更に全面に有機樹脂から
成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜17が形成されてい
る。
Then, the gate insulating film 12 and the active layer 13
On the entire upper surface, an interlayer insulating film 15 laminated in the order of a SiO 2 film, a SiN film, and a SiO 2 film is formed, and a contact hole provided corresponding to the drain 13d is filled with a metal such as Al. A drain signal line 52b also serving as the drain electrode 16 is provided. At this time, the driving power supply line 5
3b is formed of Al. Further, a flattening insulating film 17 made of an organic resin and flattening the surface is formed on the entire surface.

【0052】次に、有機EL素子の駆動用TFTである
第2のTFT40について説明する。
Next, the second TFT 40 which is a driving TFT of the organic EL element will be described.

【0053】図2(b)に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板10上に、a−S
i膜にレーザ光を照射して多結晶化したp−Si膜から
成る能動層43及び容量電極55、ゲート絶縁膜12、
及びCr、Moなどの高融点金属からなるゲート電極4
1及び保持容量電極線54が順に形成されており、その
能動層43には、チャネル43cと、このチャネル43
cの両側にソース43s及びドレイン43dが設けられ
ている。そして、ゲート絶縁膜12及び能動層43上の
全面に、SiO2膜、SiN膜及びSiO2膜の順に積層
された層間絶縁膜15を形成し、ドレイン43d及びソ
ース43sに対応してそれぞれ設けたコンタクトホール
にAl等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電
源線53b及びソース電極44が配置されている。ゲー
ト電極41はゲート電極が1つのシングルゲート構造の
場合を示したが、EL素子60に電流を供給する機能を
有する駆動用TFT40であるから、ゲート電極が2つ
のダブルゲート構造でも良い。更に全面に例えば有機樹
脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜17を備えて
いる。そして、その平坦化絶縁膜17のソース電極44
に対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコン
タクトホールを介してソース電極44とコンタクトした
ITOから成る透明電極、即ち有機EL素子の陽極61
を平坦化絶縁膜17上に設けている。この陽極61は各
表示画素ごとに島状に分離形成されている。
As shown in FIG. 2B, a-S is placed on an insulating substrate 10 made of quartz glass, non-alkali glass or the like.
The active layer 43 and the capacitor electrode 55, the gate insulating film 12, and the active layer 43, which are made of a p-Si film polycrystallized by irradiating the i film with a laser beam,
Electrode 4 made of high melting point metal such as Cr and Mo
1 and a storage capacitor electrode line 54 are formed in this order. A channel 43 c and a channel 43 c are formed in the active layer 43.
A source 43s and a drain 43d are provided on both sides of c. Then, on the entire surface of the gate insulating film 12 and the active layer 43, an interlayer insulating film 15 laminated in the order of the SiO 2 film, the SiN film, and the SiO 2 film was formed, and provided corresponding to the drain 43d and the source 43s, respectively. A drive power supply line 53b and a source electrode 44 connected to a drive power supply by filling a contact hole with a metal such as Al are arranged. Although the case where the gate electrode 41 has a single gate structure with one gate electrode is shown, since the driving TFT 40 has a function of supplying a current to the EL element 60, a double gate structure with two gate electrodes may be used. Further, a planarizing insulating film 17 made of, for example, an organic resin and flattening the surface is provided on the entire surface. Then, the source electrode 44 of the planarizing insulating film 17 is formed.
A transparent electrode made of ITO, which is in contact with the source electrode 44 through this contact hole, that is, the anode 61 of the organic EL element
Is provided on the planarizing insulating film 17. The anode 61 is formed in an island shape for each display pixel.

【0054】そして、図1の陽極61内に点線で示すよ
うに、その点線で囲む領域を開口部68とする絶縁膜1
9を配置する。即ち、陽極61の全周辺で絶縁膜19は
陽極61と重畳しており、言い換えれば陽極61の一部
に対応した領域、即ち図1中の点線で囲まれる領域に開
口部68を持つ絶縁膜19を陽極61及び平坦化絶縁膜
17上に形成する。従って、陽極61の端部において、
陽極61の端部と発光素子層66及び陰極67とは、こ
の絶縁膜19によって離間されている。なお、この絶縁
膜19は、陽極61の厚みによる段差によって発光層の
断線したり、陽極周縁の角部に電界集中が発生しないよ
うに形成されていれば良く、陽極61の端部とは絶縁膜
19によって発光素子層66及び陰極67のいずれか一
方のみが離間していればよい。また、絶縁膜19はSi
2膜、SiN膜単層もしくはそれらの積層体から成る
絶縁膜でも良く、SOG膜から成る平坦化膜であっても
よく、また感光性樹脂から成る平坦化絶縁膜であっても
良い。平坦化絶縁膜とすることによりその上方に形成す
る陰極67を平坦に形成することができ断線が防止でき
るのでそれが好ましい。
Then, as shown by a dotted line in the anode 61 of FIG.
9 is arranged. That is, the insulating film 19 overlaps with the anode 61 all around the anode 61, in other words, an insulating film having an opening 68 in a region corresponding to a part of the anode 61, that is, a region surrounded by a dotted line in FIG. 19 is formed on the anode 61 and the planarization insulating film 17. Therefore, at the end of the anode 61,
The end of the anode 61 is separated from the light emitting element layer 66 and the cathode 67 by the insulating film 19. The insulating film 19 may be formed so as not to break the light emitting layer due to a step due to the thickness of the anode 61 or to form an electric field concentration at a corner of the anode periphery. It is sufficient that only one of the light emitting element layer 66 and the cathode 67 is separated by the film 19. The insulating film 19 is made of Si.
The insulating film may be an O 2 film, a single layer of a SiN film or a laminate thereof, a flattening film of an SOG film, or a flattening insulating film of a photosensitive resin. The flattened insulating film is preferable because the cathode 67 formed thereon can be formed flat and the disconnection can be prevented.

