JPH0963703A - 端子間シールドコネクタとその製法 - Google Patents
端子間シールドコネクタとその製法Info
- Publication number
- JPH0963703A JPH0963703A JP23792995A JP23792995A JPH0963703A JP H0963703 A JPH0963703 A JP H0963703A JP 23792995 A JP23792995 A JP 23792995A JP 23792995 A JP23792995 A JP 23792995A JP H0963703 A JPH0963703 A JP H0963703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal pin
- shell
- plating
- terminal
- shield
- Prior art date
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- Granted
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- Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電界、磁界両方のノイズに対するシールドの
信頼性を高め、周波数に応じて必要最小限の厚さにする
ことで軽量化を実現し、構造および製造工程が簡単にし
て製造コストの低減を図ること。 【解決手段】 雄型コネクタ５の一次成形品であるシェ
ル１には、合成樹脂製で複数の貫通孔を有しかつ全面に
シールド用のメッキ２を施してあり、このメッキは、下
地として銅メッキ２１の上にニッケル・鉄メッキ２２を
施した二重層である。端子ピン挿着体３は、シェル１の
貫通孔を被覆しかつ端子ピン挿着孔３ａを有し、端子ピ
ン４はこの端子ピン挿着孔に挿着してある。
信頼性を高め、周波数に応じて必要最小限の厚さにする
ことで軽量化を実現し、構造および製造工程が簡単にし
て製造コストの低減を図ること。 【解決手段】 雄型コネクタ５の一次成形品であるシェ
ル１には、合成樹脂製で複数の貫通孔を有しかつ全面に
シールド用のメッキ２を施してあり、このメッキは、下
地として銅メッキ２１の上にニッケル・鉄メッキ２２を
施した二重層である。端子ピン挿着体３は、シェル１の
貫通孔を被覆しかつ端子ピン挿着孔３ａを有し、端子ピ
ン４はこの端子ピン挿着孔に挿着してある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばパーソナル
コンピュータのインターフェース用として使用される高
速用の端子間シールドコネクタおよびその製法に関す
る。
コンピュータのインターフェース用として使用される高
速用の端子間シールドコネクタおよびその製法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータでの電波
の信号スピードは極めて早くなり、そのため、信号間に
混線が発生する危険性が高まって、このノイズ対策が必
要である。そのため、従来から絶縁性樹脂で成形された
一次成形品であるシェルの壁内にシールド板を圧入する
ことにより埋設したものがあり、このような端子間シー
ルにより端子間に流れる電波を遮断することが必要にな
っている。そこで、本願出願人は、先にシェル（ハウジ
ング）と、端子ピン挿着体と、端子ピンとからなり、上
記シェルは、合成樹脂製で複数の貫通孔を有しかつ全面
にシールド用の無電解メッキとして銅メッキを施してあ
り、上記端子ピン挿着体は、絶縁性樹脂製であり上記シ
ェルの上記貫通孔を被覆しかつ端子ピン挿着孔を有し、
上記端子ピンは、上記端子ピン挿着孔に挿着してあるこ
とを特徴とする端子間シールドコネクタを提案した（特
願平７−１７５６３１号）。
の信号スピードは極めて早くなり、そのため、信号間に
混線が発生する危険性が高まって、このノイズ対策が必
要である。そのため、従来から絶縁性樹脂で成形された
一次成形品であるシェルの壁内にシールド板を圧入する
ことにより埋設したものがあり、このような端子間シー
ルにより端子間に流れる電波を遮断することが必要にな
