JPH10116938A - 表面実装半導体パッケージ - Google Patents

表面実装半導体パッケージ

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JPH10116938A
JPH10116938A JP23918597A JP23918597A JPH10116938A JP H10116938 A JPH10116938 A JP H10116938A JP 23918597 A JP23918597 A JP 23918597A JP 23918597 A JP23918597 A JP 23918597A JP H10116938 A JPH10116938 A JP H10116938A
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semiconductor package
terminals
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Peter R Ewer
アール． ユーアー ピーター
Arthur Woodworth
ウッドワース アーサー
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International Rectifier Corp USA
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 一層効率よく容易に製造できる半導体パッケ
ージを提供する。 【解決手段】 表面実装半導体パッケージはプラスチッ
クハウジング（３０）の底部表面に形成した洗い出し溝
（５０，５１）を含む。このパッケージは、半導体デバ
イスが装着される金属パッドにプラスチックハウジング
をロックするロッキング素子を用い、この位置において
ロッキング素子は端子間にクロスバー（７０）を含み、
金属パッド（３１）に形成した段差部およびＺ形溝を含
むスロットを金属パッドに形成する。この金属パッドは
基板への結合を改良するためのワッフル状の表面を含
む。パッケージは、オフセットした部分を有する端子を
含み、プラスチックのハウジング材料を充填して端子の
封止を改善するための空間を形成する。金属パッドはプ
ラスチックハウジングの横方向縁部を越えて延在し、放
熱を改善すると共にヒートシンクへ結合するための表面
を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスパ
ッケージおよびそのリードフレームに関するものであ
り、特に表面実装に適した高電力半導体デバイスに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】絶縁された金属基板（ＩＭＳ）または平
坦な支持ボード上に表面実装できる高電力半導体デバイ
ス用のパッケージは周知である。このようなパッケージ
は１９９６年１月５日に出願された特願平８−０００３
０８号、名称「表面実装半導体パッケージ」に記載され
ており、これを参照することにより本明細書の一部分と
する。これらのデバイスは、ＩＭＳ構造体（薄いパター
ン化可能な銅または他の導電性のハンダ付け可能な上側
表面を有する絶縁性薄膜により被覆されている厚い銅ま
たはアルミニウム基板）のような平坦な支持ボードの導
電性パターンに表面実装するのに極めて好適である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記特願平
８−０００３０８号のデバイスを改良し、上記デバイス
を効率良くかつ一層容易に製造できるようにすることで
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、電力Ｉ
ＧＢＴダイ、ＩＧＢＴダイ、ショットキーダイオードダ
イ、およびこれらの混合体のような１個またはそれ以上
の半導体ダイを中央の平坦なパッド部分に収納できる新
規リードフレームを提供する。これらのダイはその底部
表面においてパッドにより相互接続され、その上部にお
いて適当なワイヤボンドィングにより相互接続される。
リードフレームは２個の電力端子を有し、これらの端子
は矩形パッケージの２個の隣接するコーナにおいて相互
接続することができる。これらの電力端子は、中央リー
