JPH0972804A - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ

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JPH0972804A
JPH0972804A JP7226372A JP22637295A JPH0972804A JP H0972804 A JPH0972804 A JP H0972804A JP 7226372 A JP7226372 A JP 7226372A JP 22637295 A JP22637295 A JP 22637295A JP H0972804 A JPH0972804 A JP H0972804A
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diaphragm
sensor chip
corner
semiconductor pressure
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JP7226372A
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Motomi Ichihashi
素海 市橋
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 圧力を検出するダイヤフラムを中央に設けた
圧力センサチップと、該ダイヤフラムへ圧力を導く導圧
口を設けたダイ部とからなる半導体圧力センサにおい
て、上記圧力センサチップと上記ダイ部を接着する接着
樹脂のダイヤフラム部への這いあがりのため、半導体圧
力センサの特性が低下する問題があった。 【解決手段】 本発明の半導体圧力センサにおいて、圧
力センサチップとダイ部を接着する接着樹脂のダイヤフ
ラムへの這いあがりを防止するために防止溝を上記圧力
センサチップ上の上記ダイヤフラム周辺部に設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力検出素子を樹
脂にて接着固定する半導体圧力センサに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来技術の半導体圧力センサを示
す。図９は、圧力を電気的信号に変換する圧力センサチ
ップ９１の裏面図を示し、圧力センサチップ９１の中央
部には圧力による応力を大きくして検出するためのダイ
ヤフラム９２という薄肉部を設けている。ダイヤフラム
９２の表面側には４本の抵抗（図示せず）によりブリッ
ジ回路が構成されており、ダイヤフラム９２に発生する
応力を前記ブリッジ回路にて電気的信号に変換してい
る。図１０は、図９のＢ−Ｂ’での断面図を示す。圧力
センサチップ９１が圧力を受けるために導圧口９３を持
つダイ部９４に接着樹脂９５にて接着される。
【０００３】この時、接着樹脂９５は、熱硬化させる時
一度粘度が低下し、ダイヤフラムコーナー部９６より、
ダイヤフラム９２のエッジ部に接着樹脂が這いあがり、
その後硬化する。これらの接着樹脂の這いあがりは、特
に急峻な角度を有するコーナー部において顕著に見られ
るため、毛管現象によると考えられる。この這いあがり
樹脂９７により、ダイヤフラム９２の電気的特性のばら
つきが発生し、圧力センサの精度、信頼性を低下させる
問題点があった。
【０００４】このような問題点に対し、昭５９−１３４
０３４や特開平７−２７６３９等の技術が開示されてい
る。これらの技術においては、ダイ部側のダイヤフラム
開口部に対応する位置に、凹部や凸部をもうけることに
より接着樹脂のダイヤフラム側への這いあがりを防止し
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ダイ部側に接
着樹脂防止のための凹部を設けたこれらの技術に対して
は、下記の問題点が考えられる。 （１）ダイ部側に這いあがり防止のための凹部を設ける
工程が必要である （２）ダイヤフラムの開口部とダイ部側の這いあがり防
止のための凹部の位置を対応させる必要があるため製作
工程において位置精度が要求される。 （３）接着樹脂の這いあがりは毛管現象によると考えら
