JPH10125705A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置Info
- Publication number
- JPH10125705A JPH10125705A JP8276634A JP27663496A JPH10125705A JP H10125705 A JPH10125705 A JP H10125705A JP 8276634 A JP8276634 A JP 8276634A JP 27663496 A JP27663496 A JP 27663496A JP H10125705 A JPH10125705 A JP H10125705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- resin
- wiring board
- semiconductor element
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4824—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明はチップサイズパッケージ構造を有した
半導体装置の製造方法及び半導体装置に関し、半導体装
置の製造効率及び信頼性の向上を図ることを課題とす
る。 【解決手段】ベースフィルム17に半導体素子11及びリー
ド18が配設された構成の配線基板12を金型24内に装着
し、続いて半導体素子11の配設位置に封止樹脂27を供給
して半導体素子11を樹脂封止する樹脂封止工程と、配線
基板12に形成されたリード18と電気的に接続するよう突
起電極14を形成する突起電極形成工程とを有する半導体
装置の製造方法において、半導体素子11を樹脂封止する
手段として、圧縮成形法を用いる。
半導体装置の製造方法及び半導体装置に関し、半導体装
置の製造効率及び信頼性の向上を図ることを課題とす
る。 【解決手段】ベースフィルム17に半導体素子11及びリー
ド18が配設された構成の配線基板12を金型24内に装着
し、続いて半導体素子11の配設位置に封止樹脂27を供給
して半導体素子11を樹脂封止する樹脂封止工程と、配線
基板12に形成されたリード18と電気的に接続するよう突
起電極14を形成する突起電極形成工程とを有する半導体
装置の製造方法において、半導体素子11を樹脂封止する
手段として、圧縮成形法を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法及び半導体装置に係り、特にチップサイズパッケージ
構造を有した半導体装置の製造方法及び半導体装置に関
する。近年、電子機器及び装置の小型化の要求に伴い、
半導体装置の小型化，高密度化が図られている。このた
め、半導体装置の形状を半導体素子（チップ）に極力近
づけることにより小型化を図った、いわゆるチップサイ
ズパッケージ構造の半導体装置が提案されている。
法及び半導体装置に係り、特にチップサイズパッケージ
構造を有した半導体装置の製造方法及び半導体装置に関
する。近年、電子機器及び装置の小型化の要求に伴い、
半導体装置の小型化，高密度化が図られている。このた
め、半導体装置の形状を半導体素子（チップ）に極力近
づけることにより小型化を図った、いわゆるチップサイ
ズパッケージ構造の半導体装置が提案されている。
【０００２】また、高密度化により多ピン化し、かつ半
導体装置が小型化すると、外部接続端子のピッチが狭く
なる。このため、省スペースに比較的多数の外部接続端
子を形成しうる構造として、外部接続端子として突起電
極（バンプ）を用いることが行われている。
導体装置が小型化すると、外部接続端子のピッチが狭く
なる。このため、省スペースに比較的多数の外部接続端
子を形成しうる構造として、外部接続端子として突起電
極（バンプ）を用いることが行われている。
【０００３】
【従来の技術】図４１（Ａ）は、従来のベアチップ（フ
リップチップ）実装に用いられる半導体装置の一例を示
している。同図に示す半導体装置１は、大略すると半導
体素子２（半導体チップ），及び多数の突起電極４（バ
ンプ）等とにより構成されている。
リップチップ）実装に用いられる半導体装置の一例を示
している。同図に示す半導体装置１は、大略すると半導
体素子２（半導体チップ），及び多数の突起電極４（バ
ンプ）等とにより構成されている。
【０００４】半導体素子２の下面には外部接続端子とな
る突起電極４が、例えばマトリックス状に多数形成され
ている。この突起電極４は半田等の柔らかい金属により
形成されたものであるため傷が付きやすく、ハンドリン
グやテストを実施するのが難しいものである。
る突起電極４が、例えばマトリックス状に多数形成され
ている。この突起電極４は半田等の柔らかい金属により
形成されたものであるため傷が付きやすく、ハンドリン
グやテストを実施するのが難しいものである。
【０００５】また、上記した半導体装置１を実装基板５
（例えば、プリント配線基板）に実装するには、図４１
（Ｂ）に示されるように、先ず半導体装置１に形成され
ている突起電極４を実装基板５に形成されている電極５
ａに接合する。続いて、図４１（Ｃ）に示されるよう
に、半導体素子２と実装基板５との間に、いわゆるアン
ダーフィルレジン６（梨地で示す）を装填する。
（例えば、プリント配線基板）に実装するには、図４１
（Ｂ）に示されるように、先ず半導体装置１に形成され
ている突起電極４を実装基板５に形成されている電極５
ａに接合する。続いて、図４１（Ｃ）に示されるよう
に、半導体素子２と実装基板５との間に、いわゆるアン
ダーフィルレジン６（梨地で示す）を装填する。
【０００６】このアンダーフィルレジン６は、比較的流
動性を有する樹脂を半導体素子２と実装基板５との間に
形成された間隙７（突起電極４の高さと略等しい）に充
填することにより形成される。このようにして形成され
るアンダーフィルレジン６は、半導体素子２と実装基板
５との熱膨張差に基づき発生する応力及び実装時の熱に
より開放された時に発生する半導体素子２の電極と突起
電極４との接合部に印加される応力により、突起電極４
と実装基板５の電極５ａとの接合部位の破壊、若しくは
突起電極４と半導体素子２の電極との接合部位の破壊を
防止するために設けられるものである。
動性を有する樹脂を半導体素子２と実装基板５との間に
形成された間隙７（突起電極４の高さと略等しい）に充
填することにより形成される。このようにして形成され
るアンダーフィルレジン６は、半導体素子２と実装基板
５との熱膨張差に基づき発生する応力及び実装時の熱に
より開放された時に発生する半導体素子２の電極と突起
電極４との接合部に印加される応力により、突起電極４
と実装基板５の電極５ａとの接合部位の破壊、若しくは
突起電極４と半導体素子２の電極との接合部位の破壊を
防止するために設けられるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記したようにアンダ
ーフィルレジン６は、突起電極４と実装基板５との破壊
（特に、電極と突起電極４との間における破壊）を防止
する面から有効である。しかるに、このアンダーフィル
レジン６は、半導体素子２と実装基板５との間に形成さ
れた狭い間隙７に充填する必要があるため充填作業が面
倒であり、また間隙７の全体に均一にアンダーフィルレ
ジン６を配設するのが困難である。このため、半導体装
置の製造効率が低下したり、またアンダーフィルレジン
６を形成したにも拘わらず突起電極４と電極５ａとの接
合部、若しくは突起電極４と半導体素子２の電極との接
合部における破壊が発生し、実装における信頼性が低下
してしまうという問題点があった。
ーフィルレジン６は、突起電極４と実装基板５との破壊
（特に、電極と突起電極４との間における破壊）を防止
する面から有効である。しかるに、このアンダーフィル
レジン６は、半導体素子２と実装基板５との間に形成さ
れた狭い間隙７に充填する必要があるため充填作業が面
倒であり、また間隙７の全体に均一にアンダーフィルレ
ジン６を配設するのが困難である。このため、半導体装
置の製造効率が低下したり、またアンダーフィルレジン
６を形成したにも拘わらず突起電極４と電極５ａとの接
合部、若しくは突起電極４と半導体素子２の電極との接
合部における破壊が発生し、実装における信頼性が低下
してしまうという問題点があった。
【０００８】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、半導体装置の製造効率及び信頼性の向上を図りう
る半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること
を目的とする。
あり、半導体装置の製造効率及び信頼性の向上を図りう
る半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、下記の手
段を講じることにより解決することができる。請求項１
記載の発明では、少なくとも可撓性基材に半導体素子及
びリードが配設された構成の配線基板を金型内に装着
し、続いて前記半導体素子の配設位置に封止樹脂を供給
して前記半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程と、前
記配線基板に形成されたリードと電気的に接続するよう
突起電極を形成する突起電極形成工程とを有する半導体
装置の製造方法において、前記半導体素子を樹脂封止す
る手段として、圧縮成形法を用いたことを特徴とするも
のである。
段を講じることにより解決することができる。請求項１
記載の発明では、少なくとも可撓性基材に半導体素子及
びリードが配設された構成の配線基板を金型内に装着
し、続いて前記半導体素子の配設位置に封止樹脂を供給
して前記半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程と、前
記配線基板に形成されたリードと電気的に接続するよう
突起電極を形成する突起電極形成工程とを有する半導体
装置の製造方法において、前記半導体素子を樹脂封止す
る手段として、圧縮成形法を用いたことを特徴とするも
のである。
【００１０】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基
板を形成する際、前記半導体素子を収納するキャビティ
部が形成された枠体を配設することを特徴とするもので
ある。
項１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基
板を形成する際、前記半導体素子を収納するキャビティ
部が形成された枠体を配設することを特徴とするもので
ある。
【００１１】また、請求項３記載の発明では、前記請求
項１または２記載の半導体装置の製造方法において、前
記樹脂封止工程で、前記金型の前記配線基板と対向する
位置に前記封止樹脂に対する離型性の良好なフィルムを
配設し、前記金型が前記フィルムを介して前記封止樹脂
と接触するよう構成したことを特徴とするものである。
項１または２記載の半導体装置の製造方法において、前
記樹脂封止工程で、前記金型の前記配線基板と対向する
位置に前記封止樹脂に対する離型性の良好なフィルムを
配設し、前記金型が前記フィルムを介して前記封止樹脂
と接触するよう構成したことを特徴とするものである。
【００１２】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項１または２記載の半導体装置の製造方法において、前
記樹脂封止工程で、前記金型の前記配線基板と対向する
位置に前記封止樹脂に対する離型性の良好な板状部材を
配設し、前記金型が前記板状部材を介して前記封止樹脂
と接触するよう構成したことを特徴とするものである。
項１または２記載の半導体装置の製造方法において、前
記樹脂封止工程で、前記金型の前記配線基板と対向する
位置に前記封止樹脂に対する離型性の良好な板状部材を
配設し、前記金型が前記板状部材を介して前記封止樹脂
と接触するよう構成したことを特徴とするものである。
【００１３】また、請求項５記載の発明では、前記請求
項４記載の半導体装置の製造方法において、前記板状部
材として放熱性の良好な材料を選定したことを特徴とす
るものである。
項４記載の半導体装置の製造方法において、前記板状部
材として放熱性の良好な材料を選定したことを特徴とす
るものである。
【００１４】また、請求項６記載の発明では、前記請求
項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記樹脂封止工程で用いられる金型に、余剰樹
脂を除去すると共に前記金型内における封止樹脂の圧力
を制御する余剰樹脂除去機構を設けたことを特徴とする
ものである。
項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記樹脂封止工程で用いられる金型に、余剰樹
脂を除去すると共に前記金型内における封止樹脂の圧力
を制御する余剰樹脂除去機構を設けたことを特徴とする
ものである。
【００１５】また、請求項７記載の発明では、前記請求
項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記配線基板に前記半導体素子の形成位置より
側方に長く延出した延出部を形成し、前記樹脂封止工程
の終了後で前記突起電極形成工程の実施前に、前記延出
部を折り曲げる折曲工程を実施し、前記突起電極形成工
程において、折曲された前記延出部に前記突起電極を形
成することを特徴とするものである。
項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記配線基板に前記半導体素子の形成位置より
側方に長く延出した延出部を形成し、前記樹脂封止工程
の終了後で前記突起電極形成工程の実施前に、前記延出
部を折り曲げる折曲工程を実施し、前記突起電極形成工
程において、折曲された前記延出部に前記突起電極を形
成することを特徴とするものである。
【００１６】また、請求項８記載の発明では、前記請求
項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記配線基板に前記半導体素子の形成位置より
側方に長く延出した延出部を形成し、前記樹脂封止工程
の実施前に、前記延出部を折り曲げる折曲工程を実施
し、前記折曲工程を実施した後に、前記樹脂封止工程と
前記突起電極形成工程を実施することを特徴とするもの
である。
項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記配線基板に前記半導体素子の形成位置より
側方に長く延出した延出部を形成し、前記樹脂封止工程
の実施前に、前記延出部を折り曲げる折曲工程を実施
し、前記折曲工程を実施した後に、前記樹脂封止工程と
前記突起電極形成工程を実施することを特徴とするもの
である。
【００１７】また、請求項９記載の発明では、前記請求
項７または８記載の半導体装置の製造方法において、前
記延出部の先端部に前記半導体素子と接続される接続電
極を形成しておき、前記折曲工程の実施後に、前記半導
体素子と前記接続電極とを接続する素子接続工程を行な
うことを特徴とするものである。
項７または８記載の半導体装置の製造方法において、前
記延出部の先端部に前記半導体素子と接続される接続電
極を形成しておき、前記折曲工程の実施後に、前記半導
体素子と前記接続電極とを接続する素子接続工程を行な
うことを特徴とするものである。
【００１８】また、請求項１０記載の発明では、前記請
求項８記載の半導体装置の製造方法において、前記接続
電極を千鳥状に配設すると共に、角部を曲線状に形成し
たことを特徴とするものである。
求項８記載の半導体装置の製造方法において、前記接続
電極を千鳥状に配設すると共に、角部を曲線状に形成し
たことを特徴とするものである。
【００１９】また、請求項１１記載の発明では、半導体
素子と、外部接続端子として機能する突起電極と、可撓
性基材上に、前記半導体素子に一端が接続されると共に
他端部が前記突起電極に接続されるリードが形成された
配線基板と、前記半導体素子を封止する封止樹脂とを具
備する半導体装置において、前記配線基板に前記半導体
素子の形成位置より側方に長く延出すると共に折曲され
た延出部を形成し、前記延出部に前記突起電極が形成さ
れていることを特徴とするものである。
素子と、外部接続端子として機能する突起電極と、可撓
性基材上に、前記半導体素子に一端が接続されると共に
他端部が前記突起電極に接続されるリードが形成された
配線基板と、前記半導体素子を封止する封止樹脂とを具
備する半導体装置において、前記配線基板に前記半導体
素子の形成位置より側方に長く延出すると共に折曲され
た延出部を形成し、前記延出部に前記突起電極が形成さ
れていることを特徴とするものである。
【００２０】また、請求項１２記載の発明では、前記請
求項１１記載の半導体装置において、前記配線基板を支
持すると共に前記半導体素子を収納するキャビティ部が
形成された枠体が設けられていることを特徴とするもの
である。
求項１１記載の半導体装置において、前記配線基板を支
持すると共に前記半導体素子を収納するキャビティ部が
形成された枠体が設けられていることを特徴とするもの
である。
【００２１】更に、請求項１３記載の発明では、前記請
求項１１または１２記載の半導体装置において、前記突
起電極は前記リードを塑性変形することにより形成され
たメカニカルバンプであることを特徴とするものであ
る。
求項１１または１２記載の半導体装置において、前記突
起電極は前記リードを塑性変形することにより形成され
たメカニカルバンプであることを特徴とするものであ
る。
【００２２】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明によれば、樹脂封止工程では、配線
基板は金型内に装着され、半導体素子は封止樹脂により
樹脂封止される。また、突起電極形成工程では、配線基
板に形成されたリードと電気的に接続するよう突起電極
が形成される。
請求項１記載の発明によれば、樹脂封止工程では、配線
基板は金型内に装着され、半導体素子は封止樹脂により
樹脂封止される。また、突起電極形成工程では、配線基
板に形成されたリードと電気的に接続するよう突起電極
が形成される。
【００２３】この際、本請求項に係る発明では、樹脂封
止工程において半導体素子を樹脂封止する手段として圧
縮成形法を用いている。封止樹脂を圧縮形成法を用いて
形成することにより、半導体素子と配線基板との間に形
成される狭い隙間部分にも確実に樹脂を充填することが
できる。
止工程において半導体素子を樹脂封止する手段として圧
縮成形法を用いている。封止樹脂を圧縮形成法を用いて
形成することにより、半導体素子と配線基板との間に形
成される狭い隙間部分にも確実に樹脂を充填することが
できる。
【００２４】また、圧縮形成法では成形圧力が低くてよ
いため、樹脂成形時に配線基板に変形が生じたり、また
半導体素子と配線基板との電気的接続部位（例えば、Ｔ
ＡＢ接続，或いはワイヤ接続される）に負荷が印加され
ることを防止できる。これにより、樹脂封止工程におい
て、半導体素子と配線基板との接続が切断されることを
防止することができる。
いため、樹脂成形時に配線基板に変形が生じたり、また
半導体素子と配線基板との電気的接続部位（例えば、Ｔ
ＡＢ接続，或いはワイヤ接続される）に負荷が印加され
ることを防止できる。これにより、樹脂封止工程におい
て、半導体素子と配線基板との接続が切断されることを
防止することができる。
【００２５】また、請求項２または請求項１２記載の発
明によれば、半導体素子を収納するキャビティ部が形成
された枠体を配線基板に配設することにより、枠体によ
り可撓性を有する配線基板を支持することができると共
に、半導体素子を枠体により保護することができる。
明によれば、半導体素子を収納するキャビティ部が形成
された枠体を配線基板に配設することにより、枠体によ
り可撓性を有する配線基板を支持することができると共
に、半導体素子を枠体により保護することができる。
【００２６】また、請求項３または請求項４記載の発明
によれば、封止樹脂が金型に直接触れないため離型性を
向上することができ、また離型剤なしの密着性の高い高
信頼性樹脂の使用が可能となる。また、請求項５記載の
発明によれば、板状部材として放熱性の良好な材料を選
定したことにより、半導体素子で発生する熱は放熱板と
して機能する板状部材を介して放熱されるため、製造さ
れる半導体装置の放熱特性を向上させることができる。
によれば、封止樹脂が金型に直接触れないため離型性を
向上することができ、また離型剤なしの密着性の高い高
信頼性樹脂の使用が可能となる。また、請求項５記載の
発明によれば、板状部材として放熱性の良好な材料を選
定したことにより、半導体素子で発生する熱は放熱板と
して機能する板状部材を介して放熱されるため、製造さ
れる半導体装置の放熱特性を向上させることができる。
【００２７】また、請求項６記載の発明によれば、樹脂
封止工程で用いられる金型に、余剰樹脂を除去すると共
に金型内における封止樹脂の圧力を制御する余剰樹脂除
去機構を設けたことにより、封止樹脂の計量を容易とす
ることができると共に、常に適正な樹脂量で突起電極の
封止処理を行なうことができる。また、金型内における
封止樹脂の圧力を制御することができるため、成形時に
おる封止樹脂の圧力を均一化することができボイドの発
生を防止することができる。
封止工程で用いられる金型に、余剰樹脂を除去すると共
に金型内における封止樹脂の圧力を制御する余剰樹脂除
去機構を設けたことにより、封止樹脂の計量を容易とす
ることができると共に、常に適正な樹脂量で突起電極の
封止処理を行なうことができる。また、金型内における
封止樹脂の圧力を制御することができるため、成形時に
おる封止樹脂の圧力を均一化することができボイドの発
生を防止することができる。
【００２８】また、請求項７、請求項８、または請求項
１１記載の発明によれば、突起電極の形成領域を広く取
ることができるため、よって突起電極の配設ピッチを広
く設定したり、また突起電極の配設数を多くすることが
可能となる。この際、折曲工程の実施は樹脂封止工程の
前であっても、また後であってもかまわない。
１１記載の発明によれば、突起電極の形成領域を広く取
ることができるため、よって突起電極の配設ピッチを広
く設定したり、また突起電極の配設数を多くすることが
可能となる。この際、折曲工程の実施は樹脂封止工程の
前であっても、また後であってもかまわない。
【００２９】また、請求項９記載の発明によれば、延出
部の先端部に半導体素子と接続される接続電極を形成し
ておき、折曲工程の実施後に、半導体素子と接続電極と
を接続する素子接続工程を行なうことにより、延出部の
折曲時においては半導体素子と接続電極とは接続されて
いない状態であるため、半導体素子と接続電極との電気
的接続の信頼性を向上することができる。
部の先端部に半導体素子と接続される接続電極を形成し
ておき、折曲工程の実施後に、半導体素子と接続電極と
を接続する素子接続工程を行なうことにより、延出部の
折曲時においては半導体素子と接続電極とは接続されて
いない状態であるため、半導体素子と接続電極との電気
的接続の信頼性を向上することができる。
【００３０】即ち、折曲工程前に半導体素子と接続電極
とを接続しておくと、延出部の折曲時に半導体素子と接
続電極との接続位置に負荷（折り曲げ処理により発生す
る負荷）が印加されるおそれがある。この負荷が大きい
場合には、半導体素子と接続電極との接続が切断される
おそれがある。しかるに、折曲工程の実施後に素子接続
工程を行なうことにより、折曲時に発生する負荷が問題
となることはなく、よって半導体素子と接続電極との電
気的接続の信頼性を向上することができる。
とを接続しておくと、延出部の折曲時に半導体素子と接
続電極との接続位置に負荷（折り曲げ処理により発生す
る負荷）が印加されるおそれがある。この負荷が大きい
場合には、半導体素子と接続電極との接続が切断される
おそれがある。しかるに、折曲工程の実施後に素子接続
工程を行なうことにより、折曲時に発生する負荷が問題
となることはなく、よって半導体素子と接続電極との電
気的接続の信頼性を向上することができる。
【００３１】また、請求項１０記載の発明によれば、接
続電極を千鳥状に配設することにより、各接続電極の面
積を広くすることができるため、半導体素子との電気的
接続処理を簡単化することができる。また、接続電極の
角部を曲線状に形成することにより、例えば半導体素子
と接続電極との接続にワイヤボンディング法を用いた場
合には、ボンディング治具（超音波溶接治具）が当接さ
れた時に発生する応力を分散することが可能となり、よ
って半導体素子と接続電極との電気的接続処理を確実に
行なうことができる。
続電極を千鳥状に配設することにより、各接続電極の面
積を広くすることができるため、半導体素子との電気的
接続処理を簡単化することができる。また、接続電極の
角部を曲線状に形成することにより、例えば半導体素子
と接続電極との接続にワイヤボンディング法を用いた場
合には、ボンディング治具（超音波溶接治具）が当接さ
れた時に発生する応力を分散することが可能となり、よ
って半導体素子と接続電極との電気的接続処理を確実に
行なうことができる。
【００３２】更に、請求項１３記載の発明によれば、突
起電極をリードを塑性変形することにより形成されるメ
カニカルバンプにより構成したことにより、リードを成
形することによりバンプが形成されるため、別個にバン
プ用のボール材を必要とすることはない。また、メカニ
カルバンプはリードを塑性変形する簡単な処理であるた
め、低コストでかつ容易に突起電極を形成することが可
能となる。
起電極をリードを塑性変形することにより形成されるメ
カニカルバンプにより構成したことにより、リードを成
形することによりバンプが形成されるため、別個にバン