ドフレームパッドの上部および側部を包囲する平坦なプ
ラスチック成形されたハウジンクの外部接続部に接続す
ることができる。複数のピンまたは端子は最初リードフ
レームの一部であるが、ハウジングの成形後はヒートシ
ンクから分離され、ハウジングの電力端子を含む側部と
対抗する側部から延在する。
【０００５】少なくとも２個の接近配置した制御端子ま
たはピンが存在し、これらのピンはハウジング内のダイ
のゲートおよびカソードまたは電流センスにワイヤボン
ドすることができる。例えばサイリスタのダイがハウジ
ング内に含まれている場合、離れた（接近配置した第１
および第２の制御端子から）第３の端子を利用してサイ
リスタのダイのゲート端子のような別の端子に接続する
こともできる。
【０００６】リードフレームは、好ましくは単一の標準
の導電性シートとする。成形されたハウジングの縁部を
経て延在する端子は、垂直方向に部分的にオフセットし
てリードフレームに対する改良したプラスチックのロッ
クを形成することができる。端子の底部表面およびリー
ドフレームのパッドは共通の面内にある。主要なヒート
シンクパッドは、パッド上のダイの反対側まで延在する
平行なスロットを有して成形されたハウジングに対して
別のプラスチックロックを形成することができる。これ
らスロットの内側端部から浅いＺ形溝を延在させて改良
されたプラスチックロックを形成することもできる。
【０００７】パッドの表面は、ダイの底部表面電極のパ
ッドに対する半田付けを改良するためワッフル状のまた
は凹凸状の面を有することができる。本発明の構成によ
れば、ヒートシンクまたはＩＭＳボードの導電性パター
ンに表面実装されるパッドの底部表面もワッフル状にし
てパッドのヒートシンクへの半田付け性能を改良し半田
付け欠陥の発生を防止することができる。
【０００８】絶縁性ハウジングの底部にも、端子とパッ
ドとの間に位置し入力側および出力側の端子を含む側部
に平行にパッケージの全幅にわたって延在する洗い出し
溝を設ける。これらの溝は端子とパッドとの間の表面ト
ラッキング距離が増大し、半田付け中に半田のフラック
スを洗い出すことができる。
【０００９】本発明の別の構成によれば、短く浅い複数
の段差部ないし棚部（シェルフ）が溝の底部端からハウ
ジングの底部の幅にわたって延在してフラックスの洗い
出し機能を改善する。
【００１０】前述したように、種々の端子ピンは垂直方
向に部分的に切り欠きまたはオフセットさせてプラスチ
ックロックを改良する。本発明の別の構成では、オフセ
ットした区域の部分的に丸みをつけた端部に小さな四角
形のノッチまたは階段状のコーナを設け、成形中に端子
の下側表面からプラスチックが流出するのを防止する。
【００１１】本発明の別の構成として、端子に、端子の
プラスチックハウジングの丁度外側の部分と隣接する側
部の表面に細長い押しつぶし可能なビード部を形成す
る。このビード部は、成形用具(molding tool)と接近し
た際に成形用具により内向きに押しつぶされ、成形プラ
スチックが端子の側部上に流出しハウジングを越えて延
在して端子の半田付け接続の妨げとなるのを防止するシ
ールを形成する。
【００１２】本発明のさらに別の構成として、一体的に
形成したリードフレームのバーが、ハウジングの２個の
コーナにハウジングと一体化した電力入力端子を接続す
る。このハウジング内に含まれる単一のバーにハウジン
グ内のダイからワイヤボンドする。このバーはワイヤボ
ンド接続を改良すると共にハウジングに対するプラスチ
ックロックとしても作用する。
【００１３】以下、図面に基づいて本発明を詳細に説明
する。
【００１４】
【発明の実施の形態】まず、図１〜図４を参照するに、
本発明の好適実施例の表面実装パッケージの外形を図示
し、この表面実装パッケージの外形は成形された絶縁性
プラスチックのハウジング３０で構成され、このハウジ
ングは細長い矩形をなすと共に上側表面および平坦な単
一の標準リードフレームの端部部分を含み、このリード
フレームは厚さが約１．２７ｍｍの通常の銅合金とする
ことができる。好適実施例として、ハウジング３０は長
さ約２９ｍｍ、幅１４．２ｍｍ、および高さ４．２７ｍ
ｍとする。リードフレームは図６、図７および図８に基
づき以下において詳細に説明する。図１〜図４に示すリ
ードフレームの素子は、リードフレームヒートシンクパ
