JPH101538A - 液晶表示素子用樹脂基板材料 - Google Patents
液晶表示素子用樹脂基板材料Info
- Publication number
- JPH101538A JPH101538A JP15692896A JP15692896A JPH101538A JP H101538 A JPH101538 A JP H101538A JP 15692896 A JP15692896 A JP 15692896A JP 15692896 A JP15692896 A JP 15692896A JP H101538 A JPH101538 A JP H101538A
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- Japan
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- resin substrate
- substrate material
- polycarbonate
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- Pending
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- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 １５０℃以上の耐熱性を有する光学的歪みの
低減された液晶表示素子用樹脂基板材料の提供。 【解決手段】 懸垂する芳香族基を有するカーボネート
結合単位を全カーボネート結合単位に対し、５モル％以
上含み、ガラス転移温度が１５０℃以上、かつ分子量が
１０，０００〜２０，０００のポリカーボネートを射出
圧縮成形して得られる液晶表示素子用樹脂基板材料。
低減された液晶表示素子用樹脂基板材料の提供。 【解決手段】 懸垂する芳香族基を有するカーボネート
結合単位を全カーボネート結合単位に対し、５モル％以
上含み、ガラス転移温度が１５０℃以上、かつ分子量が
１０，０００〜２０，０００のポリカーボネートを射出
圧縮成形して得られる液晶表示素子用樹脂基板材料。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子用樹脂
基板材料に関し、更に詳しくは特定のポリカーボネート
に特定の成形法を施すことにより得られる、１５０℃以
上の耐熱性を有する光学的歪みの低減された液晶表示素
子用樹脂基板材料に関する。
基板材料に関し、更に詳しくは特定のポリカーボネート
に特定の成形法を施すことにより得られる、１５０℃以
上の耐熱性を有する光学的歪みの低減された液晶表示素
子用樹脂基板材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリカーボネートはナイロン、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリアセタール等のエンジニアリ
ングプラスチックとは異なり非晶性の樹脂であることか
ら、透明性をいかした分野において多くの展開がなされ
ている。光学的歪を低減させることによる光ディスクへ
の展開はこれらの例の一つであるが、似た様な試みとし
ては、液晶表示素子用基板への応用が最近注目されてい
る。これは、従来のガラス材料を樹脂で代替することに
より、軽量薄肉化することを目的とするものである。た
だしこれを可能とする為には光学的歪の低減のみなら
ず、液晶表示素子製造工程上の処理にも耐える必要があ
る。即ち光学的歪みの目やすであるリターデーションを
３０ｎｍ以下とすることに加え、１５０℃以上の耐熱性
が成形板に新たに要求されることとなる。
レンテレフタレート、ポリアセタール等のエンジニアリ
ングプラスチックとは異なり非晶性の樹脂であることか
ら、透明性をいかした分野において多くの展開がなされ
ている。光学的歪を低減させることによる光ディスクへ
の展開はこれらの例の一つであるが、似た様な試みとし
ては、液晶表示素子用基板への応用が最近注目されてい
る。これは、従来のガラス材料を樹脂で代替することに
より、軽量薄肉化することを目的とするものである。た
だしこれを可能とする為には光学的歪の低減のみなら
ず、液晶表示素子製造工程上の処理にも耐える必要があ
る。即ち光学的歪みの目やすであるリターデーションを
３０ｎｍ以下とすることに加え、１５０℃以上の耐熱性
が成形板に新たに要求されることとなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この様な課題を解決す
る試みとしては、例えば特開昭６０−２２２２４１号公
報に示される、耐熱性が１５０℃を越えるポリエーテル
スルホンの様な樹脂を溶媒キャストする方法、又は特開
