JPH10126034A - スルーホール基板の切断方法 - Google Patents

スルーホール基板の切断方法

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JPH10126034A
JPH10126034A JP27246496A JP27246496A JPH10126034A JP H10126034 A JPH10126034 A JP H10126034A JP 27246496 A JP27246496 A JP 27246496A JP 27246496 A JP27246496 A JP 27246496A JP H10126034 A JPH10126034 A JP H10126034A
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JP
Japan
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hole
substrate
cut
cutting
dicing blade
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JP27246496A
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English (en)
Inventor
Yoshiki Yamada
良樹 山田
Hiroshi Arai
啓 荒井
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 バリの除去作業を不要にする。 【解決手段】 スルーホール27の形成された単位基板
11が複数個形成された原基板を、ダイシングブレード
1を用いて切断することにより、単位基板11を互いに
切り離すと共に、切断面111にスルーホール27の内
周面273を露出させる切断方法に適用し、切断面11
1に露出したスルーホール27の内周面273の断面形
状を半円より小さい円弧状とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、単位基板が複数個
形成された原基板を、ダイシングブレードを用いて切断
することにより、単位基板を切り離す切断方法に係り、
特には、切断面にスルーホールの内周面を露出させる切
断方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】900MHz帯の通信装置等に使用され
るフィルタであって、誘電体フィルタ等を搭載すること
によって、所望の周波数特性等を得るハイブリッド構成
のフィルタでは、フィルタ基板の表面と裏面との双方
に、必要に応じたパターンが形成されている。図4は、
このような構成のフィルタに用いられるベース基板を示
している。すなわち、ベース基板81の表面と裏面とに
は、入出力電極のためのパターン82,83、および接
地のためのパターン84が形成されている。また、表面
に形成されたパターン82〜84と裏面に形成されたパ
ターンとはスルーホール85〜88により電気的に接続
されている。
【0003】一方、上記したベース基板81上に誘電体
フィルタ等を搭載したハイブリッド構成のフィルタは、
受信用の回路や送信用の回路等の、通信に必要とする回
路を備えた本体基板に搭載される。また、本体基板に搭
載されたフィルタは、入出力の接続や接地のため、複数
箇所において本体基板と電気的に接続される。この接続
においては、接続箇所のインピーダンスの増加防止や半
田付けの容易さから、ベース基板に形成されたスルーホ
ール85〜88の内周面が接続用の電極として用いられ
る。
【0004】すなわち、スルーホール85〜88はベー
ス基板81の表面に形成されたパターン82〜84と裏
面に形成されたパターンとを電気的に接続すると共に、
本体基板との接続のための電極の役割をも兼ねる構成と
なっている。このため、ベース基板81は、その切断面
91〜93にスルーホール85〜88の内周面を露出さ
せた構成となっている。従って、多数個のベース基板が
形成された原基板から、ダイシングブレードを用いた切
断によって、個々のベース基板81を切り離すとき、同
時にスルーホール85〜88の内周面が切断面91〜9
3に現れるようにしている。すなわち、切断面が91で
ある場合を例にとると、図5に示すように、ダイシング
ブレード71による切断面91が、スルーホール85の
中心73を横切るように、ダイシングの切断線を決定し
ている(矢印72は、ダイシングブレード71の進行方
向を示している)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記した切断方法を用
いた場合では、以下に示すような問題が生じていた。す
なわち、ダイシングブレード71による切断面91は、
スルーホール85の中心73を横切るようにダイシング