れるので、ダイ部側に這いあがり防止のための凹部を設
けても、這いあがりが必ずしも防止できるとは限らな
い。
【０００６】そこで、本発明の目的は、ダイヤフラム部
への接着樹脂の這いあがりを確実に防止することがで
き、しかも製作が容易な半導体圧力センサを提供するこ
とである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体圧力
センサは、圧力を検出するダイヤフラムを中央の薄肉部
に設けた圧力センサチップと該ダイヤフラムへ圧力を導
く導圧口を設けたダイ部とを熱硬化性接着樹脂により接
着してなり、上記圧力センサチップの接着面側のダイヤ
フラム開口部周囲の少なくとも各コーナー部において、
開口縁より所定の距離をおいて、接着樹脂のダイヤフラ
ムへの這いあがりを防止する防止溝を設ける。
【０００８】好ましくは、上記の半導体圧力センサにお
いて、上記這いあがり防止溝は、上記圧力センサチップ
内の４角それぞれにおいて、ダイヤフラムの外側に、圧
力センサチップの外縁から延びる２本の溝によりＬ字を
なすよう形成される。
【０００９】好ましくは、上記の半導体圧力センサにお
いて、上記這いあがり防止溝は、ダイヤフラムの外側を
取り囲むように、ダイヤフラムの各辺に対し平行に上記
圧力センサチップの各外縁から対向する外縁まで延びる
４本の溝からなる。
【００１０】好ましくは、上記の半導体圧力センサにお
いて、上記這いあがり防止溝は、圧力センサチップの４
角それぞれにおいて、隣接する外縁から延びた溝が直交
し、上記ダイヤフラムの外側に十字をなすよう形成され
る。
【００１１】好ましくは、上記の半導体圧力センサにお
いて、上記這いあがり防止溝は、圧力センサチップの４
角それぞれにおいて、上記ダイヤフラムの各コーナーに
接し、ダイヤフラムの外側に方形をなすよう形成され
る。
【００１２】好ましくは、上記の半導体圧力センサにお
いて、上記這いあがり防止溝は、ダイヤフラムの外側を
取り囲むように、ダイヤフラムの各辺に対し平行に、セ
ンサチップエッジからある距離手前まで延びた直交する
４本の溝からなる。
【００１３】好ましくは、上記の半導体圧力センサにお
いて、上記這いあがり防止溝は、圧力センサチップの４
角それぞれにおいて、上記ダイヤフラムの各コーナーか
らある距離だけ隔離して、かつ防止溝の先端がセンサチ
ップエッジまで達しないように、上記ダイヤフラムの外
側に十字をなすよう形成されることを特徴とする
【００１４】好ましくは、上記の半導体圧力センサにお
いて、上記這いあがり防止溝は、圧力センサチップの４
角それぞれにおいて、上記ダイヤフラムの各コーナーか
らある距離だけ隔離して、ダイヤフラムの外側に方形を
なすよう形成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の半導
体圧力センサの実施の形態について、詳細な説明を行
う。
【００１６】実施の形態１．図１は本発明の実施の形態
１の裏面図を表す。図２は図１の半導体圧力センサのＡ
−Ａ’線での断面図を示す。図１および図２において、
本発明の半導体圧力センサは、導圧口３を持つダイ部４
と、圧力を検出するためのダイヤフラム２を中央部に備
え、接着樹脂５の這いあがりを防止する防止溝８を各コ
ーナーにＬ字型に設けた圧力センサチップ１とからな
る。上記圧力センサチップ１と上記ダイ部４は、図１お
よび図２の斜線領域に塗布された接着樹脂５により接着
される。
【００１７】圧力センサチップ１とダイ部４の接着時に
おいて、接着樹脂５は、ダイヤフラムコーナー６へ到達
する前に圧力センサチップに設けられた防止溝８により
捉えられ、ダイヤフラムコーナー６への進入を阻止され
る。
【００１８】接着樹脂の這いあがり防止溝８は、異方性
エッチング技術により、ダイヤフラム２と同時に形成さ
れるため、工程数を増すことなく対応できる。
【００１９】実施の形態２．図３は本発明の半導体圧力
センサの実施の形態２を示す。図３において、這いあが
り防止溝３８は、ダイヤフラム３２の外側を取り囲むよ
うに、ダイヤフラム３２の各辺に対し、所定の距離をお
いて平行に上記圧力センサチップ３１の各外縁から対向
する外縁まで延びる４本の溝で形成される。
【００２０】実施の形態３．図４は本発明の半導体圧力
