JPH10107012A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH10107012A JPH10107012A JP8277370A JP27737096A JPH10107012A JP H10107012 A JPH10107012 A JP H10107012A JP 8277370 A JP8277370 A JP 8277370A JP 27737096 A JP27737096 A JP 27737096A JP H10107012 A JPH10107012 A JP H10107012A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
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- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
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- H05H1/24—Generating plasma
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波アンテナのハンチングを防止するとと
もに、エッチングの選択性や形状の制御特性を向上させ
る。 【解決手段】 高周波誘導型プラズマ処理装置１００に
おいて、処理室１１２の誘電体１０８の上部に配される
高周波アンテナ１１２は、第１高周波アンテナ１１２ａ
とその外周部に所定間隔を開けて配置される第２高周波
アンテナ１１２ｂとから構成され、被処理体Ｗは処理室
内に配置された下部電極１０６上に載置され、第１、第
２高周波アンテナおよび下部電極にはそれぞれ独立に位
相制御可能な高周波電力を印加することが可能であり、
第１、第２高周波アンテナに印加される高周波電力に応
じて、下部電極に印加される高周波電力は、位相制御可
能であり、さらに１Ｈｚ〜１ＭＨｚの範囲でパルス変調
可能である。
もに、エッチングの選択性や形状の制御特性を向上させ
る。 【解決手段】 高周波誘導型プラズマ処理装置１００に
おいて、処理室１１２の誘電体１０８の上部に配される
高周波アンテナ１１２は、第１高周波アンテナ１１２ａ
とその外周部に所定間隔を開けて配置される第２高周波
アンテナ１１２ｂとから構成され、被処理体Ｗは処理室
内に配置された下部電極１０６上に載置され、第１、第
２高周波アンテナおよび下部電極にはそれぞれ独立に位
相制御可能な高周波電力を印加することが可能であり、
第１、第２高周波アンテナに印加される高周波電力に応
じて、下部電極に印加される高周波電力は、位相制御可
能であり、さらに１Ｈｚ〜１ＭＨｚの範囲でパルス変調
可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
に係り、特に処理室内のプラズマの均一化を図るととも
に、プラズマ処理にあたり選択性や形状などの制御特性
に優れたプラズマ処理装置に関する。
に係り、特に処理室内のプラズマの均一化を図るととも
に、プラズマ処理にあたり選択性や形状などの制御特性
に優れたプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体集積回路の製造において
は、アッシング、エッチング、ＣＶＤ、スパッタリング
などの諸工程で、処理ガスのイオン化や化学反応などを
促進するために、プラズマが利用されている。従来よ
り、この種のプラズマを発生させる方法として、渦巻き
状のアンテナを用いる高周波誘導方式が知られている。
は、アッシング、エッチング、ＣＶＤ、スパッタリング
などの諸工程で、処理ガスのイオン化や化学反応などを
促進するために、プラズマが利用されている。従来よ
り、この種のプラズマを発生させる方法として、渦巻き
状のアンテナを用いる高周波誘導方式が知られている。
【０００３】この高周波誘導方式は、例えば欧州特許公
開明細書第３７９８２８号に記載されているように、ウ
ェハ載置台と対向するチャンバの一面（一般に上面）を
石英ガラスなどの絶縁物で構成して、その外側の壁面に
渦巻き状のアンテナを固定し、これに高周波電流を流し
てチャンバ内に高周波電磁場をつくり、この電磁場空間
内で流れる電子を処理ガスの中性粒子に衝突させて、ガ
スを電離させ、プラズマを生成するように構成されてい
る。
開明細書第３７９８２８号に記載されているように、ウ
ェハ載置台と対向するチャンバの一面（一般に上面）を
石英ガラスなどの絶縁物で構成して、その外側の壁面に
渦巻き状のアンテナを固定し、これに高周波電流を流し
てチャンバ内に高周波電磁場をつくり、この電磁場空間
内で流れる電子を処理ガスの中性粒子に衝突させて、ガ
スを電離させ、プラズマを生成するように構成されてい
る。
【０００４】また、プラズマが発生する発生領域を精細
かつ広範囲に制御するために、渦巻き状アンテナを二分
割し、各アンテナに高周波電力を印加する構成について
も提案されている。
かつ広範囲に制御するために、渦巻き状アンテナを二分
割し、各アンテナに高周波電力を印加する構成について
も提案されている。
【０００５】そして、このように生成されたプラズマを
用いてジャックの帯電をとる除電プロセス、チャンバの
壁を洗浄する洗浄プロセス、エッチングを行うエッチン
グプロセスなどが施されている。
用いてジャックの帯電をとる除電プロセス、チャンバの
壁を洗浄する洗浄プロセス、エッチングを行うエッチン
グプロセスなどが施されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なアンテナ分割型高周波誘導方式のプラズマ処理装置で
は、未だ均一なプラズマを得ることが困難であるという
技術的課題が存する。また、分割されたアンテナ間でハ
ンチングが生じることがあり、その解決も望まれてい
る。さらにまた、上記プラズマ処理装置でエッチングを
行う場合に、プロセスに応じて、エッチングの選択性や
形状を制御する必要も生じている。
なアンテナ分割型高周波誘導方式のプラズマ処理装置で
は、未だ均一なプラズマを得ることが困難であるという
技術的課題が存する。また、分割されたアンテナ間でハ
ンチングが生じることがあり、その解決も望まれてい
る。さらにまた、上記プラズマ処理装置でエッチングを
行う場合に、プロセスに応じて、エッチングの選択性や
形状を制御する必要も生じている。
【０００７】本発明は、従来のアンテナ分割型高周波誘
導方式のプラズマ処理装置が有する上記問題点に鑑みて
成されたものであり、発生するプラズマのユニフォミテ
