JPH0969704A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
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- JPH0969704A JPH0969704A JP7225082A JP22508295A JPH0969704A JP H0969704 A JPH0969704 A JP H0969704A JP 7225082 A JP7225082 A JP 7225082A JP 22508295 A JP22508295 A JP 22508295A JP H0969704 A JPH0969704 A JP H0969704A
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Abstract
やケーブルを用いることなく減衰極を設けるようにし、
通過帯域の低域側または高域側の所定の位置に独立して
減衰極を設けられるようにする。 【解決手段】 2つの誘電体柱1,2により2段の共振
器を構成するとともに、誘電体柱1と磁界結合する第1
結合部51および誘電体柱2と磁界結合する第2結合部
52とからなる外部結合素子5を設けて、初段と次段の
共振器に共に結合させることによって、通過帯域の低域
側または高域側に減衰極を生じさせる。
Description
誘電体共振器を用いた誘電体フィルタに関する。
形状からなる複合誘電体柱を配して構成したTM多重モ
ード誘電体共振器は、従来より帯域通過フィルタなどと
して用いられている。このようなTM多重モード誘電体
共振器は、小型でありながら多段の共振器からなる誘電
体フィルタが得られる、という利点がある。また、一般
に誘電体フィルタでは通過帯域の低域側または高域側に
おける不要信号を減衰させるために、通過帯域の低域側
または高域側に減衰極を設けるいわゆる有極化技術が用
いられている。TM多重モード誘電体共振器を用いた誘
電体フィルタに有極化技術を適用したものとして、特願
平06−160271号を本願出願人は出願している。
図21は同出願に係る発明の構成例を示す図である。図
21において10a,10bはそれぞれTM2重モード
誘電体共振器であり、誘電体柱1a,1bにそれぞれ磁
界結合する結合ループ11a,11bおよび、同じく誘
電体柱1a,1bにそれぞれ磁界結合する結合ループ1
2a,12bを設けている。この2つの誘電体共振器の
間には誘電体柱2a,2bを磁界結合させるとともに、
誘電体柱1a,1bの結合を阻止するための仕切り板1
4を配置している。また、結合ループ12a,12b同
士をケーブル13で接続している。図22は図21に示
した誘電体フィルタの等価回路図である。このように初
段の共振器と終段の共振器とを結合させた4段の共振器
からなる帯域通過フィルタを構成している。図23はそ
の特性図である。上述した初段と終段の結合のない場合
にはBに示すような通常の帯域通過特性を示すが、初段
と終段とを結合させることにより、Aで示すように通過
帯域の低域側と高域側にそれぞれ減衰極が生じる。
初段と終段とを結合させるために、2つの結合ループを
設け、且つ両者間をケーブルで接続する従来の誘電体フ
ィルタにおいては、有極化のために部品点数が増大する
とともに全体に大型化し、コストアップの要因となり、
その組立および調整も煩雑となる問題があった。また、
減衰極の位置を調整しようとしても、通過帯域の低域側
と高域側に生じる減衰極の双方が共に移動し、低域側ま
たは高域側の減衰極のみを独立して調整する、といった
ことはできなかった。
めの特別な結合ループやケーブルを用いることなく所定
の減衰極を設けるようにした誘電体フィルタを提供する
ことにある。
低域側または高域側の所定の位置に独立して減衰極を設
けられるようにした誘電体フィルタを提供することにあ
る。
タは、通過帯域の低域側または高域側に減衰極を生じさ
せるために、請求項1に記載のとおり、TM多重モード
