JPH0964253A - 放熱機能付き電子部品 - Google Patents
放熱機能付き電子部品Info
- Publication number
- JPH0964253A JPH0964253A JP7211813A JP21181395A JPH0964253A JP H0964253 A JPH0964253 A JP H0964253A JP 7211813 A JP7211813 A JP 7211813A JP 21181395 A JP21181395 A JP 21181395A JP H0964253 A JPH0964253 A JP H0964253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic plate
- electronic component
- heat
- ceramic
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3731—Ceramic materials or glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
板に割れが生じることのない放熱機能付き電子部品を提
供すること。 【解決手段】 放熱機能付き電子部品10は、電子部品
としてのICチップ12の上面に、セラミック板14を
樹脂層16で被覆してなる放熱板18が接着されたもの
である。セラミック板14は、厚さ1〜2mm程度の四
角い板であり、遠赤外線の放射率が高いコージライト粉
粒体を焼結してなるものである。また、樹脂層16は、
セラミック板14を割れを防止するために設けられたも
のであり、セラミック板14の表面全体を覆っている。
Description
ラミック板が取り付けられた電子部品に関する。
その集積度の向上及び動作の高速化により消費電力が増
大すると共に発熱量も増大し、その放熱対策が大きな問
題となっている。
607号、同平5−338151号、同平6−2463
92号において、遠赤外線を放射する物質を利用した放
熱材を提案している。この放熱材は、電子部品の熱エネ
ルギーを遠赤外線に変換して放射することにより、きわ
めて効率よく放熱を行うことができるものである。
術において、遠赤外線を放射するセラミックによって板
材を成形し、このセラミック板を放熱板として電子部品
に接着して使用することも考えられる。しかしながら、
この場合、セラミックは比較的脆い材料であるので、使
用中にセラミック板が割れてしまうことがある。そし
て、このようにセラミック板が割れてしまうと、セラミ
ックの粉が発生し、電子部品が装着されている基板の回
路の上に落ちて、回路の動作に支障を来す虞がある。
たセラミック板に割れが生じることのない電子部品を提
供することを目的とする。
の請求項1の放熱機能付き電子部品は、遠赤外線を放射
するセラミック板が取り付けられた電子部品であって、
該セラミック板の表面の全部又は一部が樹脂で被覆され
ていることを特徴とする。
本発明によれば、セラミック板が樹脂によって被覆され
て補強されているので、セラミック板の割れが防止され
る。よって、使用中にセラミック板が割れて粉を出すこ
とがないので、電子部品が装着されている基板の回路の
動作に支障を来す虞がない。ここで、本発明において
は、セラミック板の全表面を樹脂で被覆してもよいが、
角部等のように特に割れ易い部分のみを被覆しておいて
もほぼ同じ効果が得られる。なお、本発明のセラミック
板は、電子部品の熱を、遠赤外線に変換して外部に放射
するものである。よって、セラミック板の表面全部を樹
脂で覆ったとしても、電磁波の一種である遠赤外線は樹
脂を透過するので、放熱を行うのに何等支障はない。
ては、遠赤外線の放射特性が優れているもの、即ち遠赤
外線の放射率(放射率とは、同一条件で比較したその物
質と黒体との放射量の比であり、その値が1に近いほど
熱エネルギーの電磁波への変換効率が良いことになる)
が高いものを用いることが好ましい。
例えば、遠赤外線の放射率が高く、しかも低熱膨張性で
耐熱性のあるセラミックスとして、コージライト(2M
gO・2Al2O3・5SiO2),β−スポジューメン
(LiO2・Al2O3・4SiO2),チタン酸アルミニ
ウム(Al2O3・Ti2O3)等が好適に用いられる。更
に、全赤外域で放射率の高いセラミックとして、遷移元
素酸化物系セラミックス(1例として、MnO2:60
%,Fe2O3:20%,CuO:10%,CoO:10
%)を用いることもできる。また、麦飯石を用いること
もできる。
は、遠赤外線の放射特性が優れているものを用いること
が好ましいが、より具体的には、100℃程度以下の常
温域において遠赤外線の放射率が十分にある常温赤外線
放射セラミックを用いることが好ましい。これは、IC
チップが110℃程度で暴走してしまうのに対し、これ
より低い温度領域で十分な放熱特性を発揮するからであ
る。なお、常温赤外線放射セラミックの中でも、遠赤外
線を黒体レベルに近い程度(即ち、例えば放射率が80
%以上)発生放射するものがより好ましい。
明する。ここで、図1(A)は、本実施例の放熱機能付
き電子部品10の斜視図であり、(B)は(A)におけ
るA−A断面図である。
電子部品としてのICチップ12の上面に、セラミック
板14を樹脂層16で被覆してなる放熱板18が接着さ
れたものである。ここで、セラミック板14は、遠赤外
線の放射率が高いコージライト粉粒体を焼結してなるも
のであり、厚さ1〜2mm程度の四角い板状に成形され
ている。また、樹脂層16は、セラミック板14の割れ
を防止するために設けられたものであり、セラミック板
14の表面全体を覆っている。
ップ12からの熱がセラミック板14に効率よく伝導さ
れるように、熱伝導性に優れたものを用いることが好ま
しい。そのような樹脂としては、例えばジメチルシリコ
ーンを用いることができる。この場合、ジメチルシリコ
ーンにさらに銅粉やアルミ粉あるいはアルミナ粉等を混
合したものを用いてもよい。
2 O3 を主成分とするものを用いる。例えば、SiO2
=70wt%、Al2 O3 =15wt%、Fe2 O3 =
3.7wt%、K2 O=3.2wt%、Na2 O=3w
t%、CaO=1.7wt%、MgO=1.64wt
%、TiO2 =0.45wt%、その他の不純物からな
るセラミックを用いる。このセラミックは、実験による
と141.1℃にて図6の様な特性を有している。
覆する方法としては、例えば、セラミック板14を液状
の樹脂の中に浸漬して引き上げ、必要に応じて加熱ある
いは乾燥して、付着した樹脂層を凝固させる方法(いわ
