JP2000183616A - 誘電体フィルタ、デュプレクサおよび通信機器の製造方法 - Google Patents

誘電体フィルタ、デュプレクサおよび通信機器の製造方法

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JP2000183616A
JP2000183616A JP35301098A JP35301098A JP2000183616A JP 2000183616 A JP2000183616 A JP 2000183616A JP 35301098 A JP35301098 A JP 35301098A JP 35301098 A JP35301098 A JP 35301098A JP 2000183616 A JP2000183616 A JP 2000183616A
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inner conductor
dielectric
hole
dielectric block
signal input
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JP35301098A
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Takahiro Okada
貴浩 岡田
Yasumasa Ishihara
甚誠 石原
Hideyuki Kato
英幸 加藤
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号入出力用のリード端子を不要とし、ま
た、誘電体ブロック内外の導体膜の形成およびそのパタ
ーンニングに関する製造コストを抑えられるようにした
誘電体フィルタ、デュプレクサおよびそれらを用いた通
信機器の製造方法を提供する。 【解決手段】 略直方体状の誘電体ブロック1に内導体
形成用孔2、および所定の内導体形成用孔の途中を分断
する孔6を形成し、内導体3、外導体4および信号入出
力用電極5を形成する。その後、信号入出用電極5を通
り、且つ内導体形成用孔2に交差する分割面で誘電体ブ
ロック1を分割することにより、2つの誘電体フィルタ
を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体ブロック
に電極を形成して成る誘電体フィルタ、デュプレクサお
よびそれらを用いた通信機器の製造方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】図8を参照して、従来の誘電体共振器装
置の製造方法を説明する。図8の(A)〜(D)は各工
程における誘電体共振器装置の状態を示す斜視図であ
る。まず(A)に示すように、内部に内導体形成用の孔
2を有するほぼ直方体状の誘電体ブロック1を金型また
はプレスにより成形する。次に(B)に示すように、誘
電体ブロックの外面および内導体形成用の孔(以下、
「内導体形成用孔」という。)の内面に導体膜を形成す
る。続いて(C)に示すように、誘電体ブロックの外面
の所定箇所に、外導体4をパターンニングすることによ
って、その一部を信号入出力用電極5として形成する。
最後に(D)に示すように、誘電体ブロックの所定の端
面を研磨して開放面oを形成する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の誘電
体共振器装置の製造方法においては、図8の(C)から
(D)のように、開放面とする端面を研磨することによ
って外導体を削除するために、製造に時間がかかるとい
う問題があった。しかも、粗調整の段階で開放面を形成
し、その後、電気的特性を測定し、所定の特性が得られ
るまで研磨を進めるという微調整が必要となっていた。
【0004】一方、単一の誘電体ブロックから、最終的
に複数の個別の誘電体共振器装置を製造する方法として
特開平5−14023号および特開平7−8681
5号が示されている。前者の製造方法では、誘電体ブロ
ックの内外表面に導体膜を形成し、所定箇所を切断する
