JPH10101477A - 保護膜成膜装置 - Google Patents
保護膜成膜装置Info
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- JPH10101477A JPH10101477A JP8254417A JP25441796A JPH10101477A JP H10101477 A JPH10101477 A JP H10101477A JP 8254417 A JP8254417 A JP 8254417A JP 25441796 A JP25441796 A JP 25441796A JP H10101477 A JPH10101477 A JP H10101477A
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- reaction
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 炭素系保護層を支持体磁性層の上に支持体長
手方向および幅方向に均一、かつ高速で成膜することの
できるＥＣＲプラズマＣＶＤ保護膜成膜装置を提供す
る。 【解決手段】 キャンロール表面と反応ガス供給口の距
離ＬＧは反応管の長さＬＲに対して ＬＧ＜ＬＲ／２ と
規定され、反応ガスを供給する口は、キャンロール上を
走行する支持体の方向と平行であり、かつその吹き出し
口はキャンロール上を走行する支持体の幅と平行な方向
に開口する多孔式あるいはスリット式であり、キャンロ
ール表面と反応管出口の距離Ｌ１は５０ｍｍより小さく
なるように調節され、またＥＣＲ点とキャンロール表面
との距離は、１０ｍｍより大きく、７２０ｍｍより小さ
くなるように調節され、さらにＥＣＲ点における磁場勾
配は、２０Ｇａｕｓｓ／ｃｍより大きく、９２Ｇａｕｓ
ｓ／ｃｍより小さくなるように設定されることを特徴と
するＥＣＲプラズマＣＶＤ装置。
手方向および幅方向に均一、かつ高速で成膜することの
できるＥＣＲプラズマＣＶＤ保護膜成膜装置を提供す
る。 【解決手段】 キャンロール表面と反応ガス供給口の距
離ＬＧは反応管の長さＬＲに対して ＬＧ＜ＬＲ／２ と
規定され、反応ガスを供給する口は、キャンロール上を
走行する支持体の方向と平行であり、かつその吹き出し
口はキャンロール上を走行する支持体の幅と平行な方向
に開口する多孔式あるいはスリット式であり、キャンロ
ール表面と反応管出口の距離Ｌ１は５０ｍｍより小さく
なるように調節され、またＥＣＲ点とキャンロール表面
との距離は、１０ｍｍより大きく、７２０ｍｍより小さ
くなるように調節され、さらにＥＣＲ点における磁場勾
配は、２０Ｇａｕｓｓ／ｃｍより大きく、９２Ｇａｕｓ
ｓ／ｃｍより小さくなるように設定されることを特徴と
するＥＣＲプラズマＣＶＤ装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、炭素からなる薄膜
を形成するためのＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に関する。
を形成するためのＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より薄膜を形成する方法のひとつと
してＣＶＤ（化学気相成長）法が知られている。この方
法は、反応系分子の気体を基板上に流し、自己分解・置
換・光分解等の反応による生成物を基板上に蒸着させる
ものであり、ヒ化ガリウム等の化合物半導体結晶薄膜、
シリコン結晶薄膜、ダイヤモンドライクカーボン薄膜等
の形成に広く利用されている。ＣＶＤ法の中でもより低
温において薄膜を形成できるＥＣＲプラズマＣＶＤ（電
子サイクロトロン共鳴 プラズマ 化学気相成長）法は、
またイオンの加速を十分に行うことができるため、ダイ
ヤモンドライクカーボン薄膜のように高い活性化エネル
ギーを必要とする薄膜の形成にも有利である。この方法
は、マイクロ波により反応ガスをプラズマ化し、このプ
ラズマ中のイオンを被蒸着材に照射するマイクロ波ＣＶ
Ｄ装置において、イオンをサイクロトロン加速器を用い
て加速し、この加速されたイオンを被蒸着材に照射する
ものである。
してＣＶＤ（化学気相成長）法が知られている。この方
法は、反応系分子の気体を基板上に流し、自己分解・置
換・光分解等の反応による生成物を基板上に蒸着させる
ものであり、ヒ化ガリウム等の化合物半導体結晶薄膜、
シリコン結晶薄膜、ダイヤモンドライクカーボン薄膜等
の形成に広く利用されている。ＣＶＤ法の中でもより低
温において薄膜を形成できるＥＣＲプラズマＣＶＤ（電
子サイクロトロン共鳴 プラズマ 化学気相成長）法は、
またイオンの加速を十分に行うことができるため、ダイ
ヤモンドライクカーボン薄膜のように高い活性化エネル
ギーを必要とする薄膜の形成にも有利である。この方法
