JPH10114735A - ４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導体及び４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体の製造法 - Google Patents
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導体及び４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体の製造法Info
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- JPH10114735A JPH10114735A JP27053596A JP27053596A JPH10114735A JP H10114735 A JPH10114735 A JP H10114735A JP 27053596 A JP27053596 A JP 27053596A JP 27053596 A JP27053596 A JP 27053596A JP H10114735 A JPH10114735 A JP H10114735A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】新規な４，４’−ジヒドロキシジフェニルスル
ホンジエーテル誘導体、及び４，４’−ジヒドロキシジ
フェニルスルホンモノエーテル誘導体を高純度、高収率
で収得できる新規な製造法を提供すること。 【解決手段】一般式 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は水素原子、メチル基又はエチル基
を示す。Ｒ3はアルキル基、アルケニル基又はシクロア
ルキル基を示す。）で表される４，４’−ジヒドロキシ
ジフェニルスルホンジエーテル誘導体、並びに上記４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導
体を、水素化分解することを特徴とする一般式 【化２】 （式中、Ｒ3は前記に同じ。）で表される４，４’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体の製
造法。
ホンジエーテル誘導体、及び４，４’−ジヒドロキシジ
フェニルスルホンモノエーテル誘導体を高純度、高収率
で収得できる新規な製造法を提供すること。 【解決手段】一般式 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は水素原子、メチル基又はエチル基
を示す。Ｒ3はアルキル基、アルケニル基又はシクロア
ルキル基を示す。）で表される４，４’−ジヒドロキシ
ジフェニルスルホンジエーテル誘導体、並びに上記４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導
体を、水素化分解することを特徴とする一般式 【化２】 （式中、Ｒ3は前記に同じ。）で表される４，４’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体の製
造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な４，４’−
ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導体、及
び４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエー
テル誘導体の新規な製造法に関する。
ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導体、及
び４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエー
テル誘導体の新規な製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般式
【０００３】
【化４】
【０００４】（式中、Ｒ3はアルキル基、アルケニル基
又はシクロアルキル基を示す。）で表される４，４’−
ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体
は、感熱記録材料の顕色剤等として有用である。かかる
モノエーテル誘導体としては、近年の技術進歩に伴い益
々高純度のものが要望されている。
又はシクロアルキル基を示す。）で表される４，４’−
ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体
は、感熱記録材料の顕色剤等として有用である。かかる
モノエーテル誘導体としては、近年の技術進歩に伴い益
々高純度のものが要望されている。
【０００５】上記モノエーテル誘導体は、一般に、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンにアルキルハラ
イド等のエーテル化剤を反応させることにより、合成さ
れているが、原料化合物が水酸基を２個有するため該反
応で選択的にモノエーテル誘導体を生成せしめることは
極めて困難であり、通常は、モノエーテル誘導体以外
に、ジエーテル誘導体及び未反応４，４’−ジヒドロキ
シジフェニルスルホンや少量の核置換体等を含む反応混
合物として得られる。
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンにアルキルハラ
イド等のエーテル化剤を反応させることにより、合成さ
れているが、原料化合物が水酸基を２個有するため該反
応で選択的にモノエーテル誘導体を生成せしめることは
極めて困難であり、通常は、モノエーテル誘導体以外
に、ジエーテル誘導体及び未反応４，４’−ジヒドロキ