っている。そこで、本願出願人は、先にシェル（ハウジ
ング）と、端子ピン挿着体と、端子ピンとからなり、上
記シェルは、合成樹脂製で複数の貫通孔を有しかつ全面
にシールド用の無電解メッキとして銅メッキを施してあ
り、上記端子ピン挿着体は、絶縁性樹脂製であり上記シ
ェルの上記貫通孔を被覆しかつ端子ピン挿着孔を有し、
上記端子ピンは、上記端子ピン挿着孔に挿着してあるこ
とを特徴とする端子間シールドコネクタを提案した（特
願平７−１７５６３１号）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、一次成形品に
施された銅メッキは、電界によるノイズ対策としては導
電性が高いので有効であるが、磁界によるノイズに対し
ては透磁性がないためシールド効果がない。
施された銅メッキは、電界によるノイズ対策としては導
電性が高いので有効であるが、磁界によるノイズに対し
ては透磁性がないためシールド効果がない。
【０００４】そこで本発明の目的は、電界、磁界の両方
によるノイズに対するシールドの信頼性をさらに高め、
軽量化を実現し、製造コストの低減を図ることのできる
端子間シールドコネクタおよびその製法を提供すること
にある。
によるノイズに対するシールドの信頼性をさらに高め、
軽量化を実現し、製造コストの低減を図ることのできる
端子間シールドコネクタおよびその製法を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る端子間シー
ルドコネクタの特徴は、シェルと、端子ピン挿着体と、
端子ピンとからなり、上記シェルは、合成樹脂製で複数
の貫通孔を有しかつ全面にシールド用メッキが施してあ
り、上記メッキは、下地の銅メッキに透磁性金属メッキ
を施した二重層構造であり、上記端子ピン挿着体は、絶
縁性樹脂製であり上記シェルの上記貫通孔を被覆しかつ
端子ピン挿着孔を有し、上記端子ピンは、上記端子ピン
挿着孔に挿着してあり、上記端子ピンは、上記シェルを
芯部として２段階の上記二重層構造のシールド用メッキ
によってシールドされているところにある。
ルドコネクタの特徴は、シェルと、端子ピン挿着体と、
端子ピンとからなり、上記シェルは、合成樹脂製で複数
の貫通孔を有しかつ全面にシールド用メッキが施してあ
り、上記メッキは、下地の銅メッキに透磁性金属メッキ
を施した二重層構造であり、上記端子ピン挿着体は、絶
縁性樹脂製であり上記シェルの上記貫通孔を被覆しかつ
端子ピン挿着孔を有し、上記端子ピンは、上記端子ピン
挿着孔に挿着してあり、上記端子ピンは、上記シェルを
芯部として２段階の上記二重層構造のシールド用メッキ
によってシールドされているところにある。
【０００６】本発明に係る端子間シールドコネクタの製
法の特徴は、合成樹脂により複数の孔を有する一次成形
品であるシェルを成形し、このシェルの全面を下地の銅
メッキした後透磁性金属メッキを施した二重層のシール
ド用のメッキを施し、その後上記シェルの上記孔部に絶
縁性樹脂を充填することにより端子ピン挿着孔を有する
二次成形品を成形し、上記端子ピン挿着孔に端子ピンを
挿着するところにある。
法の特徴は、合成樹脂により複数の孔を有する一次成形
品であるシェルを成形し、このシェルの全面を下地の銅
メッキした後透磁性金属メッキを施した二重層のシール
ド用のメッキを施し、その後上記シェルの上記孔部に絶
縁性樹脂を充填することにより端子ピン挿着孔を有する
二次成形品を成形し、上記端子ピン挿着孔に端子ピンを
挿着するところにある。
【０００７】
【発明の実施の形態】図面を参照して本発明の実施例を
説明する。端子間シールドコネクタは雄型コネクタと雌
型コネクタとを嵌合し、一体化させてからこの雌型コネ
クタを回路基板に実装するものであるが、この雄、雌の
両型コネクタは本発明の技術的思想において実質的に同
一構成のものであるので、本発明の実施の形態では、図
６に示す雄型コネクタを参照してその製法について説明
し、雌型コネクタの説明は省略する。
説明する。端子間シールドコネクタは雄型コネクタと雌
型コネクタとを嵌合し、一体化させてからこの雌型コネ
クタを回路基板に実装するものであるが、この雄、雌の
両型コネクタは本発明の技術的思想において実質的に同
一構成のものであるので、本発明の実施の形態では、図