は、マイクロ波により反応ガスをプラズマ化し、このプ
ラズマ中のイオンを被蒸着材に照射するマイクロ波ＣＶ
Ｄ装置において、イオンをサイクロトロン加速器を用い
て加速し、この加速されたイオンを被蒸着材に照射する
ものである。
【０００３】ところで磁気記録媒体を製造する際に、磁
気記録媒体に対する高密度化、高周波対応化への要求よ
り、磁性層を金属薄膜で形成することが主流となってき
ている。金属薄膜は、磁気特性には優れるが、耐食性や
耐久性に問題があり、磁性層の上に耐食性に優れた高硬
度の保護層が必要である。保護層はダイヤモンドライク
カーボン、炭化ホウ素、炭化珪素、窒化ホウ素、窒化珪
素、酸化アルミニウム等が用いられるが、現在ではダイ
ヤモンドライクカーボン等の炭素系の保護層が主流とな
っている。
気記録媒体に対する高密度化、高周波対応化への要求よ
り、磁性層を金属薄膜で形成することが主流となってき
ている。金属薄膜は、磁気特性には優れるが、耐食性や
耐久性に問題があり、磁性層の上に耐食性に優れた高硬
度の保護層が必要である。保護層はダイヤモンドライク
カーボン、炭化ホウ素、炭化珪素、窒化ホウ素、窒化珪
素、酸化アルミニウム等が用いられるが、現在ではダイ
ヤモンドライクカーボン等の炭素系の保護層が主流とな
っている。
【０００４】一方ＥＣＲプラズマＣＶＤ法において形成
する薄膜を均一かつ高品位のものとするためには、反
応ガスをマイクロ波により解離しプラズマ化する、プ
ラズマ化された反応ガスを基板上に均一に導入する、と
いった点が重要である。さらに工業上は、成膜速度が
速いことも重要である。以上のような要求に対して、本
件出願人より、ＥＣＲ点を２点以上設けることにより解
離しにくい反応ガスに対しても十分な解離が行えように
する提案が特開平８−１００２６８号に、導波管と反応
管の間に設けられる窓の形状を変えることによりマイク
ロ波の損失を最小限に抑え高効率で成膜を行えるようす
る提案が特開平８−１５８０５６号に、反応ガス供給口
近傍において反応ガスを撹拌することにより均一な膜と
する提案が特開平８−１５８０５６号に、高周波と赤外
線レーザー光をマイクロ波と組み合わせることにより反
応ガスを高効率で活性種とし成膜速度を向上させる提案
が特開平８−１０２０６２号にそれぞれされている。
する薄膜を均一かつ高品位のものとするためには、反
応ガスをマイクロ波により解離しプラズマ化する、プ
ラズマ化された反応ガスを基板上に均一に導入する、と
いった点が重要である。さらに工業上は、成膜速度が
速いことも重要である。以上のような要求に対して、本
件出願人より、ＥＣＲ点を２点以上設けることにより解
離しにくい反応ガスに対しても十分な解離が行えように
する提案が特開平８−１００２６８号に、導波管と反応
管の間に設けられる窓の形状を変えることによりマイク
ロ波の損失を最小限に抑え高効率で成膜を行えるようす
る提案が特開平８−１５８０５６号に、反応ガス供給口
近傍において反応ガスを撹拌することにより均一な膜と
する提案が特開平８−１５８０５６号に、高周波と赤外
線レーザー光をマイクロ波と組み合わせることにより反
応ガスを高効率で活性種とし成膜速度を向上させる提案
が特開平８−１０２０６２号にそれぞれされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】今後はさらに高品質の
磁気記録媒体を高い生産性において製造することが望ま
れるが、ここで金属薄膜型磁性層の上に高品質の高硬度
の保護層を設けることは重要なことである。ところで現
在のところ上述のようにダイヤモンドライクカーボンに
より保護層を形成することが主流となっているが、ダイ
ヤモンドライクカーボンは高い活性化エネルギーを必要
とするため、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によってもその形
成条件は十分に検討されなければならない。上記の提案
により、高効率で反応ガスを活性種とすることができる
ようになったため成膜速度が向上し、あるいは反応ガス
を撹拌することにより均一な膜を得ることができるよう
になった。しかしながらそれらの結果は十分に満足でき
るものではなく、より一層の改善が望まれている。そこ
で本発明では、耐久性が良好なダイヤモンドライクカー
ボン等の炭素系薄膜を磁気記録媒体の磁性層の保護膜と
して、支持体の長手方向および幅方向に均一かつ高速に
成膜できる成膜装置の提供を目的とする。
磁気記録媒体を高い生産性において製造することが望ま
れるが、ここで金属薄膜型磁性層の上に高品質の高硬度
の保護層を設けることは重要なことである。ところで現
在のところ上述のようにダイヤモンドライクカーボンに
より保護層を形成することが主流となっているが、ダイ
ヤモンドライクカーボンは高い活性化エネルギーを必要
とするため、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によってもその形
