JPH0991686A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0991686A JPH0991686A JP24719495A JP24719495A JPH0991686A JP H0991686 A JPH0991686 A JP H0991686A JP 24719495 A JP24719495 A JP 24719495A JP 24719495 A JP24719495 A JP 24719495A JP H0991686 A JPH0991686 A JP H0991686A
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- Japan
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- component
- film
- magnetic
- peak
- diamond
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐久性、走行性、更には出力などに優れた磁
気テープを提供することである。 【解決手段】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、前記保護膜は、４８８ｎｍの波長の
レーザを照射した際のラマン散乱スペクトルに、ダイヤ
モンド構造ｓｐ3 の成分に起因する１３００〜１４００
ｎｍのピークとグラファイト構造ｓｐ2 の成分に起因す
る１５００〜１６００ｎｍのピークとが認められるもの
であり、前記ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分とグラファ
イト構造ｓｐ2 の成分との割合が ０＜ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造
ｓｐ2 の成分≦０．３ を満たす磁気記録媒体。
気テープを提供することである。 【解決手段】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、前記保護膜は、４８８ｎｍの波長の
レーザを照射した際のラマン散乱スペクトルに、ダイヤ
モンド構造ｓｐ3 の成分に起因する１３００〜１４００
ｎｍのピークとグラファイト構造ｓｐ2 の成分に起因す
る１５００〜１６００ｎｍのピークとが認められるもの
であり、前記ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分とグラファ
イト構造ｓｐ2 の成分との割合が ０＜ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造
ｓｐ2 の成分≦０．３ を満たす磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に磁気テープに
関する。
関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープにおいて
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着やスパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
テープが提案されている。そして、この種の磁気テープ
は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したもので
ある。
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着やスパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
テープが提案されている。そして、この種の磁気テープ
は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したもので
ある。
【０００３】そして、磁気テープの金属磁性膜を保護す
る為に、各種の保護膜を表面に設けることが提案されて
いる。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜もこれら
の提案の一つである。尚、ダイヤモンドライクカーボン
膜は、例えば熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装
置、ＲＦプラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣ
ＶＤ（ケミカルベーパーデポジション）装置によって設
けられている。
る為に、各種の保護膜を表面に設けることが提案されて
いる。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜もこれら
の提案の一つである。尚、ダイヤモンドライクカーボン
膜は、例えば熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装
置、ＲＦプラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣ
ＶＤ（ケミカルベーパーデポジション）装置によって設
けられている。
【０００４】しかし、これまでのダイヤモンドライクカ
ーボン膜では、充分に満足できるものでないことが判っ
て来た。特に、支持体としてハードな円板が用いられた
磁気ディスクではなく、フレキシブルなプラスチック材
料が用いられた磁気テープ、特にヘリカルスキャン方式
の記録・再生装置に用いられる磁気テープの場合には、
耐久性、走行性、更には出力などに満足できないことが
判って来た。
ーボン膜では、充分に満足できるものでないことが判っ
て来た。特に、支持体としてハードな円板が用いられた
磁気ディスクではなく、フレキシブルなプラスチック材
料が用いられた磁気テープ、特にヘリカルスキャン方式
の記録・再生装置に用いられる磁気テープの場合には、
耐久性、走行性、更には出力などに満足できないことが
判って来た。
【０００５】従って、本発明は、耐久性、走行性、更に
は出力などに優れた磁気テープを提供することを目的と
する。
は出力などに優れた磁気テープを提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、支
持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体におい
て、前記保護膜は、４８８ｎｍの波長のレーザを照射し
た際のラマン散乱スペクトルに、ダイヤモンド構造ｓｐ
3 の成分に起因する１３００〜１４００ｎｍのピークと
グラファイト構造ｓｐ2 の成分に起因する１５００〜１
６００ｎｍのピークとが認められるものであり、前記ダ
イヤモンド構造ｓｐ3 の成分とグラファイト構造ｓｐ2
の成分との割合が ０＜ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造
ｓｐ2 の成分≦０．３ を満たすことを特徴とする磁気記録媒体によって達成さ
れる。
持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体におい
て、前記保護膜は、４８８ｎｍの波長のレーザを照射し
た際のラマン散乱スペクトルに、ダイヤモンド構造ｓｐ
3 の成分に起因する１３００〜１４００ｎｍのピークと
グラファイト構造ｓｐ2 の成分に起因する１５００〜１
６００ｎｍのピークとが認められるものであり、前記ダ
イヤモンド構造ｓｐ3 の成分とグラファイト構造ｓｐ2
の成分との割合が ０＜ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造
ｓｐ2 の成分≦０．３ を満たすことを特徴とする磁気記録媒体によって達成さ
れる。
【０００７】尚、ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分／グラ
ファイト構造ｓｐ2 の成分の割合が０．１〜０．３であ
るものが一層好ましい。すなわち、上記構成のダイヤモ
ンド構造とグラファイト構造とを共有するカーボン膜か
らなる保護膜が金属磁性膜上に設けられた磁気テープ
は、磁気テープの腰の強さが適度なものとなり、ヘッド
タッチに優れ、この結果走行性や出力が優れたものにな
る。かつ、耐久性にも優れたものになる。
ファイト構造ｓｐ2 の成分の割合が０．１〜０．３であ
るものが一層好ましい。すなわち、上記構成のダイヤモ
ンド構造とグラファイト構造とを共有するカーボン膜か
らなる保護膜が金属磁性膜上に設けられた磁気テープ
は、磁気テープの腰の強さが適度なものとなり、ヘッド
タッチに優れ、この結果走行性や出力が優れたものにな
る。かつ、耐久性にも優れたものになる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は、支持体と磁性膜と保護
膜とを有する磁気記録媒体において、前記保護膜は、４
８８ｎｍの波長のレーザを照射した際のラマン散乱スペ
クトルに、ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分に起因する１
３００〜１４００ｎｍのピークとグラファイト構造ｓｐ
2 の成分に起因する１５００〜１６００ｎｍのピークと
が認められるものであり、前記ダイヤモンド構造ｓｐ3
の成分とグラファイト構造ｓｐ 2 の成分との割合が０＜
ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ
2 の成分≦０．３を満たす磁気記録媒体である。特に、
ダイヤモンド構造ｓｐ3の成分／グラファイト構造ｓｐ
2 の成分の割合が０．１〜０．３である。
膜とを有する磁気記録媒体において、前記保護膜は、４
８８ｎｍの波長のレーザを照射した際のラマン散乱スペ
クトルに、ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分に起因する１
３００〜１４００ｎｍのピークとグラファイト構造ｓｐ
2 の成分に起因する１５００〜１６００ｎｍのピークと
が認められるものであり、前記ダイヤモンド構造ｓｐ3
の成分とグラファイト構造ｓｐ 2 の成分との割合が０＜
ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ
2 の成分≦０．３を満たす磁気記録媒体である。特に、
ダイヤモンド構造ｓｐ3の成分／グラファイト構造ｓｐ
2 の成分の割合が０．１〜０．３である。
【０００９】尚、（ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分／グ
ラファイト構造ｓｐ2 の成分）は、ラマン散乱スペクト
ルにおけるダイヤモンド構造ｓｐ3 のピークの面積／グ
ラファイト構造ｓｐ2 のピークの面積として求めること
が出来る。本発明の磁気記録媒体における支持体は、磁
性を有するものでも、非磁性のものでも良い。一般的に
は非磁性のものである。例えば、ＰＥＴ等のポリエステ
ル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、
セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といったフレ
キシブルな高分子材料が用いられる。
ラファイト構造ｓｐ2 の成分）は、ラマン散乱スペクト
ルにおけるダイヤモンド構造ｓｐ3 のピークの面積／グ
ラファイト構造ｓｐ2 のピークの面積として求めること
が出来る。本発明の磁気記録媒体における支持体は、磁
性を有するものでも、非磁性のものでも良い。一般的に
は非磁性のものである。例えば、ＰＥＴ等のポリエステ
ル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、
セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といったフレ
キシブルな高分子材料が用いられる。
【００１０】このフレキシブルな支持体上に、蒸着やス
パッタ等の乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜
が５００〜５０００Å厚さ設けられる。金属薄膜型の磁
性膜を形成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いられ
る。尚、金属薄膜型の磁性膜としては、前記材料の窒化
物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化物（例え
ば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。
パッタ等の乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜
が５００〜５０００Å厚さ設けられる。金属薄膜型の磁
性膜を形成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いられ
る。尚、金属薄膜型の磁性膜としては、前記材料の窒化
物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化物（例え
ば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。
【００１１】この金属磁性膜上に１０〜５００Å、特に
３０〜２００Å程度の保護膜が設けられる。この保護膜
は上記特徴を有するものである。このような保護膜は、
例えばグラファイトをターゲットとし、Ａｒ＋Ｈ2 混合
ガスを用いたスパッタ法により０＜ダイヤモンド構造ｓ
ｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ2 の成分≦０．３を
満たすようスパッタ条件を設定して行うことにより成膜
できる。
３０〜２００Å程度の保護膜が設けられる。この保護膜
は上記特徴を有するものである。このような保護膜は、
例えばグラファイトをターゲットとし、Ａｒ＋Ｈ2 混合
ガスを用いたスパッタ法により０＜ダイヤモンド構造ｓ
ｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ2 の成分≦０．３を
満たすようスパッタ条件を設定して行うことにより成膜
できる。
【００１２】上記のようにして金属磁性膜や保護膜が成
膜された後、フッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超音波
噴霧などの手段により２０〜７０Å程度の厚さ設けられ
る。潤滑剤としては、例えばHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2)
q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2COOH と言っ
たカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテル、HOCH
2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OHと言ったアルコ
ール変性パーフロオロポリエーテル、又、分子の一方
に、又は、一部にアルキル基などの飽和炭化水素基、あ
るいは不飽和炭化水素基、若しくは芳香族炭化水素基、
その他の官能基が付いたもの等が挙げられる。具体的に
は、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣや
ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダイキン工業社のデムナ
ムＳＡ等がある。
膜された後、フッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超音波
噴霧などの手段により２０〜７０Å程度の厚さ設けられ
る。潤滑剤としては、例えばHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2)
q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2COOH と言っ
たカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテル、HOCH
2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OHと言ったアルコ
ール変性パーフロオロポリエーテル、又、分子の一方
に、又は、一部にアルキル基などの飽和炭化水素基、あ
るいは不飽和炭化水素基、若しくは芳香族炭化水素基、
その他の官能基が付いたもの等が挙げられる。具体的に
は、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣや
ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダイキン工業社のデムナ
ムＳＡ等がある。
【００１３】
【実施例１】図１は、本発明になる８ｍｍＶＴＲ用磁気
テープの第１実施例の概略図である。図１中、１は約６
μｍ厚のＰＥＴ製支持体である。２は、支持体１表面に
斜め蒸着法により設けられた２０００Å厚のＣｏ金属磁
性膜である。
テープの第１実施例の概略図である。図１中、１は約６
μｍ厚のＰＥＴ製支持体である。２は、支持体１表面に
斜め蒸着法により設けられた２０００Å厚のＣｏ金属磁
性膜である。
【００１４】３は、支持体１裏面上に蒸着法により設け
られた２０００Å厚のＡｌ−Ｃｕ合金膜（バックコート
層）である。４は、グラファイトをターゲットにしたス
パッタ法（スパッタ電圧＝４３０ｖ、スパッタ出力＝２
ｋｗ、テープスピード＝０．３ｍ／ｍｉｎ、ＡｒとＨ2
との混合（７：３）ガス）によりＣｏ金属磁性膜２上に
設けられた１００Å厚のカーボン膜（保護膜）である。
られた２０００Å厚のＡｌ−Ｃｕ合金膜（バックコート
層）である。４は、グラファイトをターゲットにしたス
パッタ法（スパッタ電圧＝４３０ｖ、スパッタ出力＝２
ｋｗ、テープスピード＝０．３ｍ／ｍｉｎ、ＡｒとＨ2
との混合（７：３）ガス）によりＣｏ金属磁性膜２上に
設けられた１００Å厚のカーボン膜（保護膜）である。
【００１５】このカーボン膜４について、スペックス社
製「トリプルメイト（出力３００ｍＷ、４８８ｎｍの波
長のＡｒレーザ）」を用いて得たラマン散乱スペクトル
が図２に示される。これによれば、ダイヤモンド構造ｓ
ｐ3 の成分に起因する１３００〜１４００ｎｍのピーク
とグラファイト構造ｓｐ2 の成分に起因する１５００〜
１６００ｎｍのピークとが認められる。これについて、
ダイヤモンド構造ｓｐ 3 の成分 ／グラファイト構造ｓ
ｐ2 の成分（ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ3 のピ
ークの面積／ｓｐ2 のピークの面積）を求めると、０．
３０であった。
製「トリプルメイト（出力３００ｍＷ、４８８ｎｍの波
長のＡｒレーザ）」を用いて得たラマン散乱スペクトル
が図２に示される。これによれば、ダイヤモンド構造ｓ
ｐ3 の成分に起因する１３００〜１４００ｎｍのピーク
とグラファイト構造ｓｐ2 の成分に起因する１５００〜
１６００ｎｍのピークとが認められる。これについて、
ダイヤモンド構造ｓｐ 3 の成分 ／グラファイト構造ｓ
ｐ2 の成分（ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ3 のピ
ークの面積／ｓｐ2 のピークの面積）を求めると、０．
３０であった。
【００１６】５ａ，５ｂは、表面に設けられた２０Å厚
さのフッ素系潤滑剤（ＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣ）で
ある。
さのフッ素系潤滑剤（ＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣ）で
ある。
【００１７】
【実施例２】実施例１において、カーボン膜４成膜時の
ＡｒとＨ2 との混合比を５．５：４．５とし、ダイヤモ
ンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ2 の成分
（ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ3 のピークの面積