シジフェニルスルホンや少量の核置換体等を含む反応混
合物として得られる。
【０００６】従って、従来、目的のモノエーテル誘導体
を高純度で得るため、上記反応混合物から、溶剤抽出等
によって、ジエーテル誘導体を除去して得られるモノエ
ーテル誘導体及び未反応４，４’−ジヒドロキシジフェ
ニルスルホンを含有する混合物よりモノエーテル誘導体
を分離精製する必要があった。かかる分離精製方法とし
ては、カラムクロマトグラフィーによる方法（特開昭58
-20493号、特開昭58-82788号）、該混合物の有機溶媒溶
液から未反応物のみを炭酸水素塩水溶液に移行させて除
去する方法（特開昭60-56949号）、アルコール、ケトン
等の有機溶媒を利用した選択抽出による方法（特開平3-
258760号）等が公知である。
を高純度で得るため、上記反応混合物から、溶剤抽出等
によって、ジエーテル誘導体を除去して得られるモノエ
ーテル誘導体及び未反応４，４’−ジヒドロキシジフェ
ニルスルホンを含有する混合物よりモノエーテル誘導体
を分離精製する必要があった。かかる分離精製方法とし
ては、カラムクロマトグラフィーによる方法（特開昭58
-20493号、特開昭58-82788号）、該混合物の有機溶媒溶
液から未反応物のみを炭酸水素塩水溶液に移行させて除
去する方法（特開昭60-56949号）、アルコール、ケトン
等の有機溶媒を利用した選択抽出による方法（特開平3-
258760号）等が公知である。
【０００７】しかしながら、これらの方法には、分離精
製の効率が低い、工程が煩雑である、得られる目的物の
純度が不十分である、等の種々の欠点がある。
製の効率が低い、工程が煩雑である、得られる目的物の
純度が不十分である、等の種々の欠点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘
導体の製造中間体として有用な新規化合物である４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導
体、及び該モノエーテル誘導体を高純度、高収率で収得
できる新規な製造法を提供することにある。
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘
導体の製造中間体として有用な新規化合物である４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導
体、及び該モノエーテル誘導体を高純度、高収率で収得
できる新規な製造法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記従来技
術の欠点が全くなく、工業的に有利に目的の４，４’−
ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体を
高純度、高収率で製造できる方法の開発を目的として、
鋭意研究した。
術の欠点が全くなく、工業的に有利に目的の４，４’−
ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体を
高純度、高収率で製造できる方法の開発を目的として、
鋭意研究した。
【００１０】その結果、新規化合物である特定の４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導
体を、水素化分解することにより、目的の４，４’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体を高
純度、高収率で収得できることを見出し、かかる知見に
基づき本発明を完成するに至った。
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導
体を、水素化分解することにより、目的の４，４’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体を高
純度、高収率で収得できることを見出し、かかる知見に
基づき本発明を完成するに至った。
【００１１】即ち、本発明は、一般式
【００１２】
【化５】
【００１３】（式中、Ｒ1及びＲ2は、同一又は異なっ
て、水素原子、メチル基又はエチル基を示す。Ｒ3は前
記に同じ。）で表される４，４’−ジヒドロキシジフェ
ニルスルホンジエーテル誘導体、並びに、上記一般式
（Ｉ）で表される４，４’−ジヒドロキシジフェニルス
ルホンジエーテル誘導体を、水素化分解することを特徴
とする上記一般式（II）で表される４，４’−ジヒドロ
キシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体の製造法に
係る。
て、水素原子、メチル基又はエチル基を示す。Ｒ3は前
記に同じ。）で表される４，４’−ジヒドロキシジフェ
ニルスルホンジエーテル誘導体、並びに、上記一般式
（Ｉ）で表される４，４’−ジヒドロキシジフェニルス
ルホンジエーテル誘導体を、水素化分解することを特徴
とする上記一般式（II）で表される４，４’−ジヒドロ
キシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体の製造法に
係る。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明において、Ｒ3で示される
アルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オ
クチル、ドデシル、オクタデシル基等の炭素数１〜２０
のアルキル基を挙げることができる。Ｒ3で示されるア
ルケニル基としては、例えばプロペニル、ビニル基等を
挙げることができる。また、Ｒ3で示されるシクロアル
キル基としては、例えばシクロヘキシル、シクロペンチ
ル基等を挙げることができる。
アルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オ
クチル、ドデシル、オクタデシル基等の炭素数１〜２０
のアルキル基を挙げることができる。Ｒ3で示されるア
ルケニル基としては、例えばプロペニル、ビニル基等を
挙げることができる。また、Ｒ3で示されるシクロアル
キル基としては、例えばシクロヘキシル、シクロペンチ
ル基等を挙げることができる。
【００１５】本発明の一般式（Ｉ）で表される４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導体
は、文献未載の新規化合物であり、一般式（II）で表さ
れる４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエ
ーテル誘導体の製造中間体として、有用である。
−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導体
は、文献未載の新規化合物であり、一般式（II）で表さ
れる４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエ
ーテル誘導体の製造中間体として、有用である。
【００１６】一般式（Ｉ）の４，４’−ジヒドロキシジ
フェニルスルホンジエーテル誘導体は、公知の化合物で
ある４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノベ
ンジルエーテル誘導体（ベンジル基の環上にメチル基及
びエチル基のいずれか又は双方を１個又は２個有する場
合を含む）から容易に得ることができる。例えば、本願
人による特公平3-77186号の方法に従って４，４’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホンの２個の水酸基の一方の
みを効率良くベンジルエーテル化してモノベンジルエー
テル誘導体（ベンジル基の環上にメチル基及びエチル基
のいずれか又は双方を１個又は２個有する場合を含む）
を得、これの他方の水酸基を更にエーテル化してＲ3基
を導入することにより、好適に得られる。
フェニルスルホンジエーテル誘導体は、公知の化合物で
ある４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノベ
ンジルエーテル誘導体（ベンジル基の環上にメチル基及
びエチル基のいずれか又は双方を１個又は２個有する場
合を含む）から容易に得ることができる。例えば、本願
人による特公平3-77186号の方法に従って４，４’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホンの２個の水酸基の一方の
みを効率良くベンジルエーテル化してモノベンジルエー
テル誘導体（ベンジル基の環上にメチル基及びエチル基
のいずれか又は双方を１個又は２個有する場合を含む）
を得、これの他方の水酸基を更にエーテル化してＲ3基
を導入することにより、好適に得られる。
【００１７】上記モノベンジルエーテル誘導体の水酸基
のエーテル化は、該誘導体に、式Ｒ3Ｘ（式中、Ｒ3は前
記に同じ、Ｘは塩素、臭素、沃素等のハロゲン原子を示
す。）で表されるハロゲン化物、式 （Ｒ3）2ＳＯ
4（式中、Ｒ3は前記に同じ。）で表される硫酸エステ
ル、式 Ｒ4−ＳＯ2−Ｏ−Ｒ3（式中、Ｒ4は、メチル、
エチル基等の低級アルキル基、トリフルオロメチル、ペ
ンタフルオロエチル基等の低級フルオロアルキル基、又
はトリル、フェニル基等のアリール基を示す。Ｒ3は前
記に同じ。）で表されるスルホン酸エステル等を反応さ
せることにより、行うことができる。また、通常、反応
で副生する酸の中和剤として、アルカリを使用するが、
その中でも炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化カリ
ウム、水酸化ナトリウム等が好ましい。
のエーテル化は、該誘導体に、式Ｒ3Ｘ（式中、Ｒ3は前
記に同じ、Ｘは塩素、臭素、沃素等のハロゲン原子を示
す。）で表されるハロゲン化物、式 （Ｒ3）2ＳＯ
4（式中、Ｒ3は前記に同じ。）で表される硫酸エステ
ル、式 Ｒ4−ＳＯ2−Ｏ−Ｒ3（式中、Ｒ4は、メチル、
エチル基等の低級アルキル基、トリフルオロメチル、ペ
ンタフルオロエチル基等の低級フルオロアルキル基、又
はトリル、フェニル基等のアリール基を示す。Ｒ3は前
記に同じ。）で表されるスルホン酸エステル等を反応さ
せることにより、行うことができる。また、通常、反応
で副生する酸の中和剤として、アルカリを使用するが、
その中でも炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化カリ
ウム、水酸化ナトリウム等が好ましい。
【００１８】上記エーテル化反応は、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホ
キシド、スルホラン等の極性溶媒、メタノール、エタノ
ール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒等の少な
くとも一種の溶媒を用いるか、又は水−水非混和性有機
溶媒と相間移動触媒を用いることにより、好適に行うこ
とができる。
ホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホ
キシド、スルホラン等の極性溶媒、メタノール、エタノ
ール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒等の少な
くとも一種の溶媒を用いるか、又は水−水非混和性有機
溶媒と相間移動触媒を用いることにより、好適に行うこ
とができる。
【００１９】上記水非混和性有機溶媒としては、例えば
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶
媒、オクタン、デカン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化
水素系溶媒、クロルベンゼン、ジクロルベンゼン等のハ
ロゲン化芳香族炭化水素系溶媒等を挙げることができ、
これらの少なくとも一種を用いる。また、相間移動触媒
としては、例えばテトラブチルアンモニウムクロライド
等の４級アンモニウム塩、テトラブチルホスホニウムク
ロライド等の４級ホスホニウム塩、１８−クラウン−６
等のクラウンエーテル類、ＰＥＧ−２０００等のポリエ
チレングリコール類等を挙げることができ、これらの少
なくとも一種を用いる。
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶
媒、オクタン、デカン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化
水素系溶媒、クロルベンゼン、ジクロルベンゼン等のハ
ロゲン化芳香族炭化水素系溶媒等を挙げることができ、
これらの少なくとも一種を用いる。また、相間移動触媒
としては、例えばテトラブチルアンモニウムクロライド
等の４級アンモニウム塩、テトラブチルホスホニウムク
ロライド等の４級ホスホニウム塩、１８−クラウン−６
等のクラウンエーテル類、ＰＥＧ−２０００等のポリエ
チレングリコール類等を挙げることができ、これらの少
なくとも一種を用いる。
【００２０】上記エーテル化反応は、通常の条件下、例
えば２０〜２５０℃程度、好ましくは５０〜１５０℃程
度の温度、１〜５０時間程度、好ましくは１〜１５時間
程度の時間で、常圧下、減圧下又は加圧下で、行うこと
ができる。また、必要に応じて、反応に先立ち又は反応
中に、共沸による脱水操作を行っても良い。
えば２０〜２５０℃程度、好ましくは５０〜１５０℃程
度の温度、１〜５０時間程度、好ましくは１〜１５時間
程度の時間で、常圧下、減圧下又は加圧下で、行うこと
ができる。また、必要に応じて、反応に先立ち又は反応
中に、共沸による脱水操作を行っても良い。
【００２１】かくして一般式（Ｉ）の４，４’−ジヒド
ロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導体が得られ
る。
ロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導体が得られ
る。
【００２２】本発明製造法は、一般式（Ｉ）の４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導体
を、水素化分解して目的の前記一般式（II）の４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体
を得るものである。
−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導体
を、水素化分解して目的の前記一般式（II）の４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体
を得るものである。
【００２３】上記水素化分解反応は、通常のベンジルエ
ーテル類の水素化分解反応と同様に、一般式（Ｉ）のジ
エーテル誘導体を溶媒に溶解又は懸濁し、触媒の存在下
に水素ガスで還元することにより、行うことができる。
ーテル類の水素化分解反応と同様に、一般式（Ｉ）のジ
エーテル誘導体を溶媒に溶解又は懸濁し、触媒の存在下
に水素ガスで還元することにより、行うことができる。
【００２４】溶媒としては、反応に支障を及ぼさないも
のであれば良く、例えばメタノール、エタノール、イソ
プロパノール、ブタノール等のアルコール系溶媒、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等
のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル
系溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル
系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン等の極性溶媒、水等の溶媒を挙げる
ことができ、これらの少なくとも一種を用いる。これら
の内、目的物を溶解するものが、目的物の触媒からの分
離を容易にする観点から好ましく、具体的には、アルコ
ール系溶媒等が好ましい。
のであれば良く、例えばメタノール、エタノール、イソ
プロパノール、ブタノール等のアルコール系溶媒、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等
のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル
系溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル
系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン等の極性溶媒、水等の溶媒を挙げる
ことができ、これらの少なくとも一種を用いる。これら
の内、目的物を溶解するものが、目的物の触媒からの分
離を容易にする観点から好ましく、具体的には、アルコ
ール系溶媒等が好ましい。
【００２５】溶媒に対する原料化合物の使用量は、特に
限定されず、通常、溶媒に対して１〜１００重量％程
度、好ましくは５〜５０重量％程度であるのが良い。
限定されず、通常、溶媒に対して１〜１００重量％程
度、好ましくは５〜５０重量％程度であるのが良い。
【００２６】触媒としては、ラネーニッケル、パラジウ
ム−カーボン、白金黒等の水素還元用の一般的な触媒を
いずれも使用できる。触媒の使用量も、一般的な量で良