プ用のボール材を必要とすることはない。また、メカニ
カルバンプはリードを塑性変形する簡単な処理であるた
め、低コストでかつ容易に突起電極を形成することが可
能となる。
【００３３】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。図１乃至図３は本発明の第１実施
例である半導体装置及びその製造方法を示している。先
ず、図１を用いて本発明の第１実施例である半導体装置
１０について説明する。尚、以下説明する各実施例にお
いては、Ｔ−ＢＧＡ(Tape-Ball GridArray)構造の半導
体装置を例に挙げて本発明を説明するが、他のＢＧＡ構
造の半導体装置においても本発明を適用することができ
る。
図面と共に説明する。図１乃至図３は本発明の第１実施
例である半導体装置及びその製造方法を示している。先
ず、図１を用いて本発明の第１実施例である半導体装置
１０について説明する。尚、以下説明する各実施例にお
いては、Ｔ−ＢＧＡ(Tape-Ball GridArray)構造の半導
体装置を例に挙げて本発明を説明するが、他のＢＧＡ構
造の半導体装置においても本発明を適用することができ
る。
【００３４】半導体装置１０は、大略すると半導体素子
１１，配線基板１２，枠体１３，突起電極１４，及び封
止樹脂１５等により構成されている。半導体素子１１は
いわゆるベアチップであり、その下面には複数のバンプ
電極１６が形成されている。この半導体素子１１は、フ
リップチップボンディングされることにより配線基板１
２に電気的にまた機械的に接続されている。
１１，配線基板１２，枠体１３，突起電極１４，及び封
止樹脂１５等により構成されている。半導体素子１１は
いわゆるベアチップであり、その下面には複数のバンプ
電極１６が形成されている。この半導体素子１１は、フ
リップチップボンディングされることにより配線基板１
２に電気的にまた機械的に接続されている。
【００３５】配線基板１２は、ベースフィルム１７（可
撓性基材），リード１８及び絶縁膜１９（ソルダーレジ
スト）等により構成されている。ベースフィルム１７は
例えばポリイミド等の可撓性を有した絶縁性フィルムで
あり、このベースフィルム１７には例えば銅箔等の導電
性金属膜により所定パターンのリード１８が形成されて
いる。
撓性基材），リード１８及び絶縁膜１９（ソルダーレジ
スト）等により構成されている。ベースフィルム１７は
例えばポリイミド等の可撓性を有した絶縁性フィルムで
あり、このベースフィルム１７には例えば銅箔等の導電
性金属膜により所定パターンのリード１８が形成されて
いる。
【００３６】また、ベースフィルム１７はリード１８及
び絶縁膜１９に比べてその厚さが大であり、また機械的
強度も高く設定されている。よって、リード１８及び絶
縁膜１９はベースフィルム１７に保持された構成とされ
ている。また、上記のようにベースフィルム１７は可撓
性を有しており、かつリード１８及び絶縁膜１９は膜厚
が薄いため、配線基板１２は折り曲げ可能な構成とされ
ている。更に、このベースフィルム１７の略中央位置に
は、半導体素子１１を装着するための装着孔１７ａが形
成されている。
び絶縁膜１９に比べてその厚さが大であり、また機械的
強度も高く設定されている。よって、リード１８及び絶
縁膜１９はベースフィルム１７に保持された構成とされ
ている。また、上記のようにベースフィルム１７は可撓
性を有しており、かつリード１８及び絶縁膜１９は膜厚
が薄いため、配線基板１２は折り曲げ可能な構成とされ
ている。更に、このベースフィルム１７の略中央位置に
は、半導体素子１１を装着するための装着孔１７ａが形
成されている。
【００３７】一方、リード１８は半導体素子１１に配設
されたバンプ電極１６の数に対応して複数個形成されて
おり、インナーリード部２０及びアウターリード部２１
を一体的に形成した構成とされている。インナーリード
部２０はリード１８の内側に位置する部分であり、半導
体素子１１のバンプ電極１６が接合される部位である。
また、アウターリード部２１はインナーリード部２０に
対し外周に位置する部分であり、突起電極１４が接続さ
れる部位である。
されたバンプ電極１６の数に対応して複数個形成されて
おり、インナーリード部２０及びアウターリード部２１
を一体的に形成した構成とされている。インナーリード
部２０はリード１８の内側に位置する部分であり、半導
体素子１１のバンプ電極１６が接合される部位である。
また、アウターリード部２１はインナーリード部２０に
対し外周に位置する部分であり、突起電極１４が接続さ
れる部位である。
【００３８】また、絶縁膜１９はポリイミド等の絶縁性
の樹脂膜であり、突起電極１４の形成位置にいは接続孔
１９ａが形成されている。この接続孔を介してリード１
８と突起電極１４とは電気的に接続される構成とされて
いる。この絶縁膜１９によりリード１８は保護される構
成となっている。
の樹脂膜であり、突起電極１４の形成位置にいは接続孔
１９ａが形成されている。この接続孔を介してリード１
８と突起電極１４とは電気的に接続される構成とされて
いる。この絶縁膜１９によりリード１８は保護される構
成となっている。
【００３９】一方、枠体１３は例えば銅或いはアルミニ
ウム等の金属材料により形成されている。この枠体１３
の中央部には、前記したベースフィルム１７に形成され
た装着孔孔１７ａと対向するよう構成されたキャビティ
２３が形成されている。 本実施例においては、キャビ
ティ２３は枠体１３を上下に貫通した穴として構成され
ている。また、この枠体１３は平面視した状態で矩形状
とされており、従ってキャビティ２３が形成されること
により枠体１３は矩形枠状形状を有した構造となる。
ウム等の金属材料により形成されている。この枠体１３
の中央部には、前記したベースフィルム１７に形成され
た装着孔孔１７ａと対向するよう構成されたキャビティ
２３が形成されている。 本実施例においては、キャビ
ティ２３は枠体１３を上下に貫通した穴として構成され
ている。また、この枠体１３は平面視した状態で矩形状
とされており、従ってキャビティ２３が形成されること
により枠体１３は矩形枠状形状を有した構造となる。
【００４０】前記した配線基板１２は上記構成とされた
枠体１３の下面に接着剤２２により接合され、これによ
り可撓性を有した配線基板１２は枠体１３に固定された
構成となる。また、配線基板１２が枠体１３に配設され
た状態において、前記したリード１８のインナーリード
部２０はキャビティ２３内に延出するよう構成されてい
る。半導体素子１１は、このキャビティ２３内に延出し
たインナーリード部２０にフリップチップ接合され、従
って半導体素子１１はキャビティ２３内に位置した構成
となる。
枠体１３の下面に接着剤２２により接合され、これによ
り可撓性を有した配線基板１２は枠体１３に固定された
構成となる。また、配線基板１２が枠体１３に配設され
た状態において、前記したリード１８のインナーリード
部２０はキャビティ２３内に延出するよう構成されてい
る。半導体素子１１は、このキャビティ２３内に延出し
たインナーリード部２０にフリップチップ接合され、従
って半導体素子１１はキャビティ２３内に位置した構成
となる。
【００４１】また、リード１８のアウターリード部２１
は枠体１３の下面側に位置するよう配設されており、こ
のアウターリード部２１には突起電極１４が配設され
る。本実施例では、突起電極１４として半田バンプを用
いており、この突起電極１４は半田ボールを絶縁膜１９
に形成された接続孔１９ａを介してアウターリード部２
１に接合することにより形成される。
は枠体１３の下面側に位置するよう配設されており、こ
のアウターリード部２１には突起電極１４が配設され
る。本実施例では、突起電極１４として半田バンプを用
いており、この突起電極１４は半田ボールを絶縁膜１９
に形成された接続孔１９ａを介してアウターリード部２
１に接合することにより形成される。
【００４２】この際、上記したように突起電極１４が配
設されるアウターリード部２１は枠体１３の下面側に位
置しており、可撓性を有する配線基板１２を用いてもア
ウターリード部２１は枠体１３により可撓変形が規制さ
れている。よって、可撓性を有する配線基板１２を用い
ても、配設される突起電極１４の位置にバラツキが発生
するようなことはなく、実装性を向上させることができ
る。
設されるアウターリード部２１は枠体１３の下面側に位
置しており、可撓性を有する配線基板１２を用いてもア
ウターリード部２１は枠体１３により可撓変形が規制さ
れている。よって、可撓性を有する配線基板１２を用い
ても、配設される突起電極１４の位置にバラツキが発生
するようなことはなく、実装性を向上させることができ
る。
【００４３】また、半導体素子１１が装着されたキャビ
ティ２３内には封止樹脂１５が配設されている。この封
止樹脂１５は、後述するように圧縮成形法を用いて形成
される。キャビティ２３内に封止樹脂１５を配設するこ
とにより、半導体素子１１，バンプ電極１６，及びリー
ド１８のインナーリード部２０は樹脂封止された構成と
なるため、半導体素子１１及びリード１８のインナーリ
ード部２０を確実に保護することができる。
ティ２３内には封止樹脂１５が配設されている。この封
止樹脂１５は、後述するように圧縮成形法を用いて形成
される。キャビティ２３内に封止樹脂１５を配設するこ
とにより、半導体素子１１，バンプ電極１６，及びリー
ド１８のインナーリード部２０は樹脂封止された構成と
なるため、半導体素子１１及びリード１８のインナーリ
ード部２０を確実に保護することができる。
【００４４】続いて、上記構成とされた半導体装置１０
の製造方法（第１実施例に係る製造方法）について、図
２を用いて説明する。半導体装置１０は、大略すると半
導体素子１１を形成する半導体素子形成工程，配線基板
１２を形成する配線基板形成工程，突起電極１４を形成
する突起電極形成工程，半導体素子１１を配線基板１２
に搭載する素子搭載工程，封止樹脂１５により半導体素
子１１等を樹脂封止する樹脂封止工程，各種信頼性試験
を行なう試験工程等の種々の工程を実施することにより
製造される。
の製造方法（第１実施例に係る製造方法）について、図
２を用いて説明する。半導体装置１０は、大略すると半
導体素子１１を形成する半導体素子形成工程，配線基板
１２を形成する配線基板形成工程，突起電極１４を形成
する突起電極形成工程，半導体素子１１を配線基板１２
に搭載する素子搭載工程，封止樹脂１５により半導体素
子１１等を樹脂封止する樹脂封止工程，各種信頼性試験
を行なう試験工程等の種々の工程を実施することにより
製造される。
【００４５】この各工程の内、半導体素子形成工程，配
線基板形成工程，突起電極形成工程，素子搭載工程，及
び試験工程は、周知の技術を用いて実施されるものであ
り、本願発明の要部は樹脂封止工程以降にあるため、以
下の説明では樹脂封止工程のみについて説明するものと
する。
線基板形成工程，突起電極形成工程，素子搭載工程，及
び試験工程は、周知の技術を用いて実施されるものであ
り、本願発明の要部は樹脂封止工程以降にあるため、以
下の説明では樹脂封止工程のみについて説明するものと
する。
【００４６】図２は樹脂封止工程の第１実施例を示して
いる。樹脂封止工程が開始されると、先ず図２に示され
るように、半導体素子形成工程，配線基板形成工程，及
び素子搭載工程等を経ることにより半導体素子１１が搭
載された配線基板１２を半導体装置製造用金型２４（以
下、単に金型という）に装着する。
いる。樹脂封止工程が開始されると、先ず図２に示され
るように、半導体素子形成工程，配線基板形成工程，及
び素子搭載工程等を経ることにより半導体素子１１が搭
載された配線基板１２を半導体装置製造用金型２４（以
下、単に金型という）に装着する。
【００４７】ここで、金型２４の構造について説明す
る。金型２４は、大略すると上型２５と下型２６とによ
り構成されている。この上型２５及び下型２６には、共
に図示しないヒーターが内設されており、後述する成形
前状態の封止樹脂（成形前の封止樹脂を特に符号２７を
附して示す）を加熱溶融しうる構成とされている。
る。金型２４は、大略すると上型２５と下型２６とによ
り構成されている。この上型２５及び下型２６には、共
に図示しないヒーターが内設されており、後述する成形
前状態の封止樹脂（成形前の封止樹脂を特に符号２７を
附して示す）を加熱溶融しうる構成とされている。
【００４８】上型２５は、図示しない昇降装置により図
中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に昇降動作する構成とされてい
る。また、上型２５の下面はキャビティ面２５ａとされ
ており、このキャビティ面２５ａは平坦面とされてい
る。従って、上型２５の形状は極めて簡単な形状とされ
ており、安価に上型２５を製造することができる。
中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に昇降動作する構成とされてい
る。また、上型２５の下面はキャビティ面２５ａとされ
ており、このキャビティ面２５ａは平坦面とされてい
る。従って、上型２５の形状は極めて簡単な形状とされ
ており、安価に上型２５を製造することができる。
【００４９】一方、下型２６は第１の下型半体２８と第
２の下型半体２９とによりなり、第１の下型半体２８は
第２の下型半体２９の内部に配設された構成とされてい
る。この第１及び第２の下型半体２８，２９は、夫々図
示しない昇降機構により矢印Ｚ１，Ｚ２方向に独立して
移動可能な構成とされている。
２の下型半体２９とによりなり、第１の下型半体２８は
第２の下型半体２９の内部に配設された構成とされてい
る。この第１及び第２の下型半体２８，２９は、夫々図
示しない昇降機構により矢印Ｚ１，Ｚ２方向に独立して
移動可能な構成とされている。
【００５０】また、本実施例では、第１の下型半体２８
の上面に形成されたキャビティ面３０に樹脂フィルム３
１が配設され、この樹脂フィルム３１の上部に封止樹脂
２７が載置されて樹脂封止処理が行なわれる。ここで用
いる樹脂フィルム３１は、例えばポリイミド，塩化ビニ
ール，ＰＣ，Ｐｅｔ，静分解性樹脂を用いることが可能
であり、後述する樹脂成形時に印加される熱により劣化
しない材料が選定されている。
の上面に形成されたキャビティ面３０に樹脂フィルム３
１が配設され、この樹脂フィルム３１の上部に封止樹脂
２７が載置されて樹脂封止処理が行なわれる。ここで用
いる樹脂フィルム３１は、例えばポリイミド，塩化ビニ
ール，ＰＣ，Ｐｅｔ，静分解性樹脂を用いることが可能
であり、後述する樹脂成形時に印加される熱により劣化
しない材料が選定されている。
【００５１】樹脂封止工程では、先ず半導体素子１１が
搭載された配線基板１２を金型２４に装着する。具体的
には、上型２５と第２の下型半体２９とを離間させ、両
者の間に配線基板１２を装着する。続いて、上型２５と
第２の下型半体２９とが近接するよう移動させて、上型
２５と第２の下型半体２９とにより配線基板１２を挟持
する。図２は、上型２５と第２の下型半体２９との間に
配線基板１２を挟持させることにより、配線基板１２が
金型２４に装着された状態を示している。
搭載された配線基板１２を金型２４に装着する。具体的
には、上型２５と第２の下型半体２９とを離間させ、両
者の間に配線基板１２を装着する。続いて、上型２５と
第２の下型半体２９とが近接するよう移動させて、上型
２５と第２の下型半体２９とにより配線基板１２を挟持
する。図２は、上型２５と第２の下型半体２９との間に
配線基板１２を挟持させることにより、配線基板１２が
金型２４に装着された状態を示している。
【００５２】また、第１の下型半体２８上に載置された
封止樹脂２７は、例えばポリイミド，エポキシ（ＰＰ
Ｓ，ＰＥＥＫ，ＰＥＳ及び耐熱性液晶樹脂等の熱可塑性
樹脂）等の樹脂であり、本実施例においてはこの樹脂を
円柱形状に成形した構成のものを用いている。また、封
止樹脂２７の載置位置は、配線基板１２に搭載された半
導体素子１１と対向するように、第１の下型半体２８の
略中央位置に選定されている。
封止樹脂２７は、例えばポリイミド，エポキシ（ＰＰ
Ｓ，ＰＥＥＫ，ＰＥＳ及び耐熱性液晶樹脂等の熱可塑性
樹脂）等の樹脂であり、本実施例においてはこの樹脂を
円柱形状に成形した構成のものを用いている。また、封
止樹脂２７の載置位置は、配線基板１２に搭載された半
導体素子１１と対向するように、第１の下型半体２８の
略中央位置に選定されている。
【００５３】上記のように配線基板１２が金型２４に装
着されると、続いて封止樹脂２７のの圧縮形成処理が実
施される。圧縮形成処理が開始されると、金型２４によ
る加熱により封止樹脂２７が溶融しうる温度まで昇温し
たことを確認した上で、第１の下型半体２８がＺ２方向
に上動される。
着されると、続いて封止樹脂２７のの圧縮形成処理が実
施される。圧縮形成処理が開始されると、金型２４によ
る加熱により封止樹脂２７が溶融しうる温度まで昇温し
たことを確認した上で、第１の下型半体２８がＺ２方向
に上動される。
【００５４】第１の下型半体２８をＺ２方向に上動する
ことにより過熱され溶融した封止樹脂２７も上動し、や
がて封止樹脂２７は配線基板１２に至る。そして、更に
第１の下型半体２８が上動することにより封止樹脂２７
は圧縮され、インナーリード部２０と半導体素子１１と
の離間部分等よりキャビティ２３内に封止樹脂２７はは
進入する。
ことにより過熱され溶融した封止樹脂２７も上動し、や
がて封止樹脂２７は配線基板１２に至る。そして、更に
第１の下型半体２８が上動することにより封止樹脂２７
は圧縮され、インナーリード部２０と半導体素子１１と
の離間部分等よりキャビティ２３内に封止樹脂２７はは
進入する。
【００５５】この際、上記のように封止樹脂２７は第１
の下型半体２８に押圧されることにより圧縮されてお
り、この圧縮率にをもって封止樹脂２７はキャビティ２
３内に進行する。上記樹脂封止処理を行なうことによ
り、図１に示されるように、キャビティ２３内及び半導
体素子１１の上部に封止樹脂１５が形成され、これによ
り半導体素子１１，バンプ電極１６，及びインナーリー
ド部２０は封止樹脂１５により保護さたれ状態となる。
の下型半体２８に押圧されることにより圧縮されてお
り、この圧縮率にをもって封止樹脂２７はキャビティ２
３内に進行する。上記樹脂封止処理を行なうことによ
り、図１に示されるように、キャビティ２３内及び半導
体素子１１の上部に封止樹脂１５が形成され、これによ
り半導体素子１１，バンプ電極１６，及びインナーリー
ド部２０は封止樹脂１５により保護さたれ状態となる。
【００５６】上記のように、本実施例の樹脂封止工程で
は、封止樹脂２７は金型２４内で圧縮されつつ樹脂成形
されることとなる（この樹脂成形法を圧縮成形法とい
う）。このように封止樹脂２７を圧縮形成法を用いて成
形することにより、半導体素子１１と配線基板１２との
間に形成される狭い隙間部分にも確実に樹脂を充填する
ことができる。
は、封止樹脂２７は金型２４内で圧縮されつつ樹脂成形
されることとなる（この樹脂成形法を圧縮成形法とい
う）。このように封止樹脂２７を圧縮形成法を用いて成
形することにより、半導体素子１１と配線基板１２との
間に形成される狭い隙間部分にも確実に樹脂を充填する
ことができる。
【００５７】また、圧縮形成法では成形圧力が低くてよ
いため、樹脂成形時に配線基板２４に変形が生じたり、
また半導体素子１１と配線基板１２との電気的接続部位
（即ち、バンプ電極１６とインナーリード部２０との接
続位置）に負荷が印加されることを防止できる。これに
より、樹脂封止工程において、半導体素子１１と配線基
板１２との接続が切断されることを防止することがで
き、信頼性の高い樹脂封止処理を行なうことができる。
いため、樹脂成形時に配線基板２４に変形が生じたり、
また半導体素子１１と配線基板１２との電気的接続部位
（即ち、バンプ電極１６とインナーリード部２０との接
続位置）に負荷が印加されることを防止できる。これに
より、樹脂封止工程において、半導体素子１１と配線基
板１２との接続が切断されることを防止することがで
き、信頼性の高い樹脂封止処理を行なうことができる。
【００５８】尚、上記樹脂封止工程を実施する際、第１
の下型半体２８の上昇速度が速いと圧縮成形による成形
圧力が急激に増大し、バンプ電極１６とインナーリード
部２０との接続位置等に損傷が発生するおそれがある。
また、第１の下型半体２８の上昇速度が遅いと、成形圧
力が低くなることにより封止樹脂２７が装填されない箇
所が発生したり、また樹脂封止に時間がかかるために製
造効率が低下することが考えられる。そこで、第１の下
型半体２８の移動速度は、上記した相反する問題点が共
に発生しない適正な速度に選定されている。
の下型半体２８の上昇速度が速いと圧縮成形による成形
圧力が急激に増大し、バンプ電極１６とインナーリード
部２０との接続位置等に損傷が発生するおそれがある。
また、第１の下型半体２８の上昇速度が遅いと、成形圧
力が低くなることにより封止樹脂２７が装填されない箇
所が発生したり、また樹脂封止に時間がかかるために製
造効率が低下することが考えられる。そこで、第１の下
型半体２８の移動速度は、上記した相反する問題点が共
に発生しない適正な速度に選定されている。
【００５９】上記のように封止樹脂１５が形成される
と、続いて配線基板１２を金型２４から取り外す処理が
実施される。配線基板１２を金型２４から取り外すに
は、先ず第１の下型半体２８をＺ１方向に下動させる。
この際、第１の下型半体２８のキャビティ面３０には離
型性の良好な樹脂フィルム３１が配設されているため、
第１の下型半体２８は封止樹脂１５から容易に離間す
る。
と、続いて配線基板１２を金型２４から取り外す処理が
実施される。配線基板１２を金型２４から取り外すに
は、先ず第１の下型半体２８をＺ１方向に下動させる。
この際、第１の下型半体２８のキャビティ面３０には離
型性の良好な樹脂フィルム３１が配設されているため、
第１の下型半体２８は封止樹脂１５から容易に離間す
る。
【００６０】上記のように第１の下型半体２８が封止樹
脂１５から離間すると、続いて上型２５と第２の下型半
体２９は互いに離間する方向に移動し、これにより配線
基板１２を金型２４から取り外すことが可能となる。
尚、第１の下型半体２８を移動させるタイミングと、第
２の下型半体２９及び上型２５を移動させるタイミング
は、同じタイミングとしても特に問題が発生するような
ことはない。
脂１５から離間すると、続いて上型２５と第２の下型半
体２９は互いに離間する方向に移動し、これにより配線
基板１２を金型２４から取り外すことが可能となる。
尚、第１の下型半体２８を移動させるタイミングと、第
２の下型半体２９及び上型２５を移動させるタイミング
は、同じタイミングとしても特に問題が発生するような
ことはない。
【００６１】上記のように配線基板１２が金型２４から
取り外されると、続いて配線基板１２に突起電極１４が
形成される。この突起電極１４の形成方法は種々ある
が、本実施例では半田ボールを予め製造しておき、この
半田ボールを配線基板１２に形成されている接続孔１９
ａに転写した上で過熱処理しリード１８に接合させる転
写法が用いられている。上記した一連の製造方法を経る
ことにより、図１に示される半導体装置が製造される。
取り外されると、続いて配線基板１２に突起電極１４が
形成される。この突起電極１４の形成方法は種々ある
が、本実施例では半田ボールを予め製造しておき、この
半田ボールを配線基板１２に形成されている接続孔１９
ａに転写した上で過熱処理しリード１８に接合させる転
写法が用いられている。上記した一連の製造方法を経る
ことにより、図１に示される半導体装置が製造される。
【００６２】一方、図３は図１に示した半導体装置１０
を製造する際に実施される樹脂封止工程の第２実施例を
示している。図３において、図２に示した構成と同一構
成については同一符号を附してその説明を省略する。図
１に示した樹脂封止工程では、離型性を向上させるため
の樹脂フィルム３１は、第１の下型半体２８のキャビテ
ィ面３０のみに配設された構成とされていた。しかる
に、図２に示されるように、上型２５のキャビティ面２
５ａも封止樹脂１５と接触する部位を有している。
を製造する際に実施される樹脂封止工程の第２実施例を
示している。図３において、図２に示した構成と同一構
成については同一符号を附してその説明を省略する。図
１に示した樹脂封止工程では、離型性を向上させるため
の樹脂フィルム３１は、第１の下型半体２８のキャビテ
ィ面３０のみに配設された構成とされていた。しかる
に、図２に示されるように、上型２５のキャビティ面２
５ａも封止樹脂１５と接触する部位を有している。
【００６３】このため、本実施例に係る樹脂封止工程で
は、上型２５のキャビティ面２５ａにも離型性の良好な
樹脂フィルム３２を配設したことを特徴とするものであ
る。この樹脂フィルム３２の材質は、前記した樹脂フィ
ルム３１の材質と同じものでよい。また、樹脂フィルム
３２を配設するには、配線基板１２を金型２４に装着す
る前に、予め樹脂フィルム３２を上型２５のキャビティ
面２５ａに配設しておき、その上で配線基板１２を上型
２５と第２の下型半体２９により挟持させる。
は、上型２５のキャビティ面２５ａにも離型性の良好な
樹脂フィルム３２を配設したことを特徴とするものであ
る。この樹脂フィルム３２の材質は、前記した樹脂フィ
ルム３１の材質と同じものでよい。また、樹脂フィルム
３２を配設するには、配線基板１２を金型２４に装着す
る前に、予め樹脂フィルム３２を上型２５のキャビティ
面２５ａに配設しておき、その上で配線基板１２を上型
２５と第２の下型半体２９により挟持させる。
【００６４】このように、樹脂フィルム３２を配設する
のに特に処理が増えるようなことはなく、かつ封止樹脂
１５が形成され配線基板１２を金型２４から離型する際
には、封止樹脂１５を上型２５のキャビティ面２５ａか
ら容易に離間させることができる。
のに特に処理が増えるようなことはなく、かつ封止樹脂