【0055】ここで、駆動電源線53bを配置する位置
について、以下に説明する。
Here, the position where the drive power supply line 53b is arranged will be described below.

【0056】図2(c)に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板10上に、ゲート
絶縁膜12、及びSiO2膜、SiN膜及びSiO2膜の
順に積層された層間絶縁膜15を形成し、ドレイン43
d及びソース43sに対応してそれぞれ設けたコンタク
トホールにAl等の金属を充填して駆動電源に接続され
た駆動電源線53b、及び駆動信号線52b,52cが
配置されている。更に全面に例えば有機樹脂から成り表
面を平坦にする平坦化絶縁膜17を備えている。そし
て、その平坦化絶縁膜17のソース電極44に対応した
位置のコンタクトホールを介してソース電極44とコン
タクトしたITOから成る透明電極、即ち有機EL素子
の陽極61を平坦化絶縁膜17上に設けている。この陽
極61は各表示画素ごとに島状に分離形成されている。
As shown in FIG. 2C, a gate insulating film 12, a SiO 2 film, a SiN film, and a SiO 2 film were laminated in this order on an insulating substrate 10 made of quartz glass, non-alkali glass or the like. An interlayer insulating film 15 is formed, and a drain 43 is formed.
A drive power supply line 53b and drive signal lines 52b and 52c connected to a drive power supply by filling contact holes provided respectively corresponding to d and the source 43s with metal such as Al are arranged. Further, a flattening insulating film 17 made of, for example, an organic resin and flattening the surface is provided on the entire surface. Then, a transparent electrode made of ITO in contact with the source electrode 44 via a contact hole at a position corresponding to the source electrode 44 of the flattening insulating film 17, that is, an anode 61 of an organic EL element is provided on the flattening insulating film 17. ing. The anode 61 is formed in an island shape for each display pixel.

【0057】ここで、前述のように、陽極61の全周辺
で絶縁膜19は陽極61と重畳しており、言い換えれば
陽極61の一部に対応した領域、即ち図1中の点線で囲
まれる領域に開口部68を持つ絶縁膜19を陽極61及
び平坦化絶縁膜17上に形成する。従って、陽極61の
端部において、陽極61の端部と発光素子層66及び陰
極67とは、この絶縁膜19によって離間されている。
Here, as described above, the insulating film 19 overlaps the anode 61 all around the anode 61, in other words, a region corresponding to a part of the anode 61, that is, is surrounded by a dotted line in FIG. An insulating film 19 having an opening 68 in the region is formed on the anode 61 and the planarizing insulating film 17. Therefore, at the end of the anode 61, the end of the anode 61 is separated from the light emitting element layer 66 and the cathode 67 by the insulating film 19.

【0058】陽極61及び絶縁膜19上に、MTDAT
Aから成る第1ホール輸送層62、TPDからなる第2
ホール輸送層63を全面に蒸着法により堆積し、キナク
リドン誘導体を含むBebq2から成る発光層64を各
表示画素に対応して島状に蒸着法により堆積し、更にそ
の上にBebq2から成る電子輸送層65を堆積する。
こうして、第1ホール輸送層62、第2ホール輸送層6
3、発光層64及び電子輸送層65からなる発光素子層
66が形成される。更に電子輸送層65の上に、フッ化
リチウム(LiF)とアルミニウム(Al)の積層体あ
るいはマグネシウム・インジウム合金から成る陰極67
が積層形成される。このように、各層が堆積された構造
を有するEL素子が形成される。また、各表示画素に形
成されたEL素子60は、赤色(R)、緑色(G)、青
色(B)の発光層材料をそれぞれ蒸着法によって形成
し、各表示画素ごとに各一色を発光させる。即ち、R、
G、Bの各色を呈する表示画素が周期的に行方向に配列
されている。
An MTDAT is formed on the anode 61 and the insulating film 19.
A first hole transport layer 62 made of A, and second hole transport layer 62 made of TPD
A hole transport layer 63 is deposited on the entire surface by an evaporation method, a light emitting layer 64 made of Bebq2 containing a quinacridone derivative is deposited in an island shape corresponding to each display pixel by an evaporation method, and an electron transport layer made of Bebq2 is further formed thereon. Deposit 65.
Thus, the first hole transport layer 62 and the second hole transport layer 6
3. A light emitting element layer 66 including a light emitting layer 64 and an electron transport layer 65 is formed. Further, on the electron transport layer 65, a cathode 67 made of a laminate of lithium fluoride (LiF) and aluminum (Al) or a magnesium-indium alloy
Are formed by lamination. Thus, an EL element having a structure in which each layer is deposited is formed. The EL element 60 formed in each display pixel is formed by emitting a red (R), green (G), and blue (B) light emitting layer material by an evaporation method, and emits one color for each display pixel. . That is, R,
Display pixels exhibiting each color of G and B are periodically arranged in the row direction.

【0059】ここで、駆動電源線53bは、従来のよう
に駆動信号線52cと隣接して並行に配置されていな
い。即ち、駆動電源線53bは陽極61の下層に平坦化
絶縁膜17を介して設けられており、その配置位置は陽
極61のほぼ中央であり、更に駆動信号線52cとは間
隔を持って配置されている。
Here, the drive power supply line 53b is not arranged adjacent to and parallel to the drive signal line 52c as in the conventional case. In other words, the drive power supply line 53b is provided below the anode 61 with the planarization insulating film 17 interposed therebetween, and is arranged almost at the center of the anode 61, and is further arranged at a distance from the drive signal line 52c. ing.