誘電体共振器の初段と次段の共振器に共に電磁気的に結
合する外部結合素子を設ける。また、請求項2に記載の
とおり、終段とその前段の共振器に共に電磁気的に結合
する外部結合素子を設ける。このように構成することに
よって、通過帯域の低域側または高域側に減衰極が生じ
る。例えば初段と次段との結合と、外部結合素子と初段
との結合が同位相で、外部結合素子と次段との結合が同
位相のとき通過帯域の高域側に減衰極が生じ、同じ関係
で外部結合素子と次段との結合が逆位相であるとき、通
過帯域の低域側に減衰極が生じる。同様に、終段とその
前段との結合と、外部結合素子と終段との結合が同位相
で、外部結合素子と終段の前段との結合が同位相のとき
通過帯域の高域側に減衰極が生じ、同じ関係で外部結合
素子と終段の前段との結合が逆位相であるとき、通過帯
域の低域側に減衰極が生じる。
帯域の低域側と高域側の双方にそれぞれ減衰極を生じさ
せるか、低域側または高域側に2つの減衰極を生じさせ
るために、請求項3に記載のとおり、初段と次段の共振
器に共に電磁気的に結合する第1の外部結合素子と、終
段とその前段の共振器に共に電磁気的に結合する第2の
外部結合素子とを設ける。例えば初段と次段との結合
と、第1の外部結合素子と初段との結合が同位相で、第
1の外部結合素子と次段との結合が同位相であって、且
つ終段とその前段との結合と、第2の外部結合素子と終
段との結合が同位相で、第2の外部結合素子と終段の前
段との結合が逆位相のとき、通過帯域の高域側と低域側
にそれぞれ減衰極が生じる。また、例えば初段と次段と
の結合と、第1の外部結合素子と初段との結合が同位相
で、第1の外部結合素子と次段との結合が同位相であっ
て、且つ終段とその前段との結合と、第2の外部結合素
子と終段との結合が同位相で、第2の外部結合素子と終
段の前段との結合が同位相のとき、通過帯域の高域側に
2つの減衰極が生じる。また、例えば初段と次段との結
合と、第1の外部結合素子と初段との結合が同位相で、
第1の外部結合素子と次段との結合が逆位相であって、
且つ終段とその前段との結合と、第2の外部結合素子と
終段との結合が同位相で、第2の外部結合素子と終段の
前段との結合が同位相のとき、通過帯域の高域側と低域
側にそれぞれ減衰極が生じる。また、例えば初段と次段
との結合と、第1の外部結合素子と初段との結合が同位
相で、第1の外部結合素子と次段との結合が逆位相であ
って、且つ終段とその前段との結合と、第2の外部結合
素子と終段との結合が同位相で、第2の外部結合素子と
終段の前段との結合が逆位相のとき、通過帯域の低域側
に2つの減衰極が生じる。
の外部結合素子を用いて減衰極を生じさせるために、請
求項4に記載のとおり、前記TM多重モード誘電体共振
器は、少なくとも第1方向の誘電体柱とその誘電体柱に
直交する第2方向の誘電体柱とを備え、前記外部結合素
子は、第1方向の誘電体柱に電磁気的に結合する部分
と、第2方向の誘電体柱に電磁気的に結合する部分とを
備える。また、請求項5に記載のとおり、前記TM多重
モード誘電体共振器は、少なくとも第1方向の誘電体柱
とその誘電体柱に直交する第2方向の誘電体柱とを備
え、前記外部結合素子は、第1方向の誘電体柱と第2方
向の誘電体柱とに共に電磁気的に結合する方向に配置し
た結合ループから構成する。このようにして単一の外部
結合素子を用いる構成でありながら、その外部結合素子
が初段と次段の共振器に、または終段とその前段の共振
器に共に電磁気的に結合するため、上述した減衰極が生
じる。
誘電体フィルタの構成を図1〜図4を基に以下説明す
る。
す斜視図である。同図において1,2はそれぞれ互いに
直交関係に配置した誘電体柱であり、その交差部に溝7
を設けている。このような複数の誘電体柱を複合した複
合誘電体柱を外導体6内に配置して1つの誘電体共振器
10を構成している。また、同図において5は外部結合
素子であり、これは第1結合部51と第2結合部52と
からなる。第1結合部51の一端は信号入出力コネクタ
4の中心導体に接続し、第2結合部52の端部は外導体