ことによって、その切断面を共振器の開放面とするもの
である。また後者の製造方法は、誘電体共振器の生の親
ユニットを焼成した後、所定箇所で切断することによっ
て、複数の誘電体ブロックを同時に得るようにしたもの
である。
【0005】ところが、に示されている製造方法で
は、単に外導体と内導体を同時に設けて切断面を開放面
とするだけあるため、これを誘電体フィルタなどとして
用いるためには、信号入出力用のリード端子を内導体形
成孔に挿入する必要があった。そのため、部品のコスト
および製造コストが嵩むという問題があった。に示さ
れている製造方法では、内外の導体膜を形成する前の生
の親ユニットを切断するものであるため、内外の導体膜
の形成およびそのパターンニングについては図7に示し
た方法により行うことになる。そのため、上述した製造
に要する時間の問題はなお課題として残ることになる。
【0006】この発明の目的は、上述した各種問題を解
消した誘電体フィルタ、デュプレクサおよびそれらを用
いた通信機器の製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
略直方体状の誘電体ブロックに複数の内導体形成用孔を
設け、各内導体形成用孔の内面に内導体を形成し、前記
誘電体ブロックの外面に外導体とともに信号入出力用電
極を形成し、前記信号入出力用電極部分を通り、且つ前
記内導体形成用孔に交差する分割面で前記誘電体ブロッ
クを分割することによって、当該分割面を前記内導体と
外導体による共振器の開放端とする誘電体フィルタを製
造する。
【0008】また、請求項3に係る発明は、略直方体状
の誘電体ブロックに複数の内導体形成用孔を設け、各内
導体形成用孔の内面に内導体を形成し、前記誘電体ブロ
ックの外面に外導体とともに信号入出力用電極を形成
し、前記信号入出力用電極部分を通って、且つ前記内導
体形成用孔に交差する分割面で前記誘電体ブロックを分
割して、当該分割面を前記内導体と外導体による共振器
の開放端とする誘電体デュプレクサを製造する。
【0009】さらに、請求項5に係る発明は、略直方体
状の誘電体ブロックに複数の内導体形成用孔を設け、各
内導体形成用孔の内面に内導体を形成し、前記誘電体ブ
ロックの外面に外導体とともに信号入出力用電極を形成
し、前記信号入出力用電極部分を通り且つ前記内導体形
成用孔に交差する分割面で前記誘電体ブロックを分割し
て誘電体共振器装置を作成し、当該誘電体共振器装置を
回路基板上に実装して通信機器を製造する。
【0010】このように、信号入出力用電極部分を通
り、且つ内導体形成用孔に交差する面で誘電体ブロック
を分割することによって、その分割面を共振器の開放端
とすると共に、それぞれの誘電体フィルタの信号入出力
用電極を形成することができる。すなわち、分割した個
別の誘電体ブロック毎に信号入出力用電極を形成する必
要がなく、しかも分割面を挟んで比較的大きな(2個分
の)信号入出力用電極を形成するので、誘電体フィルタ
全体またはデュプレクサ全体が小型化されても、電極パ
ターンの形成が容易となる。さらに、小型化された誘電
体フィルタまたはデュプレクサを用いることによって、
小型の通信機器を容易に製造できるようになる。
【0011】請求項2に係る発明は、略直方体状の誘電
体ブロックに複数の内導体形成用孔とともに、これらの
内導体形成用孔のうち、所定の内導体形成用孔の途中を
分断する切欠部または孔を形成し、前記内導体形成用孔
の内面に内導体を形成し、前記切欠部または前記孔を通
り、且つ前記内導体形成用孔に交差する分割面で前記誘
電体ブロックを分割し、当該分割面を、前記内導体と外
導体による共振器の開放端とする誘電体フィルタを製造
する。
【0012】また、請求項4に係る発明は、略直方体状
の誘電体ブロックに複数の内導体形成用孔とともに、こ
れらの内導体形成用孔のうち、所定の内導体形成用孔の
途中を分断する切欠部または孔を形成し、前記内導体形
成用孔の内面に内導体を形成し、前記切欠部または前記
孔を通って、且つ前記内導体形成用孔に交差する分割面
で前記誘電体ブロックを分割して、当該分割面を、前記