【0060】例えば、駆動信号線52a,52b,52
c及び駆動電源線53a,53b,53cの線幅はいず
れも約10μmであり、1つの表示画素の陽極のサイズ
は約90μmX約250μmであり、行方向(左右方
向)に隣接する各陽極間の間隔は約30μmである。ま
た、各駆動信号線は各陽極間のほぼ中央付近に延在して
いる。従って、各駆動電源線の中央と各駆動信号線の中
央との間隔は約6055μmであり、製造工程において
ゴミ等の異物が付着することによって、駆動信号線と駆
動電源線とが短絡することが防止できる。なお、図1に
おいては、便宜上陽極を正方形に近い形に描いている
が、陽極を含む表示画素の大きさは適宜選択することが
可能である。
For example, the drive signal lines 52a, 52b, 52
c and the drive power supply lines 53a, 53b, 53c have a line width of about 10 μm, the size of the anode of one display pixel is about 90 μm × about 250 μm, and the distance between the anodes adjacent in the row direction (left-right direction). The spacing is about 30 μm. Each drive signal line extends approximately in the vicinity of the center between the anodes. Therefore, the distance between the center of each drive power supply line and the center of each drive signal line is about 6055 μm, and the drive signal line and the drive power supply line may be short-circuited due to the attachment of foreign matter such as dust in the manufacturing process. Can be prevented. In FIG. 1, the anode is drawn in a shape close to a square for convenience, but the size of a display pixel including the anode can be appropriately selected.

【0061】また、駆動電源線を配置する位置は、上述
の実施の形態においては、陽極のほぼ中央としたが、本
発明はそれに限定されるものではなく、一方の駆動信号
線に近くなっていても良く、駆動信号線と駆動電源線と
が短絡しない間隔であればよい。好ましくは上述の通
り、駆動信号線と駆動電源線とが最も間隔を有すること
となるように、隣接する駆動信号線間のほぼ中央に配置
することが望ましい。そうすることにより、各表示画素
のサイズが小さくなって各駆動信号線の間隔が小さくな
った場合にも、駆動電源線と短絡することが防止でき
る。
In the above-described embodiment, the position where the drive power supply line is disposed is substantially at the center of the anode. However, the present invention is not limited to this, and is located near one drive signal line. The distance may be any distance as long as the drive signal line and the drive power supply line do not short circuit. Preferably, as described above, it is desirable to arrange the driving signal lines and the driving power supply lines at substantially the center between the adjacent driving signal lines so that the driving signal lines and the driving power supply lines have the largest distance. By doing so, even when the size of each display pixel is reduced and the interval between the drive signal lines is reduced, it is possible to prevent a short circuit with the drive power supply line.

【0062】このように、同層に同じ材料で同時に形成
される駆動電源線53bと駆動信号線52cとを間隔を
持たせた位置、即ち、駆動信号線52cは従来の位置に
配置し駆動電源線53bを陽極61のほぼ中央に配置す
ることにより、駆動信号線52cと駆動電源線53bと
が短絡することが防止できる。
As described above, the position where the drive power supply line 53b and the drive signal line 52c simultaneously formed in the same layer and of the same material are spaced apart, that is, the drive signal line 52c is located at the conventional position and By arranging the line 53b substantially at the center of the anode 61, short circuit between the drive signal line 52c and the drive power supply line 53b can be prevented.

【0063】また、図1に示すように、駆動電源線を駆
動信号線と離間させて表示画素のほぼ中央に配置するこ
とにより、駆動信号線と駆動電源線との間、即ち駆動電
源線の左右にそれぞれスイッチング用TFT30及びE
L素子駆動用TFT40を形成することができ、TFT
を効率よく配置できるとともに、互いのTFTが短絡す
ることが防止できる。更に、各TFTを設ける面積に余
裕が有ることから、要求されるTFTサイズの各TFT
を形成することができる。即ち、各発光素子層の各色の
材料による発光効率が異なっている場合に、EL素子に
電流を供給する各色ごとのEL素子駆動用TFTのサイ
ズを、発光効率が高い材料の色の場合を最も小さくし
て、発光効率が低くなるにつれてEL素子駆動用TFT
のサイズを順に大きくする際にも、各TFTサイズのT
FTを形成することができる。
Further, as shown in FIG. 1, by arranging the drive power supply line at a position substantially apart from the drive signal line and substantially at the center of the display pixel, the drive power supply line is provided between the drive signal line and the drive power supply line. Left and right switching TFTs 30 and E
An L element driving TFT 40 can be formed.
Can be efficiently arranged, and short-circuiting between the TFTs can be prevented. Further, since there is room in the area where each TFT is provided, each TFT having a required TFT size is provided.
Can be formed. That is, when the luminous efficiencies of the materials of the respective colors of the light emitting element layers are different, the size of the TFT for driving the EL element for each color for supplying a current to the EL element is the most suitable for the color of the material having the high luminous efficiency. As the luminous efficiency decreases, the TFT for driving the EL element becomes smaller.
When increasing the size of each TFT in order, the T
An FT can be formed.

【0064】更に、発光素子層から発光される光は図2
(c)の下方向に放出されるが、その下層、即ち発光さ
れる光の観察者側に駆動電源線を配置しても、EL素子
は自発光素子であることから発光される光は放射状に発
光されるため、駆動電源線による輝度の低下は、表示を
観察する際には無視できるものであるため、陽極の下層
に配置しても良い。 <第2の実施の形態>図3に有機EL表示装置の表示画
素領域の平面図を示し、図4(a)は図3中のA−A線
に沿った断面図を示し、図4(b)は図3中のB−B線
に沿った断面図を示し、図4(c)は図3中のC−C線
に沿った断面図を示す。
Further, light emitted from the light emitting element layer is shown in FIG.
(C) The emitted light is emitted downward. Even if a drive power supply line is arranged below the layer, that is, on the observer side of the emitted light, the emitted light is radial because the EL element is a self-emitting element. Therefore, since the decrease in luminance due to the driving power supply line can be ignored when observing the display, it may be arranged below the anode. <Second Embodiment> FIG. 3 is a plan view of a display pixel region of an organic EL display device, and FIG. 4A is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 4B shows a cross-sectional view along the line BB in FIG. 3, and FIG. 4C shows a cross-sectional view along the line CC in FIG.