く、通常、原料化合物に対して２０重量％以下好ましく
は５重量％以下で用いられ、反応時間が著しく長くなら
ない範囲でできるだけ少ない量にするのがコスト的に望
ましい。
ム−カーボン、白金黒等の水素還元用の一般的な触媒を
いずれも使用できる。触媒の使用量も、一般的な量で良
く、通常、原料化合物に対して２０重量％以下好ましく
は５重量％以下で用いられ、反応時間が著しく長くなら
ない範囲でできるだけ少ない量にするのがコスト的に望
ましい。
【００２７】水素圧力も、特に限定されないが、通常、
常圧乃至１０kg/cm2程度の範囲で適宜設定すれば良い。
常圧乃至１０kg/cm2程度の範囲で適宜設定すれば良い。
【００２８】反応条件は、触媒の種類、使用量、原料化
合物の使用量、水素圧力等により変動するが、通常、０
〜２００℃程度、好ましくは常温〜１００℃程度の温度
で、１〜２０時間程度、好ましくは１〜１０時間程度で
反応が終了する。
合物の使用量、水素圧力等により変動するが、通常、０
〜２００℃程度、好ましくは常温〜１００℃程度の温度
で、１〜２０時間程度、好ましくは１〜１０時間程度で
反応が終了する。
【００２９】反応容器としては、水素を漏洩しないもの
で撹拌ができるものであれば良く、通常、オートクレー
ブ等を使用する。
で撹拌ができるものであれば良く、通常、オートクレー
ブ等を使用する。
【００３０】生成した目的物の分離は、通常、固液分離
操作で固体の触媒を分離し、反応溶媒を溜去することに
より、容易に行える。反応溶媒に生成物が溶解しない場
合は、適宜他の溶媒を加えた後同様の操作を行うか、又
はアルカリ水で目的物を抽出すれば良く、又触媒との分
離が困難な場合は、酸等により触媒を分解・水溶化して
除去後同様の操作を行えば良い。
操作で固体の触媒を分離し、反応溶媒を溜去することに
より、容易に行える。反応溶媒に生成物が溶解しない場
合は、適宜他の溶媒を加えた後同様の操作を行うか、又
はアルカリ水で目的物を抽出すれば良く、又触媒との分
離が困難な場合は、酸等により触媒を分解・水溶化して
除去後同様の操作を行えば良い。
【００３１】かくして、目的の前記一般式（II）の４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘
導体を、通常、９５重量％以上の高純度且つ９５％以上
の高収率で収得することができる。
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘
導体を、通常、９５重量％以上の高純度且つ９５％以上
の高収率で収得することができる。
【００３２】
【実施例】以下に実施例を挙げて、本発明をより一層明
らかにする。
らかにする。
【００３３】参考例１ 特公平3-77186号の方法に従って、４，４’−ジヒドロ
キシジフェニルスルホンのモノベンジルエーテル誘導体
を調製した。
キシジフェニルスルホンのモノベンジルエーテル誘導体
を調製した。
【００３４】即ち、４，４’−ジヒドロキシジフェニル
スルホン２５０．３ｇ（１．０００ｍｏｌ）を、苛性ソ
ーダ４０．８ｇ（１．０２０ｍｏｌ）を含有する２．５
リットルの水に６０℃で溶解せしめた後、同温度で塩化
ベンジル１２６．６ｇ（１．０００ｍｏｌ）を８時間を
要して滴下した。更に、同温度で４時間保温後４０℃ま
で冷却し、析出した４−ヒドロキシ−４’−ベンジルオ
キシジフェニルスルホンを濾別して得た。融点は１６
６．０〜１６９．０℃、収量は３１３．０ｇ（０．９２
０ｍｏｌ）、出発物質からの収率は９２．０％、ＨＰＬ
Ｃによる純度は９７％であった。
スルホン２５０．３ｇ（１．０００ｍｏｌ）を、苛性ソ
ーダ４０．８ｇ（１．０２０ｍｏｌ）を含有する２．５
リットルの水に６０℃で溶解せしめた後、同温度で塩化
ベンジル１２６．６ｇ（１．０００ｍｏｌ）を８時間を
要して滴下した。更に、同温度で４時間保温後４０℃ま
で冷却し、析出した４−ヒドロキシ−４’−ベンジルオ
キシジフェニルスルホンを濾別して得た。融点は１６
６．０〜１６９．０℃、収量は３１３．０ｇ（０．９２
０ｍｏｌ）、出発物質からの収率は９２．０％、ＨＰＬ
Ｃによる純度は９７％であった。
【００３５】実施例１ 参考例１で得た４−ヒドロキシ−４’−ベンジルオキシ
ジフェニルスルホン３４．０ｇ（０．１００ｍｏｌ）、
炭酸カリウム１３．８ｇ（０．１００ｍｏｌ）及びＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド１５０ｍｌの混合物に、イソ
プロピルブロマイド１８．６ｇ（０．１５１ｍｏｌ）を
加え、１２０℃で５時間反応させた。反応混合物を水１
５０ｍｌに投入し、析出した結晶を濾取、水洗、乾燥し
て、４−イソプロピルオキシ−４’−ベンジルオキシジ
フェニルスルホン３８．０ｇ（０．０９９ｍｏｌ）を得
た。融点は１４６．０〜１４８．０℃、収率は９９．０
％、ＨＰＬＣによる純度は９９％であった。
ジフェニルスルホン３４．０ｇ（０．１００ｍｏｌ）、
炭酸カリウム１３．８ｇ（０．１００ｍｏｌ）及びＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド１５０ｍｌの混合物に、イソ
プロピルブロマイド１８．６ｇ（０．１５１ｍｏｌ）を
加え、１２０℃で５時間反応させた。反応混合物を水１
５０ｍｌに投入し、析出した結晶を濾取、水洗、乾燥し
て、４−イソプロピルオキシ−４’−ベンジルオキシジ
フェニルスルホン３８．０ｇ（０．０９９ｍｏｌ）を得
た。融点は１４６．０〜１４８．０℃、収率は９９．０
％、ＨＰＬＣによる純度は９９％であった。
【００３６】上記で得た４−イソプロピルオキシ−４’
−ベンジルオキシジフェニルスルホン２０．０ｇ（０．
０５２ｍｏｌ）、５％−パラジウム−カーボン１．０ｇ
及びメタノール２００ｍｌを、オートクレーブに装入
し、３０℃、撹拌下に、水素圧力２kg/cm2で還元反応を