ゆるディッピング被覆)を採用することができる。ま
た、紫外線の照射によって硬化する樹脂を用いて被覆を
行うようにしてもよい。
品10においては、ICチップ12から発生する熱によ
って暖められたセラミック板14が、この熱を遠赤外線
に変換して、放熱板18の外部に放射する。これによ
り、非常に効率よく放熱を行うことができ、ICチップ
12の温度上昇を抑制することができる。
ック板14が樹脂層16で被覆されて補強されているの
で、セラミック板14に割れが生じることがない。よっ
て、使用中にセラミック板14が割れて粉を出す虞がな
い。また、仮にセラミック板14が割れて、セラミック
の粉が出たとしても、セラミック板14全体が樹脂層1
6によって包まれているので、この粉が、ICチップ1
2が装着されている基板の上に落ちることがない。従っ
て、セラミック板の粉が基板の上に落ちて、回路の動作
に支障を来す虞がない。
8の上面に凹凸を設けて表面積を大きくすれば、より一
層放熱の効果が高まるので好ましい。以上実施例につい
て説明したが、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、以下の変形例1〜3に示すように、種々の態様
で実施し得る。 [変形例1]図3(A)に示す放熱板20のように、セ
ラミック板22の上面と下面のみを樹脂層24で被覆し
たものでもよい。この場合も、セラミック板22が樹脂
層24によって補強されるので、セラミック板22の割
れが防止される。
うな方法によって製造することができる。即ち、図3
(B)及び図3(C)(図3(B)におけるB−B断面
図)に示すように、複数のV字状の切り込み26が格子
状に形成されたセラミック板28を製造し、このセラミ
ック板28の表面全体を樹脂で被覆した後、切れ込み2
6に沿ってセラミック板28を割って、複数の放熱板2
0を得る。このような製造方法によれば、大量生産に適
している。 [変形例2]図4(A)及び(B)のC−C断面図に示
す放熱板30のように、セラミック板32の内、特に割
れ易い角部32aを樹脂層34で被覆し、セラミック板
32の上面及び下面に、樹脂層34で覆われない部分を
残しておいてもよい。この場合、図4(B)に示すよう
に、セラミック板32の下面の内、樹脂層34で覆われ
ていない部分をICチップ35に直接接着して使用すれ
ば、ICチップ35の熱がセラミック板32に速やかに
伝えられる。また、セラミック板32の上面が樹脂層3
4で覆われていないので、セラミック板32の内部に熱
がこもりにくい。従って、より一層効率よく放熱を行う
ことができる。しかも、角部32aが樹脂層34で覆わ
れているので、使用中に角部32aが割れてセラミック
の粉を出す虞がない。なお、セラミック板32の内、樹
脂層34で覆われていない部分に放熱用の孔36(2点
鎖線で示す)を設ければ、より一層効率よく放熱を行う
ことができるので好ましい。 [変形例3]図5に示す変形例3は、上記実施例のよう
に放熱板をICチップの上に取り付けるのではなく、放
熱板40を、電子部品としてのトランス42と基板44
との間に挟み、絶縁板としての機能も果たすようにした
ものである。なお、放熱板40は、図1の実施例と同様
に、セラミック板46の全面を樹脂層48で被覆したも
のである。この場合も、上記実施例と同様に、トランス
42より発生する熱がセラミック板46に伝えられる
と、セラミック板46が、この熱を遠赤外線に変換して
外部に放射するので、トランス42の温度上昇を抑制す
ることができる。しかも、絶縁性のセラミック板46及
び樹脂層48によって、トランス42と基板44との間
の絶縁が図られることとなる。
あり、(A)はその斜視図、(B)は(A)におけるA
−A断面図である。
はその斜視図、(B)は放熱板の製造に用いられるセラ
ミック板の平面図、(C)は(B)におけるB−B断面
図である。
はその斜視図、(B)は(A)におけるC−C断面図で
ある。
である。
である。
Claims (1)
- 【請求項1】 遠赤外線を放射するセラミック板が取り
付けられた電子部品であって、該セラミック板の表面の
全部又は一部が樹脂で被覆されていることを特徴とする
放熱機能付き電子部品。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7211813A JP2795626B2 (ja) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | 放熱機能付き電子部品 |
US08/666,892 US5821612A (en) | 1995-08-21 | 1996-06-18 | Heat radiative electronic component |
DE19630002A DE19630002B4 (de) | 1995-08-21 | 1996-07-25 | Elektronisches Wärmestrahlungsbauteil und Verfahren zum Herstellen eines Wärmestrahlungsbauteils |
GB9616654A GB2304455B (en) | 1995-08-21 | 1996-08-08 | A heat radiative electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7211813A JP2795626B2 (ja) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | 放熱機能付き電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0964253A true JPH0964253A (ja) | 1997-03-07 |
JP2795626B2 JP2795626B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=16612026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7211813A Expired - Fee Related JP2795626B2 (ja) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | 放熱機能付き電子部品 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5821612A (ja) |
JP (1) | JP2795626B2 (ja) |
DE (1) | DE19630002B4 (ja) |