【0065】本実施の形態が第1の実施の形態と異なる
点は、表示画素の配列がいわゆるデルタ配列である点で
あり、それによって駆動電源線に接続される表示画素の
色が異なる点である。
This embodiment is different from the first embodiment in that the arrangement of the display pixels is a so-called delta arrangement, whereby the colors of the display pixels connected to the drive power supply line are different. is there.

【0066】図3及び図4に示すように、各ゲート信号
線51a,51b,51cが延在する方向(行方向)に
は複数の表示画素が赤色(R),緑色(G),青色
(B)を1周期として繰り返し配置されている。そし
て、その隣接する各ゲート信号線に接続された各表示画
素は、隣接する各ゲート信号線同士で互いに、各ゲート
信号線が延在する方向にずれて配置されている。いわゆ
るデルタ配列である。
As shown in FIGS. 3 and 4, in the direction (row direction) in which the gate signal lines 51a, 51b, 51c extend, a plurality of display pixels are provided with red (R), green (G), blue ( B) is repeated as one cycle. The display pixels connected to the adjacent gate signal lines are arranged so as to be shifted from each other in the direction in which the gate signal lines extend. This is a so-called delta arrangement.

【0067】即ち、行方向に配列した複数の表示画素
と、それらの複数の表示画素に隣接した次の表示画素行
に、同じく行方向に配列した複数の表示画素とは、互い
に所定表示画素分だけ行方向にずらせて配列されてい
る。本実施の形態においては、同じ色の表示画素同士で
は概ね0.7表示画素分だけ行方向にずらしている。
That is, a plurality of display pixels arranged in the row direction and a plurality of display pixels similarly arranged in the row direction on the next display pixel row adjacent to the plurality of display pixels are separated from each other by a predetermined display pixel. It is arranged only shifted in the row direction. In the present embodiment, display pixels of the same color are shifted in the row direction by approximately 0.7 display pixels.

【0068】例えば、隣接するゲート信号線51aとゲ
ート信号線51bに注目すると、ゲート信号線51aに
接続されている各表示画素と、ゲート信号線51bに接
続されている各表示画素とは、本実施の形態において
は、同じ色の表示画素でみると、各ゲート信号線の延在
方向に互いに概ね0.7表示画素分ずれて配置されてい
る。
For example, when attention is paid to the adjacent gate signal lines 51a and 51b, each display pixel connected to the gate signal line 51a and each display pixel connected to the gate signal line 51b are In the embodiment, when viewed with display pixels of the same color, they are arranged to be shifted from each other by approximately 0.7 display pixels in the extending direction of each gate signal line.

【0069】また、各駆動信号線52a,52b,52
cは、主として列方向に延在しており、同じ色の表示画
素に接続されており、各行の表示画素の配列に応じて各
行ごとに屈曲し左右に蛇行して配置されている。即ち、
隣接する行方向の表示画素の所定画素分だけ屈曲して凹
凸を繰り返しながら列方向に配置されている。
Each drive signal line 52a, 52b, 52
“c” mainly extends in the column direction, is connected to display pixels of the same color, and is arranged to bend in each row and meander left and right according to the arrangement of the display pixels in each row. That is,
They are arranged in the column direction while being bent by a predetermined number of display pixels in the adjacent row direction and repeating the unevenness.

【0070】また、各駆動電源線53a,53b,53
cは列方向に配置されており、異なる色の表示画素に接
続されており、各行の表示画素の配列に応じて屈曲し左
右に蛇行して配置されている。即ち、駆動電源線53a
に注目してみると、その駆動電源線53aは、ゲート信
号線51aに接続されたRの表示画素のほぼ中央に配置
されてその表示画素のEL素子駆動用TFT40に接続
され、続いて次の行のゲート信号線51bに接続された
Gの表示画素のほぼ中央に配置されてその表示画素のE
L素子駆動用TFT40に接続され、続いて更に次の行
のゲート信号線51cに接続されたRの表示画素のほぼ
中央に配置されてその表示画素のEL素子駆動用TFT
に接続されている。なお、各駆動信号線52a,52
b,52cと、各駆動電源線53a,53b,53cと
は、Al等の導電材料から成っており、互いに短絡を防
止するために離間されておりかつ交差しないように配置
されている。具体的な位置の例としては第1の実施の形
態で説明したように、駆動信号線と駆動信号線との間隔
が約60μmと成るように配置する。
The driving power supply lines 53a, 53b, 53
c is arranged in the column direction, is connected to display pixels of different colors, and is bent and meanders left and right according to the arrangement of the display pixels in each row. That is, the driving power supply line 53a
Note that the driving power supply line 53a is arranged substantially at the center of the R display pixel connected to the gate signal line 51a and is connected to the EL element driving TFT 40 of the display pixel. It is arranged at substantially the center of the G display pixel connected to the gate signal line 51b of the row, and the E of that display pixel is
It is connected to the L-element driving TFT 40, and is disposed at substantially the center of the R display pixel connected to the gate signal line 51c of the next row, and the EL element driving TFT of the display pixel is connected.
It is connected to the. The drive signal lines 52a, 52
The drive power supply lines 53a, 53b, 53c are made of a conductive material such as Al, and are separated from each other to prevent a short circuit and are arranged so as not to cross each other. As an example of a specific position, as described in the first embodiment, the driving signal lines are arranged such that the distance between the driving signal lines is about 60 μm.

