JPS58223353A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS58223353A JPS58223353A JP10551682A JP10551682A JPS58223353A JP S58223353 A JPS58223353 A JP S58223353A JP 10551682 A JP10551682 A JP 10551682A JP 10551682 A JP10551682 A JP 10551682A JP S58223353 A JPS58223353 A JP S58223353A
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Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はヒートシンクを有する半導体装置に係ｐＸ特に
薄板制のヒートシンクを重ね構造にした半導体装置に関
する。
薄板制のヒートシンクを重ね構造にした半導体装置に関
する。
一般に高消費電力用半導体装置では、樹脂封止タイプに
おける半導体素子（以下チップと称す）が駆動する時に
発生する熱を効率よく放熱しないとジャンクション破壊
や演算スピードの低下をもたらすことに々る。このため
、種々の工夫が力されており、消費電力が５Ｗ以」二と
なるとチップの真下に良好ガ熱伝導路を設け、その放熱
方向に外部放熱フィンを伺けて使用しているのが一般的
である。
おける半導体素子（以下チップと称す）が駆動する時に
発生する熱を効率よく放熱しないとジャンクション破壊
や演算スピードの低下をもたらすことに々る。このため
、種々の工夫が力されており、消費電力が５Ｗ以」二と
なるとチップの真下に良好ガ熱伝導路を設け、その放熱
方向に外部放熱フィンを伺けて使用しているのが一般的
である。
従来、第１図に示すように、ヒートシンク１は厚板材を
切削加工して造られ、４遇に突起部２ａ。
切削加工して造られ、４遇に突起部２ａ。
２ｂ、 ２ｃ、 ２ｄを設けてリードフレームとの接合
部分としている。この場合第２図に示すように、放熱効
果を考虜してチップ３を直接ヒートシンク１に付着する
必要があり、このためにはリードフレーム４の各インナ
ーリード５とヒートシンク１との絶縁が必要となる。
部分としている。この場合第２図に示すように、放熱効
果を考虜してチップ３を直接ヒートシンク１に付着する
必要があり、このためにはリードフレーム４の各インナ
ーリード５とヒートシンク１との絶縁が必要となる。
しかし、ヒートシンク１は高熱伝導率である銅やアルミ
ニウムの良電導体を安価なため用いているため、ヒート
シンク１とインナーリード５の距離がチップ３の厚さく
第２図のＡ）だけであることにより絶縁が極めて悪くな
る。このため、ヒートシンク１とインナーリード５との
接合部６に絶縁物を介したりして段差を設けたり、或は
ヒートシンク自体を絶縁物にすることも考えられるがヒ
ートシンクとリードフレームとの接合に加工費が多くか
かったり、素子を実装する際の温度での耐熱性に難点が
ある。
ニウムの良電導体を安価なため用いているため、ヒート
シンク１とインナーリード５の距離がチップ３の厚さく
第２図のＡ）だけであることにより絶縁が極めて悪くな
る。このため、ヒートシンク１とインナーリード５との
接合部６に絶縁物を介したりして段差を設けたり、或は
ヒートシンク自体を絶縁物にすることも考えられるがヒ
ートシンクとリードフレームとの接合に加工費が多くか
かったり、素子を実装する際の温度での耐熱性に難点が
ある。
さらに、ヒートシンクは熱伝導路として熱容量的に厚い
方がよいが、第３図に示すようにテップ３による放熱と
しては不必要な部分Ｂ（主放熱域はＣ）もリードフレー
ムとの接合のため厚い板を使用しなければならず、放熱
の不必要な部分Ｂ ｆ：薄くするには加工が離しいとい
う着点がある。
方がよいが、第３図に示すようにテップ３による放熱と
しては不必要な部分Ｂ（主放熱域はＣ）もリードフレー
ムとの接合のため厚い板を使用しなければならず、放熱
の不必要な部分Ｂ ｆ：薄くするには加工が離しいとい
う着点がある。
本発明は」−記難点に鑑みなされたもので、ヒートシン
クに薄板材を用いて、チップの載置領域と放熱路領域を
曲げ加工および圧着加工により設けることによって、拐
料費の安価な、かつヒートシンクとインナーリードの絶
縁を高めた半導体装置を提供せんとするものである。
クに薄板材を用いて、チップの載置領域と放熱路領域を
曲げ加工および圧着加工により設けることによって、拐
料費の安価な、かつヒートシンクとインナーリードの絶
縁を高めた半導体装置を提供せんとするものである。
