JP3252570B2 - 誘電体デュプレクサ - Google Patents
誘電体デュプレクサInfo
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- JP3252570B2 JP3252570B2 JP28206293A JP28206293A JP3252570B2 JP 3252570 B2 JP3252570 B2 JP 3252570B2 JP 28206293 A JP28206293 A JP 28206293A JP 28206293 A JP28206293 A JP 28206293A JP 3252570 B2 JP3252570 B2 JP 3252570B2
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- Japan
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- dielectric
- dielectric resonator
- conductor
- resonator
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/207—Hollow waveguide filters
- H01P1/208—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
- H01P1/2084—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure with dielectric resonators
- H01P1/2086—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure with dielectric resonators multimode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
- H01P1/2138—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using hollow waveguide filters
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は誘電体デュプレクサに関
する。具体的にいうと、本発明は送信フィルタと受信フ
ィルタを一体化した送受共用器等として用いられる誘電
体デュプレクサに関する。
する。具体的にいうと、本発明は送信フィルタと受信フ
ィルタを一体化した送受共用器等として用いられる誘電
体デュプレクサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば移動体通信システムに
おけるセルラー基地局には送受共用器等として誘電体デ
ュプレクサが用いられている。この誘電体デュプレクサ
においては、送信側の誘電体共振器の信号通過帯域（送
信側通過帯域という）と受信側の誘電体共振器の信号通
過帯域（受信側通過帯域）とは互いに異なっており、送
信側の誘電体共振器では送信通過帯域の信号は通過させ
るが受信通過帯域の信号はカットし、逆に、受信側の誘
電体共振器では受信通過帯域の信号は通過させるが送信
通過帯域の信号はカットしている。
おけるセルラー基地局には送受共用器等として誘電体デ
ュプレクサが用いられている。この誘電体デュプレクサ
においては、送信側の誘電体共振器の信号通過帯域（送
信側通過帯域という）と受信側の誘電体共振器の信号通
過帯域（受信側通過帯域）とは互いに異なっており、送
信側の誘電体共振器では送信通過帯域の信号は通過させ
るが受信通過帯域の信号はカットし、逆に、受信側の誘
電体共振器では受信通過帯域の信号は通過させるが送信
通過帯域の信号はカットしている。
【０００３】しかし、送信側誘電体共振器と受信側誘電
体共振器を単に導体ケース内に並列に納めただけである
と、送信側と受信側との間のアイソレーションを十分に
取ることができなかった。すなわち、送信側及び受信側
の誘電体共振器は、各信号通過帯域外ではかなりの信号
減衰量を持たなければならないが、両誘電体共振器を単
に導体ケース内に納めただけであると、導体ケースと誘
電体共振器の間の空間（隙間）に発生する電磁界のた
め、送信側及び受信側の誘電体共振器間に電磁界の漏れ
が発生し、受信側誘電体共振器における送信側通過帯域
での信号減衰率が悪くなり、送信側誘電体共振器におけ
る受信側通過帯域での信号減衰率が悪くなるという問題