ッド３１、矩形ハウジング３０の端部のコーナに位置す
る電力端子３２および３３、およびハウジングの反対側
に沿って配置した制御端子すなわちピン３４、３５およ
び３６とする。端子３２〜３６はハウジングの縁部から
約１ｍｍ越えて延在する。端子３４および３５は好まし
くは例えば中心から中心までが約２．５ｍｍのように接
近配置し、端子３５および３６は好ましくは例えば中心
間距離が６．０ｍｍのようにより広く離間させる図３に
示すように、パッド３１および端子３２〜３６の底部表
面は共通の面とし、ＩＭＳボードのようなヒートシンク
支持部材のパターン化された表面に接続することができ
る。図５は、極めて薄い絶縁性ポリマ４１で覆われてい
る厚い熱伝導性（銅またはアルミニウム合金）の基板４
１で構成される典型的なＩＭＳボードの断面を示す。パ
ターン化可能な薄い導電性の半田付け可能な層４２を絶
縁体４１上に形成する。いかなる所望のパターンを層４
２に形成できるが、図５において層４２は部分４２ａと
端子３２〜３６に対して整列した複数のセグメントとに
分離する。図５においては、例えば端子３２および３４
とそれぞれ整列したセグメント４２ｂおよび４２ｃだけ
を示す。この場合、標準の半田付け技術を利用して図１
〜図４のパッケージの底部を図５のＩＭＳボードにハン
ダ付けするのが便利である。
【００１５】図１および図２０に示すように、上方から
見た場合および側方から見た場合、パッド３１はハウジ
ング３０を越えて延在する。特に、パッド部分３１ａお
よび３１ｂはハウジング３０の側面を越えて横方向に延
在する。これらの横方向に延在するパッド部分３１ａ，
３１ｂは拡大されたヒートシンク接点区域を構成し、パ
ッド３１を例えばＵ字形状のヒートシンク３１ｃに結合
してパッケージ全体の優れた放熱を行うことができる。
好ましくは、Ｕ字形状のヒートシンク３１ｃはパッド部
分３１ａ，３１ｂにハンダ付けする。
【００１６】半田付け処理を支援し改良するため、フラ
ックス洗い出し溝５０および５１（図２および図３）を
パッド３１の対向する縁部に平行に並びにこれら縁部と
端子３２〜３３のラインとの間および３４〜３６のライ
ンとの間にそれぞれプラスチックハウジング３０の底部
を横切るように形成する。溝５０および５１は、好まし
くは半径が約０．４ｍｍの湾曲した断面を有する。これ
らの溝は、半田付け処理の後に半田フラックスの洗い出
しを支援するのに有用であり、さらにパッド３１と端子
３２〜３６との間のプラスチック表面のトラッキング距
離を増大する。
【００１７】フラックス洗い出し機能を改良するため、
図１０の段差部６０および６１として示す浅く短い段差
部を形成することが有用であることが判明した。段差部
６０および６１は約０．１ｍｍの深さを有し、各洗い出
し溝５０および５１に幅を持たせると共にパッケージが
半田付けされる基板の上方に開放させる。
【００１８】ダイまたはハウジングを受容する前のリー
ドフレーム自身を図６、図７および図８に示す。パッド
３１および端子３２〜３６はリードフレームの一体化さ
れた部品であり複数のセグメントにより結合され、これ
らセグメントはコンタクト３４〜３６をコンタクト３
２，３３およびパッド３１から並びに互いに分離するた
め成形の終了後に切断される。リードフレームは重いク
ロスバー７０も含み、このクロスバーは電力端子３２お
よび３３を接続し、さらにプラスチックロックとして作
用してリードフレームをプラスチックのハウジング３０
にアンカ結合する補助を行う。バー７０は、図１８およ
び図１９と関連して説明するように、ワイヤボンドのた
めのボンディング表面としても作用する。
【００１９】パッド領域３１は２本の平行な細いスロッ
ト７１および７２を有し（図６〜図８、図１４および図
１５）、これらのスロットは成形処理中にプラスチック
が充填されてパッド３１をハウジング３０にロックする
ための補助となるプラスチックロックを構成する。意図
的に短い係止部ないしあご部(barb)７３および７４がス
ロット７１および７２の内壁からそれぞれ延在し、別の
プラスチックロックを構成してリードフレームパッド３
１をプラスチックハウジング３０にさらにアンカ結合す
る。
【００２０】プラスチックロックをさらに補強するた
め、Ｚ形溝ないしばち形溝(dovetailgroove) ８０〜８