6の内面(アース)に接続している。第1結合部51と
第2結合部52とは連続していて、入出力コネクタ4の
中心導体と外部結合素子5および外導体6とによってル
ープを構成する。第1結合部51は誘電体柱1の軸方向
に平行であり、第2結合部52は誘電体柱2の軸方向に
平行に配置しているため、第1結合部51と誘電体柱1
とが磁界結合し、第2結合部52と誘電体柱2とが磁界
結合する。誘電体柱1と誘電体柱2との交差部には溝7
を形成しているため、誘電体柱2による共振器は誘電体
柱1による共振器と結合する。ここでは、誘電体柱1に
よる共振器を初段の共振器とし、誘電体柱2による共振
器を次段の共振器とする。もちろん、誘電体柱1による
共振器を終段の共振器とし、誘電体柱2による共振器を
その前段の共振器としても同様である。同図の(B)は
外部結合素子と誘電体柱に発生する、同時間でみたとき
の瞬間の電界ベクトルを示す。誘電体柱1,2に生じる
電界ベクトルE1,E2のベクトルの位置関係を同位相
とすると、外部結合素子5の第1結合部51と第2結合
部52の電界ベクトルはEq1,Eq2となり、誘電体
柱1,2とそれぞれ同位相で結合することになる。
り、(A)は図1に示した外部結合素子の正面図および
右側面図であり、(B)はそれに類似する他の外部結合
素子の正面図および右側面図である。図2において外導
体6はこの場合金属パネルからなり、この金属パネル6
に入出力コネクタ4を取り付け、外部結合素子5の一端
を入出力コネクタ4の中心導体に接続し、他端を金属パ
ネルである外導体6の内面にそれぞれ半田付けしてい
る。(A)に示す例の場合、第1結合部51の長さL
1、幅W1および外導体6からの高さH1を大きくする
ほど図1に示した誘電体柱1による共振器との結合度は
増大し、第2結合部52の長さL2の長さおよび外導体
6からの高さH1を大きくするほど、図1に示した誘電
体柱2による共振器との結合度が増大する。このように
外部結合素子と初段(または終段)の共振器との結合度
と、外部結合素子と次段(または終段の前段)の共振器
との結合度とを独立して設定することができる。図2の
(B)の例では、第2結合部52の高さH2を第1結合
部51の高さH1より低くすることによって、この第2
結合部52と図1に示した誘電体柱2による共振器との
結合度を相対的に小さくしている。このようにH1,H
2をそれぞれ変えることによっても、外部結合素子と初
段(または終段)の共振器との結合度と、外部結合素子
と次段(または終段の前段)の共振器との結合度とを独
立して設定することができる。
回路図である。このように外部結合素子による入出力結
合インダクタンスと初段(または終段)の共振器間の結
合と、初段(または終段)と次段(または終段の前段)
の共振器間の結合とが同位相であるとすると、前述した
ように外部結合素子を構成したことにより、入出力イン
ダクタンスと次段(または終段の前段)の共振器間の結
合とも同位相となる。これにより図4に示すように、通
過帯域の高域側に減衰極が生じる。
振器のみを示したが、同様の構成のTM2重モード誘電
体共振器を配列するとともに、所定の共振器間を順次結
合させることによって、3段以上の共振器からなる誘電
体フィルタを構成する。なお、図1に示した構成で、入
出力用コネクタ4および外部結合素子5以外に、他の入
出力用コネクタと誘電体柱2による共振器に結合する外
部結合素子を設けることによって、2段の共振器からな
る誘電体フィルタを構成することができる。
電体フィルタの構成を図5〜図7を基に以下説明する。
す斜視図である。同図において1,2はそれぞれ互いに
直交関係に配置した誘電体柱であり、その交差部に溝7
を設けている。このような複数の誘電体柱を複合した複
合誘電体柱を外導体6内に配置している。また、同図に
おいて5は外部結合素子であり、これは第1結合部51
と第2結合部52とからなる。第1結合部51の一端は
信号入出力コネクタ4の中心導体に接続し、第2結合部
52の端部は外導体6の内面(アース)に接続してい