【0071】このように、駆動信号線と駆動電源線とが
同一層に形成されるにも関わらず離間されているので互
いに短絡することが防止できる。また、いわゆるデルタ
配列であって、各ゲート信号線に接続された表示画素群
ごとに各駆動電源線に異なる色の表示画素を接続して
も、駆動信号線と駆動電源線とが同層に形成されながら
も交差することなく形成することが可能である。こうし
て、駆動信号線と駆動信号線とを異なる層に形成するこ
とによる工程の増大を抑制しつつ、解像度の高い表示を
得ることができる。
As described above, since the drive signal line and the drive power supply line are separated from each other although they are formed in the same layer, it is possible to prevent a short circuit between them. Further, in a so-called delta arrangement, even if display pixels of different colors are connected to each drive power supply line for each display pixel group connected to each gate signal line, the drive signal lines and the drive power supply lines are in the same layer. It can be formed without crossing while being formed. Thus, a display with high resolution can be obtained while suppressing an increase in steps due to the formation of the drive signal lines and the drive signal lines in different layers.

【0072】また、EL素子は、駆動電源線に一定の値
で流れている電流をEL素子駆動用TFTで制御して各
色のEL素子に電流を供給して発光するが、その駆動電
源線に流れている電流値は一定であっても、異なる色の
表示画素のEL素子駆動用TFT40に駆動電源線を接
続することが可能であるので、デルタ配列でありなが
ら、駆動信号線と駆動電源線とが同層で交差しないで形
成することを可能とした。
The EL element emits light by supplying a current to the EL element of each color by controlling the current flowing through the driving power supply line at a constant value by the EL element driving TFT and emitting light. Even if the flowing current value is constant, the driving power supply line can be connected to the EL element driving TFTs 40 of the display pixels of different colors, so that the driving signal line and the driving power supply line are arranged in a delta arrangement. Can be formed in the same layer without intersecting.

【0073】また、EL素子60は、ソース電極43s
に接続された陽極61aと、共通電極である陰極67、
及びこの陽極61と陰極67との間に挟まれた発光素子
層66から成る。各表示画素には、赤色(R)、緑色
(G)、青色(B)の発光層材料をそれぞれ蒸着法によ
って形成し、各表示画素ごとに各一色を発光させる。
The EL element 60 has a source electrode 43s
, An anode 61a connected to the anode and a cathode 67 as a common electrode;
And a light-emitting element layer 66 sandwiched between the anode 61 and the cathode 67. A red (R), green (G), and blue (B) light emitting layer material is formed in each display pixel by a vapor deposition method, and each display pixel emits one color.

【0074】上述のスイッチング用TFT、保持容量、
EL素子駆動用TFT及びEL素子は、ゲート信号線側
から図中下方向に向かって、この順番に各領域が配置さ
れている。このように配置することにより、上下に位置
する表示画素の発光層間の距離を大きくすることがで
き、EL素子の各色の発光層を蒸着する際に、回り込み
による隣接する他色の発光層との混合を防止することが
できる。また、第1の実施の形態と同様に、駆動電源線
を駆動信号線間のほぼ中央に配置することにより、駆動
電源線の左側にスイッチング用TFTを配置し、左側に
EL素子駆動用TFTを配置することができるととも
に、各色ごとにEL素子駆動用TFTのTFTサイズを
異ならせて大きくする場合にも余裕をもって設計するこ
とが可能である。
The above-described switching TFT, storage capacitor,
Each region of the EL element driving TFT and the EL element is arranged in this order from the gate signal line side to the lower side in the drawing. By arranging in this way, the distance between the light emitting layers of the display pixels located above and below can be increased, and when the light emitting layers of each color of the EL element are deposited, the distance between the adjacent light emitting layers of other colors due to wraparound can be increased. Mixing can be prevented. Also, as in the first embodiment, the driving power supply line is disposed substantially at the center between the driving signal lines, so that the switching TFT is disposed on the left side of the driving power supply line and the EL element driving TFT is disposed on the left side. In addition to the arrangement, it is possible to design with a margin even when the size of the TFT for driving the EL element is increased by making it different for each color.

【0075】ゲート信号線51aからのゲート信号がゲ
ート電極11に印加されると、スイッチング用TFT3
0がオンになる。そのため、駆動信号線52aから駆動
信号がEL素子駆動用TFT40のゲート電極41に供
給され、そのゲート電極41の電位が駆動信号線52a
の電位と同電位になる。そしてゲート電極41に供給さ
れた電流値に相当する電流が駆動電源に接続された駆動
電源線53bからEL素子60に供給される。それによ
ってEL素子60は発光する。
When a gate signal from the gate signal line 51a is applied to the gate electrode 11, the switching TFT 3
0 turns on. Therefore, a drive signal is supplied from the drive signal line 52a to the gate electrode 41 of the EL element driving TFT 40, and the potential of the gate electrode 41 is changed to the drive signal line 52a.
And the same potential as Then, a current corresponding to the current value supplied to the gate electrode 41 is supplied to the EL element 60 from the driving power supply line 53b connected to the driving power supply. Thereby, the EL element 60 emits light.

【0076】また、各色を図1のようにR、G、Bを発
光させるためには、まずRの発光材料を配置する個所に
開口部を有するメタルマスクを陽極及び平坦化膜上に載
せてRの発光材料を蒸着し、続いてGの発光材料を配置
する個所に開口部を有するメタルマスクにてGの発光材
料を蒸着し、更にBの発光材料を配置する個所に開口部
を有するメタルマスクにてBの発光材料を蒸着して発光
層を形成する。このとき隣接する異なる色の発光層に異
なる色の発光材料が回り込んで色が混合させることがな
いようにする必要がある。
In order to emit R, G, and B light of each color as shown in FIG. 1, first, a metal mask having an opening at a position where the R light emitting material is disposed is placed on the anode and the flattening film. A light emitting material of R is deposited, a light emitting material of G is deposited on a metal mask having an opening at a position where the light emitting material of G is disposed, and a metal having an opening at a position where the light emitting material of B is further disposed. A light-emitting material of B is deposited using a mask to form a light-emitting layer. At this time, it is necessary to prevent different colors of light-emitting materials from entering adjacent light-emitting layers of different colors and mixing the colors.