があった。
体共振器を単に導体ケース内に並列に納めただけである
と、送信側と受信側との間のアイソレーションを十分に
取ることができなかった。すなわち、送信側及び受信側
の誘電体共振器は、各信号通過帯域外ではかなりの信号
減衰量を持たなければならないが、両誘電体共振器を単
に導体ケース内に納めただけであると、導体ケースと誘
電体共振器の間の空間（隙間）に発生する電磁界のた
め、送信側及び受信側の誘電体共振器間に電磁界の漏れ
が発生し、受信側誘電体共振器における送信側通過帯域
での信号減衰率が悪くなり、送信側誘電体共振器におけ
る受信側通過帯域での信号減衰率が悪くなるという問題
があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図６は並列に配置され
た送信側誘電体共振器５１と受信側誘電体共振器５２の
間のアイソレーションを向上させるための従来の誘電体
デュプレクサＢの構造を示す平面図であって、ケースカ
バーを取り除いた状態を示している。この従来例にあっ
ては、アルミダイキャスト製の導体ケース５３内に仕切
り壁５４を一体に設けて仕切り壁５４の両側に送信用と
受信用の空室５５，５６を形成し、両空室５５，５６内
に送信側誘電体共振器５１と受信側誘電体共振器５２を
納め、仕切り壁５４によって送信側誘電体共振器５１と
受信側誘電体共振器５２とを電気的及び磁気的に隔離し
ている。
た送信側誘電体共振器５１と受信側誘電体共振器５２の
間のアイソレーションを向上させるための従来の誘電体
デュプレクサＢの構造を示す平面図であって、ケースカ
バーを取り除いた状態を示している。この従来例にあっ
ては、アルミダイキャスト製の導体ケース５３内に仕切
り壁５４を一体に設けて仕切り壁５４の両側に送信用と
受信用の空室５５，５６を形成し、両空室５５，５６内
に送信側誘電体共振器５１と受信側誘電体共振器５２を
納め、仕切り壁５４によって送信側誘電体共振器５１と
受信側誘電体共振器５２とを電気的及び磁気的に隔離し
ている。
【０００５】しかしながら、このような構造であると、
アルミダイキャスト製の導体ケース５３内に仕切り壁５
４を設ける必要があるため、導体ケース５３の構造が複
雑になってコストが高くつくと共に導体ケース５３の重
量も重くなるという欠点があった。また、両誘電体共振
器５１，５２を納めるための空室５５，５６が仕切り壁
５４によって仕切られるため、誘電体共振器５１，５２
を導体ケース５３内に納めにくくなり、組立性が悪くな
るという問題があった。
アルミダイキャスト製の導体ケース５３内に仕切り壁５
４を設ける必要があるため、導体ケース５３の構造が複
雑になってコストが高くつくと共に導体ケース５３の重
量も重くなるという欠点があった。また、両誘電体共振
器５１，５２を納めるための空室５５，５６が仕切り壁
５４によって仕切られるため、誘電体共振器５１，５２
を導体ケース５３内に納めにくくなり、組立性が悪くな
るという問題があった。
【０００６】また、図示しないが、送信側と受信側のア
イソレーションを高める方法としては、送信側誘電体共
振器と受信側誘電体共振器とをそれぞれ個々に導体ケー
ス内に収め、さらに個々の導体ケース内に納めた送信側
誘電体共振器と受信側誘電体共振器とをより大きな導体
ケース内に納めたものがある。あるいは、送信側誘電体
共振器と受信側誘電体共振器とを納めた個々の導体ケー
スを何らかの機械的構成によって一体化し、さらに両誘
電体共振器同志を電気的に結合させたものがある。
イソレーションを高める方法としては、送信側誘電体共
振器と受信側誘電体共振器とをそれぞれ個々に導体ケー
ス内に収め、さらに個々の導体ケース内に納めた送信側
誘電体共振器と受信側誘電体共振器とをより大きな導体
ケース内に納めたものがある。あるいは、送信側誘電体
共振器と受信側誘電体共振器とを納めた個々の導体ケー
スを何らかの機械的構成によって一体化し、さらに両誘
電体共振器同志を電気的に結合させたものがある。
【０００７】しかし、これらの方法にあっても、導体ケ
ースが二重になるので、重量が重くなると共に外形も大
きくなり、コストも高くつき、組立ての手間もかかると
いう欠点があった。
ースが二重になるので、重量が重くなると共に外形も大
きくなり、コストも高くつき、組立ての手間もかかると
いう欠点があった。
【０００８】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであって、その目的とするところは、誘電体デ
ュプレクサにおいて、送信側誘電体共振器と受信側誘電
体共振器とのアイソレーションを向上させ、その減衰率