センサの実施の形態３を示す。図４において、這いあが
り防止溝４８は、圧力センサチップ４１の４角におい
て、センサチップ４１の隣接する外縁から延びた溝が直
交し、上記ダイヤフラム４２の外側に十字をなすよう形
成される。
【００２１】実施の形態４．図５は本発明の半導体圧力
センサの実施の形態４を示す。図５において、這いあが
り防止溝５８は、ダイヤフラム５２のコーナーに接して
方形に形成される。これにより、這いあがり樹脂を溜め
る容量を大きくしているため、効果的に接着樹脂の這い
あがりを防止できる。
【００２２】実施の形態５．図６は本発明の半導体圧力
センサの実施の形態５を示す。図６において、這いあが
り防止溝６８は、ダイヤフラム６２の外側を取り囲むよ
うに、ダイヤフラム３２の各辺に対し、所定の距離をお
いて平行に、圧力センサチップ３１のエッジの手前まで
延びて直交する４本の溝で形成される。これにより、実
施の形態２と比較して、ダイヤフラム内部とセンサチッ
プ外部とがより確実に隔離され、ダイヤフラム領域内の
機密性をより高く保てる。
【００２３】実施の形態６．図７は本発明の半導体圧力
センサの実施の形態６を示す。図７において、這いあが
り防止溝７８は、圧力センサチップ７１の４角におい
て、ダイヤフラム７２のコーナーからある距離だけ隔離
して、かつ防止溝の先端がセンサチップエッジまで達し
ないように、上記ダイヤフラム４２の外側に十字をなす
よう形成される。これにより、実施の形態３と比較し
て、ダイヤフラム内部とセンサチップ外部とがより確実
に隔離され、ダイヤフラム領域内の機密性をより高く保
てる。
【００２４】実施の形態７．図８は本発明の半導体圧力
センサの実施の形態７を示す。図８において、這いあが
り防止溝８８は、ダイヤフラム８２のコーナーからある
距離だけ隔離して方形に形成される。これにより、上記
実施の形態４と比較して、より確実に防止溝からダイヤ
フラムへの樹脂の流出を防止できる。
【００２５】
【発明の効果】
（１）本発明の半導体圧力センサにおいて、圧力センサ
チップのダイヤフラム周辺に、接着樹脂の這いあがり防
止溝を設けることにより、接着樹脂のダイヤフラムへの
這いあがりを阻止し、圧力センサの精度、信頼性の低下
を防止できる。
【００２６】（２）本発明の半導体圧力センサの這いあ
がり防止溝の形成において、異方性エッチングによりダ
イヤフラムと同時に形成することが可能であり、工程数
を増やす必要がない。
【００２７】（３）本発明の半導体圧力センサの這いあ
がり防止溝の形成において、圧力センサチップ側のみの
加工で済み、製作工程時にダイ部との位置対応を考慮す
る必要がない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明における、半導体圧力センサの圧力セ
ンサチップの実施の形態１の裏面図。
【図２】 図１の半導体圧力センサのＡ−Ａ’線におけ
る断面図。
【図３】 本発明における、半導体圧力センサの圧力セ
ンサチップの実施の形態２の１つのコーナーにおける這
いあがり防止溝を表す裏面図。
【図４】 本発明における、半導体圧力センサの圧力セ
ンサチップの実施の形態３の１つのコーナーにおける這
いあがり防止溝を表す裏面図。
【図５】 本発明における、半導体圧力センサの圧力セ
ンサチップの実施の形態４の１つのコーナーにおける這
いあがり防止溝を表す裏面図。
【図６】 本発明における、半導体圧力センサの圧力セ
ンサチップの実施の形態５の１つのコーナーにおける這
いあがり防止溝を表す裏面図。
【図７】 本発明における、半導体圧力センサの圧力セ
ンサチップの実施の形態６の１つのコーナーにおける這
いあがり防止溝を表す裏面図。
【図８】 本発明における、半導体圧力センサの圧力セ
ンサチップの実施の形態７の１つのコーナーにおける這
いあがり防止溝を表す裏面図。
【図９】 従来技術の半導体圧力センサの圧力センサチ
ップの裏面図。
【図１０】 図９の半導体圧力センサのＢ−Ｂ’線にお
ける断面図。
【符号の説明】
１，３１，４１，５１，６１，７１，８１ 本発明の圧
力センサチップ、２，３２，４２，５２，６２，７２，
８２，９２ ダイヤフラム、３，９３ 導圧口、４，９
４ ダイ部、５，９５ 接着樹脂、６、９６ ダイヤフ
