JPH101539A - 液晶表示素子用樹脂基板材料 - Google Patents
液晶表示素子用樹脂基板材料Info
- Publication number
- JPH101539A JPH101539A JP15831996A JP15831996A JPH101539A JP H101539 A JPH101539 A JP H101539A JP 15831996 A JP15831996 A JP 15831996A JP 15831996 A JP15831996 A JP 15831996A JP H101539 A JPH101539 A JP H101539A
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- Japan
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- liquid crystal
- crystal display
- resin
- molding
- polycarbonate
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- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 １５０℃以上の耐熱性を有する光学的歪みの
低減された、液晶表示素子用樹脂基板材料の提供。 【解決手段】 懸垂する芳香族基を有するカーボネート
結合単位を全カーボネート結合単位に対し５モル％以上
含み、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１５０℃以上、かつ分
子量が１０，０００〜２０，０００であるポリカーボネ
ートを射出圧縮成形した後、（Ｔｇ−３０℃）〜Ｔｇ未
満の温度範囲にて熱処理を施すことにより得られる液晶
表示素子用樹脂基板材料。
低減された、液晶表示素子用樹脂基板材料の提供。 【解決手段】 懸垂する芳香族基を有するカーボネート
結合単位を全カーボネート結合単位に対し５モル％以上
含み、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１５０℃以上、かつ分
子量が１０，０００〜２０，０００であるポリカーボネ
ートを射出圧縮成形した後、（Ｔｇ−３０℃）〜Ｔｇ未
満の温度範囲にて熱処理を施すことにより得られる液晶
表示素子用樹脂基板材料。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子用樹脂
基板材料に関し、更に詳しくは特定のポリカーボネート
に特定の成形法及び熱処理を施すことにより得られる、
１５０℃以上の耐熱性を有する光学的歪みの低減され
た、液晶表示素子用樹脂基板材料に関する。
基板材料に関し、更に詳しくは特定のポリカーボネート
に特定の成形法及び熱処理を施すことにより得られる、
１５０℃以上の耐熱性を有する光学的歪みの低減され
た、液晶表示素子用樹脂基板材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリカーボネートはナイロン、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリアセタール等のエンジニアリ
ングプラスチックとは異なり、非晶性の樹脂であること
から、透明性をいかした分野において、多くの展開がな
されている。光学的歪みを低減させることによる光ディ
スクへの展開はこれらの例の一つであるが、似た様な試
みとしては、液晶表示素子用基板への応用が最近注目さ
れている。これは従来のガラス材料を樹脂で代替するこ
とにより、軽量薄肉化することを目的とするものであ
る。ただし、これを可能とする為には、光学的歪みの低
減のみならず、液晶表示素子製造工程上の処理にも耐え
る必要がある。即ち工学的歪みの目やすであるリターデ
ーションを３０ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以下とす
ることに加えて、１５０℃以上の耐熱性が成形板に新た
に要求されることとなる。
レンテレフタレート、ポリアセタール等のエンジニアリ
ングプラスチックとは異なり、非晶性の樹脂であること
から、透明性をいかした分野において、多くの展開がな
されている。光学的歪みを低減させることによる光ディ
スクへの展開はこれらの例の一つであるが、似た様な試
みとしては、液晶表示素子用基板への応用が最近注目さ
れている。これは従来のガラス材料を樹脂で代替するこ
とにより、軽量薄肉化することを目的とするものであ
る。ただし、これを可能とする為には、光学的歪みの低
減のみならず、液晶表示素子製造工程上の処理にも耐え
る必要がある。即ち工学的歪みの目やすであるリターデ
ーションを３０ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以下とす
ることに加えて、１５０℃以上の耐熱性が成形板に新た
に要求されることとなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この様な課題を解決す
る試みとしては、例えば特開昭６０−２２２２４１号公
報に示される耐熱性が１５０℃を越えるポリエーテルス
ルホンの様な樹脂を溶媒キャストする方法、又は特開平
７−１２６３号公報に示されるＴダイ押し出し成形によ
る方法等が提案されている。しかしながら、これらの方
法はそれぞれに欠点を内蔵しており、例えば前者におい
ては１００ミクロン以上の厚めのシートを作成すること
が困難なこと、後者においては良好な平坦性の保持と光