特性を改善するための簡便な方法を提供することにあ
る。
れたものであって、その目的とするところは、誘電体デ
ュプレクサにおいて、送信側誘電体共振器と受信側誘電
体共振器とのアイソレーションを向上させ、その減衰率
特性を改善するための簡便な方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による誘電体デュ
プレクサは、外周面を電極で覆われたキャビティ内に内
部誘電体を収納してなる第１の周波数帯域を通過させる
第１の誘電体共振器と、外周面を電極で覆われたキャビ
ティ内に内部誘電体を収納してなる第２の周波数帯域を
通過させる第２の誘電体共振器とを導体ケース内に配置
し、前記導体ケースに信号入出力コネクタを設けてなる
誘電体デュプレクサにおいて、前記第１の誘電体共振器
と前記第２の誘電体共振器とを導体ケースの同一空間内
に収納し、第１の誘電体共振器の外周面を覆っている電
極と第２の誘電体共振器の外周面を覆っている電極とを
導体片によって直接にアース接合させたことを特徴とし
ている。
プレクサは、外周面を電極で覆われたキャビティ内に内
部誘電体を収納してなる第１の周波数帯域を通過させる
第１の誘電体共振器と、外周面を電極で覆われたキャビ
ティ内に内部誘電体を収納してなる第２の周波数帯域を
通過させる第２の誘電体共振器とを導体ケース内に配置
し、前記導体ケースに信号入出力コネクタを設けてなる
誘電体デュプレクサにおいて、前記第１の誘電体共振器
と前記第２の誘電体共振器とを導体ケースの同一空間内
に収納し、第１の誘電体共振器の外周面を覆っている電
極と第２の誘電体共振器の外周面を覆っている電極とを
導体片によって直接にアース接合させたことを特徴とし
ている。
【００１０】
【作用】本発明にあっては、導体ケースに納めた第１及
び第２の誘電体共振器の外周面を覆っている電極を導体
片によってアース接合しているので、第１の誘電体共振
器と第２の誘電体共振器の外周面を覆っている電極をよ
り確実に同電位（アース電位）に保つことができ、両誘
電体共振器間の電位勾配をなくすことができる。これに
よって、第１の誘電体共振器と第２の誘電体共振器の間
における電磁界結合をなくし、第１の誘電体共振器と第
２の誘電体共振器のアイソレーションを十分に向上させ
ることができるので、第１の誘電体共振器の使用周波数
帯域における第２の誘電体共振器の信号減衰率を大きく
することができ、第２の誘電体共振器の使用周波数帯域
における第１の誘電体共振器の信号減衰率を大きくする
ことができる。
び第２の誘電体共振器の外周面を覆っている電極を導体
片によってアース接合しているので、第１の誘電体共振
器と第２の誘電体共振器の外周面を覆っている電極をよ
り確実に同電位（アース電位）に保つことができ、両誘
電体共振器間の電位勾配をなくすことができる。これに
よって、第１の誘電体共振器と第２の誘電体共振器の間
における電磁界結合をなくし、第１の誘電体共振器と第
２の誘電体共振器のアイソレーションを十分に向上させ
ることができるので、第１の誘電体共振器の使用周波数
帯域における第２の誘電体共振器の信号減衰率を大きく
することができ、第２の誘電体共振器の使用周波数帯域
における第１の誘電体共振器の信号減衰率を大きくする
ことができる。
【００１１】しかも、第１の誘電体共振器と第２の誘電
共振器間を例えば金属箔や金属薄板等の導体片で接続す
るだけの簡単な方法によって複数の誘電体共振器間のア
イソレーションを高めることができるので、仕切り壁で
導体ケース内部を仕切る方法や導体ケースを２重構造と
する方法等に比べて誘電体デュプレクサの構造を簡単に
することができる。
共振器間を例えば金属箔や金属薄板等の導体片で接続す
るだけの簡単な方法によって複数の誘電体共振器間のア
イソレーションを高めることができるので、仕切り壁で
導体ケース内部を仕切る方法や導体ケースを２重構造と
する方法等に比べて誘電体デュプレクサの構造を簡単に
することができる。
【００１２】
【実施例】図１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は本発明の一実施例
による誘電体デュプレクサＡを示す平面図、側断面図及
び正面図であって、ケースカバー（上蓋）を取り除いた
状態を示している。導体ケースは上面開口した本体ケー
ス１とケースカバー（図示せず）とからなり、ステンレ
ス板等によって組み立てられていて軽量化されている。
本体ケース１内には６つの誘電体共振器ユニット２ａ，
２ｂ，２ｃ；３ａ，３ｂ，３ｃが２列に収納配置されて
いる。これらの誘電体共振器ユニット２ａ，２ｂ，２