成条件は十分に検討されなければならない。上記の提案
により、高効率で反応ガスを活性種とすることができる
ようになったため成膜速度が向上し、あるいは反応ガス
を撹拌することにより均一な膜を得ることができるよう
になった。しかしながらそれらの結果は十分に満足でき
るものではなく、より一層の改善が望まれている。そこ
で本発明では、耐久性が良好なダイヤモンドライクカー
ボン等の炭素系薄膜を磁気記録媒体の磁性層の保護膜と
して、支持体の長手方向および幅方向に均一かつ高速に
成膜できる成膜装置の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記のような状況に鑑
み、本発明者らは、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置において
反応ガスの供給位置、反応ガスの吹き出し方向ならびに
吹き出し口の種類、キャンロールと反応管出口の間にあ
る空隙の幅、ＥＣＲ点とキャンロールとの距離、ＥＣＲ
点における磁場勾配をそれぞれ適宜調節することによ
り、耐久性の良好な炭素からなる保護膜を支持体の長手
方向および幅方向に均一にかつ高速に成膜できることを
見出し、本発明を完成するに至った。
み、本発明者らは、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置において
反応ガスの供給位置、反応ガスの吹き出し方向ならびに
吹き出し口の種類、キャンロールと反応管出口の間にあ
る空隙の幅、ＥＣＲ点とキャンロールとの距離、ＥＣＲ
点における磁場勾配をそれぞれ適宜調節することによ
り、耐久性の良好な炭素からなる保護膜を支持体の長手
方向および幅方向に均一にかつ高速に成膜できることを
見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】本発明の保護膜成膜装置はＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ装置である。装置は、マイクロ波発生源、マイク
ロ波が伝達される導波管、導波管に接続された反応管、
反応管内に磁界を発生させるためのコイル、導波管と反
応管を接続する窓、反応管内にガスを供給するためのガ
ス供給管、支持体を走行させるための巻き出しロール、
キャンロール、巻き取りロールより構成される。
ＣＶＤ装置である。装置は、マイクロ波発生源、マイク
ロ波が伝達される導波管、導波管に接続された反応管、
反応管内に磁界を発生させるためのコイル、導波管と反
応管を接続する窓、反応管内にガスを供給するためのガ
ス供給管、支持体を走行させるための巻き出しロール、
キャンロール、巻き取りロールより構成される。
【０００８】ここで本発明によれば、保護膜成膜装置の
各部分は以下のとおりであることが提案される。キャン
ロールとガス供給管による反応ガス供給位置との距離は
反応管長さの二分の一よりも小さい。反応ガス供給口に
おける反応ガス吹き出し方向はキャンロール上を走行す
る支持体の走行方向と一致し、反応ガス吹き出し口がキ
ャンロール上を走行する支持体の幅方向と同じ方向に開
口する多孔式あるいはスリット式である。キャンロール
と反応管の出口との空隙がその空隙の中心部において５
０ｍｍよりも小さく、特に成膜速度の点からは２０ｍｍ
よりも小さいことが好ましい。ＥＣＲ点とキャンロール
表面との距離は、１０ｍｍよりも大きく、７２０ｍｍよ
りも小さく、特に形成する膜の均一性の点からは１０ｍ
ｍよりも大きく、３５０ｍｍよりも小さいことが好まし
い。ＥＣＲ点において距離に対する磁場の強さの傾きに
より表現される磁場勾配が、２０Ｇａｕｓｓ／ｃｍより
大きく、９２Ｇａｕｓｓ／ｃｍより小さく、特に成膜速
度と膜の均一性の点からは３０Ｇａｕｓｓ／ｃｍより大
きく、９０Ｇａｕｓｓ／ｃｍより小さいことが好まし
い。さらに形成する膜を均一に成膜するために、反応管
中心軸方向にキャンロールの中心位置のあることが好ま
しく、マイクロ波供給ガラス窓の中心は反応管の中心に
あることが好ましい。
各部分は以下のとおりであることが提案される。キャン
ロールとガス供給管による反応ガス供給位置との距離は
反応管長さの二分の一よりも小さい。反応ガス供給口に
おける反応ガス吹き出し方向はキャンロール上を走行す
る支持体の走行方向と一致し、反応ガス吹き出し口がキ
ャンロール上を走行する支持体の幅方向と同じ方向に開
口する多孔式あるいはスリット式である。キャンロール
と反応管の出口との空隙がその空隙の中心部において５
０ｍｍよりも小さく、特に成膜速度の点からは２０ｍｍ
よりも小さいことが好ましい。ＥＣＲ点とキャンロール
表面との距離は、１０ｍｍよりも大きく、７２０ｍｍよ
りも小さく、特に形成する膜の均一性の点からは１０ｍ
ｍよりも大きく、３５０ｍｍよりも小さいことが好まし
