JP3939692B2 - 表面弾性波フィルターパッケージの製造方法及びそれに用いるパッケージシート - Google Patents
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Description
先ず、図5(A)のように、多数個のSAWフィルターチップ(110)とパッケージシート、即ち基板(113)を用意し、SAWフィルターチップ(110)の下部には基板(113)に実装するためのバンプ(114)を形成する。前記SAWフィルターチップ(110)を基板(113)上に付着する。この際、SAWフィルターチップ(110)は各々のパッケージに分離され得るよう互いに一定間隔ほど離隔して配列される(図5(B))。
本発明によるSAWフィルターパッケージは図1に示したパッケージシートを用いて製造する。図1のパッケージシート(51)は従来のSAWフィルターパッケージに用いるパッケージシート(図7の113)と異なる構成を有する。
52 外郭パターン
53 バリ発生防止孔
54 空気層
55 SAWフィルターチップ
56 保護層
58 シールド層
Claims (15)
- 表面弾性波(SAW)フィルターパッケージの製造方法において、
多数個のSAWフィルターチップ、及び前記SAWフィルターチップが装着される位置の外郭線に沿って所定の幅の外郭パターンが形成されて前記外郭パターン中隣接する外郭パターンの隅部分に重なるような大きさに形成される円形のバリ発生防止孔が形成されたパッケージシートを備える段階と、
前記パッケージシートに前記多数個のSAWフィルターチップを装着する段階と、
前記パッケージシート上の多数個のSAWフィルターチップの周囲に保護層を形成する段階と、
前記多数個のSAWフィルターチップの間のパッケージシート及び前記パッケージシート上の外郭パターンが露出するよう前記SAWフィルターチップの間の保護層を除去する段階と、
前記SAWフィルターチップ及び露出したパッケージシートと外郭パターンに金属シールド層を形成する段階と、
前記バリ発生防止孔を通過する線を切断線として前記SAWフィルターチップの間のパッケージシートを切断し、多数個のSAWフィルターパッケージを形成する段階と、
を有することを特徴とする表面弾性波フィルターパッケージの製造方法。 - 前記外郭パターンは前記SAWフィルターチップの周囲全体に対応する長さで前記パッケージシートに形成されることを特徴とする請求項1に記載の表面弾性波フィルターパッケージの製造方法。
- 前記バリ発生防止孔は隣接した外郭パターンの隅と全て重なるような大きさに形成されることを特徴とする請求項1に記載の表面弾性波フィルターパッケージの製造方法。
- 前記パッケージシートは少なくとも2個のシート層から成ることを特徴とする請求項1に記載の表面弾性波フィルターパッケージの製造方法。
- 前記バリ発生防止孔は少なくとも2個のうち、SAWフィルターチップ装着面を含んだ少なくとも1個のシート層に形成されることを特徴とする請求項3に記載の表面弾性波フィルターパッケージの製造方法。
- 前記SAWフィルターチップの下部にはSAWフィルターチップが装着され得るようバンプが形成されることを特徴とする請求項1に記載の表面弾性波フィルターパッケージの製造方法。
- 前記保護層は感光性フィルムであることを特徴とする請求項1に記載の表面弾性波フィルターパッケージの製造方法。
- 前記保護層の除去はドライエッチング(DRY ETCHING)により行われることを特徴とする請求項7に記載の表面弾性波フィルターパッケージの製造方法。
- 表面弾性波(SAW)フィルターパッケージのパッケージシートにおいて、
多数個のSAWフィルターチップが装着される位置の外郭線に沿って所定の幅で形成され、前記SAWフィルターチップ及びパッケージシートに形成される金属シールド層と接触する外郭パターンと、
前記外郭パターンの隅部分と重なるような大きさに形成され、多数個のSAWフィルターチップに切断するための切断線が通過するよう形成される円形のバリ発生防止孔と、
を有することを特徴とする表面弾性波フィルターパッケージのパッケージシート。 - 前記外郭パターンは前記SAWフィルターチップの周囲全体に対応する長さで前記パッケージシートに形成されることを特徴とする請求項9に記載の表面弾性波フィルターパッケージシート。
- 前記バリ発生防止孔は隣接した外郭パターンの隅と全て重なるような大きさに形成されることを特徴とする請求項9に記載の表面弾性波フィルターパッケージシート。
- 前記パッケージシートは少なくとも2個のシート層から成ることを特徴とする請求項9に記載の表面弾性波フィルターパッケージシート。
- 前記バリ発生防止孔は少なくとも2個のうち、SAWフィルターチップ装着面を含んだ少なくとも1個のシート層に形成されることを特徴とする請求項11に記載の表面弾性波フィルターパッケージシート。
- 請求項1ないし8のうち、いずれか一項の方法により製造されることを特徴とする表面弾性波フィルターパッケージ。
- 請求項9ないし13のうち、いずれか一項によるパッケージシートを用いて製造されることを特徴とする表面弾性波フィルターパッケージ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030057496A KR100541084B1 (ko) | 2003-08-20 | 2003-08-20 | 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법 및 그에 사용되는패키지 시트 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005073219A JP2005073219A (ja) | 2005-03-17 |
JP3939692B2 true JP3939692B2 (ja) | 2007-07-04 |
Family
ID=34192147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003388273A Expired - Fee Related JP3939692B2 (ja) | 2003-08-20 | 2003-11-18 | 表面弾性波フィルターパッケージの製造方法及びそれに用いるパッケージシート |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7045385B2 (ja) |
JP (1) | JP3939692B2 (ja) |
KR (1) | KR100541084B1 (ja) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4494175B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-06-30 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置 |
KR100783462B1 (ko) * | 2006-06-07 | 2007-12-07 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP4886485B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2012-02-29 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
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US8350367B2 (en) * | 2008-02-05 | 2013-01-08 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
US8212339B2 (en) | 2008-02-05 | 2012-07-03 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
US8022511B2 (en) * | 2008-02-05 | 2011-09-20 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
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US20100110656A1 (en) | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
US8110902B2 (en) | 2009-02-19 | 2012-02-07 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
US8212340B2 (en) | 2009-07-13 | 2012-07-03 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
US8378466B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-02-19 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Wafer-level semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
US8030750B2 (en) * | 2009-11-19 | 2011-10-04 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
US8368185B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-02-05 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
US8569894B2 (en) | 2010-01-13 | 2013-10-29 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof |
TWI411075B (zh) | 2010-03-22 | 2013-10-01 | Advanced Semiconductor Eng | 半導體封裝件及其製造方法 |
TWI540698B (zh) | 2010-08-02 | 2016-07-01 | 日月光半導體製造股份有限公司 | 半導體封裝件與其製造方法 |
US9007273B2 (en) | 2010-09-09 | 2015-04-14 | Advances Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna |
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US8541883B2 (en) | 2011-11-29 | 2013-09-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device having shielded conductive vias |
US8937376B2 (en) | 2012-04-16 | 2015-01-20 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor packages with heat dissipation structures and related methods |
US8786060B2 (en) | 2012-05-04 | 2014-07-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna |
US8704341B2 (en) | 2012-05-15 | 2014-04-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor packages with thermal dissipation structures and EMI shielding |
US8653634B2 (en) | 2012-06-11 | 2014-02-18 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | EMI-shielded semiconductor devices and methods of making |
US9153542B2 (en) | 2012-08-01 | 2015-10-06 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package having an antenna and manufacturing method thereof |
US9978688B2 (en) | 2013-02-28 | 2018-05-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package having a waveguide antenna and manufacturing method thereof |
US9837701B2 (en) | 2013-03-04 | 2017-12-05 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package including antenna substrate and manufacturing method thereof |
US9129954B2 (en) | 2013-03-07 | 2015-09-08 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package including antenna layer and manufacturing method thereof |
US9172131B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-10-27 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor structure having aperture antenna |
CN103400825B (zh) | 2013-07-31 | 2016-05-18 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体封装件及其制造方法 |
CN105609904A (zh) * | 2015-12-29 | 2016-05-25 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种芯片级声表面波器件气密性封装及方法 |
JP6809600B2 (ja) * | 2017-04-03 | 2021-01-06 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
US10096578B1 (en) * | 2017-07-06 | 2018-10-09 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package device and method of manufacturing the same |
JP7099838B2 (ja) * | 2018-03-16 | 2022-07-12 | ローム株式会社 | チップ部品およびチップ部品の製造方法 |
CN111181520B (zh) * | 2018-11-09 | 2023-03-24 | 恒劲科技股份有限公司 | 一种表面声波滤波器封装结构及其制作方法 |
US11244876B2 (en) | 2019-10-09 | 2022-02-08 | Microchip Technology Inc. | Packaged semiconductor die with micro-cavity |
WO2021114140A1 (zh) * | 2019-12-11 | 2021-06-17 | 广东省半导体产业技术研究院 | 滤波芯片封装方法及封装结构 |
CN114094978B (zh) * | 2022-01-19 | 2022-04-15 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种声表面滤波器组去耦封装结构 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05327394A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-10 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波素子のフェースダウン実装用パッケージ |
JP3301262B2 (ja) * | 1995-03-28 | 2002-07-15 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置 |
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FR2799883B1 (fr) * | 1999-10-15 | 2003-05-30 | Thomson Csf | Procede d'encapsulation de composants electroniques |
KR20030001880A (ko) | 2001-06-28 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 웨이퍼 |
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KR100431181B1 (ko) | 2001-12-07 | 2004-05-12 | 삼성전기주식회사 | 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법 |
JP2003249840A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-09-05 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
-
2003
- 2003-08-20 KR KR1020030057496A patent/KR100541084B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-11-17 US US10/713,028 patent/US7045385B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-18 JP JP2003388273A patent/JP3939692B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7045385B2 (en) | 2006-05-16 |
JP2005073219A (ja) | 2005-03-17 |
KR20050019612A (ko) | 2005-03-03 |
US20050042804A1 (en) | 2005-02-24 |
KR100541084B1 (ko) | 2006-01-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060921 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060926 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070306 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070328 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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