１５が形成され配線基板１２を金型２４から離型する際
には、封止樹脂１５を上型２５のキャビティ面２５ａか
ら容易に離間させることができる。
【００６５】続いて、本発明の第２実施例である半導体
装置について説明する。図４は本発明の第２実施例であ
る半導体装置１０Ａを示している。尚、図４において図
１に示した第１実施例に係る半導体装置１０と同一構成
については同一符号を附してその説明を省略する。
装置について説明する。図４は本発明の第２実施例であ
る半導体装置１０Ａを示している。尚、図４において図
１に示した第１実施例に係る半導体装置１０と同一構成
については同一符号を附してその説明を省略する。
【００６６】本実施例に係る半導体装置１０Ａは、封止
樹脂１５の実装側面（図中下面）に放熱板３３を設けた
ことを特徴とするものである。この放熱板３３は、例え
ばアルミニウム等の放熱特性の良好な金属により形成さ
れている。このように、半導体素子１１を封止する封止
樹脂１５に放熱板３３を配設することにより、半導体素
子１１で発生した熱は放熱板３３を介して効率よく放熱
される。よって、半導体素子１１の温度上昇を抑制する
ことができ、半導体装置１０Ａの作動時における信頼性
を向上することができる。
樹脂１５の実装側面（図中下面）に放熱板３３を設けた
ことを特徴とするものである。この放熱板３３は、例え
ばアルミニウム等の放熱特性の良好な金属により形成さ
れている。このように、半導体素子１１を封止する封止
樹脂１５に放熱板３３を配設することにより、半導体素
子１１で発生した熱は放熱板３３を介して効率よく放熱
される。よって、半導体素子１１の温度上昇を抑制する
ことができ、半導体装置１０Ａの作動時における信頼性
を向上することができる。
【００６７】また、本実施例に係る半導体装置１０Ａ
は、前記した第１実施例に係る半導体装置１０に対し、
配線基板１２の配設向きが上下逆となっている。即ち、
最下層にベースフィルム１７が配設され、その上にリー
ド１８，絶縁膜１９が順次積層された構成とされてい
る。
は、前記した第１実施例に係る半導体装置１０に対し、
配線基板１２の配設向きが上下逆となっている。即ち、
最下層にベースフィルム１７が配設され、その上にリー
ド１８，絶縁膜１９が順次積層された構成とされてい
る。
【００６８】従って、絶縁膜１９が接着剤２２により枠
体１３に接合されており、また突起電極１４が配設され
る接続孔１７ｂはベースフィルム１７に形成されてい
る。このように、配線基板１２の配設向きは、接続孔１
７ｂ，１９ａの形成位置を適宜選定することにより、ベ
ースフィルム１７を上側としても、逆に絶縁膜１９を上
側としても構わない。
体１３に接合されており、また突起電極１４が配設され
る接続孔１７ｂはベースフィルム１７に形成されてい
る。このように、配線基板１２の配設向きは、接続孔１
７ｂ，１９ａの形成位置を適宜選定することにより、ベ
ースフィルム１７を上側としても、逆に絶縁膜１９を上
側としても構わない。
【００６９】図５及び図６は、図４に示した半導体装置
１０Ａの製造工程の内、樹脂封止工程を説明するための
図である。尚、図５及び図６において、図２及び図３に
示した構成と同一構成については同一符号を附してその
説明を省略する。図５に示す樹脂封止工程では、図２に
示した樹脂フィルム３１に代えて、放熱板３３を第１の
下型半体２８のキャビティ面３０上に配設したことを特
徴とするものである。従って、封止樹脂２７は放熱板３
３の上部に載置されている。また、放熱板３３の大きさ
はキャビティ面３０の大きさに比べて若干小さく設定さ
れているため、放熱板３３を配設することにより第１の
下型半体２８の移動が阻害されるようなことはない。
１０Ａの製造工程の内、樹脂封止工程を説明するための
図である。尚、図５及び図６において、図２及び図３に
示した構成と同一構成については同一符号を附してその
説明を省略する。図５に示す樹脂封止工程では、図２に
示した樹脂フィルム３１に代えて、放熱板３３を第１の
下型半体２８のキャビティ面３０上に配設したことを特
徴とするものである。従って、封止樹脂２７は放熱板３
３の上部に載置されている。また、放熱板３３の大きさ
はキャビティ面３０の大きさに比べて若干小さく設定さ
れているため、放熱板３３を配設することにより第１の
下型半体２８の移動が阻害されるようなことはない。
【００７０】上記のように放熱板３３が配設された金型
２４を用いた封止樹脂２７の圧縮成形処理は、基本的に
は図２を用いて説明した圧縮成形処理と同様である。但
し、封止樹脂２７は第１の下型半体２８の上動に伴い上
動する放熱板３３に押圧されて圧縮成形される。
２４を用いた封止樹脂２７の圧縮成形処理は、基本的に
は図２を用いて説明した圧縮成形処理と同様である。但
し、封止樹脂２７は第１の下型半体２８の上動に伴い上
動する放熱板３３に押圧されて圧縮成形される。
【００７１】この際、放熱板３３と封止樹脂２７の離型
性は良好ではなく、かつ放熱板３３は単に金属製の第１
の下型半体２８に載置されただけであるため、封止樹脂
１５の成形後に第１の下型半体２８を下動させると、放
熱板３３は封止樹脂１５に付着した状態となる。即ち、
樹脂封止工程を実施することにより、放熱板３３を封止
樹脂１５に配設する処理を同時に行なうことができ、よ
って放熱板３３を有した半導体装置１０Ａを容易に製造
することができる。
性は良好ではなく、かつ放熱板３３は単に金属製の第１
の下型半体２８に載置されただけであるため、封止樹脂
１５の成形後に第１の下型半体２８を下動させると、放
熱板３３は封止樹脂１５に付着した状態となる。即ち、
樹脂封止工程を実施することにより、放熱板３３を封止
樹脂１５に配設する処理を同時に行なうことができ、よ
って放熱板３３を有した半導体装置１０Ａを容易に製造
することができる。
【００７２】図６に示す樹脂封止工程では、放熱板３３
を第１の下型半体２８のキャビティ面３０上に配設する
と共に、図３に示したと同様に上型２５のキャビティ面
２５ａに離型性の良好な樹脂フィルム３２を配設したこ
とを特徴とするものである。よって、本実施例の樹脂封
止工程によっても放熱板３３を有した半導体装置１０Ａ
を容易に製造することができ、かつ封止樹脂１５を上型
２５のキャビティ面２５ａから容易に離間させることが
できる。
を第１の下型半体２８のキャビティ面３０上に配設する
と共に、図３に示したと同様に上型２５のキャビティ面
２５ａに離型性の良好な樹脂フィルム３２を配設したこ
とを特徴とするものである。よって、本実施例の樹脂封
止工程によっても放熱板３３を有した半導体装置１０Ａ
を容易に製造することができ、かつ封止樹脂１５を上型
２５のキャビティ面２５ａから容易に離間させることが
できる。
【００７３】続いて、本発明の第３実施例である半導体
装置について説明する。図７は本発明の第３実施例であ
る半導体装置１０Ｂを示している。尚、図７において図
１に示した第１実施例に係る半導体装置１０と同一構成
については同一符号を附してその説明を省略する。
装置について説明する。図７は本発明の第３実施例であ
る半導体装置１０Ｂを示している。尚、図７において図
１に示した第１実施例に係る半導体装置１０と同一構成
については同一符号を附してその説明を省略する。
【００７４】本実施例に係る半導体装置１０Ｂは、第２
実施例に係る半導体装置１０Ａと同様に封止樹脂１５の
実装側面（図中下面）に第１の放熱板３３を設けると共
に、枠体１３の上面側に第２の放熱板３４を設けたこと
を特徴とするものである。この第２の放熱板３４も第１
の放熱板３３と同様に、例えばアルミニウム等の放熱特
性の良好な金属により形成されている。
実施例に係る半導体装置１０Ａと同様に封止樹脂１５の
実装側面（図中下面）に第１の放熱板３３を設けると共
に、枠体１３の上面側に第２の放熱板３４を設けたこと
を特徴とするものである。この第２の放熱板３４も第１
の放熱板３３と同様に、例えばアルミニウム等の放熱特
性の良好な金属により形成されている。
【００７５】このように、半導体素子１１を挟んでその
上部及び下部に夫々放熱板３３，３４を配設することに
より、半導体素子１１で発生した熱をより効率的に放熱
することができ、半導体装置１０Ｂの信頼性を向上する
ことができる。また、第２の放熱板３４が配設される枠
体１３の材料を放熱性の良好な材質に選定しておくこと
により、更に半導体装置１０Ｂの放熱特性を向上させる
ことができる。
上部及び下部に夫々放熱板３３，３４を配設することに
より、半導体素子１１で発生した熱をより効率的に放熱
することができ、半導体装置１０Ｂの信頼性を向上する
ことができる。また、第２の放熱板３４が配設される枠
体１３の材料を放熱性の良好な材質に選定しておくこと
により、更に半導体装置１０Ｂの放熱特性を向上させる
ことができる。
【００７６】一方、本実施例に係る半導体装置１０Ｂで
は、半導体素子１１と配線基板１２とを電気的に接続す
る手段としてワイヤ３５を用いている。このため、半導
体素子１１と配線基板１２とを接続する方法としては、
先ず第２の放熱板３４を枠体１３の上面に例えば接着剤
（図示せず）を用いて接合し、枠体１３に形成されたキ
ャビティ２３に第２の放熱板３４による底部が形成され
た構成とする。
は、半導体素子１１と配線基板１２とを電気的に接続す
る手段としてワイヤ３５を用いている。このため、半導
体素子１１と配線基板１２とを接続する方法としては、
先ず第２の放熱板３４を枠体１３の上面に例えば接着剤
（図示せず）を用いて接合し、枠体１３に形成されたキ
ャビティ２３に第２の放熱板３４による底部が形成され
た構成とする。
【００７７】続いて、このキャビティ２３内の第２の放
熱板３４に接着剤３６を用いて半導体素子１１を接着す
ると共に、枠体１３の図中下面に配線基板１２を接着す
る。そして、枠体１３に第２の放熱板３４及び配線基板
１２が配設された上で、配線基板１２のリード１８と半
導体素子１１との間にワイヤボンディング法を用いてワ
イヤ３５を配設する。
熱板３４に接着剤３６を用いて半導体素子１１を接着す
ると共に、枠体１３の図中下面に配線基板１２を接着す
る。そして、枠体１３に第２の放熱板３４及び配線基板
１２が配設された上で、配線基板１２のリード１８と半
導体素子１１との間にワイヤボンディング法を用いてワ
イヤ３５を配設する。
【００７８】そして、このワイヤボンディング処理が終
了すると、前記した実施例と同様に圧縮成形法により封
止樹脂１５を形成する。この圧縮成形の際、前記したよ
うに、半導体素子１１及び枠体１３の上部に放熱板３４
が配設されているため、封止樹脂１５が直接上型２５と
接触することはなく、よって離型性を向上させることが
できる。
了すると、前記した実施例と同様に圧縮成形法により封
止樹脂１５を形成する。この圧縮成形の際、前記したよ
うに、半導体素子１１及び枠体１３の上部に放熱板３４
が配設されているため、封止樹脂１５が直接上型２５と
接触することはなく、よって離型性を向上させることが
できる。
【００７９】尚、前記した実施例における放熱板３４
は、半導体素子１１がさほど発熱しないものの場合に
は、必ずしも放熱性の高い材質を選定する必要はなく、
放熱性の低い材質を用いてもよい。続いて、本発明の第
４実施例である半導体装置について説明する。
は、半導体素子１１がさほど発熱しないものの場合に
は、必ずしも放熱性の高い材質を選定する必要はなく、
放熱性の低い材質を用いてもよい。続いて、本発明の第
４実施例である半導体装置について説明する。
【００８０】図８は本発明の第４実施例である半導体装
置１０Ｃを示している。尚、図８において図７に示した
第３実施例に係る半導体装置１０Ｂと同一構成について
は同一符号を附してその説明を省略する。本実施例に係
る半導体装置１０Ｃに設けられた枠体１３Ａは、図７を
用いて説明した半導体装置１０Ｂにおける第２の放熱板
３４と枠体１３とを一体化した構成とされている。従っ
て、枠体１３Ａに形成されるキャビティ２３Ａは、底部
３７を有した有底形状とされている。
置１０Ｃを示している。尚、図８において図７に示した
第３実施例に係る半導体装置１０Ｂと同一構成について
は同一符号を附してその説明を省略する。本実施例に係
る半導体装置１０Ｃに設けられた枠体１３Ａは、図７を
用いて説明した半導体装置１０Ｂにおける第２の放熱板
３４と枠体１３とを一体化した構成とされている。従っ
て、枠体１３Ａに形成されるキャビティ２３Ａは、底部
３７を有した有底形状とされている。
【００８１】また、半導体素子１１はこの底部３７に接
着剤３６を用いて固定され、また配線基板１２は枠体１
３Ａの図中下面に配設される。従って、本実施例の構成
でも半導体素子１１と配線基板１２とのワイヤボンディ
ングが可能となる。上記した本実施例に係る半導体装置
１０Ｃの構成では、第３実施例に係る半導体装置１０Ｂ
に比べて部品点数及び製造工程が削減されるため、半導
体装置１０Ｃのコスト低減を図ることができる。尚、本
実施例の構成の半導体装置１０Ｃにおいても、封止樹脂
１５の形成方法として圧縮成形法を用いることができ
る。
着剤３６を用いて固定され、また配線基板１２は枠体１
３Ａの図中下面に配設される。従って、本実施例の構成
でも半導体素子１１と配線基板１２とのワイヤボンディ
ングが可能となる。上記した本実施例に係る半導体装置
１０Ｃの構成では、第３実施例に係る半導体装置１０Ｂ
に比べて部品点数及び製造工程が削減されるため、半導
体装置１０Ｃのコスト低減を図ることができる。尚、本
実施例の構成の半導体装置１０Ｃにおいても、封止樹脂
１５の形成方法として圧縮成形法を用いることができ
る。
【００８２】続いて、本発明の第５実施例である半導体
装置について説明する。図９は本発明の第４実施例であ
る半導体装置１０Ｄを示している。尚、図９において図
７に示した第３実施例に係る半導体装置１０Ｂと同一構
成については同一符号を附してその説明を省略する。
装置について説明する。図９は本発明の第４実施例であ
る半導体装置１０Ｄを示している。尚、図９において図
７に示した第３実施例に係る半導体装置１０Ｂと同一構
成については同一符号を附してその説明を省略する。
【００８３】本実施例に係る半導体装置１０Ｄは、半導
体素子１１を配線基板１２Ａの上部に搭載する構成とす
ることにより、突起電極１４を半導体素子１１の配設位
置の真下位置にも形成したことを特徴とするものであ
る。このため、本実施例に係る配線基板１２Ａは、上記
した各実施例に係る半導体装置１０〜１０Ｃと異なり、
装着孔１７ａは形成されていない。
体素子１１を配線基板１２Ａの上部に搭載する構成とす
ることにより、突起電極１４を半導体素子１１の配設位
置の真下位置にも形成したことを特徴とするものであ
る。このため、本実施例に係る配線基板１２Ａは、上記
した各実施例に係る半導体装置１０〜１０Ｃと異なり、
装着孔１７ａは形成されていない。
【００８４】本実施例のように配線基板１２Ａの上部に
半導体素子１１を搭載し、半導体素子１１の真下位置に
も突起電極１４を形成することにより、突起電極１４の
配設位置に自由度を持たせることができ、また半導体素
子１０Ｄの小型化を図ることができる。尚、本実施例の
構成の半導体装置１０Ｄにおいても、封止樹脂１５の形
成方法として圧縮成形法を用いることができる。
半導体素子１１を搭載し、半導体素子１１の真下位置に
も突起電極１４を形成することにより、突起電極１４の
配設位置に自由度を持たせることができ、また半導体素
子１０Ｄの小型化を図ることができる。尚、本実施例の
構成の半導体装置１０Ｄにおいても、封止樹脂１５の形
成方法として圧縮成形法を用いることができる。
【００８５】続いて、図１０を用いて樹脂封止工程の他
実施例について説明する。尚、図１０において、先に図
２を用いて説明した金型２４と同一構成については、同
一符号を附してその説明を省略する。本実施例に用いる
金型２４Ａも大略すると上型２５と下型２６Ａとにより
構成されている。但し、本実施例で用いる金型２４Ａ
は、複数（本実施例では２個）の封止樹脂１５を一括的
に形成することが可能な、いわゆる多連処理可能な構成
の金型である。
実施例について説明する。尚、図１０において、先に図
２を用いて説明した金型２４と同一構成については、同
一符号を附してその説明を省略する。本実施例に用いる
金型２４Ａも大略すると上型２５と下型２６Ａとにより
構成されている。但し、本実施例で用いる金型２４Ａ
は、複数（本実施例では２個）の封止樹脂１５を一括的
に形成することが可能な、いわゆる多連処理可能な構成
の金型である。
【００８６】上型２５は図２に示した金型２４に設けら
れていたものと略同一構成とされている。しかるに、上
記のように本実施例に係る金型２４Ａは多連処理可能な
構成であるため、その形状は大きく形成されている。ま
た、下型２６Ａは第１及び第２の下型半体２８，２９Ａ
とにより構成されており、第２の下型半体２９の内部に
は２個の第１の下型半体２８が配設された構成とされて
いる。
れていたものと略同一構成とされている。しかるに、上
記のように本実施例に係る金型２４Ａは多連処理可能な
構成であるため、その形状は大きく形成されている。ま
た、下型２６Ａは第１及び第２の下型半体２８，２９Ａ
とにより構成されており、第２の下型半体２９の内部に
は２個の第１の下型半体２８が配設された構成とされて
いる。
【００８７】また本実施例では、第２の下型半体２９Ａ
の中央位置に余剰樹脂を除去する余剰樹脂除去機構４０
が設けられている。この余剰樹脂除去機構４０は、大略
すると開口部４１，ポット部４２，及び圧力制御ロッド
４３等により構成されている。開口部４１は第２の下型
半体２９Ａに形成された壁部３８の上部に形成された開
口であり、この開口部４１はポット部４２と連通した構
成とされている。
の中央位置に余剰樹脂を除去する余剰樹脂除去機構４０
が設けられている。この余剰樹脂除去機構４０は、大略
すると開口部４１，ポット部４２，及び圧力制御ロッド
４３等により構成されている。開口部４１は第２の下型
半体２９Ａに形成された壁部３８の上部に形成された開
口であり、この開口部４１はポット部４２と連通した構
成とされている。
【００８８】ポット部４２はシリンダ構造を有してお
り、このポット部４２の内部にはピストン構造とされた
圧力制御ロッド４３が摺動可能に装着されている。この
圧力制御ロッド４３は、図示しない駆動機構に接続され
ており、図中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に第２の下型半体２９
Ａに対して昇降動作可能な構成とされている。
り、このポット部４２の内部にはピストン構造とされた
圧力制御ロッド４３が摺動可能に装着されている。この
圧力制御ロッド４３は、図示しない駆動機構に接続され
ており、図中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に第２の下型半体２９
Ａに対して昇降動作可能な構成とされている。
【００８９】続いて、上記構成とされた余剰樹脂除去機
構４０を具備した金型２４Ａを用いた樹脂封止工程につ
いて説明する。本実施例に係る樹脂封止工程が開始され
ると、先ず基板装着工程が実施される。基板装着工程で
は、配線基板１２を金型２４Ａに装着する。樹脂封止工
程の開始直後の状態では、下型２６Ａは上型２５に対し
てＺ１方向に下動した状態となっており、また余剰樹脂
除去機構４０を構成する圧力制御ロッド４３は上動限に
移動した状態となっている。
構４０を具備した金型２４Ａを用いた樹脂封止工程につ
いて説明する。本実施例に係る樹脂封止工程が開始され
ると、先ず基板装着工程が実施される。基板装着工程で
は、配線基板１２を金型２４Ａに装着する。樹脂封止工
程の開始直後の状態では、下型２６Ａは上型２５に対し
てＺ１方向に下動した状態となっており、また余剰樹脂
除去機構４０を構成する圧力制御ロッド４３は上動限に
移動した状態となっている。
【００９０】この状態の金型２４Ａに対し、先ず各第１
の下型半体２８の上部に樹脂フィルム３１を配設した上
で封止樹脂２７を載置する。続いて、第２の下型半体２
９Ａの上部に配線基板１２を搭載した上で、上型２５及
び下型２６Ａを互いが近接するよう移動させ、配線基板
１２を上型２５と下型２６Ａとの間にクランプする。図
１０は、配線基板１２を上型２５と下型２６Ａとの間に
クランプした状態を示している。この時点で、金型２４
Ａ内の第１の下型半体２８の上部にはキャビティ部３９
（空間部）が形成されるが、前記した余剰樹脂除去機構
４０を構成するポット部４２は開口部４１を介してキャ
ビティ部３９に連通した構成となっている。
の下型半体２８の上部に樹脂フィルム３１を配設した上
で封止樹脂２７を載置する。続いて、第２の下型半体２
９Ａの上部に配線基板１２を搭載した上で、上型２５及
び下型２６Ａを互いが近接するよう移動させ、配線基板
１２を上型２５と下型２６Ａとの間にクランプする。図
１０は、配線基板１２を上型２５と下型２６Ａとの間に
クランプした状態を示している。この時点で、金型２４
Ａ内の第１の下型半体２８の上部にはキャビティ部３９
（空間部）が形成されるが、前記した余剰樹脂除去機構
４０を構成するポット部４２は開口部４１を介してキャ
ビティ部３９に連通した構成となっている。
【００９１】上記のように、線基板１２がを上型２５と
下型２６Ａとの間にクランプされると、各第１の下型半
体２８はＺ２方向に上動を開始する。これにより、封止
樹脂２７はキャビティ部３９内で圧縮されつつ樹脂成形
される。この際、半導体素子１１を確実に樹脂封止する
ためには、第１の下型半体２８の移動速度を適正な速度
に設定する必要がある。第１の下型半体２８の移動速度
を適正化することは、換言すればキャビティ部３９内に
おける封止樹脂２７の圧縮圧力を適正化することと等価
である。
下型２６Ａとの間にクランプされると、各第１の下型半
体２８はＺ２方向に上動を開始する。これにより、封止
樹脂２７はキャビティ部３９内で圧縮されつつ樹脂成形
される。この際、半導体素子１１を確実に樹脂封止する
ためには、第１の下型半体２８の移動速度を適正な速度
に設定する必要がある。第１の下型半体２８の移動速度
を適正化することは、換言すればキャビティ部３９内に
おける封止樹脂２７の圧縮圧力を適正化することと等価
である。
【００９２】本実施例では、金型２４Ａに余剰樹脂除去
機構４０を設けることにより、第１の下型半体２８の移
動速度に加え、圧力制御ロッド４３を上下駆動すること
によっても封止樹脂２７の圧縮圧力を制御しうる構成と
されている。具体的には、圧力制御ロッド４３を下動さ
せることによりキャビティ部３９内における封止樹脂２
７の圧力は低くなり、また圧力制御ロッド４３を上動さ
せることによりキャビティ部３９内における封止樹脂２
７の圧力は高くなる。
機構４０を設けることにより、第１の下型半体２８の移
動速度に加え、圧力制御ロッド４３を上下駆動すること
によっても封止樹脂２７の圧縮圧力を制御しうる構成と
されている。具体的には、圧力制御ロッド４３を下動さ
せることによりキャビティ部３９内における封止樹脂２
７の圧力は低くなり、また圧力制御ロッド４３を上動さ
せることによりキャビティ部３９内における封止樹脂２
７の圧力は高くなる。
【００９３】例えば、封止樹脂２７の樹脂量が形成しよ
うとする封止樹脂１５の容積よりも多く、余剰樹脂によ
りキャビティ部３９内の圧力が上昇した場合には、適正
な樹脂成形が行なえなくなるおそれがある。よって、こ
のような場合には余剰樹脂除去機構４０の圧力制御ロッ
ド４３をＺ１方向に下動させることにより、余剰樹脂を
開口部４１を介してポット部４２内に除去する。これに
より、余剰樹脂が発生したとしても、キャビティ部３９
内の圧力を低下させることができる。
うとする封止樹脂１５の容積よりも多く、余剰樹脂によ
りキャビティ部３９内の圧力が上昇した場合には、適正
な樹脂成形が行なえなくなるおそれがある。よって、こ
のような場合には余剰樹脂除去機構４０の圧力制御ロッ
ド４３をＺ１方向に下動させることにより、余剰樹脂を
開口部４１を介してポット部４２内に除去する。これに
より、余剰樹脂が発生したとしても、キャビティ部３９
内の圧力を低下させることができる。
【００９４】このように、余剰樹脂除去機構４０を設け
ることにより、封止樹脂２７の成形時に余剰樹脂の除去
処理を同時に行うことができ、常に適正な圧縮力で樹脂
成形することが可能となり、封止樹脂１５の成形処理を
良好に行なうことができる。また、余剰樹脂が金型２４
Ａから漏洩することを防止することができると共に、封
止樹脂２７の計量精度は前記した各実施例に比べて低く
てもかまわないため封止樹脂２７の計量の容易化を図る
ことができる。
ることにより、封止樹脂２７の成形時に余剰樹脂の除去
処理を同時に行うことができ、常に適正な圧縮力で樹脂
成形することが可能となり、封止樹脂１５の成形処理を
良好に行なうことができる。また、余剰樹脂が金型２４
Ａから漏洩することを防止することができると共に、封
止樹脂２７の計量精度は前記した各実施例に比べて低く
てもかまわないため封止樹脂２７の計量の容易化を図る
ことができる。
【００９５】尚、封止樹脂１５が形成されると、続いて
離型工程が実施され封止樹脂１５が形成された配線基板
１２は金型２４Ａから離型される。上記したように、本
実施例に係る樹脂封止工程によれば、樹脂成形時におい
てキャビティ部３９内の圧力を最適な圧力に制御すると
ができるため、封止樹脂１５内に空気が残留し気泡（ボ
イド）が発生することを防止できる。
離型工程が実施され封止樹脂１５が形成された配線基板
１２は金型２４Ａから離型される。上記したように、本
実施例に係る樹脂封止工程によれば、樹脂成形時におい
てキャビティ部３９内の圧力を最適な圧力に制御すると
ができるため、封止樹脂１５内に空気が残留し気泡（ボ
イド）が発生することを防止できる。
【００９６】いま、仮に封止樹脂１５に気泡が発生した
場合を想定すると、樹脂封止工程の後に加熱処理が行わ
れた場合、この気泡が膨張して封止樹脂１５にクラック
等の損傷が発生するおそれがある。しかるに、上記のよ