ィを改善することが可能であり、分割されたアンテナ間
でのハンチングを防止し、プラズマの発生効率を高める
ことが可能であり、さらにエッチング処理を行う場合
に、エッチングの選択性や形状を容易かつ正確に制御す
ることが可能な新規かつ改良されたプラズマ処理装置を
提供することを目的としている。
導方式のプラズマ処理装置が有する上記問題点に鑑みて
成されたものであり、発生するプラズマのユニフォミテ
ィを改善することが可能であり、分割されたアンテナ間
でのハンチングを防止し、プラズマの発生効率を高める
ことが可能であり、さらにエッチング処理を行う場合
に、エッチングの選択性や形状を容易かつ正確に制御す
ることが可能な新規かつ改良されたプラズマ処理装置を
提供することを目的としている。
【０００８】さらに、本発明の別の目的は、チャンバの
プラズマクリーニング時には、アンテナ間のパワーやガ
ス種や圧力を変えることで、プラズマの発生場所をコン
トロールし、任意の位置を重点的にクリーニングするこ
とでクリーニング時間を短縮することが可能なプラズマ
処理装置を提供することである。
プラズマクリーニング時には、アンテナ間のパワーやガ
ス種や圧力を変えることで、プラズマの発生場所をコン
トロールし、任意の位置を重点的にクリーニングするこ
とでクリーニング時間を短縮することが可能なプラズマ
処理装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば、処理室の一方壁を誘電体で構成
し、その誘電体を介して処理室外に高周波アンテナを配
し、その高周波アンテナに高周波電力を印加することに
より、処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し、
処理室内に載置された被処理体に対して所定のプラズマ
処理を施すプラズマ処理装置が提供される。そして、請
求項１に記載のプラズマ処理装置は、高周波アンテナ
を、第１高周波アンテナとその第１高周波アンテナの外
周部に所定間隔を置いて配置される第２高周波アンテナ
とから構成し、被処理体を処理室内に配置された下部電
極上に載置するとともに、第１高周波アンテナ、第２高
周波アンテナおよび下部電極には、それぞれ独立に位相
制御可能な高周波電力を印加することが可能であり、第
１高周波アンテナおよび第２高周波アンテナに印加され
る高周波電力に応じて、下部電極に印加される高周波電
力は位相制御可能であるとともに、１Ｈｚ〜１ＭＨｚの
範囲でパルス変調可能であることを特徴としている。こ
のように、高周波アンテナに印加される高周波電力に応
じて、下部電極に印加される高周波電力を位相制御およ
び／またはパルス変調することにより、プラズマ分布を
調整し、プラズマの均一化を図ることが可能となるとと
もに、プラズマ中のイオンの引き込みを制御し、エッチ
ングの選択性および形状を制御することが可能となる。
に、本発明によれば、処理室の一方壁を誘電体で構成
し、その誘電体を介して処理室外に高周波アンテナを配
し、その高周波アンテナに高周波電力を印加することに
より、処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し、
処理室内に載置された被処理体に対して所定のプラズマ
処理を施すプラズマ処理装置が提供される。そして、請
求項１に記載のプラズマ処理装置は、高周波アンテナ
を、第１高周波アンテナとその第１高周波アンテナの外
周部に所定間隔を置いて配置される第２高周波アンテナ
とから構成し、被処理体を処理室内に配置された下部電
極上に載置するとともに、第１高周波アンテナ、第２高
周波アンテナおよび下部電極には、それぞれ独立に位相
制御可能な高周波電力を印加することが可能であり、第
１高周波アンテナおよび第２高周波アンテナに印加され
る高周波電力に応じて、下部電極に印加される高周波電
力は位相制御可能であるとともに、１Ｈｚ〜１ＭＨｚの
範囲でパルス変調可能であることを特徴としている。こ
のように、高周波アンテナに印加される高周波電力に応
じて、下部電極に印加される高周波電力を位相制御およ
び／またはパルス変調することにより、プラズマ分布を
調整し、プラズマの均一化を図ることが可能となるとと
もに、プラズマ中のイオンの引き込みを制御し、エッチ
ングの選択性および形状を制御することが可能となる。
【００１０】また、上記プラズマ処理装置において、請
求項２に記載のように、第１高周波アンテナおよび前記
第２高周波アンテナに印加される高周波電力に応じて、
下部電極に印加される高周波電力に所定の遅延を加える
ように構成することができる。このように、下部電極に
印加される高周波電力の遅延を加えることにより、プラ
ズマ中のイオンをより効果的に被処理体方向に引き込む
ことが可能となり、エッチング性能を高めることができ
る。
求項２に記載のように、第１高周波アンテナおよび前記
第２高周波アンテナに印加される高周波電力に応じて、
下部電極に印加される高周波電力に所定の遅延を加える
ように構成することができる。このように、下部電極に
印加される高周波電力の遅延を加えることにより、プラ
ズマ中のイオンをより効果的に被処理体方向に引き込む
ことが可能となり、エッチング性能を高めることができ
る。
【００１１】さらに、上記プラズマ処理装置において、
請求項３に記載のように、第１高周波アンテナおよび第
２高周波アンテナに印加される高周波電力に応じて、下
部電極に印加される高周波電力のデューティ比を調整す
るように構成することができる。このように、下部電極
に印加される高周波電力パルスのデューティ比を最適化
しても、プラズマ中のイオンを効果的に被処理体方向に
引き込むことが可能となり、エッチング性能を高めるこ
とができる。
請求項３に記載のように、第１高周波アンテナおよび第
２高周波アンテナに印加される高周波電力に応じて、下
部電極に印加される高周波電力のデューティ比を調整す
るように構成することができる。このように、下部電極
に印加される高周波電力パルスのデューティ比を最適化
しても、プラズマ中のイオンを効果的に被処理体方向に
引き込むことが可能となり、エッチング性能を高めるこ
とができる。
【００１２】さらに、上記プラズマ処理装置において、
請求項４に記載のように、第１高周波アンテナおよび第
２高周波アンテナに印加されるパルス高周波電力がオフ
またはローになるタイミングに応じて、下部電極に印加
される高周波電力を所定値にまでシフトダウンすること
が好ましい。かかる構成によれば、第１高周波アンテナ
および第２高周波アンテナに印加されるパルス高周波が
オフまたはローレベルになるタイミングで、プラズマ密
度またはＶPPまたはシース電圧を一定値または一定値以