る。第1結合部51と第2結合部52とは連続してい
て、入出力コネクタ4の中心導体と外部結合素子5およ
び外導体6とによってループを構成する。第1結合部5
1は誘電体柱1の軸方向に平行であり、第2結合部52
は誘電体柱2の軸方向に平行に配置しているため、第1
結合部51と誘電体柱1とが磁界結合し、第2結合部5
2と誘電体柱2とが磁界結合する。誘電体柱1と誘電体
柱2との交差部には溝7を形成しているため、誘電体柱
2による共振器は誘電体柱1による共振器と結合する。
ここでは、誘電体柱1による共振器を初段の共振器と
し、誘電体柱2による共振器を次段の共振器とする。同
図の(B)は外部結合素子と誘電体柱に発生する、同時
間でみたときの瞬間の電界ベクトルを示す。誘電体柱
1,2に生じる電界ベクトルE1,E2のベクトルの位
置関係を同位相とすると、外部結合素子5の第1結合部
51と第2結合部52の電界ベクトルはEq1,Eq2
となり、誘電体柱1と第1結合部51とは同位相で結合
し、誘電体柱2と第2結合部52とは逆位相で結合する
ことになる。
回路図である。このように外部結合素子による入出力結
合インダクタンスと初段の共振器間の結合と、初段と次
段の共振器間の結合とが同位相であるとすると、前述し
たように外部結合素子を構成したことにより、入出力イ
ンダクタンスと次段(2段目)の共振器間の結合とは逆
位相となる。これにより図7に示すように、通過帯域の
低域側に減衰極が生じる。
第3の実施形態として図8に示す。(A)では、入出力
用コネクタ4の中心導体側に第2結合部52を設け、第
1結合部51の端部を外導体の内面に接続するようにし
ている。この外部結合素子5を図1に示した外部結合素
子に置き換えても、第1の実施形態で示した誘電体フィ
ルタと同様の特性を得ることができる。図8の(B)で
は、金属板を用いる代わりに、棒状の金属体を折り曲げ
加工し、第1結合部51および第2結合部52を構成し
ている。また、図8の(C)では同様に棒状の金属体を
用いて第1結合部51の端部を入出力用コネクタ4の中
心導体側に接続し、第2結合部52の端部を外導体の内
面に接続するようにしている。図8の(D),(E)の
例では、第1結合部51の一方の端部を入出力用コネク
タ4の中心導体側に接続し、他端を外導体の内面に接続
するとともに、第2結合部52を第1結合部51の側方
に突出させ、その端部を外導体の内面に接続するように
している。また、図8の(F)の例では、第1結合部5
1の一方の端部を入出力用コネクタ4の中心導体側に接
続し、第2結合部52を第1結合部51の端部から側方
に突出させ、その先端を外導体の内面に接続するように
している。このような外部結合素子を図1に適用すれ
ば、第1結合部51は誘電体柱1による共振器と結合
し、第2結合部52は誘電体柱2による共振器と結合す
る。図8の(G)〜(I)の例では、第1結合部51の
一方の端部を入出力用コネクタ4の中心導体側に接続
し、他端を外導体の内面に接続するとともに、第1結合
部51の側方に第2結合部52を突出させ、その第2結
合部52の端部を開放端としている。
タに用いる外部結合素子の構成を図9に示す。(A)は
斜視図、(B)は正面図および右側面図である。この外
部結合素子は、これまでに述べたような第1結合部と第
2結合部といった部分は存在せず、外導体とともに形成
するループ全体を傾斜させている。この外部結合素子5
を図1に示した外部結合素子に適用すると、誘電体柱1
による共振器と誘電体柱2による共振器のいずれにも結
合することになる。ただし、外部結合素子5と2つの共
振器とのそれぞれの結合度は図9の(B)に示す外部結
合素子5の傾斜角度θによって変化する。すなわちθを
小さくするほど外部結合素子と初段の共振器(誘電体柱
1)との結合度は大きくなり、外部結合素子と次段(誘
電体柱2)との結合度は小さくなる。逆に、θを90度
以内の範囲で大きくするほど外部結合素子と初段の共振
器との結合度は小さくなり、外部結合素子と次段の共振
器との結合度は大きくなる。また、外部結合素子の長さ
