JPH10232649A - Electric field luminescent display device and driving method therefor - Google Patents

Electric field luminescent display device and driving method therefor

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JPH10232649A
JPH10232649A JP5254397A JP5254397A JPH10232649A JP H10232649 A JPH10232649 A JP H10232649A JP 5254397 A JP5254397 A JP 5254397A JP 5254397 A JP5254397 A JP 5254397A JP H10232649 A JPH10232649 A JP H10232649A
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JP
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driving
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electric
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JP5254397A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaharu Shiotani
Hiroyasu Yamada
雅治 塩谷
裕康 山田
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Casio Comput Co Ltd
カシオ計算機株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the driving method of an electric field luminescent display device capable of performing a tone display having satisfactory control property and capable of performing an operation of lower power consumption.
SOLUTION: One frame period of an electric field luminescent display device in which electric field light emitting elements are arranged in a matrix shape and selection transistors and driving transistors are connected to these electric field light emitting elements is divided into eight subframes. These subframes are consisting of light emission setting times Ton and address periods Tadd being the same times in all subframes and different light emission driving voltages or driving currents are set so as to be impressed in respective subframes. Since, a tone level for every pixel is made different according to in which subframe among the eight subframes the pixel is selected, a tone expression is made possible.
COPYRIGHT: (C)1998,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】この発明は電界発光表示装置およびその駆動方法に関し、さらに詳しくは、エレクトロルミネッセンス発光を行う表示装置の駆動方法に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to light emitting display and a driving method thereof, and more particularly, to a driving method of a display device which performs electroluminescence emission.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、図9に示すような、1画素に2つの薄膜トランジスタ(以下、TFTという)を備えた構造の有機ELディスプレイ(電界発光表示装置)がある。 Conventionally, as shown in FIG. 9, two thin film transistors in one pixel (hereinafter, referred to as TFT) and organic EL display structure with (light emitting display). この有機ELディスプレイにおいては、選択TFT In this organic EL display, selection TFT
3が走査ラインXmからのスキャで選択に同期して、有機EL素子1の発光輝度データに応じた階調信号が信号ラインYnから供給されるようになっている。 3 in synchronization with the selected scan from the scan line Xm, so that the tone signal corresponding to the light emission brightness data of the organic EL element 1 is supplied from the signal line Yn. 選択TF Select TF
T3は、この階調信号に応じて駆動TFT2のゲートバイアスを制御し、駆動TFT2は、このゲートバイアスに応じて有機EL素子1に注入するキャリア(電子或いは正孔)の量を制御し、所定の階調輝度で発光する。 T3 controls the driving TFT2 gate bias in accordance with the gradation signal, the driving TFT2 controls the amount of carrier (electrons or holes) to be injected into the organic EL device 1 according to this gate bias, predetermined It emits light at the gradation luminance. 図10は、このように書き込まれた駆動TFT2の、ゲート電圧(Vg)とチャネル抵抗との関係、所謂電界効果トランジスタ(FET)の静特性を示すグラフである。 Figure 10 is a driving TFT2 in this way is written, the relationship between the channel resistance between the gate voltage (Vg), which is a graph showing the static characteristics of the so-called field effect transistor (FET).
図11は、1画素における有機EL素子1と電圧制御手段Vcと全画素共通EL電源4との関係を示す等価回路図である。 Figure 11 is an equivalent circuit diagram showing the relationship between the organic EL element 1 and the voltage control means Vc and common to all pixels EL power supply 4 in 1 pixel. この電圧制御手段Vcは、選択トランジスタ3と駆動トランジスタ2とから構成されている。 The voltage control means Vc is composed of the selection transistor 3 and the driving transistor 2.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の1画素2セルTFT構造の有機ELディスプレイでは、駆動T [SUMMARY OF THE INVENTION In the organic EL display of the above-mentioned conventional 1 pixel 2 cell TFT structure, driving T
FT2のゲートバイアスの変化によってチャネルに流れる電流を変えることにより、画素ELの発光輝度を変化させることで階調を表現している。 By varying the current flowing through the channel by a change in the gate bias of FT2, expresses the gradation by changing the light emission luminance of the pixel EL. すなわち、有機EL That is, the organic EL
素子1の発光輝度は、信号ラインYnに供給される階調信号と、駆動TFT2及び選択TFT3の電気的特性に依存している。 Emission luminance of the device 1 includes a gradation signal supplied to the signal line Yn, relies on the electrical characteristics of the driving TFT2 and selection TFT 3. このため、たとえば256階調を実現しようとすると、パネル内の各画素の駆動TFT2の線形領域での特性バラツキが256階調の制御に要求される範囲内になければならず、そのような均一な特性のTF Thus, for example, 256 when attempting to realize a gradation, should be within the range of characteristic variation of the driving TFT2 in the linear region of each pixel in the panel is required for the control of 256 gradations, such uniform TF of such properties
Tパネルの製造は実現が困難であるという問題がある。 Production of T panel there is a problem that it is difficult to realize.

【0004】この発明が解決しようとする課題は、制御性のよい階調表示が行えると共に、低消費電力動作が可能な電界発光表示装置の駆動方法を得るにはどのような手段を講じればよいかという点にある。 [0004] Problems to be the invention solved, good gray scale display with enabling controllability, Kojire what means to obtain a driving method with low power consumption capable of operating light emitting display lies in the fact that one.

【0005】 [0005]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、 Means for Solving the Problems The invention according to claim 1,
電界発光表示装置であって、それぞれ一対の電極を有し、且つ電圧の印加に応じて発光する複数の電界発光素子と、1フレーム期間内に順次配置された複数のアドレス期間に、前記複数の電界発光素子から任意の電界発光素子を選択すると共に、それぞれの前記アドレス期間の後に設定された発光設定期間に、当該アドレス期間に選択された前記電界発光素子の前記一方の電極に、接地電圧、或いは互いに異なる値の電圧に設定された複数の駆動電圧のうちのいずれか、の一方を印加する第1スイッチング回路と、前記各電界発光素子の前記一対の電極の他方の電極にそれぞれ接続され、前記各発光設定期間に、前記接地電圧、或いは互いに異なる値の電圧に設定された複数の駆動電圧のうちのいずれか、の他方を、前記全電界発光素子に印 A light emitting display device, each have a pair of electrodes, and a plurality of light emitting elements that emit light in response to an applied voltage, a plurality of address periods which are sequentially arranged in one frame period, the plurality of with selecting any electroluminescent device from an electroluminescent element, the set luminous set period after each of the address periods, to the one electrode of the electroluminescent device is selected in the address period, a ground voltage, or a first switching circuit for applying one of a plurality of driving voltage set at a voltage of different values, one of which is connected respectively to the other electrode of the pair of electrodes of each light emitting element, mark to the each light emission setting period, the ground voltage, or any of a plurality of driving voltage set at a voltage of different values, and the other of, the whole light emitting element する第2スイッチング回路と、 A second switching circuit for,
を具備することを特徴としている。 It is characterized by having a.

【0006】請求項1記載の発明では、各アドレス期間に発光すべき電界発光素子を予め選択して、対応する各発光設定期間に、選択された電界発光素子の一方の電極に、所定電圧値のコモン電圧を印加し、全電界発光素子の一対の電極の他方に、互いに異なる値の電圧に設定された複数の駆動電圧又は互いに異なる値の電流に設定された駆動電流のいずれかを印加すれば、選択された電界発光素子のみが各発光設定期間に発光することができる。 [0006] In the first aspect of the present invention, and preselected light emitting element to be emitted to the respective address periods, each corresponding luminous set period, to one electrode of the selected light emitting element, a predetermined voltage value of the common voltage is applied, the other of the pair of electrodes of all light emitting elements, by applying one of the drive current set in the current of a plurality of driving voltage or different from each other that is set to a voltage of different values if, it is possible to only the selected light emitting element emits light to the light emitting setting period. したがって、複数の発光設定期間中に選択的に電界発光素子を発光することにより、言い換えれば、1フレーム期間内での総発光設定期間での総発光量に応じて、 Accordingly, by emitting a selectively electroluminescent device in a plurality of light-emitting setting period, in other words, according to the total emission amount of the total light emission setting period within one frame period,
各電界発光素子の見かけ上の発光輝度を制御することができる。 It is possible to control the emission luminance of the apparent respective electroluminescent elements.

【0007】請求項2記載の発明は、前記電界発光素子がマトリクス状に配列され、1フレーム期間が、前記複数のアドレス期間と、各アドレス期間にそれぞれ対応し且つ互いに同じ長さの時間に設定された前記複数の発光設定期間と、からなり、前記アドレス期間と前記発光設定期間とが交互に配置されたことを特徴としている。 [0007] According to a second aspect of the invention, the light emitting elements are arranged in a matrix, one frame period, the plurality of address periods, set for each corresponding and mutually equal length time to each address period by the plurality of light-emitting setting period, consists, it is characterized in that said address period and the light emission setting period are alternately arranged. 請求項2記載の発明では、発光設定期間を一定としたので、発光設定期間と印加電圧又は印加電流との積によるそれぞれの発光輝度を組み合わせることで多くの輝度階調数の発光を実現することができる。 In the second aspect of the present invention, since the light emission setting period is constant, to realize the emission of a number of luminance gradation number by combining the respective emission luminance due to the product of the applied voltage or applied current emission setting period can.