【0077】なお、本実施の形態においては、駆動信号
線の蛇行のピッチを0.7表示画素分としたが本発明は
それに限定されるものではない。
In the present embodiment, the meandering pitch of the drive signal line is set to 0.7 display pixels, but the present invention is not limited to this.

【0078】また、本実施の形態においては、能動層と
して多結晶シリコン膜を用いたが、完全に能動層全体が
結晶化されていない微結晶シリコン膜を用いても良い。
In this embodiment, a polycrystalline silicon film is used as the active layer. However, a microcrystalline silicon film in which the entire active layer is not completely crystallized may be used.

【0079】また、絶縁性基板とは、ガラスや合成樹脂
などから成る絶縁性基板、又は導電性を有する基板ある
いは半導体基板等の表面にSiO2膜やSiNなどの絶
縁膜を形成して基板表面が絶縁性を有している基板をい
うものとする。
An insulating substrate is an insulating substrate made of glass, synthetic resin, or the like, or an insulating film such as a SiO 2 film or SiN formed on a conductive substrate or a semiconductor substrate. Refers to a substrate having an insulating property.

【0080】[0080]

【発明の効果】本発明によれば、駆動信号線と駆動信号
線とを異なる層に形成することによる工程の増大を抑制
しつつ、両線が短絡することによる表示不良を防止した
表示装置を提供することができる。
According to the present invention, there is provided a display device which suppresses a display defect due to a short circuit between both lines while suppressing an increase in steps due to the formation of drive signal lines and drive signal lines in different layers. Can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態を示すEL表示装置
の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of an EL display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態を示すEL表示装置
の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the EL display device according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施の形態を示すEL表示装置
の平面図である。
FIG. 3 is a plan view of an EL display device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施の形態を示すEL表示装置
の断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of an EL display device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】従来のEL表示装置の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a conventional EL display device.

【図6】従来のEL表示装置の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional EL display device.

【図7】従来のEL表示装置の平面図である。FIG. 7 is a plan view of a conventional EL display device.

【図8】従来のEL表示装置の断面図である。FIG. 8 is a sectional view of a conventional EL display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11、41 ゲート電極 13、43 能動層 13s、43s ソース領域 13d、43d ドレイン領域 13c、43c チャネル領域 16 ソース電極 30 スイッチング用T
FT 40 EL素子駆動用T
FT 51a,51b,51c ゲート信号線 52a,52b,52c 駆動信号線 53a,53b 駆動電源線 60 EL素子 61 陽極 66 発光層 67 陰極 68 開口部 110 表示領域
11, 41 Gate electrode 13, 43 Active layer 13s, 43s Source region 13d, 43d Drain region 13c, 43c Channel region 16 Source electrode 30 Switching T
FT 40 T for EL element drive
FT 51a, 51b, 51c Gate signal line 52a, 52b, 52c Driving signal line 53a, 53b Driving power supply line 60 EL element 61 Anode 66 Light emitting layer 67 Cathode 68 Opening 110 Display area

フロントページの続き Fターム(参考) 3K007 AB08 AB18 BA06 CA01 DA02 FA01 5C094 AA21 AA42 AA43 BA03 BA12 BA29 CA19 CA24 DA13 EA03 EA04 EA07 EA10 FA10 Continued on the front page F term (reference) 3K007 AB08 AB18 BA06 CA01 DA02 FA01 5C094 AA21 AA42 AA43 BA03 BA12 BA29 CA19 CA24 DA13 EA03 EA04 EA07 EA10 FA10