L1、幅W1および高さH1を大きくするほど、外部結
合素子と初段の共振器との結合度および外部結合素子と
次段の共振器との結合度はそれぞれ増大する。この構成
では、外部結合素子と初段の共振器との結合度と外部結
合素子と次段の共振器との結合度とは独立には設定でき
ないが、これらの関係を考慮して、各部の寸法および取
り付け角度を設定すればよい。
タに用いる外部結合素子の構成を図10に示す。これは
金属板を用いずに棒状の金属体を用いて外部結合素子を
構成している。その他の点は、図9の(A)に示したも
のと同様である。従って、この場合も外部結合素子5の
傾斜角度θ、長さL1、および高さH1を定めて、この
外部結合素子と初段(または終段)の共振器との結合度
と、外部結合素子と次段(または終段の前段)の共振器
との結合度を定める。
電体フィルタの構成を図11および図12を基に説明す
る。
示す斜視図である。同図において1,2,3はそれぞれ
互いに直交関係に配置した誘電体柱であり、その交差部
に溝7を設けている。このような複数の誘電体柱を複合
した複合誘電体柱を外導体6内に配置している。また、
同図において5は外部結合素子であり、これは第1結合
部51と第2結合部52とからなる。第1結合部51の
一端は信号入出力コネクタ4の中心導体に接続し、第2
結合部52の端部は外導体6の内面(アース)に接続し
ている。第1結合部51と第2結合部52とは連続して
いて、入出力コネクタ4の中心導体と外部結合素子5お
よび外導体6とによってループを構成する。第1結合部
51は誘電体柱1の軸方向に平行であり、第2結合部5
2は誘電体柱2の軸方向に平行に配置しているため、第
1結合部51と誘電体柱1とが磁界結合し、第2結合部
52と誘電体柱2とが磁界結合する。一方、誘電体柱3
による共振器は第1結合部51または第2結合部52の
いずれとも結合しない。誘電体柱1と誘電体柱2との交
差部には溝7を形成しているため、誘電体柱2による共
振器は誘電体柱1による共振器と結合する。また、誘電
体柱2と誘電体柱3との交差部にも溝7を形成している
ため、誘電体柱3による共振器は誘電体柱2による共振
器と結合する。従って、誘電体柱1による共振器が初段
の共振器、誘電体柱2による共振器が2段目の共振器、
誘電体柱3による共振器が3段目の共振器としてそれぞ
れ作用する。同図の(B)は外部結合素子と誘電体柱に
発生する、同時間でみたときの瞬間の電界ベクトルを示
す。誘電体柱1,2に生じる電界ベクトルE1,E2の
ベクトルの位置関係を同位相とすると、外部結合素子5
の第1結合部51と第2結合部52の電界ベクトルはE
q1,Eq2となり、誘電体柱1,2とそれぞれ同位相
で結合することになる。
等価回路図である。このように外部結合素子による入出
力結合インダクタンスと初段の共振器間の結合と、初段
と次段の共振器間の結合とが同位相であるとすると、前
述したように外部結合素子を構成したことにより、入出
力インダクタンスと次段の共振器間の結合とも同位相と
なる。これにより図4に示した場合と同様に、通過帯域
の高域側に減衰極が生じる。
ンテナデュプレクサの構成を図13〜図19を基に以下
を説明する。
ル取り付け前の状態を示す斜視図である。同図において
15a,15b,15c,15dはそれぞれ内部に十字
型の複合誘電体柱を一体成型し、外面に外導体を形成し
たキャビティである。キャビティ15aと15bとの対
向面には外導体を形成していない結合用窓61a,61
bを形成し、同様にキャビティ15cと15dとの対向
面に結合用窓61c,61dを形成している。このよう
にして4つのTM2重モード誘電体共振器10a,10
b,10c,10dを配置し、後述するように、キャビ
ティ15a,15b,15c,15dの上下面に、外部
結合素子などを取り付けた金属パネルを覆うとともに、
アース板を介して半田付けする。
あり、各誘電体柱と外部結合素子との対応関係を示して
いる。同図において5a,5dで示す外部結合素子は上