行ったところ、２時間で水素吸収が停止した。反応混合
物から触媒を濾別し、溶媒を溜去して、目的の４−イソ
プロピルオキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン
１５．３ｇ（０．０５２ｍｏｌ）を得た。融点は１２
８．０〜１３０．０℃、収率は１００％、ＨＰＬＣによ
る純度は９９％であった。
−ベンジルオキシジフェニルスルホン２０．０ｇ（０．
０５２ｍｏｌ）、５％−パラジウム−カーボン１．０ｇ
及びメタノール２００ｍｌを、オートクレーブに装入
し、３０℃、撹拌下に、水素圧力２kg/cm2で還元反応を
行ったところ、２時間で水素吸収が停止した。反応混合
物から触媒を濾別し、溶媒を溜去して、目的の４−イソ
プロピルオキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン
１５．３ｇ（０．０５２ｍｏｌ）を得た。融点は１２
８．０〜１３０．０℃、収率は１００％、ＨＰＬＣによ
る純度は９９％であった。
【００３７】実施例２ 参考例１で得た４−ヒドロキシ−４’−ベンジルオキシ
ジフェニルスルホン３４．０ｇ（０．１００ｍｏｌ）、
炭酸カリウム１３．８ｇ（０．１００ｍｏｌ）及びＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド１３５ｍｌの混合物に、ｎ−
オクチルブロマイド２１．３ｇ（０．１１０ｍｏｌ）を
加え、１１０℃で４時間反応させた。反応混合物を水１
５０ｍｌに投入し、析出した結晶を濾取、水洗、乾燥し
て、４−ｎ−オクチルオキシ−４’−ベンジルオキシジ
フェニルスルホン４４．８ｇ（０．０９９ｍｏｌ）を得
た。融点は１３２．０〜１３４．０℃、収率は９９．０
％、ＨＰＬＣによる純度は９９％であった。
ジフェニルスルホン３４．０ｇ（０．１００ｍｏｌ）、
炭酸カリウム１３．８ｇ（０．１００ｍｏｌ）及びＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド１３５ｍｌの混合物に、ｎ−
オクチルブロマイド２１．３ｇ（０．１１０ｍｏｌ）を
加え、１１０℃で４時間反応させた。反応混合物を水１
５０ｍｌに投入し、析出した結晶を濾取、水洗、乾燥し
て、４−ｎ−オクチルオキシ−４’−ベンジルオキシジ
フェニルスルホン４４．８ｇ（０．０９９ｍｏｌ）を得
た。融点は１３２．０〜１３４．０℃、収率は９９．０
％、ＨＰＬＣによる純度は９９％であった。
【００３８】上記で得た４−ｎ−オクチルオキシ−４’
−ベンジルオキシジフェニルスルホン３０．０ｇ（０．
０６６ｍｏｌ）、ラネーニッケル２．０ｇ及びメタノー
ル１８０ｍｌを、オートクレーブに装入し、３０℃、撹
拌下に、水素圧力１kg/cm2で還元反応を行ったところ、
８時間で水素吸収が停止した。反応混合物から触媒を濾
別し、溶媒を溜去して、目的の４−ｎ−オクチルオキシ
−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン２３．７ｇ
（０．０６５ｍｏｌ）を得た。融点は５８．０〜６１．
０℃、収率は９８．５％、ＨＰＬＣによる純度は９９％
であった。
−ベンジルオキシジフェニルスルホン３０．０ｇ（０．
０６６ｍｏｌ）、ラネーニッケル２．０ｇ及びメタノー
ル１８０ｍｌを、オートクレーブに装入し、３０℃、撹
拌下に、水素圧力１kg/cm2で還元反応を行ったところ、
８時間で水素吸収が停止した。反応混合物から触媒を濾
別し、溶媒を溜去して、目的の４−ｎ−オクチルオキシ
−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン２３．７ｇ
（０．０６５ｍｏｌ）を得た。融点は５８．０〜６１．
０℃、収率は９８．５％、ＨＰＬＣによる純度は９９％
であった。
【００３９】実施例３ 参考例１で得た４−ヒドロキシ−４’−ベンジルオキシ
ジフェニルスルホン３４．０ｇ（０．１００ｍｏｌ）、
炭酸カリウム１３．８ｇ（０．１００ｍｏｌ）及びＮ−
メチル−２−ピロリドン１００ｍｌの混合物に、ｎ−ヘ
キシルブロマイド１９．８ｇ（０．１２０ｍｏｌ）を加
え、１２０℃で５時間反応させた。反応混合物を水１５
０ｍｌに投入し、析出した結晶を濾取、水洗、乾燥し
て、４−ｎ−ヘキシルオキシ−４’−ベンジルオキシジ
フェニルスルホン４２．０ｇ（０．０９９ｍｏｌ）を得
た。融点は１４５．０〜１４７．０℃、収率は９９．０
％、ＨＰＬＣによる純度は９９％であった。
ジフェニルスルホン３４．０ｇ（０．１００ｍｏｌ）、
炭酸カリウム１３．８ｇ（０．１００ｍｏｌ）及びＮ−
メチル−２−ピロリドン１００ｍｌの混合物に、ｎ−ヘ
キシルブロマイド１９．８ｇ（０．１２０ｍｏｌ）を加
え、１２０℃で５時間反応させた。反応混合物を水１５
０ｍｌに投入し、析出した結晶を濾取、水洗、乾燥し
て、４−ｎ−ヘキシルオキシ−４’−ベンジルオキシジ
フェニルスルホン４２．０ｇ（０．０９９ｍｏｌ）を得
た。融点は１４５．０〜１４７．０℃、収率は９９．０
％、ＨＰＬＣによる純度は９９％であった。
【００４０】上記で得た４−ｎ−ヘキシルオキシ−４’
−ベンジルオキシジフェニルスルホン４０．０ｇ（０．
０９４ｍｏｌ）、ラネーニッケル１．０ｇ及びメタノー
ル１５０ｍｌを、オートクレーブに装入し、５０℃、撹
拌下に、水素圧力５kg/cm2で還元反応を行ったところ、
４時間で水素吸収が停止した。反応混合物から触媒を濾
別し、溶媒を溜去して、目的の４−ｎ−ヘキシルオキシ
−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン３１．３ｇ
（０．０９４ｍｏｌ）を得た。融点は７７．０〜７９．
０℃、収率は１００％、ＨＰＬＣによる純度は９９％で
あった。
−ベンジルオキシジフェニルスルホン４０．０ｇ（０．
０９４ｍｏｌ）、ラネーニッケル１．０ｇ及びメタノー