ｃ；３ａ，３ｂ，３ｃは、ＴＭ110シングルモード共振
器やＴＭ110デュアルモード共振器などによって構成さ
れている。１列に配列された３つの誘電体共振器２ａ，
２ｂ，２ｃは受信段の帯域通過フィルタ（受信フィル
タ）を構成し、他の１列に配列された３つの誘電体共振
器３ａ，３ｂ，３ｃは送信段の帯域通過フィルタ（送信
フィルタ）を構成している。
による誘電体デュプレクサＡを示す平面図、側断面図及
び正面図であって、ケースカバー（上蓋）を取り除いた
状態を示している。導体ケースは上面開口した本体ケー
ス１とケースカバー（図示せず）とからなり、ステンレ
ス板等によって組み立てられていて軽量化されている。
本体ケース１内には６つの誘電体共振器ユニット２ａ，
２ｂ，２ｃ；３ａ，３ｂ，３ｃが２列に収納配置されて
いる。これらの誘電体共振器ユニット２ａ，２ｂ，２
ｃ；３ａ，３ｂ，３ｃは、ＴＭ110シングルモード共振
器やＴＭ110デュアルモード共振器などによって構成さ
れている。１列に配列された３つの誘電体共振器２ａ，
２ｂ，２ｃは受信段の帯域通過フィルタ（受信フィル
タ）を構成し、他の１列に配列された３つの誘電体共振
器３ａ，３ｂ，３ｃは送信段の帯域通過フィルタ（送信
フィルタ）を構成している。
【００１３】図２は一例として示すＴＭ110デュアルモ
ードの誘電体共振器ユニット例えば２ａの構造を示す斜
視図であって、誘電体セラミクスキャビティ４内には一
体成形によって十字形の内部誘電体５が設けられてい
る。誘電体セラミクスキャビティ４の内周面及び外周面
には焼成銀によるアース電極６が形成されている。本体
ケース１内に一列に固定された誘電体共振器ユニット２
ａ，２ｂ，２ｃ又は３ａ，３ｂ，３ｃ間の結合をとる
際、不要な磁界成分で結合しないよう、例えば図３に示
すように、スリット部７を形成した仕切り板８を誘電体
セラミクスキャビティ４の開口部９に設けている。な
お、デュアルモードの誘電体共振器ユニットの場合、ユ
ニット内部の共振器間の結合は、十字形の内部誘電体５
に設けた切り込み（図示せず）によって得ている。
ードの誘電体共振器ユニット例えば２ａの構造を示す斜
視図であって、誘電体セラミクスキャビティ４内には一
体成形によって十字形の内部誘電体５が設けられてい
る。誘電体セラミクスキャビティ４の内周面及び外周面
には焼成銀によるアース電極６が形成されている。本体
ケース１内に一列に固定された誘電体共振器ユニット２
ａ，２ｂ，２ｃ又は３ａ，３ｂ，３ｃ間の結合をとる
際、不要な磁界成分で結合しないよう、例えば図３に示
すように、スリット部７を形成した仕切り板８を誘電体
セラミクスキャビティ４の開口部９に設けている。な
お、デュアルモードの誘電体共振器ユニットの場合、ユ
ニット内部の共振器間の結合は、十字形の内部誘電体５
に設けた切り込み（図示せず）によって得ている。
【００１４】また、一列に配列された誘電体共振器ユニ
ット２ａ，２ｂ，２ｃ間は誘電体セラミクスキャビティ
４の外面のアース電極６にハンダ接合された金属箔や金
属メッシュ等の導体片１０によって相互に電気的に接続
されている。同じく、一列に配列された誘電体共振器ユ
ニット３ａ，３ｂ，３ｃ間も、誘電体セラミクスキャビ
ティ４の外面のアース電極６にハンダ接合された金属箔
や金属メッシュ等の導体片１０によって相互に電気接続
されている。さらに、並列に配置された受信側の誘電体
共振器ユニット２ａ，２ｂ，２ｃと送信側の誘電体共振
器ユニット３ａ，３ｂ，３ｃ間も、隣接するもの同士が
金属箔や金属メッシュ等の導体片１１によって直接アー
ス接合されている。ここで、各導体片１０，１１にはス
リットや切り込み、長孔を設けたり、メッシュ状にした
りすることにより、導体片１０，１１がアース電極６の
表面にしっかりとハンダ接合されるようにしている。
ット２ａ，２ｂ，２ｃ間は誘電体セラミクスキャビティ
４の外面のアース電極６にハンダ接合された金属箔や金
属メッシュ等の導体片１０によって相互に電気的に接続
されている。同じく、一列に配列された誘電体共振器ユ
ニット３ａ，３ｂ，３ｃ間も、誘電体セラミクスキャビ
ティ４の外面のアース電極６にハンダ接合された金属箔
や金属メッシュ等の導体片１０によって相互に電気接続
されている。さらに、並列に配置された受信側の誘電体
共振器ユニット２ａ，２ｂ，２ｃと送信側の誘電体共振
器ユニット３ａ，３ｂ，３ｃ間も、隣接するもの同士が
金属箔や金属メッシュ等の導体片１１によって直接アー
ス接合されている。ここで、各導体片１０，１１にはス
リットや切り込み、長孔を設けたり、メッシュ状にした
りすることにより、導体片１０，１１がアース電極６の