部の金属パネルに取り付けられ、8で示すアンテナ側結
合素子は上部の金属パネルに取り付けられる。
サの断面図であり、(A)はアンテナ側結合素子部分を
通る断面図、(B)は外部結合素子部分を通る断面図で
ある。図15において16は上部金属パネル、17は下
部金属パネルであり、上部金属パネル16にはアンテナ
端子としての入出力用コネクタ4bc、TX−IN端子
としての入出力用コネクタ4aおよびRX−OUT端子
としての入出力用コネクタ4dを取り付けている。ま
た、上部金属パネル16の内面にはアンテナ側結合素子
8および外部結合素子5a,5dを取り付けている。
図であり、(A)は正面図、(B)は底面図である。8
1,82はそれぞれ入出力用コネクタの中心導体41と
上部金属パネル16とでそれぞれ結合ループを構成す
る。入出力用コネクタの中心導体41の先端部にはネジ
を切っていて、この入出力用コネクタの中心導体41の
先端部に結合ループ81,82をナット42でネジ止め
している。図14,図15および図16から明らかなよ
うに、結合ループ81は図14に示した誘電体共振器1
0bの誘電体柱1bと磁界結合し、結合ループ82は誘
電体共振器10cの誘電体柱1cと磁界結合する。図1
6において9は位相調整用電極であり、上部金属パネル
16との間に所定の静電容量を形成して、結合ループ8
1と82にそれぞれ誘起される信号の位相を調整する。
a,5dの構成を示す図である。但し、両者は略同一形
状であるため、図17ではその一方のみを代表して示し
ている。図17において(A)は正面図、(B)は左側
面図、(C)は底面図である。同図に示すように、外部
結合素子は主として第1結合部51と第2結合部52と
から構成していて、上部金属パネル16から突出する入
出力用コネクタの中心導体41に第1結合部51の端部
をナット42で接続固定し、第2結合部52の端部を上
部金属パネル16に半田付けしている。このような外部
結合素子を図15において5a,5dで示すように設け
ることによって、図14に示した誘電体共振器10aの
誘電体柱1aと第1結合部51aとが磁界結合し、誘電
体柱2aと第2結合部52aとが磁界結合する。また、
誘電体共振器10dの誘電体柱1dと第1結合部51d
とが磁界結合し、誘電体柱2dと第2結合部52dとが
磁界結合する。図14に示したように、誘電体共振器1
0aにおいて誘電体柱1aと2aとの交差部に溝7aを
形成しているので、誘電体柱1a,2aによる2つの共
振器の同位相の瞬間の電界ベクトルを白抜き矢印で示す
方向とすると、黒矢印(→)で示すように第1結合部5
1aと誘電体柱1aとの結合は同位相、第2結合部52
aと誘電体柱2aとの結合は逆位相となる。また、誘電
体共振器10dにおいて誘電体柱1dと2dとの交差部
に溝7dを形成しているので、誘電体柱1d,2dによ
る2つの共振器の同位相の瞬間の電界ベクトルを白抜き
矢印で示す方向とすると、黒矢印(→)で示すように第
1結合部51dと誘電体柱1dとの結合は同位相で、第
2結合部52dと誘電体柱2dとの結合も同位相とな
る。
回路図、図19は送信フィルタと受信フィルタの特性図
である。図18に示すように、TX−INの入出力結合
インダクタンスと2段目の共振器との結合が逆位相とな
るため、図19の(A)に示すように、通過帯域の低域
側に減衰極が生じ、この減衰極で受信帯域の信号成分を
より急峻にカットしている。また、RX−OUTの入出
力結合インダクタンスと終段の一つ前段との結合が同位
相となるため、図19の(B)に示すように、通過帯域
の高域側に減衰極が生じ、この減衰極によって、送信信
号の成分を急峻にカットしている。
電体フィルタの構成例を図20に示す。以上に述べた各
実施例では、初段と次段の共振器に共に電磁気的に結合
する外部結合素子を設けた例と、終段とその前段の共振
器に共に電磁気的に結合する外部結合素子を設けた例を
示したが、図20は初段と次段の共振器に共に電磁気的
に結合する第1の外部結合素子と、終段とその前段の共
振器に共に電磁気的に結合する第2の外部結合素子とを