い。ＥＣＲ点において距離に対する磁場の強さの傾きに
より表現される磁場勾配が、２０Ｇａｕｓｓ／ｃｍより
大きく、９２Ｇａｕｓｓ／ｃｍより小さく、特に成膜速
度と膜の均一性の点からは３０Ｇａｕｓｓ／ｃｍより大
きく、９０Ｇａｕｓｓ／ｃｍより小さいことが好まし
い。さらに形成する膜を均一に成膜するために、反応管
中心軸方向にキャンロールの中心位置のあることが好ま
しく、マイクロ波供給ガラス窓の中心は反応管の中心に
あることが好ましい。
【０００９】炭素系保護膜を形成するための反応ガスと
してプラズマ反応管に供給されるガスは、メタン、エチ
レン、アセチレン、ベンゼン等の炭化水素系ガスが用い
られる。特にエチレンやアセチレン等の二重結合や三重
結合を持つ鎖状の不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエ
ン、安息香酸、ベンズアルデヒド等の環式の不飽和炭化
水素、その他ナフタレンやアントラセン等をベンゼンや
トルエンに希釈したもの等のように不飽和結合を有する
炭化水素系の化合物を用いることが解離のしやすさある
いは成膜速度の速さの点で好ましい。
してプラズマ反応管に供給されるガスは、メタン、エチ
レン、アセチレン、ベンゼン等の炭化水素系ガスが用い
られる。特にエチレンやアセチレン等の二重結合や三重
結合を持つ鎖状の不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエ
ン、安息香酸、ベンズアルデヒド等の環式の不飽和炭化
水素、その他ナフタレンやアントラセン等をベンゼンや
トルエンに希釈したもの等のように不飽和結合を有する
炭化水素系の化合物を用いることが解離のしやすさある
いは成膜速度の速さの点で好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置の具体例を図１に示す。ここには図示しない真空排気
装置に接続された真空チャンバ２と、真空チャンバ２内
に設けられたキャンロール３と、キャンロール３上で支
持体４を走行させるための巻き出しロール５および巻き
取りロール６が配置されている。さらにここでは図示し
ないマイクロ波発生装置に接続された導波管１１と、導
波管１１に接続されもう一方で真空チャンバ２内のキャ
ンロール３に対する反応管１２と、導波管１１と反応管
１２の間に配置された窓１３と、反応管１２内に磁界を
発生させる電磁コイル１４と、反応ガスを反応管内に供
給するためのガス供給管１５および反応ガス供給口１６
とによりＥＣＲプラズマＣＶＤ装置は形成されている。
置の具体例を図１に示す。ここには図示しない真空排気
装置に接続された真空チャンバ２と、真空チャンバ２内
に設けられたキャンロール３と、キャンロール３上で支
持体４を走行させるための巻き出しロール５および巻き
取りロール６が配置されている。さらにここでは図示し
ないマイクロ波発生装置に接続された導波管１１と、導
波管１１に接続されもう一方で真空チャンバ２内のキャ
ンロール３に対する反応管１２と、導波管１１と反応管
１２の間に配置された窓１３と、反応管１２内に磁界を
発生させる電磁コイル１４と、反応ガスを反応管内に供
給するためのガス供給管１５および反応ガス供給口１６
とによりＥＣＲプラズマＣＶＤ装置は形成されている。
【００１１】本発明のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置は、キ
ャンロールと反応ガス供給口の距離と反応管の長さの関
係、反応ガス供給口の開口方向および形状、キャンロー
ル表面と反応管出口との距離の関係、ＥＣＲ点とキャン
ロール表面の距離の関係、ＥＣＲ点における磁場勾配に
それぞれ特徴がある。これらを図２（ａ）、（ｂ）にお
いて説明する。キャンロール表面と反応ガス供給口の距
離ＬＧは反応管の長さＬＲに対して次式の関係式により
規定される。 ＬＧ＜ＬＲ／２ 反応ガス供給口は、キャンロール上を走行する支持体の
方向と平行であり、かつその吹き出し口はキャンロール
上を走行する支持体の幅と平行な方向に開口する多孔式
あるいはスリット式である。キャンロール表面と反応管
出口の距離Ｌ１は５０ｍｍより小さくなるように調節さ
れる。またＥＣＲ点とキャンロール表面との距離は、１
０ｍｍより大きく、７２０ｍｍより小さくなるように調
節される。さらにＥＣＲ点における磁場勾配は、２０Ｇ
ａｕｓｓ／ｃｍより大きく、９２Ｇａｕｓｓ／ｃｍより
小さくなるように設定される。加えて反応管の中心軸に
キャンロール中心軸とマイクロ波供給ガラス窓の中心軸
が一致するように構成される。
ャンロールと反応ガス供給口の距離と反応管の長さの関
係、反応ガス供給口の開口方向および形状、キャンロー
ル表面と反応管出口との距離の関係、ＥＣＲ点とキャン
ロール表面の距離の関係、ＥＣＲ点における磁場勾配に
それぞれ特徴がある。これらを図２（ａ）、（ｂ）にお