うに余剰樹脂除去機構４０を設けることにより、封止樹
脂１５に気泡が発生することを防止できるため、加熱時
に封止樹脂１５に損傷が発生するおそれれはなく、よっ
て半導体装置の信頼性を高めることができる。
場合を想定すると、樹脂封止工程の後に加熱処理が行わ
れた場合、この気泡が膨張して封止樹脂１５にクラック
等の損傷が発生するおそれがある。しかるに、上記のよ
うに余剰樹脂除去機構４０を設けることにより、封止樹
脂１５に気泡が発生することを防止できるため、加熱時
に封止樹脂１５に損傷が発生するおそれれはなく、よっ
て半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００９７】続いて、本発明の第６実施例乃至第１８実
施例に係る半導体装置及びその製造方法について説明す
る。尚、図１１乃至図２５において、図１及び図２に示
した第１実施例に係る半導体装置１０の構成と対応する
構成については同一符号を附してその説明を省略するも
のとする。
施例に係る半導体装置及びその製造方法について説明す
る。尚、図１１乃至図２５において、図１及び図２に示
した第１実施例に係る半導体装置１０の構成と対応する
構成については同一符号を附してその説明を省略するも
のとする。
【００９８】図１１は本発明の第６実施例である半導体
装置１０Ｅを示しており、図１２及び図１３は半導体装
置１０の製造方法を示している。第６実施例に係る半導
体装置１０Ｅは、配線基板４５に半導体素子１１の側方
に長く延出した延出部４６を形成し（図１２（Ａ）参
照）、この延出部４６を枠体１３に沿って折り曲げるこ
とにより枠体１３の上面側に引き出すと共に、枠体１３
の上面に位置する延出部４６に突起電極１４を形成した
ことを特徴とするものである。
装置１０Ｅを示しており、図１２及び図１３は半導体装
置１０の製造方法を示している。第６実施例に係る半導
体装置１０Ｅは、配線基板４５に半導体素子１１の側方
に長く延出した延出部４６を形成し（図１２（Ａ）参
照）、この延出部４６を枠体１３に沿って折り曲げるこ
とにより枠体１３の上面側に引き出すと共に、枠体１３
の上面に位置する延出部４６に突起電極１４を形成した
ことを特徴とするものである。
【００９９】本実施例で用いる配線基板４５は、第１実
施例に係る半導体装置１０に用いた配線基板１２と同様
に、ベースフィルム１７，リード１８及び絶縁膜１９と
により構成されている。しかるに、本実施例に係る配線
基板４５は、ベースフィルム１７の材質が第１実施例に
用いられているベースフィルムの材質に比べてより可撓
変形しやすい材質が選定されている。
施例に係る半導体装置１０に用いた配線基板１２と同様
に、ベースフィルム１７，リード１８及び絶縁膜１９と
により構成されている。しかるに、本実施例に係る配線
基板４５は、ベースフィルム１７の材質が第１実施例に
用いられているベースフィルムの材質に比べてより可撓
変形しやすい材質が選定されている。
【０１００】また、配線基板４５の枠体１３の下面と対
向する部分は、第１実施例と同様に接着剤２２を用いて
枠体１３に固定され、延出部４６は第２の接着剤４７に
より枠体１３の上面に固定される。従って、延出部４６
を枠体１３の上面に延出した構成としても、延出部４６
が枠体１３から剥がれるようなことはない。
向する部分は、第１実施例と同様に接着剤２２を用いて
枠体１３に固定され、延出部４６は第２の接着剤４７に
より枠体１３の上面に固定される。従って、延出部４６
を枠体１３の上面に延出した構成としても、延出部４６
が枠体１３から剥がれるようなことはない。
【０１０１】上記構成とされた半導体装置１０Ｅによれ
ば、突起電極１４は枠体１３の上面側に配設される構成
となり、また枠体１３の上面は放熱板３３等の他の構成
物は配設されないため、突起電極１４の形成位置を自由
度をもって設定することができる。更に、突起電極１４
が枠体１３の仮面側に配設される第１実施例の半導体装
置１０に比べて、装置形状の小型化を図ることができ
る。
ば、突起電極１４は枠体１３の上面側に配設される構成
となり、また枠体１３の上面は放熱板３３等の他の構成
物は配設されないため、突起電極１４の形成位置を自由
度をもって設定することができる。更に、突起電極１４
が枠体１３の仮面側に配設される第１実施例の半導体装
置１０に比べて、装置形状の小型化を図ることができ
る。
【０１０２】続いて、上記構成とされた半導体装置１０
Ｅの製造方法について説明する。半導体装置１０を製造
するには、先ず図１２（Ａ）及び図２６に示されるよう
な配線基板４５を作成する。この配線基板４５は、半導
体素子１１が搭載される矩形状の基部５１の外周四辺に
延出部４６が形成された構成とされている。
Ｅの製造方法について説明する。半導体装置１０を製造
するには、先ず図１２（Ａ）及び図２６に示されるよう
な配線基板４５を作成する。この配線基板４５は、半導
体素子１１が搭載される矩形状の基部５１の外周四辺に
延出部４６が形成された構成とされている。
【０１０３】また、基部５１の中央位置には半導体素子
１１が装着される装着孔４８（図２６に示される）が形
成されており、この装着孔４８の外周縁位置から延出部
４６の突起電極１４が配設される位置に形成されたラン
ド部４９までの間にはリード１８が形成されている。更
に、延出部４６の形状は、折り曲げた際に隣接する延出
部４６同志が係合しないよう台形形状とされている。
１１が装着される装着孔４８（図２６に示される）が形
成されており、この装着孔４８の外周縁位置から延出部
４６の突起電極１４が配設される位置に形成されたラン
ド部４９までの間にはリード１８が形成されている。更
に、延出部４６の形状は、折り曲げた際に隣接する延出
部４６同志が係合しないよう台形形状とされている。
【０１０４】尚、リード１８は絶縁膜１９により保護さ
れているが（図１３（Ｅ）参照）、ランド部４９の形成
位置、即ち突起電極１４の形成位置は絶縁膜１９は除去
され、リード１８が露出した構成となっている。また、
図２６は、図１２（Ａ）に示す配線基板４５を拡大して
示す図である。
れているが（図１３（Ｅ）参照）、ランド部４９の形成
位置、即ち突起電極１４の形成位置は絶縁膜１９は除去
され、リード１８が露出した構成となっている。また、
図２６は、図１２（Ａ）に示す配線基板４５を拡大して
示す図である。
【０１０５】上記構成とされた配線基板４５の上面側に
は、半導体素子１１がフリップチツプ接合されると共
に、枠体１３が接着剤２２を用いて接合される。この
際、本実施例で用いる枠体１３は、前記したように延出
部４６がその外周に配設されるため、第１実施例で用い
た枠体１３に比べて小さな形状とされている。尚、図１
２（Ａ）は、半導体素子１１が搭載された状態の配線基
板４５を示している。
は、半導体素子１１がフリップチツプ接合されると共
に、枠体１３が接着剤２２を用いて接合される。この
際、本実施例で用いる枠体１３は、前記したように延出
部４６がその外周に配設されるため、第１実施例で用い
た枠体１３に比べて小さな形状とされている。尚、図１
２（Ａ）は、半導体素子１１が搭載された状態の配線基
板４５を示している。
【０１０６】続いて、図１２（Ａ），（Ｂ）に示される
ように、半導体素子１１及び枠体１３が配設された配線
基板４５を金型２４に装着する。本実施例で用いている
金型２４Ｂは、上型２５Ａに半導体素子１１及び枠体１
３を収納するキャビテイ５０が形成されている。
ように、半導体素子１１及び枠体１３が配設された配線
基板４５を金型２４に装着する。本実施例で用いている
金型２４Ｂは、上型２５Ａに半導体素子１１及び枠体１
３を収納するキャビテイ５０が形成されている。
【０１０７】配線基板４５が金型２４Ｂに装着される
と、図１２（Ｃ）に示されるように、放熱板３３を介し
てその上部に封止樹脂２７が載置された第１の下型半体
２８は上動し、封止樹脂２７は圧縮成形される。これに
より、図１２（Ｄ）に示されるように、半導体素子１１
及び配線基板４５の下面所定範囲は封止樹脂１５により
封止された構成となる。また、同時に放熱板は封止樹脂
１５に接合された構成となる。
と、図１２（Ｃ）に示されるように、放熱板３３を介し
てその上部に封止樹脂２７が載置された第１の下型半体
２８は上動し、封止樹脂２７は圧縮成形される。これに
より、図１２（Ｄ）に示されるように、半導体素子１１
及び配線基板４５の下面所定範囲は封止樹脂１５により
封止された構成となる。また、同時に放熱板は封止樹脂
１５に接合された構成となる。
【０１０８】上記のように配線基板４５に封止樹脂１５
が形成されと、配線基板４５は金型２４Ｂから離型され
る。図１３（Ｅ）は、金型２４Ｂから離型された配線基
板４５を示している。同図に示されるように、配線基板
２４は、半導体素子１１が搭載された基部５１より側方
に長く延出した延出部４６が形成された構成となってい
る。この離型直後の状態では、基部５１及び延出部４６
は面一状態となっている。本実施例では、この延出部４
６の上面には第２の接着剤４７が塗布される。
が形成されと、配線基板４５は金型２４Ｂから離型され
る。図１３（Ｅ）は、金型２４Ｂから離型された配線基
板４５を示している。同図に示されるように、配線基板
２４は、半導体素子１１が搭載された基部５１より側方
に長く延出した延出部４６が形成された構成となってい
る。この離型直後の状態では、基部５１及び延出部４６
は面一状態となっている。本実施例では、この延出部４
６の上面には第２の接着剤４７が塗布される。
【０１０９】上記のように、配線基板４５に形成された
延出部４６の状面に第２の接着剤４７が塗布されると、
続いて延出部４６を折曲する折曲工程が実施される。折
曲工程では、図１３（Ｆ）に示されるように、延出部４
６を同図中矢印で示す方向に折曲処理を行い、この折曲
された延出部４６を第２の接着剤４７により枠体１３の
上面に接着する。
延出部４６の状面に第２の接着剤４７が塗布されると、
続いて延出部４６を折曲する折曲工程が実施される。折
曲工程では、図１３（Ｆ）に示されるように、延出部４
６を同図中矢印で示す方向に折曲処理を行い、この折曲
された延出部４６を第２の接着剤４７により枠体１３の
上面に接着する。
【０１１０】図１３（Ｇ）は、折曲工程が終了した状態
の配線基板４５を示している。同図に示されるように、
延出部４６を折曲形成して枠体１３の上面に引き出す構
成とすることにより、突起電極１４の形成位置であるラ
ンド部４９の形成位置は、枠体１３の上部に位置するこ
ととなる。
の配線基板４５を示している。同図に示されるように、
延出部４６を折曲形成して枠体１３の上面に引き出す構
成とすることにより、突起電極１４の形成位置であるラ
ンド部４９の形成位置は、枠体１３の上部に位置するこ
ととなる。
【０１１１】続いて、突起電極形成工程が実施され、前
記した枠体１３の上部に位置するランド部４９に、例え
ば転写法を用いて突起電極１４が形成され、図１１に示
す半導体装置１０Ｅが形成される。上記したように、本
実施例に係る半導体装置１０Ｅの製造方法も第１実施例
で説明した製造方法と同様に圧縮成形を用いて封止樹脂
１５の形成を行うことができるため、信頼性の高い半導
体装置１０Ｅを製造することができる。また、延出部４
６を枠体１３の上面に引き出す処理も、単に延出部４６
を折曲形成するだけで行えるため、容易に行うことがで
きる。
記した枠体１３の上部に位置するランド部４９に、例え
ば転写法を用いて突起電極１４が形成され、図１１に示
す半導体装置１０Ｅが形成される。上記したように、本
実施例に係る半導体装置１０Ｅの製造方法も第１実施例
で説明した製造方法と同様に圧縮成形を用いて封止樹脂
１５の形成を行うことができるため、信頼性の高い半導
体装置１０Ｅを製造することができる。また、延出部４
６を枠体１３の上面に引き出す処理も、単に延出部４６
を折曲形成するだけで行えるため、容易に行うことがで
きる。
【０１１２】続いて、本発明の第７実施例に係る半導体
装置及びその製造方法について説明する。図１４は本発
明の第７実施例である半導体装置１０Ｆ及びその製造方
法を説明するための図である。尚、図１４において、図
１１乃至図１３に示した構成と同一構成については同一
符号を付してその説明を省略する。
装置及びその製造方法について説明する。図１４は本発
明の第７実施例である半導体装置１０Ｆ及びその製造方
法を説明するための図である。尚、図１４において、図
１１乃至図１３に示した構成と同一構成については同一
符号を付してその説明を省略する。
【０１１３】図１４（Ｄ）は、本発明の第７実施例であ
る半導体装置１０Ｆを示している。本実施例に係る半導
体装置１０Ｆは、前記した第６実施例に係る半導体装置
１０Ｅと同一構成とされている。しかるに、その製造方
法において、図１４（Ａ），（Ｂ）に示されるように、
第２の接着剤４７を配線基板４５ではなく、枠体１３に
塗布しておく点で相違する。このように、第２の接着剤
４７の塗布位置は、第６実施例で示したように配線基板
４５に行っても、また本実施例のように枠体１３に塗布
してもかまわない。
る半導体装置１０Ｆを示している。本実施例に係る半導
体装置１０Ｆは、前記した第６実施例に係る半導体装置
１０Ｅと同一構成とされている。しかるに、その製造方
法において、図１４（Ａ），（Ｂ）に示されるように、
第２の接着剤４７を配線基板４５ではなく、枠体１３に
塗布しておく点で相違する。このように、第２の接着剤
４７の塗布位置は、第６実施例で示したように配線基板
４５に行っても、また本実施例のように枠体１３に塗布
してもかまわない。
【０１１４】続いて、本発明の第８実施例に係る半導体
装置及びその製造方法について説明する。図１５は本発
明の第８実施例である半導体装置１０Ｇ及びその製造方
法を説明するための図である。尚、図１５において、図
１１乃至図１３に示した構成と同一構成については同一
符号を付してその説明を省略する。
装置及びその製造方法について説明する。図１５は本発
明の第８実施例である半導体装置１０Ｇ及びその製造方
法を説明するための図である。尚、図１５において、図
１１乃至図１３に示した構成と同一構成については同一
符号を付してその説明を省略する。
【０１１５】図１５（Ｄ）は、本発明の第８実施例であ
る半導体装置１０Ｅを示している。本実施例に係る半導
体装置１０Ｇは、前記した第６及び第７実施例に係る半
導体装置１０Ｅ，１０Ｆに対し、配線基板４５の配置が
上下逆の構成となっている点で相違した構成とされてい
る。
る半導体装置１０Ｅを示している。本実施例に係る半導
体装置１０Ｇは、前記した第６及び第７実施例に係る半
導体装置１０Ｅ，１０Ｆに対し、配線基板４５の配置が
上下逆の構成となっている点で相違した構成とされてい
る。
【０１１６】即ち、図１５（Ａ）に示されるように、配
線基板４５は、下層側からベースフィルム１７，リード
１８，絶縁膜１９が順次積層された構成となっている。
従って、折曲形成を行い延出部４６が枠体１３の上部に
位置した際、突起電極１４をリード１８と接続するため
の接続孔１７ｂは、ベースフィルム１７に形成されてい
る。
線基板４５は、下層側からベースフィルム１７，リード
１８，絶縁膜１９が順次積層された構成となっている。
従って、折曲形成を行い延出部４６が枠体１３の上部に
位置した際、突起電極１４をリード１８と接続するため
の接続孔１７ｂは、ベースフィルム１７に形成されてい
る。
【０１１７】本実施例のように、第６及び第７実施例に
係る半導体装置１０Ｅ，１０Ｆに対して配線基板４５が
上下逆に配設された構成としても、第６及び第７実施例
に係る半導体装置１０Ｅ，１０Ｆと同様の効果を有する
半導体装置１０Ｇを実現することができる。また、本実
施例の構成では、絶縁膜１９は必ずしも形成する必要は
なく、枠体１３及び各接着剤２２，４７の材質を電気的
に絶縁性を有する材質とすることにより、絶縁膜１９を
不要とすることができる。この場合、配線基板４５のコ
スト低減を図ることができる。
係る半導体装置１０Ｅ，１０Ｆに対して配線基板４５が
上下逆に配設された構成としても、第６及び第７実施例
に係る半導体装置１０Ｅ，１０Ｆと同様の効果を有する
半導体装置１０Ｇを実現することができる。また、本実
施例の構成では、絶縁膜１９は必ずしも形成する必要は
なく、枠体１３及び各接着剤２２，４７の材質を電気的
に絶縁性を有する材質とすることにより、絶縁膜１９を
不要とすることができる。この場合、配線基板４５のコ
スト低減を図ることができる。
【０１１８】続いて、本発明の第９実施例に係る半導体
装置及びその製造方法について説明する。図１６は本発
明の第９実施例である半導体装置１０Ｈ及びその製造方
法を説明するための図である。尚、図１６において、図
１１乃至図１３に示した構成と同一構成については同一
符号を付してその説明を省略する。
装置及びその製造方法について説明する。図１６は本発
明の第９実施例である半導体装置１０Ｈ及びその製造方
法を説明するための図である。尚、図１６において、図
１１乃至図１３に示した構成と同一構成については同一
符号を付してその説明を省略する。
【０１１９】図１６（Ｄ）は、本発明の第９実施例であ
る半導体装置１０Ｈを示している。本実施例に係る半導
体装置１０Ｈは、前記した第６乃至第８実施例に係る半
導体装置１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇでは延出部４６を枠体
１３の上面側に折曲していたのに対し、延出部４６を放
熱板３３側に折曲したことを特徴とするものである。
る半導体装置１０Ｈを示している。本実施例に係る半導
体装置１０Ｈは、前記した第６乃至第８実施例に係る半
導体装置１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇでは延出部４６を枠体
１３の上面側に折曲していたのに対し、延出部４６を放
熱板３３側に折曲したことを特徴とするものである。
【０１２０】図１６（Ａ）に示されるように、本実施例
で用いる配線基板４５は、上層側からベースフィルム１
７，リード１８，絶縁膜１９が順次積層された構成とな
っている。従って、延出部４６を放熱板３３側に折曲形
成した場合、ベースフィルム１７が半導体装置１０Ｈの
下面に露出し、絶縁膜１９が放熱板３３と対向した状態
となる。このため、ベースフィルム１７には突起電極１
４とリード１８とを接続するための接続孔１７ｂが形成
されている。また、延出部４６を放熱板３３に固定する
ために、絶縁膜１９には第２の接着剤４７が塗布されて
いる。
で用いる配線基板４５は、上層側からベースフィルム１
７，リード１８，絶縁膜１９が順次積層された構成とな
っている。従って、延出部４６を放熱板３３側に折曲形
成した場合、ベースフィルム１７が半導体装置１０Ｈの
下面に露出し、絶縁膜１９が放熱板３３と対向した状態
となる。このため、ベースフィルム１７には突起電極１
４とリード１８とを接続するための接続孔１７ｂが形成
されている。また、延出部４６を放熱板３３に固定する
ために、絶縁膜１９には第２の接着剤４７が塗布されて
いる。
【０１２１】上記のように接続孔１７ｂ及び第２の接着
剤４７が配設された配線基板４５は、延出部４６が図１
６（Ｂ）に矢印で示すように放熱板３３側に折り曲げら
れる。これにより、延出部４６は第２の接着剤４７によ
り放熱板３３に固定されると共に、接続孔１７ｂは下方
に開口した状態となる。続いて、接続孔１７ｂに転写法
等を用いてリード１８と電気的に接続した状態の突起電
極１４を形成する。これにより、図１６（Ｄ）に示され
る半導体装置１０Ｈが製造される。
剤４７が配設された配線基板４５は、延出部４６が図１
６（Ｂ）に矢印で示すように放熱板３３側に折り曲げら
れる。これにより、延出部４６は第２の接着剤４７によ
り放熱板３３に固定されると共に、接続孔１７ｂは下方
に開口した状態となる。続いて、接続孔１７ｂに転写法
等を用いてリード１８と電気的に接続した状態の突起電
極１４を形成する。これにより、図１６（Ｄ）に示され
る半導体装置１０Ｈが製造される。
【０１２２】上記製造方法により製造される半導体装置
１０Ｈは、延出部４６が放熱板３３の下部に位置する構
成となるため、半導体素子１１が外部に露出した構成と
なる。このため、半導体素子１１で発生する熱を効率よ
く放熱することが可能となり、半導体装置１０Ｈの放熱
特性を向上させることができる。
１０Ｈは、延出部４６が放熱板３３の下部に位置する構
成となるため、半導体素子１１が外部に露出した構成と
なる。このため、半導体素子１１で発生する熱を効率よ
く放熱することが可能となり、半導体装置１０Ｈの放熱
特性を向上させることができる。
【０１２３】尚、本実施例に係る半導体装置１０Ｈにお
いても、延出部４６が折曲され、この折曲部分に突起電
極１４が形成されるため、半導体装置１０Ｈの小型化を
図ることができる。続いて、本発明の第１０実施例に係
る半導体装置及びその製造方法について説明する。図１
７は本発明の第１０実施例である半導体装置１０Ｉ及び
その製造方法を説明するための図である。尚、図１７に
おいて、図１１乃至図１３に示した構成と同一構成につ
いては同一符号を付してその説明を省略する。
いても、延出部４６が折曲され、この折曲部分に突起電
極１４が形成されるため、半導体装置１０Ｈの小型化を
図ることができる。続いて、本発明の第１０実施例に係
る半導体装置及びその製造方法について説明する。図１
７は本発明の第１０実施例である半導体装置１０Ｉ及び
その製造方法を説明するための図である。尚、図１７に
おいて、図１１乃至図１３に示した構成と同一構成につ
いては同一符号を付してその説明を省略する。
【０１２４】図１７（Ｄ）は、本発明の第１０実施例で
ある半導体装置１０Ｉを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｉは、前記した第９実施例に係る半導体装
置１０Ｈと同一構成とされている。しかるに、その製造
方法において、図１７（Ａ），（Ｂ）に示されるよう
に、第２の接着剤４７を配線基板４５ではなく、放熱板
３３に塗布しておく点で相違する。このように、第２の
接着剤４７の塗布位置は、第９実施例で示したように配
線基板４５に行っても、また本実施例のように放熱板３
３に塗布してもかまわない。
ある半導体装置１０Ｉを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｉは、前記した第９実施例に係る半導体装
置１０Ｈと同一構成とされている。しかるに、その製造
方法において、図１７（Ａ），（Ｂ）に示されるよう
に、第２の接着剤４７を配線基板４５ではなく、放熱板
３３に塗布しておく点で相違する。このように、第２の
接着剤４７の塗布位置は、第９実施例で示したように配
線基板４５に行っても、また本実施例のように放熱板３
３に塗布してもかまわない。
【０１２５】続いて、本発明の第１１実施例に係る半導
体装置及びその製造方法について説明する。図１８は本
発明の第１１実施例である半導体装置１０Ｊ及びその製
造方法を説明するための図である。尚、図１８におい
て、図１１乃至図１３及び図１７に示した構成と同一構
成については同一符号を付してその説明を省略する。
体装置及びその製造方法について説明する。図１８は本
発明の第１１実施例である半導体装置１０Ｊ及びその製
造方法を説明するための図である。尚、図１８におい
て、図１１乃至図１３及び図１７に示した構成と同一構
成については同一符号を付してその説明を省略する。
【０１２６】図１８（Ｄ）は、本発明の第１１実施例で
ある半導体装置１０Ｊを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｊは、先に図１７を用いて説明した半導体
装置１０Ｉに放熱フィン５２を配設した構造を有するこ
とを特徴とするものである。この放熱フィン５２は、例
えば接着剤等を用いて半導体素子１１及び枠体１３の上
面に固定された構成とされている。
ある半導体装置１０Ｊを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｊは、先に図１７を用いて説明した半導体
装置１０Ｉに放熱フィン５２を配設した構造を有するこ
とを特徴とするものである。この放熱フィン５２は、例
えば接着剤等を用いて半導体素子１１及び枠体１３の上
面に固定された構成とされている。
【０１２７】上記のように、本実施例に係る半導体装置
１０Ｊは図１７に示した半導体装置１０Ｉと同様な配線
基板構造を有しているため、本実施例においても延出部
４６は半導体素子１１の下部に配設された放熱板３３側
に折曲された構成とされている。このように、延出部４
６を放熱板３３側に折曲することにより、半導体素子１
１の上面は露出した状態となっている。
１０Ｊは図１７に示した半導体装置１０Ｉと同様な配線
基板構造を有しているため、本実施例においても延出部
４６は半導体素子１１の下部に配設された放熱板３３側
に折曲された構成とされている。このように、延出部４
６を放熱板３３側に折曲することにより、半導体素子１
１の上面は露出した状態となっている。
【０１２８】従って、半導体素子１１の露出部分に放熱
フィン５２を配設することにより、図１７に示した半導
体素子１１の上面を露出させた構成に比べ、半導体素子
１１で発生した熱をより効率良く放熱することができ
る。また、半導体素子１１の上面が放熱フィン５２によ
り覆われるため、放熱フィン５２は半導体素子１１を保
護する保護部材としても機能する。よって、放熱フィン
５２を設けることにより、半導体装置１０Ｊの信頼性を
向上させることができる。
フィン５２を配設することにより、図１７に示した半導
体素子１１の上面を露出させた構成に比べ、半導体素子
１１で発生した熱をより効率良く放熱することができ
る。また、半導体素子１１の上面が放熱フィン５２によ
り覆われるため、放熱フィン５２は半導体素子１１を保
護する保護部材としても機能する。よって、放熱フィン
５２を設けることにより、半導体装置１０Ｊの信頼性を
向上させることができる。
【０１２９】続いて、本発明の第１２実施例に係る半導