それぞれ設けた例である。すなわち、図1または図5に
示したような外部結合素子を初段の共振器を含む誘電体
共振器および終段の共振器を含む誘電体共振器にそれぞ
れ設ける。(A)はその等価回路図であり、(B)〜
(E)はその特性図である。(A)においてI部分の結
合およびO部分の結合を共に+(同位相)とすれば、同
図の(B)に示すように、通過帯域の高域側に2つの減
衰極が生じる。また、(A)においてI部分の結合およ
びO部分の結合を共に−(逆位相)とすれば、同図の
(E)に示すように、通過帯域の低域側に2つの減衰極
が生じる。また、(A)においてI部分の結合およびO
部分の結合を(+,−)または(−,+)とすれば、同
図の(C)または(D)に示すように、通過帯域の低域
側と高域側にそれぞれ減衰極が生じる。
誘電体フィルタによれば、特別な結合ループやケーブル
を用いることなく所定の減衰極を設けることができるた
め、有極化のために部品点数が増大せず、全体に大型化
およびコストアップすることもない。
誘電体フィルタによれば、単一の外部結合素子を用いて
減衰極を生じさせるために、より少ない部品点数で所定
の減衰極を設けることができ、その組立および調整も容
易となる。
タの主要部の構成を示す斜視図である。
す図である。
路図である。
である。
の構成を示す斜視図である。
路図である。
である。
外部結合素子の構成を示す斜視図である。
外部結合素子の構成を示す斜視図である。
る外部結合素子の構成を示す斜視図である。
部の構成を示す斜視図である。
回路図である。
の各誘電体共振器の配置を示す斜視図である。
の主要部の断面図である。
の等価回路図である。
の特性図である。
および特性を示す図である。
ある。
である。
る。
Claims (5)
- 【請求項1】 TM多重モード誘電体共振器を用いて複
数段の共振器から成る、帯域通過フィルタ特性を生じさ
せた誘電体フィルタにおいて、 初段と次段の共振器に共に電磁気的に結合する外部結合
素子を設けて、通過帯域の低域側または高域側に減衰極
を生じさせたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項2】 TM多重モード誘電体共振器を用いて複
数段の共振器から成る、帯域通過フィルタ特性を生じさ
せた誘電体フィルタにおいて、 終段とその前段の共振器に共に電磁気的に結合する外部
結合素子を設けて、通過帯域の低域側または高域側に減
衰極を生じさせたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項3】 複数のTM多重モード誘電体共振器を用
い、これらを結合させて複数段の共振器から成る、帯域
通過フィルタ特性を生じさせた誘電体フィルタにおい
て、 初段と次段の共振器に共に電磁気的に結合する第1の外
部結合素子と、終段とその前段の共振器に共に電磁気的
に結合する第2の外部結合素子とを設け、通過帯域の低
域側および/または高域側に減衰極を生じさせたことを
特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項4】 前記TM多重モード誘電体共振器は、少
なくとも第1方向の誘電体柱とその誘電体柱に直交する
第2方向の誘電体柱とを備え、前記外部結合素子は、第
1方向の誘電体柱に電磁気的に結合する部分と、第2方
向の誘電体柱に電磁気的に結合する部分とを備える請求
項1〜3のいずれかに記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項5】 前記TM多重モード誘電体共振器は、少
なくとも第1方向の誘電体柱とその誘電体柱に直交する
第2方向の誘電体柱とを備え、前記外部結合素子は、第
1方向の誘電体柱と第2方向の誘電体柱とに共に電磁気
的に結合する方向に配置した結合ループから構成した請
求項1〜3のいずれかに記載の誘電体フィルタ。
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