の切断線が決定されている。従って、ダイシングブレー
ド71の側面74と、スルーホール85の内周面に形成
された金属層851とが交叉する角度βは90度とな
る。このため、金属層851はダイシングブレード71
の刃先が通過するとき折曲し易く、刃先から逃げ易いの
で、切断されなかった部分がバリ852として残ること
になる。このバリ852は、僅かに力が加わった場合に
も剥がれ落ち易い。従って、ハイブリッド構成のフィル
タとして完成した後において、フィルタを本体基板に搭
載するとき、作業途上において、本体基板上にバリ85
2が落下する虞れがある。そして、バリ852が落下し
たときには、落ちたバリ852によって、本体基板上の
パターンが短絡する等の事故が発生する。このため、バ
リ852を除去する作業工程が不可欠であり、ベース基
板81の切断の工程数が多くなっていた。
【0006】本発明は上記に鑑みてなされたもので、落
下し易いバリの発生率を低減することにより、バリの除
去作業を不要にすることのできるスルーホール基板の切
断方法を提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係るスルーホー
ル基板の切断方法は、軸方向と直交する断面形状が円形
のスルーホールが形成された単位基板が複数個形成され
た原基板を、ダイシングブレードを用いて切断すること
により、単位基板を互いに切り離すと共に単位基板の切
断面に前記スルーホールの内周面を露出させる切断方法
に適用し、前記切断面に露出したスルーホールの内周面
の前記断面形状を半円より小さい円弧状とした方法とし
ている。
【0008】すなわち、バリは、スルーホールの内周面
と切断面との交叉位置から、スルーホールの空間側に、
ダイシングブレードの進行方向に沿って延びるように発
生する。また、バリの発生のし易さはスルーホールの内
周面に形成された導体層(金属層)とダイシングブレー
ドの側面との交叉位置における交叉角度に従って変化す
る。一方、上記した交叉角度はダイシングブレードの側
面がスルーホールの中心を横切る場合では90度であ
る。しかし、切断面に露出したスルーホールの内周面の
断面形状を半円より小さい円弧状とする場合では、交叉
角度は90度より小さくなる。従って、内周面に形成さ
れた導体層は交叉角度が90度である場合に比したとき
には、ダイシングブレードによって、より切断され易く
なる。このためバリの発生率が低減する。
【0009】
【発明の実施の形態】図3は、単位基板が複数個形成さ
れた原基板の形状の概略を示す説明図である。図におい
て、原基板10は樹脂製の基板で、この原基板10に
は、複数個の単位基板11,…11が形成されている。
また、単位基板11のそれぞれには、表面と裏面とにパ
ターンが形成されている。また、表面に形成されたパタ
ーンと裏面に形成されたパターンとを接続するため、単
位基板11には、軸方向と直交する断面形状が円形のス
ルーホール(内周面には、導体層である金属層がメッキ
によって形成されている)が形成されている(なお、図
3において、パターンおよびスルーホールは、図示が省
略されている)。
【0010】また、破線101a〜101h,…は、各
単位基板11を互いに切り離すとき、ダイシングブレー
ドが通過する切断線を示している。すなわち、切断され
た単位基板11の各々の切断面にスルーホールの内周面
を露出させるには、単位基板11に形成されたスルーホ
ールを切断線101a〜101h,…が通過する必要が
ある。従って、102aに示す列の単位基板11を切り
離すためには、2本の切断線101a,101bが設定
されており、102bに示す列の単位基板11,…を切
り離すためには、切断線101c,101dが設定され
ている。同様に、103aに示す行の単位基板11を切
り離すためには、2本の切断線101e,101fが設
定されており、103bに示す行の単位基板11を切り
離すためには、切断線101g,101hが設定されて
いる。
【0011】図2は、切断された単位基板11に部品を
搭載した形状を示す外観斜視図である。図3に示す単位
基板11は、デュプレクサのためのベース基板11とな
っている。このため、ベース基板11上には7つの誘電
体フィルタ41〜47が搭載される。ベース基板11に
搭載される7つの誘電体フィルタ41〜47のうち、容
量性結合をしている4つの誘電体フィルタ41〜44は
受信用のバンドパスフィルタを構成するためのフィルタ
素子となっている。また、誘導性結合をしている3つの
誘電体フィルタ45〜47は送信用のバンドパスフィル
タを構成するためのフィルタ素子となっている。
【0012】誘電体フィルタ41〜47が搭載されるベ
ース基板11の切断面111,112,…には、スルー
ホール21〜31,…の内周面が露出している。切断面
111,112,…に内周面が露出したスルーホール2
1〜31,…のうち、スルーホール21は、ベース基板
11の表面に形成された接地パターン12と、ベース基