本発明は、半導体素子をヒートシンク上に載置し、且つ
該ヒートシンクとリードフレームとを接合して、樹脂に
てモールドする半導体装置において、前記ヒートシンク
は、放熱用薄板材を主放熱域にあたる前記半導体素子が
載置される部分をプレスにより突出させ、該突出部の両
側面をくの字状になるように曲げて前記突出部の上部よ
り押圧して多重に折重ねて形成したことを特徴とする。
該ヒートシンクとリードフレームとを接合して、樹脂に
てモールドする半導体装置において、前記ヒートシンク
は、放熱用薄板材を主放熱域にあたる前記半導体素子が
載置される部分をプレスにより突出させ、該突出部の両
側面をくの字状になるように曲げて前記突出部の上部よ
り押圧して多重に折重ねて形成したことを特徴とする。
以下本発明の好ましい実施例を図面により説明する。
本発明のヒートシンクは第４図に示すように、放熱用薄
板材Ｉを、載置するチップの大きさに対応させた主放熱
域部分８をプレス９の大きさを任意に選んでプレスして
その部分を突出させ（第４図（ａ） 、１ 、次に突出
させた側面部をくの字状１０．１０になるように側面よ
りプレス１１．１１により曲げて（第４図（ｂ） ）
’Ｈさらに突出部の上部８をプレス１２により押圧して
（第４図（ｃ））３重構造部１３を形成させたものであ
る。
板材Ｉを、載置するチップの大きさに対応させた主放熱
域部分８をプレス９の大きさを任意に選んでプレスして
その部分を突出させ（第４図（ａ） 、１ 、次に突出
させた側面部をくの字状１０．１０になるように側面よ
りプレス１１．１１により曲げて（第４図（ｂ） ）
’Ｈさらに突出部の上部８をプレス１２により押圧して
（第４図（ｃ））３重構造部１３を形成させたものであ
る。
−
そして、第５図に示すように、３重構造部１３によって
所定量の段差を設けて主要部とし、その両端つまりリー
ドフレームとの接合ｍ １４ ａ、 １４ ｂ。
所定量の段差を設けて主要部とし、その両端つまりリー
ドフレームとの接合ｍ １４ ａ、 １４ ｂ。
ｉ４ｃ、１４ｄにあたる部分を上方に曲げたヒートシン
ク１５である。
ク１５である。
以上のように形成された第５図のヒートシンク１５を半
導体装置に絹込むと、第６図に示すように３重構造部１
３上に、リードフレーム４のインナリード５とワイヤボ
ンディングされたチップ３を載置し、ヒートシンク１５
の接合部１４２〜１４ｄにリードフレーム４を接合して
樹脂にてモールドした半導体装置となる。
導体装置に絹込むと、第６図に示すように３重構造部１
３上に、リードフレーム４のインナリード５とワイヤボ
ンディングされたチップ３を載置し、ヒートシンク１５
の接合部１４２〜１４ｄにリードフレーム４を接合して
樹脂にてモールドした半導体装置となる。
そこで、インナリード５とヒートシンク１５との距離Ａ
′は従来（第２図のＡ）より薄板材の厚さの２枚分に相
当する分だけ絶縁が高められることになる。つまり、第
３図に示された放熱と同様の放熱効果を得るためにはヒ
ートシンクの厚さを第３図に示したヒートシンクの厚さ
よりＶ３で済むことになる。
′は従来（第２図のＡ）より薄板材の厚さの２枚分に相
当する分だけ絶縁が高められることになる。つまり、第
３図に示された放熱と同様の放熱効果を得るためにはヒ
ートシンクの厚さを第３図に示したヒートシンクの厚さ
よりＶ３で済むことになる。
＝４−
上記実施例からも明らかなように本発明によれび、半導
体装置に用いるヒートシンクを、チップの大きさや放熱
必要量に合せて熱伝導路を設定できることによりヒート
シンク部材を安価にでき、且つ単にプレスのみで加工で
きることにより段差曾を任意に設定でき、リードフレー
ムのインナリード部との抵触を防ぐことができて従来よ
り余裕間のある設計ができる。
体装置に用いるヒートシンクを、チップの大きさや放熱
必要量に合せて熱伝導路を設定できることによりヒート
シンク部材を安価にでき、且つ単にプレスのみで加工で
きることにより段差曾を任意に設定でき、リードフレー
ムのインナリード部との抵触を防ぐことができて従来よ
り余裕間のある設計ができる。
第１図は従来のヒートシンク形状を示した斜視図、第２
図は従来のヒートシンクを用いた半導体装置の断面図、
第３図は従来のヒートシンクの放は本発明のヒートシン
ク形状を示した斜視図、第６図は本発明のヒートシンク
を用いた半導体装置の断面図である。 １・・・・・・従来のヒートシンク ３・・・・・半導体素子（チップ） ４・・・・・・リードフレーム ５・・・・・・リードフレームのインナリード１５ ・
本発明のヒートシンク （７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか
１名） ７− （Ｃ） ２
図は従来のヒートシンクを用いた半導体装置の断面図、