ル１５０ｍｌを、オートクレーブに装入し、５０℃、撹
拌下に、水素圧力５kg/cm2で還元反応を行ったところ、
４時間で水素吸収が停止した。反応混合物から触媒を濾
別し、溶媒を溜去して、目的の４−ｎ−ヘキシルオキシ
−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン３１．３ｇ
（０．０９４ｍｏｌ）を得た。融点は７７．０〜７９．
０℃、収率は１００％、ＨＰＬＣによる純度は９９％で
あった。
【００４１】実施例４ 参考例１で得た４−ヒドロキシ−４’−ベンジルオキシ
ジフェニルスルホン３４．０ｇ（０．１００ｍｏｌ）、
炭酸カリウム１３．８ｇ（０．１００ｍｏｌ）及びＮ−
メチル−２−ピロリドン１００ｍｌの混合物に、アリル
ブロマイド１４．５ｇ（０．１２０ｍｏｌ）を加え、１
２０℃で１．５時間反応させた。反応混合物を水４００
ｍｌに投入し、析出した結晶を濾取、水洗、乾燥して、
４−アリルオキシ−４’−ベンジルオキシジフェニルス
ルホン３４．８ｇ（０．０９１ｍｏｌ）を得た。融点は
１５２．０〜１５２．５℃、収率は９１．０％、ＨＰＬ
Ｃによる純度は９８％であった。
ジフェニルスルホン３４．０ｇ（０．１００ｍｏｌ）、
炭酸カリウム１３．８ｇ（０．１００ｍｏｌ）及びＮ−
メチル−２−ピロリドン１００ｍｌの混合物に、アリル
ブロマイド１４．５ｇ（０．１２０ｍｏｌ）を加え、１
２０℃で１．５時間反応させた。反応混合物を水４００
ｍｌに投入し、析出した結晶を濾取、水洗、乾燥して、
４−アリルオキシ−４’−ベンジルオキシジフェニルス
ルホン３４．８ｇ（０．０９１ｍｏｌ）を得た。融点は
１５２．０〜１５２．５℃、収率は９１．０％、ＨＰＬ
Ｃによる純度は９８％であった。
【００４２】上記で得た４−アリルオキシ−４’−ベン
ジルオキシジフェニルスルホン３０．０ｇ（０．０７８
ｍｏｌ）、ラネーニッケル１．０ｇ及びメタノール１５
０ｍｌを、オートクレーブに装入し、５０℃、撹拌下
に、水素圧力５kg/cm2で還元反応を行ったところ、４時
間で水素吸収が停止した。反応混合物から触媒を濾別
し、溶媒を溜去して、目的の４−アリルオキシ−４’−
ヒドロキシジフェニルスルホン２２．６ｇ（０．０７７
ｍｏｌ）を得た。融点は１７２．５〜１７５．５℃、収
率は９８．７％、ＨＰＬＣによる純度は９９％であっ
た。
ジルオキシジフェニルスルホン３０．０ｇ（０．０７８
ｍｏｌ）、ラネーニッケル１．０ｇ及びメタノール１５
０ｍｌを、オートクレーブに装入し、５０℃、撹拌下
に、水素圧力５kg/cm2で還元反応を行ったところ、４時
間で水素吸収が停止した。反応混合物から触媒を濾別
し、溶媒を溜去して、目的の４−アリルオキシ−４’−
ヒドロキシジフェニルスルホン２２．６ｇ（０．０７７
ｍｏｌ）を得た。融点は１７２．５〜１７５．５℃、収
率は９８．７％、ＨＰＬＣによる純度は９９％であっ
た。
【００４３】実施例５ 参考例１で得た４−ヒドロキシ−４’−ベンジルオキシ
ジフェニルスルホン３４．０ｇ（０．１００ｍｏｌ）、
炭酸カリウム１３．８ｇ（０．１００ｍｏｌ）及びＮ−
メチル−２−ピロリドン１２０ｍｌの混合物に、シクロ
ヘキシルアイオダイド２５．２ｇ（０．１２０ｍｏｌ）
を加え、１２０℃で５時間反応させた。反応混合物を水
４００ｍｌに投入し、析出した結晶を濾取、水洗、乾燥
して、４−シクロヘキシルオキシ−４’−ベンジルオキ
シジフェニルスルホン２７．４ｇ（０．０６５ｍｏｌ）
を得た。融点は１５４．５〜１５６．０℃、収率は６
５．０％、ＨＰＬＣによる純度は９６％であった。
ジフェニルスルホン３４．０ｇ（０．１００ｍｏｌ）、
炭酸カリウム１３．８ｇ（０．１００ｍｏｌ）及びＮ−
メチル−２−ピロリドン１２０ｍｌの混合物に、シクロ
ヘキシルアイオダイド２５．２ｇ（０．１２０ｍｏｌ）
を加え、１２０℃で５時間反応させた。反応混合物を水
４００ｍｌに投入し、析出した結晶を濾取、水洗、乾燥
して、４−シクロヘキシルオキシ−４’−ベンジルオキ
シジフェニルスルホン２７．４ｇ（０．０６５ｍｏｌ）
を得た。融点は１５４．５〜１５６．０℃、収率は６
５．０％、ＨＰＬＣによる純度は９６％であった。
【００４４】上記で得た４−シクロヘキシルオキシ−
４’−ベンジルオキシジフェニルスルホン２０．０ｇ
（０．０４７ｍｏｌ）、ラネーニッケル１．０ｇ及びメ
タノール１５０ｍｌを、オートクレーブに装入し、５０
℃、撹拌下に、水素圧力５kg/cm2で還元反応を行ったと
ころ、４時間で水素吸収が停止した。反応混合物から触
媒を濾別し、溶媒を溜去して、目的の４−シクロヘキシ
ルオキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン１５．
６ｇ（０．０４７ｍｏｌ）を得た。融点は１２７．５〜
１２９．５℃、収率は１００％、ＨＰＬＣによる純度は
９７％であった。
４’−ベンジルオキシジフェニルスルホン２０．０ｇ
（０．０４７ｍｏｌ）、ラネーニッケル１．０ｇ及びメ
タノール１５０ｍｌを、オートクレーブに装入し、５０
℃、撹拌下に、水素圧力５kg/cm2で還元反応を行ったと
ころ、４時間で水素吸収が停止した。反応混合物から触
媒を濾別し、溶媒を溜去して、目的の４−シクロヘキシ
ルオキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン１５．
６ｇ（０．０４７ｍｏｌ）を得た。融点は１２７．５〜
１２９．５℃、収率は１００％、ＨＰＬＣによる純度は
９７％であった。
【００４５】
【発明の効果】本発明法によれば、簡便な工程で且つ煩
雑な分離精製操作をすることなく、一般式（II）の４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘
導体を、高純度、高収率で、工業的に有利に製造できる
という格別な効果が奏される。