下に保持するように、下部電極に印加される高周波電力
が制御されるので、プラズマ電位とウェハ電位の差、即
ちウェハ上のシース電圧を、パルス高周波電力が印加さ
れている間中一定に保持することが可能となり、より精
度の高い加工が可能となる。
請求項４に記載のように、第１高周波アンテナおよび第
２高周波アンテナに印加されるパルス高周波電力がオフ
またはローになるタイミングに応じて、下部電極に印加
される高周波電力を所定値にまでシフトダウンすること
が好ましい。かかる構成によれば、第１高周波アンテナ
および第２高周波アンテナに印加されるパルス高周波が
オフまたはローレベルになるタイミングで、プラズマ密
度またはＶPPまたはシース電圧を一定値または一定値以
下に保持するように、下部電極に印加される高周波電力
が制御されるので、プラズマ電位とウェハ電位の差、即
ちウェハ上のシース電圧を、パルス高周波電力が印加さ
れている間中一定に保持することが可能となり、より精
度の高い加工が可能となる。
【００１３】さらに、上記プラズマ処理装置において、
請求項５に記載のように、第１高周波アンテナおよび第
２高周波アンテナに印加される高周波電力、または請求
項６に記載のように、第１高周波アンテナ、第２高周波
アンテナおよび下部電極に印加される高周波電力は、電
流の位相が実質的に同位相になるように位相制御される
ことが好ましい。このように、各高周波アンテナや下部
電極に印加される高周波電力の電流の位相を実質的に同
位相になるように制御することにより、各高周波アンテ
ナ間の干渉を減少させることが可能となる。
請求項５に記載のように、第１高周波アンテナおよび第
２高周波アンテナに印加される高周波電力、または請求
項６に記載のように、第１高周波アンテナ、第２高周波
アンテナおよび下部電極に印加される高周波電力は、電
流の位相が実質的に同位相になるように位相制御される
ことが好ましい。このように、各高周波アンテナや下部
電極に印加される高周波電力の電流の位相を実質的に同
位相になるように制御することにより、各高周波アンテ
ナ間の干渉を減少させることが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら、
本発明にかかるプラズマ処理装置をエッチング装置１０
０に適用した実施の一形態について詳細に説明する。
本発明にかかるプラズマ処理装置をエッチング装置１０
０に適用した実施の一形態について詳細に説明する。
【００１５】図１には、本発明の実施の一形態にかかる
高周波誘導方式の誘導結合プラズマ（ＴＣＰ）エッチン
グ装置１００が示されている。このプラズマエッチング
装置１００は、導電性材料、例えばアルミニウムなどか
らなる円筒あるいは矩形の角筒状に成形された処理容器
１０２を有しており、所定のエッチング処理は、この処
理容器１０２内に形成される処理室１０２ａ内で行われ
る。
高周波誘導方式の誘導結合プラズマ（ＴＣＰ）エッチン
グ装置１００が示されている。このプラズマエッチング
装置１００は、導電性材料、例えばアルミニウムなどか
らなる円筒あるいは矩形の角筒状に成形された処理容器
１０２を有しており、所定のエッチング処理は、この処
理容器１０２内に形成される処理室１０２ａ内で行われ
る。
【００１６】前記処理容器１０２は接地されており、さ
らにその底部にはセラミックなどの絶縁板１０４を介し
て、被処理体、例えば半導体ウェハＷを載置するための
略円柱状の載置台１０６が設けられている。また載置台
１０６の前記ウェハＷの載置面とほぼ対向する処理容器
１０２の天板部には、例えば石英ガラスやセラミックな
どからなる絶縁材１０８がＯリングなどのシール部材１
１０を介して気密に設けられており、この絶縁材１０８
の外壁面には導体、例えば銅板、アルミニウム、ステン
レスなどをループ状に形成した高周波アンテナ１１２
（１１２ａ、１１２ｂ）が配置されている。このアンテ
ナ１１２（１１２ａ、１１２ｂ）はプラズマを発生する
ためのアンテナ作用を呈する機能が有ればよく、渦巻き
状に限定されない、例えば２重の１ターンでも良い。
らにその底部にはセラミックなどの絶縁板１０４を介し
て、被処理体、例えば半導体ウェハＷを載置するための
略円柱状の載置台１０６が設けられている。また載置台
１０６の前記ウェハＷの載置面とほぼ対向する処理容器
１０２の天板部には、例えば石英ガラスやセラミックな
どからなる絶縁材１０８がＯリングなどのシール部材１
１０を介して気密に設けられており、この絶縁材１０８
の外壁面には導体、例えば銅板、アルミニウム、ステン
レスなどをループ状に形成した高周波アンテナ１１２
（１１２ａ、１１２ｂ）が配置されている。このアンテ
ナ１１２（１１２ａ、１１２ｂ）はプラズマを発生する
ためのアンテナ作用を呈する機能が有ればよく、渦巻き
状に限定されない、例えば２重の１ターンでも良い。
【００１７】この高周波アンテナ１１２は、図２に示す
ように、上記絶縁材１０８の外壁面の中央付近において
ターンを形成する第１高周波アンテナ１１２ａと、その
第１高周波アンテナ１１２ａの外周部に所定間隔を置い
てターンを形成する第２高周波アンテナ１１２ｂとから
構成されている。各高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂ
には、それぞれ、マッチング回路１１４（１１４ａ、１
１４ｂ）、可変位相器１１６（１１６ａ、１１６ｂ）を
介してプラズマ生成用の高周波電源１１８（１１８ａ、
１１８ｂ）が接続されている。したがって、可変位相器
１１４によって、各高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂ
に印加される高周波電力の位相を個別独立に制御するこ
とが可能である。
ように、上記絶縁材１０８の外壁面の中央付近において
ターンを形成する第１高周波アンテナ１１２ａと、その
第１高周波アンテナ１１２ａの外周部に所定間隔を置い
てターンを形成する第２高周波アンテナ１１２ｂとから
構成されている。各高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂ
には、それぞれ、マッチング回路１１４（１１４ａ、１
１４ｂ）、可変位相器１１６（１１６ａ、１１６ｂ）を
介してプラズマ生成用の高周波電源１１８（１１８ａ、
１１８ｂ）が接続されている。したがって、可変位相器
１１４によって、各高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂ
に印加される高周波電力の位相を個別独立に制御するこ
とが可能である。
【００１８】さらに、本実施の形態にかかるエッチング
装置１００によれば、マッチング回路１１４（１１４
ａ、１１４ｂ）の出力側に位相検出回路１２０ａ、１２
０ｂが設置されている。本実施の形態にかかるエッチン
グ装置１００のように、プラズマ密度／分布を最適化し
てプラズマの均一化を図るために２重に配置された第１
および第２の高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂを採用
し、各高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂにおいて位相
コントロールを行う場合には、いくら可変位相器１１６
ａ、１１６ｂにより正確に位相を調整しても、高周波電
源１１８ａ、１１８ｂと各高周波アンテナ１１２ａ、１
１２ｂを結ぶ配線長さや、配線途中に介装される電気回
路などの影響により、位相が微妙にずれて、第１および
第２高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂにおいて、所望
の位相が得られないことがある。かかる場合には、第１
および第２高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂが相互に
干渉し、所望のプラズマ密度／分布を得ることができな
い。
装置１００によれば、マッチング回路１１４（１１４
ａ、１１４ｂ）の出力側に位相検出回路１２０ａ、１２
０ｂが設置されている。本実施の形態にかかるエッチン
グ装置１００のように、プラズマ密度／分布を最適化し
てプラズマの均一化を図るために２重に配置された第１
および第２の高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂを採用
し、各高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂにおいて位相
コントロールを行う場合には、いくら可変位相器１１６
ａ、１１６ｂにより正確に位相を調整しても、高周波電
源１１８ａ、１１８ｂと各高周波アンテナ１１２ａ、１
１２ｂを結ぶ配線長さや、配線途中に介装される電気回
路などの影響により、位相が微妙にずれて、第１および
第２高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂにおいて、所望
の位相が得られないことがある。かかる場合には、第１
および第２高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂが相互に
干渉し、所望のプラズマ密度／分布を得ることができな
い。
【００１９】この点、本実施の形態にかかるエッチング
装置１００よれば、高周波電力供給経路の第１および第
２高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂに近い位置に設置
された位相検出器１２０ａ、１２０ｂにより、印加され
る高周波電力の電流の位相を検出し、制御器１２２によ
り、可変位相器１１６ａ、１１６ｂにフィードバックを
かけることにより、高周波電力の電流の位相を所定値に
制御することが可能となる。その結果、処理室１０２内
に形成される磁界を最適化し、生成するプラズマ密度／
分布を最適に制御することが可能となる。
装置１００よれば、高周波電力供給経路の第１および第
２高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂに近い位置に設置
された位相検出器１２０ａ、１２０ｂにより、印加され
る高周波電力の電流の位相を検出し、制御器１２２によ
り、可変位相器１１６ａ、１１６ｂにフィードバックを
かけることにより、高周波電力の電流の位相を所定値に
制御することが可能となる。その結果、処理室１０２内
に形成される磁界を最適化し、生成するプラズマ密度／
分布を最適に制御することが可能となる。
【００２０】再び、図１を参照すると、前記載置台１０
６は、アルミニウムなどより形成された複数の部材をボ
ルトなどにより組み付けることにより構成することが可
能であり、その内部には、冷却手段１２４や加熱手段１
２６などの温度調節手段が内設され、半導体ウェハＷの
処理面を所望の温度に調整することができるように構成
されている。
６は、アルミニウムなどより形成された複数の部材をボ
ルトなどにより組み付けることにより構成することが可
能であり、その内部には、冷却手段１２４や加熱手段１
２６などの温度調節手段が内設され、半導体ウェハＷの
処理面を所望の温度に調整することができるように構成
されている。
【００２１】この冷却手段１２４は、例えば冷却ジャケ
ットなどから構成され、この冷却ジャケット内には、例
えば液体窒素などの冷媒を、冷媒導入管１２７を介して
導入可能であり、導入された液体窒素は同冷却手段１２
４内を循環し、その間に核沸騰により冷熱を生じる。か
かる構成により、例えば−１９６℃の液体窒素の冷熱が
冷却手段１２４から載置台１０６を介して半導体ウェハ
Ｗに対して伝熱し、半導体ウェハＷの処理面を所望する
温度まで冷却することが可能である。なお、液体窒素の
核沸騰により生じた窒素ガスは冷媒排出管１２８より容
器外へ排出される。
ットなどから構成され、この冷却ジャケット内には、例
えば液体窒素などの冷媒を、冷媒導入管１２７を介して
導入可能であり、導入された液体窒素は同冷却手段１２
４内を循環し、その間に核沸騰により冷熱を生じる。か
かる構成により、例えば−１９６℃の液体窒素の冷熱が
冷却手段１２４から載置台１０６を介して半導体ウェハ
Ｗに対して伝熱し、半導体ウェハＷの処理面を所望する
温度まで冷却することが可能である。なお、液体窒素の
核沸騰により生じた窒素ガスは冷媒排出管１２８より容
器外へ排出される。
【００２２】さらに載置台１０６には加熱手段１２６が
配置されており、この加熱手段１２６は、例えば窒化ア
ルミニウムなどの絶縁性焼結体にタングステンなどの導
電性抵抗発熱体をインサートした構成で、この抵抗発熱
体が電力供給リード１２８によりフィルタ１３０を介し
て電力源１３２から所望の電力を受けて発熱し、半導体
ウェハＷの処理面の温度を所望する温度まで加熱し、温
度制御を行うことが可能なように構成されている。
配置されており、この加熱手段１２６は、例えば窒化ア
ルミニウムなどの絶縁性焼結体にタングステンなどの導
電性抵抗発熱体をインサートした構成で、この抵抗発熱
体が電力供給リード１２８によりフィルタ１３０を介し
て電力源１３２から所望の電力を受けて発熱し、半導体
ウェハＷの処理面の温度を所望する温度まで加熱し、温
度制御を行うことが可能なように構成されている。
【００２３】さらに、前記載置台１０６の中央上面に
は、被処理体を保持するためのチャック部として、例え
ば静電チャック１３４が被処理体である半導体ウェハＷ
と略同径大、好ましくは半導体ウェハＷの径よりも若干
小さい径で設けられている。この静電チャック１３４
は、半導体ウェハＷを載置保持する面としてポリイミド
樹脂などの高分子絶縁材料からなる２枚のフィルム１３
４ａ、１３４ｂ間に銅箔などの導電膜１３４ｃを挟持し
た構成を有しており、その導電膜１３４ｃは、電圧供給
リード１３６により、途中高周波をカットするフィルタ
１３８を介して可変直流電圧源１４０に接続されてい
る。したがって、その導電膜１３４ｃに例えば２ｋＶの
高電圧を印加することにより、静電チャック１３４の上
側フィルム１３４ａの上面にウェハＷをクーロン力によ
り吸着保持し得るように構成されている。
は、被処理体を保持するためのチャック部として、例え
ば静電チャック１３４が被処理体である半導体ウェハＷ
と略同径大、好ましくは半導体ウェハＷの径よりも若干
小さい径で設けられている。この静電チャック１３４
は、半導体ウェハＷを載置保持する面としてポリイミド
樹脂などの高分子絶縁材料からなる２枚のフィルム１３
４ａ、１３４ｂ間に銅箔などの導電膜１３４ｃを挟持し
た構成を有しており、その導電膜１３４ｃは、電圧供給
リード１３６により、途中高周波をカットするフィルタ
１３８を介して可変直流電圧源１４０に接続されてい
る。したがって、その導電膜１３４ｃに例えば２ｋＶの
高電圧を印加することにより、静電チャック１３４の上
側フィルム１３４ａの上面にウェハＷをクーロン力によ
り吸着保持し得るように構成されている。
【００２４】前記載置台１０６の周囲には、静電チャッ
ク１３４上の半導体ウェハＷの外周を囲むように環状の
フォーカスリング１４２が配置されている。このフォー
カスリング１４２は反応性イオンを引き寄せない絶縁性
または導電性の材料からなり、反応性イオンを内側の半
導体ウェハＷにだけ効果的に入射せしめるように作用す
るものである。
ク１３４上の半導体ウェハＷの外周を囲むように環状の
フォーカスリング１４２が配置されている。このフォー
カスリング１４２は反応性イオンを引き寄せない絶縁性
または導電性の材料からなり、反応性イオンを内側の半
導体ウェハＷにだけ効果的に入射せしめるように作用す
るものである。
【００２５】そして前記載置台１０６には、中空に成形
された導体よりなる給電棒１４４が接続されており、さ
らに、この給電棒１４４には途中、マッチング回路１４
６および可変位相器１４８を介して高周波電源１５０が
接続されており、処理時には、所定周波数、例えば２Ｍ
Ｈｚの高周波電力を載置台１０６に印加することによ
り、処理室１０２ａ内に生じるプラズマとの間にバイア
ス電位を生じさせプラズマ流を被処理体の処理面に効果
的に引き寄せることが可能である。またマッチング回路
１４６の出力側には、位相検出器１５２が設置されてお
り、下部電極１０６に印加される高周波電力の電流の位
相を検出し、制御器１２２により、可変位相器１４８に
フィードバックをかけることにより、高周波電力の電流
の位相を所定値に制御することが可能となる。
された導体よりなる給電棒１４４が接続されており、さ
らに、この給電棒１４４には途中、マッチング回路１４
６および可変位相器１４８を介して高周波電源１５０が
接続されており、処理時には、所定周波数、例えば２Ｍ
Ｈｚの高周波電力を載置台１０６に印加することによ
り、処理室１０２ａ内に生じるプラズマとの間にバイア
ス電位を生じさせプラズマ流を被処理体の処理面に効果
的に引き寄せることが可能である。またマッチング回路
１４６の出力側には、位相検出器１５２が設置されてお
り、下部電極１０６に印加される高周波電力の電流の位
相を検出し、制御器１２２により、可変位相器１４８に
フィードバックをかけることにより、高周波電力の電流
の位相を所定値に制御することが可能となる。
【００２６】さらに、高周波電源１５０にはパルス変調
器１５２も接続されており、処理時には、第１および第
２高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂに印加される高周
波電力に応じて、例えば１Ｈｚ〜１ＭＨｚの範囲でパル
ス変調された高周波電力を載置台１０６に印加すること
が可能である。
器１５２も接続されており、処理時には、第１および第
２高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂに印加される高周
波電力に応じて、例えば１Ｈｚ〜１ＭＨｚの範囲でパル
ス変調された高周波電力を載置台１０６に印加すること
が可能である。
【００２７】さらに前記載置台１０６の天井部に配置さ
れる絶縁材１０８の中央部には処理ガス供給口１５６が
設けられており、所定の処理ガス、例えばＣ4Ｆ8、Ａｒ
ガスなどをガス源１５８よりマスフローコントローラ１
６０を介して処理室１０２ａ内に導入することが可能で
ある。
れる絶縁材１０８の中央部には処理ガス供給口１５６が
設けられており、所定の処理ガス、例えばＣ4Ｆ8、Ａｒ
ガスなどをガス源１５８よりマスフローコントローラ１
６０を介して処理室１０２ａ内に導入することが可能で
ある。
【００２８】また、前記処理容器１０２の底部には排気
管１６２が接続されて、この処理容器１０２内の雰囲気
を不図示の排気手段、例えば、真空ポンプにより排出し
得るように構成されており、処理室１０２ａの雰囲気を
任意の減圧度、例えば２０ｍＴｏｒｒ以下の低圧雰囲気
にまで真空引きすることが可能である。
管１６２が接続されて、この処理容器１０２内の雰囲気
を不図示の排気手段、例えば、真空ポンプにより排出し
得るように構成されており、処理室１０２ａの雰囲気を
任意の減圧度、例えば２０ｍＴｏｒｒ以下の低圧雰囲気
にまで真空引きすることが可能である。
【００２９】さらに前記処理容器１０２の側部には被処
理体搬入出口１６４が設けられ、この搬入出口１６４が
図示しない駆動機構により自動開閉するゲートバルブ１
６６を介してロードロック室１６８に連通している。そ
してこのロードロック室１６８内には被処理基板である
半導体ウェハＷを一枚ずつ処理容器１０２内に搬送する
ことが可能な搬送アーム１７０を備えた搬送機構１７２
が設置されている。
理体搬入出口１６４が設けられ、この搬入出口１６４が
図示しない駆動機構により自動開閉するゲートバルブ１
６６を介してロードロック室１６８に連通している。そ
してこのロードロック室１６８内には被処理基板である
半導体ウェハＷを一枚ずつ処理容器１０２内に搬送する
ことが可能な搬送アーム１７０を備えた搬送機構１７２
が設置されている。
【００３０】さて、上記の如く構成されたプラズマ処理
装置１００において、プラズマ処理を施す場合には、絶
縁材１０８を介して処理容器１０２の上部に設置された
第１および第２高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂに高
周波電力を印加することにより、処理室１０２ａ内に高
周波電磁場を形成し、この電磁場空間内を流れる電子を
処理ガスの中性粒子に衝突させてガスを電離させ、プラ
ズマを生成している。そして、下部電極１０６にも高周
波電力を印加することにより、プラズマとの間にバイア
ス電位を生じさせ、プラズマ流を被処理体に効果的に引
き込むように構成している。そして、その際に、本実施
の形態にかかるプラズマ処理装置１００によれば、以下
に述べるように、様々なモードでプロセス制御を行うこ
とが可能である。
装置１００において、プラズマ処理を施す場合には、絶
縁材１０８を介して処理容器１０２の上部に設置された
第１および第２高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂに高
周波電力を印加することにより、処理室１０２ａ内に高
周波電磁場を形成し、この電磁場空間内を流れる電子を
処理ガスの中性粒子に衝突させてガスを電離させ、プラ
ズマを生成している。そして、下部電極１０６にも高周
波電力を印加することにより、プラズマとの間にバイア
ス電位を生じさせ、プラズマ流を被処理体に効果的に引
き込むように構成している。そして、その際に、本実施
の形態にかかるプラズマ処理装置１００によれば、以下
に述べるように、様々なモードでプロセス制御を行うこ
とが可能である。
【００３１】（１）高周波アンテナ１１２に連続波の高
周波電力を印加する場合 第１および第２高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂに対
して連続波の高周波電力を印加する場合には、印加され
る高周波電力の電流の位相を位相検出器１２０ａ、１２
０ｂにより検出し、その位相をフィードバック制御す
る。その結果、処理室１０２ａ内に生成される高周波電
磁場に影響を与える電流の位相が最適に制御されるの
で、プラズマの制御特性が向上する。また、高周波アン
テナ部１１２における位相のずれがフィードバック制御
されるので、第１および第２高周波アンテナ１１２ａ、
１１２ｂ間のハンチング現象を回避することができる。
周波電力を印加する場合 第１および第２高周波アンテナ１１２ａ、１１２ｂに対
して連続波の高周波電力を印加する場合には、印加され
る高周波電力の電流の位相を位相検出器１２０ａ、１２
０ｂにより検出し、その位相をフィードバック制御す
る。その結果、処理室１０２ａ内に生成される高周波電
磁場に影響を与える電流の位相が最適に制御されるの
で、プラズマの制御特性が向上する。また、高周波アン
テナ部１１２における位相のずれがフィードバック制御
されるので、第１および第２高周波アンテナ１１２ａ、
１１２ｂ間のハンチング現象を回避することができる。
【００３２】また、下部電極１０６に印加されるバイア
ス用の高周波電力については、第１および第２高周波ア
ンテナ１１２ａ、１１２ｂと同一の周波数が印加される
場合には、印加される高周波電力の電流の位相を位相検
出器１５２により検出し、その位相をフィードバック制
御する。その結果、第１および第２高周波アンテナ１１
２ａ、１１２ｂとバイアスとのバランスがとれ、ハンチ
ングがなくなる。さらに、下部電極にパルスを印加した
時は、そのオン／オフのデューティ比や印加パワーを最
適にすることで、エッチング現象を以下の様に分離して
捉えて制御することができる。すなわち、オフ時間中の
エッチング・ラジカル種によるウェハＷへのデポジショ
ン時間とオン時間中のエッチング・ラジカル種によるウ
ェハＷへのイオン衝撃とを分けて捉え、制御することが
できる。その結果、エッチング形状や選択性を向上させ
ることができる。また、オフ時間中は、プラズマポテン
シャルがオン時間と比較して小さくなる（下がる）の
で、チャージアップを解消することも可能である。
ス用の高周波電力については、第１および第２高周波ア
ンテナ１１２ａ、１１２ｂと同一の周波数が印加される
場合には、印加される高周波電力の電流の位相を位相検
出器１５２により検出し、その位相をフィードバック制
御する。その結果、第１および第２高周波アンテナ１１
２ａ、１１２ｂとバイアスとのバランスがとれ、ハンチ
ングがなくなる。さらに、下部電極にパルスを印加した
時は、そのオン／オフのデューティ比や印加パワーを最
適にすることで、エッチング現象を以下の様に分離して
捉えて制御することができる。すなわち、オフ時間中の
エッチング・ラジカル種によるウェハＷへのデポジショ
ン時間とオン時間中のエッチング・ラジカル種によるウ
ェハＷへのイオン衝撃とを分けて捉え、制御することが
できる。その結果、エッチング形状や選択性を向上させ
ることができる。また、オフ時間中は、プラズマポテン
シャルがオン時間と比較して小さくなる（下がる）の
で、チャージアップを解消することも可能である。
【００３３】これに対して、エッチング対象によって
は、エッチングガスや添加ガス、あるいはバイアス周波
数などを変更して、形状、レート、選択性などのプロセ
ス結果の優先度を変えることがある。この様な場合に
は、下部電極１０６に対して、第１および第２高周波ア
ンテナ１１２ａ、１１２ｂに別の周波数を印加させる。
このとき、パルス制御器１５４は、移相制御ではなく、
パルス変調制御を行う。その結果、下部電極１０６に対
して、第１および第２高周波アンテナ１１２ａ、１１２
ｂと別の周波数が印加される場合には、パルス制御器１
５４によるパルス変調制御が行われる。その結果、上述
のように、デポジション時間とエッチング時間とが制御
できるので、被処理体に対するエッチングの選択性や形
状の制御特性を向上させることができる。その際に、特
に、印加される高周波電力パルスのデューティ比を最適
化すると、デポジション時間とエッチング時間とが制御
できるので、被処理体に対するエッチングの選択性や形
状の制御特性をさらに向上させることができる。
は、エッチングガスや添加ガス、あるいはバイアス周波
数などを変更して、形状、レート、選択性などのプロセ
ス結果の優先度を変えることがある。この様な場合に
は、下部電極１０６に対して、第１および第２高周波ア
ンテナ１１２ａ、１１２ｂに別の周波数を印加させる。
このとき、パルス制御器１５４は、移相制御ではなく、
パルス変調制御を行う。その結果、下部電極１０６に対
して、第１および第２高周波アンテナ１１２ａ、１１２
ｂと別の周波数が印加される場合には、パルス制御器１