表面にしっかりとハンダ接合されるようにしている。
【００１５】本体ケース１の背面及び正面にはコネクタ
１３，１４，１５を設けている。コネクタ１３の中心導
体とアース（導体ケース）間には誘電体共振器ユニット
２ｃの共振器と磁界結合する結合ループ１７を設け、コ
ネクタ１４の中心導体とアース（導体ケース）間には誘
電体共振器ユニット３ｃの共振器と磁界結合する結合ル
ープ１９を設けている。図４はコネクタ１５付近の構造
を示す部分平面図であって、２０はコネクタの中心導
体、２１はその中心導体２０に取り付けられたピンであ
る。このピン２１にはフッ素樹脂製の円筒形ブッシュ２
２，２３が装着されている。ピン２１の一端とアース
（導体ケース）間には結合ループ２４ａ及び位相調整用
小ループ２５ａを設けている。ピン２１の他端とアース
（導体ケース）間には結合ループ２４ｂ及び位相調整用
小ループ２５ｂを設けている。結合ループ２４ａ，２４
ｂは誘電体共振器ユニット２ａ，３ａの共振器と磁界結
合し、位相調整用小ループ２５ａ，２５ｂは誘電体共振
器ユニット２ａ，３ａの共振器とコネクタ１５の中心導
体２０間との位相を調整する。
１３，１４，１５を設けている。コネクタ１３の中心導
体とアース（導体ケース）間には誘電体共振器ユニット
２ｃの共振器と磁界結合する結合ループ１７を設け、コ
ネクタ１４の中心導体とアース（導体ケース）間には誘
電体共振器ユニット３ｃの共振器と磁界結合する結合ル
ープ１９を設けている。図４はコネクタ１５付近の構造
を示す部分平面図であって、２０はコネクタの中心導
体、２１はその中心導体２０に取り付けられたピンであ
る。このピン２１にはフッ素樹脂製の円筒形ブッシュ２
２，２３が装着されている。ピン２１の一端とアース
（導体ケース）間には結合ループ２４ａ及び位相調整用
小ループ２５ａを設けている。ピン２１の他端とアース
（導体ケース）間には結合ループ２４ｂ及び位相調整用
小ループ２５ｂを設けている。結合ループ２４ａ，２４
ｂは誘電体共振器ユニット２ａ，３ａの共振器と磁界結
合し、位相調整用小ループ２５ａ，２５ｂは誘電体共振
器ユニット２ａ，３ａの共振器とコネクタ１５の中心導
体２０間との位相を調整する。
【００１６】このように受信側の誘電体共振器ユニット
２ａ，２ｂ，２ｃと送信側の誘電体共振器ユニット３
ａ，３ｂ，３ｃとの間を導体片１１によってアース接合
すると、送信フィルタの共振器周囲と受信フィルタの共
振器周囲を同電位（アース電位）に保つことができる。
これにより、導体ケース内において送信フィルタと受信
フィルタ間における電界の勾配をなくすことができ、両
フィルタ間における電磁界の漏れをなくし、互いのアイ
ソレーションを高めることができる。よって、送信フィ
ルタでは受信側通過帯域における減衰率を大きくし、受
信フィルタでは送信側通過帯域における減衰率を大きく
することができ、誘電体デュプレクサＡの減衰率特性を
向上させることができる。
２ａ，２ｂ，２ｃと送信側の誘電体共振器ユニット３
ａ，３ｂ，３ｃとの間を導体片１１によってアース接合
すると、送信フィルタの共振器周囲と受信フィルタの共
振器周囲を同電位（アース電位）に保つことができる。
これにより、導体ケース内において送信フィルタと受信
フィルタ間における電界の勾配をなくすことができ、両
フィルタ間における電磁界の漏れをなくし、互いのアイ
ソレーションを高めることができる。よって、送信フィ
ルタでは受信側通過帯域における減衰率を大きくし、受
信フィルタでは送信側通過帯域における減衰率を大きく
することができ、誘電体デュプレクサＡの減衰率特性を
向上させることができる。
【００１７】図５（Ａ）（Ｂ）は誘電体デュプレクサに
おける受信フィルタと送信フィルタのうち一方における
信号減衰率（実験値）Ｓを示す特性図であって、図５
（Ａ）は本発明による誘電体デュプレクサＡの場合を示
し、図５（Ｂ）は送信側と受信側を導体片によってアー
ス接合していない従来例の場合を示す。ここで、Ｆ１は
当該受信又は送信フィルタの通過帯域、Ｆ２は他方のフ
ィルタの通過帯域であって、図５（Ｂ）に示す従来例の
場合には他方のフィルタの通過帯域Ｆ２において信号減
衰率Ｓが図示のユーザースペックラインＬ以上となって
いるが、図５（Ａ）に示す本発明の場合にはユーザース
ペックラインＬ以下に抑えられている。
おける受信フィルタと送信フィルタのうち一方における
信号減衰率（実験値）Ｓを示す特性図であって、図５
（Ａ）は本発明による誘電体デュプレクサＡの場合を示
し、図５（Ｂ）は送信側と受信側を導体片によってアー
ス接合していない従来例の場合を示す。ここで、Ｆ１は