内導体と外導体による共振器の開放端とする誘電体デュ
プレクサを製造する。
【0013】さらに、請求項6に係る発明は、略直方体
状の誘電体ブロックに複数の内導体形成用孔とともに、
これらの内導体形成用孔のうち、所定の内導体形成用孔
の途中を分断する切欠部または孔を形成し、前記内導体
形成用孔の内面に内導体を形成し、前記切欠部または前
記孔を通って、且つ前記内導体形成用孔に交差する分割
面で前記誘電体ブロックを分割して誘電体共振器装置を
作成し、当該誘電体共振器装置を回路基板上に実装して
通信機器を製造する。
【0014】このように分割面において、上記切欠部ま
たは孔部分であった所は外導体が残って、共振器の短絡
端となる。この方法により、分割面の全面を開放面とす
るものに限らず、複数の共振器の開放端および短絡端を
誘電体ブロックの所定の方向に向けて配置することが可
能となる。このことにより、フィルタ設計上の自由度が
高まり、より小型で特性の優れた誘電体フィルタ、デュ
プレクサおよび通信機器が得られる。
【0015】
【発明の実施の形態】第1の実施形態に係る誘電体フィ
ルタの製造方法を図1を参照して説明する。図1の
(A)は分割前の誘電体ブロックの斜視図、(B)は分
割した誘電体ブロックの斜視図である。まず、(A)に
示すように、略直方体状を成す誘電体ブロック1に3つ
の内導体形成用孔2を形成し、これらの内導体形成用孔
のうち中央の内導体形成用孔の途中を分断する孔6を形
成する。このような複数の内導体形成用孔および内導体
形成用孔の途中を分断する孔6は誘電体ブロック1の金
型成形またはプレス加工の際に同時に形成する。
【0016】その状態で、誘電体ブロック1の外面およ
び各孔の内面に導体膜を全面に形成する。例えば、銀電
極をメッキ法により施す。または銀ペーストをディップ
法により被着させた後に焼成する。
【0017】その後、導体膜を残す箇所にエッチングレ
ジスト膜を印刷し、エッチングにより誘電体ブロック表
面の導体膜をパターンニングする。これにより信号入出
力用電極5を形成し、oで示す部分の導体膜を除去し開
放させる。この状態で誘電体ブロック外面の4で示す導
体膜が外導体となり、内導体形成用孔2の内面の3で示
す導体膜が内導体となる。
【0018】上記信号入出力用電極5は、2つの誘電体
フィルタのそれぞれの信号入出力用電極同士を連続させ
た形状であり、信号入出力用電極の幅を2倍にしてパタ
ーン化できるため、小型の誘電体フィルタを製造する際
にも、そのパターン化が容易となる。
【0019】その後、(A)に示した信号入出力用電極
部分5および孔6を通り、且つ内導体形成用孔2に交差
する面を分割面として各種ダイサーを用いて誘電体ブロ
ックを2分割する。(A)に示した図ではA−A部分が
分割ラインである。なお、この2分割の際に極薄ダイヤ
モンド回転砥石を用いて、分割ラインに沿って誘電体ブ
ロックの全体を一気に分断してもよいが、上記極薄ダイ
ヤモンド回転砥石、ダイヤモンドスクライバまたはレー
ザスクライバを用いて、誘電体ブロックに所定深さの溝
を形成し、その後、溝部分で誘電体ブロックを割ること
によって2分割してもよい。
【0020】これにより、図1の(B)に示すように、
2つの誘電体フィルタ101,102を得る。ここで、
誘電体フィルタ101,102のそれぞれについて、分
割面で誘電体が露出した面oが開放面となり、孔6の内
面であった面sが短絡面となる。そして、信号入出力用
電極5がそれぞれの誘電体フィルタ101,102の信
号入出力用電極となる。
【0021】各誘電体フィルタ101,102におい
て、内導体3の開放端(開放面o付近)と信号入出力用
電極5とは、その間に生じる静電容量により容量結合
し、3つの共振器のうち中央の共振器の開放端−短絡端
の方向が両脇の共振器の開放端−短絡端の方向と逆方向
であるので、これらがインターディジタル結合する。そ
の結果、3段の共振器が結合された帯域通過特性を示す
誘電体フィルタとなる。なお、これらの誘電体フィルタ
101,102は図における上面を実装面として回路基
板上に実装する。その際、半田付けなどにより、外導体