第３図は従来のヒートシンクの放は本発明のヒートシン
ク形状を示した斜視図、第６図は本発明のヒートシンク
を用いた半導体装置の断面図である。 １・・・・・・従来のヒートシンク ３・・・・・半導体素子（チップ） ４・・・・・・リードフレーム ５・・・・・・リードフレームのインナリード１５ ・
本発明のヒートシンク （７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか
１名） ７− （Ｃ） ２
Claims (1)
- 半導体素子をヒートシンク上に載置し、且つ該ヒートシ
ンクとリードフレームとを接合して、樹脂にてモールド
する半導体装置において、前記ヒートシンクは、放熱用
薄板材を主放熱域にあたる前記半導体素子が載置される
部分をプレスにより突出させ、該突出部の両側面をくの
字状になるように曲けて前記突出部の上部より押圧して
多重に折重ねて形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10551682A JPS58223353A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10551682A JPS58223353A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223353A true JPS58223353A (ja) | 1983-12-24 |
Family
ID=14409761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10551682A Pending JPS58223353A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223353A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129951A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| EP0638929A1 (fr) * | 1993-08-09 | 1995-02-15 | STMicroelectronics S.A. | Dissipateur thermique pour boîtier plastique |
| CN111615747A (zh) * | 2017-12-27 | 2020-09-01 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP10551682A patent/JPS58223353A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129951A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| EP0638929A1 (fr) * | 1993-08-09 | 1995-02-15 | STMicroelectronics S.A. | Dissipateur thermique pour boîtier plastique |
| FR2709021A1 (fr) * | 1993-08-09 | 1995-02-17 | Sgs Thomson Microelectronics | Dissipateur thermique pour boîtier plastique. |
| US5675182A (en) * | 1993-08-09 | 1997-10-07 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Heat sink for plastic casings |
| US5781992A (en) * | 1993-08-09 | 1998-07-21 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Heat sink for plastic casings |
| CN111615747A (zh) * | 2017-12-27 | 2020-09-01 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| CN111615747B (zh) * | 2017-12-27 | 2023-10-03 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
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