板11の裏面に形成された接地パターンとを電気的に接
続すると共に、図示されないシールドケースの爪が半田
付けされるスルーホールとなっている。また、スルーホ
ール22,24〜26,28〜30,…は、表面に形成
された接地パターン12と、ベース基板11の裏面に形
成された接地パターンとを電気的に接続すると共に接地
用の電極を兼ねるスルーホールとなっている。
【0013】また、スルーホール23は、ベース基板1
1の表面に形成され、誘電体フィルタ41と容量結合さ
せるためのパターン13と、ベース基板11の裏面に形
成された電極用パターンとを電気的に接続すると共に、
受信回路を接続するための電極を兼ねるスルーホールと
なっている。また、スルーホール27は、ベース基板1
1の表面に形成され、誘電体フィルタ44と容量結合さ
せるためのパターン14と、ベース基板11の裏面に形
成された電極用パターンとを電気的に接続すると共にア
ンテナを接続するための電極を兼ねるスルーホールとな
っている。また、スルーホール31は、ベース基板11
の表面に形成され、誘電体フィルタ47と容量結合させ
るためのパターン15と、ベース基板11の裏面に形成
された電極用パターンとを電気的に接続すると共に、送
信回路を接続するための電極を兼ねるスルーホールとな
っている。
【0014】図1は、本発明に係るスルーホール基板の
切断方法の一実施形態を示す説明図であり、ダイシング
ブレードによる切断線とスルーホールとの位置関係を示
している。
【0015】ダイシングブレード1によって切り離され
る基板は、図2に示すベース基板11であり、図3に示
す原基板10において、102aにより示される列に位
置する単位基板11となっている。このため、ダイシン
グブレード1による切断線101a上にはスルーホール
24〜30が位置することになる。なお、図1では、こ
れらのスルーホール24〜30のうち、スルーホール2
7のみが示されている。
【0016】ダイシングブレード1は切断線101aに
沿った切断を行うので、ダイシングブレード1の2面の
側面のうち、ベース基板11側に位置する側面3は切断
線101aに沿って矢印51方向に移動する。従って、
ダイシングブレード1の移動に伴ってベース基板11の
基板本体115が切断されると共に、スルーホール27
の内周面273に形成された金属層271も併せて切断
される。このため、切断後においては、切断面111に
スルーホール27の内周面273が露出することにな
る。
【0017】上記した切断における切断線101aは、
スルーホール27の中心2に対し、ベース基板11側に
変移幅Sだけ移動した位置に設定されている。このた
め、ダイシングブレード1による切断が終了したときに
は、切断面111に露出するスルーホール27の内周面
273の断面形状は半円より小さい円弧状となってい
る。
【0018】また、スルーホール27の内周面273に
形成された金属層271は、2つの切断箇所274,2
75において、ダイシングブレード1により切断され
る。この2つの切断箇所の切断のうち、切断箇所275
では、金属層271の逃げる空間がないためバリは発生
しない。しかし、切断箇所274では、金属層271は
スルーホール27の中空部276に逃げることができ
る。このため、ダイシングブレード1の刃先において、
金属層271は折曲し、刃先から逃げることがある。こ
の逃げた部分がバリ272となる。
【0019】切断箇所274におけるバリ272の発生
のし易さは、切断箇所274における切断線101aと
金属層271との交叉角度αに対応して変化する。つま
り、交叉角度αが大きいときには、金属層271は容易
に折曲するので、バリ272が発生し易い。一方、交叉
角度αが小さくなったときには、金属層271は折曲し
にくくなることから、バリ272の発生率は低下する。
【0020】このようにバリ272の発生率に関係する
交叉角度αは、スルーホール27の中心2と切断線10
1aとの隔たり距離である変移幅Sによって変化する。
すなわち、変移幅Sを大きくすると、交叉角度αは小さ
くなる。従って、変移幅Sを大きくしたときには、バリ
272の発生率が低下する。
【0021】一方、切断後に残る金属層271の幅(断
面形状の円弧の長さ)は、変移幅Sが小さいほど太く、
ベース基板11の表面に形成されたパターン14と裏面
に形成されたパターンとを、低いインピーダンスでもっ
て接続することができる。従って、金属層271のイン
ピーダンスを考慮した場合では、変移幅Sは小さいこと
が望ましい。
【0022】つまり、金属層271が、ベース基板11
の表面と裏面とに形成されたパターンを接続するときの
インピーダンスを考慮する場合では、変移幅Sは小さい
ことが望ましく、バリ272の発生率を考慮した場合で
は、変移幅Sは大きいことが望ましいという、互いに反
する条件がある。このことから、2つの条件を満たすた
めには、変移幅Sを、スルーホール27の直径の1/4