4を回路基板上の接地電極に接続すると共に、入出力用
電極5を回路基板上の所定の電極に接続する。
【0022】次に、第2の実施形態に係る誘電体フィル
タの構成を図2を参照して説明する。図1に示した誘電
体フィルタと異なり、この第2の実施形態に係る誘電体
フィルタでは、所定の内導体形成用孔の途中を分断する
切欠部7を設けている。製造手順は次のとおりである。
【0023】まず、(A)に示すように、略直方体状を
成す誘電体ブロック1に3つの内導体形成用孔2を形成
し、これらの内導体形成用孔のうち両側の内導体形成用
孔の途中をそれぞれ分断する切欠部7を形成する。この
ような複数の内導体形成用孔および内導体形成用孔の途
中を分断する切欠部7は誘電体ブロック1の金型成形ま
たはプレス加工の際に同時に形成する。
【0024】その後、誘電体ブロック1の外面および各
孔の内面に導体膜を全面に形成し、エッチングにより誘
電体ブロック表面の導体膜をパターンニングする。これ
により信号入出力用電極5を形成し、oで示す部分の導
体膜を除去し開放させる。この一連の工程は第1の実施
形態の場合と同様である。
【0025】その後、(A)に示した信号入出力用電極
部分5および切欠部7を通り、且つ内導体形成用孔2に
交差する面を分割面として誘電体ブロックを2分割す
る。(A)に示したA−A部分が分割ラインである。
【0026】これにより、図2の(B)に示すように、
2つの誘電体フィルタ101,102を得る。ここで、
誘電体フィルタ101,102のそれぞれについて、分
割面で誘電体が露出した面oが開放面となり、切欠部7
の内面であった面sが短絡面となる。そして、信号入出
力用電極5がそれぞれの誘電体フィルタ101,102
の信号入出力用電極となる。
【0027】各誘電体フィルタ101,102におい
て、内導体3の開放端(開放面o付近)と信号入出力用
電極5とは、その間に生じる静電容量により容量結合
し、3つの共振器のうち中央の共振器の開放端−短絡端
の方向が両脇の共振器の開放端−短絡端の方向と逆方向
であるので、第1の実施形態の場合と同様にこれらがイ
ンターディジタル結合する。その結果、3段の共振器が
結合された帯域通過特性を示す誘電体フィルタとなる。
【0028】次に第3の実施形態に係る誘電体フィルタ
の製造方法を図3を参照して説明する。図1および図2
に示した誘電体フィルタでは、3段の共振器をインター
ディジタル結合させるようにしたが、この第3の実施形
態に係る誘電体フィルタは、開放端側と短絡端側とで内
導体形成用孔の内径をステップ状に変化させて、それに
より共振器間の結合をとるようにしたものである。この
誘電体フィルタの製造方法は次のとおりである。
【0029】まず、内導体形成用孔2を有する略直方体
状の誘電体ブロック1を成形する。内導体形成用孔2
は、(A)に示す状態で、中央部分が開口端側より内径
が小さいステップ孔である。この誘電体ブロック1の外
面および内導体形成用孔2の内面に導体膜を全面に形成
し、誘電体ブロック1の外面の導体膜をエッチング法に
よりパターンニングし、信号入出力用電極5を形成す
る。この信号入出力用電極5以外の誘電体ブロック外面
の導体膜は外導体4として用いる。また、内導体形成用
孔2の内面の導体膜は内導体として用いる。
【0030】その後、図3の(A)に示したA−A部分
で誘電体ブロックを分割することにより、図3の(B)
に示す2つの誘電体フィルタ101,102を得る。す
なわち、分割面oが外導体の開放面となり、誘電体フィ
ルタ101,102のそれぞれの共振器の開放端とな
る。
【0031】次に第4の実施形態に係る誘電体フィルタ
の製造方法を図4を参照して説明する。図3に示した誘
電体フィルタでは、内導体形成孔をステップ孔とした
が、この図4に示す例では、内導体形成孔を内径が一定
のストレート孔としている。但し、共振器間の結合をと
るために、短絡面にスリットを形成している。この誘電
体フィルタの製造方法は次のとおりである。
【0032】まず、内導体形成用孔2およびスリットを
有する略直方体状の誘電体ブロック1を成形する。スリ
ットの内面を含む誘電体ブロック1の外面および内導体