平７−１２６３号公報に示されるＴダイ押し出し成形に
よる方法等が提案されている。しかしながらこれらの方
法はそれぞれに欠点を内蔵しており、例えば前者におい
ては１００ミクロン以上の厚めのシートを作成すること
が困難なこと、後者においては良好な平坦性の保持と光
学的歪みの低減が二律背反的関係にあることが指摘され
る。
る試みとしては、例えば特開昭６０−２２２２４１号公
報に示される、耐熱性が１５０℃を越えるポリエーテル
スルホンの様な樹脂を溶媒キャストする方法、又は特開
平７−１２６３号公報に示されるＴダイ押し出し成形に
よる方法等が提案されている。しかしながらこれらの方
法はそれぞれに欠点を内蔵しており、例えば前者におい
ては１００ミクロン以上の厚めのシートを作成すること
が困難なこと、後者においては良好な平坦性の保持と光
学的歪みの低減が二律背反的関係にあることが指摘され
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等はかかる要求
を満足させることにより、液晶表示素子用樹脂基板を工
業的に有利に提供することを鋭意検討した結果、特定の
ポリカーボネートについて特定の成形手段を施して得ら
れる樹脂基板材料において、本発明の目的を達成出来る
ことを見い出し、本発明を得るに到ったものである。即
ち、本発明の要旨とするところは、懸垂する芳香族基を
有するカーボネート結合単位を全カーボネート結合単位
に対し５モル％以上含み、ガラス転移温度が１５０℃以
上、かつ分子量が１０，０００〜２０，０００のポリカ
ーボネートを射出圧縮成形して得られる液晶表示素子用
樹脂基板材料に関する。以下に本発明について更に詳細
に説明する。
を満足させることにより、液晶表示素子用樹脂基板を工
業的に有利に提供することを鋭意検討した結果、特定の
ポリカーボネートについて特定の成形手段を施して得ら
れる樹脂基板材料において、本発明の目的を達成出来る
ことを見い出し、本発明を得るに到ったものである。即
ち、本発明の要旨とするところは、懸垂する芳香族基を
有するカーボネート結合単位を全カーボネート結合単位
に対し５モル％以上含み、ガラス転移温度が１５０℃以
上、かつ分子量が１０，０００〜２０，０００のポリカ
ーボネートを射出圧縮成形して得られる液晶表示素子用
樹脂基板材料に関する。以下に本発明について更に詳細
に説明する。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明でいうポリカーボネートと
は二価フェノール化合物とホスゲン、あるいはジフェニ
ルカーボネートの様なカーボネート前駆体とを界面重縮
合ないしは溶融重縮合させて得られる芳香族ポリカーボ
ネートを指す。本発明の特徴とするところは、その中で
も特定の懸垂する芳香族基を有するポリカーボネートに
射出圧縮成形を施す点にある。かかる構造は懸垂する芳
香族基を有する一種以上の二価フェノール化合物を原料
とすることにより導かれる。
は二価フェノール化合物とホスゲン、あるいはジフェニ
ルカーボネートの様なカーボネート前駆体とを界面重縮
合ないしは溶融重縮合させて得られる芳香族ポリカーボ
ネートを指す。本発明の特徴とするところは、その中で
も特定の懸垂する芳香族基を有するポリカーボネートに
射出圧縮成形を施す点にある。かかる構造は懸垂する芳
香族基を有する一種以上の二価フェノール化合物を原料
とすることにより導かれる。
【０００６】この様な二価フェノール化合物としては
４，４′−ジヒドロキシテトラフェニルメタン、１−フ
ェニル−１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、フェノールフタレイン等を例示することが出来る。
この様な構造を特定することにより、樹脂の耐熱性向上
と光学的歪みの抑制を両立させることが可能となるが、
更に本発明の構成を満たす限りにおいて、既に例示され
た、これら二価フェノール化合物と、例えばビス（４−
ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）、２，２−
ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパ
ン、レゾルシン等の懸垂する芳香族基を含まぬ、二価フ
ェノール化合物とを共重合化させるか、あるいは双方の
単独重合体をブレンドしたものを用いても良い。
４，４′−ジヒドロキシテトラフェニルメタン、１−フ
ェニル−１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、フェノールフタレイン等を例示することが出来る。
この様な構造を特定することにより、樹脂の耐熱性向上
と光学的歪みの抑制を両立させることが可能となるが、