５４によるパルス変調制御が行われる。その結果、上述
のように、デポジション時間とエッチング時間とが制御
できるので、被処理体に対するエッチングの選択性や形
状の制御特性を向上させることができる。その際に、特
に、印加される高周波電力パルスのデューティ比を最適
化すると、デポジション時間とエッチング時間とが制御
できるので、被処理体に対するエッチングの選択性や形
状の制御特性をさらに向上させることができる。
【００３４】（２）高周波アンテナにパルス波の高周波
電力を印加する場合 負イオンの密度コントロールやエッチング時間とを制御
制御するために、第１および第２高周波アンテナ１１２
ａ、１１２ｂに対してパルス波の高周波電力を印加する
場合には、下部電極１０６に印加される高周波電力につ
いてもパルス変調制御を行う。すなわち、プラズマ中に
おいて解離しているガスは時間タイミング応じて異なる
ので、所望の選択性および形状が得られるエッチャント
が多く存在しているタイミングに併せるように、下部電
極１０６に印加される高周波電力をパルス制御すること
ができる。その際に、図３に示すように、下部電極１０
６に印加される高周波電力パルスについて所定の遅延を
加えることにより、穏やかなアフターグロープラズマを
被処理体表面に引き込むことが可能となる。
電力を印加する場合 負イオンの密度コントロールやエッチング時間とを制御
制御するために、第１および第２高周波アンテナ１１２
ａ、１１２ｂに対してパルス波の高周波電力を印加する
場合には、下部電極１０６に印加される高周波電力につ
いてもパルス変調制御を行う。すなわち、プラズマ中に
おいて解離しているガスは時間タイミング応じて異なる
ので、所望の選択性および形状が得られるエッチャント
が多く存在しているタイミングに併せるように、下部電
極１０６に印加される高周波電力をパルス制御すること
ができる。その際に、図３に示すように、下部電極１０
６に印加される高周波電力パルスについて所定の遅延を
加えることにより、穏やかなアフターグロープラズマを
被処理体表面に引き込むことが可能となる。
【００３５】また、アフターグロー中では、プラズマ密
度が急速に減少し、同一バイアスパワーでは、アフター
グロープラズマの引き込み電圧（シース電圧）が急上昇
する。そこで、アフターグロー前後で、予め設定された
シーケンスに基づいてバイアスパワーを下げるか、アフ
ターグロー中のプラズマ密度に応じてバイアスパワーを
下げることにより、アフターグロー中のバイアス電力に
よるイオンシース電圧の急上昇を抑え、よりダメージレ
スのエッチングを行うことができる。さらにまた、下部
電極１０６に印加される高周波電力パルスのデューティ
比を最適化すると、上述のように、デポジション時間と
エッチング時間とが制御できるので、被処理体に対する
エッチングの選択性や形状の制御特性をさらに向上させ
ることができる。
度が急速に減少し、同一バイアスパワーでは、アフター
グロープラズマの引き込み電圧（シース電圧）が急上昇
する。そこで、アフターグロー前後で、予め設定された
シーケンスに基づいてバイアスパワーを下げるか、アフ
ターグロー中のプラズマ密度に応じてバイアスパワーを
下げることにより、アフターグロー中のバイアス電力に
よるイオンシース電圧の急上昇を抑え、よりダメージレ
スのエッチングを行うことができる。さらにまた、下部
電極１０６に印加される高周波電力パルスのデューティ
比を最適化すると、上述のように、デポジション時間と
エッチング時間とが制御できるので、被処理体に対する
エッチングの選択性や形状の制御特性をさらに向上させ
ることができる。
【００３６】以上、本発明にかかるプラズマ処理装置を
高周波誘導結合プラズマエッチング装置に適用した例に
ついて添付図面を参照しながら説明したが、本発明はか
かる実施例に限定されない。当業者であれば、特許請求
の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の
変更例および修正例に想到し得ることが明らかであり、
それらについても本発明の技術的範囲に属するものと了
解される。
高周波誘導結合プラズマエッチング装置に適用した例に
ついて添付図面を参照しながら説明したが、本発明はか
かる実施例に限定されない。当業者であれば、特許請求
の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の
変更例および修正例に想到し得ることが明らかであり、
それらについても本発明の技術的範囲に属するものと了
解される。
【００３７】例えば、上記実施の形態にかかるエッチン
グ装置においては、１ターンのループ状高周波アンテナ
を２重に配置した例を示したが、本発明はかかる例に限
定されず、独立に位相制御可能な第１および第２の高周
波アンテナから構成されていれば、いかなる構造のアン
テナであっても適用することが可能である。
グ装置においては、１ターンのループ状高周波アンテナ
を２重に配置した例を示したが、本発明はかかる例に限
定されず、独立に位相制御可能な第１および第２の高周
波アンテナから構成されていれば、いかなる構造のアン
テナであっても適用することが可能である。
【００３８】また、上記実施の形態にかかるエッチング
装置においては、処理ガスを処理容器１０２の上部から
供給する構成を示したが、処理容器１０２の上部は絶縁
材１０８のみから構成し、処理ガスの供給は処理容器１
０２の側部から行うように構成してもかまわない。
装置においては、処理ガスを処理容器１０２の上部から
供給する構成を示したが、処理容器１０２の上部は絶縁
材１０８のみから構成し、処理ガスの供給は処理容器１
０２の側部から行うように構成してもかまわない。
【００３９】さらに、図１および図２に示す例では、位
相制御手段およびパルス制御手段の双方を備えた構成を
示したが、本発明はかかる例に限定されず、プロセスに
応じて、位相制御手段とパルス制御手段のいずれか一方
を備える構成にすることも可能である。
相制御手段およびパルス制御手段の双方を備えた構成を
示したが、本発明はかかる例に限定されず、プロセスに
応じて、位相制御手段とパルス制御手段のいずれか一方
を備える構成にすることも可能である。
【００４０】さらに上記実施の形態においては、本発明
にかかるプラズマ処理装置をエッチング装置適用した例
を示したが、本発明は、エッチング装置に限定されず、
アッシング装置、成膜装置、スパッタリング装置などの
各種プラズマ処理装置にも適用することが可能である。
また、本発明にかかるプラズマ処理装置を適用可能な被
処理体についても、半導体ウェハに限定されず、液晶表
示装置用のガラス基板などにも適用することができる。
にかかるプラズマ処理装置をエッチング装置適用した例
を示したが、本発明は、エッチング装置に限定されず、
アッシング装置、成膜装置、スパッタリング装置などの
各種プラズマ処理装置にも適用することが可能である。
また、本発明にかかるプラズマ処理装置を適用可能な被
処理体についても、半導体ウェハに限定されず、液晶表
示装置用のガラス基板などにも適用することができる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかるプ
ラズマ処理装置によれば、高周波アンテナおよび下部電
極に印加される高周波電力を位相制御および／またはパ
ルス変調制御することにより、処理室内に発生するプラ
ズマのユニフォミティを改善することが可能であり、分
割されたアンテナ間でのハンチングを防止し、プラズマ
の発生効率を高めることが可能であり、さらにエッチン
グ処理を行う場合に、エッチングの選択性や形状を容易
かつ正確に制御することができる。
ラズマ処理装置によれば、高周波アンテナおよび下部電
極に印加される高周波電力を位相制御および／またはパ
ルス変調制御することにより、処理室内に発生するプラ
ズマのユニフォミティを改善することが可能であり、分
割されたアンテナ間でのハンチングを防止し、プラズマ
の発生効率を高めることが可能であり、さらにエッチン
グ処理を行う場合に、エッチングの選択性や形状を容易
かつ正確に制御することができる。
【図１】本発明にかかるプラズマ処理装置の概略構成を
示す略断面図である。
示す略断面図である。
【図２】本発明にかかるプラズマ処理装置の概略的な見
取図である。
取図である。
【図３】本発明にかかるプラズマ処理装置のパルス制御
の一例を示すタイミングチャートである。
の一例を示すタイミングチャートである。
１００ プラズマ処理装置 １０２ 処理容器 １０６ 下部電極 １０８ 絶縁材 １１２ 高周波アンテナ １１２ａ 第１高周波アンテナ １１２ｂ 第２高周波アンテナ １１４ マッチング回路 １１６ 可変位相器 １１８ 高周波電源 １２０ 位相検出器 １２２ 制御器 １４６ マッチング回路 １４８ 可変位相器 １５０ 高周波電源 １５２ 位相検出器 １５４ パルス変調器
Claims (6)
- 【請求項１】 処理室の一方壁を誘電体で構成し、その
誘電体を介して処理室外に高周波アンテナを配し、その
高周波アンテナに高周波電力を印加することにより、処
理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し、処理室内
に載置された被処理体に対して所定のプラズマ処理を施
すプラズマ処理装置において：前記高周波アンテナは、
第１高周波アンテナと、その第１高周波アンテナの外周
部に所定間隔を置いて配置される第２高周波アンテナと
から構成され；前記被処理体は処理室内に配置された下
部電極上に載置され；前記第１高周波アンテナ、前記第
２高周波アンテナおよび前記下部電極には、それぞれ独
立に位相制御可能な高周波電力を印加することが可能で
あり；第１高周波アンテナおよび第２高周波アンテナに
印加される高周波電力に応じて、前記下部電極に印加さ
れる高周波電力は、位相制御可能であるとともに、１Ｈ
ｚ〜１ＭＨｚの範囲でパルスによる変調可能であること
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記第１高周波アンテナおよび前記第２
高周波アンテナに印加される高周波電力に応じて、前記
下部電極に印加される高周波電力は所定の遅延が加えら
れることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項３】 前記第１高周波アンテナおよび前記第２
高周波アンテナに印加される高周波電力に応じて、前記
下部電極に印加される高周波電力のデューティ比が調整
できることを特徴とする、請求項１または２に記載のプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項４】 前記第１高周波アンテナおよび前記第２
高周波アンテナに印加されるパルス高周波電力がオフま
たはローになるタイミングに応じて、前記下部電極に印
加される高周波電力を所定値までシフトダウンすること
を特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のプラズ
マ処理装置。 - 【請求項５】 前記第１高周波アンテナおよび前記第２
高周波アンテナに印加される高周波電力は、電流の位相
が実質的に同位相になるように位相制御されることを特
徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項６】 前記第１高周波アンテナ、前記第２高周
波アンテナおよび下部電極に印加される高周波電力は、
電流の位相が実質的に同位相になるように位相制御され
ることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の
プラズマ処理装置。
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|---|---|---|---|
| JP27737096A JP3220394B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | プラズマ処理装置 |
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| TW086112746A TW455922B (en) | 1996-09-27 | 1997-09-04 | Plasma processing apparatus |
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP27737096A JP3220394B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | プラズマ処理装置 |
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ID=17582584
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP27737096A Expired - Lifetime JP3220394B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | プラズマ処理装置 |
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