６に示す雄型コネクタを参照してその製法について説明
し、雌型コネクタの説明は省略する。
【０００８】先ず、図１に示すように、合成樹脂により
一次成形品であるシェル（Ｓｈｅｌｌ）１を成形し、こ
のシェルには複数の貫通孔１ａ…が上下方向に２列の貫
通状態で射出成形してある。このシェル１の素材の合成
樹脂としては、単一のプラスチックのみならず、ガラス
繊維、ピロリン酸カルシウム、チタン酸カリウル繊維な
どのフィラーを混入したもの、その他液晶ポリマーが使
用され、このポリマーとしては、芳香族系ポリエステル
液晶ポリマー、熱可塑性結晶ポリエステル樹脂がある。
その後、図２に示すように、シェル１の全面にシールド
用のメッキ２が施されるが、予めこのメッキ用の触媒を
付与しておくことが必要である。この触媒付与方法に
は、実用的なものとしてキャタリスト・アクセレータ法
とセンシタイジング・アクチペーチング法とがあり、前
者は、錫，パラジウム系の混合触媒液に浸漬した後、塩
酸，硫酸などの酸で活性化し、シェルの表面にパラジウ
ムを析出させる方法である。後者は、先ず塩化第１錫，
次亜リン酸，塩化ヒトラジンなどの比較的強い還元剤を
シェル表面に吸着させ、ついでパラジウム、金などの貴
金属イオンを含む触媒溶液に浸漬し、このシェル表面に
貴金属を析出させる方法である。
一次成形品であるシェル（Ｓｈｅｌｌ）１を成形し、こ
のシェルには複数の貫通孔１ａ…が上下方向に２列の貫
通状態で射出成形してある。このシェル１の素材の合成
樹脂としては、単一のプラスチックのみならず、ガラス
繊維、ピロリン酸カルシウム、チタン酸カリウル繊維な
どのフィラーを混入したもの、その他液晶ポリマーが使
用され、このポリマーとしては、芳香族系ポリエステル
液晶ポリマー、熱可塑性結晶ポリエステル樹脂がある。
その後、図２に示すように、シェル１の全面にシールド
用のメッキ２が施されるが、予めこのメッキ用の触媒を
付与しておくことが必要である。この触媒付与方法に
は、実用的なものとしてキャタリスト・アクセレータ法
とセンシタイジング・アクチペーチング法とがあり、前
者は、錫，パラジウム系の混合触媒液に浸漬した後、塩
酸，硫酸などの酸で活性化し、シェルの表面にパラジウ
ムを析出させる方法である。後者は、先ず塩化第１錫，
次亜リン酸，塩化ヒトラジンなどの比較的強い還元剤を
シェル表面に吸着させ、ついでパラジウム、金などの貴
金属イオンを含む触媒溶液に浸漬し、このシェル表面に
貴金属を析出させる方法である。
【０００９】シールド用のメッキ２は、図３，４に示す
ように、先ず下地として無電解の銅メッキ２１をした
後、さらにこの銅メッキの上に透磁性金属メッキ例えば
電界ニッケル・鉄メッキ２２を施し二重層とする。この
ニッケル・鉄メッキ２２は、ニッケル８０％、鉄２０％
のアロイメッキで、鉄を含んでいるため透磁性が極めて
高い。また、メッキ厚は、銅メッキ２１が５ミクロン、
ニッケル・鉄メッキ２２が１０ミクロン程度であれば、
低周波領域のノイズ例えば５０ＫＨｚ〜３ＧＨｚでのシ
ールドは十分である。
ように、先ず下地として無電解の銅メッキ２１をした
後、さらにこの銅メッキの上に透磁性金属メッキ例えば
電界ニッケル・鉄メッキ２２を施し二重層とする。この
ニッケル・鉄メッキ２２は、ニッケル８０％、鉄２０％
のアロイメッキで、鉄を含んでいるため透磁性が極めて
高い。また、メッキ厚は、銅メッキ２１が５ミクロン、
ニッケル・鉄メッキ２２が１０ミクロン程度であれば、
低周波領域のノイズ例えば５０ＫＨｚ〜３ＧＨｚでのシ
ールドは十分である。
【００１０】その後、図３〜５に示すようにシェル１の
貫通孔１ａ内に絶縁性樹脂を充填することにより、複数
の端子ピン挿着孔３ａ…を有する端子ピン挿着体３を射
出成形して二次成形品を成形する。なお、前記の絶縁性
樹脂としては、液晶ポリマーが使用され、このポリマー
としては、芳香族系ポリエステル液晶ポリマー、熱可塑
性結晶ポリエステル樹脂がある。
貫通孔１ａ内に絶縁性樹脂を充填することにより、複数
の端子ピン挿着孔３ａ…を有する端子ピン挿着体３を射
出成形して二次成形品を成形する。なお、前記の絶縁性
樹脂としては、液晶ポリマーが使用され、このポリマー
としては、芳香族系ポリエステル液晶ポリマー、熱可塑