形成用孔2の内面に導体膜を全面に形成し、誘電体ブロ
ック1の外面の導体膜をエッチング法によりパターンニ
ングし、信号入出力用電極5を形成する。
【0033】その後、図4の(A)に示したA−A部分
で誘電体ブロックを分割することにより、図4の(B)
に示す2つの誘電体フィルタ101,102を得る。こ
れにより、分割面oが外導体の開放面となり、誘電体フ
ィルタ101,102のそれぞれの共振器の開放端とな
る。
【0034】次に第5の実施形態に係るデュプレクサの
製造方法を図5および図6を参照して説明する。まず、
(A)に示すように、略直方体状を成す誘電体ブロック
1に7つの内導体形成用孔2を形成し、これらの内導体
形成用孔のうち中央の内導体形成用孔の途中を分断する
孔6を形成する。7つの内導体形成用孔のうち中央の内
導体形成用孔を除く6つの内導体形成用孔は、(A)に
示す状態で、中央部分が開口端側より内径が小さいステ
ップ孔である。このような複数の内導体形成用孔および
内導体形成用孔の途中を分断する孔6は誘電体ブロック
1の金型成形またはプレス加工の際に同時に形成する。
【0035】その後、誘電体ブロック1の外面および各
孔の内面に導体膜を全面に形成し、エッチングにより誘
電体ブロック表面の導体膜をパターンニングする。これ
により信号入出力用電極5,8を形成する。この一連の
工程は第1の実施形態の場合と同様である。
【0036】その後、(A)に示した信号入出力用電極
部分5および孔6を通り、且つ内導体形成用孔2に交差
する面を分割面として誘電体ブロックを2分割する。
(A)に示したA−A部分が分割ラインである。
【0037】これにより、図5の(B)に示すように、
2つのデュプレクサ103,104を得る。ここで、デ
ュプレクサ103,104のそれぞれについて、分割面
で誘電体が露出した面oが開放面となり、孔6の内面で
あった面sが短絡面となる。そして、信号入出力用電極
5がそれぞれのデュプレクサ103,104の信号入出
力用電極となる。
【0038】各デュプレクサ103,104において、
内導体の開放端(誘電体ブロック1の開放面o付近)と
信号入出力用電極5とは、その間に生じる静電容量によ
り容量結合する。一方、信号入出力用電極8は、配設し
た7つの内導体形成用孔のうち中央の内導体形成用孔に
形成した内導体の端部に導通する。その内導体の他方の
端部は孔6の内面であった短絡面sで短絡される。
【0039】図6は上記デュプレクサの等価回路図であ
る。ここでL1〜L7は内導体による線路であり、線路
L1,L2,L3はそれぞれ共振線路として作用し、コ
ムライン結合する。C1は線路L1の開放端付近と一方
の信号入出力用電極5との間に生じる静電容量である。
線路L4は励振線路として作用し、線路L3とインター
ディジタル結合する。同様に線路L5,L6,L7はそ
れぞれ共振線路として作用し、コムライン結合する。C
2は線路L7の開放端付近と他方の信号入出力用電極5
との間に生じる静電容量である。線路L5は励振線路L
4とインターディジタル結合する。
【0040】上記線路L1,L2,L3から成る3段の
共振器が送信周波数帯域を通過させ、受信周波数帯域を
遮断する送信フィルタとして作用し、線路L5,L6,
L7から成る3段の共振器が受信周波数帯域を通過さ
せ、送信周波数帯域を遮断する受信フィルタとして作用
する。
【0041】以上に示した誘電体フィルタおよびデュプ
レクサを用いて通信機器を製造する方法を次に示す。図
7は上記デュプレクサを用いた携帯電話機の構成を示す
図である。図7において、(A)は機器内部に収納する
回路基板の展開図である。このように、ベースバンド回
路部とRF回路部とをそれぞれ硬質の回路基板で構成
し、両者をフレキシブルな配線基板で接続する。図中D
PXは図5に示した構造のデュプレクサであり、RF回
路基板の所定位置に表面実装する。
【0042】(B)は機器の背面側の筐体に回路基板を
実装した状態を示している。このように、(A)に示し
たRF回路部の基板をベースバンド回路部の背面に折り
返して、筐体の上半部に収納し、キーボード部分の接点