GB (1) | GB2304455B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015092600A (ja) * | 2009-07-24 | 2015-05-14 | 株式会社東芝 | 窒化珪素製絶縁シートおよびそれを用いた半導体モジュール構造体 |
WO2019212051A1 (ja) * | 2018-05-02 | 2019-11-07 | デクセリアルズ株式会社 | 熱伝導体、及びこれを用いた電子機器 |
JP2020004955A (ja) * | 2018-05-02 | 2020-01-09 | デクセリアルズ株式会社 | 熱伝導体、及びこれを用いた電子機器 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6084775A (en) * | 1998-12-09 | 2000-07-04 | International Business Machines Corporation | Heatsink and package structures with fusible release layer |
US6367544B1 (en) * | 2000-11-21 | 2002-04-09 | Thermal Corp. | Thermal jacket for reducing condensation and method for making same |
CA2382364C (en) * | 2002-01-21 | 2004-12-07 | Sang-Ho Son | Far-infrared ray radiator and method for manufacturing the same |
US7017655B2 (en) | 2003-12-18 | 2006-03-28 | Modine Manufacturing Co. | Forced fluid heat sink |
US20100155021A1 (en) * | 2008-12-22 | 2010-06-24 | Chin Hsiang Chiang | Heat exchange cooling structure |
JP4881971B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2012-02-22 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体装置 |
US9756764B2 (en) | 2011-08-29 | 2017-09-05 | Aerovironment, Inc. | Thermal management system for an aircraft avionics bay |
US8995131B2 (en) * | 2011-08-29 | 2015-03-31 | Aerovironment, Inc. | Heat transfer system for aircraft structures |
JP2013123014A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
US20150219410A1 (en) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | Asia Vital Components Co., Ltd. | Heat Dissipation Structure Enhancing Heat Source Self Heat Radiation |
CN107041105A (zh) * | 2017-03-23 | 2017-08-11 | 刘秋雷 | 一种仪器仪表的散热装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59202679A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | 松下電工株式会社 | 回路板 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55143042A (en) * | 1979-04-25 | 1980-11-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPH0797616B2 (ja) * | 1986-08-19 | 1995-10-18 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0676790B2 (ja) * | 1987-07-30 | 1994-09-28 | 株式会社東芝 | イグナイタ |
JPH02113561A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-25 | Hitachi Ltd | 放熱用部品 |
EP0484180A1 (en) * | 1990-11-01 | 1992-05-06 | Fujitsu Limited | Packaged semiconductor device having an optimized heat dissipation |
JP2602380B2 (ja) * | 1991-10-23 | 1997-04-23 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5362680A (en) * | 1992-08-18 | 1994-11-08 | Texas Instruments Incorporated | Technique for enhancing adhesion capability of heat spreaders in molded packages |
KR100307465B1 (ko) * | 1992-10-20 | 2001-12-15 | 야기 추구오 | 파워모듈 |
US5369056A (en) * | 1993-03-29 | 1994-11-29 | Staktek Corporation | Warp-resistent ultra-thin integrated circuit package fabrication method |
US5430331A (en) * | 1993-06-23 | 1995-07-04 | Vlsi Technology, Inc. | Plastic encapsulated integrated circuit package having an embedded thermal dissipator |