雑な分離精製操作をすることなく、一般式（II）の４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘
導体を、高純度、高収率で、工業的に有利に製造できる
という格別な効果が奏される。
Claims (4)
- 【請求項１】一般式 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は、同一又は異なって、水素原子、
メチル基又はエチル基を示す。Ｒ3はアルキル基、アル
ケニル基又はシクロアルキル基を示す。）で表される
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル
誘導体。 - 【請求項２】Ｒ3が炭素数１〜２０のアルキル基である
請求項１の誘導体。 - 【請求項３】一般式 【化２】 （式中、Ｒ1及びＲ2は、同一又は異なって、水素原子、
メチル基又はエチル基を示す。Ｒ3はアルキル基、アル
ケニル基又はシクロアルキル基を示す。）で表される
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル
誘導体を、水素化分解することを特徴とする一般式 【化３】 （式中、Ｒ3は前記に同じ。）で表される４，４’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体の製
造法。 - 【請求項４】Ｒ3が炭素数１〜２０のアルキル基である
請求項３の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27053596A JP3890374B2 (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | ４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導体及び４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27053596A JP3890374B2 (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | ４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導体及び４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10114735A true JPH10114735A (ja) | 1998-05-06 |
| JP3890374B2 JP3890374B2 (ja) | 2007-03-07 |
Family
ID=17487565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27053596A Expired - Fee Related JP3890374B2 (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | ４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンジエーテル誘導体及び４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンモノエーテル誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3890374B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007302601A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Nicca Chemical Co Ltd | アルキルオキシヒドロキシジフェニルスルホンの製造方法 |
| US7619120B2 (en) | 2001-01-22 | 2009-11-17 | Nippon Soda Co., Ltd. | Processes for the preparation of diphenylsulfone compounds |
| WO2018020986A1 (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 日華化学株式会社 | 感熱記録用顕色剤組成物の製造方法、感熱記録用顕色剤組成物及び感熱記録材料 |
-
1996
- 1996-10-14 JP JP27053596A patent/JP3890374B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7619120B2 (en) | 2001-01-22 | 2009-11-17 | Nippon Soda Co., Ltd. | Processes for the preparation of diphenylsulfone compounds |
| JP2007302601A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Nicca Chemical Co Ltd | アルキルオキシヒドロキシジフェニルスルホンの製造方法 |
| WO2018020986A1 (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 日華化学株式会社 | 感熱記録用顕色剤組成物の製造方法、感熱記録用顕色剤組成物及び感熱記録材料 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3890374B2 (ja) | 2007-03-07 |
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