性結晶ポリエステル樹脂がある。
【００１１】二次成形品の端子ピン挿着孔３ａ…のそれ
ぞれには、端子ピン４…を挿着し、図６に示す完成品と
しての雄型コネクタ５ができる。
ぞれには、端子ピン４…を挿着し、図６に示す完成品と
しての雄型コネクタ５ができる。
【００１２】したがって、雄型コネクタ５の内部構造
は、図３，４に示すように、２列の端子ピン４，４の間
は、シェル１を芯部としてその両側（全周）は、二重層
のメッキ２１，２２が施してある。即ち、両端子ピン
４，４の間は、シェル１を芯部として両側の二重層メッ
キ２１，２２により二段階のシールド作用を有する。さ
らに、２列の端子ピン４，４のそれぞれの外側も、シェ
ル１を芯部として２段階の二重層メッキ２１，２２によ
り２段階のシールド作用を有する。
は、図３，４に示すように、２列の端子ピン４，４の間
は、シェル１を芯部としてその両側（全周）は、二重層
のメッキ２１，２２が施してある。即ち、両端子ピン
４，４の間は、シェル１を芯部として両側の二重層メッ
キ２１，２２により二段階のシールド作用を有する。さ
らに、２列の端子ピン４，４のそれぞれの外側も、シェ
ル１を芯部として２段階の二重層メッキ２１，２２によ
り２段階のシールド作用を有する。
【００１３】次に本発明の作用について説明すると、図
７，８に示すように雄型コネクタ５のシェル１の全面に
シールド用のメッキ２の銅メッキ２１とニッケル・鉄メ
ッキ２２の二重層である。なお、雌型コネクタも図示し
ていないが、雄型コネクタ５同様にそのシェルの全面に
メッキが施してあり、このメッキも、銅メッキとニッケ
ル・鉄メッキの二重層としてあるので、銅メッキ２１
は、その導電性により電界ノイズをシールドし、ニッケ
ル・鉄メッキ２２は、その高透磁性により磁界ノイズを
シールドするものである。
７，８に示すように雄型コネクタ５のシェル１の全面に
シールド用のメッキ２の銅メッキ２１とニッケル・鉄メ
ッキ２２の二重層である。なお、雌型コネクタも図示し
ていないが、雄型コネクタ５同様にそのシェルの全面に
メッキが施してあり、このメッキも、銅メッキとニッケ
ル・鉄メッキの二重層としてあるので、銅メッキ２１
は、その導電性により電界ノイズをシールドし、ニッケ
ル・鉄メッキ２２は、その高透磁性により磁界ノイズを
シールドするものである。
【００１４】さらに具体的に説明する。先ず磁界ノイズ
のシールドについて説明すると、図７に示すように、端
子ピン４…からのノイズＮ１はニッケル・鉄メッキ２２
によりシールドされて、ノイズＮ２のようにシールドさ
れる。また、磁界ノイズＮ１が、もしニッケル・鉄メッ
キ２２を通過しても、この磁界ノイズは減衰しており、
この減衰した磁界ノイズは第１段の下地の銅メッキ２１
を通過し、ノイズＮ３となって芯部たるシェル１内部を
通過し、第２段の銅メッキ２１も通過するが、この第２
段のニッケル・鉄メッキ２２により完全にシールドさ
れ、ノイズＮ４のように内部反射するため磁界ノイズの
透過波はなくなる。これは、ニッケル・鉄メッキ２２
に、もしピンホールがあった場合も同様なシールド効果
を有する。
のシールドについて説明すると、図７に示すように、端
子ピン４…からのノイズＮ１はニッケル・鉄メッキ２２
によりシールドされて、ノイズＮ２のようにシールドさ
れる。また、磁界ノイズＮ１が、もしニッケル・鉄メッ
キ２２を通過しても、この磁界ノイズは減衰しており、
この減衰した磁界ノイズは第１段の下地の銅メッキ２１
を通過し、ノイズＮ３となって芯部たるシェル１内部を
通過し、第２段の銅メッキ２１も通過するが、この第２
段のニッケル・鉄メッキ２２により完全にシールドさ
れ、ノイズＮ４のように内部反射するため磁界ノイズの
透過波はなくなる。これは、ニッケル・鉄メッキ２２
に、もしピンホールがあった場合も同様なシールド効果
を有する。
【００１５】電界によるノイズは、図８のＮ１０に示す
ように導電体であるニッケル・鉄メッキ２２において、
少なくとも一部はシールドされる。一部の電界ノイズが
このニッケル・鉄メッキを透過しても、このニッケル・
鉄メッキよりも高い導電性である銅メッキ２１の前面で
内部反射するため、Ｎ２０に示すようにこのノイズは完
全にシールドされる。また、電界ノイズＮ１０が、もし