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 陰極と陽極との間に発光層を有する自発
光素子と、該自発光素子に駆動信号を供給するスイッチ
ング用薄膜トランジスタと、前記自発光素子に電流を供
給する自発光素子駆動用薄膜トランジスタとを備えた表
示画素がマトリクス状に配置されており、前記スイッチ
ング用薄膜トランジスタに駆動信号を供給する駆動信号
線と、前記駆動信号に応じて電流を前記自発光素子に供
給する駆動電源線とを備えた表示装置であって、前記駆
動信号線又は前記駆動電源線のいずれか一方が前記陽極
と重畳するように配置されていることを特徴とする表示
装置。
A self-luminous element having a light-emitting layer between a cathode and an anode, a switching thin-film transistor for supplying a drive signal to the self-luminous element, and a self-luminous element for supplying a current to the self-luminous element A display pixel including a thin film transistor is arranged in a matrix, a driving signal line for supplying a driving signal to the switching thin film transistor, and a driving power supply line for supplying a current to the self-luminous element according to the driving signal. And wherein one of the drive signal line and the drive power supply line is disposed so as to overlap with the anode.
【請求項2】 前記駆動信号線又は及び前記駆動電源線
のうちいずれか一方が、前記陽極の下層に絶縁膜を介し
て重畳するように配置されていることを特徴とする請求
項1に記載の表示装置。
2. The device according to claim 1, wherein one of the drive signal line and the drive power supply line is arranged so as to overlap a lower layer of the anode via an insulating film. Display device.
【請求項3】 前記駆動電源線は、互いに隣接する前記
駆動信号線間のほぼ中央に前記駆動電源線が配置されて
いることを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装
置。
3. The display device according to claim 1, wherein the drive power supply lines are arranged substantially at the center between the drive signal lines adjacent to each other.
【請求項4】 前記スイッチング用薄膜トランジスタ又
は及び前記自発光素子駆動用薄膜トランジスタのうちい
ずれか一方の薄膜トランジスタはが前記駆動電源線に対
して一方の側に配置され、他方の薄膜トランジスタはが
他方の側に配置されていることを特徴とする請求項1乃
至3のうちいずれか1項に記載の表示装置。
4. The switching thin film transistor and the thin film transistor for driving the self-luminous element are arranged on one side with respect to the driving power supply line, and the other thin film transistor is arranged on the other side with respect to the driving power supply line. The display device according to any one of claims 1 to 3, wherein the display device is arranged.
【請求項5】 前記駆動信号線と前記駆動電源線とは交
互に配列されており、各駆動信号線と駆動電源線との間
には、各間毎に前前記スイッチング用薄膜トランジスタ
及び前記自発光素子駆動用薄膜トランジスタが交互に配
置されていることを特徴とする請求項1乃至4のうちい
ずれか1項に記載の表示装置。
5. The driving signal line and the driving power supply line are alternately arranged, and between each driving signal line and the driving power supply line, the switching thin film transistor and the self-luminous light are provided at every interval. The display device according to claim 1, wherein the element driving thin film transistors are alternately arranged.
【請求項6】 前記駆動信号線及び駆動電源線は列方向
に延在するとともにし、行方向に交互に配置されてお
り、該交互に配置された各前記駆動信号線及びと駆動電
源線との間に、前記スイッチング用薄膜トランジスタ又
は前記自発光素子駆動用薄膜トランジスタが配置されて
いることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1
項に記載の表示装置。
6. The drive signal line and the drive power supply line extend in a column direction and are alternately arranged in a row direction, and each of the drive signal lines and the drive power supply line which are alternately arranged is provided. 6. The switching thin-film transistor or the self-light-emitting element driving thin-film transistor is disposed between them.
The display device according to item.
【請求項7】 各々が所定の色を呈する複数の前記表示
画素を周期的に行方向に配列し、該表示画素行を複数列
設けると共に、隣接する行において前記表示画素が所定
画素分だけ行方向にずれて配列されており、列方向に延
びる前記駆動電源線は、行毎に異なる色の前記表示画素
と接続されていることを特徴とする請求項1乃至6のう
ちいずれか1項に記載の表示装置。
7. A plurality of display pixels each exhibiting a predetermined color are periodically arranged in a row direction, and a plurality of display pixel rows are provided. 7. The driving power supply line arranged in a direction shifted in the column direction and extending in the column direction is connected to the display pixels of different colors for each row. 8. The display device according to the above.
【請求項8】 前記駆動信号線は、行毎に同色の前記表
示画素と接続されていることを特徴とする請求項1乃至
7のうちいずれか1項に記載の表示装置。
8. The display device according to claim 1, wherein the drive signal line is connected to the display pixels of the same color for each row.
【請求項9】 前記各表示画素行には、赤、緑、青色を
呈する画素が周期的に行方向に配列されていることを特
徴とする請求項7乃至8のうちいずれか1項に記載の表
示装置。
9. The display device according to claim 7, wherein red, green, and blue pixels are periodically arranged in a row direction in each of the display pixel rows. Display device.
【請求項10】 前記各色の表示画素の配列が、ストラ
イプ配列又はデルタ配列であることを特徴とする請求項
1乃至9のうちいずれか1項に記載の表示装置。
10. The display device according to claim 1, wherein the arrangement of the display pixels of each color is a stripe arrangement or a delta arrangement.
【請求項11】 前記自発光素子は、エレクトロルミネ
ッセンス素子であることを特徴とする請求項1乃至10
のうちいずれか1項に記載の表示装置。
11. The light-emitting device according to claim 1, wherein the light-emitting device is an electroluminescence device.
The display device according to claim 1.
JP31580399A 1999-11-05 1999-11-05 Display device Expired - Lifetime JP4596582B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31580399A JP4596582B2 (en) 1999-11-05 1999-11-05 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31580399A JP4596582B2 (en) 1999-11-05 1999-11-05 Display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001134214A true JP2001134214A (en) 2001-05-18
JP4596582B2 JP4596582B2 (en) 2010-12-08

Family

ID=18069751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31580399A Expired - Lifetime JP4596582B2 (en) 1999-11-05 1999-11-05 Display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4596582B2 (en)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003076301A (en) * 2001-09-07 2003-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light emitting element and display device using the element
JP2003255858A (en) * 2002-02-28 2003-09-10 Sanyo Electric Co Ltd Display device
JP2004119219A (en) * 2002-09-26 2004-04-15 Seiko Epson Corp Electrooptical device, panel substrate, and electronic apparatus
JP2004212997A (en) * 2002-12-31 2004-07-29 Lg Phillips Lcd Co Ltd Organic electroluminescence element and its manufacturing method
JP2004240400A (en) * 2003-02-05 2004-08-26 Samsung Sdi Co Ltd Flat panel display using anode electrode layer as power source supply layer and its manufacture method
KR100493353B1 (en) * 2001-09-28 2005-06-07 산요덴키가부시키가이샤 Active matrix type display device
JP2006313350A (en) * 2005-05-02 2006-11-16 Samsung Electronics Co Ltd Organic luminescent display
JP2007286212A (en) * 2006-04-14 2007-11-01 Hitachi Displays Ltd Organic el display device
JP2008268719A (en) * 2007-04-24 2008-11-06 Hoya Corp Finder device
JP2009055065A (en) * 2008-11-25 2009-03-12 Seiko Epson Corp Electrooptical device, and electronic apparatus
JP2009163088A (en) * 2008-01-09 2009-07-23 Seiko Epson Corp Electro-optical device and electronic device
KR20160034414A (en) * 2013-08-29 2016-03-29 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 Organic light enitting diode anode connection structure and manufacturing method thereof
CN106206658A (en) * 2011-07-19 2016-12-07 群创光电股份有限公司 Luminous display unit
CN108520893A (en) * 2013-12-31 2018-09-11 乐金显示有限公司 Flexible display apparatus, display device and preparation method thereof