【0008】請求項3、4記載の発明はそれぞれ、第1 [0008] Each invention of claim 3 and 4 wherein the first
スイッチング回路、第2スイッチング回路が、走査電圧が供給される走査ラインにゲート電極が接続され且つ信号電圧が供給される信号ラインにドレイン電極が接続された選択トランジスタと、ゲート電極が前記選択トランジスタのソース電極に接続され、且つドレイン電極が前記電界発光素子に接続されると共に、ソース電極が、コモン電源または可変駆動電源に接続された駆動トランジスタと、を備えることを特徴としている。 The switching circuit, the second switching circuit, and a selection transistor having a drain electrode connected to the signal line having a gate electrode connected to and signal voltage is supplied to the scan line scanning voltage is supplied, the gate electrode of the selection transistor is connected to the source electrode, and with a drain electrode connected to the light emitting element, the source electrode, is characterized in that it comprises a driving transistor connected to the common power source or a variable driving power source, a. これらの発明では、アドレス期間に選択された電界発光素子に、発光設定期間中に容易にコモン電圧を印加できるようチャージできる。 In these inventions, the electroluminescent device is selected in the address period, can charge to be easily applied to the common voltage during the light emission setting period.

【0009】請求項5記載の発明は、前記走査電圧および前記信号電圧が、それぞれの特性に応じたオン/オフの2値信号であることを特徴としている。 [0009] According to a fifth aspect, the scanning voltage and the signal voltage is characterized by a binary signal on / off in accordance with respective characteristics.

【0010】請求項5記載の発明では、走査電圧および信号電圧がオン/オフの2値信号で制御できるので、選択トランジスタおよび駆動トランジスタのV−I特性に多少のばらつきがあっても、飽和電流領域の電圧を印加すれば、良好に輝度階調を制御することができる。 [0010] In the invention of claim 5 is the scanning voltage and the signal voltage can be controlled by the binary signal on / off, even if there is some variation in the V-I characteristics of the selection transistor and the driving transistor, a saturation current When a voltage is applied in the area, better able to control the luminance gradation.

【0011】請求項6記載の発明は、1フレーム期間内の各発光設定期間の駆動電圧或いは駆動電流の大きさの比率は、それぞれ2のn乗(nは0以上の整数)のいずれかであることを特徴としている。 [0011] According to a sixth aspect of the invention, 1 size ratio of the drive voltage or drive current of each light emitting setting period in a frame period, either the respective 2 n (n is an integer of 0 or more) It is characterized in that. 請求項6記載の発明では、駆動電圧或いは駆動電流の大きさの比率が、それぞれ2のn乗としているので、異なる電圧値の数を最小限にして良好な階調発光を実現することができる。 In the invention of claim 6, wherein the size ratio of the driving voltage or driving current, since the n-th power of each of the two, it is possible to realize a satisfactory tone emission by minimizing the number of different voltage values .

【0012】請求項8記載の発明は、電圧又は電流の印加に応じて発光する複数の電界発光素子を有する電界発光表示装置の駆動方法において、1フレーム期間が、それぞれ任意の前記電界発光素子を選択する、複数のアドレス期間を備え、且つ前記各アドレス期間で選択された前記電界発光素子に、それぞれのアドレス期間の後に発光設定期間が設定されると共に、前記各アドレス期間で選択された前記電界発光素子に、1フレーム期間内のそれぞれの発光設定期間どうしで互いに異なる値の駆動電圧或いは互いに異なる値の駆動電流を供給することを特徴としている。 [0012] The invention according to claim 8, in the driving method of the light emitting display device having a plurality of light emitting elements that emit light in response to an applied voltage or current, one frame period, each optional said electroluminescent element selecting, with a plurality of address periods, and the said electroluminescent element selected in each address period, the light emission setting period after each address period is set, the electric field said selected at each address period the light emitting element is characterized by supplying a drive current of the drive voltage or different values ​​of different values ​​for each emission setting period each other within one frame period.

【0013】請求項8記載の発明では、各アドレス期間に、次の発光設定期間に発光すべき電界発光素子を予め選択して、発光設定期間に発光させるが、各発光設定期間での印加電圧または印加電流の値が異なるので、それぞれの画素での総発光量が、階調に応じるように発光設定期間を選択すれば少ない段階の電圧値の変化にもかかわらず、1フレーム期間全体では多くの輝度階調数の発光を実現することができる。 [0013] In the invention of claim 8 is, in each address period, the preselected electroluminescent element to be emitted to the next light emission setting period, but emit light emission setting period, the voltage applied at each light emission setting period or the value of the applied current is different, the total amount of light emitted by each pixel, despite the change in the voltage value of small steps by selecting the light emission setting period to respond to the gradation, one frame period across the many it is possible to realize the light emission of the number of luminance gradation.

【0014】 [0014]

【発明の実施の形態】以下、この発明に係る電界発光表示装置の駆動方法の詳細を図面に示す実施形態に基づいて説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be explained based on the embodiment shown the details of the driving method of the light emitting display device according to the invention with reference to the drawings. なお、駆動方法の説明に先駆けて、電界発光表示装置の構成について説明する。 Incidentally, prior to the description of the driving method, the configuration of the light emitting display. 図1は本実施形態に係る電界発光表示装置の駆動回路図である。 Figure 1 is a drive circuit diagram of a light emitting display device according to the present embodiment. 同図に示すように、電界発光素子としての有機EL素子101 As shown in the figure, the organic EL element 101 as the light emitting element
が、X−Yマトリクス状に配置されたそれぞれの画素領域に形成されている。 There are formed in the respective pixel areas arranged an X-Y matrix. これらの画素領域は、複数の走査ラインXと複数の信号ラインYとがそれぞれ交差する部分に形成されている。 These pixel regions, a plurality of scanning lines X and a plurality of signal lines Y is formed at the intersection, respectively. 1つの画素領域には、走査ラインXおよび信号ラインYに接続された選択トランジスタQ A single pixel region, is connected to the scan line X and signal line Y selection transistors Q
1と、この選択トランジスタQ 1に接続されたキャパシタCp 1及びゲートが接続された駆動トランジスタQ 2とが設けられている。 1, connected to a driving transistor Q 2 to which capacitors Cp 1 and a gate connected a is provided to the select transistor Q 1. この駆動トランジスタQ 2は、有機E The driving transistor Q 2 is an organic E
L素子101の一方の電極(図ではカソード電極)に接続されている。 (In FIG cathode) one electrode of the L elements 101 are connected to. そして、選択トランジスタQ 1が走査ラインXからの選択信号により選択され、且つ信号ラインYより駆動信号が出力されると駆動トランジスタQ 2がオン状態になるように設定されている。 Then, the selection transistors Q 1 scanned is selected by the selection signal from the line X, and the driving transistor Q 2 and the drive signal is outputted from the signal line Y is set to be turned on. この選択信号及び駆動信号は、ON/OFFの2値信号である。 The selection signal and the drive signal is a binary signal of ON / OFF. なお、 It should be noted that,
駆動トランジスタQ 2は、オフ状態では有機EL素子1 Driving transistor Q 2 is an organic EL element 1 in the off state
01に比べて充分高抵抗で、オン状態では有機EL素子101に比べて無視できるほど充分低抵抗となるようにその特性が設定されている。 A sufficiently high resistance as compared to 01, its characteristics as a sufficiently low resistance negligible compared to the organic EL element 101 is in the ON state is set.

【0015】図2は、この電界発光表示装置の1画素部分の等価回路図である。 [0015] Figure 2 is an equivalent circuit diagram of one pixel portion of the light emitting display. 同図に示すスイッチS 1は有機EL素子101の一方の電極に接続されており、このスイッチS 1の閉じている状態で、有機EL素子101の発光が可能となる。 Switch S 1 shown in the figure is connected to one electrode of the organic EL element 101, in the closed state of the switch S 1, it is possible to light emission of the organic EL element 101. また、スイッチS 2は、有機EL素子101の他方の電極側に接続されており、全画素に共通に用いられるとともに、後記するサブフレーム期間内の発光時間および発光駆動電圧或いは発光駆動電流(各サブフレーム期間に固有の値の電圧或いは電流)に従って全画素を同時にオン/オフし得るようになっている。 The switch S 2 is connected to the other electrode side of the organic EL element 101, along with commonly used to all the pixels, the light emission time and light emission driving voltage or the light emission drive current in the sub-frame period to be described later (the and it is able to simultaneously turned on / off all the pixels according to the voltage or current) value specific to the sub-frame period.
なお、図2中Psは各サブフレーム期間に固有の値の電圧値或いは電流値を可変的に出力するように制御された可変駆動電源を示している。 Incidentally, it shows a variable driving power source is controlled to output a voltage value or current value of the specific value variably 2 in Ps each sub-frame period.

【0016】ここで、本実施形態における電界発光表示装置の更に具体的な構成を、図3および図4を用いて説明する。 [0016] Here, further specific structure of a light emitting display device in this embodiment will be described with reference to FIGS. 図3は、本実施形態における電界発光表示装置の1画素部分を示す平面図である。 Figure 3 is a plan view showing one pixel portion of the EL display device in this embodiment. 図4は、図3のA− Figure 4 is, as shown in FIG. 3 A-
A断面図である。 A is a cross-sectional view. 図中100は電界発光表示装置を示している。 Figure 100 shows a light emitting display.