学的歪みの低減が二律背反的関係にあることが指摘され
る。
る試みとしては、例えば特開昭６０−２２２２４１号公
報に示される耐熱性が１５０℃を越えるポリエーテルス
ルホンの様な樹脂を溶媒キャストする方法、又は特開平
７−１２６３号公報に示されるＴダイ押し出し成形によ
る方法等が提案されている。しかしながら、これらの方
法はそれぞれに欠点を内蔵しており、例えば前者におい
ては１００ミクロン以上の厚めのシートを作成すること
が困難なこと、後者においては良好な平坦性の保持と光
学的歪みの低減が二律背反的関係にあることが指摘され
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等はかかる要求
を満足させることにより、液晶表示素子用樹脂基板を工
業的に有利に提供することを鋭意検討した結果、特定の
ポリカーボネートについて、特定の成形手段及び熱処理
法を施して得られる樹脂基板材料において、本発明の目
的を達成出来ることを見い出し、本発明を得るに到った
ものである。
を満足させることにより、液晶表示素子用樹脂基板を工
業的に有利に提供することを鋭意検討した結果、特定の
ポリカーボネートについて、特定の成形手段及び熱処理
法を施して得られる樹脂基板材料において、本発明の目
的を達成出来ることを見い出し、本発明を得るに到った
ものである。
【０００５】即ち本発明の要旨とする所は懸垂する芳香
族基を有するカーボネート結合単位を全カーボネート結
合単位に対し５モル％以上含み、ガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が１５０℃以上、かつ分子量が１０，０００〜２
０，０００であるポリカーボネートを射出圧縮成形した
後、（Ｔｇ−３０℃）〜Ｔｇ未満の温度範囲にて熱処理
を施すことにより得られる液晶表示素子用樹脂基板材料
に関する。以下に本発明について更に詳細に説明する。
族基を有するカーボネート結合単位を全カーボネート結
合単位に対し５モル％以上含み、ガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が１５０℃以上、かつ分子量が１０，０００〜２
０，０００であるポリカーボネートを射出圧縮成形した
後、（Ｔｇ−３０℃）〜Ｔｇ未満の温度範囲にて熱処理
を施すことにより得られる液晶表示素子用樹脂基板材料
に関する。以下に本発明について更に詳細に説明する。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明でいう、ポリカーボネート
とは二価フェノール化合物とホスゲン、あるいはジフェ
ニルカーボネートの様なカーボネート前駆体とを界面重
縮合ないしは溶融重縮合させて得られる芳香族ポリカー
ボネートを指す。本発明の特徴とするところは、その中
でも特定の懸垂する芳香族基を有するポリカーボネート
に射出圧縮成形を施す点にある。かかる構造は懸垂する
芳香族基を有する一種以上の二価フェノール化合物を原
料とすることにより導かれる。この様な二価フェノール
化合物としては、４，４′−ジヒドロキシテトラフェニ
ルメタン、１−フェニル−１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）フルオレン、フェノールフタレイン等を例示す
ることが出来る。この様な構造を特定することにより、
樹脂の耐熱性向上と光学的歪みの抑制を両立させること
は可能となるが、更に本発明の構成を満たす限りにおい
て、既に例示された、これら二価フェノール化合物と、
例えばビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノー
ルＡ）２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェ
ニル）プロパン、レゾルシン等の懸垂する芳香族基を含
まぬ二価フェノール化合物とを共重合化させるか、ある
いは双方の単独重合体をブレンドしたものを用いても良
い。
とは二価フェノール化合物とホスゲン、あるいはジフェ
ニルカーボネートの様なカーボネート前駆体とを界面重
縮合ないしは溶融重縮合させて得られる芳香族ポリカー
ボネートを指す。本発明の特徴とするところは、その中
でも特定の懸垂する芳香族基を有するポリカーボネート
に射出圧縮成形を施す点にある。かかる構造は懸垂する
芳香族基を有する一種以上の二価フェノール化合物を原
料とすることにより導かれる。この様な二価フェノール
化合物としては、４，４′−ジヒドロキシテトラフェニ
ルメタン、１−フェニル−１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）フルオレン、フェノールフタレイン等を例示す
ることが出来る。この様な構造を特定することにより、
樹脂の耐熱性向上と光学的歪みの抑制を両立させること
は可能となるが、更に本発明の構成を満たす限りにおい
て、既に例示された、これら二価フェノール化合物と、
例えばビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノー
ルＡ）２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェ
ニル）プロパン、レゾルシン等の懸垂する芳香族基を含
まぬ二価フェノール化合物とを共重合化させるか、ある
いは双方の単独重合体をブレンドしたものを用いても良
い。
【０００７】その際懸垂する芳香族基を有するカーボネ
ート結合単位の量は全カーボネート結合単位に対し５モ
ル％以上、中でも２０〜１００モル％であり、かつ得ら