の前後の範囲(1/3〜1/6の範囲))にすることが
望ましい。従って、本実施形態では、金属層271の幅
を充分な幅に確保すると共に、交叉角度αを小さくし、
バリ272の発生率の低減を図るため、変移幅Sをスル
ーホール27の直径の1/4に設定している。
【0023】なお、上記した変移幅Sは、その他のスル
ーホール21〜26,28〜31,…についても、同様
となっている。
【0024】
【実施例】以下に、従来技術において発生したバリの平
均長と、上記実施形態において発生したバリの平均長と
の一覧を示す。
【0025】従来技術と本実施形態とでは、下記の条件
を共通にしている。 原基板10の材質 樹脂基板 原基板10の厚み 0.3mm ダイシングブレードの厚み(W1,W2) 0.2mm スルーホール22〜31の直径 0.6mm 上記条件において、変移幅Sを0とする従来技術では、 バリ852の平均長L1 0.12mm 上記条件において、変移幅Sを0.15mmとする実施
形態では、 バリ272の平均長L2 0.06mm となっている。
【0026】すなわち、変移幅Sを、0mmから0.1
5mmに変更し、交叉角度αを小さくすると、バリの平
均長が半減する。つまり、変移幅Sを0.15mmとし
たことにより、バリの発生率が低くなっている。従っ
て、バリの除去工程を省略した場合にも、実質的には支
障のないデュプレクサを作成することが可能となってい
る。
【0027】なお、本発明は上記実施形態に限定され
ず、原基板10については、樹脂基板とした場合につい
て説明したが、その他の材質を用いた原基板として、例
えば、誘電体基板、あるいは紙基板を原基板に用いた場
合にも、同様に適用することが可能である。
【0028】
【発明の効果】本発明に係るスルーホール基板の切断方
法は、軸方向と直交する断面形状が円形のスルーホール
が形成された単位基板が複数個形成された原基板を、ダ
イシングブレードを用いて切断することにより、単位基
板を互いに切り離すと共に単位基板の切断面に前記スル
ーホールの内周面を露出させる切断方法に適用し、前記
切断面に露出したスルーホールの内周面の前記断面形状
を、半円より小さい円弧状とした方法としたので、スル
ーホールの内周面に形成された導体層とダイシングブレ
ードの側面との、切断箇所における交叉角度が小さくな
り、導体層が折曲しにくくなる。このため、導体層は、
ダイシングブレードによって切断され易くなる。従っ
て、バリの発生率が低減することから、バリの除去作業
を不要にすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るスルーホール基板の切断方法の一
実施形態を示す説明図である。
【図2】切断された単位基板に部品を搭載した形状を示
す外観斜視図である。
【図3】単位基板が複数個形成された原基板の概略を示
す説明図である。
【図4】切断面にスルーホールの内周面が露出する基板
の形状の概略を示す説明図である。
【図5】従来技術の切断方法を示す説明図である。
【符号の説明】
1 ダイシングブレード 2 スルーホールの中心 3 ダイシングブレードの側面 10 原基板 11,… 単位基板(ベース基板) 101a〜101h,… 切断線 111,112,… 切断面 115 基板本体 21〜31,… スルーホール 271 導体層(金属層) 272 バリ 273 内周面

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 軸方向と直交する断面形状が円形のスル
    ーホールが形成された単位基板が複数個形成された原基
    板を、ダイシングブレードを用いて切断することによ
    り、単位基板を互いに切り離すと共に単位基板の切断面
    に前記スルーホールの内周面を露出させる切断方法にお
    いて、前記切断面に露出したスルーホールの内周面の前
    記断面形状を半円より小さい円弧状としたことを特徴と
    するスルーホール基板の切断方法。
JP27246496A 1996-10-15 1996-10-15 スルーホール基板の切断方法 Pending JPH10126034A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6263565B1 (en) 1997-06-24 2001-07-24 Tdk Corporation Method of manufacturing a substrate having electrode arcs for connecting to surface-mounted electronic parts and substrate manufactured by same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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