を設けた基板をベースバンド回路部の基板に接続すると
ともに、筐体の下半部に配置する。その後、上部に前面
側の筐体を被せることによって携帯電話機を構成する。
【0043】図7に示したように、デュプレクサDPX
はRF回路部の中でも占有面積が大きく、背の高い部品
であるが、本願発明による小型のデュプレクサを用いる
ことにより、このように小型化した回路基板上に実装す
ることができ、基板の積層配置も容易となる。尚、以上
に示した例では、デュプレクサを用いた通信機器を例に
示したが、本願発明に係る誘電体フィルタを用いた通信
機器も同様にして製造できる。
【0044】
【発明の効果】請求項1,3,5に係る発明によれば、
分割した個別の誘電体ブロック毎に信号入出力用電極を
形成する必要がなく、しかも分割面を挟んで比較的大き
な(2個分の)信号入出力用電極を形成するので、誘電
体フィルタ全体またはデュプレクサ全体が小型化されて
も、電極パターンの形成が容易となる。また、小型化さ
れた誘電体フィルタまたはデュプレクサを用いることに
よって、小型の通信機器を容易に製造できるようにな
る。
【0045】請求項2,4,6に係る発明によれば、分
割面において、切欠部または孔部分であった所に外導体
が残って、その部分が共振器の短絡端となるため、分割
面の全面を開放面とするものに限らず、複数の共振器の
開放端および短絡端を誘電体ブロックの所定の方向に向
けて配置することが可能となる。このことにより、フィ
ルタ設計上の自由度が高まり、より小型で特性の優れた
誘電体フィルタ、デュプレクサおよび通信機器が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係る誘電体フィルタの製造方
法を示す斜視図
【図2】第2の実施形態に係る誘電体フィルタの製造方
法を示す斜視図
【図3】第3の実施形態に係る誘電体フィルタの製造方
法を示す斜視図
【図4】第4の実施形態に係る誘電体フィルタの製造方
法を示す斜視図
【図5】第5の実施形態に係るデュプレクサの製造方法
を示す斜視図
【図6】同デュプレクサの等価回路図
【図7】第6の実施形態に係る携帯電話機の製造方法を
示す図
【図8】従来の誘電体フィルタの製造方法を示す斜視図
【符号の説明】
1−誘電体ブロック 2−内導体形成用孔 3−内導体 4−外導体 5,8−信号入出力用電極 6−孔 7−切欠部 101,102−誘電体フィルタ 103,104−デュプレクサ o−開放面 s−短絡面 DPX−デュプレクサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 英幸 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Fターム(参考) 4E351 BB03 BB09 BB17 BB31 BB48 FF04 GG20 5J006 HA04 HA12 HA15 HA25 HA27 KA06 LA21 LA25 NA04 NC03

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 略直方体状の誘電体ブロックの内部に内
    導体を備え、外面に外導体および信号入出力用電極を備
    えた誘電体フィルタの製造方法であって、 前記誘電体ブロックに複数の内導体形成用孔を設け、各
    内導体形成用孔の内面に内導体を形成し、前記誘電体ブ
    ロックの外面に外導体とともに信号入出力用電極を形成
    し、前記信号入出力用電極部分を通って、且つ前記内導
    体形成用孔に交差する分割面で前記誘電体ブロックを分
    割して、当該分割面を前記内導体と外導体による共振器
    の開放端とすることを特徴とする誘電体フィルタの製造
    方法。
  2. 【請求項2】 略直方体状の誘電体ブロックの内部に内
    導体を備え、外面に外導体および信号入出力用電極を備
    えた誘電体フィルタの製造方法であって、 前記誘電体ブロックに複数の内導体形成用孔とともに、
    これらの内導体形成用孔のうち、所定の内導体形成用孔