更に本発明の構成を満たす限りにおいて、既に例示され
た、これら二価フェノール化合物と、例えばビス（４−
ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）、２，２−
ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパ
ン、レゾルシン等の懸垂する芳香族基を含まぬ、二価フ
ェノール化合物とを共重合化させるか、あるいは双方の
単独重合体をブレンドしたものを用いても良い。
【０００７】その際懸垂する芳香族基を有するカーボネ
ート結合単位の量は全カーボネート結合単位に対し５モ
ル％以上、中でも２０〜１００モル％でありかつ得られ
るポリカーボネートの分子量（６ｇ／ｌのメチレンクロ
ライド溶液について、２５℃で測定した溶液粘度をシュ
ネルの粘度式で換算して求める。）が１０，０００〜２
０，０００、中でも１０，０００〜１８，０００の範囲
にあることが好ましい。即ちこの範囲の外においては、
射出圧縮成形を施しても機械的強度、１５０℃以上の耐
熱性、及び光学的歪みのいづれかの面で本発明の目的を
達成する樹脂基板材料を得ることは困難である。射出圧
縮成形方法としては特に制限はないが、樹脂温度を３４
０〜３９０℃、好ましくは３５０〜３８０℃に保って行
なうのがよい。金型温度としては使用する樹脂の（Ｔｇ
−７０℃）〜（Ｔｇ−２０℃）が好ましい。
ート結合単位の量は全カーボネート結合単位に対し５モ
ル％以上、中でも２０〜１００モル％でありかつ得られ
るポリカーボネートの分子量（６ｇ／ｌのメチレンクロ
ライド溶液について、２５℃で測定した溶液粘度をシュ
ネルの粘度式で換算して求める。）が１０，０００〜２
０，０００、中でも１０，０００〜１８，０００の範囲
にあることが好ましい。即ちこの範囲の外においては、
射出圧縮成形を施しても機械的強度、１５０℃以上の耐
熱性、及び光学的歪みのいづれかの面で本発明の目的を
達成する樹脂基板材料を得ることは困難である。射出圧
縮成形方法としては特に制限はないが、樹脂温度を３４
０〜３９０℃、好ましくは３５０〜３８０℃に保って行
なうのがよい。金型温度としては使用する樹脂の（Ｔｇ
−７０℃）〜（Ｔｇ−２０℃）が好ましい。
【０００８】尚、ここで云う所の射出圧縮成形とは、従
来の射出成形と異なり、射出時にわづかに開いた状態の
キャビティに溶融樹脂を充填し、しかる後に型締めによ
り加圧成形する成形法を指す。又この中には、ほぼ同種
の成形機構を有する射出プレス成形と呼ばれる成形法も
含まれる。その後、通常の方法に従って適宜ガスバリア
性、硬度、耐薬品性等を付与するための処理を行ない液
晶表示素子用樹脂基板材料とする。
来の射出成形と異なり、射出時にわづかに開いた状態の
キャビティに溶融樹脂を充填し、しかる後に型締めによ
り加圧成形する成形法を指す。又この中には、ほぼ同種
の成形機構を有する射出プレス成形と呼ばれる成形法も
含まれる。その後、通常の方法に従って適宜ガスバリア
性、硬度、耐薬品性等を付与するための処理を行ない液
晶表示素子用樹脂基板材料とする。
【０００９】
【実施例】次に本発明について、実施例及び比較例をあ
げて更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えな
い限り、以下の実施例に限定されるものではない。ポリ
カーボネートのガラス転移温度はＤＳＣでの測定値を又
分子量は６ｇ／ｌメチレンクロライド溶液について２５
℃で測定した溶液粘度をシュネルの粘度式で換算した値
を採用した。成形は射出成形及び射出圧縮成形を兼用出
来る名機製作所製Ｍ−１００Ｂを用いて行ない、得られ
た１２０ｍｍ×８０ｍｍ×１ｍｍ厚みの平板についてリ
ターデーションを求めた。なおリターデーションの測定
はオーク製作所製ＡＤＲ−１００Ｎを用いて行ない、図
１に示される４点（ｎ1 ，ｎ2 ，ｎ3 ，ｎ4 ）の位置で
の平均、Δｎを光学的歪みとして評価した。成形に用い
られたポリカーボネートは以下の二種である。
げて更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えな
い限り、以下の実施例に限定されるものではない。ポリ
カーボネートのガラス転移温度はＤＳＣでの測定値を又
分子量は６ｇ／ｌメチレンクロライド溶液について２５
℃で測定した溶液粘度をシュネルの粘度式で換算した値
を採用した。成形は射出成形及び射出圧縮成形を兼用出
来る名機製作所製Ｍ−１００Ｂを用いて行ない、得られ
た１２０ｍｍ×８０ｍｍ×１ｍｍ厚みの平板についてリ
ターデーションを求めた。なおリターデーションの測定
はオーク製作所製ＡＤＲ−１００Ｎを用いて行ない、図
１に示される４点（ｎ1 ，ｎ2 ，ｎ3 ，ｎ4 ）の位置で
の平均、Δｎを光学的歪みとして評価した。成形に用い