体装置及びその製造方法について説明する。図１９は本
発明の第１２実施例である半導体装置１０Ｋ及びその製
造方法を説明するための図である。尚、図１９におい
て、図７及び図１１乃至図１３に示した構成と同一構成
については同一符号を付してその説明を省略する。
体装置及びその製造方法について説明する。図１９は本
発明の第１２実施例である半導体装置１０Ｋ及びその製
造方法を説明するための図である。尚、図１９におい
て、図７及び図１１乃至図１３に示した構成と同一構成
については同一符号を付してその説明を省略する。
【０１３０】図１９（Ｄ）は、本発明の第１２実施例で
ある半導体装置１０Ｋを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｋは、先に図７を用いて説明した第３実施
例の係る半導体装置１０Ｂと類似した構造を有してお
り、具体的には、枠体１３の上面側に第２の放熱板３４
を設けたことを特徴とするものである。この第２の放熱
板３４も第１の放熱板３３と同様に、例えばアルミニウ
ム等の放熱特性の良好な金属により形成されている。
ある半導体装置１０Ｋを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｋは、先に図７を用いて説明した第３実施
例の係る半導体装置１０Ｂと類似した構造を有してお
り、具体的には、枠体１３の上面側に第２の放熱板３４
を設けたことを特徴とするものである。この第２の放熱
板３４も第１の放熱板３３と同様に、例えばアルミニウ
ム等の放熱特性の良好な金属により形成されている。
【０１３１】このように、半導体素子１１を挟んでその
上部及び下部に夫々放熱板３３，３４を配設することに
より、半導体素子１１で発生した熱をより効率的に放熱
することができ、半導体装置１０Ｋの信頼性を向上する
ことができる。続いて、半導体装置１０Ｋの製造方法に
ついて説明する。本実施例に係る半導体装置１０Ｋで
は、半導体素子１１と配線基板４５とを電気的に接続す
る手段としてワイヤ３５を用いている。このため、半導
体素子１１と配線基板４５とをワイヤ接続するために、
先ず第２の放熱板３４を枠体１３の上面に例えば接着剤
（図示せず）を用いて接合して一体化し、枠体１３に形
成されたキャビティ２３に第２の放熱板３４による底部
が形成された構成とする。
上部及び下部に夫々放熱板３３，３４を配設することに
より、半導体素子１１で発生した熱をより効率的に放熱
することができ、半導体装置１０Ｋの信頼性を向上する
ことができる。続いて、半導体装置１０Ｋの製造方法に
ついて説明する。本実施例に係る半導体装置１０Ｋで
は、半導体素子１１と配線基板４５とを電気的に接続す
る手段としてワイヤ３５を用いている。このため、半導
体素子１１と配線基板４５とをワイヤ接続するために、
先ず第２の放熱板３４を枠体１３の上面に例えば接着剤
（図示せず）を用いて接合して一体化し、枠体１３に形
成されたキャビティ２３に第２の放熱板３４による底部
が形成された構成とする。
【０１３２】続いて、このキャビティ２３内の第２の放
熱板３４に接着剤３６を用いて半導体素子１１を接着す
ると共に、枠体１３の図中下面に配線基板４５を接着す
る。そして、枠体１３に第２の放熱板３４及び配線基板
４５が配設された上で、配線基板４５のリード１８と半
導体素子１１との間にワイヤボンディング法を用いてワ
イヤ３５を配設する。
熱板３４に接着剤３６を用いて半導体素子１１を接着す
ると共に、枠体１３の図中下面に配線基板４５を接着す
る。そして、枠体１３に第２の放熱板３４及び配線基板
４５が配設された上で、配線基板４５のリード１８と半
導体素子１１との間にワイヤボンディング法を用いてワ
イヤ３５を配設する。
【０１３３】そして、このワイヤボンディング処理が終
了すると、前記した実施例と同様に圧縮成形法により封
止樹脂１５を形成する。この圧縮成形の際、前記したよ
うに、半導体素子１１及び枠体１３の上部に放熱板３４
が配設されているため、封止樹脂１５が直接上型２５と
接触することはなく、よって離型性を向上させることが
できる。図１９（Ａ）は、上記のようにして放熱板３
４，ワイヤ３５，及び封止樹脂１５が配設された配線基
板４５を示している。尚、本実施例では放熱板３４を用
いた構成としたが、放熱板３４に代えて放熱特性の低い
板材を用いることも可能である。
了すると、前記した実施例と同様に圧縮成形法により封
止樹脂１５を形成する。この圧縮成形の際、前記したよ
うに、半導体素子１１及び枠体１３の上部に放熱板３４
が配設されているため、封止樹脂１５が直接上型２５と
接触することはなく、よって離型性を向上させることが
できる。図１９（Ａ）は、上記のようにして放熱板３
４，ワイヤ３５，及び封止樹脂１５が配設された配線基
板４５を示している。尚、本実施例では放熱板３４を用
いた構成としたが、放熱板３４に代えて放熱特性の低い
板材を用いることも可能である。
【０１３４】続いて、図１９（Ｂ），（Ｃ）に示される
ように、配線基板４５に形成された延出部４６を上記し
た放熱板３４側に折曲し、第２の接着材４７を用いて放
熱板３４に固定する。その上で、突起電極１４を延出部
４６に露出した状態のランド部４９に転写法等を用いて
設けることにより、図１９（Ｄ）に示す半導体装置１０
Ｋが製造される。
ように、配線基板４５に形成された延出部４６を上記し
た放熱板３４側に折曲し、第２の接着材４７を用いて放
熱板３４に固定する。その上で、突起電極１４を延出部
４６に露出した状態のランド部４９に転写法等を用いて
設けることにより、図１９（Ｄ）に示す半導体装置１０
Ｋが製造される。
【０１３５】続いて、本発明の第１３及び第１４実施例
に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
図２０は本発明の第１３実施例である半導体装置１０Ｌ
及びその製造方法を説明するための図であり、また図２
１は本発明の第１４実施例である半導体装置１０Ｍ及び
その製造方法を説明するための図である。尚、図２０及
び図２１において、図１１乃至図１３、及び図１９に示
した構成と同一構成については同一符号を付してその説
明を省略する。
に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
図２０は本発明の第１３実施例である半導体装置１０Ｌ
及びその製造方法を説明するための図であり、また図２
１は本発明の第１４実施例である半導体装置１０Ｍ及び
その製造方法を説明するための図である。尚、図２０及
び図２１において、図１１乃至図１３、及び図１９に示
した構成と同一構成については同一符号を付してその説
明を省略する。
【０１３６】図２０（Ｄ）は、本発明の第１３実施例で
ある半導体装置１０Ｌを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｌは、前記した第１２実施例である半導体
装置１０Ｋと同様に、枠体１３の上面側に第２の放熱板
３４を設けた構成とされている。しかるに、本実施例に
係る半導体装置１０Ｌは、第１２実施例である半導体装
置１０Ｋに対し、配線基板４５の配置が上下逆の構成と
なっている。
ある半導体装置１０Ｌを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｌは、前記した第１２実施例である半導体
装置１０Ｋと同様に、枠体１３の上面側に第２の放熱板
３４を設けた構成とされている。しかるに、本実施例に
係る半導体装置１０Ｌは、第１２実施例である半導体装
置１０Ｋに対し、配線基板４５の配置が上下逆の構成と
なっている。
【０１３７】即ち、図２０（Ａ）に示されるように、配
線基板４５は、下層側からベースフィルム１７，リード
１８，絶縁膜１９が順次積層された構成となっている。
このように、第１２実施例である半導体装置１０Ｋに対
して配線基板４５が上下逆に配置された構成としても、
第１２実施例である半導体装置１０Ｋと同様の効果を有
する半導体装置１０Ｇを実現することができる。
線基板４５は、下層側からベースフィルム１７，リード
１８，絶縁膜１９が順次積層された構成となっている。
このように、第１２実施例である半導体装置１０Ｋに対
して配線基板４５が上下逆に配置された構成としても、
第１２実施例である半導体装置１０Ｋと同様の効果を有
する半導体装置１０Ｇを実現することができる。
【０１３８】尚、本実施例の構成では、延出部４６は第
２の放熱板３４側に向けて上側に折曲される構成とされ
ている。また、本実施例の構成では、絶縁膜１９は必ず
しも形成する必要はなく、枠体１３及び各接着剤２２，
４７の材質を電気的に絶縁性を有する材質とすることに
より、絶縁膜１９を不要とすることができる。
２の放熱板３４側に向けて上側に折曲される構成とされ
ている。また、本実施例の構成では、絶縁膜１９は必ず
しも形成する必要はなく、枠体１３及び各接着剤２２，
４７の材質を電気的に絶縁性を有する材質とすることに
より、絶縁膜１９を不要とすることができる。
【０１３９】図２１（Ｄ）は、本発明の第１４実施例で
ある半導体装置１０Ｍを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｍも、前記した第１２実施例である半導体
装置１０Ｋと同様に、枠体１３の上面側に第２の放熱板
３４を設けた構成とされている。しかるに、本実施例に
係る半導体装置１０Ｋでは、前記した第１２及び第１３
実施例に係る半導体装置１０Ｋ，１０Ｌでは延出部４６
を第２の放熱板３４側に折曲していたのに対し、延出部
４６を放熱板３３側に折曲したことを特徴とするもので
ある。尚、延出部４６を折曲し放熱板３３に接着する方
法は、先に図１６を用いて説明した第９実施例に係る半
導体装置１０Ｈと同じであるため、その説明は省略す
る。
ある半導体装置１０Ｍを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｍも、前記した第１２実施例である半導体
装置１０Ｋと同様に、枠体１３の上面側に第２の放熱板
３４を設けた構成とされている。しかるに、本実施例に
係る半導体装置１０Ｋでは、前記した第１２及び第１３
実施例に係る半導体装置１０Ｋ，１０Ｌでは延出部４６
を第２の放熱板３４側に折曲していたのに対し、延出部
４６を放熱板３３側に折曲したことを特徴とするもので
ある。尚、延出部４６を折曲し放熱板３３に接着する方
法は、先に図１６を用いて説明した第９実施例に係る半
導体装置１０Ｈと同じであるため、その説明は省略す
る。
【０１４０】本実施例に係る半導体装置１０Ｍによれ
ば、延出部４６が放熱板３３の下部に位置する構成とな
るため、第２の放熱板３４が外部に露出した構成とな
る。このため、半導体素子１１で発生する熱を第２の放
熱板３４を介して効率よく放熱することが可能となり、
よって半導体装置１０Ｍの放熱特性を向上させることが
できる。更に、本実施例に係る半導体装置１０Ｍにおい
ても、延出部４６が折曲され、この折曲部分に突起電極
１４が形成されるため、半導体装置１０Ｍの小型化を図
ることができる。
ば、延出部４６が放熱板３３の下部に位置する構成とな
るため、第２の放熱板３４が外部に露出した構成とな
る。このため、半導体素子１１で発生する熱を第２の放
熱板３４を介して効率よく放熱することが可能となり、
よって半導体装置１０Ｍの放熱特性を向上させることが
できる。更に、本実施例に係る半導体装置１０Ｍにおい
ても、延出部４６が折曲され、この折曲部分に突起電極
１４が形成されるため、半導体装置１０Ｍの小型化を図
ることができる。
【０１４１】続いて、本発明の第１５実施例に係る半導
体装置及びその製造方法について説明する。図２２は本
発明の第１５実施例である半導体装置１０Ｎ及びその製
造方法を説明するための図である。尚、図２２におい
て、図８及び図１１乃至図１３に示した構成と同一構成
については同一符号を付してその説明を省略する。
体装置及びその製造方法について説明する。図２２は本
発明の第１５実施例である半導体装置１０Ｎ及びその製
造方法を説明するための図である。尚、図２２におい
て、図８及び図１１乃至図１３に示した構成と同一構成
については同一符号を付してその説明を省略する。
【０１４２】図２２（Ｄ）は、本発明の第１５実施例で
ある半導体装置１０Ｎを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｎに配設される枠体１３Ａは、図１９を用
いて説明した半導体装置１０Ｋにおける第２の放熱板３
４と枠体１３とを一体化した構成とされている。従っ
て、枠体１３Ａに形成されるキャビティ２３Ａは、底部
３７を有した有底形状とされている。
ある半導体装置１０Ｎを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｎに配設される枠体１３Ａは、図１９を用
いて説明した半導体装置１０Ｋにおける第２の放熱板３
４と枠体１３とを一体化した構成とされている。従っ
て、枠体１３Ａに形成されるキャビティ２３Ａは、底部
３７を有した有底形状とされている。
【０１４３】半導体素子１１は底部３７に接着剤３６を
用いて固定され、また配線基板４５は枠体１３Ａの図中
下面に配設される。従って、本実施例の構成でも半導体
素子１１と配線基板４５とのワイヤボンディングが可能
となる。また、本実施例に係る半導体装置１０Ｎの構成
では、第１２実施例に係る半導体装置１０Ｋに比べて部
品点数及び製造工程が削減されるため、半導体装置１０
Ｎのコスト低減を図ることができる。
用いて固定され、また配線基板４５は枠体１３Ａの図中
下面に配設される。従って、本実施例の構成でも半導体
素子１１と配線基板４５とのワイヤボンディングが可能
となる。また、本実施例に係る半導体装置１０Ｎの構成
では、第１２実施例に係る半導体装置１０Ｋに比べて部
品点数及び製造工程が削減されるため、半導体装置１０
Ｎのコスト低減を図ることができる。
【０１４４】続いて、半導体装置１０Ｎの製造方法につ
いて説明する。本実施例に係る半導体装置１０Ｎにおい
ても、半導体素子１１と配線基板４５とを電気的に接続
する手段としてワイヤ３５を用いている。このため、先
ず枠体１３Ａに形成されている底部３７に接着剤３６を
用いて半導体素子１１を接着すると共に枠体１３Ａの図
中下面に配線基板４５を接着し、その上で配線基板４５
のリード１８と半導体素子１１との間にワイヤボンディ
ング法を用いてワイヤ３５を配設する。
いて説明する。本実施例に係る半導体装置１０Ｎにおい
ても、半導体素子１１と配線基板４５とを電気的に接続
する手段としてワイヤ３５を用いている。このため、先
ず枠体１３Ａに形成されている底部３７に接着剤３６を
用いて半導体素子１１を接着すると共に枠体１３Ａの図
中下面に配線基板４５を接着し、その上で配線基板４５
のリード１８と半導体素子１１との間にワイヤボンディ
ング法を用いてワイヤ３５を配設する。
【０１４５】このワイヤボンディング処理が終了する
と、前記した各実施例と同様に圧縮成形法により封止樹
脂１５を形成する。この圧縮成形の際、枠体１３Ａは底
部３７が形成されることにより面一の状態となってお
り、封止樹脂１５が直接上型２５と接触することはな
く、よって離型性を向上させることができる。図２２
（Ａ）は、上記のようにして放熱板３４，ワイヤ３５，
及び封止樹脂１５が配設された配線基板４５を示してい
る。
と、前記した各実施例と同様に圧縮成形法により封止樹
脂１５を形成する。この圧縮成形の際、枠体１３Ａは底
部３７が形成されることにより面一の状態となってお
り、封止樹脂１５が直接上型２５と接触することはな
く、よって離型性を向上させることができる。図２２
（Ａ）は、上記のようにして放熱板３４，ワイヤ３５，
及び封止樹脂１５が配設された配線基板４５を示してい
る。
【０１４６】続いて、図１９（Ｂ），（Ｃ）に示される
ように、配線基板４５に形成された延出部４６を枠体１
３Ａの上面側に折曲し、第２の接着材４７を用いて放熱
板３４に固定する。その上で、突起電極１４を延出部４
６に露出した状態のランド部４９に転写法等を用いて設
けることにより、図２２（Ｄ）に示す半導体装置１０Ｎ
が製造される。
ように、配線基板４５に形成された延出部４６を枠体１
３Ａの上面側に折曲し、第２の接着材４７を用いて放熱
板３４に固定する。その上で、突起電極１４を延出部４
６に露出した状態のランド部４９に転写法等を用いて設
けることにより、図２２（Ｄ）に示す半導体装置１０Ｎ
が製造される。
【０１４７】続いて、本発明の第１６及び第１７実施例
に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
図２３は本発明の第１６実施例である半導体装置１０Ｐ
及びその製造方法を説明するための図であり、また図２
４は本発明の第１７実施例である半導体装置１０Ｑ及び
その製造方法を説明するための図である。尚、図２３及
び図２４において、図１１乃至図１３、及び図２２に示
した構成と同一構成については同一符号を付してその説
明を省略する。
に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
図２３は本発明の第１６実施例である半導体装置１０Ｐ
及びその製造方法を説明するための図であり、また図２
４は本発明の第１７実施例である半導体装置１０Ｑ及び
その製造方法を説明するための図である。尚、図２３及
び図２４において、図１１乃至図１３、及び図２２に示
した構成と同一構成については同一符号を付してその説
明を省略する。
【０１４８】図２３（Ｄ）は、本発明の第１６実施例で
ある半導体装置１０Ｐを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｐは、前記した第１５実施例である半導体
装置１０Ｎと同様に、枠体１３Ａに底部３７が一体的に
形成された構成とされている。しかるに、本実施例に係
る半導体装置１０Ｐは、第１５実施例である半導体装置
１０Ｎに対し、配線基板４５の配置が上下逆の構成とな
っている。
ある半導体装置１０Ｐを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｐは、前記した第１５実施例である半導体
装置１０Ｎと同様に、枠体１３Ａに底部３７が一体的に
形成された構成とされている。しかるに、本実施例に係
る半導体装置１０Ｐは、第１５実施例である半導体装置
１０Ｎに対し、配線基板４５の配置が上下逆の構成とな
っている。
【０１４９】即ち、図２３（Ａ）に示されるように、配
線基板４５は、下層側からベースフィルム１７，リード
１８，絶縁膜１９が順次積層された構成となっている。
このように、第１５実施例である半導体装置１０Ｎに対
して配線基板４５が上下逆に配置された構成としても、
第１５実施例である半導体装置１０Ｎと同様の効果を有
する半導体装置１０Ｐを実現することができる。
線基板４５は、下層側からベースフィルム１７，リード
１８，絶縁膜１９が順次積層された構成となっている。
このように、第１５実施例である半導体装置１０Ｎに対
して配線基板４５が上下逆に配置された構成としても、
第１５実施例である半導体装置１０Ｎと同様の効果を有
する半導体装置１０Ｐを実現することができる。
【０１５０】尚、本実施例の構成では、延出部４６は枠
体１３Ａの上面側に向けて上側に折曲される構成とされ
ている。また、本実施例の構成では、絶縁膜１９は必ず
しも形成する必要はなく、枠体１３Ａ及び各接着剤２
２，４７の材質を電気的に絶縁性を有する材質とするこ
とにより、絶縁膜１９を不要とすることができる。
体１３Ａの上面側に向けて上側に折曲される構成とされ
ている。また、本実施例の構成では、絶縁膜１９は必ず
しも形成する必要はなく、枠体１３Ａ及び各接着剤２
２，４７の材質を電気的に絶縁性を有する材質とするこ
とにより、絶縁膜１９を不要とすることができる。
【０１５１】図２４（Ｄ）は、本発明の第１７実施例で
ある半導体装置１０Ｑを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｑも、前記した第１５実施例である半導体
装置１０Ｎと同様に、枠体１３Ａに底部３７が一体的に
形成された構成とされている。しかるに、本実施例に係
る半導体装置１０Ｑでは、前記した第１５及び第１６実
施例に係る半導体装置１０Ｎ，１０Ｐでは延出部４６を
枠体１３Ａの上面側に折曲していたのに対し、延出部４
６を放熱板３３側に折曲したことを特徴とするものであ
る。尚、延出部４６を折曲し放熱板３３に接着する方法
は、先に図１６を用いて説明した第９実施例に係る半導
体装置１０Ｈと同じであるため、その説明は省略する。
ある半導体装置１０Ｑを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｑも、前記した第１５実施例である半導体
装置１０Ｎと同様に、枠体１３Ａに底部３７が一体的に
形成された構成とされている。しかるに、本実施例に係
る半導体装置１０Ｑでは、前記した第１５及び第１６実
施例に係る半導体装置１０Ｎ，１０Ｐでは延出部４６を
枠体１３Ａの上面側に折曲していたのに対し、延出部４
６を放熱板３３側に折曲したことを特徴とするものであ
る。尚、延出部４６を折曲し放熱板３３に接着する方法
は、先に図１６を用いて説明した第９実施例に係る半導
体装置１０Ｈと同じであるため、その説明は省略する。
【０１５２】本実施例に係る半導体装置１０Ｑによれ
ば、延出部４６が放熱板３３の下部に位置し、この位置
に突起電極１４が形成されるため、半導体装置１０Ｑの
小型化を図ることができる。また、枠体１３Ａの上部に
は何も構成物が配設されないため、枠体１３Ａの材質を
放熱性の良好なものに選定することにより、半導体素子
１１で発生する熱を第２の放熱板３４を介して効率よく
放熱することが可能となり、よって半導体装置１０Ｍの
放熱特性を向上させることができる。
ば、延出部４６が放熱板３３の下部に位置し、この位置
に突起電極１４が形成されるため、半導体装置１０Ｑの
小型化を図ることができる。また、枠体１３Ａの上部に
は何も構成物が配設されないため、枠体１３Ａの材質を
放熱性の良好なものに選定することにより、半導体素子
１１で発生する熱を第２の放熱板３４を介して効率よく
放熱することが可能となり、よって半導体装置１０Ｍの
放熱特性を向上させることができる。
【０１５３】続いて、本発明の第１８実施例に係る半導
体装置及びその製造方法について説明する。図２５は本
発明の第１８実施例である半導体装置１０Ｒ及びその製
造方法を説明するための図である。尚、図２５において
図１１乃至図１３、及び図２２に示した構成と同一構成
については同一符号を付してその説明を省略する。
体装置及びその製造方法について説明する。図２５は本
発明の第１８実施例である半導体装置１０Ｒ及びその製
造方法を説明するための図である。尚、図２５において
図１１乃至図１３、及び図２２に示した構成と同一構成
については同一符号を付してその説明を省略する。
【０１５４】図２５（Ｆ）は、本発明の第１８実施例で
ある半導体装置１０Ｒを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｒに配設される枠体１３Ａは、図２２を用
いて説明した半導体装置１０Ｎと同一構成を有してい
る。即ち、枠体１３Ａは一体的に形成された底部３７を
有した構成とされている。
ある半導体装置１０Ｒを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｒに配設される枠体１３Ａは、図２２を用
いて説明した半導体装置１０Ｎと同一構成を有してい
る。即ち、枠体１３Ａは一体的に形成された底部３７を
有した構成とされている。
【０１５５】しかるに、本実施例で用いられている配線
基板４５Ａは、図１２（Ａ）及び図２６に示した配線基
板４５と異なり、基部５１Ａに半導体素子１１を装着す
るための装着孔４８は形成されていない。ここで、本実
施例に係る半導体装置１０Ｒに用いる配線基板４５Ａを
図２９に拡大して示す。
基板４５Ａは、図１２（Ａ）及び図２６に示した配線基
板４５と異なり、基部５１Ａに半導体素子１１を装着す
るための装着孔４８は形成されていない。ここで、本実
施例に係る半導体装置１０Ｒに用いる配線基板４５Ａを
図２９に拡大して示す。
【０１５６】同図に示されるように、後に突起電極１４
が配設されるランド部４９は配線基板４５Ａの基部５１
Ａに形成されており、基部５１Ａの外周四辺に延出形成
された各延出部の外側縁部には半導体素子１１とワイヤ
ボンディングされる接続電極５３が形成されている。こ
の接続電極５３とランド部４９とは、延出部４６及び基
部５１に形成されたリード１８により電気的に接続され
ている。
が配設されるランド部４９は配線基板４５Ａの基部５１
Ａに形成されており、基部５１Ａの外周四辺に延出形成
された各延出部の外側縁部には半導体素子１１とワイヤ
ボンディングされる接続電極５３が形成されている。こ
の接続電極５３とランド部４９とは、延出部４６及び基
部５１に形成されたリード１８により電気的に接続され
ている。
【０１５７】上記構成とされた配線基板４５Ａは、図２
５（Ａ）に示されるように、基部５１Ａが枠体１３Ａの
底部３７上に位置決めされ、接着剤（図示せず）等を用
いてこの側部３７に固定される。この状態において、延
出部４６は枠体１３Ａの外周より外側に延出した状態と
なっている。また、枠体１３Ａに形成されたキャビティ
２３Ａの内部には半導体素子１１が接着剤３６により搭
載されており、更に枠体１３Ａの下面には、延出部４６
を枠体１３Ａに固定するための接着剤４７Ａが塗布され
ている。
５（Ａ）に示されるように、基部５１Ａが枠体１３Ａの
底部３７上に位置決めされ、接着剤（図示せず）等を用
いてこの側部３７に固定される。この状態において、延
出部４６は枠体１３Ａの外周より外側に延出した状態と
なっている。また、枠体１３Ａに形成されたキャビティ
２３Ａの内部には半導体素子１１が接着剤３６により搭