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61208081A (en) * 1985-03-12 1986-09-16 ソニー株式会社 Liquid crystal display unit
JPS622288A (en) * 1985-06-27 1987-01-08 株式会社精工舎 Matrix display unit
JPH02181123A (en) * 1988-12-05 1990-07-13 Sharp Corp Active matrix substrate
JPH0981053A (en) * 1995-09-07 1997-03-28 Casio Comput Co Ltd Electric field light emitting element and its driving method
JPH10161564A (en) * 1996-11-28 1998-06-19 Casio Comput Co Ltd Display device
JPH1124606A (en) * 1997-07-02 1999-01-29 Seiko Epson Corp Display device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61208081A (en) * 1985-03-12 1986-09-16 ソニー株式会社 Liquid crystal display unit
JPS622288A (en) * 1985-06-27 1987-01-08 株式会社精工舎 Matrix display unit
JPH02181123A (en) * 1988-12-05 1990-07-13 Sharp Corp Active matrix substrate
JPH0981053A (en) * 1995-09-07 1997-03-28 Casio Comput Co Ltd Electric field light emitting element and its driving method
JPH10161564A (en) * 1996-11-28 1998-06-19 Casio Comput Co Ltd Display device
JPH1124606A (en) * 1997-07-02 1999-01-29 Seiko Epson Corp Display device

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003076301A (en) * 2001-09-07 2003-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light emitting element and display device using the element
KR100493353B1 (en) * 2001-09-28 2005-06-07 산요덴키가부시키가이샤 Active matrix type display device
JP2003255858A (en) * 2002-02-28 2003-09-10 Sanyo Electric Co Ltd Display device
JP2004119219A (en) * 2002-09-26 2004-04-15 Seiko Epson Corp Electrooptical device, panel substrate, and electronic apparatus
JP2004212997A (en) * 2002-12-31 2004-07-29 Lg Phillips Lcd Co Ltd Organic electroluminescence element and its manufacturing method
JP2007188101A (en) * 2002-12-31 2007-07-26 Lg Phillips Lcd Co Ltd Organic electroluminescence element and its manufacturing method
US8081174B2 (en) 2002-12-31 2011-12-20 Lg Display Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
US7304639B2 (en) 2002-12-31 2007-12-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
US7928971B2 (en) 2002-12-31 2011-04-19 Lg Display Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
US7911460B2 (en) 2002-12-31 2011-03-22 Lg Display Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
JP2004240400A (en) * 2003-02-05 2004-08-26 Samsung Sdi Co Ltd Flat panel display using anode electrode layer as power source supply layer and its manufacture method
US7696518B2 (en) 2003-02-05 2010-04-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display with anode electrode layer as power supply layer and fabrication method thereof
CN100448052C (en) * 2003-02-05 2008-12-31 三星Sdi株式会社 Flat panel display with anode electrode layer as power supply layer and fabrication method thereof
US8158989B2 (en) 2005-05-02 2012-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting diode display
JP2006313350A (en) * 2005-05-02 2006-11-16 Samsung Electronics Co Ltd Organic luminescent display
JP2007286212A (en) * 2006-04-14 2007-11-01 Hitachi Displays Ltd Organic el display device
JP2008268719A (en) * 2007-04-24 2008-11-06 Hoya Corp Finder device
JP2009163088A (en) * 2008-01-09 2009-07-23 Seiko Epson Corp Electro-optical device and electronic device
JP2009055065A (en) * 2008-11-25 2009-03-12 Seiko Epson Corp Electrooptical device, and electronic apparatus
CN106206658A (en) * 2011-07-19 2016-12-07 群创光电股份有限公司 Luminous display unit
KR20160034414A (en) * 2013-08-29 2016-03-29 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 Organic light enitting diode anode connection structure and manufacturing method thereof
JP2016527696A (en) * 2013-08-29 2016-09-08 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 Anode connection structure of organic light emitting diode and manufacturing method thereof
KR101958525B1 (en) 2013-08-29 2019-03-14 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 Organic light enitting diode anode connection structure and manufacturing method thereof
CN108520893A (en) * 2013-12-31 2018-09-11 乐金显示有限公司 Flexible display apparatus, display device and preparation method thereof
CN108520893B (en) * 2013-12-31 2022-10-28 乐金显示有限公司 Flexible display device, display device and preparation method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP4596582B2 (en) 2010-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7830476B2 (en) Electroluminescence display device comprising a drain electrode being directly contacted with the upper surface of the first transparent conductive layer and the side surface of the second conductive layer and fabricating methods thereof
JP4365364B2 (en) Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
KR101961190B1 (en) Organic electro-luminescence device and method of fabricating the same
US8963137B2 (en) Organic light-emitting display device and method of fabricating the same
US7518147B2 (en) Organic electro luminescence device and fabrication method thereof
KR101100885B1 (en) Thin film transistor array panel for organic electro-luminescence
KR101671038B1 (en) Thin film transistor array device and method for manufacturing thin film transistor array device
US20050285108A1 (en) Pixel circuit and display device having improved transistor structure
US8183766B2 (en) Pixel structure of organic electroluminescent display panel and method of making the same
US8937315B2 (en) Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
JP4640690B2 (en) Manufacturing method of active matrix organic EL display device
KR20030058911A (en) an active matrix organic electroluminescence display and a manufacturing method of the same
US6927536B2 (en) Organic electroluminescent display device with insulating layer patterns and method of fabricating the same
JP4596582B2 (en) Display device
KR100699995B1 (en) Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof
JP4005952B2 (en) Flat panel display with thin film transistor
JP2004004797A (en) Display device
KR101820166B1 (en) White organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
KR101352121B1 (en) Oganic electro-luminesence display panel and manufactucring method of the same
JP3710969B2 (en) Electroluminescence display device
KR100590255B1 (en) Organic electroluminescence display device and method for fabricating thereof
JP2000172199A (en) Electroluminescence display device
KR101843191B1 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
US20240023384A1 (en) Display device
KR100482328B1 (en) Active Matrix Organic Electro-Luminescence Display Panel And Method Of Fabricating The Same

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20051227

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061101

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091008

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091020

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100406

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100520

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100824

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100921

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4596582

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001

Year of fee payment: 3

EXPY Cancellation because of completion of term