られたポリカーボネートは以下の二種である。
【００１０】 樹脂Ａ：ビスフェノールＡポリカーボネート 分子量 １５，８００，Ｔｇ：１４８℃ 樹脂Ｂ：樹脂Ａと、下記式で示す１−フェニル−１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタンポリカーボネ
ートとの６５／３５（重量比）混合物 分子量 １５，６００，Ｔｇ：１５９℃
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタンポリカーボネ
ートとの６５／３５（重量比）混合物 分子量 １５，６００，Ｔｇ：１５９℃
【００１１】
【化１】
【００１２】実施例１及び比較例１〜３ 樹脂Ａ及びＢについて、表−１に示す成形条件で成形し
た平板の物性は表−１の通りであった。本発明の樹脂に
ついて射出圧縮成形を施すことにより耐熱性と光学的均
一性を両立した透明樹脂基板が得られることがわかっ
た。
た平板の物性は表−１の通りであった。本発明の樹脂に
ついて射出圧縮成形を施すことにより耐熱性と光学的均
一性を両立した透明樹脂基板が得られることがわかっ
た。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、１５０℃以上もの耐熱
性を有し、しかも光学的歪みの低減された液晶表示素子
用樹脂基板材料を工業的に有利に提供することが可能と
なる。
性を有し、しかも光学的歪みの低減された液晶表示素子
用樹脂基板材料を工業的に有利に提供することが可能と
なる。
【図１】リターデーションの測定に用いた厚さ１ｍｍの
平板の平面図。
平板の平面図。
Claims (2)
- 【請求項１】 懸垂する芳香族基を有するカーボネート
結合単位を全カーボネート結合単位に対し５モル％以上
含み、ガラス転移温度が１５０℃以上、かつ分子量が１
０，０００〜２０，０００のポリカーボネートを射出圧
縮成形して得られる液晶表示素子用樹脂基板材料。 - 【請求項２】 懸垂する芳香族基を有するカーボネート
結合単位が１−フェニル−１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタンより導入されることを特徴とする請
求項１記載の液晶表示素子用樹脂基板材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15692896A JPH101538A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 液晶表示素子用樹脂基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15692896A JPH101538A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 液晶表示素子用樹脂基板材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH101538A true JPH101538A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15638431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15692896A Pending JPH101538A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 液晶表示素子用樹脂基板材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH101538A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6738200B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-05-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Projection lens |
-
1996
- 1996-06-18 JP JP15692896A patent/JPH101538A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6738200B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-05-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Projection lens |
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