載されており、更に枠体１３Ａの下面には、延出部４６
を枠体１３Ａに固定するための接着剤４７Ａが塗布され
ている。
【０１５８】上記のように配線基板４５Ａの基部５１Ａ
が枠体１３Ａの底部３７に固定されると、本実施例では
前記した各実施例と異なり樹脂封止工程を実施すること
なく、先ず延出部４６を折曲形成する折曲工程を実施す
る。具体的には、図２５（Ｂ）に矢印で示すように延出
部４６を折り曲げ、延出部４６を接着剤４７Ａにより枠
体１３Ａに固定する。
が枠体１３Ａの底部３７に固定されると、本実施例では
前記した各実施例と異なり樹脂封止工程を実施すること
なく、先ず延出部４６を折曲形成する折曲工程を実施す
る。具体的には、図２５（Ｂ）に矢印で示すように延出
部４６を折り曲げ、延出部４６を接着剤４７Ａにより枠
体１３Ａに固定する。
【０１５９】上記の折曲工程を行なうことにより、図２
５（Ｃ）に示すように、延出部４６に形成されている接
続電極５３と半導体素子１１とは近接した状態となる。
この状態において、ワイヤボンディング法を用いて接続
電極５３と半導体素子１１との間にワイヤ３５を配設す
る。図２５（Ｄ）は接続電極５３と半導体素子１１との
間にワイヤ３５が配設された状態を示している。
５（Ｃ）に示すように、延出部４６に形成されている接
続電極５３と半導体素子１１とは近接した状態となる。
この状態において、ワイヤボンディング法を用いて接続
電極５３と半導体素子１１との間にワイヤ３５を配設す
る。図２５（Ｄ）は接続電極５３と半導体素子１１との
間にワイヤ３５が配設された状態を示している。
【０１６０】本実施例では、上記した延出部４６を折曲
するの折曲工程、及びワイヤ３５を配設するワイヤボン
ディング工程が終了した後、樹脂封止工程を実施して封
止樹脂１５を形成する構成としている。図２５（Ｅ）は
封止樹脂１５が形成された配線基板４５Ａを示してい
る。この樹脂封止工程は、前記した金型２４を用いて行
なうことができ、よって圧縮成形法により封止樹脂１５
は形成される。また本実施例では、封止樹脂１５の形成
と同時に放熱板３３を配設する方法が用いられている
（図５参照）。
するの折曲工程、及びワイヤ３５を配設するワイヤボン
ディング工程が終了した後、樹脂封止工程を実施して封
止樹脂１５を形成する構成としている。図２５（Ｅ）は
封止樹脂１５が形成された配線基板４５Ａを示してい
る。この樹脂封止工程は、前記した金型２４を用いて行
なうことができ、よって圧縮成形法により封止樹脂１５
は形成される。また本実施例では、封止樹脂１５の形成
と同時に放熱板３３を配設する方法が用いられている
（図５参照）。
【０１６１】上記のように封止樹脂１５が形成される
と、続いてランド部４９に例えば転写法を用いて突起電
極１４が形成され、図２５（Ｆ）に示される半導体装置
１０Ｒが製造される。このように、製造された半導体装
置１０Ｒは、突起電極１４の形成される位置が枠体１３
Ａの底部３７側であり、この位置にはキャビティ２３Ａ
は形成されていないため、底部３７の全領域を突起電極
１４の形成領域とすることができる。このため、突起電
極１４の配設ピッチを広く設定したり、また突起電極１
４の配設数を多くすることが可能となる。
と、続いてランド部４９に例えば転写法を用いて突起電
極１４が形成され、図２５（Ｆ）に示される半導体装置
１０Ｒが製造される。このように、製造された半導体装
置１０Ｒは、突起電極１４の形成される位置が枠体１３
Ａの底部３７側であり、この位置にはキャビティ２３Ａ
は形成されていないため、底部３７の全領域を突起電極
１４の形成領域とすることができる。このため、突起電
極１４の配設ピッチを広く設定したり、また突起電極１
４の配設数を多くすることが可能となる。
【０１６２】続いて、上記した各実施例に係る半導体装
置１０Ｅ〜１０Ｒに用いられる配線基板４５の他実施例
について図２７乃至図３３を用いて説明する。尚、図２
７乃至図３４において、先に図２６を用いて説明した配
線基板４５の構成と対応する構成については同一符号を
附し、その説明を省略する。
置１０Ｅ〜１０Ｒに用いられる配線基板４５の他実施例
について図２７乃至図３３を用いて説明する。尚、図２
７乃至図３４において、先に図２６を用いて説明した配
線基板４５の構成と対応する構成については同一符号を
附し、その説明を省略する。
【０１６３】図２７に示される配線基板４５Ｂは、半導
体素子１１がフリップチップ接合されるタイプ（以下、
ＴＡＢタイプという）の配線基板である。従って、イン
ナーリード部２０は装着孔４８の内部に突出した構成と
されている。本実施例に係る配線基板４５Ｂは、折曲工
程において折り曲げられる部位のベースフィルム１７を
除去したことを特徴とするものである。ベースフィルム
１７を除去するとにより、リード１８は露出された状態
となり強度が弱くなるため、このベースフィルム１７の
除去位置には撓み易いソルダーレジスト５４が配設され
ている。
体素子１１がフリップチップ接合されるタイプ（以下、
ＴＡＢタイプという）の配線基板である。従って、イン
ナーリード部２０は装着孔４８の内部に突出した構成と
されている。本実施例に係る配線基板４５Ｂは、折曲工
程において折り曲げられる部位のベースフィルム１７を
除去したことを特徴とするものである。ベースフィルム
１７を除去するとにより、リード１８は露出された状態
となり強度が弱くなるため、このベースフィルム１７の
除去位置には撓み易いソルダーレジスト５４が配設され
ている。
【０１６４】上記構成とされた配線基板４５Ｂによれ
ば、折曲位置において配線基板４５Ｂの膨らみの発生を
防止でき、配線基板４５Ｂと枠体１３，１３Ａ，放熱板
３３，３４等との密着性を向上させることができる。従
って、配線基板４５Ｂが枠体１３，１３Ａ，放熱板３
３，３４等から剥離することを防止できるため、半導体
装置１０Ｅ〜１０Ｒの信頼性を向上することができる。
また、上記のように配線基板４５Ｂが枠体１３，１３
Ａ，放熱板３３，３４等と密着した状態となることによ
り、半導体装置１０Ｅ〜１０Ｒの小型化を図ることがで
きる。
ば、折曲位置において配線基板４５Ｂの膨らみの発生を
防止でき、配線基板４５Ｂと枠体１３，１３Ａ，放熱板
３３，３４等との密着性を向上させることができる。従
って、配線基板４５Ｂが枠体１３，１３Ａ，放熱板３
３，３４等から剥離することを防止できるため、半導体
装置１０Ｅ〜１０Ｒの信頼性を向上することができる。
また、上記のように配線基板４５Ｂが枠体１３，１３
Ａ，放熱板３３，３４等と密着した状態となることによ
り、半導体装置１０Ｅ〜１０Ｒの小型化を図ることがで
きる。
【０１６５】また、図２８に示される配線基板４５Ｃ
は、半導体素子１１がリード１８とワイヤボンディング
法で接合されるタイプ（以下、ワイヤ接続タイプとい
う）の配線基板であることを特徴とする。従って、図２
６及び図２７に示したＴＡＢタイプの配線基板４５，４
５Ａと異なり、インナーリード部２０は装着孔４８の内
部に突出してはいない。尚、図２９に示される配線基板
４５Ａは、先に説明たため、ここでの説明は省略する。
は、半導体素子１１がリード１８とワイヤボンディング
法で接合されるタイプ（以下、ワイヤ接続タイプとい
う）の配線基板であることを特徴とする。従って、図２
６及び図２７に示したＴＡＢタイプの配線基板４５，４
５Ａと異なり、インナーリード部２０は装着孔４８の内
部に突出してはいない。尚、図２９に示される配線基板
４５Ａは、先に説明たため、ここでの説明は省略する。
【０１６６】また、図３０に示される配線基板４５Ｄは
ＴＡＢタイプの配線基板であり、本実施例では、各延出
部４６Ａの形状を三角形としたことを特徴とするもので
ある。このように、延出部４６Ａを三角形形状としたこ
とにより、パッド部４９を三角形を構成する傾斜辺に沿
って配設することが可能となる。
ＴＡＢタイプの配線基板であり、本実施例では、各延出
部４６Ａの形状を三角形としたことを特徴とするもので
ある。このように、延出部４６Ａを三角形形状としたこ
とにより、パッド部４９を三角形を構成する傾斜辺に沿
って配設することが可能となる。
【０１６７】これにより、隣接するパッド部４９の（即
ち、突起電極１４の）配設ピッチを広くすることができ
パッド部４９の形成を容易に行なうことができると共
に、半導体素子１１が高密度化し突起電極１４の数が増
大しても、これに十分対応することができる。尚、図３
０に示す実施例では、延出部４６Ａの形状を三角形とし
た例を示したが、延出部４６Ａの形状は三角形に限定さ
れるものではなく、パッド部４９の配設ピッチを広くす
ることができる形状であれば、他の形状としてもよい。
ち、突起電極１４の）配設ピッチを広くすることができ
パッド部４９の形成を容易に行なうことができると共
に、半導体素子１１が高密度化し突起電極１４の数が増
大しても、これに十分対応することができる。尚、図３
０に示す実施例では、延出部４６Ａの形状を三角形とし
た例を示したが、延出部４６Ａの形状は三角形に限定さ
れるものではなく、パッド部４９の配設ピッチを広くす
ることができる形状であれば、他の形状としてもよい。
【０１６８】また、図３１に示される配線基板４５Ｅは
ＴＡＢタイプの配線基板であり、延出部４６Ａの形状を
三角形とすると共に、ベースフィルム１７の折り曲げら
れる部位を除去したことを特徴とするものである。本実
施例による配線基板４５Ｅによれば、配線基板４５Ｅが
枠体１３，１３Ａ，放熱板３３，３４等から剥離するこ
とを防止できるため装置の小型化及び信頼性の向上を図
ることができ、かつ、パッド部４９の形成の容易化及び
半導体素子１１の高密度化に対応することができる。
尚、本実施例においても、ベースフィルム１７の除去位
置にはリード１８を保護するためのソルダーレジスト５
４が配設されている。
ＴＡＢタイプの配線基板であり、延出部４６Ａの形状を
三角形とすると共に、ベースフィルム１７の折り曲げら
れる部位を除去したことを特徴とするものである。本実
施例による配線基板４５Ｅによれば、配線基板４５Ｅが
枠体１３，１３Ａ，放熱板３３，３４等から剥離するこ
とを防止できるため装置の小型化及び信頼性の向上を図
ることができ、かつ、パッド部４９の形成の容易化及び
半導体素子１１の高密度化に対応することができる。
尚、本実施例においても、ベースフィルム１７の除去位
置にはリード１８を保護するためのソルダーレジスト５
４が配設されている。
【０１６９】また、図３２に示される配線基板４５Ｆ，
４５Ｇ，４５ＨはＴＡＢタイプの配線基板であり、ベー
スフィルム１７（図中、梨地で示す）に接続孔を形成す
ることによりランド部４９を形成したことを特徴とする
ものである。図３２（Ａ）に示される配線基板４５Ｆは
延出部４６と基部５１とが一体的にされた構成であり、
また図３２（Ｂ）に示される配線基板４５Ｇは折り曲げ
られる部分のベースフィルム１７を除去してソルダーレ
ジスト５４を配設したものであり、更に図３２（Ｃ）に
示される配線基板４５Ｈは基部５１Ａにランド部４９を
形成たものである。
４５Ｇ，４５ＨはＴＡＢタイプの配線基板であり、ベー
スフィルム１７（図中、梨地で示す）に接続孔を形成す
ることによりランド部４９を形成したことを特徴とする
ものである。図３２（Ａ）に示される配線基板４５Ｆは
延出部４６と基部５１とが一体的にされた構成であり、
また図３２（Ｂ）に示される配線基板４５Ｇは折り曲げ
られる部分のベースフィルム１７を除去してソルダーレ
ジスト５４を配設したものであり、更に図３２（Ｃ）に
示される配線基板４５Ｈは基部５１Ａにランド部４９を
形成たものである。
【０１７０】本実施例による配線基板４５Ｆ，４５Ｇ
は、先に説明した半導体装置１０Ｇ（図１５参照），１
０Ｈ（図１６参照），１０Ｉ（図１７参照），１０Ｊ
（図１８参照），１０Ｌ（図２０参照），１０Ｍ（図２
１参照），１０Ｐ（図２３参照），１０Ｑ（図２４参
照）に適用することができる。また、本実施例による配
線基板４５Ｈは先に説明した半導体装置１０Ｒ（図２５
参照）に適用することができる。
は、先に説明した半導体装置１０Ｇ（図１５参照），１
０Ｈ（図１６参照），１０Ｉ（図１７参照），１０Ｊ
（図１８参照），１０Ｌ（図２０参照），１０Ｍ（図２
１参照），１０Ｐ（図２３参照），１０Ｑ（図２４参
照）に適用することができる。また、本実施例による配
線基板４５Ｈは先に説明した半導体装置１０Ｒ（図２５
参照）に適用することができる。
【０１７１】また、図３２は先に図２９を用いて説明し
た配線基板４５Ａの変形例である配線基板４５Ｉを示し
ており、具体的には接続電極５３（図中梨地で示す）の
形成部分を拡大して示している。本実施例に係る配線基
板４５Ｉでは、千鳥状となるよう接続電極５３を配設す
ると共に、各接続電極５３の角部５３ａが曲線形状を有
するよう形成したことを特徴とするものである。接続電
極５３を千鳥状とすることにより、各接続電極５３の面
積を広くすることができるため、半導体素子１１との間
にワイヤ３５を配設する際にワイヤボンディング処理
（電気的接続処理）を簡単化することができる。
た配線基板４５Ａの変形例である配線基板４５Ｉを示し
ており、具体的には接続電極５３（図中梨地で示す）の
形成部分を拡大して示している。本実施例に係る配線基
板４５Ｉでは、千鳥状となるよう接続電極５３を配設す
ると共に、各接続電極５３の角部５３ａが曲線形状を有
するよう形成したことを特徴とするものである。接続電
極５３を千鳥状とすることにより、各接続電極５３の面
積を広くすることができるため、半導体素子１１との間
にワイヤ３５を配設する際にワイヤボンディング処理
（電気的接続処理）を簡単化することができる。
【０１７２】また、接続電極５３の角部５３ａを曲線状
に形成することにより、例えば半導体素子１１と接続電
極５３とをワイヤボンディングする際、ワイヤ３５と接
続電極５３との接合に用いるボンディング治具（超音波
溶接治具）が当接された時に発生する応力を分散するこ
とが可能となり、よってワイヤ３５と接続電極５３との
電気的接続処理を確実に行なうことができる。
に形成することにより、例えば半導体素子１１と接続電
極５３とをワイヤボンディングする際、ワイヤ３５と接
続電極５３との接合に用いるボンディング治具（超音波
溶接治具）が当接された時に発生する応力を分散するこ
とが可能となり、よってワイヤ３５と接続電極５３との
電気的接続処理を確実に行なうことができる。
【０１７３】続いて、本発明の第１９実施例に係る半導
体装置及びその製造方法について図３４乃至図３６を用
いて説明する。尚、図３４乃至図３６において、図１１
乃至図１３に示した第６実施例に係る半導体装置１０Ｅ
の構成と対応する構成については同一符号を附してその
説明を省略するものとする。
体装置及びその製造方法について図３４乃至図３６を用
いて説明する。尚、図３４乃至図３６において、図１１
乃至図１３に示した第６実施例に係る半導体装置１０Ｅ
の構成と対応する構成については同一符号を附してその
説明を省略するものとする。
【０１７４】図３４は本発明の第１９実施例である半導
体装置１０Ｓを示しており、図３５及び図３６は半導体
装置１０Ｓの製造方法を示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｓは、突起電極としていわゆるメカニカル
バンプ５５を用いたことを特徴とするものである。メカ
ニカルバンプ５５は、配線基板４５Ｊに形成されている
リード１８を塑性加工することにより配線基板４５Ｊの
表面から突出させ、これにより突起電極を形成した構成
とされている。
体装置１０Ｓを示しており、図３５及び図３６は半導体
装置１０Ｓの製造方法を示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｓは、突起電極としていわゆるメカニカル
バンプ５５を用いたことを特徴とするものである。メカ
ニカルバンプ５５は、配線基板４５Ｊに形成されている
リード１８を塑性加工することにより配線基板４５Ｊの
表面から突出させ、これにより突起電極を形成した構成
とされている。
【０１７５】前記したようにメカニカルバンプ５５はリ
ード１８を塑性加工することにより形成されるため、突
起電極をメカニカルバンプ５５により構成することによ
り、前記した各実施例で説明したように転写法を用いた
場合に必要となるボール材を不要とすることができ、よ
って部品点数の削減及び製造工程の簡易化を図ることが
できる。更に、塑性加工方法としては、例えばリード１
８をポンチ（治具）等でプレス加工するだけの簡単な処
理でよいため、低コストでかつ容易にメカニカルバンプ
５５（突起電極）を形成することが可能となる。
ード１８を塑性加工することにより形成されるため、突
起電極をメカニカルバンプ５５により構成することによ
り、前記した各実施例で説明したように転写法を用いた
場合に必要となるボール材を不要とすることができ、よ
って部品点数の削減及び製造工程の簡易化を図ることが
できる。更に、塑性加工方法としては、例えばリード１
８をポンチ（治具）等でプレス加工するだけの簡単な処
理でよいため、低コストでかつ容易にメカニカルバンプ
５５（突起電極）を形成することが可能となる。
【０１７６】次に、半導体装置１０Ｓの製造方法につい
て説明する。図３５（Ａ）は、メカニカルバンプ５５が
形成された配線基板４５Ｊに樹脂封止工程を実施した状
態を示している。同図に示されるように、本実施例では
メカニカルバンプ５５は配線基板４５Ｊの延出部４６に
形成されている。
て説明する。図３５（Ａ）は、メカニカルバンプ５５が
形成された配線基板４５Ｊに樹脂封止工程を実施した状
態を示している。同図に示されるように、本実施例では
メカニカルバンプ５５は配線基板４５Ｊの延出部４６に
形成されている。
【０１７７】ここで、図３５（Ａ）における矢印Ａで示
す部分（メカニカルバンプ５５の形成部分）を図３５
（Ｂ）〜（Ｄ）に拡大して示す。各図に示されるよう
に、メカニカルバンプ５５の構成は種々の態様とするこ
とが可能である。以下、夫々の構成について説明する。
す部分（メカニカルバンプ５５の形成部分）を図３５
（Ｂ）〜（Ｄ）に拡大して示す。各図に示されるよう
に、メカニカルバンプ５５の構成は種々の態様とするこ
とが可能である。以下、夫々の構成について説明する。
【０１７８】図３５（Ｂ）に示されるメカニカルバンプ
５５Ａは、リード１８を絶縁膜１９と一体的にプレス加
工（塑性加工）することにより、ベースフィルム１７に
形成された接続孔１７ｂから突出させ、更にリード１８
及び絶縁膜１９が突出されることによりその背面側に形
成される凹部内にコア５６を配設したことを特徴とする
ものである。このコア５６は例えば金属性により形成さ
れており、メカニカルバンプ５５Ａの背面側に形成され
る凹部に対応した形状とされている。
５５Ａは、リード１８を絶縁膜１９と一体的にプレス加
工（塑性加工）することにより、ベースフィルム１７に
形成された接続孔１７ｂから突出させ、更にリード１８
及び絶縁膜１９が突出されることによりその背面側に形
成される凹部内にコア５６を配設したことを特徴とする
ものである。このコア５６は例えば金属性により形成さ
れており、メカニカルバンプ５５Ａの背面側に形成され
る凹部に対応した形状とされている。
【０１７９】上記構成のメカニカルバンプ５５Ａは、リ
ード１８を絶縁膜１９と共にプレス加工するため、絶縁
膜１９の除去処理が不要であり、よってメカニカルバン
プ５５Ａの形成工程を簡単化することができる。また、
メカニカルバンプ５５Ａの背面側に必然的に形成される
凹部にはコア５６が配設されるため、半導体装置１０Ｓ
を実装する際にメカニカルバンプ５５Ａが押圧された場
合においても、メカニカルバンプ５５Ａが変形するよう
なことはない。
ード１８を絶縁膜１９と共にプレス加工するため、絶縁
膜１９の除去処理が不要であり、よってメカニカルバン
プ５５Ａの形成工程を簡単化することができる。また、
メカニカルバンプ５５Ａの背面側に必然的に形成される
凹部にはコア５６が配設されるため、半導体装置１０Ｓ
を実装する際にメカニカルバンプ５５Ａが押圧された場
合においても、メカニカルバンプ５５Ａが変形するよう
なことはない。
【０１８０】図３５（Ｃ）に示される構成では、絶縁膜
１９を除去した上でリード１８をプレス加工（塑性加
工）することによりメカニカルバンプ５５Ｂが形成され
る。また、本実施例においてもメカニカルバンプ５５Ｂ
の背面側に形成される凹部内にはコア５６が配設され
る。
１９を除去した上でリード１８をプレス加工（塑性加
工）することによりメカニカルバンプ５５Ｂが形成され
る。また、本実施例においてもメカニカルバンプ５５Ｂ
の背面側に形成される凹部内にはコア５６が配設され
る。
【０１８１】上記構成のメカニカルバンプ５５Ｂは、リ
ード１８のみをプレス加工するため、絶縁膜１９と共に
リード１８を加工する図３５（Ｂ）の構成に比べてメカ
ニカルバンプ５５Ｂの形状を精度よく形成することがで
きる。即ち、絶縁膜１９の厚さにバラツキがあると形成
されるメカニカルバンプ５５Ｂの形状にこれが影響する
ことが考えられるが、本実施例の構成では絶縁膜１９の
厚さが影響することはなく、よって精度の高いメカニカ
ルバンプ５５Ｂを形成することができる。
ード１８のみをプレス加工するため、絶縁膜１９と共に
リード１８を加工する図３５（Ｂ）の構成に比べてメカ
ニカルバンプ５５Ｂの形状を精度よく形成することがで
きる。即ち、絶縁膜１９の厚さにバラツキがあると形成
されるメカニカルバンプ５５Ｂの形状にこれが影響する
ことが考えられるが、本実施例の構成では絶縁膜１９の
厚さが影響することはなく、よって精度の高いメカニカ
ルバンプ５５Ｂを形成することができる。
【０１８２】図３５（Ｄ）に示される構成は、前記した
図３５（Ｂ）に示される構成において、コア５６を用い
ず、第２の接着剤４７をメカニカルバンプ５５Ｃの背面
側に形成される凹部内に充填した構成としたことを特徴
とするものである。前記したように、第２の接着剤４７
は延出部４６を枠体１３等に固定する機能を奏するもの
であるが、この第２の接着剤４７は固化することにより
所定の硬度を有するようになる。このため、第２の接着
剤４７を前記した凹部に充填することにより、第２の接
着剤４７にコア５６と同等の機能を奏させることができ
る。
図３５（Ｂ）に示される構成において、コア５６を用い
ず、第２の接着剤４７をメカニカルバンプ５５Ｃの背面
側に形成される凹部内に充填した構成としたことを特徴
とするものである。前記したように、第２の接着剤４７
は延出部４６を枠体１３等に固定する機能を奏するもの
であるが、この第２の接着剤４７は固化することにより
所定の硬度を有するようになる。このため、第２の接着
剤４７を前記した凹部に充填することにより、第２の接
着剤４７にコア５６と同等の機能を奏させることができ
る。
【０１８３】このように、第２の接着剤４７をコア５６
として用いることにより、図３５（Ｂ），（Ｃ）に示す
構成に比べて部品点数を削減することができると共に、
メカニカルバンプ５５Ｃの形成工程の簡単化を図ること
ができる。上記の各形成方法の何れかを用いて配線基板
４５Ｊにメカニカルバンプ５５が形成されると、この配
線基板４５Ｊに半導体素子１１がフリップチップ接合さ
れ、続いて圧縮成形法を用いて樹脂封止工程が実施さ
れ、図３５（Ａ）に示される状態となる。続いて、図３
６に示されるように折曲工程が実施され、延出部４６は
枠体１３の上面側に折曲され、第２の接着剤４７により
枠体１３に固定される。これにより、図３４に示される
半導体装置１０Ｓが製造される。
として用いることにより、図３５（Ｂ），（Ｃ）に示す
構成に比べて部品点数を削減することができると共に、
メカニカルバンプ５５Ｃの形成工程の簡単化を図ること
ができる。上記の各形成方法の何れかを用いて配線基板
４５Ｊにメカニカルバンプ５５が形成されると、この配
線基板４５Ｊに半導体素子１１がフリップチップ接合さ
れ、続いて圧縮成形法を用いて樹脂封止工程が実施さ
れ、図３５（Ａ）に示される状態となる。続いて、図３
６に示されるように折曲工程が実施され、延出部４６は
枠体１３の上面側に折曲され、第２の接着剤４７により
枠体１３に固定される。これにより、図３４に示される
半導体装置１０Ｓが製造される。
【０１８４】図３７は、本発明の第２０実施例である半
導体装置１０Ｔ及びその製造方法を示している。先に図
３４乃至図３６を用いて説明した半導体装置１０Ｓ及び
その製造方法では、半導体素子１１と配線板４５Ｊとの
接続方法として、フリップチップ接合を用いていた。
導体装置１０Ｔ及びその製造方法を示している。先に図
３４乃至図３６を用いて説明した半導体装置１０Ｓ及び
その製造方法では、半導体素子１１と配線板４５Ｊとの
接続方法として、フリップチップ接合を用いていた。
【０１８５】これに対して本実施例では、図３７に示さ
れるように、半導体素子１１と配線板４５Ｊとをワイヤ
３５により接続したことを特徴とするものである。この
ように、メカニカルバンプ５５を用いた構成であって
も、半導体素子１１と配線板４５Ｊとの接続は、ＴＡＢ
法或いはワイヤボンディング法の何れをも用いることが
可能である。尚、本実施例は、図３４乃至図３６を用い
て説明した半導体装置１０Ｓ及びその製造方法に対し、
半導体素子１１と配線板４５Ｊとの接続構造が異なるの
みで、他の構成及び製造方法は同一であるためその説明
は省略する。
れるように、半導体素子１１と配線板４５Ｊとをワイヤ
３５により接続したことを特徴とするものである。この
ように、メカニカルバンプ５５を用いた構成であって
も、半導体素子１１と配線板４５Ｊとの接続は、ＴＡＢ
法或いはワイヤボンディング法の何れをも用いることが
可能である。尚、本実施例は、図３４乃至図３６を用い
て説明した半導体装置１０Ｓ及びその製造方法に対し、
半導体素子１１と配線板４５Ｊとの接続構造が異なるの
みで、他の構成及び製造方法は同一であるためその説明
は省略する。
【０１８６】続いて、本発明の第２１実施例に係る半導
体装置及びその製造方法について説明する。図３８は本
発明の第２１実施例である半導体装置１０Ｕ及びその製
造方法を説明するための図である。尚、図３８において
図２５、及び図３４乃至図３５に示した構成と同一構成
については同一符号を付してその説明を省略する。
体装置及びその製造方法について説明する。図３８は本
発明の第２１実施例である半導体装置１０Ｕ及びその製
造方法を説明するための図である。尚、図３８において
図２５、及び図３４乃至図３５に示した構成と同一構成
については同一符号を付してその説明を省略する。
【０１８７】図３８（Ｆ）は、本発明の第２１実施例で
ある半導体装置１０Ｕを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｕに配設される枠体１３Ａは、図２５を用
いて説明した半導体装置１０Ｒと同一構成を有してい
る。即ち、枠体１３Ａは一体的に形成された底部３７を
有した構成とされている。また、本実施例で用いられて
いる配線基板４５Ｋは、基部５１Ａに突起電極５５が形
成された構成とされている。
ある半導体装置１０Ｕを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｕに配設される枠体１３Ａは、図２５を用
いて説明した半導体装置１０Ｒと同一構成を有してい
る。即ち、枠体１３Ａは一体的に形成された底部３７を
有した構成とされている。また、本実施例で用いられて
いる配線基板４５Ｋは、基部５１Ａに突起電極５５が形
成された構成とされている。
【０１８８】上記構成とされた配線基板４５Ｋは、図３
８（Ａ）に示されるように、基部５１Ａが枠体１３Ａの
底部３７上に位置決めされ、図中配線板４５Ｋの下面に
配設されている第２の接着剤４７を用いてこの側部３７
に固定される。この状態において、延出部４６は枠体１
３Ａの外周より外側に延出した状態となっている。ま
た、枠体１３Ａに形成されたキャビティ２３Ａの内部に
は、半導体素子１１が接着剤３６により搭載されてい
る。
８（Ａ）に示されるように、基部５１Ａが枠体１３Ａの
底部３７上に位置決めされ、図中配線板４５Ｋの下面に
配設されている第２の接着剤４７を用いてこの側部３７
に固定される。この状態において、延出部４６は枠体１
３Ａの外周より外側に延出した状態となっている。ま
た、枠体１３Ａに形成されたキャビティ２３Ａの内部に
は、半導体素子１１が接着剤３６により搭載されてい
る。
【０１８９】上記のように配線基板４５Ａの基部５１Ａ
が枠体１３Ａの底部３７に固定されると、樹脂封止工程
を実施することなく図３８（Ｂ），（Ｃ）に示すように
延出部４６を折り曲げ、接着剤４７Ａにより延出部４６
を枠体１３Ａに固定する。続いて、ワイヤボンディング
法を用いて接続電極５３と半導体素子１１との間にワイ
ヤ３５を配設する。図３８（Ｄ）は接続電極５３と半導
体素子１１との間にワイヤ３５が配設された状態を示し
ている。
が枠体１３Ａの底部３７に固定されると、樹脂封止工程
を実施することなく図３８（Ｂ），（Ｃ）に示すように
延出部４６を折り曲げ、接着剤４７Ａにより延出部４６
を枠体１３Ａに固定する。続いて、ワイヤボンディング
法を用いて接続電極５３と半導体素子１１との間にワイ
ヤ３５を配設する。図３８（Ｄ）は接続電極５３と半導
体素子１１との間にワイヤ３５が配設された状態を示し
ている。
【０１９０】上記のようにワイヤ３５が配設されると、
続いて樹脂封止工程が実施される。図３８（Ｅ）は配線
基板４５Ｋが金型２４Ｃに装着された状態を示してい
る。本実施例では、樹脂封止工程の実施前に配線基板４
５Ｋにメカニカルバンプ５５が形成されているため、金
型２４Ｃの上型２５Ｂにはメカニカルバンプ５５が挿入
される挿入孔５７が形成されている。
続いて樹脂封止工程が実施される。図３８（Ｅ）は配線
基板４５Ｋが金型２４Ｃに装着された状態を示してい
る。本実施例では、樹脂封止工程の実施前に配線基板４
５Ｋにメカニカルバンプ５５が形成されているため、金
型２４Ｃの上型２５Ｂにはメカニカルバンプ５５が挿入
される挿入孔５７が形成されている。
【０１９１】また、本実施例においても、封止樹脂１５
の形成には圧縮成形法が用いられている。更に、本実施
例では、封止樹脂１５の形成と同時に放熱板３３を配設
する方法が用いられている。そして、封止樹脂１５が形
成されることにより、図３８（Ｆ）に示す半導体装置１
０Ｕが製造される。
の形成には圧縮成形法が用いられている。更に、本実施
例では、封止樹脂１５の形成と同時に放熱板３３を配設
する方法が用いられている。そして、封止樹脂１５が形
成されることにより、図３８（Ｆ）に示す半導体装置１
０Ｕが製造される。
【０１９２】上記のように製造された半導体装置１０Ｕ
は、図２５に示した半導体装置１０Ｒと同様に、メカニ
カルバンプ５５の形成される位置は枠体１３Ａの底部３
７側となり、この位置にはキャビティ２３Ａは形成され
ていないため、底部３７の全領域をメカニカルバンプ５
５の形成領域とすることができる。このため、メカニカ
ルバンプ５５の配設ピッチを広く設定したり、またメカ
ニカルバンプ５５の配設数を多くすることが可能とな
る。
は、図２５に示した半導体装置１０Ｒと同様に、メカニ
カルバンプ５５の形成される位置は枠体１３Ａの底部３
７側となり、この位置にはキャビティ２３Ａは形成され
ていないため、底部３７の全領域をメカニカルバンプ５
５の形成領域とすることができる。このため、メカニカ
ルバンプ５５の配設ピッチを広く設定したり、またメカ
ニカルバンプ５５の配設数を多くすることが可能とな
る。
【０１９３】図３９は、メカニカルバンプ５５を適用し
た各種半導体装置を示す図である。図３９（Ａ）は、先
に図４を用いて説明した第２実施例に係る半導体装置１
０Ａにおいて、突起電極としてメカニカルバンプ５５を
用いた構成の半導体装置１０Ｖである。また、図３９
（Ｂ）は、先に図７を用いて説明した第３実施例に係る
半導体装置１０Ｂにおいて、突起電極としてメカニカル
バンプ５５を用いた構成の半導体装置１０Ｗである。更
に、図３９（Ｃ）は、先に図９を用いて説明した第５実
施例に係る半導体装置１０Ｄにおいて、突起電極として
メカニカルバンプ５５を用いた構成の半導体装置１０Ｘ
である。
た各種半導体装置を示す図である。図３９（Ａ）は、先
に図４を用いて説明した第２実施例に係る半導体装置１
０Ａにおいて、突起電極としてメカニカルバンプ５５を
用いた構成の半導体装置１０Ｖである。また、図３９
（Ｂ）は、先に図７を用いて説明した第３実施例に係る
半導体装置１０Ｂにおいて、突起電極としてメカニカル
バンプ５５を用いた構成の半導体装置１０Ｗである。更
に、図３９（Ｃ）は、先に図９を用いて説明した第５実
施例に係る半導体装置１０Ｄにおいて、突起電極として
メカニカルバンプ５５を用いた構成の半導体装置１０Ｘ
である。
【０１９４】各図に示されるように、延出部４６を折曲
形成しない半導体装置１０Ｖ〜１０Ｘにおいても、突起
電極としてメカニカルバンプ５５を適用できることがで
きる。尚、図３９に示した各半導体装置１０Ｖ〜１０Ｘ
において、メカニカルバンプ５５以外の構成は、前記し
た半導体装置１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｄと同一であるた
め、その説明については省略する。
形成しない半導体装置１０Ｖ〜１０Ｘにおいても、突起
電極としてメカニカルバンプ５５を適用できることがで
きる。尚、図３９に示した各半導体装置１０Ｖ〜１０Ｘ
において、メカニカルバンプ５５以外の構成は、前記し
た半導体装置１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｄと同一であるた
め、その説明については省略する。
【０１９５】続いて、本発明の第２２実施例に係る半導
体装置及びその製造方法について説明する。図４０は本
発明の第２２実施例である半導体装置１０Ｙ及びその製
造方法を説明するための図である。尚、図４０において
図３８に示した構成と同一構成については同一符号を付
してその説明を省略する。
体装置及びその製造方法について説明する。図４０は本
発明の第２２実施例である半導体装置１０Ｙ及びその製
造方法を説明するための図である。尚、図４０において
図３８に示した構成と同一構成については同一符号を付
してその説明を省略する。
【０１９６】図４０（Ｅ）は、本発明の第２２実施例で
ある半導体装置１０Ｙを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｙは、前記してきた各実施例に対し、枠体
１３，１３Ａを設けない構成としたことを特徴とするも
のである。従って、半導体素子１１は、封止樹脂１５の
みにより保持された構成となっている。このように、枠
体１３，１３Ａを取り除き、封止樹脂１５のみにより半
導体素子１１を保持する構成とすることにより、半導体
装置１０Ｙの小型化を更に進めることができると共に、
部品点数が削減されることによりコスト低減及び組み立
て作業の簡単化を図ることができる。
ある半導体装置１０Ｙを示している。本実施例に係る半
導体装置１０Ｙは、前記してきた各実施例に対し、枠体
１３，１３Ａを設けない構成としたことを特徴とするも
のである。従って、半導体素子１１は、封止樹脂１５の
みにより保持された構成となっている。このように、枠
体１３，１３Ａを取り除き、封止樹脂１５のみにより半
導体素子１１を保持する構成とすることにより、半導体
装置１０Ｙの小型化を更に進めることができると共に、
部品点数が削減されることによりコスト低減及び組み立
て作業の簡単化を図ることができる。
【０１９７】続いて、上記構成とされた半導体装置１０
Ｙの製造方法について説明する。尚、以下の説明におい
ては突起電極としてメカニカルバンプ５５を用いている
者を例に挙げて説明するが、メカニカルバンプ以外の突
起電極が適用された半導体装置に対しても、以下の説明
に係る製造方法は適用できるものである。
Ｙの製造方法について説明する。尚、以下の説明におい
ては突起電極としてメカニカルバンプ５５を用いている
者を例に挙げて説明するが、メカニカルバンプ以外の突
起電極が適用された半導体装置に対しても、以下の説明
に係る製造方法は適用できるものである。
【０１９８】図４０（Ａ）は、予めメカニカルバンプ５
５が形成されると共に、半導体素子１１が搭載された配
線基板４６Ｌを金型２４Ｃに装着する状態を示してい
る。本実施例においては、半導体素子１１と配線基板４
６Ｌとはワイヤ３５を用いて電気的に接続されている。
また、本実施例で用いる金型２４Ｃは、図３８（Ｅ）で
示したものと同様に、上型２５Ｂにメカニカルバンプ５
５が挿入される挿入孔５７が形成されている。
５が形成されると共に、半導体素子１１が搭載された配
線基板４６Ｌを金型２４Ｃに装着する状態を示してい
る。本実施例においては、半導体素子１１と配線基板４
６Ｌとはワイヤ３５を用いて電気的に接続されている。
また、本実施例で用いる金型２４Ｃは、図３８（Ｅ）で
示したものと同様に、上型２５Ｂにメカニカルバンプ５
５が挿入される挿入孔５７が形成されている。
【０１９９】配線基板４６Ｌが金型２４Ｃに装着される
と、上型２５Ｂと下型２６は近接いるように移動し、図
４０（Ｂ）に示されるように、配線基板４６Ｌは上型２
５Ｂと下型２６との間にクランプされた状態となる。続
いて、図４０（Ｃ）に示されるように第１の下型半体２
８は上動し、封止樹脂２７は所定の圧縮圧力をもって半
導体素子１１，ワイヤ３５等を封止してゆく。即ち、本
実施例においても、封止樹脂１５の形成には圧縮成形法
が用いられている。また、本実施例では、第１の下型半
体２８の上部に放熱板３３が載置された状態で樹脂封止
処理が行なわれる構成とされているため、封止樹脂１５
の形成と同時に放熱板３３を配設することができる。
と、上型２５Ｂと下型２６は近接いるように移動し、図
４０（Ｂ）に示されるように、配線基板４６Ｌは上型２
５Ｂと下型２６との間にクランプされた状態となる。続
いて、図４０（Ｃ）に示されるように第１の下型半体２
８は上動し、封止樹脂２７は所定の圧縮圧力をもって半
導体素子１１，ワイヤ３５等を封止してゆく。即ち、本
実施例においても、封止樹脂１５の形成には圧縮成形法
が用いられている。また、本実施例では、第１の下型半
体２８の上部に放熱板３３が載置された状態で樹脂封止
処理が行なわれる構成とされているため、封止樹脂１５
の形成と同時に放熱板３３を配設することができる。
【０２００】図４０（Ｄ）は、上記のように封止樹脂１
５が形成された配線基板４５Ｌを金型２４Ｃから離型し
た状態を示している。この状態では、配線基板４５Ｌは
形成された封止樹脂１５の側部に延出した不要延出部５
８が形成された状態となっている。この不要延出部５８
は、離型処理が行なわれた後に切断除去され、これによ
り図４０（Ｅ）に示される半導体装置１０Ｙが製造され
る。
５が形成された配線基板４５Ｌを金型２４Ｃから離型し
た状態を示している。この状態では、配線基板４５Ｌは
形成された封止樹脂１５の側部に延出した不要延出部５
８が形成された状態となっている。この不要延出部５８
は、離型処理が行なわれた後に切断除去され、これによ
り図４０（Ｅ）に示される半導体装置１０Ｙが製造され
る。
【０２０１】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば次に述
べる種々の効果を実現することができる。請求項１記載
の発明によれば、半導体素子と配線基板との間に形成さ
れる狭い隙間部分にも樹脂を充填することができるた
め、半導体素子を封止樹脂により確実に封止することが
できる。
べる種々の効果を実現することができる。請求項１記載
の発明によれば、半導体素子と配線基板との間に形成さ
れる狭い隙間部分にも樹脂を充填することができるた
め、半導体素子を封止樹脂により確実に封止することが
できる。
【０２０２】また、圧縮形成法では成形圧力が低くてよ
いため、樹脂成形時において、配線基板に変形が生じた
り、また半導体素子と配線基板との接続位置で断線が発
生することを確実に防止することができる。また、請求
項２または請求項１２記載の発明によれば、枠体により
可撓性を有する配線基板を支持することができると共
に、半導体素子を枠体により保護することができる。
いため、樹脂成形時において、配線基板に変形が生じた
り、また半導体素子と配線基板との接続位置で断線が発
生することを確実に防止することができる。また、請求
項２または請求項１２記載の発明によれば、枠体により
可撓性を有する配線基板を支持することができると共
に、半導体素子を枠体により保護することができる。
【０２０３】また、請求項３または請求項４記載の発明
によれば、封止樹脂が金型に直接触れないため離型性を
向上することができ、また離型剤なしの密着性の高い高
信頼性樹脂の使用が可能となる。また、請求項５記載の
発明によれば、半導体素子で発生する熱は放熱板として
機能する板状部材を介して放熱されるため、製造される
半導体装置の放熱特性を向上させることができる。
によれば、封止樹脂が金型に直接触れないため離型性を
向上することができ、また離型剤なしの密着性の高い高
信頼性樹脂の使用が可能となる。また、請求項５記載の
発明によれば、半導体素子で発生する熱は放熱板として
機能する板状部材を介して放熱されるため、製造される
半導体装置の放熱特性を向上させることができる。
【０２０４】また、請求項６記載の発明によれば、封止
樹脂の計量を容易とすることができると共に、常に適正
な樹脂量で突起電極の封止処理を行なうことができる。
また、金型内における封止樹脂の圧力を制御することが
できるため、成形時におる封止樹脂の圧力を均一化する
ことができボイドの発生を防止することができる。
樹脂の計量を容易とすることができると共に、常に適正
な樹脂量で突起電極の封止処理を行なうことができる。
また、金型内における封止樹脂の圧力を制御することが
できるため、成形時におる封止樹脂の圧力を均一化する
ことができボイドの発生を防止することができる。
【０２０５】また、請求項７、請求項８、または請求項
１１記載の発明によれば、突起電極の形成領域を広く取
ることができるため、突起電極の配設ピッチを広く設定
したり、また突起電極の配設数を多くすることが可能と
なる。また、請求項９記載の発明によれば、延出部の折
曲時においては半導体素子と接続電極とは接続されてい
ない状態であるため、半導体素子と接続電極との電気的
接続の信頼性を向上することができる。
１１記載の発明によれば、突起電極の形成領域を広く取
ることができるため、突起電極の配設ピッチを広く設定
したり、また突起電極の配設数を多くすることが可能と
なる。また、請求項９記載の発明によれば、延出部の折
曲時においては半導体素子と接続電極とは接続されてい
ない状態であるため、半導体素子と接続電極との電気的
接続の信頼性を向上することができる。
【０２０６】また、請求項１０記載の発明によれば、接
続電極を千鳥状に配設することにより、各接続電極の面
積を広くすることができるため、半導体素子との電気的
接続処理を簡単化することができる。また、接続電極の
角部を曲線状に形成することにより、半導体素子と接続
電極との接続時に発生する応力を分散することができ、
よって半導体素子と接続電極との電気的接続処理を確実
に行なうことができる。
続電極を千鳥状に配設することにより、各接続電極の面
積を広くすることができるため、半導体素子との電気的
接続処理を簡単化することができる。また、接続電極の
角部を曲線状に形成することにより、半導体素子と接続
電極との接続時に発生する応力を分散することができ、
よって半導体素子と接続電極との電気的接続処理を確実
に行なうことができる。
【０２０７】更に、請求項１３記載の発明によれば、リ
ードを成形することによりバンプが形成されるため別個
にバンプ用のボール材を必要とすることはなく、またメ
カニカルバンプはリードを塑性変形する簡単な処理であ
るため、低コストでかつ容易に突起電極を形成すること
が可能となる。
ードを成形することによりバンプが形成されるため別個
にバンプ用のボール材を必要とすることはなく、またメ
カニカルバンプはリードを塑性変形する簡単な処理であ
るため、低コストでかつ容易に突起電極を形成すること
が可能となる。
【図１】本発明の第１実施例である半導体装置を説明す
るための図である。
るための図である。
【図２】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図（その１）である。
法を説明するための図（その１）である。
【図３】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図（その２）である。
法を説明するための図（その２）である。
【図４】本発明の第２実施例である半導体装置を説明す
るための図である。
るための図である。
【図５】本発明の第２実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図（その１）である。
法を説明するための図（その１）である。
【図６】本発明の第２実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図（その２）である。
法を説明するための図（その２）である。
【図７】本発明の第３実施例である半導体装置を説明す
るための図である。
るための図である。
【図８】本発明の第４実施例である半導体装置を説明す
るための図である。
るための図である。
【図９】本発明の第５実施例である半導体装置を説明す
るための図である。
るための図である。
【図１０】余剰樹脂除去機構を説明するための図であ
る。
る。
【図１１】本発明の第６実施例である半導体装置を説明
するための図である。
するための図である。
【図１２】本発明の第６実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図（その１）である。
方法を説明するための図（その１）である。
【図１３】本発明の第６実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図（その２）である。
方法を説明するための図（その２）である。
【図１４】本発明の第７実施例である半導体装置及びそ
の製造方法を説明するための図である。
の製造方法を説明するための図である。
【図１５】本発明の第８実施例である半導体装置及びそ
の製造方法を説明するための図である。
の製造方法を説明するための図である。
【図１６】本発明の第９実施例である半導体装置及びそ
の製造方法を説明するための図である。
の製造方法を説明するための図である。
【図１７】本発明の第１０実施例である半導体装置及び
その製造方法を説明するための図である。
その製造方法を説明するための図である。
【図１８】本発明の第１１実施例である半導体装置及び
その製造方法を説明するための図である。
その製造方法を説明するための図である。
【図１９】本発明の第１２実施例である半導体装置及び
その製造方法を説明するための図である。
その製造方法を説明するための図である。
【図２０】本発明の第１３実施例である半導体装置及び
その製造方法を説明するための図である。
その製造方法を説明するための図である。
【図２１】本発明の第１４実施例である半導体装置及び
その製造方法を説明するための図である。
その製造方法を説明するための図である。
【図２２】本発明の第１５実施例である半導体装置及び
その製造方法を説明するための図である。
その製造方法を説明するための図である。
【図２３】本発明の第１６実施例である半導体装置及び
その製造方法を説明するための図である。
その製造方法を説明するための図である。
【図２４】本発明の第１７実施例である半導体装置及び
その製造方法を説明するための図である。
その製造方法を説明するための図である。
【図２５】本発明の第１８実施例である半導体装置及び
その製造方法を説明するための図である。
その製造方法を説明するための図である。
【図２６】配線基板の他の実施例を示す図である（その
１）。
１）。
【図２７】配線基板の他の実施例を示す図である（その
２）。
２）。
【図２８】配線基板の他の実施例を示す図である（その
３）。
３）。
【図２９】配線基板の他の実施例を示す図である（その
４）。
４）。
【図３０】配線基板の他の実施例を示す図である（その
５）。
５）。
【図３１】配線基板の他の実施例を示す図である（その
６）。
６）。
【図３２】配線基板の他の実施例を示す図である（その
７）。
７）。
【図３３】図２９に示す配線基板の変形例を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図３４】本発明の第１９実施例である半導体装置及び
その製造方法を説明するための図である。
その製造方法を説明するための図である。
【図３５】本発明の第１９実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図（その１）である。
造方法を説明するための図（その１）である。
【図３６】本発明の第１９実施例である半導体装置の製
造方法を説明するための図（その２）である。
造方法を説明するための図（その２）である。
【図３７】本発明の第２０実施例である半導体装置及び
その製造方法を説明するための図である。
その製造方法を説明するための図である。
【図３８】本発明の第２１実施例である半導体装置及び
その製造方法を説明するための図である。
その製造方法を説明するための図である。
【図３９】本発明の第２２乃至第２４実施例である半導
体装置を説明するための図である。
体装置を説明するための図である。
【図４０】メカニカルバンプを適用した各種半導体装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図４１】従来の半導体装置及びその製造方法の一例を
説明するための図である。
説明するための図である。
１０，１０Ａ〜１０Ｚ 半導体装置 １１ 半導体素子 １２，１２Ａ，４５，４５Ａ〜４５Ｌ 配線基板 １３，１３Ａ 枠体 １４ 突起電極 １５ 封止樹脂 １６ バンプ電極 １７ ベースフィルム １７ａ，４８ 装着孔 １７Ｂ，１９ａ 接続孔 １８ リード １９ 絶縁膜 ２２ 接着剤 ２３，２３Ａ，５０ キャビティ ２４，２４Ａ〜２４Ｃ 金型 ２５，２５Ａ，２５Ｂ 上型 ２５ａ，３０ キャビティ面 ２６，２６Ａ 下型 ２７ 封止樹脂 ２８ 第１の下型半体 ２９，２９Ａ 第２の下型半体 ３１，３２ 樹脂フィルム ３３，３４ 放熱板 ３５ ワイヤ ３７ 底部 ３９ キャビティ部 ４０ 余剰樹脂除去機構 ４１ 開口部 ４２ ポット部 ４３ 圧力制御ロッド ４６，４６Ａ 延出部 ４７，４７Ａ 第２の接着剤 ４９ ランド部 ５１，５１Ａ 基部 ５２ 放熱フィン ５３ 接続電極 ５４ ソルダーレジスト ５５，５５Ａ〜５５Ｃ メカニカルバンプ ５６ コア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深澤 則雄 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 新間 康弘 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通オートメーション株式会社内 (72)発明者 小野寺 正徳 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 河西 純一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 森岡 宗知 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 竹中 正司 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (13)
- 【請求項１】 少なくとも可撓性基材に半導体素子及び
リードが配設された構成の配線基板を金型内に装着し、
続いて前記半導体素子の配設位置に封止樹脂を供給して
前記半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程と、 前記配線基板に形成されたリードと電気的に接続するよ
う突起電極を形成する突起電極形成工程とを有する半導
体装置の製造方法において、 前記半導体素子を樹脂封止する手段として、圧縮成形法
を用いたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記配線基板を形成する際、前記半導体素子を収納する
キャビティ部が形成された枠体を配設することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置の製
造方法において、 前記樹脂封止工程で、前記金型の前記配線基板と対向す
る位置に前記封止樹脂に対する離型性の良好なフィルム
を配設し、前記金型が前記フィルムを介して前記封止樹
脂と接触するよう構成したことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１または２記載の半導体装置の製
造方法において、 前記樹脂封止工程で、前記金型の前記配線基板と対向す
る位置に前記封止樹脂に対する離型性の良好な板状部材
を配設し、前記金型が前記板状部材を介して前記封止樹
脂と接触するよう構成したことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記板状部材として放熱性の良好な材料を選定したこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法において、 前記樹脂封止工程で用いられる金型に、余剰樹脂を除去
すると共に前記金型内における封止樹脂の圧力を制御す
る余剰樹脂除去機構を設けたことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法において、 前記配線基板に前記半導体素子の形成位置より側方に長
く延出した延出部を形成し、 前記樹脂封止工程の終了後で前記突起電極形成工程の実
施前に、前記延出部を折り曲げる折曲工程を実施し、 前記突起電極形成工程において、折曲された前記延出部
に前記突起電極を形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１乃至６のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法において、 前記配線基板に前記半導体素子の形成位置より側方に長
く延出した延出部を形成し、 前記樹脂封止工程の実施前に、前記延出部を折り曲げる
折曲工程を実施し、 前記折曲工程を実施した後に、前記樹脂封止工程と前記
突起電極形成工程を実施することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項７または８記載の半導体装置の製
造方法において、 前記延出部の先端部に前記半導体素子と接続される接続
電極を形成しておき、前記折曲工程の実施後に、前記半
導体素子と前記接続電極とを接続する素子接続工程を行
なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項８記載の半導体装置の製造方法
において、 前記接続電極を千鳥状に配設すると共に、角部を曲線状
に形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 半導体素子と、 外部接続端子として機能する突起電極と、 可撓性基材上に、前記半導体素子に一端が接続されると
共に他端部が前記突起電極に接続されるリードが形成さ
れた配線基板と、 前記半導体素子を封止する封止樹脂とを具備する半導体
装置において、 前記配線基板に前記半導体素子の形成位置より側方に長
く延出すると共に折曲された延出部を形成し、前記延出
部に前記突起電極が形成されていることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の半導体装置におい
て、 前記配線基板を支持すると共に前記半導体素子を収納す
るキャビティ部が形成された枠体が設けられていること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項１３】 請求項１１または１２記載の半導体装
置において、 前記突起電極は前記リードを塑性変形することにより形
成されたメカニカルバンプであることを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (21)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8276634A JPH10125705A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| EP01126200A EP1189271A3 (en) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | Wiring boards and mounting of semiconductor devices thereon |
| DE69730940T DE69730940T2 (de) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung |
| KR1019980701863A KR19990063586A (ko) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 제조용 금형 및 반도체 장치 및 그 실장방법 |
| KR10-2003-7015884A KR100469516B1 (ko) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 |
| CN97191078A CN1110846C (zh) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | 半导体装置的制造方法 |
| US09/029,608 US20010003049A1 (en) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method for mounting the device |
| KR10-2003-7008937A KR100484962B1 (ko) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 |
| KR1020017010285A KR100357278B1 (ko) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | 반도체 장치 |
| EP01126199A EP1189270A3 (en) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | Semiconductor device |
| EP02016816A EP1271640A3 (en) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | Mold for manufacturing semiconductor device |
| KR10-2002-7008494A KR100418743B1 (ko) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 |
| EP97930760A EP0853337B1 (en) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN2005101189007A CN1783470B (zh) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | 半导体装置 |
| KR10-2001-7010597A KR100373554B1 (ko) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치 및 그 실장 구조 |
| CN02126232A CN1420538A (zh) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | 半导体装置的制造方法和半导体装置及其装配方法 |
| CNB021262330A CN100428449C (zh) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | 半导体装置 |
| PCT/JP1997/002405 WO1998002919A1 (fr) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | Procede et moule de fabrication d'un dispositif a semiconducteur, dispositif a semiconducteur, et procede de montage du dispositif |
| TW086109806A TW360961B (en) | 1996-07-12 | 1997-07-11 | Method of producing semiconductor device, die for producing semiconductor device, semiconductor device and method of mounting the same |
| US09/635,124 US6881611B1 (en) | 1996-07-12 | 2000-08-08 | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device |
| US09/766,656 US20020030258A1 (en) | 1996-07-12 | 2001-01-23 | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method for mounting the device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8276634A JPH10125705A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125705A true JPH10125705A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17572186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8276634A Pending JPH10125705A (ja) | 1996-07-12 | 1996-10-18 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125705A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059033A1 (en) * | 1999-03-25 | 2000-10-05 | Seiko Epson Corporation | Wiring board, connection board, semiconductor device, method of manufacture thereof, circuit board, and electronic device |
| JP2002036270A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-05 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
| US6682958B2 (en) | 2001-03-27 | 2004-01-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device by using sealing apparatus |
| US6707151B2 (en) | 2000-05-24 | 2004-03-16 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2007058134A1 (ja) * | 2005-11-15 | 2007-05-24 | Nec Corporation | 半導体パッケージ、電子部品、及び電子機器 |
| JP2020040369A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | 日鉄日新製鋼株式会社 | 加熱圧着用治具及び複合体の製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05229293A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-09-07 | Kobe Steel Ltd | 電子部品構成物内蔵インモールド品及びその製造方法 |
| JPH05343458A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-12-24 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPH07235618A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-05 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 多端子半導体パッケージ |
| JPH0817855A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法およびこれに用いられる積層体 |
| JPH0831869A (ja) * | 1994-05-09 | 1996-02-02 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法及びその実装検査方法 |
| JPH0897312A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Nec Corp | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
| JPH08148608A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-06-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法及び半導体装置用基板 |
| JPH08156029A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-18 | Nitto Denko Corp | 半導体パッケージの製造方法と、これに用いられるフィルムおよび金型 |
-
1996
- 1996-10-18 JP JP8276634A patent/JPH10125705A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05229293A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-09-07 | Kobe Steel Ltd | 電子部品構成物内蔵インモールド品及びその製造方法 |
| JPH05343458A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-12-24 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPH07235618A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-05 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 多端子半導体パッケージ |
| JPH0831869A (ja) * | 1994-05-09 | 1996-02-02 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法及びその実装検査方法 |
| JPH0817855A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法およびこれに用いられる積層体 |
| JPH08148608A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-06-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法及び半導体装置用基板 |
| JPH0897312A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Nec Corp | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
| JPH08156029A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-18 | Nitto Denko Corp | 半導体パッケージの製造方法と、これに用いられるフィルムおよび金型 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059033A1 (en) * | 1999-03-25 | 2000-10-05 | Seiko Epson Corporation | Wiring board, connection board, semiconductor device, method of manufacture thereof, circuit board, and electronic device |
| US6507095B1 (en) | 1999-03-25 | 2003-01-14 | Seiko Epson Corporation | Wiring board, connected board and semiconductor device, method of manufacture thereof, circuit board, and electronic instrument |
| US6707151B2 (en) | 2000-05-24 | 2004-03-16 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2002036270A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-05 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
| JP4484329B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2010-06-16 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
| US7309919B2 (en) | 2001-03-27 | 2007-12-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Sealing apparatus for semiconductor wafer, mold of sealing apparatus, and semiconductor wafer |
| US6682958B2 (en) | 2001-03-27 | 2004-01-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device by using sealing apparatus |
| US7800221B2 (en) | 2001-03-27 | 2010-09-21 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Sealing apparatus for semiconductor wafer, mold of sealing apparatus, and semiconductor wafer |
| US8044507B2 (en) | 2001-03-27 | 2011-10-25 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Sealing apparatus for semiconductor wafer, mold of sealing apparatus, and semiconductor wafer |
| WO2007058134A1 (ja) * | 2005-11-15 | 2007-05-24 | Nec Corporation | 半導体パッケージ、電子部品、及び電子機器 |
| US7847389B2 (en) | 2005-11-15 | 2010-12-07 | Nec Corporation | Semiconductor package, electronic part and electronic device |
| JP5104315B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2012-12-19 | 日本電気株式会社 | 半導体パッケージ、電子部品、及び電子機器 |
| JP2020040369A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | 日鉄日新製鋼株式会社 | 加熱圧着用治具及び複合体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10573584B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP3137322B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置 | |
| US6287503B1 (en) | Method for encasing array packages | |
| KR0169187B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| EP0657921A1 (en) | Semiconductor device and method of producing the same | |
| US5672547A (en) | Method for bonding a heat sink to a die paddle | |
| US20040048418A1 (en) | Low cost and compliant microelectronic packages for high I/O and fine pitch | |
| JP2002324816A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR20050077866A (ko) | 열방출형 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2003197655A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法 | |
| JP5262983B2 (ja) | モールドパッケージおよびその製造方法 | |
| JP3397743B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10125705A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JPH10335577A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2002093982A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3723545B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1126642A (ja) | 半導体装置及びその製造方法及びその実装構造 | |
| JPH09312372A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003031737A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3599566B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3606440B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4326385B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1167975A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06163760A (ja) | 放熱スラグを有した電子部品搭載用基板 | |
| JPH0637210A (ja) | 半導体装置とその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020108 |