ラムコーナー、８，３８，４８，５８，６８，７８，８
８ 這いあがり防止溝、９１ 従来技術の圧力センサチ
ップ、９７ 這いあがり接着樹脂。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 圧力を検出するダイヤフラムを中央の薄
    肉部に設けた圧力センサチップと該ダイヤフラムへ圧力
    を導く導圧口を設けたダイ部とを熱硬化性接着樹脂によ
    り接着してなる半導体圧力センサにおいて、 上記圧力センサチップの接着面側のダイヤフラム開口部
    周囲の少なくとも各コーナー部において、開口縁より所
    定の距離をおいて、接着樹脂のダイヤフラムへの這いあ
    がりを防止する防止溝を設けたことを特徴とする半導体
    圧力センサ。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体圧力センサにお
    いて、上記這いあがり防止溝は、上記圧力センサチップ
    内の４角それぞれにおいて、ダイヤフラムの外側に、圧
    力センサチップの外縁から延びる２本の溝によりＬ字を
    なすよう形成されることを特徴とする半導体圧力セン
    サ。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の半導体圧力センサにお
    いて、上記這いあがり防止溝は、ダイヤフラムの外側を
    取り囲むように、ダイヤフラムの各辺に対し平行に上記
    圧力センサチップの各外縁から対向する外縁まで延びる
    ４本の溝からなることを特徴とする半導体圧力センサ。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の半導体圧力センサにお
    いて、上記這いあがり防止溝は、圧力センサチップの４
    角それぞれにおいて、隣接する外縁から延びた溝が直交
    し、上記ダイヤフラムの外側に十字をなすよう形成され
    ることを特徴とする半導体圧力センサ。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載の半導体圧力センサにお
    いて、上記這いあがり防止溝は、圧力センサチップの４
    角それぞれにおいて、上記ダイヤフラムの各コーナーに
    接し、ダイヤフラムの外側に方形をなすよう形成される
    ことを特徴とする半導体圧力センサ。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載の半導体圧力センサにお
    いて、上記這いあがり防止溝は、ダイヤフラムの外側を
    取り囲むように、ダイヤフラムの各辺に対し平行に、セ
    ンサチップエッジからある距離手前まで延びた直交する
    ４本の溝からなることを特徴とする半導体圧力センサ。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載の半導体圧力センサにお
    いて、上記這いあがり防止溝は、圧力センサチップの４
    角それぞれにおいて、上記ダイヤフラムの各コーナーか
    らある距離だけ隔離して、かつ防止溝の先端がセンサチ
    ップエッジまで達しないように、上記ダイヤフラムの外
    側に十字をなすよう形成されることを特徴とする半導体
    圧力センサ。
  8. 【請求項８】 請求項１に記載の半導体圧力センサにお
    いて、上記這いあがり防止溝は、圧力センサチップの４
    角それぞれにおいて、上記ダイヤフラムの各コーナーか
    らある距離だけ隔離して、ダイヤフラムの外側に方形を
    なすよう形成されることを特徴とする半導体圧力セン
    サ。
JP7226372A 1995-09-04 1995-09-04 半導体圧力センサ Pending JPH0972804A (ja)

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JP7226372A JPH0972804A (ja) 1995-09-04 1995-09-04 半導体圧力センサ
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