いて説明する。キャンロール表面と反応ガス供給口の距
離ＬＧは反応管の長さＬＲに対して次式の関係式により
規定される。 ＬＧ＜ＬＲ／２ 反応ガス供給口は、キャンロール上を走行する支持体の
方向と平行であり、かつその吹き出し口はキャンロール
上を走行する支持体の幅と平行な方向に開口する多孔式
あるいはスリット式である。キャンロール表面と反応管
出口の距離Ｌ１は５０ｍｍより小さくなるように調節さ
れる。またＥＣＲ点とキャンロール表面との距離は、１
０ｍｍより大きく、７２０ｍｍより小さくなるように調
節される。さらにＥＣＲ点における磁場勾配は、２０Ｇ
ａｕｓｓ／ｃｍより大きく、９２Ｇａｕｓｓ／ｃｍより
小さくなるように設定される。加えて反応管の中心軸に
キャンロール中心軸とマイクロ波供給ガラス窓の中心軸
が一致するように構成される。
【００１２】以上のようなＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に
おいて、巻き出しロール５からキャンロール３上を通り
巻き取りロール６へと向かう支持体４は、マイクロ波発
生装置により発生され導波管を通って導入されるマイク
ロ波により解離プラズマ化されさらに電磁コイルにより
加速された反応ガスのイオンを照射される。この時反応
ガスとしては不飽和結合を有する炭化水素系の化合物が
選ばれ、支持体上に形成された磁性層の上に炭素系の保
護膜が形成される。
おいて、巻き出しロール５からキャンロール３上を通り
巻き取りロール６へと向かう支持体４は、マイクロ波発
生装置により発生され導波管を通って導入されるマイク
ロ波により解離プラズマ化されさらに電磁コイルにより
加速された反応ガスのイオンを照射される。この時反応
ガスとしては不飽和結合を有する炭化水素系の化合物が
選ばれ、支持体上に形成された磁性層の上に炭素系の保
護膜が形成される。
【００１３】
実施例１ 厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレート上に真空中の
斜め蒸着法により金属コバルトを２０００Å付着させ磁
性層を形成した。図１に示すＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
を用いて、上記の磁性層を形成した支持体に対し磁性層
の上に保護層を形成した。形成条件は以下のとおりであ
る。 マイクロ波周波数：２．４５ＧＨｚ マイクロ波出力：５００Ｗ ＬＧ：８ｃｍ、ＬＲ：３０ｃｍ 吹き出し口形状：多孔式 Ｌ１：１０ｍｍ、Ｌ２：１５０ｍｍ 磁場勾配：３８Ｇａｕｓｓ／ｃｍ 反応ガス：ベンゼン 原料供給量：２．０×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が２．０
×１０-5Ｔｏｒｒとなるように供給 支持体走行速度：９．７ｍ／ｍｉｎ 保護層を形成した後、支持体上の磁性層とは反対の面に
Ａｌ−Ｃｕよりなる厚さ２０００Åのバックコート層を
蒸着により形成した。さらに保護層とバックコート層の
上にそれぞれフッ素系の潤滑剤を潤滑層の厚さが２０Å
となるようにコーティングし潤滑層を形成した。得られ
たものを８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填して８ｍｍ
ビデオカセットを作製した。
斜め蒸着法により金属コバルトを２０００Å付着させ磁
性層を形成した。図１に示すＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
を用いて、上記の磁性層を形成した支持体に対し磁性層
の上に保護層を形成した。形成条件は以下のとおりであ
る。 マイクロ波周波数：２．４５ＧＨｚ マイクロ波出力：５００Ｗ ＬＧ：８ｃｍ、ＬＲ：３０ｃｍ 吹き出し口形状：多孔式 Ｌ１：１０ｍｍ、Ｌ２：１５０ｍｍ 磁場勾配：３８Ｇａｕｓｓ／ｃｍ 反応ガス：ベンゼン 原料供給量：２．０×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が２．０
×１０-5Ｔｏｒｒとなるように供給 支持体走行速度：９．７ｍ／ｍｉｎ 保護層を形成した後、支持体上の磁性層とは反対の面に
Ａｌ−Ｃｕよりなる厚さ２０００Åのバックコート層を
蒸着により形成した。さらに保護層とバックコート層の
上にそれぞれフッ素系の潤滑剤を潤滑層の厚さが２０Å
となるようにコーティングし潤滑層を形成した。得られ
たものを８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填して８ｍｍ
ビデオカセットを作製した。
【００１４】実施例２ 実施例１と同じ支持体上に実施例１と同じ磁性層を形成
した支持体に対し、以下の条件において図１のＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置を用いて保護層を形成した。 ＬＧ：１０ｃｍ、ＬＲ：３０ｃｍ 吹き出し口形状：スリット式 Ｌ１：５ｍｍ、Ｌ２：１１０ｍｍ 磁場勾配：６１Ｇａｕｓｓ／ｃｍ 支持体走行速度：１２ｍ／ｍｉｎ 他の条件は実施例１と同じ 保護層を形成した後、支持体上の磁性層とは反対の面に
Ａｌ−Ｃｕよりなる厚さ２０００Åのバックコート層を
蒸着により形成した。さらに保護層とバックコート層の
上にそれぞれフッ素系の潤滑剤を潤滑層の厚さが２０Å
となるようにコーティングし潤滑層を形成した。得られ
たものを８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填して８ｍｍ
ビデオカセットを作製した。
した支持体に対し、以下の条件において図１のＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置を用いて保護層を形成した。 ＬＧ：１０ｃｍ、ＬＲ：３０ｃｍ 吹き出し口形状：スリット式 Ｌ１：５ｍｍ、Ｌ２：１１０ｍｍ 磁場勾配：６１Ｇａｕｓｓ／ｃｍ 支持体走行速度：１２ｍ／ｍｉｎ 他の条件は実施例１と同じ 保護層を形成した後、支持体上の磁性層とは反対の面に
Ａｌ−Ｃｕよりなる厚さ２０００Åのバックコート層を
蒸着により形成した。さらに保護層とバックコート層の
上にそれぞれフッ素系の潤滑剤を潤滑層の厚さが２０Å
となるようにコーティングし潤滑層を形成した。得られ
たものを８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填して８ｍｍ
ビデオカセットを作製した。
【００１５】比較例１ 実施例１と同じ支持体上に実施例１と同じ磁性層を形成
した支持体に対し、以下の条件において図１のＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置を用いて保護層を形成した。 ＬＧ：２８ｃｍ、ＬＲ：３０ｃｍ 吹き出し口形状：単孔式 Ｌ１：１０ｍｍ、Ｌ２：８４０ｍｍ 磁場勾配：９８Ｇａｕｓｓ／ｃｍ 支持体走行速度：６．５ｍ／ｍｉｎ 他の条件は実施例１と同じ 保護層を形成した後、支持体上の磁性層とは反対の面に
Ａｌ−Ｃｕよりなる厚さ２０００Åのバックコート層を
蒸着により形成した。さらに保護層とバックコート層の
上にそれぞれフッ素系の潤滑剤を潤滑層の厚さが２０Å
となるようにコーティングし潤滑層を形成した。得られ
たものを８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填して８ｍｍ
ビデオカセットを作製した。
した支持体に対し、以下の条件において図１のＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置を用いて保護層を形成した。 ＬＧ：２８ｃｍ、ＬＲ：３０ｃｍ 吹き出し口形状：単孔式 Ｌ１：１０ｍｍ、Ｌ２：８４０ｍｍ 磁場勾配：９８Ｇａｕｓｓ／ｃｍ 支持体走行速度：６．５ｍ／ｍｉｎ 他の条件は実施例１と同じ 保護層を形成した後、支持体上の磁性層とは反対の面に
Ａｌ−Ｃｕよりなる厚さ２０００Åのバックコート層を
蒸着により形成した。さらに保護層とバックコート層の
上にそれぞれフッ素系の潤滑剤を潤滑層の厚さが２０Å
となるようにコーティングし潤滑層を形成した。得られ
たものを８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填して８ｍｍ
ビデオカセットを作製した。
【００１６】比較例２ 実施例１と同じ支持体上に実施例１と同じ磁性層を形成
した支持体に対し、支持体走行速度を３．３ｍ／ｍｉ
ｎ、その他の条件を実施例１と同じとして、図１のＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ装置を用いて保護層を形成した。ただ
し反応ガスの供給方向を支持体の走行方向とは逆方向と
した。保護層を形成した後、支持体上の磁性層とは反対
の面にＡｌ−Ｃｕよりなる厚さ２０００Åのバックコー
ト層を蒸着により形成した。さらに保護層とバックコー
ト層の上にそれぞれフッ素系の潤滑剤を潤滑層の厚さが
２０Åとなるようにコーティングし潤滑層を形成した。
得られたものを８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填して
８ｍｍビデオカセットを作製した。
した支持体に対し、支持体走行速度を３．３ｍ／ｍｉ
ｎ、その他の条件を実施例１と同じとして、図１のＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ装置を用いて保護層を形成した。ただ
し反応ガスの供給方向を支持体の走行方向とは逆方向と
した。保護層を形成した後、支持体上の磁性層とは反対
の面にＡｌ−Ｃｕよりなる厚さ２０００Åのバックコー
ト層を蒸着により形成した。さらに保護層とバックコー
ト層の上にそれぞれフッ素系の潤滑剤を潤滑層の厚さが
２０Åとなるようにコーティングし潤滑層を形成した。
得られたものを８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填して
８ｍｍビデオカセットを作製した。
【００１７】比較例３ 実施例１と同じ支持体上に実施例１と同じ磁性層を形成
した支持体に対し、以下の条件において図１のＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置を用いて保護層を形成した。 ＬＧ：２８ｃｍ、ＬＲ：３０ｃｍ 吹き出し口形状：多孔式 Ｌ１：１０ｍｍ、Ｌ２：１５０ｍｍ 磁場勾配：３８Ｇａｕｓｓ／ｃｍ 支持体走行速度：７．８ｍ／ｍｉｎ 他の条件は実施例１と同じ 保護層を形成した後、支持体上の磁性層とは反対の面に
Ａｌ−Ｃｕよりなる厚さ２０００Åのバックコート層を
蒸着により形成した。さらに保護層とバックコート層の
上にそれぞれフッ素系の潤滑剤を潤滑層の厚さが２０Å
となるようにコーティングし潤滑層を形成した。得られ
たものを８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填して８ｍｍ
ビデオカセットを作製した。
した支持体に対し、以下の条件において図１のＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置を用いて保護層を形成した。 ＬＧ：２８ｃｍ、ＬＲ：３０ｃｍ 吹き出し口形状：多孔式 Ｌ１：１０ｍｍ、Ｌ２：１５０ｍｍ 磁場勾配：３８Ｇａｕｓｓ／ｃｍ 支持体走行速度：７．８ｍ／ｍｉｎ 他の条件は実施例１と同じ 保護層を形成した後、支持体上の磁性層とは反対の面に
Ａｌ−Ｃｕよりなる厚さ２０００Åのバックコート層を
蒸着により形成した。さらに保護層とバックコート層の
上にそれぞれフッ素系の潤滑剤を潤滑層の厚さが２０Å
となるようにコーティングし潤滑層を形成した。得られ
たものを８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填して８ｍｍ
ビデオカセットを作製した。
【００１８】評価の方法 実施例および比較例において得られたそれぞれの磁気記
録媒体について、成膜レート、幅方向膜厚変化、
長手方向膜厚変化、長手方向耐久性評価の四種類の評
価を行った。結果は以下のとおりである。
録媒体について、成膜レート、幅方向膜厚変化、
長手方向膜厚変化、長手方向耐久性評価の四種類の評
価を行った。結果は以下のとおりである。
【００１９】
【表１】
【００２０】幅方向膜厚変化 反応管の直径（１３０ｍｍ）と同じ幅の支持体につい
て、炭素系薄膜を形成した場合の幅方向の膜厚変化を測
定した。測定した場所は成膜開始から４０ｍのところで
ある。結果は図３に示すとおりである。実施例１、２は
どちらも膜厚の変化が幅方向において少ないが、比較例
１、２では反応管の中心部で膜厚が厚く、反応管の外側
で膜厚が極端に薄くなっていることがわかる。
て、炭素系薄膜を形成した場合の幅方向の膜厚変化を測
定した。測定した場所は成膜開始から４０ｍのところで
ある。結果は図３に示すとおりである。実施例１、２は
どちらも膜厚の変化が幅方向において少ないが、比較例
１、２では反応管の中心部で膜厚が厚く、反応管の外側
で膜厚が極端に薄くなっていることがわかる。
【００２１】長手方向膜厚変化 長さ１０００ｍの支持体に対して、支持体中央部におけ
る長手方向の膜厚変化を測定した。結果は図４に示すと
おりである。実施例では成膜が進んでも膜厚に大きな変
化は認められないが、比較例では成膜が進むにつれ、膜
厚が徐々に薄くなっていることがわかる。
る長手方向の膜厚変化を測定した。結果は図４に示すと
おりである。実施例では成膜が進んでも膜厚に大きな変
化は認められないが、比較例では成膜が進むにつれ、膜
厚が徐々に薄くなっていることがわかる。
【００２２】長手方向耐久性評価 保護層成膜開始から表２のようにそれぞれの位置で切り
出し、市販の８ｍｍＶＴＲにおいてスチル耐久性を評価
した。スチル耐久性の評価は、２０℃、５０％ＲＨの条
件下においてスチル再生を行い、出力が３ｄＢ低下する
のに要した時間を測定することにより行った。結果は表
３に示すとおりである。実施例においてはスタートサン
プル、ミドルサンプル、エンドサンプルで大きな差は認
められないが、比較例においてはスタートサンプルから
エンドサンプルに向かうにつれ時間の減少の著しいこと
がわかる。
出し、市販の８ｍｍＶＴＲにおいてスチル耐久性を評価
した。スチル耐久性の評価は、２０℃、５０％ＲＨの条
件下においてスチル再生を行い、出力が３ｄＢ低下する
のに要した時間を測定することにより行った。結果は表
３に示すとおりである。実施例においてはスタートサン
プル、ミドルサンプル、エンドサンプルで大きな差は認
められないが、比較例においてはスタートサンプルから
エンドサンプルに向かうにつれ時間の減少の著しいこと
がわかる。
【００２３】
【表２】
【００２４】
【表３】
【００２５】
【発明の効果】本発明のようにＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置の各部分を調節することにより、耐久性の良好な炭素
系保護膜を支持体長手方向および幅方向に均一、かつ高
速に成膜することができる。
置の各部分を調節することにより、耐久性の良好な炭素
系保護膜を支持体長手方向および幅方向に均一、かつ高
速に成膜することができる。
【図１】 本発明に使用することのできるＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置の一例を示す概略図である。
マＣＶＤ装置の一例を示す概略図である。
【図２】 （ａ）本発明に使用することができるＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置の要部の一例を示す概略図である。 （ｂ）本発明に使用することのできる反応ガス供給口付
近を示す概略図である。
プラズマＣＶＤ装置の要部の一例を示す概略図である。 （ｂ）本発明に使用することのできる反応ガス供給口付
近を示す概略図である。
【図３】 支持体幅方向の膜厚の変化を示す図である。
【図４】 支持体長手方向の膜厚の変化を示す図であ
る。
る。
１ ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置 ２ 真空チャンバ ３ キャンロール ４ 支持体 ５ 巻き出しロール ６ 巻き取りロール １１ 導波管 １２ 反応管 １３ 窓 １４ 電磁コイル １５ 反応ガス供給管 １６ 反応ガス供給口
フロントページの続き (72)発明者 宮村 猛史 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 反応ガス供給管と反応管を含むＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置において、前記反応ガス供給管による
反応ガス供給位置が、前記反応管の長さをＬＲ、キャン
ロールと反応ガス供給口との距離をＬＧとした時に次式
のように規定されることを特徴とする炭素からなる保護
膜の保護膜成膜装置。 ＬＧ＜ＬＲ／２ - 【請求項２】 前記反応ガス供給口における反応ガス吹
き出し方向がフィルム原反走行方向と一致し、かつ反応
ガス吹き出し口がフィルム原反幅方向と同じ方向に配置
される多孔式もしくはスリット式である請求項１に記載
の保護膜成膜装置。 - 【請求項３】 前記キャンロール中心軸方向から見た前
記キャンロールと前記反応管の出口とのなす空隙の幅
が、前記反応管中心軸上において５０ｍｍより小さい請
求項１または２に記載の保護膜成膜装置。 - 【請求項４】 ＥＣＲ点と前記キャンロール表面との距
離が、１０ｍｍより大きく、７２０ｍｍより小さい請求
項１〜３のいずれか１項に記載の保護膜成膜装置。 - 【請求項５】 距離に対する磁場の強さの傾きにより表
される磁場勾配が、ＥＣＲ点において２０Ｇａｕｓｓ／
ｃｍより大きく、９２Ｇａｕｓｓ／ｃｍより小さい請求
項１〜４のいずれか１項に記載の保護膜成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8254417A JPH10101477A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 保護膜成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8254417A JPH10101477A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 保護膜成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10101477A true JPH10101477A (ja) | 1998-04-21 |
Family
ID=17264696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8254417A Pending JPH10101477A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 保護膜成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10101477A (ja) |
-
1996
- 1996-09-26 JP JP8254417A patent/JPH10101477A/ja active Pending
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