第１段の銅メッキ２１を通過することがあっても、ノイ
ズはＮ３０に示すように直ちに減衰し、芯部たるシェル
１を通過しても、このノイズはＮ４０に示すように第２
段の銅メッキ２１により内部反射して遮断され、この電
界ノイズの透過波はなくなり、シールド効果は完全かつ
確実となる。これは第１段の銅メッキ２１にピンホール
があった場合でも、電界ノイズに対するシールド効果に
おいて同一である。
ように導電体であるニッケル・鉄メッキ２２において、
少なくとも一部はシールドされる。一部の電界ノイズが
このニッケル・鉄メッキを透過しても、このニッケル・
鉄メッキよりも高い導電性である銅メッキ２１の前面で
内部反射するため、Ｎ２０に示すようにこのノイズは完
全にシールドされる。また、電界ノイズＮ１０が、もし
第１段の銅メッキ２１を通過することがあっても、ノイ
ズはＮ３０に示すように直ちに減衰し、芯部たるシェル
１を通過しても、このノイズはＮ４０に示すように第２
段の銅メッキ２１により内部反射して遮断され、この電
界ノイズの透過波はなくなり、シールド効果は完全かつ
確実となる。これは第１段の銅メッキ２１にピンホール
があった場合でも、電界ノイズに対するシールド効果に
おいて同一である。
【００１６】また、下地の銅メッキ２１の腐食は、ニッ
ケル・鉄メッキ２２により防止されるばかりでなく、こ
の銅メッキは、その線膨脹係数（０．１６７８）が、一
次成形品のシェル１の素材の液晶ポリマーに比較的に近
いので熱環境変化に対した密着性が確保できる。
ケル・鉄メッキ２２により防止されるばかりでなく、こ
の銅メッキは、その線膨脹係数（０．１６７８）が、一
次成形品のシェル１の素材の液晶ポリマーに比較的に近
いので熱環境変化に対した密着性が確保できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、一次成形品であるシェルに
は、銅と透磁性金属の二重層のメッキしてあるので、電
界、磁界両方のノイズに対するシールドの信頼性をさら
に高め、二重層にすることで周波数に応じて必要最小限
の厚さにすることで軽量化を実現し、構造および製造工
程が簡単になっているので製造コストの低減を図ること
ができる。特に、端子ピンはシェルを芯部として２段階
の二重層構造のシールド用メッキによってシールドされ
ているので、電界、磁界両方のノイズに対するこのシー
ルド効果はさらに確実である。また、一次成形品の素材
として液晶ポリマーを使用した場合は、銅メッキはこの
一次成形品との密着性が高い。
は、銅と透磁性金属の二重層のメッキしてあるので、電
界、磁界両方のノイズに対するシールドの信頼性をさら
に高め、二重層にすることで周波数に応じて必要最小限
の厚さにすることで軽量化を実現し、構造および製造工
程が簡単になっているので製造コストの低減を図ること
ができる。特に、端子ピンはシェルを芯部として２段階
の二重層構造のシールド用メッキによってシールドされ
ているので、電界、磁界両方のノイズに対するこのシー
ルド効果はさらに確実である。また、一次成形品の素材
として液晶ポリマーを使用した場合は、銅メッキはこの
一次成形品との密着性が高い。
【図１】雄型コネクタの一次成形品の斜視図である。
【図２】雄型コネクタの一次成形品にシールド用メッキ
を施した状態の斜視図である。
を施した状態の斜視図である。
【図３】図６ａ−ａ線拡大断面図である。
【図４】図３のＡ部の拡大断面図である。
【図５】端子ピン挿着体を形成した二次成形品と端子ピ
ンとを展開して示す斜視図である。
ンとを展開して示す斜視図である。
【図６】雄型コネクタの完成品の斜視図である。
【図７】図４を更に拡大し磁界によるノイズのシールド
状態を示す拡大断面図である。
状態を示す拡大断面図である。
【図８】図４を更に拡大し電界によるノイズのシールド
状態を示す拡大断面図である。
状態を示す拡大断面図である。
１ 一次成形品（シェル） １ａ 貫通孔 ２ シールド用のメッキ ２１ 下地の銅メッキ ２２ 透磁性金属メッキ（ニッケル・鉄メッキ） ３ 端子ピン挿着体 ３ａ 端子ピン挿着孔 ４ 端子ピン ５ 雄型コネクタ
Claims (2)
- 【請求項１】 シェルと、端子ピン挿着体と、端子ピン
とからなり、 上記シェルは、合成樹脂製で複数の貫通孔を有しかつ全