【0017】本実施形態の電界発光表示装置100は、 The light emitting display device 100 of this embodiment,
ガラス或いは樹脂フィルムからなる基板102の上に例えばアルミニウム(Al)でなるゲートメタル膜がパターニングされてなる、所定方向(X方向)に沿って平行かつ等間隔をなす複数の走査ライン103と、この走査ライン103に一体的な、選択トランジスタQ 1のゲート電極103Aと、駆動トランジスタQ 2のゲート電極103Bと、が形成されている。 Gate metal film made, for example, aluminum (Al) on a substrate 102 made of glass or resin film is formed by patterning a plurality of scanning lines 103 that extends parallel and at equal intervals along a predetermined direction (X direction), the the scan line 103 that integrally includes a gate electrode 103A of the selection transistors Q 1, and the gate electrode 103B of the driving transistor Q 2, is formed. なお、これらゲート電極103A、103Bおよび走査ライン103の表面には、陽極酸化膜104が形成されている。 Note that the gate electrodes 103A, 103B and the surface of the scanning lines 103, the anodic oxide film 104 is formed. また、これら走査ライン103、ゲート電極103A、103Bおよび基板102の上には、窒化シリコンでなるゲート絶縁膜105が形成されている。 Further, the scanning lines 103, the gate electrode 103A, the top of 103B, and substrate 102, the gate insulating film 105 made of silicon nitride is formed. さらに、ゲート電極103 Furthermore, the gate electrode 103
A、103Bの上方のゲート絶縁膜105A、105B A, 103B of the upper gate insulating film 105A, 105B
の上には、アモルファスシリコン(a−Si)でなる半導体層106A、106Bがパターン形成されている。 On top of the semiconductor layer 106A made of amorphous silicon (a-Si), 106B are patterned.
また、それぞれの半導体層106A、106Bの中央には、チャネル幅方向に沿って形成されたブロッキング層107A、107Bが形成されている。 Further, each of the semiconductor layers 106A, the center of 106B, blocking layer 107A formed along the channel width direction, 107B are formed. そして、半導体層106Aの上には、ブロッキング層107A上でソース側とドレイン側とに分離されたオーミック層108 Then, on the semiconductor layer 106A is separated into the source and drain sides on the blocking layer 107A ohmic layer 108
A、108Aが形成されている。 A, 108A are formed. さらに、選択トランジスタQ 1においては、ドレイン側のオーミック層108 Further, in the select transistor Q 1, the drain side of the ohmic layer 108
Aに積層されて接続する信号ライン109Aと、ソース側のオーミック層108Aに積層されて接続するソース電極109Bとが形成されている。 A signal line 109A for connecting are stacked in A, and a source electrode 109B which connects are stacked in ohmic layer 108A on the source side are formed. このソース電極10 The source electrode 10
9Bは、図3に示すように、駆動トランジスタQ 2のゲート電極103Bに対して、ゲート絶縁膜105に開口したコンタクトホール110を介して接続されている。 9B, as shown in FIG. 3, the gate electrode 103B of the driving transistor Q 2, are connected via a contact hole 110 which is opened in the gate insulating film 105.
駆動トランジスタQ 2においては、ソース側のオーミック層108Bに積層されて接続するGND線111と、 In the driving transistor Q 2, the GND line 111 for connecting is laminated on the ohmic layer 108B on the source side,
一端がドレイン側のオーミック層108Bに積層されて接続し、且つ他端が有機EL素子101の後記するカソード電極114に接続するドレイン電極112が形成されている。 One end is connected is laminated on the ohmic layer 108B on the drain side, and the other end is formed a drain electrode 112 connected to the cathode electrode 114 to be described later of the organic EL element 101. これら選択トランジスタQ 1と駆動トランジスタQ 2は、図2に示したスイッチS 1を構成している。 These select transistors Q 1 and driver transistor Q 2 is, constitutes a switch S 1 shown in FIG.
また、ゲート電極103Bとゲート絶縁膜105とGN The gate electrode 103B and the gate insulating film 105 and GN
D線とでキャパシタCp 1が構成される。 Capacitor Cp 1 is constituted by the D line.

【0018】次に、有機EL素子101の構成を説明する。 [0018] Next, the configuration of the organic EL element 101. まず、上記した選択トランジスタQ 1 、駆動トランジスタQ 2およびゲート絶縁膜105の上に、電界発光表示装置100の発光表示領域全域に亙って、層間絶縁膜113が堆積されている。 First, select transistors Q 1 described above, on the drive transistor Q 2 and the gate insulating film 105, over a luminous entire display area of the light emitting display 100, an interlayer insulating film 113 is deposited. そして、上記した駆動トランジスタQ 2のドレイン電極112の端部上の層間絶縁膜113にコンタクトホール113Aが形成されている。 Then, a contact hole 113A is formed in the interlayer insulating film 113 on the end of the drain electrode 112 of the driving transistor Q 2 to which the above-mentioned. なお、本実施形態では、駆動トランジスタQ 2のドレイン電極112の端部は、1画素領域の略中央に位置するように設定されている。 In the present embodiment, the end portion of the drain electrode 112 of the driving transistor Q 2 is set to be positioned at substantially the center of one pixel region. そして、層間絶縁膜113 Then, the interlayer insulating film 113
の上に、可視光に対し反射性を示す、例えばMgInでなるカソード電極114が略1画素領域全域に亙って矩形状に形成されている。 Over, shows a reflectivity to visible light, for example, a cathode electrode 114 made of MgIn is formed in a rectangular shape over a substantially one pixel entire region. すなわち、カソード電極114 That is, the cathode electrode 114
は、相隣接する信号ライン109A、109Aと相隣接する走査ライン103、103とで囲まれる領域(1画素領域)を略覆うように形成されている。 , The phase adjacent signal lines 109A, is formed a region (pixel region) surrounded by the scan lines 103, 103 adjacent 109A and the phase to be substantially covered. このため、選択トランジスタQ 1と駆動トランジスタQ 2とは、カソード電極114で全面的に覆われている。 Therefore, the selection transistors Q 1 and driver transistor Q 2, the cathode electrode 114 are entirely covered.

【0019】さらに、図4に示すように、各画素毎にパターン形成されたカソード電極114、および層間絶縁膜113の上に、有機EL層115が発光表示領域全域に亙って形成されている。 Furthermore, as shown in FIG. 4, the cathode electrode 114 patterned for each pixel, and on the interlayer insulating film 113, the organic EL layer 115 is formed over the light emitting entire display area . さらに、有機EL層115の上には、透明なITOでなるアノード電極116が全有機EL素子101の発光表示領域全域に亙って形成されている。 Furthermore, on the organic EL layer 115, an anode electrode 116 made of a transparent ITO is formed over the light emitting entire display area of ​​the whole organic EL element 101. また、各有機EL素子101のアノード電極1 Further, the anode electrode 1 of the organic EL elements 101
16は、スイッチS 2を介してそれぞれ異なる値に設定された駆動電圧Vdd1〜Vddn或いは駆動電流Idd 16, the driving voltage Vdd1~Vddn or drive current Idd is set to different values via the switch S 2
1〜Iddnを供給する可変駆動電源Psに接続されている。 It is connected to a variable drive power Ps supplying 1~Iddn.

【0020】ここで、上記した構成の電界発光表示装置100の作用について説明する。 [0020] Here is a description of the operation of the light emitting display device 100 having the above-described structure. 本実施形態においては、カソード電極114が、相隣接する信号ライン10 In the present embodiment, the signal line 10 cathode electrode 114, the adjacent phase
9A、109Aと相隣接する走査ライン103、103 9A, 109A and a phase adjacent scan lines 103 and 103
とで囲まれる領域(1画素領域)を略覆うように形成されているため、有機EL素子101は1画素領域の略全域に亙って発光を行うことができる。 Because it is formed so as to substantially cover the area (1 pixel region) surrounded by the organic EL element 101 can perform light emission over the substantially entire region of one pixel region. また、カソード電極114が光反射性を有するMgInで形成されているため、カソード電極114とアノード電極116との間に駆動電圧或いは駆動電流が印加された場合に、有機E Further, since the cathode electrode 114 is formed by MgIn having light reflectivity, when the driving voltage or the driving current is applied between the cathode electrode 114 and anode electrode 116, an organic E
L層115で発生した表示光は、下方(ガラス基板10 Display light generated in the L layer 115, the lower (glass substrate 10
2側)に漏れることなくアノード電極116側に出射される。 It is emitted to the anode electrode 116 side without leaking to 2 side). このため、選択トランジスタQ 1および駆動トランジスタQ 2の半導体層106A、106Bへ不要に光が入射するのを防止することができ、各トランジスタの光起電力による誤動作が生じるのを回避することができる。 Therefore, it is possible to avoid the semiconductor layer 106A of the selection transistors Q 1 and driver transistor Q 2, can unnecessarily light to 106B is prevented from entering, from malfunction due to the photovoltaic of each transistor is generated . また、表示光は、透明なアノード電極116側から出射されるため、ガラス基板102などにより光吸収されることがなく、輝度の高い状態で出射される。 The display light is to be emitted from the transparent anode electrode 116 side, without being light absorbed by a glass substrate 102 and is emitted at a high luminance state.

【0021】次に、本実施形態の電界発光表示装置10 The next light emitting display device of the present embodiment 10
0の駆動回路系を説明する。 0 of the drive circuit system will be described. 図2の等価回路図が示すように、有機EL素子101とスイッチS 1 、S 2と可変駆動電源Psとから1画素部分のEL表示回路が構成されている。 As shown in an equivalent circuit diagram of FIG. 2, EL display circuit for one pixel portion of an organic EL element 101 and a switch S 1, S 2 and the variable driving power source Ps is configured. また、上記したように、第1スイッチング回路としてのスイッチS 1は、選択トランジスタQ 1と駆動トランジスタQ 2とから構成され、有機EL素子101に選択的に接地電圧(コモン電圧)を供給(出力)することができる。 Further, as described above, the switch S 1 of the first switching circuit is selected is a transistor Q 1 and driver transistor Q 2 Prefecture, selectively supplies the ground voltage (common voltage) to the organic EL element 101 (output )can do. 有機EL素子101においては、アノード電極側に正極性の互いに異なる電圧値の駆動電圧Vdd In the organic EL element 101, the driving voltage Vdd of different voltage values ​​of the positive polarity to the anode
1〜Vddn或いは駆動電流Idd1〜Iddnを供給する可変駆動電源Psが第2スイッチング回路としてのスイッチS 2を介して接続され、カソード電極側にスイッチS 1が接続され、スイッチS 1を構成する駆動トランジスタQ 2のソース電極側は図1に示すようにGND線111を介して接地されている。 1~Vddn or variable drive power Ps for supplying a drive current Idd1~Iddn is connected via a switch S 2 as the second switching circuit, the switch S 1 is connected to the cathode electrode side, driving constituting the switch S 1 the source electrode of the transistor Q 2 is grounded through a GND line 111 as shown in FIG.