当該受信又は送信フィルタの通過帯域、Ｆ２は他方のフ
ィルタの通過帯域であって、図５（Ｂ）に示す従来例の
場合には他方のフィルタの通過帯域Ｆ２において信号減
衰率Ｓが図示のユーザースペックラインＬ以上となって
いるが、図５（Ａ）に示す本発明の場合にはユーザース
ペックラインＬ以下に抑えられている。
【００１８】なお、図１の実施例では、隣り合う誘電体
共振器ユニット２ａ，２ｂ，２ｃ；３ａ，３ｂ，３ｃ間
の全てを導体片１１によってアース接合しているが、一
部だけであっても差し支えない。その場合、コネクタ１
５に近い位置（誘電体共振器ユニット２ａ，３ａ間）よ
りも遠い位置（誘電体共振器ユニット２ｃ，３ｃ）にお
いてアース接合する方がアイソレーションの効果が高
い。これはコネクタ１５側ではコネクタ１５によって送
信側と受信側とが直接に電気接続されているために同電
位となっているが、コネクタ１３，１４同士は直接に接
続されていないため、こちら側でアース接合するほうが
効果が高いためであると考えられる。また、図１の実施
例では複数枚の導体片１１によって送信側と受信側を飛
び飛び、ないし離散的にアース接合しているが、一列に
配置された複数個の誘電体共振器ユニットにわたって連
続的にアース接合してもよい。
共振器ユニット２ａ，２ｂ，２ｃ；３ａ，３ｂ，３ｃ間
の全てを導体片１１によってアース接合しているが、一
部だけであっても差し支えない。その場合、コネクタ１
５に近い位置（誘電体共振器ユニット２ａ，３ａ間）よ
りも遠い位置（誘電体共振器ユニット２ｃ，３ｃ）にお
いてアース接合する方がアイソレーションの効果が高
い。これはコネクタ１５側ではコネクタ１５によって送
信側と受信側とが直接に電気接続されているために同電
位となっているが、コネクタ１３，１４同士は直接に接
続されていないため、こちら側でアース接合するほうが
効果が高いためであると考えられる。また、図１の実施
例では複数枚の導体片１１によって送信側と受信側を飛
び飛び、ないし離散的にアース接合しているが、一列に
配置された複数個の誘電体共振器ユニットにわたって連
続的にアース接合してもよい。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、第１の誘電体共振器と
第２の誘電体共振器間における電磁界の漏れをなくし、
第１の誘電体共振器と第２の誘電体共振器のアイソレー
ションを十分に向上させることができるので、第１の誘
電体共振器の使用周波数帯域における第２の誘電体共振
器の信号減衰率を大きくすることができ、第２の誘電体
共振器の使用周波数帯域における第１の誘電体共振器の
信号減衰率を大きくすることができ、誘電体デュプレク
サの減衰率特性を高めることができる。
第２の誘電体共振器間における電磁界の漏れをなくし、
第１の誘電体共振器と第２の誘電体共振器のアイソレー
ションを十分に向上させることができるので、第１の誘
電体共振器の使用周波数帯域における第２の誘電体共振
器の信号減衰率を大きくすることができ、第２の誘電体
共振器の使用周波数帯域における第１の誘電体共振器の
信号減衰率を大きくすることができ、誘電体デュプレク
サの減衰率特性を高めることができる。
【００２０】しかも、第１の誘電体共振器と第２の誘電
共振器間を例えば金属箔や金属薄板等の導体片で接続す
るだけの簡単な方法によって複数の誘電体共振器間のア
イソレーションを高めることができるので、仕切り壁で
導体ケース内部を仕切る方法や導体ケースを２重構造と
する方法等に比べて誘電体デュプレクサの構造を簡単に
することができる。さらに、誘電体デュプレクサを小型
軽量化することができ、コストも安価にできる。
共振器間を例えば金属箔や金属薄板等の導体片で接続す
るだけの簡単な方法によって複数の誘電体共振器間のア
イソレーションを高めることができるので、仕切り壁で
導体ケース内部を仕切る方法や導体ケースを２重構造と
する方法等に比べて誘電体デュプレクサの構造を簡単に
することができる。さらに、誘電体デュプレクサを小型
軽量化することができ、コストも安価にできる。
【図１】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は本発明の一実施例による
誘電体デュプレクサのケースカバーを取り除いた状態に
おける平面図、断面図及び正面図である。
誘電体デュプレクサのケースカバーを取り除いた状態に
おける平面図、断面図及び正面図である。
【図２】同上の誘電体共振器ユニットの一例を示す斜視
図である。
図である。
【図３】仕切り板を取り付けた誘電体共振器ユニットを