れるポリカーボネートの分子量（６ｇ／ｌのメチレンク
ロライド溶液について、２５℃で測定した溶液粘度をシ
ュネルの粘度式で換算して求める。）が１０，０００〜
２０，０００、中でも１０，０００〜１８，０００の範
囲にあることが好ましい。即ちこの範囲の外においては
射出圧縮成形した後に、熱処理を加えても機械的強度、
１５０℃以上の耐熱性及び光学的歪みのいづれかの面で
本発明の目的を達成する樹脂基板材料を得ることは困難
である。
ート結合単位の量は全カーボネート結合単位に対し５モ
ル％以上、中でも２０〜１００モル％であり、かつ得ら
れるポリカーボネートの分子量（６ｇ／ｌのメチレンク
ロライド溶液について、２５℃で測定した溶液粘度をシ
ュネルの粘度式で換算して求める。）が１０，０００〜
２０，０００、中でも１０，０００〜１８，０００の範
囲にあることが好ましい。即ちこの範囲の外においては
射出圧縮成形した後に、熱処理を加えても機械的強度、
１５０℃以上の耐熱性及び光学的歪みのいづれかの面で
本発明の目的を達成する樹脂基板材料を得ることは困難
である。
【０００８】射出圧縮成形方法としては特に制限はない
が、樹脂温度を３４０〜３９０℃好ましくは３５０〜３
８０℃に保って行なうのがよい。金型温度としては使用
する樹脂の（Ｔｇ−７０℃）〜（Ｔｇ−２０℃）が好ま
しい。又、熱処理については本発明の目的を、より確実
に達成する上で（Ｔｇ−３０℃）〜Ｔｇ未満、好ましく
は（Ｔｇ−２０℃）〜（Ｔｇ−５℃）の範囲で行なう。
即ち（Ｔｇ−３０℃）未満では熱処理による光学歪みの
低減が不可能であり、又はＴｇ以上であると基板表面の
平坦性が失なわれるので本発明の目的は達成されない。
が、樹脂温度を３４０〜３９０℃好ましくは３５０〜３
８０℃に保って行なうのがよい。金型温度としては使用
する樹脂の（Ｔｇ−７０℃）〜（Ｔｇ−２０℃）が好ま
しい。又、熱処理については本発明の目的を、より確実
に達成する上で（Ｔｇ−３０℃）〜Ｔｇ未満、好ましく
は（Ｔｇ−２０℃）〜（Ｔｇ−５℃）の範囲で行なう。
即ち（Ｔｇ−３０℃）未満では熱処理による光学歪みの
低減が不可能であり、又はＴｇ以上であると基板表面の
平坦性が失なわれるので本発明の目的は達成されない。
【０００９】尚、本発明に云う所の射出圧縮成形とは、
従来の射出成形と異なり、射出時にわずかに開いた状態
のキャビティに溶融樹脂を充填し、しかる後に型締めを
行ない加圧成形する成形法を指す。又、この中には、ほ
ぼ同種の成形機構を有する射出プレス成形と呼ばれる成
形法も含まれる。その後、通常の方法に従って、適宜ガ
スバリアー性、硬度、耐薬品性等を付与するための処理
を行ない液晶表示素子用樹脂基板材料とする。
従来の射出成形と異なり、射出時にわずかに開いた状態
のキャビティに溶融樹脂を充填し、しかる後に型締めを
行ない加圧成形する成形法を指す。又、この中には、ほ
ぼ同種の成形機構を有する射出プレス成形と呼ばれる成
形法も含まれる。その後、通常の方法に従って、適宜ガ
スバリアー性、硬度、耐薬品性等を付与するための処理
を行ない液晶表示素子用樹脂基板材料とする。
【００１０】
【実施例】次に本発明について、実施例及び比較例をあ
げて更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えな
い限り、以下の実施例に限定されるものではない。ポリ
カーボネートのガラス転移温度はＤＳＣでの測定値を、
又分子量は６ｇ／ｌメチレンクロライド溶液について２
５℃で測定した溶液粘度をシュネルの粘度式で換算した
値を採用した。
げて更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えな
い限り、以下の実施例に限定されるものではない。ポリ
カーボネートのガラス転移温度はＤＳＣでの測定値を、
又分子量は６ｇ／ｌメチレンクロライド溶液について２
５℃で測定した溶液粘度をシュネルの粘度式で換算した
値を採用した。
【００１１】成形は射出成形及び射出圧縮成形を兼用出
来る名機製作所製Ｍ−１００Ｂを用いて行ない、得られ
た１２０ｍｍ×８０ｍｍ×１ｍｍ厚みの平板についてリ
ターデーションを求めた。なおリターデーションの測定
はオーク製作所製ＡＤＲ−１０００Ｎを用いて行ない、
図１に示される４点（ｎ1 ，ｎ2 ，ｎ3 ，ｎ4 ）の位置
での平均、Δｎを光学的歪みとして評価した。
来る名機製作所製Ｍ−１００Ｂを用いて行ない、得られ
た１２０ｍｍ×８０ｍｍ×１ｍｍ厚みの平板についてリ
ターデーションを求めた。なおリターデーションの測定
はオーク製作所製ＡＤＲ−１０００Ｎを用いて行ない、
図１に示される４点（ｎ1 ，ｎ2 ，ｎ3 ，ｎ4 ）の位置
での平均、Δｎを光学的歪みとして評価した。
【００１２】又熱処理はタバイ製作所製エスペックＧＰ
Ｈ−１０１を用いて、ガラス板上で自由端の状態で行な
われた。成形に用いられたポリカーボネート樹脂は以下
の二種である。 樹脂Ａ：ビスフェノールＡポリカーボネート 分子量１５，８００、Ｔｇ：１４８℃ 樹脂Ｂ：樹脂Ａと下記式で示す１−フェニル−１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタンポリカーボネー
トとの６５／３５（重量比）混合物 分子量１５，６００、Ｔｇ：１５９℃
Ｈ−１０１を用いて、ガラス板上で自由端の状態で行な
われた。成形に用いられたポリカーボネート樹脂は以下
の二種である。 樹脂Ａ：ビスフェノールＡポリカーボネート 分子量１５，８００、Ｔｇ：１４８℃ 樹脂Ｂ：樹脂Ａと下記式で示す１−フェニル−１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタンポリカーボネー
トとの６５／３５（重量比）混合物 分子量１５，６００、Ｔｇ：１５９℃
【００１３】
【化１】
【００１４】実施例１及び比較例１〜２ 樹脂Ａ及びＢについて、表−１に示す成形条件で成形
し、更に所定の熱処理を施した平板の物性は表−１の通
りであった。本発明の樹脂について、射出圧縮成形を行
ない、所定の熱処理を施すことにより、耐熱性と光学的
均一性を両立した、透明な液晶表示素子用樹脂基板が得
られることがわかった。
し、更に所定の熱処理を施した平板の物性は表−１の通
りであった。本発明の樹脂について、射出圧縮成形を行
ない、所定の熱処理を施すことにより、耐熱性と光学的
均一性を両立した、透明な液晶表示素子用樹脂基板が得
られることがわかった。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば１５０℃以上の耐熱性を
有し光学的歪みの低減された、液晶表示素子用樹脂基板
を工業的に有利に提供することが可能となる。
有し光学的歪みの低減された、液晶表示素子用樹脂基板
を工業的に有利に提供することが可能となる。
【図１】リターデーションの測定に用いた厚さ１ｍｍの
平板の平面図。
平板の平面図。
Claims (2)
- 【請求項１】 懸垂する芳香族基を有するカーボネート
結合単位を全カーボネート結合単位に対し５モル％以上
含み、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１５０℃以上、かつ分
子量が１０，０００〜２０，０００であるポリカーボネ
ートを射出圧縮成形した後、（Ｔｇ−３０℃）〜Ｔｇ未
満の温度範囲にて熱処理を施すことにより得られる液晶
表示素子用樹脂基板材料。 - 【請求項２】 懸垂する芳香族基を有するカーボネート
結合単位が１−フェニル−１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタンより導入されることを特徴とする請
求項１記載の液晶表示素子用樹脂基板材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15831996A JPH101539A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 液晶表示素子用樹脂基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15831996A JPH101539A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 液晶表示素子用樹脂基板材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH101539A true JPH101539A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15669044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15831996A Pending JPH101539A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 液晶表示素子用樹脂基板材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH101539A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6738200B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-05-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Projection lens |
| WO2020162420A1 (ja) * | 2019-02-06 | 2020-08-13 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物および成形品 |
-
1996
- 1996-06-19 JP JP15831996A patent/JPH101539A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6738200B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-05-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Projection lens |
| WO2020162420A1 (ja) * | 2019-02-06 | 2020-08-13 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物および成形品 |
| JP6777269B1 (ja) * | 2019-02-06 | 2020-10-28 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物および成形品 |
| KR20210111318A (ko) * | 2019-02-06 | 2021-09-10 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 수지 조성물 및 성형품 |
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