【0022】以下、本実施形態の電界発光表示装置10 [0022] Hereinafter, light emitting display device of the present embodiment 10
0の駆動方法について説明する。 A description will be given 0 of the driving method. まず、本実施形態は、 First, the present embodiment,
電界発光表示装置100における走査ライン103の本数を例えば480本、信号ライン109Aの本数を例えば640本に設定する。 Light emitting display number, for example, 480 scanning lines 103 in 100, sets the number of signal lines 109A, for example, 640. そして、本実施形態では図5 Then, 5 in this embodiment
(a)、(b)に示すような階調表示方式を用いる。 (A), using a gray scale display method shown in (b). 同図(a)のように、1フレーム期間(1画面の表示を保持する期間)が16.7msとして、1フレーム期間を8つのサブフレーム期間(サブフレーム1〜8)に分割する。 As shown in FIG. (A), one frame period (the period for holding the one screen display) as the 16.7 ms, it is divided into one frame period of eight subframe periods (subframes 1-8). 各サブフレーム期間は、2.1msであり、アドレス書込みを行うためのアドレス期間Tadd(1.0 Each subframe period is 2.1 ms, an address period for performing an address write Tadd (1.0
ms)とそれぞれのサブフレーム期間固有の値の駆動電圧或いは駆動電流を印加する発光設定期間Ton(1. Emission setting period for applying a driving voltage or a driving current of ms) and each sub-frame period specific value Ton (1.
1ms)とからなる。 Consisting of a 1ms). 有機EL素子101は、図5 The organic EL element 101, FIG. 5
(c)に示すように印加される電圧に対して発光輝度(cd/m 2 )が直線性を示しており、発光輝度の比は発光駆動電圧値の比或いは発光駆動電流値の比に比例する。 Light emission luminance with respect to voltage applied as shown in (c) (cd / m 2 ) is shows the linearity, the ratio of the emission intensity proportional to the ratio of the ratio of the light emission drive voltage or the light emission drive current to. 各サブフレーム期間に固有の発光駆動電圧の比率或いは駆動電流の比率は、サブフレーム1で1とすると、 Ratio of Ratio or drive current of the specific emission drive voltage to each sub-frame period is equal to 1 in subframe 1,
サブフレーム2は2、サブフレーム3は4、サブフレーム4は8、サブフレーム5は16、サブフレーム6は3 Subframe 2 2, subframe 3 4, subframe 4 8, subframe 5 16, subframe 6 3
2、サブフレーム7は64、サブフレーム8は128となる。 2, the sub-frame 7 is 64, the sub-frame 8 becomes 128. このような発光設定期間において、1の発光設定期間で1という輝度を表示するとすると、サブフレーム1のみを点灯することで1の輝度が得られる。 In such a flash setting period, when displaying a brightness of 1 by the first light-emitting setting period, the first luminance is obtained by lighting only subframe 1. 輝度2のときはサブフレーム2のみを、輝度3のときはサブフレーム1とサブフレーム2を、4のときはサブフレーム3 Only sub-frame 2 at a luminance of 2, the sub-frame 1 and the sub-frame 2 at a luminance of 3, sub-frame 3 when the 4
のみを点灯するというように、以下同様にして組み合わせにより合計256の階調を表示することが可能となる。 Only so that the lighting, it is possible to display the gray scale of a total of 256 by the combination in the same manner.

【0023】各サブフレームにおいては、アドレス期間Taddにアドレス書込みが終了した後に発光設定期間Tonの間アドレス選択された電界発光素子101にこの発光設定期間に固有の値の電圧或いは駆動電流を同時に印加させる。 [0023] In each subframe, the voltage or drive current of the specific value to the light-emitting setting period during the address selected light emitting elements 101 of the light-emitting setting period Ton after the address writing is completed during the address period Tadd applied simultaneously make. その次のサブフレームではアドレス期間Tadd中にアドレス書き換えを行って発光設定期間T Emission setting period T in the next sub-frame by performing the address rewriting during the address period Tadd
onにアドレス選択された電界発光素子101にこの発光設定期間に固有の値の電圧或いは電流を同時に印加させる。 The electroluminescent device 101 which is the address selected on this light emission setting period to simultaneously apply a voltage or current of the specific value. このようにサブフレーム1からサブフレーム8まで1フレーム期間内に行う。 Thus performed from the sub-frame 1 in one frame period until the sub-frame 8. アドレス選択のタイミングは、図2に示したスイッチS 1で制御し、駆動電圧駆動電流供給のタイミングはスイッチS 2で制御することができる。 Timing of address selection, controlled by switch S 1 shown in FIG. 2, the timing of the driving voltage driving the current supply can be controlled by the switch S 2. すなわち、1つのサブフレーム期間内において、走査ラインと信号ラインとの線順次走査により、このサブフレーム特有の発光量で点灯すべき画素の選択トランジスタQ 1がオン状態となる。 Namely, within one sub-frame period, the line-sequential scanning of the scanning lines and the signal lines, select transistors to Q 1 pixel to be lit in this sub-specific light emission amount is turned on. そして、選択トランジスタQ 1がオンになると信号ラインから選択トランジスタQ 1を介して駆動トランジスタQ 2のゲート電極への書込みが行われ、アドレス期間Tadd内においては駆動トランジスタQ 2にチャネルが形成された状態が保持される。 The selection transistor Q 1 is the turns on the writing of the signal line to the gate electrode of the driving transistor Q 2 via the selection transistor Q 1 is performed, channel drive transistor Q 2 is in the address period Tadd is formed state is maintained. このアドレス期間で点灯すべき画素がすべて選択された後、すなわちアドレス期間Tadd終了後の発光設定期間Tonまで選択状態が保持される。 After the pixel to be turned on in this address period is selected, all, that is, the selected state to the light-emitting setting period Ton after the address period Tadd ends are retained. 発光設定期間Ton中には、アノード電極116に接続されたそれぞれの発光設定期間Tonに固有の値に設定された駆動電圧或いは駆動電流を供給する可変駆動電源PsがスイッチS 2でオンされる。 During light emission setting period Ton, the variable driving power source Ps supplying a driving voltage or a driving current is set to a unique value to the connected respective emission setting period Ton to the anode electrode 116 is turned on by the switch S 2. この発光設定期間での駆動電圧或いは駆動電流の値は、上記したようにそれぞれのサブフレームでその高さ設定されている。 The value of the drive voltage or drive current in the light emitting setting period is set a height at each of the sub-frame as described above. ここで、1フレーム期間中の全アドレス期間Taddの時間の長さと全発光設定期間Tonの時間の長さを等しくすると、各アドレス期間Taddは、1.04ms程度となり、各走査ラインX1〜X480の1発光設定期間で選択される時間は、2.1μs程度となる。 Here, to equalize the total length of time the address period Tadd and time length of the entire light emission setting period Ton during one frame period, the address period Tadd becomes approximately 1.04 ms, of each scan line X1~X480 time selected by the first emission setting period becomes about 2.1Myuesu.

【0024】次に、本実施形態の駆動方法で階調表示が行える原理を図6を用いて説明する。 Next, a principle that allows the gradation display in the driving method of this embodiment will be described with reference to FIG. この図は、簡略化するために、1フレーム期間を3つのサブフレームに分割した例であり、サブフレーム1の発光設定期間の発光量は1、サブフレーム2の発光量は2、サブフレーム3 This figure, for simplicity, an example in which one frame period is divided into three sub-frames, 1 is the light quantity of the light emitting setting period of the sub-frame 1, the light emission amount is 2 of subframe 2, subframe 3
の発光量は4とした。 Emission amount was 4. 図6は、網状の斜線を付した部分の画素13、22、24、31、35、42、44、5 6, pixels of the portion hatched reticular 13,22,24,31,35,42,44,5
3の輝度が高くなるように表示された例を示している。 3 luminance indicates the displayed example to be higher.
具体的には、サブフレーム1で全画素が選択されて輝度1の発光を行ったとすると、サブフレーム2、3では線順次走査により画素13、22、24、31、35、4 Specifically, if it all the pixels are selected by the sub-frame 1 and subjected to light emission luminance 1, pixel by sub frames 2 and 3 in the line sequential scanning 13,22,24,31,35,4
2、44、53のみが選択され、発光量2と発光量4が加算されたと設定する。 Only 2,44,53 is selected, it sets the light emission amount 2 and the light-emitting amount 4 is added. このため、3つのサブフレームが終了した(1フレーム期間が終了した)状態では、画素13、22、24、31、35、42、44、53が発光量7となり、他の画素が発光量1であるのと比較して高輝度となる。 Thus, three sub-frame has ended (one frame period is completed) in the state, the pixel 13,22,24,31,35,42,44,53 emission amount 7, and the other pixel light emission quantity 1 I compared it to the the in a high luminance. このように、1フレーム期間を複数のサブフレームに分割したことにより、電界発光表示装置100の階調表示が可能となる。 In this manner, by dividing one frame period into a plurality of sub-frames, thereby enabling gradation display of an electroluminescent display device 100. このような原理は、1 Such a principle is, 1
フレーム期間を8つのサブフレームに分割した場合での同様に適用できるものであり、256階調の表現も可能となる。 Are those that can be equally applied in case of dividing a frame period into eight subframes, it becomes possible to express 256 gradations.

【0025】上記したように、本実施形態によれば、駆動電圧Vdd1〜Vddn或いは駆動電流Idd1〜I [0025] As described above, according to this embodiment, the driving voltage Vdd1~Vddn or drive current Idd1~I
ddnのスイッチングに、オン/オフの2値信号で制御するスイッチS 2を用い、且つ選択トランジスタQ 1と駆動トランジスタQ 2にもオン/オフの2値信号をいずれかを選択的に出力するため、図9のソース・ドレイン間電圧VSDをソース・ドレイン間電流が飽和電流になる範囲に設定するので、各トランジスタの電圧VSDの1V〜 the switching ddn, on / with switch S 2 controlled by binary signal off, and select transistors Q 1 and selectively to output either a binary signal is also an on / off the driving transistor Q 2 since the source-drain voltage VSD in Fig. 9 is source-drain current is set to a range to be the saturation current, 1V to a voltage VSD of each transistor
5V間でのV−I特性に多少のばらつきがあっても、良好に輝度階調を制御することができ、安定した階調制御を行うことが可能となる。 Even if there is some variation in the V-I characteristics between 5V, better able to control the luminance gradation, it is possible to perform stable gradation control. このように、1つの有機EL Thus, one organic EL
素子に対し選択トランジスタQ 1 、駆動トランジスタQ 2 、スイッチS 2の3つのスイッチング素子が構成している場合、それぞれのわずかな電気的特性のずれが相乗され、1つの画素として大きく輝度階調がずれてします恐れがあるが、選択トランジスタQ 1や駆動トランジスタQ 2およびスイッチS 2は、飽和電流領域での電圧値を用いオン/オフ制御を行うだけであるため、特性に多少のバラツキがあった場合でもその影響を受けにくいという利点がある。 Selected for element transistor Q 1, the driving transistor Q 2, if the three switching elements of the switch S 2 is constructed, displacement of each of the small electrical properties are synergistic, greater luminance gradation as one pixel there is a shift to fear but select transistors Q 1 and driver transistor Q 2 and the switch S 2, since it only performs on / off control using a voltage value in the saturation current region, is some variation in the characteristics there is an advantage that the less susceptible, even if there was. また、有機EL素子101にとって発光効率のよい電圧値の駆動電圧、或いは発光効率のよい電流値の駆動電流として設定できるため、低消費電力化を達成することができる。 Further, since it sets the drive voltage of the good voltage emission efficiency taking the organic EL element 101, or as a drive current for good current emission efficiency, it is possible to achieve low power consumption. さらに、可変駆動電源Psでの電圧或いは電流の制御は、電界発光表示装置100が得ようとする階調数に比較して非常に少ない数の種類(階調数が256に対して8)の値に電圧或いは電流制御するだけでよいため、制御性を高めることができる。 Furthermore, the control of the voltage or current of the variable driving power source Ps is the very small number compared to the number of gradations to be obtained is light emitting display 100 different (8 against the number of gradations is 256) since it is only necessary to voltage or current controlled to a value, it is possible to enhance the controllability.

【0026】以上、本実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付随する各種の設計変更が可能である。 [0026] Having described the present embodiment, the present invention is not limited thereto, and can be various design changes associated with the gist of the structure. 例えば、上記した実施形態においては、サブフレーム期間におけるアドレス期間内でアドレス選択状態を保持するために、選択トランジスタQ 1と駆動トランジスタQ 2とを備えた構成としたが、図7の1画素等価回路で示すような構成としてもアドレス選択状態を保持することができる。 For example, in the above embodiment, in order to hold the address selected in the address period in the sub-frame period, a configuration having a selection transistor Q 1, the driving transistor Q 2, 1 pixel equivalent of Figure 7 It may also be holding the address selected as the configuration shown in the circuit. 同図においてQ3は選択トランジスタQ 4は駆動トランジスタ、 Q3 is selected transistor Q 4 are driving transistors in the drawing,
Cp 2は容量を示している。 Cp 2 represents the capacitance. なお、この駆動トランジスタQ 4は別途容量Cp 2が接続されているため、EEPR Since the is connected the driving transistor Q 4 are separately capacitance Cp 2, EEPR
OM機能を有しないTFTを用いることができる。 It is possible to use a TFT having no OM function. 駆動トランジスタQ 4のソース・ドレインの一方が各有機E One of which each of the organic E of the source and the drain of the driving transistor Q 4
L素子101の各カソード電極に接続され、他方がスイッチS 2を介して負電位Vdd′或いは負の電流Id It is connected to the cathode electrodes of the L element 101 and the other through the switch S 2 negative potential Vdd 'or negative current Id
d′を供給する直流電源Ps′に接続されている。 It is connected to the 'DC power supply Ps supplies' d. 有機EL素子101は、発光表示領域全域に亙って形成されたアノード電極が接地され構造であり、駆動トランジスタQ 4が選択され、スイッチS 2がオンすると発光する。 The organic EL element 101 is an anode electrode formed over the light emitting entire display area is grounded structure, the driving transistor Q 4 is selected to emit light when the switch S 2 is turned on.
また、上記した実施形態においては、電界発光素子として直流電界で発光できる有機EL素子101に特に有効であるが、無機EL素子やその他の電界発光素子を適用することも勿論可能である。 Further, in the above embodiment is particularly effective in the organic EL element 101 can emit light by a DC electric field as electroluminescent devices, it is of course possible to apply the inorganic EL element or other light emitting element. 本実施形態では、有機EL In this embodiment, the organic EL
素子の発光層は電荷輸送性の異なる2層以上の有機層から構成されてもよく、アノード電極116上に酸素および水の侵入を防止する封止層を設けてもよい。 Emitting layer of the device may be composed of charge-transporting different two or more layers of the organic layers may be provided a sealing layer for preventing oxygen and water ingress on the anode electrode 116. また、基板102側からアノード電極116、有機EL層11 The anode electrode 116 from the substrate 102 side, the organic EL layer 11
5、カソード電極114の順に積層した構造としてもよい。 5, may have a structure laminated in the order of the cathode electrode 114.

【0027】なお、本実施形態では、1フレーム期間中の全アドレス期間Taddの時間の長さと総発光設定期間Tonの時間の長さを等しくしたが、選択トランジスタQ 1 、Q 3 、駆動トランジスタQ 2 、Q 4の特性に応じて、アドレス期間Tadd、発光設定期間Tonの一方を長くしたり、他方を短くしたりしてもよい。 [0027] In the present embodiment, the length of one time the total address period Tadd in the frame period and was equal to the length of time the total light emission setting period Ton, select transistors Q 1, Q 3, the driving transistor Q 2, according to the characteristics of Q 4, the address period Tadd, while the longer or the light emission setting period Ton, may be shorter or the other. また、各駆動電圧Vdd駆動電流Iddは小さい順(Ton1、 Further, the driving voltage Vdd driving current Idd is ascending order (Ton1,
Ton2、…、Ton8)に印加されるがこれに限らず、大きい順(Ton8、Ton7、…、Ton1)でもよく、或いはTon8、Ton1、Ton5、Ton Ton2, ..., the present invention is not limited to this, but is applied to the Ton8), a large order (Ton8, Ton7, ..., Ton1) even better, or Ton8, Ton1, Ton5, Ton
4、Ton7、Ton2、Ton6、Ton3の順のように電圧値或いは電流値の大きさの順番通りでなくてもよい。 4, Ton7, Ton2, Ton6, may not be the order as the magnitude of the voltage value or current value as the order of Ton3. また、可変駆動電源Psが供給する駆動電圧Vd The variable drive power Ps is supplied driving voltage Vd
d1〜Vddnは、交流でもよい。 d1~Vddn may be an alternating current. さらに、階調数は2 Furthermore, the number of gradations 2
56階調に限らず、複数の階調であれば256階調より多くても少なくてもよい。 56 is not limited to the gradation, it may be more or less than 256 gradations if a plurality of gradations.

【0028】本実施形態では、選択トランジスタQ 1と駆動トランジスタQ 2とからなるスイッチS 1がGND線111に接続され、発光設定期間TにオンするスイッチS 2が可変駆動電源Psに接続されているが、図8に示すように、有機EL素子101のアノード電極側のスイッチS 2が可変駆動電源Psを介さずに直接接地した構成とし、有機EL素子101のカソード電極側のスイッチS 1の駆動トランジスタQ 2をGND線111の代わりに負極性の駆動電圧Vdd′或いは駆動電流Idd′を供給する可変駆動電源Ps′に接続させてもよい。 [0028] In this embodiment, the selection switch S 1 comprising transistors Q 1 and driver transistor Q 2 Metropolitan is connected to GND line 111, the switch S 2 to be turned on light emission setting period T can be connected to a variable drive power Ps are, but as shown in FIG. 8, a configuration in which the switch S 2 on the anode electrode side of the organic EL element 101 is grounded directly without passing through the variable drive power Ps, the cathode electrode side of the organic EL element 101 of the switch S 1 the driving transistor Q 2 may be connected to a variable drive power Ps' for supplying a negative driving voltage Vdd 'or driving current Idd' instead of the GND line 111.. この場合であっても、走査ラインX、信号ラインYに、それぞれ2値信号のいずれかを出力し、有機EL素子101 Even in this case, scan lines X, the signal line Y, and outputs one of the respective binary signals, the organic EL element 101
のアノード電極に接続されたスイッチS 2を2値信号でオン、オフ制御することができる。 Switch S 2 which is connected to the anode electrode of the binary signals on, it can be off control. すなわち、アドレス期間Taddには、選択された有機EL素子101のカソード電極側に駆動電圧Vdd′或いは駆動電流Id That is, the address period is Tadd, the driving voltage Vdd 'or drive current Id to the cathode electrode side of the organic EL element 101 selected
d′が供給され、発光設定期間Tonに全スイッチS 2 d 'is supplied, all switches in the light emitting setting period Ton S 2
がオンされ、有機EL素子101のアノード電極が接地され発光する。 There is turned on, the anode electrode of the organic EL element 101 is grounded to emit light.

【0029】さらに、本実施形態では、有機EL素子1 Furthermore, in this embodiment, the organic EL element 1
01をスイッチS 1の上方に形成したが、スイッチS 1と同一平面上に形成してもよい。 01 has been formed over the switch S 1, it may be formed on the switch S 1 and the same plane. なお、この場合は、基板102側からアノード電極116、有機EL層115、 In this case, the anode electrode 116 from the substrate 102 side, the organic EL layer 115,
カソード電極114の順に積層して形成すれば、仕事関数の低く酸化されやすい材料からなるカソード電極11 It is formed by laminating in this order of the cathode electrode 114, a cathode electrode 11 made of easily oxidizable material low in work function
4をアノード電極116、有機EL層115の形成工程により劣化させることがない。 4 an anode electrode 116, is not deteriorated by the step of forming the organic EL layer 115.

【0030】 [0030]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発明によれば、電界発光表示装置を制御性よく階調表示できる共に、低消費電力動作を可能にするという効果を奏する。 As apparent from the foregoing description, according to the present invention, both can be controlled with good gradation display electroluminescent display device, an effect that allows low power operation.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施形態に係る電界発光表示装置の駆動回路図。 Drive circuit diagram of a light emitting display device according to an embodiment of the present invention; FIG.

【図2】本実施形態における電界発光表示装置の1画素部分の等価回路図。 Equivalent circuit diagram of one pixel portion of the EL display device in FIG. 2 embodiment.

【図3】本実施形態における電界発光表示装置の平面図。 Figure 3 is a plan view of a light emitting display device in this embodiment.

【図4】図3のA−A断面図。 [4] A-A cross-sectional view of FIG.

【図5】(a)、(b)は本実施形態の駆動方法を示す説明図であり、(c)は電界発光表示装置の印加電圧− [5] (a), (b) is an explanatory view showing a driving method of this embodiment, (c) the voltage applied to the light emitting display device -
輝度特性を示す図。 It shows luminance properties.

【図6】1フレーム期間を3サブフレームに分割した場合の階調表示原理を説明する説明図。 Figure 6 is an explanatory diagram for explaining a gradation display principle in the case where one frame period is divided into 3 subframes.

【図7】本発明を適用し得る電界発光表示装置の1画素部分を示す等価回路図。 Figure 7 is an equivalent circuit diagram showing one pixel portion of the EL display apparatus to which the present invention is applicable.

【図8】本発明の他の実施形態に電界発光表示装置の駆動回路図。 Drive circuit diagram of a light emitting display device in another embodiment of the invention; FIG.

【図9】従来の電界発光表示装置の1画素部分を示す等価回路図。 Figure 9 is an equivalent circuit diagram showing one pixel portion of a conventional light emitting display.

【図10】従来の電界発光表示装置における駆動TFT [10] driving in a conventional light emitting display TFT
2の、ゲート電圧(Vg)とチャネル抵抗との関係を示すグラフ。 2, the graph between the gate voltage (Vg) showing the relationship between the channel resistance.

【図11】従来の電界発光表示装置の1画素における有機EL素子1と電圧制御手段Vcと全画素共通EL電源4との関係を示す等価回路図。 Figure 11 is an equivalent circuit diagram illustrating a relationship between the organic EL element 1 and the voltage control means Vc and common to all pixels EL power supply 4 in one pixel of a conventional light emitting display.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

100 電界発光表示装置 101 有機EL素子 103 走査ライン 109A 信号ライン Q 1選択トランジスタ Q 2駆動トランジスタ S 2スイッチ Ps 可変駆動電源 100 light emitting display device 101 organic EL device 103 scanning lines 109A signal lines Q 1 selected transistor Q 2 driving transistor S 2 switch Ps variable driving power source

Claims (15)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 それぞれ一対の電極を有し、且つ電圧又は電流の印加に応じて発光する複数の電界発光素子と、 1フレーム期間内に順次配置された複数のアドレス期間に、前記複数の電界発光素子から任意の電界発光素子を選択すると共に、それぞれの前記アドレス期間の後に設定された発光設定期間に、当該アドレス期間に選択された前記電界発光素子の前記一方の電極に、所定電圧値のコモン電圧を印加する第1スイッチング回路と、 前記各電界発光素子の前記一対の電極の他方の電極にそれぞれ接続され、前記各発光設定期間に、互いに異なる値の電圧に設定された複数の駆動電圧或いは互いに異なる値の電流に設定された駆動電流を、前記全電界発光素子に印加する第2スイッチング回路と、 を具備することを特徴とする電界発光表 1. A each have a pair of electrodes, and a plurality of light emitting elements that emit light in response to an applied voltage or current, a plurality of address periods which are sequentially arranged in one frame period, the plurality of field with selecting any electroluminescent element from a light emitting element, to the set light emitting setting period after the respective said address period to the one electrode of the electroluminescent device is selected in the address period, a predetermined voltage value a first switching circuit for applying a common voltage, which is connected respectively to the other electrode of the pair of electrodes of each light emitting element, wherein each light-emitting setting period, a plurality of driving voltage set at a voltage of different values or different values ​​of the current setting in the drive current to each other, electroluminescent table, characterized by comprising a second switching circuit, the to be applied to the entire light emitting device 示装置。 Display devices.
  2. 【請求項2】 前記電界発光素子はマトリクス状に配列され、1フレーム期間は、前記複数のアドレス期間と、 Wherein said light emitting element are arranged in a matrix, one frame period includes a plurality of address periods,
    各アドレス期間にそれぞれ対応し且つ互いに同じ長さの時間に設定された前記複数の発光設定期間と、からなり、前記アドレス期間と前記発光設定期間とが交互に配置されたことを特徴とする請求項1記載の電界発光表示装置。 A plurality of light emitting setting period set for each of the corresponding and mutually equal length time to each address period, consists, characterized in that said address period and the light emission setting period are alternately arranged according light emitting display device of claim 1, wherein.
  3. 【請求項3】 前記第1スイッチング回路は、走査電圧が供給される走査ラインにゲート電極が接続され且つ信号電圧が供給される信号ラインにドレイン電極が接続された選択トランジスタと、ゲート電極が前記選択トランジスタのソース電極に接続され、且つドレイン電極が前記電界発光素子に接続されると共に、ソース電極が、コモン電源または可変駆動電源に接続された駆動トランジスタと、を備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電界発光表示装置。 Wherein it said first switching circuit includes a scanning line selection drain electrode to the signal line and the signal voltage is connected to the gate electrode is supplied is connected to a transistor scan voltage is supplied, the gate electrode is connected to the source electrode of the selection transistor, and with a drain electrode connected to the electroluminescent device, claims source electrode, characterized in that it comprises a driving transistor connected to the common power source or a variable driving power source, the light emitting display device according to 1 or claim 2.
  4. 【請求項4】 前記第2スイッチング回路は、走査電圧が供給される走査ラインにゲート電極が接続され且つ信号電圧が供給される信号ラインにドレイン電極が接続された選択トランジスタと、ゲート電極が前記選択トランジスタのソース電極に接続され、且つドレイン電極が前記電界発光素子に接続されると共に、ソース電極が、コモン電源または可変駆動電源に接続された駆動トランジスタと、を備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電界発光表示装置。 Wherein said second switching circuit includes a scanning line selection drain electrode to the signal line and the signal voltage is connected to the gate electrode is supplied is connected to a transistor scan voltage is supplied, the gate electrode is connected to the source electrode of the selection transistor, and with a drain electrode connected to the electroluminescent device, claims source electrode, characterized in that it comprises a driving transistor connected to the common power source or a variable driving power source, the light emitting display device according to 1 or claim 2.
  5. 【請求項5】 前記走査電圧および前記信号電圧は、それぞれの特性に応じたオン/オフの2値信号であることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の電界発光表示装置。 Wherein said scanning voltage and the signal voltage, light emitting display as claimed in claim 3 or claim 4, characterized in that a binary signal on / off in accordance with respective characteristics.
  6. 【請求項6】 前記1フレーム期間内の各発光設定期間の駆動電圧或いは駆動電流の大きさの比率は、それぞれ2のn乗(nは0以上の整数)のいずれかであることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の電界発光表示装置。 The size of the ratio of the driving voltage or a driving current according to claim 6 wherein each flash setting period within the one frame period, and characterized in that one of each 2 n (n is an integer of 0 or more) light emitting display as claimed in any one of claims 1 to 5.
  7. 【請求項7】 前記コモン電圧は、接地電圧であることを特徴とする請求項1〜請求項6に記載の電界発光表示装置。 Wherein said common voltage, light emitting display as claimed in claims 1 to 6, characterized in that a ground voltage.
  8. 【請求項8】 電圧又は電流の印加に応じて発光する複数の電界発光素子を有する電界発光表示装置の駆動方法において、1フレーム期間が、それぞれ任意の前記電界発光素子を選択する、複数のアドレス期間を備え、且つ前記各アドレス期間で選択された前記電界発光素子に、 8. The driving method of an electroluminescent display device having a plurality of light emitting elements that emit light in response to an applied voltage or current, one frame period, select any of the electroluminescent device, respectively, a plurality of address comprises a period, and the said electroluminescent element selected in each address period,
    それぞれのアドレス期間の後に発光設定期間が設定されると共に、前記各アドレス期間で選択された前記電界発光素子に、1フレーム期間内のそれぞれの発光設定期間どうしで互いに異なる値の駆動電圧或いは互いに異なる値の駆動電流を供給することを特徴とする電界発光表示装置の駆動方法。 With emission set period after each address period is set, said different in the light emitting element selected in each address period, the first different value for each emission setting period to each other in the frame periods driving voltage or to each other the driving method of an electroluminescent display device and supplying the driving current value.
  9. 【請求項9】 前記複数の電界発光素子は、それぞれ一対の電極を有し、 1フレーム期間内に順次配置された複数のアドレス期間に、前記複数の電界発光素子から任意の電界発光素子を選択すると共に、それぞれの前記アドレス期間の後に設定された発光設定期間に、当該アドレス期間に選択された前記電界発光素子の前記一方の電極に、所定電圧値のコモン電圧を印加する第1スイッチング回路と、 前記各電界発光素子の前記一対の電極の他方の電極にそれぞれ接続され、前記各発光設定期間に、互いに異なる値の電圧に設定された複数の駆動電圧或いは互いに異なる値の電流に設定された駆動電流を、前記全電界発光素子に印加する第2スイッチング回路と、 を具備することを特徴とする請求項8記載の電界発光表示装置の駆動方法。 Wherein said plurality of light emitting elements each have a pair of electrodes, selecting a plurality of address periods which are sequentially arranged in one frame period, any electroluminescent device from said plurality of light emitting element while, the set luminous set period after each of the address periods, to the one electrode of the electroluminescent device is selected in the address period, a first switching circuit for applying a common voltage of a predetermined voltage value , which is connected respectively to the other electrode of the pair of electrodes of each light emitting element, wherein each light-emitting setting period, which is set to the current in the plurality of driving voltage or different from each other that is set to a voltage of different values the driving current, the total electric field driving method of an electroluminescent display device according to claim 8, wherein the second switching circuit, characterized by comprising the to be applied to the light emitting element.
  10. 【請求項10】 前記第1スイッチング回路は、走査電圧が供給される走査ラインにゲート電極が接続され且つ信号電圧が供給される信号ラインにドレイン電極が接続された選択トランジスタと、ゲート電極が前記選択トランジスタのソース電極に接続され、且つドレイン電極が前記電界発光素子に接続されると共に、ソース電極が、 Wherein said first switching circuit includes a scanning line selection drain electrode to the signal line and the signal voltage is connected to the gate electrode is supplied is connected to a transistor scan voltage is supplied, the gate electrode is connected to the source electrode of the selection transistor, and with a drain electrode connected to the light emitting element, the source electrode,
    コモン電源または可変駆動電源に接続された駆動トランジスタと、を備えることを特徴とする請求項9記載の電界発光表示装置の駆動方法。 The driving method of an electroluminescent display device according to claim 9, wherein further comprising a connected drive transistor to the common power source or a variable driving power source, a.
  11. 【請求項11】 前記第2スイッチング回路は、走査電圧が供給される走査ラインにゲート電極が接続され且つ信号電圧が供給される信号ラインにドレイン電極が接続された選択トランジスタと、ゲート電極が前記選択トランジスタのソース電極に接続され、且つドレイン電極が前記電界発光素子に接続されると共に、ソース電極が、 Wherein said second switching circuit includes a scanning line selection drain electrode to the signal line and the signal voltage is connected to the gate electrode is supplied is connected to a transistor scan voltage is supplied, the gate electrode is connected to the source electrode of the selection transistor, and with a drain electrode connected to the light emitting element, the source electrode,
    コモン電源または可変駆動電源に接続された駆動トランジスタと、を備えることを特徴とする請求項9記載の電界発光表示装置の駆動方法。 The driving method of an electroluminescent display device according to claim 9, wherein further comprising a connected drive transistor to the common power source or a variable driving power source, a.
  12. 【請求項12】 前記走査電圧および前記信号電圧それぞれの特性に応じたオン/オフの2値信号が入力されることを特徴とする請求項10または請求項11に記載の電界発光表示装置の駆動方法。 12. The drive of the light emitting display device according to claim 10 or claim 11, characterized in that a binary signal of the scanning voltage and the signal voltage on / off in accordance with the respective characteristics are input Method.
  13. 【請求項13】 前記電界発光素子はマトリクス状に配列され、前記1フレーム期間は、前記アドレス期間と発光設定期間とが交互に設定されることを特徴とする請求項8〜請求項12のいずれかに記載の電界発光表示装置の駆動方法。 Wherein said light emitting diode is arranged in a matrix, wherein one frame period, one of the claim 8 to claim 12, characterized in that said address period and light emission setting period is alternately set the driving method of an electroluminescent display device crab according.
  14. 【請求項14】 前記各発光設定期間に印加される駆動電圧又は駆動電流の大きさの比率は、それぞれ2のn乗(nは0以上の整数)のいずれかであることを特徴とする請求項8〜請求項13のいずれかに記載の電界発光表示装置の駆動方法。 14. The size ratio of the driving voltage or the driving current applied to the light emitting setting period, each 2 n (n is an integer of 0 or more) claims, characterized in that either the driving method of an electroluminescent display device according to any one of claims 8 to claim 13.
  15. 【請求項15】 前記コモン電圧は、接地電圧であることを特徴とする請求項9〜請求項14に記載の電界発光表示装置。 15. The common voltage, light emitting display according to claim 9 to claim 14 which is a ground voltage.
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Cited By (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001005426A (en) * 1999-06-23 2001-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El display device and electronic device
JP2002123219A (en) * 2000-08-10 2002-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and its driving method
US6452341B1 (en) 1999-06-21 2002-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device
EP1246157A2 (en) * 2001-03-30 2002-10-02 Hitachi, Ltd. Emissive display using organic electroluminescent devices
US6501227B1 (en) 1999-09-24 2002-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. El display device and electronic device
US6583576B2 (en) 2000-05-08 2003-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, and electric device using the same
US6611107B2 (en) * 2001-12-19 2003-08-26 Hitachi, Ltd. Image display apparatus
WO2003091978A1 (en) * 2002-04-26 2003-11-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. El display panel driving method
JP2004163774A (en) * 2002-11-14 2004-06-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and method for driving display device
JP2005513536A (en) * 2001-12-18 2005-05-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィKoninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescent display device
US6952194B1 (en) 1999-03-31 2005-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2005345992A (en) * 2004-06-07 2005-12-15 Chi Mei Electronics Corp Display device
US6982462B2 (en) 1999-11-30 2006-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting display device using multi-gate thin film transistor
JP2006011396A (en) * 2004-05-21 2006-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and driving method thereof
US6992652B2 (en) 2000-08-08 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and driving method thereof
JP2006085141A (en) * 2004-09-15 2006-03-30 Samsung Sdi Co Ltd Pixel and light-emitting display comprising the same, and driving method thereof
US7027074B2 (en) * 2001-04-20 2006-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving a display device
US7045369B2 (en) 2000-10-10 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating and/or repairing a light emitting device
US7112927B2 (en) 2002-09-05 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and driving method thereof
US7119367B2 (en) 2003-08-07 2006-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
US7145536B1 (en) 1999-03-26 2006-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7151511B2 (en) 2000-08-08 2006-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and driving method of the same
JP2006352128A (en) * 2005-06-15 2006-12-28 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus, device manufacturing apparatus, device manufactured by the apparatus, and controllable patterning apparatus using spatial light modulator by distributed digital-to-analog conversion
US7173586B2 (en) 2003-03-26 2007-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Element substrate and a light emitting device
US7176857B2 (en) 2002-02-28 2007-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US7180496B2 (en) 2000-08-18 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
US7193594B1 (en) 1999-03-18 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7195499B2 (en) 2001-06-01 2007-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of repairing a light-emitting device and method of manufacturing a light-emitting device
US7221338B2 (en) 2000-04-18 2007-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7233342B1 (en) 1999-02-24 2007-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Time and voltage gradation driven display device
US7239083B2 (en) 1999-10-26 2007-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device with active matrix type EL display
US7250928B2 (en) 2001-09-17 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving a light emitting device, and electronic equipment
US7298347B2 (en) 2000-06-13 2007-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2007323036A (en) * 2006-06-05 2007-12-13 Samsung Sdi Co Ltd Organic electroluminescence display and driving method thereof
US7315295B2 (en) 2000-09-29 2008-01-01 Seiko Epson Corporation Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
US7330162B2 (en) 2002-02-28 2008-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving a light emitting device and electronic equipment
US7352133B2 (en) 2002-08-05 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2008089684A (en) * 2006-09-29 2008-04-17 Seiko Epson Corp Electronic circuit and drive method therefor, electrooptical device, and electronic equipment
US7403179B2 (en) 1999-10-21 2008-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US7561147B2 (en) 2003-05-07 2009-07-14 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Current output type of semiconductor circuit, source driver for display drive, display device, and current output method
US7602385B2 (en) 2001-11-29 2009-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display system using the same
US7639248B2 (en) 2000-08-10 2009-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US7742019B2 (en) 2002-04-26 2010-06-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Drive method of el display apparatus
US7786958B1 (en) 1999-09-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US7817149B2 (en) 2002-04-26 2010-10-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Semiconductor circuits for driving current-driven display and display
US7847768B2 (en) 2006-06-05 2010-12-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescence display and driving method thereof
US8044895B2 (en) 2004-09-16 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same
JP2011237805A (en) * 2000-01-17 2011-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Electronic apparatus
US8194009B2 (en) 2004-05-21 2012-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and driving method thereof
US8194006B2 (en) 2004-08-23 2012-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, driving method of the same, and electronic device comprising monitoring elements
US8284127B2 (en) 2000-08-10 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving the same
US8537081B2 (en) 2003-09-17 2013-09-17 Hitachi Displays, Ltd. Display apparatus and display control method
JP2015132835A (en) * 2000-07-27 2015-07-23 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device