US5379186A (en) * | 1993-07-06 | 1995-01-03 | Motorola, Inc. | Encapsulated electronic component having a heat diffusing layer |
JP2698036B2 (ja) | 1993-12-07 | 1998-01-19 | 北川工業株式会社 | 電子部品用放熱材 |
JP2638461B2 (ja) | 1993-12-28 | 1997-08-06 | 北川工業株式会社 | 放熱材 |
JPH07261694A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Rohm Co Ltd | 蛍光表示管駆動回路 |
-
1995
- 1995-08-21 JP JP7211813A patent/JP2795626B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-18 US US08/666,892 patent/US5821612A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-25 DE DE19630002A patent/DE19630002B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-08 GB GB9616654A patent/GB2304455B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59202679A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | 松下電工株式会社 | 回路板 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015092600A (ja) * | 2009-07-24 | 2015-05-14 | 株式会社東芝 | 窒化珪素製絶縁シートおよびそれを用いた半導体モジュール構造体 |
WO2019212051A1 (ja) * | 2018-05-02 | 2019-11-07 | デクセリアルズ株式会社 | 熱伝導体、及びこれを用いた電子機器 |
JP2020004955A (ja) * | 2018-05-02 | 2020-01-09 | デクセリアルズ株式会社 | 熱伝導体、及びこれを用いた電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19630002B4 (de) | 2010-11-18 |
DE19630002A1 (de) | 1997-02-27 |
GB2304455B (en) | 1998-07-08 |
US5821612A (en) | 1998-10-13 |
JP2795626B2 (ja) | 1998-09-10 |
GB9616654D0 (en) | 1996-09-25 |
GB2304455A (en) | 1997-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2795626B2 (ja) | 放熱機能付き電子部品 | |
EP1394857A3 (en) | Semiconductor device | |
JP2698036B2 (ja) | 電子部品用放熱材 | |
KR101214762B1 (ko) | 방열 기판 | |
TWI449138B (zh) | 封裝載板 | |
JP3193142B2 (ja) | 基 板 | |
JP2003060140A (ja) | ヒートシンクおよび放熱装置 | |
KR102122210B1 (ko) | 방열 기판, 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 반도체 패키지 | |
JP2009123785A (ja) | 熱伝放射材 | |
JPH10116944A (ja) | 放熱板 | |
JP2016162888A (ja) | 電子装置 | |
WO2022270161A1 (ja) | 半導体モジュール | |
KR102510878B1 (ko) | 음각형 표면 형상의 패키지 하우징 구비한 반도체 패키지 | |
JPH0778901A (ja) | 半導体デバイス | |
JP2005277381A (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP2003068954A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JP2015115578A (ja) | 発光装置、及びその製造方法 | |
JP2005277382A (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP3570852B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JP2002043480A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04257248A (ja) | 混成集積回路装置 | |
JP2515671Y2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JPS6312384B2 (ja) | ||
JP2001237366A (ja) | 半導体装置 | |
JP2004281643A (ja) | 放熱構造 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090626 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100626 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110626 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130626 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130626 Year of fee payment: 15 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |