JPH0982698A - 絶縁膜形成用材料及びこれを用いた絶縁膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置や回路基板の製造工程で用いられ
る酸素プラズマ処理により酸化を受けない無機絶縁膜を
形成可能で、且つ従来の有機ＳＯＧ膜と同等以上の比較
的厚膜で使用可能な絶縁膜形成用材料と、これを用いて
絶縁膜を形成する方法を提供する。 【解決手段】 本発明の絶縁膜形成用材料は、ハイドロ
ジェン基を１又は２個有するクロロシラン化合物とりん
酸との反応で末端にクロロ基を持つシラン−りん酸化合
物を生成し、末端クロロ基をアルコキシ化し、このアル
コキシ化した化合物を加水分解−縮重合させることによ
り得られたりん変性ハイドロジェンシロキサンポリマー
であり、本発明の方法は、この材料を基板へ塗布し、熱
処理してりん変性シリカ系被膜を形成するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等の製
造に用いられる絶縁膜形成用材料に関し、また、この材
料を用いて絶縁膜を形成する方法に関する。本発明の絶
縁膜形成用材料により得られる絶縁膜は、半導体装置及
び回路基板の製造工程で用いられる酸素プラズマ処理を
行った際でも酸化を受けないため、従来用いられてきた
ＣＶＤ法により形成した絶縁膜に代わるものあるいはＣ
ＶＤ膜との組み合わせて用いられる絶縁膜として使用可
能である。また、本発明の絶縁膜形成用材料は、テトラ
エトキシシラン（ＴＥＯＳ）により形成された無機ＳＯ
Ｇ材料に比べて比較的厚膜での使用が可能（０．５μｍ
以上）であり、下地段差の十分な平坦化が可能である。

【０００２】

【従来の技術】近年の半導体集積回路の集積度の向上に
伴い、素子形成の表面段差が大きくなるとともに、配線
の微細化による配線容量の低下を防ぐために配線を厚く
する必要に迫られ、配線の段差はますます大きくなる傾
向がある。このため、半導体装置等を製造する上で、優
れた平坦性が得られる絶縁膜形成用材料が必要となって
いる。

【０００３】この要求に対して、層間絶縁膜を形成する
ための平坦化可能な材料として、４官能シロキサン単位
からなる無機ＳＯＧ材料や、４官能シロキサン単位と３
官能シロキサン単位からなる有機ＳＯＧ材料が用いられ
ている。しかし、無機ＳＯＧ材料は、熱処理によりクラ
ックを生じやすいため、０．５μｍ以下の薄膜でしか使
用できない。また、有機ＳＯＧ材料は、レジスト剥離等
に用いられる酸素プラズマによるアッシング処理により
酸化されてクラックを生じるため、これを防ぐためにエ
ッチバック工程を用いたＣＶＤ膜との組み合わせでサン
ドイッチ構造として使用されている。

【０００４】上記のように、従来の無機ＳＯＧは材料
０．５μｍ以下の薄膜でしか使用できないため、下地段
差に対する十分な平坦性が得られない。一方、有機ＳＯ
Ｇ材料は０．５μｍ以上の比較的厚膜で使用した場合で
も熱処理によるクラックの発生が見られないが、半導体
装置及び回路基板製造工程で用いられる酸素プラズマに
よって酸化クラックが発生するため、スルーホール側面
にＳＯＧ膜が露出しないように工夫した使用方法（段差
のある配線パターンを覆って形成したＣＶＤ絶縁膜上に
有機ＳＯＧ膜を形成した後、全面をエッチバックするこ
とにより、配線パターン間の部分にのみＳＯＧ膜を残
し、配線パターン上には残らないようにする、すなわち
上述のサンドイッチ構造を形成する）で用いられてい
る。

【０００５】無機あるいは有機ＳＯＧ材料を使用するこ
とにつきまとうこれらの問題を解決するために、ポリシ
ラザンを熱処理し、シリコンオキシナイトライド膜とし
て使用する方法（特開昭６２−８８３２７号公報）、ま
た、ポリシラザンを水蒸気雰囲気下で熱処理してシリコ
ン酸化膜に変えて使用する方法が提案されている。とは
言うものの、シリコンオキシナイトライド膜は、再加熱
によりアミン系ガスを放出して、配線材料を腐食すると
いう問題がある。一方、ポリシラザンを水蒸気雰囲気で
熱処理する方法では、配線材料に用いられるアルミニウ
ムが水蒸気、あるいはポリシラザンから発生するアミン
系ガスにより、やはり腐食するという問題がある。その
ため、ポリシラザンを絶縁膜形成用材料として使用する
場合には、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置などの高価な装置
を使用して形成した耐水性の高い保護膜を用いなければ
ならない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、これ
らの問題を解消することにあり、半導体装置及び回路基
板の製造工程で用いられる酸素プラズマ処理により酸化
を受けることのない無機膜を形成可能で、且つ従来の有
機ＳＯＧ膜と同等以上の比較的厚膜で使用可能な絶縁膜
形成用材料を提供することにある。また、ＣＶＤ膜等と
併用した場合でも、配線導体の充分なカバレッジを得る
ために用いるスルーホールへのテーパー形成を可能にす
るため、フッ素プラズマに対してＣＶＤ膜と同等のエッ
チングレートを有するシリカ系被膜を与える絶縁膜形成
用材料を提供することも、本発明の目的である。この新
しい材料を利用して平坦な絶縁膜を形成する方法を提供
することもまた、本発明の目的である。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の絶縁膜形成用材
料は、ケイ素原子１個に対しハイドロジェン基を１又は
２個有するクロロシラン化合物とりん酸との反応によ
り、末端にクロロ基を持つシラン−りん酸化合物を生成
し、この化合物の末端クロロ基をアルコキシ化し、次い
でこのアルコキシ化した化合物を加水分解−縮重合させ
ることにより得られたりん変性ハイドロジェンシロキサ
ンポリマーである。

【０００８】また、本発明の絶縁膜形成方法は、被処理
基板上に本発明の絶縁膜形成用材料を塗布して塗膜を形
成し、続いてこの塗膜を熱処理してりん変性シリカ系被
膜を形成するものである。なお、ここで言う「基板」に
は、半導体装置や回路基板等の製造において使用され
る、表面に段差又は凹凸構造を有し、後の工程のために
その表面を平坦化することが求められるあらゆる基板が
包含されるのはもちろんであるが、このほかにも、表面
が平らな基板も含まれるものである。

【０００９】本発明の絶縁膜形成用材料においては、り
ん原子は３官能であるため、この材料から熱処理により
絶縁膜を形成した際の架橋密度低下により低ストレス化
に寄与する。また、絶縁膜形成のための熱処理時におけ
るハイドロジェン基の酸化は直接酸化であるため、すな
わちＳｉ−ＯＨ原子団どうしの反応で架橋する際にはＨ
₂ Ｏが脱離してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成するのに対
し、本発明の絶縁膜形成用材料が架橋する際にはＳｉ−
Ｈ原子団どうしの反応で直接Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成
し、Ｈ₂ Ｏが脱離しないのでその分の重量減少がないた
め、これもやはり架橋時のストレス低下に寄与する。更
に、本発明の絶縁膜形成用材料により得られた絶縁膜
は、比較的厚膜で使用可能な無機膜であるため、酸素プ
ラズマにより酸化を受けず、また、段差の凹凸を平坦化
することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明に係わる絶縁膜形成用材料
は、ケイ素原子１個に対しハイドロジェン基を１又は２
個有するクロロシラン化合物とりん酸とを反応させて末
端にクロロ基を持つシラン−りん酸化合物を生成した
後、末端クロロ基をアルコキシ化し、そしてこのアルコ
キシ化した化合物を加水分解−縮重合させることにより
生成されたりん変性ハイドロジェンシロキサンポリマー
である。

【００１１】クロロシラン化合物としては、ケイ素原子
１個に対しハイドロジェン基を１個有するトリクロロシ
ラン、ケイ素原子１個に対しハイドロジェン基を２個有
するジクロロシランを使用することができる。この反応
は、一般に３０〜８０℃の温度で行うことができる。ま
た、この反応により得られる生成物は、例えば下記の式
で例示されるような、末端にクロロ基を持つシラン−り
ん酸化合物である。

【００１２】

【化１】

【００１３】次に、こうして生成した化合物の末端クロ
ロ基を、適当なアルコールを使用してアルコキシ化す
る。使用可能なアルコールとしては、メタノール、エタ
ノール、プロパノール、ブタノールなどを挙げることが
できる。このときの反応は、３０〜１００℃で行うのが
好ましい。例えば、上記の式で表されるシラン−りん酸
化合物をアルコキシ化したものは、次式で表される。

【００１４】

【化２】

【００１５】このアルキキシ化の際には、触媒を使用し
ても差し支えない。適当な触媒としては、例えば、ピリ
ジン、トリエチルアミンなどが挙げられる。

【００１６】アルコキシ化した化合物の加水分解−縮重
合は、好ましくは、反応触媒として硝酸、塩酸、硫酸、
トルエンスルホン酸などの酸触媒を使用して、３０〜８
０℃の温度で行う。この反応により生成されるポリマー
は、一般式で表すのが難しいが、例えば下記の式（１）
で示されるようなシロキサン単位と、式（２）で示され
るようなりん酸由来の単位とを含み、末端にアルコキシ
基を有する。

【００１７】

【化３】

【００１８】このように、本発明の絶縁膜形成用材料の
ポリマーは、アルコキシ化したシラン−りん酸化合物に
おいてクロロ基が結合していた部分で架橋した構造を持
つものであり、且つ、ケイ素に結合したハイドロジェン
基（Ｈ）を有するとともに、Ｓｉ−Ｏ−Ｐ結合で結合し
たりんを含むものである。このりん変性ハイドロジェン
シロキサンポリマーの分子量は、２，０００〜１００，
０００であるのが好ましい。分子量が２，０００未満で
は、本発明の絶縁膜形成用材料を被処理基板に塗布して
加熱する際に蒸発してしまい、形成した絶縁膜の収縮を
引き起こす可能性がある。また、分子量が１００，００
０を超えると、基板への塗布時の粘度が高くなり、平坦
化した絶縁膜を形成するのが困難になる。

【００１９】本発明の絶縁膜形成用材料を得るのには、
反応溶媒を使用してもよい。反応溶媒としては、ポリマ
ーに対する溶解性が高ければ特に限定されず、例えば、
アセトン、メトルイソブチルケトン，メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、プロピレングリコールメチルエ
ーテルなどが挙げられる。反応溶媒を使用して得られた
本発明の絶縁膜形成用材料は、その溶媒溶液の形態で使
用することができる。

【００２０】ケイ素に結合したハイドロジェン基（Ｈ）
を有する本発明のポリマーは、保存中における反応性が
低く、ゲル化することがないため、保存安定性に非常に
優れた材料であるといる。例えば、４官能モノマーだけ
を使って得られたポリマーでは、保存中にゲル化するこ
とがあるが、本発明においてはそのような問題が回避さ
れる。

【００２１】本発明においては、被処理基板上に本発明
の絶縁膜形成用材料を塗布して塗膜を形成し、続いてこ
の塗膜を熱処理してりん変性シリカ系被膜を形成するこ
とができる。

【００２２】基板へ塗布するのには、絶縁膜形成用材料
の適当な濃度の溶液を使用することができ、またスピン
コート法のような適当な方法を使用することができる。
本発明によれば、ゾル−ゲル法の手法を利用して、絶縁
膜形成用材料の溶液を基板へ塗布後に、溶媒を除去し
て、容易に塗膜を形成することが可能である。形成した
塗膜は、次の（１）と（２）のいずれかのやり方で熱処
理することができる。（１）酸素を２０％以上含む雰囲
気下で３００℃以上の温度に加熱する。（２）水蒸気雰
囲気下で２５０℃以上の温度に加熱する。

【００２３】上述ように、本発明による絶縁膜形成用材
料は、３官能のりんで変性したハイドロジェンシロキサ
ンポリマーであって、その分子末端にアルコキシ基を持
っている。すなわち、このポリマーは、Ｓｉ−ＯＨ結合
を有する通常のシロキサン材料と違って、分子中にＳｉ
−Ｈ結合を持つ。そのため、基板上に塗布した、Ｓｉ−
ＯＨ結合を有するシロキサン材料が架橋時にＨ₂ Ｏを脱
離して収縮を被るのに対して、本発明のＳｉ−Ｈ結合を
持つシロキサン材料は酸素雰囲気下での架橋時に直接の
酸化によりＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成するため、重量減
少を生じず、従って収縮を被らず、形成した絶縁膜の低
ストレス化を実現でき、すなわち膜にクラックが発生す
るのを抑制することができる。

【００２４】また、本発明のポリマーのアルコキシ化さ
れた末端は、架橋時に架橋結合を形成しないため、形成
した絶縁膜における架橋密度の低下に寄与し、これによ
りやはり絶縁膜の低ストレス化をもたらす。更に、本発
明のポリマー中には３官能のりんが含まれるため、形成
した絶縁膜において架橋密度を低下させることができ、
これによっても、形成した絶縁膜の低ストレス化を図る
ことができる。

【００２５】このように、本発明により形成した絶縁膜
は、りん変性されたシリカ系の無機膜であるが、従来の
４官能シロキサン単位からなる無機ＳＯＧ膜とは違って
架橋密度が抑制されて低ストレス化（耐クラック性の向
上）が図られているため、下地段差を平坦化する目的に
とって有効な０．５μｍ以上の比較的厚膜で使用可能で
ある。

【００２６】また、本発明により形成された無機絶縁膜
は、従来の４官能シロキサン単位と３官能シロキサン単
位からなる有機ＳＯＧ材料から形成した膜と違ってレジ
スト剥離等で用いられる酸素プラズマによる酸化を受け
ないため、エッチバック等の複雑なプロセスを用いるこ
となく使用することが可能である。

【００２７】更に、本発明による絶縁膜は、従来から用
いられているＣＶＤ−ＳｉＯ₂ 膜、ＣＶＤ−ＰＳＧ膜と
組み合わせて絶縁膜を形成した場合においても、エッチ
ングレートがこれらの膜と同等であり、上下層の導通を
図るためのスルーホール形成においてテーパー形状を形
成可能なため、スルーホール部の配線材料の優れたカバ
レッジが得られる。

【００２８】このように、本発明による絶縁膜形成用材
料を用いることにより、下地段差の平坦化が可能な絶縁
膜が得られ、信頼性の高い半導体装置及び回路基板を得
ることができる。従って、本発明は、上述の本発明の方
法で形成した絶縁膜を含むことを特徴とする半導体装置
及び回路基板を提供する。

【００２９】クロロシランから作られたポリマーを絶縁
膜として使用することは、例えば特開昭６２−２９０１
５１号公報に記載されている。ところが、この場合に
は、クロロシランの反応により作られたポリマーの末端
にはクロロ基がそのまま残留していて、このポリマーを
半導体装置等の絶縁膜の形成に使用すると、塩素による
配線材料の腐食が発生しかねない。それに対して、本発
明のポリマーの場合には、クロロシランとりん酸との反
応後に反応生成物のクロロ基をアルコキシ基で置換して
いるため、このような問題に悩まされることがなくな
る。

【００３０】３官能の無機物としてのりん酸を使って、
シロキサンポリマー分子中に３官能のりんを取り入れる
ことで、架橋密度を低下させた絶縁膜を形成し、その膜
の低ストレス化を図る（クラックの発生を抑制する）こ
とは、例えば特開平１−２０４４３１号公報、特開平２
−３５７２９号公報に記載されている。しかし、前者に
記載のポリマーは、りん変性された上に、シロキサン主
鎖中にホウ素と炭素をも含む、ポリ（オルガノカルボシ
ロキサン）である点で、明らかに本発明のポリマーとは
異なるものである。また、後者に記載のりん変性したシ
ロキサンポリマーは、ケイ素に有機基が結合しているオ
ルガノシロキサンであって、これはシロキサンのケイ素
に水素が結合している本発明のりん変性ハイドロジェン
シロキサンと明らかに異なるものである。

【００３１】

【実施例】次に、以下の実施例により本発明を更に説明
する。言うまでもなく、本発明はこれらの例によりいさ
さかでも限定されるものではない。

【００３２】〔実施例１〕トリクロロシラン２６ｇ
（０．２モル）とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）
１００ｇを３００ｍｌのフラスコに仕込み、窒素をバブ
リングしながらピリジン４７．４ｇ（０．６モル）を滴
下した。常温において３０分放置後、りん酸６．９ｇ
（０．０７モル）を１時間で滴下してから、フラスコ内
容物を３時間攪拌した。続いて、メタノール１２．４ｇ
（０．４モル）を１時間で滴下してから、７０℃におい
て２時間攪拌した。この反応により副生成として生成し
たピリジン塩酸塩をろ過し、末端にメトキシ基を持つシ
ロキサン−りん酸化合物（以下「末端メトキシシロキサ
ンりん酸化合物」とする）（ＭＩＢＫ中２０％含有）を
得た。

【００３３】次に、得られた末端メトキシシロキサンり
ん酸化合物１２５ｇ（ＭＩＢＫ中２３％含有）を３００
ｍｌのフラスコに仕込み、２００ｐｐｍの硝酸を含有し
ている水７．６ｇ（Ｈ₂ Ｏとして０．４２モル）を２０
℃において滴下した。この反応液を２０℃に保持したま
ま４時間反応させて、本発明のりん変性ハイドロジェン
シロキサンポリマーを合成した。このりん変性ハイドロ
ジェンシロキサンポリマーの分子量をゲル浸透クロマト
グラフィー（ＧＰＣ）により測定したところ、重量平均
分子量（Ｍｗ）＝８６００（ポリスチレン換算）であっ
た。

【００３４】〔実施例２〕トリクロロシラン２６ｇ
（０．２モル）とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）
１００ｇを３００ｍｌのフラスコに仕込み、窒素をバブ
リングしながらピリジン４７．４ｇ（０．６モル）を滴
下した。常温において３０分放置後、りん酸６．９ｇ
（０．０７モル）を１時間で滴下した後、３時間攪拌し
た。続いて、エタノール１８．４ｇ（０．４mol ）を１
時間で滴下してから、７０℃において２時間攪拌した。
この反応により副生成として生成したピリジン塩酸塩を
ろ過し、末端メトキシシロキサンりん酸化合物（ＭＩＢ
Ｋ中２３％含有）を得た。

【００３５】次に、得られた末端メトキシシランりん酸
化合物１３０ｇ（ＭＩＢＫ中２３％含有）を３００ｍｌ
のフラスコに仕込み、２００ｐｐｍの硝酸を含有してい
る水７．６ｇ（Ｈ₂ Ｏとして０．４２モル）を２０℃に
おいて滴下した。この反応液を２０℃に保持したまま４
時間反応させて、りん変性ハイドロジェンシロキサンポ
リマーを合成した。このポリマーの分子量をＧＰＣで測
定したところ、Ｍｗ＝５４００（ポリスチレン換算）で
あった。

【００３６】〔実施例３〕直径４インチ（約１０ｃ
ｍ）、厚さ５４０μｍのシリコン平板上に、実施例１に
より得られたりん変性ハイドロジェンシロキサンポリマ
ー溶液を塗布し、２５０℃で３分の熱処理を行って溶剤
を蒸発させ、いろいろな厚さの塗布膜を形成した。次
に、これらの塗布膜を酸素雰囲気下において４５０℃、
３０分の条件で熱処理した。熱処理後の各膜について耐
クラック性を評価したところ、厚さ１．６μｍの膜まで
クラックは発生しなかった。

【００３７】次に、アルミニウム配線（配線厚１μｍ、
１μｍラインアンドスペース）を施したシリコン基板上
に、実施例１により得られたりん変性ハイドロジェンシ
ロキサンポリマー溶液をスピンコート法により３０００
ｒｐｍ、３０秒の条件（シリコン平板上で０．５μｍ厚
に塗布可能な条件）で塗布し、２５０℃で３分の熱処理
を行った。続いて、こうして形成した塗布膜を酸素雰囲
気下において４５０℃、３０分の条件で熱処理した。こ
れによって、配線上とスペース部の段差は０．１μｍ以
下まで平坦化された。

【００３８】〔実施例４〕直径４インチ、厚さ５４０μ
ｍのシリコン平板上に実施例２で得られたりん変性ハイ
ドロジェンシロキサンポリマー溶液を塗布し、２５０℃
で３分の熱処理を行っていろいろな厚さの塗布膜を形成
した。次に、これらの膜を酸素雰囲気下において４５０
℃、３０分の条件で熱処理した。熱処理した各膜につい
て耐クラック性を評価したところ、厚さ１．４μｍの膜
までクラックは発生しなかった。

【００３９】次に、Ａｌ配線（配線厚１μｍ、１μｍラ
インアンドスペース）を施したシリコン基板上に、実施
例２により得られたりん変性ハイドロジェンシロキサン
ポリマーをスピンコート法により３０００ｒｐｍ、３０
秒の条件（シリコン平板上で０．５μｍ厚に塗布可能な
条件）で塗布し、２５０℃で３分の熱処理を行った。続
いて、このように形成した膜を酸素雰囲気下において４
５０℃、３０分の条件で熱処理した。この時の配線上と
スペース部の段差は０．１μｍ以下まで平坦化された。

【００４０】〔比較例〕直径４インチ、厚さ５４０μｍ
のシリコン平板上に、テトラエトキシシランから合成し
た市販のシリカ系被膜形成用材料を使ってシリカ系絶縁
膜を形成したときの耐クラック性を評価したところ、熱
処理によるクラックを生じずに形成することができた最
高の膜厚は０．４μｍであった。

【００４１】次に、Ａｌ配線（配線厚１μｍ，１μｍラ
インアンドスペース）を施したシリコン基板上に、上記
の市販シリカ系被膜形成用材料をスピンコート法により
３０００ｒｐｍ、３０秒の条件（シリコン平板上で０．
５μｍ厚に塗布可能な条件）で塗布し、２５０℃で３分
の熱処理を行った。続いて、酸素雰囲気下において４５
０℃、３０分の条件で熱処理した。こうして形成した膜
には、配線よりクラックが生じた。また、配線上とスペ
ース部の段差は０．７μｍであって、十分に平坦化され
ていなかった。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の絶縁膜形
成用材料は、熱処理によりクラックを生じにくい無機絶
縁膜を与える材料であることから、下地段差の平坦化に
対して有効な０．５μｍ以上の厚膜を容易に形成可能で
ある。また、本発明の絶縁膜形成用材料は、ＣＶＤ−Ｓ
ｉＯ₂ 膜等と併用した場合でも、配線導体の充分なカバ
レッジを得るために用いるスルーホールへのテーパー形
成を可能にするため用いられるフッ素プラズマに対して
ＣＶＤ膜等と同等のエッチングレートを有するシリカ系
被膜を与える。これらのことから、本発明によれば、信
頼性の高い半導体装置及び回路基板を提供することがで
きる。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ケイ素原子１個に対しハイドロジェン基
   を１又は２個有するクロロシラン化合物とりん酸との反
   応により、末端にクロロ基を持つシラン−りん酸化合物
   を生成し、この化合物の末端クロロ基をアルコキシ化
   し、次いでこのアルコキシ化した化合物を加水分解−縮
   重合させることにより得られたりん変性ハイドロジェン
   シロキサンポリマーであることを特徴とする絶縁膜形成
   用材料。
2. 【請求項２】 被処理基板上に請求項１記載の絶縁膜形
   成用材料を塗布して塗膜を形成し、続いてこの塗膜を熱
   処理してりん変性シリカ系被膜を形成することを特徴と
   する絶縁膜形成方法。
3. 【請求項３】 前記絶縁膜形成用材料を溶媒溶液として
   スピンコート法により被処理基板上へ塗布する、請求項
   ２記載の方法。
4. 【請求項４】 前記熱処理を、酸素を２０％以上含む雰
   囲気下で３００℃以上の温度に加熱することにより行
   う、請求項２又は３記載の方法。
5. 【請求項５】 前記熱処理を、水蒸気雰囲気下で２５０
   ℃以上の温度に加熱することにより行う、請求項２又は
   ３記載の方法。
6. 【請求項６】 請求項２から５までのいずれか一つに記
   載の方法で形成した絶縁膜を含むことを特徴とする半導
   体装置。
7. 【請求項７】 請求項２から５までのいずれか一つに記
   載の方法で形成した絶縁膜を含むことを特徴とする回路
   基板。