面にシールド用メッキが施してあり、 上記メッキは、下地の銅メッキに透磁性金属メッキを施
した二重層構造であり、 上記端子ピン挿着体は、絶縁性樹脂製であり上記シェル
の上記貫通孔を被覆しかつ端子ピン挿着孔を有し、 上記端子ピンは、上記端子ピン挿着孔に挿着してあり、 上記端子ピンは、上記シェルを芯部として２段階の上記
二重層構造のシールド用メッキによってシールドされて
いることを特徴とする端子間シールドコネクタ。 - 【請求項２】 合成樹脂により複数の孔を有する一次成
形品であるシェルを成形し、このシェルの全面を下地の
銅メッキした後透磁性金属メッキを施した二重層のシー
ルド用のメッキを施し、その後上記シェルの上記孔部に
絶縁性樹脂を充填することにより端子ピン挿着孔を有す
る二次成形品を成形し、上記端子ピン挿着孔に端子ピン
を挿着することを特徴とする端子間シールドコネクタの
製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23792995A JP3679470B2 (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 端子間シールドコネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23792995A JP3679470B2 (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 端子間シールドコネクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0963703A true JPH0963703A (ja) | 1997-03-07 |
| JP3679470B2 JP3679470B2 (ja) | 2005-08-03 |
Family
ID=17022554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23792995A Expired - Fee Related JP3679470B2 (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 端子間シールドコネクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3679470B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100463309C (zh) * | 2006-09-30 | 2009-02-18 | 番禺得意精密电子工业有限公司 | 一种电连接器及其制造方法 |
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| WO2014007076A1 (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-09 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 基板を備える電気機器 |
| CN104781998A (zh) * | 2012-11-12 | 2015-07-15 | 浩亭电子有限公司 | 具有屏蔽十字架的绝缘体 |
| WO2017043348A1 (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | オムロン株式会社 | 磁気シールド構造 |
| CN113991341A (zh) * | 2021-10-25 | 2022-01-28 | 东莞市安阔欣精密电子有限公司 | 高频性能较优的连接器及其制备方法 |
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| US11522310B2 (en) | 2012-08-22 | 2022-12-06 | Amphenol Corporation | High-frequency electrical connector |
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