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図４】コネクタ部分の構造を示す部分平面図である。
【図５】（Ａ）は本発明の誘電体デュプレクサにおける
減衰率特性図、（Ｂ）は従来例の誘電体デュプレクサに
おける減衰率特性図である。
減衰率特性図、（Ｂ）は従来例の誘電体デュプレクサに
おける減衰率特性図である。
【図６】従来の誘電体デュプレクサのケースカバーを取
り除いた状態における平面図である。
り除いた状態における平面図である。
１ 本体ケース ２ａ，２ｂ，２ｃ 誘電体共振器ユニット ３ａ，３ｂ，３ｃ 誘電体共振器ユニット ６ アース電極 １１ 導体片
Claims (1)
- 【請求項１】 外周面を電極で覆われたキャビティ内に
内部誘電体を収納してなる第１の周波数帯域を通過させ
る第１の誘電体共振器と、外周面を電極で覆われたキャ
ビティ内に内部誘電体を収納してなる第２の周波数帯域
を通過させる第２の誘電体共振器とを導体ケース内に配
置し、前記導体ケースに信号入出力コネクタを設けてな
る誘電体デュプレクサにおいて、 前記第１の誘電体共振器と前記第２の誘電体共振器とを
導体ケースの同一空間内に収納し、第１の誘電体共振器
の外周面を覆っている電極と第２の誘電体共振器の外周
面を覆っている電極とを導体片によって直接にアース接
合させたことを特徴とする誘電体デュプレクサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28206293A JP3252570B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 誘電体デュプレクサ |
| GB9420424A GB2283370B (en) | 1993-10-15 | 1994-10-07 | Dielectric duplexer |
| US08/797,337 US5781080A (en) | 1993-10-15 | 1997-02-10 | Dielectric duplexer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28206293A JP3252570B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 誘電体デュプレクサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115307A JPH07115307A (ja) | 1995-05-02 |
| JP3252570B2 true JP3252570B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=17647657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28206293A Expired - Lifetime JP3252570B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 誘電体デュプレクサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5781080A (ja) |
| JP (1) | JP3252570B2 (ja) |
| GB (1) | GB2283370B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| SE9702063D0 (sv) * | 1997-05-30 | 1997-05-30 | Ericsson Telefon Ab L M | Filter tuning arrangement |
| EP1013624B1 (en) * | 1998-12-24 | 2008-10-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency dielectric ceramic composition, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer and communication device |
| KR100456004B1 (ko) * | 2001-12-17 | 2004-11-08 | 주식회사 케이이씨 | 듀플렉서의 송신대역 통과필터 |
| JP4413236B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2010-02-10 | セイコーエプソン株式会社 | 受電制御装置、送電制御装置、無接点電力伝送システム、受電装置、送電装置および電子機器 |