３（図６、図１４および図１５）がパッド３１の上側表
面上のスロット上７１および７２の端部からその端部に
向けて延在する。これらの溝は成形処理中にプラスチッ
クが充填されてパッド３１をハウジングにさらにロック
する。
【００２１】ここで、パッド３１の上側の中央の表面は
ワッフル状の表面８５を有する。このパッド３１の上側
表面はニッケルメッキされ、浅い（好ましくは約０．０
５ｍｍ）離間した凹凸のパターン、好ましくは直径が約
０．２５ｍｍで中心間距離が約０．６ｍｍのドット状の
凹凸を有する。このワッフルパターンがダイをワッフル
状の表面に半田付けするのを改善することは既知であ
る。本発明の好適実施例の別の概念によれば、パッド３
１の反対側にもワッフル状パターン８６を形成する（図
８）。この表面は平坦で且つ平滑であるが、この表面が
僅かに凹状になっている場合、半田付け処理中に不所望
な半田付け欠陥が形成されるおそれがあることが判明し
ている。本発明では、凹状のリードフレーム表面の底部
のワッフルパターンにより、この底部表面と平坦なヒー
トシンク表面との間における半田のぬれ性および流れを
増大させることにより平坦なヒートシンク表面への半田
付けの性能を改善する。
【００２２】図１１はパッド３１およびコンタクト３６
を含むリードフレームの一部の断面を示す。このフレー
ムは、最初平坦な平面状の底部および上側表面を有する
完全に平坦なフレームとする。図１２に示す部分的なス
タンピング処理によりリードフレームの端子部分を僅か
に変位させることにより、端子がプラスチックハウジン
グ３０に良好にロックされることが判明した。用いる実
際の変位量は、１．２７ｍｍの厚さのリードフレームに
対して約０．５ｍｍとする。成形処理中（このオフセッ
トの後）、プラスチックは、図１２の位置Ｃの僅かに丸
みをつけた縁部から端子３６の底部表面上および他のオ
フセットした端子３２〜３５上に流出するおそれがある
ことが判明した。各端子のコーナＣに四角形のノッチ９
５（図９および図１３）をスタンピング形成することに
より、この不所望なプラスチックの流出を防止すること
が判明した。ノッチ９５は、好ましくは材料を切り欠く
（曲げるのではなく）ことにより形成する。この理由
は、この方法は付加的な横方向の空間を必要としないか
らである。
【００２３】ノッチ９５は約０．２ｍｍの深さおよび
０．３ｍｍの長さとする。オフセットした端子３２〜３
６のノッチ９５を図６および図７に示す。
【００２４】本発明の新規なパッケージの別の構成とし
て、プラスチックハウジング３０から延在するピンすな
わち端子の各々が端子の厚さに相当する１個またはそれ
以上のビード部を有することである。ビード部１００，
１０１の厚さはリードフレームの厚さに応じて変化す
る。一般的に、ビード部１００，１０１は０．０５〜
０．５ｍｍの厚さである。従って、図１６および図１７
に示すように、例えば約０．２ｍｍの半径（１．２ｍｍ
のリードフレームの場合）を有する押しつぶし可能な２
個のビード部１００および１０１は成形用具により押し
つぶされまたは部分的に平坦化されるにように作用し、
ビード部１００および１０１により規定される境界を越
えてプラスチックが流出するのが防止される。押しつぶ
し可能なビード部を、図６および図７においてリードフ
レームの全ての必要な位置に示す。
【００２５】図１８は、コーパック（copack；共通パッ
ケージ）と称される、２個の半導体デバイスのダイ１１
０および１１１がパッド３１にハンダ付けされた後のリ
ードフレームパッド３１を示す。このコーパックのダイ
１１０および１１１はいかなる形式のものともすること
ができるが、図１８および図１９においてはそれぞれ電
力ＩＧＢＴおよび高速復帰ダイオード（ＦＲＥＤ）とし
て示す。
【００２６】ここで、図１９においてＩＧＢＴ１００の
コレクタ電極はＦＲＥＤダイオードのカソードに接続さ
れている点に注意されたい。この理由は、これらの電極
を導電性パッド３１に半田付けして接続するためであ
る。従って、導電性パッド３１はコーパックを外部回路
に電気的に相互接続する手段を構成する。ＩＧＢＴ１０
０の上側のエミッタ電極は、ワイヤ１１２によりＦＲＥ
Ｄダイオード１１１のアノード電極へワイヤボンドす
る。ボンディングワイヤ１１３はクロスバー７０及端子
３２および３３に接続する。
【００２７】さらに、ＩＧＢＴ１１０のゲートパッドか
らゲート端子３５にワイヤボンドし、図１８に示すよう
にエミッタ・ケルビィン(Kelvin)接続部１１６も端子３
４に設けることができる。
【００２８】本発明の好適実施例の上述した記載は図示
及び説明のためのものである。本発明は上述した形態だ
けに限定されるものではない。上記開示内容に照らして
種々の変更や変形が可能である。本発明の範囲は上述し
た説明に限定されず、添付した請求の範囲により規定さ
れるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適実施例のパッケージの上面図であ
る。
【図２】本発明の好適実施例のパッケージの底面図であ
る。
【図３】本発明の好適実施例のパッケージの側面図であ
る。
【図４】本発明の好適実施例のパッケージの主電力端子
端の端面図である。
【図５】図１〜４のパッケージを実装できるＩＭＳ支持
ボードの断面図である。
【図６】図１〜４のパッケージに用いるリードフレーム
の上面図である。
【図７】図６の７−７線で切った図６の断面図である。
【図８】図６のリードフレームの底面図である。
【図９】図７のＡの円形区域の拡大図である。
【図１０】制御端子のプラスチックハウジングへのロッ
キングおよび新規な洗い出し溝の構造を示す図３の円形
区域Ｂの細部の拡大図である。
【図１１】本発明の好適実施例の端子リードがオフセッ
トしていない平坦な単一標準リードフレームの一部を示
す図である。
【図１２】端子リードをオフセットさせた後の図１１の
リードフレームを示す図である。
【図１３】成形中にプラスチックが端子の底部表面に流
出するのを防止するため図１２のコーナ区域Ｃへの段差
コーナの形成を示す図である。
【図１４】図６の円形区域Ｄの拡大図でありリードフレ
ームのプラスチックロックの端部から延在するプラスチ
ックロック溝を示す図である。
【図１５】図１４の１５−１５線断面図である。
【図１６】切断されたリードフレーム端子の上面図であ
り、プラスチックが端子の露出した半田付け可能な表面
に流出するのを防止するため成形用具をシールする端子
側の垂直方向に形成した押しつぶし可能な犠牲バンプす
なわちビード部を示す図である。
【図１７】図１６の側面図である。
【図１８】パッドに半田付けされた半導体ダイおよびダ
イを外部端子に接続するボンディングワイヤを示すと共
に成形されたハウジング（図示せず）が形成された後に
リードフレームを整備する方法を示す図である。
【図１９】図１８の回路図である。
【図２０】Ｕ字形状のヒートシンクを含む図１に示すパ
ッケージの２０−２０線断面図である。
【符号の説明】 ３０ ハウジング ３１ パッド ３２，３３ 電力端子 ３４，３５，３６ 端子 ５０，５１ 洗い出し溝 ６０，６１ 段差部 ７０ クロスバー １００，１０１ ビード部 １４１ チャネル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アーサー ウッドワース 英国 シーアール３ ５エスエヌ サーリ ー ケイターハム オン ザ ヒル フォ クソン レーン ガーデンズ 23

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体デバイスと、 前記半導体デバイスが装着される金属パッドと、 硬化したとき前記金属パッドに結合されると共に前記半
    導体デバイスを封止する流動可能な材料で構成したハウ
    ジングとを具え、前記ハウジングは、ハウジングの底部
    を横切るように形成され、かつ底部の互いに対向する側
    の間に延在する少なくとも１個の洗い出し溝を含み、こ
    の洗い出し溝は少なくとも一方の縁部に沿って配置され
    た段差部分を有し、この段差部分は前記洗い出し溝より
    も浅い深さを有することを特徴とする表面実装半導体パ
    ッケージ。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の表面実装半導体パッケ
    ージにおいて、前記金属パッドと共通の面内で金属パッ
    ドから離間した１個またはそれ以上の端子をさらに具
    え、前記洗い出し溝が前記金属パッドと端子との間に延
    在することを特徴とする表面実装半導体パッケージ。
  3. 【請求項３】 半導体デバイスと、 前記半導体デバイスが装着される金属パッドと、 硬化したとき前記金属パッドに結合されると共に前記半
    導体デバイスを封止する流動可能な材料で構成したハウ
    ジングと、 クロスバーと、 少なくとも第１および第２の端子とを具え、前記第１お
    よび第２の端子が前記金属パッドと共通の面内で金属パ
    ッドから離間し、これら第１および第２の端子が互いに
    離間すると共に前記クロスバーにより互いに結合され、
    ハウジング流動可能な材料が硬化したとき、前記クロス
    バーが、前記金属パッド、前記第１および第２の端子お
    よびハウジングを共にロックすることを特徴とする表面
    実装半導体パッケージ。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の表面実装半導体パッケ
    ージにおいて、前記金属パッドは、その縁部に沿って配
    置された少なくとも１個のスロットを含み、このスロッ
    トがハウジングの流動可能な材料を受容し、ハウジング
    が硬化したとき前記金属パッドをハウジングにロックす
    ることを特徴とする表面実装半導体パッケージ。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の表面実装半導体パッケ
    ージにおいて、前記スロットは、その内側壁から延在す
    る係止部を含み、この係止部がハウジング材料と係合し
    て前記金属パッドをハウジングにロックすることを特徴
    とする表面実装半導体パッケージ。
  6. 【請求項６】 請求項３に記載の表面実装半導体パッケ
    ージにおいて、前記金属パッドは、その少なくとも一方
    の縁部の少なくとも一部分に沿って配置されたＺ形溝を
    含み、この溝がハウジングの流動可能な材料を受容し、
    ハウジングが硬化したとき金属パッドをハウジングにロ
    ックすることを特徴とする表面実装半導体パッケージ。
  7. 【請求項７】 半導体デバイスと、 前記半導体デバイスが装着される金属パッドと、 硬化したとき前記金属パッドに結合されると共に前記半
    導体デバイスを封止する流動可能な材料で構成したハウ
    ジングと、 前記金属パッドから離間すると共に、前記金属パッドと
    共通の面にある部分およびオフセットした部分を有する
    少なくとも１個の端子とを具え、前記端子が前記共通の
    面内の部分の底部縁部に沿って配置されたノッチを含
    み、ハウジングが硬化した際ハウジングの流動可能な材
    料が前記共通の面内の部分の下側表面上に流出するのを
    防止することを特徴とする表面実装半導体パッケージ。
  8. 【請求項８】 半導体デバイスと、 前記半導体デバイスが装着される金属パッドと、 硬化したとき前記金属パッドに結合されると共に前記半
    導体デバイスを封止する流動可能な材料で構成したハウ
    ジングとを具え、前記金属パッドが、前記ハウジングの
    横方向の縁部を越えて延在し、パッケージの放熱量を増
    大させると共にパッケージにヒートシンクを装着できる
    上側表面を形成する横方向延在部分を含み、前記金属パ
    ッドは基板に装着されるように構成した下側表面をさら
    に含むことを特徴とする表面実装半導体パッケージ。
  9. 【請求項９】 請求項８に記載の表面実装半導体パッケ
    ージにおいて、前記金属パッドは、第１および第２の横
    方向に延在する部分を含み、第１の横方向に延在する部
    分はハウジングの一方の横方向縁部を越えて延在し、第
    ２の横方向に延在する部分はハウジングの反対側の縁部
    を越えて延在し、前記ヒートシンクが第１および第２の
    横方向に延在する部分に結合されていることを特徴とす
    る表面実装半導体パッケージ。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載の表面実装半導体パッ
    ケージにおいて、前記ヒートシンクをＵ字形状としたこ
    とを特徴とする表面実装半導体パッケージ。
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