Cited By (121)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7233342B1 (en) 1999-02-24 2007-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Time and voltage gradation driven display device
US7193594B1 (en) 1999-03-18 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9373292B2 (en) 1999-03-26 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8896639B2 (en) 1999-03-26 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9704444B2 (en) 1999-03-26 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7145536B1 (en) 1999-03-26 2006-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US6952194B1 (en) 1999-03-31 2005-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7312572B2 (en) 1999-06-21 2007-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device
US6452341B1 (en) 1999-06-21 2002-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device
US8941565B2 (en) 1999-06-21 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device
US7466293B2 (en) 1999-06-21 2008-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device
US9659524B2 (en) 1999-06-21 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device including substrate having cavity, and method for fabricating the light-emitting device
US6844683B2 (en) 1999-06-21 2005-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device
JP4627822B2 (en) * 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
US7358531B2 (en) 1999-06-23 2008-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US6777887B2 (en) 1999-06-23 2004-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US6774574B1 (en) 1999-06-23 2004-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
JP2001005426A (en) * 1999-06-23 2001-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El display device and electronic device
US7982222B2 (en) 1999-06-23 2011-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US6700330B2 (en) 1999-09-24 2004-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US6501227B1 (en) 1999-09-24 2002-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. El display device and electronic device
US7786958B1 (en) 1999-09-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US7403179B2 (en) 1999-10-21 2008-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US7986094B2 (en) 1999-10-26 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device with active matrix EL display
US9391132B2 (en) 1999-10-26 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US8933624B2 (en) 1999-10-26 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7239083B2 (en) 1999-10-26 2007-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device with active matrix type EL display
US6982462B2 (en) 1999-11-30 2006-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting display device using multi-gate thin film transistor
US7525119B2 (en) 1999-11-30 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting display device using thin film transistors and electro-luminescence element
US8890149B2 (en) 1999-11-30 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-luminescence display device
JP2011237805A (en) * 2000-01-17 2011-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Electronic apparatus
US9368089B2 (en) 2000-01-17 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display system and electrical appliance
US9087476B2 (en) 2000-01-17 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display system and electrical appliance
US9196663B2 (en) 2000-04-18 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7623098B2 (en) 2000-04-18 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7623100B2 (en) 2000-04-18 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7221338B2 (en) 2000-04-18 2007-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8400379B2 (en) 2000-04-18 2013-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7990348B2 (en) 2000-04-18 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8638278B2 (en) 2000-04-18 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8194008B2 (en) 2000-04-18 2012-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7623099B2 (en) 2000-04-18 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US6987365B2 (en) 2000-05-08 2006-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, and electric device using the same
US7129644B2 (en) 2000-05-08 2006-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, and electric device using the same
US6583576B2 (en) 2000-05-08 2003-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, and electric device using the same
US7298347B2 (en) 2000-06-13 2007-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2015132835A (en) * 2000-07-27 2015-07-23 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP2016075954A (en) * 2000-07-27 2016-05-12 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
US9489884B2 (en) 2000-07-27 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving display device
US9552775B2 (en) 2000-08-08 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and driving method of the same
US7151511B2 (en) 2000-08-08 2006-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and driving method of the same
US7417613B2 (en) 2000-08-08 2008-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and driving method thereof
US7724217B2 (en) 2000-08-08 2010-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and driving method of the same
US6992652B2 (en) 2000-08-08 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and driving method thereof
US8436846B2 (en) 2000-08-10 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US7639248B2 (en) 2000-08-10 2009-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2002123219A (en) * 2000-08-10 2002-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and its driving method
US8284127B2 (en) 2000-08-10 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving the same
US8890788B2 (en) 2000-08-18 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
US7180496B2 (en) 2000-08-18 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
US7315295B2 (en) 2000-09-29 2008-01-01 Seiko Epson Corporation Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
US7045369B2 (en) 2000-10-10 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating and/or repairing a light emitting device
US7727779B2 (en) 2000-10-10 2010-06-01 Semiconductor Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating and/or repairing a light emitting device
EP1246157A3 (en) * 2001-03-30 2004-03-17 Hitachi, Ltd. Emissive display using organic electroluminescent devices
US7268760B2 (en) 2001-03-30 2007-09-11 Hitachi, Ltd. Emissive display using organic electroluminescent devices
EP1246157A2 (en) * 2001-03-30 2002-10-02 Hitachi, Ltd. Emissive display using organic electroluminescent devices
US8237687B2 (en) 2001-04-20 2012-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving using variable frequency according to gray scale display mode
US9472782B2 (en) 2001-04-20 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving a display device
US8901816B2 (en) 2001-04-20 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving a display device
US7027074B2 (en) * 2001-04-20 2006-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving a display device
US7195499B2 (en) 2001-06-01 2007-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of repairing a light-emitting device and method of manufacturing a light-emitting device
US7250928B2 (en) 2001-09-17 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving a light emitting device, and electronic equipment
US7602385B2 (en) 2001-11-29 2009-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display system using the same
JP2005513536A (en) * 2001-12-18 2005-05-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィKoninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescent display device
US7205965B2 (en) 2001-12-19 2007-04-17 Hitachi, Ltd. Image display apparatus
US6611107B2 (en) * 2001-12-19 2003-08-26 Hitachi, Ltd. Image display apparatus
US8659517B2 (en) 2002-02-28 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US7330162B2 (en) 2002-02-28 2008-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving a light emitting device and electronic equipment
US9697772B2 (en) 2002-02-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US7176857B2 (en) 2002-02-28 2007-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US8330681B2 (en) 2002-02-28 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US8207916B2 (en) 2002-02-28 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US9454933B2 (en) 2002-02-28 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US8988324B2 (en) 2002-02-28 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US7450093B2 (en) 2002-02-28 2008-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US7777698B2 (en) 2002-04-26 2010-08-17 Toshiba Matsushita Display Technology, Co., Ltd. Drive method of EL display panel
US7924248B2 (en) 2002-04-26 2011-04-12 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Drive method of EL display apparatus
US7742019B2 (en) 2002-04-26 2010-06-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Drive method of el display apparatus
US7932880B2 (en) 2002-04-26 2011-04-26 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. EL display panel driving method
US8063855B2 (en) 2002-04-26 2011-11-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Drive method of EL display panel
US7817149B2 (en) 2002-04-26 2010-10-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Semiconductor circuits for driving current-driven display and display
WO2003091978A1 (en) * 2002-04-26 2003-11-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. El display panel driving method
US9613565B2 (en) 2002-08-05 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7352133B2 (en) 2002-08-05 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7796099B2 (en) 2002-09-05 2010-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and driving method thereof
US8248330B2 (en) 2002-09-05 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and driving method thereof
US7112927B2 (en) 2002-09-05 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and driving method thereof
JP2004163774A (en) * 2002-11-14 2004-06-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and method for driving display device
US7173586B2 (en) 2003-03-26 2007-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Element substrate and a light emitting device
US7714818B2 (en) 2003-03-26 2010-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Element substrate and a light emitting device
US7561147B2 (en) 2003-05-07 2009-07-14 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Current output type of semiconductor circuit, source driver for display drive, display device, and current output method
US7537946B2 (en) 2003-08-07 2009-05-26 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
US7119367B2 (en) 2003-08-07 2006-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
US7812349B2 (en) 2003-08-07 2010-10-12 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
US8537081B2 (en) 2003-09-17 2013-09-17 Hitachi Displays, Ltd. Display apparatus and display control method
JP2006011396A (en) * 2004-05-21 2006-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and driving method thereof
US8194009B2 (en) 2004-05-21 2012-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and driving method thereof
JP2005345992A (en) * 2004-06-07 2005-12-15 Chi Mei Electronics Corp Display device
US8194006B2 (en) 2004-08-23 2012-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, driving method of the same, and electronic device comprising monitoring elements
US8576147B2 (en) 2004-08-23 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2006085141A (en) * 2004-09-15 2006-03-30 Samsung Sdi Co Ltd Pixel and light-emitting display comprising the same, and driving method thereof
JP4704100B2 (en) * 2004-09-15 2011-06-15 三星モバイルディスプレイ株式會社 Pixel emitting display device having the same
US8120554B2 (en) 2004-09-15 2012-02-21 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Pixel and organic light emitting display comprising the same, and driving method thereof
US8044895B2 (en) 2004-09-16 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same
US9577008B2 (en) 2004-09-16 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same
US8614699B2 (en) 2004-09-16 2013-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same
JP2006352128A (en) * 2005-06-15 2006-12-28 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus, device manufacturing apparatus, device manufactured by the apparatus, and controllable patterning apparatus using spatial light modulator by distributed digital-to-analog conversion
JP2007323036A (en) * 2006-06-05 2007-12-13 Samsung Sdi Co Ltd Organic electroluminescence display and driving method thereof
US7796100B2 (en) 2006-06-05 2010-09-14 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescence display and driving method thereof
US7847768B2 (en) 2006-06-05 2010-12-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescence display and driving method thereof
JP2008089684A (en) * 2006-09-29 2008-04-17 Seiko Epson Corp Electronic circuit and drive method therefor, electrooptical device, and electronic equipment

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