／ｓｐ2 のピークの面積）＝０．２０となるようにした
以外は実施例１に準じて行った。
ＡｒとＨ2 との混合比を５．５：４．５とし、ダイヤモ
ンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ2 の成分
（ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ3 のピークの面積
／ｓｐ2 のピークの面積）＝０．２０となるようにした
以外は実施例１に準じて行った。
【００１８】
【実施例３】実施例１において、カーボン膜４成膜時の
ＡｒとＨ2 との混合比を４．５：５．５とし、ダイヤモ
ンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ2 の成分
（ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ3 のピークの面積
／ｓｐ2 のピークの面積）＝０．１５となるようにした
以外は実施例１に準じて行った。
ＡｒとＨ2 との混合比を４．５：５．５とし、ダイヤモ
ンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ2 の成分
（ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ3 のピークの面積
／ｓｐ2 のピークの面積）＝０．１５となるようにした
以外は実施例１に準じて行った。
【００１９】
【実施例４】実施例１において、カーボン膜４成膜時の
ＡｒとＨ2 との混合比を３．５：６．５とし、ダイヤモ
ンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ2 の成分
（ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ3 のピークの面積
／ｓｐ2 のピークの面積）＝０．１０となるようにした
以外は実施例１に準じて行った。
ＡｒとＨ2 との混合比を３．５：６．５とし、ダイヤモ
ンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ2 の成分
（ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ3 のピークの面積
／ｓｐ2 のピークの面積）＝０．１０となるようにした
以外は実施例１に準じて行った。
【００２０】
【実施例５】実施例１において、カーボン膜４成膜時の
ＡｒとＨ2 との混合比を２．５：７．５とし、ダイヤモ
ンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ2 の成分
（ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ3 のピークの面積
／ｓｐ2 のピークの面積）＝０．０５となるようにした
以外は実施例１に準じて行った。
ＡｒとＨ2 との混合比を２．５：７．５とし、ダイヤモ
ンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ2 の成分
（ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ3 のピークの面積
／ｓｐ2 のピークの面積）＝０．０５となるようにした
以外は実施例１に準じて行った。
【００２１】
【比較例１】実施例１において、カーボン膜４成膜時の
ＡｒとＨ2 との混合比を８．５：１．５とし、ダイヤモ
ンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ2 の成分
（ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ3 のピークの面積
／ｓｐ2 のピークの面積）＝０．４０となるようにした
以外は実施例１に準じて行った。
ＡｒとＨ2 との混合比を８．５：１．５とし、ダイヤモ
ンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ2 の成分
（ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ3 のピークの面積
／ｓｐ2 のピークの面積）＝０．４０となるようにした
以外は実施例１に準じて行った。
【００２２】
【比較例２】実施例１において、カーボン膜４成膜時の
ＡｒとＨ2 との混合ガスの代わりにＡｒのみとし、ダイ
ヤモンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ2 の
成分（ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ3 のピークの
面積／ｓｐ2 のピークの面積）＝０．８０となるように
した以外は実施例１に準じて行った。
ＡｒとＨ2 との混合ガスの代わりにＡｒのみとし、ダイ
ヤモンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ2 の
成分（ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ3 のピークの
面積／ｓｐ2 のピークの面積）＝０．８０となるように
した以外は実施例１に準じて行った。
【００２３】
【比較例３】実施例１において、カーボン膜４としてグ
ラファイト膜からなるものとした以外は実施例１に準じ
て行った。
ラファイト膜からなるものとした以外は実施例１に準じ
て行った。
【００２４】
【特性】上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープにつ
いて、出力（Ｙ−Ｓ／Ｎ，Ｃ−Ｓ／Ｎ）、ジッター、及
びスチル耐久性について調べたので、その結果を表−１
に示す。 表−１ Ｙ−Ｓ／Ｎ(dB) Ｃ−Ｓ／Ｎ(dB) ジッター(ns) スチル耐久性 ＡＭ ＰＭ 実施例１ +2.4 +2.0 +1.8 52 4.5hr 実施例２ +3.1 +2.4 +2.6 48 3.8hr 実施例３ +3.0 +2.2 +2.4 46 3.6hr 実施例４ +2.8 +2.4 +2.4 44 3.0hr 実施例５ +3.1 +2.2 +2.2 48 1.8hr 比較例１ ０ ０ ０ 60 1.0hr 比較例２ -1.2 -0.8 -0.8 61 1.0hr 比較例３ +2.2 +1.8 +1.6 61 7min ＊スチル耐久性は２０℃、５０％ＲＨの雰囲気下でスチル再生を行い、 出力が３ｄＢ低下するに要した時間で表示。 この結果から、磁気テープの金属磁性膜上に設けられる
保護膜はダイヤモンドタイプあるいはグラファイトタイ
プのものよりも両者を共有するタイプのカーボン膜であ
ることが大事なことが判る。特に、ダイヤモンド構造ｓ
ｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ 2の成分が０．３以
下のものである場合に、出力、走行性、及びスチル耐久
性いずれにも優れていた。
いて、出力（Ｙ−Ｓ／Ｎ，Ｃ−Ｓ／Ｎ）、ジッター、及
びスチル耐久性について調べたので、その結果を表−１
に示す。 表−１ Ｙ−Ｓ／Ｎ(dB) Ｃ−Ｓ／Ｎ(dB) ジッター(ns) スチル耐久性 ＡＭ ＰＭ 実施例１ +2.4 +2.0 +1.8 52 4.5hr 実施例２ +3.1 +2.4 +2.6 48 3.8hr 実施例３ +3.0 +2.2 +2.4 46 3.6hr 実施例４ +2.8 +2.4 +2.4 44 3.0hr 実施例５ +3.1 +2.2 +2.2 48 1.8hr 比較例１ ０ ０ ０ 60 1.0hr 比較例２ -1.2 -0.8 -0.8 61 1.0hr 比較例３ +2.2 +1.8 +1.6 61 7min ＊スチル耐久性は２０℃、５０％ＲＨの雰囲気下でスチル再生を行い、 出力が３ｄＢ低下するに要した時間で表示。 この結果から、磁気テープの金属磁性膜上に設けられる
保護膜はダイヤモンドタイプあるいはグラファイトタイ
プのものよりも両者を共有するタイプのカーボン膜であ
ることが大事なことが判る。特に、ダイヤモンド構造ｓ
ｐ3 の成分／グラファイト構造ｓｐ 2の成分が０．３以
下のものである場合に、出力、走行性、及びスチル耐久
性いずれにも優れていた。
【００２５】
【発明の効果】出力、走行性、及びスチル耐久性いずれ
にも優れたものが得られる。
にも優れたものが得られる。
【図１】本発明になる磁気テープの概略図
【図２】本発明の磁気テープの保護膜のラマン散乱スペ
クトル
クトル
１ 支持体 ２ Ｃｏ金属磁性膜 ３ Ａｌ−Ｃｕ合金膜（バックコート層） ４ カーボン膜（保護膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 克己 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、 前記保護膜は、 ４８８ｎｍの波長のレーザを照射した際のラマン散乱ス
ペクトルに、ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分に起因する
１３００〜１４００ｎｍのピークとグラファイト構造ｓ
ｐ2 の成分に起因する１５００〜１６００ｎｍのピーク
とが認められるものであり、 前記ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分とグラファイト構造
ｓｐ2 の成分との割合が ０＜ダイヤモンド構造ｓｐ3 の成分／グラファイト構造
ｓｐ2 の成分≦０．３ を満たすことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24719495A JPH0991686A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24719495A JPH0991686A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0991686A true JPH0991686A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17159853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24719495A Pending JPH0991686A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0991686A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2000560A1 (en) | 1999-07-08 | 2008-12-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Hard coating and coated member |
| US10984830B2 (en) | 2017-02-24 | 2021-04-20 | The National University Of Singapore | Two dimensional amorphous carbon as overcoat for heat assisted magnetic recording media |
| US11114674B2 (en) | 2017-02-24 | 2021-09-07 | National University Of Singapore | Proton conductive two-dimensional amorphous carbon film for gas membrane and fuel cell applications |
-
1995
- 1995-09-26 JP JP24719495A patent/JPH0991686A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2000560A1 (en) | 1999-07-08 | 2008-12-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Hard coating and coated member |
| US10984830B2 (en) | 2017-02-24 | 2021-04-20 | The National University Of Singapore | Two dimensional amorphous carbon as overcoat for heat assisted magnetic recording media |
| US11114674B2 (en) | 2017-02-24 | 2021-09-07 | National University Of Singapore | Proton conductive two-dimensional amorphous carbon film for gas membrane and fuel cell applications |
| US11192788B2 (en) | 2017-02-24 | 2021-12-07 | National University Of Singapore | Two-dimensional amorphous carbon coating and methods of growing and differentiating stem cells |
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