| US8840002B2 (en) | 2009-07-01 | 2014-09-23 | Hitachi Koki Co., Ltd. | Fastener-driving tool |
| JP5794113B2 (ja) | 2011-11-04 | 2015-10-14 | オムロン株式会社 | ソリッドステートリレー及び負荷駆動回路 |
| CN109066027B (zh) * | 2018-08-30 | 2020-05-05 | 安徽禄讯电子科技有限公司 | 一种合路滤波分路装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1168718A (en) * | 1981-05-11 | 1984-06-05 | Slawomir J. Fiedziuszko | Miniature dual-mode, dielectric-loaded cavity filter |
| GB2165098B (en) * | 1984-09-27 | 1988-05-25 | Motorola Inc | Radio frequency filters |
| JPS63278402A (ja) * | 1987-05-09 | 1988-11-16 | Alps Electric Co Ltd | 分波器 |
| JPH0770882B2 (ja) * | 1987-06-16 | 1995-07-31 | 株式会社村田製作所 | 導波管型誘電体フィルタ |
| US4839773A (en) * | 1987-06-22 | 1989-06-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter |
| JPH0682961B2 (ja) * | 1988-02-19 | 1994-10-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ |
| US4879533A (en) * | 1988-04-01 | 1989-11-07 | Motorola, Inc. | Surface mount filter with integral transmission line connection |
| JPH0260701A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Matsushita Electric Works Ltd | 人工化粧単板の製造方法 |
| US5229729A (en) * | 1989-12-14 | 1993-07-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio frequency signal combining/sorting apparatus |
| JP3433430B2 (ja) * | 1992-09-14 | 2003-08-04 | 富士通株式会社 | 分波器 |
| US5428325A (en) * | 1993-12-10 | 1995-06-27 | Allen Telecom Group, Inc. | RF filters and multiplexers with resonator decouplers |
-
1993
- 1993-10-15 JP JP28206293A patent/JP3252570B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-10-07 GB GB9420424A patent/GB2283370B/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-02-10 US US08/797,337 patent/US5781080A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2283370A (en) | 1995-05-03 |
| US5781080A (en) | 1998-07-14 |
| GB9420424D0 (en) | 1994-11-23 |
| JPH07115307A (ja) | 1995-05-02 |
| GB2283370B (en) | 1997-09-24 |
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