    の途中を分断する切欠部または孔を形成し、前記内導体
    形成用孔の内面に内導体を形成し、前記切欠部または前
    記孔を通って、且つ前記内導体形成用孔に交差する分割
    面で前記誘電体ブロックを分割して、当該分割面を、前
    記内導体と外導体による共振器の開放端とすることを特
    徴とする誘電体フィルタの製造方法。
  3. 【請求項3】 略直方体状の誘電体ブロックの内部に内
    導体を備え、外面に外導体および信号入出力用電極を備
    えたデュプレクサの製造方法であって、 前記誘電体ブロックに複数の内導体形成用孔を設け、各
    内導体形成用孔の内面に内導体を形成し、前記誘電体ブ
    ロックの外面に外導体とともに信号入出力用電極を形成
    し、前記信号入出力用電極部分を通って、且つ前記内導
    体形成用孔に交差する分割面で前記誘電体ブロックを分
    割して、当該分割面を前記内導体と外導体による共振器
    の開放端とすることを特徴とするデュプレクサの製造方
    法。
  4. 【請求項4】 略直方体状の誘電体ブロックの内部に内
    導体を備え、外面に外導体および信号入出力用電極を備
    えたデュプレクサの製造方法であって、 前記誘電体ブロックに複数の内導体形成用孔とともに、
    これらの内導体形成用孔のうち、所定の内導体形成用孔
    の途中を分断する切欠部または孔を形成し、前記内導体
    形成用孔の内面に内導体を形成し、前記切欠部または前
    記孔を通って、且つ前記内導体形成用孔に交差する分割
    面で前記誘電体ブロックを分割して、当該分割面を、前
    記内導体と外導体による共振器の開放端とすることを特
    徴とするデュプレクサの製造方法。
  5. 【請求項5】 略直方体状の誘電体ブロックを用いた誘
    電体共振器装置を備える通信機器の製造方法であって、 前記誘電体ブロックに複数の内導体形成用孔を設け、各
    内導体形成用孔の内面に内導体を形成し、前記誘電体ブ
    ロックの外面に外導体とともに信号入出力用電極を形成
    し、前記信号入出力用電極部分を通り且つ前記内導体形
    成用孔に交差する分割面で前記誘電体ブロックを分割し
    て誘電体共振器装置を作成し、当該誘電体共振器装置を
    回路基板上に実装することを特徴とする通信機器の製造
    方法。
  6. 【請求項6】 略直方体状の誘電体ブロックを用いた誘
    電体共振器装置を備える通信機器の製造方法であって、 前記誘電体ブロックに複数の内導体形成用孔とともに、
    これらの内導体形成用孔のうち、所定の内導体形成用孔
    の途中を分断する切欠部または孔を形成し、前記内導体
    形成用孔の内面に内導体を形成し、前記切欠部または前
    記孔を通って、且つ前記内導体形成用孔に交差する分割
    面で前記誘電体ブロックを分割して誘電体共振器装置を
    作成し、当該誘電体共振器装置を回路基板上に実装する
    ことを特徴とする通信機器の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001089026A1 (fr) * 2000-05-15 2001-11-22 Ube Electronics, Ltd. Filtre dielectrique et unite a emetteur-recepteur
US6661314B2 (en) 2000-12-08 2003-12-09 Tdk Corporation Dielectric band pass filter having an evanescent waveguide
US6828880B2 (en) 2001-09-10 2004-12-07 Tdk Corporation Bandpass filter
US6850131B2 (en) 2001-08-03 2005-02-01 Tdk Corporation Bandpass filter

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