JP3679470B2 - 端子間シールドコネクタ - Google Patents
端子間シールドコネクタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3679470B2 JP3679470B2 JP23792995A JP23792995A JP3679470B2 JP 3679470 B2 JP3679470 B2 JP 3679470B2 JP 23792995 A JP23792995 A JP 23792995A JP 23792995 A JP23792995 A JP 23792995A JP 3679470 B2 JP3679470 B2 JP 3679470B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- shell
- terminal
- terminal pin
- shielded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばパーソナルコンピュータのインターフェース用として使用される高速用の端子間シールドコネクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、パーソナルコンピュータでの電波の信号スピードは極めて早くなり、そのため、信号間に混線が発生する危険性が高まって、このノイズ対策が必要である。そのため、従来から絶縁性樹脂で成形された一次成形品であるシェルの壁内にシールド板を圧入することにより埋設したものがあり、このような端子間シールにより端子間に流れる電波を遮断することが必要になっている。そこで、本願出願人は、先にシェル（ハウジング）と、端子ピン挿着体と、端子ピンとからなり、上記シェルは、合成樹脂製で複数の貫通孔を有しかつ全面にシールド用の無電解メッキとして銅メッキを施してあり、上記端子ピン挿着体は、絶縁性樹脂製であり上記シェルの上記貫通孔を被覆しかつ端子ピン挿着孔を有し、上記端子ピンは、上記端子ピン挿着孔に挿着してあることを特徴とする端子間シールドコネクタを提案した（特願平７−１７５６３１号）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、一次成形品に施された銅メッキは、電界によるノイズ対策としては導電性が高いので有効であるが、磁界によるノイズに対しては透磁性がないためシールド効果がない。
【０００４】
そこで本発明の目的は、電界、磁界の両方によるノイズに対するシールドの信頼性をさらに高め、軽量化を実現し、製造コストの低減を図ることのできる端子間シールドコネクタおよびその製法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る端子間シールドコネクタの特徴は、シェルと、端子ピン挿着体と、複数の端子ピンとからなり、上記シェルは、合成樹脂製で複数の貫通孔を有しかつ全面にシールド用メッキが施してあり、上記メッキは、下地の銅メッキに透磁性金属メッキを施した二重層構造であり、上記端子ピン挿着体は、絶縁性樹脂製であり上記シェルの上記貫通孔を被覆しかつ端子ピン挿着孔を有し、上記端子ピンは、上記端子ピン挿着孔のそれぞれに挿着してあり、上記複数の端子ピンの間及びこの端子ピンの外側は、上記シェルを芯部としてその全周は第１段、第２段の二段階のシールド作用をするための上記二重層構造のシールド用メッキによってシールドされており、上記端子ピンからの磁界ノイズは上記第１段の透磁性金属メッキでシールドされ、この透磁性金属メッキを通過した磁界ノイズは上記第２段の透磁性金属メッキによりシールドでき、上記端子ピンからの電界ノイズは上記第１段の銅メッキでシールドされ、この銅メッキを通過した電界ノイズは上記第２段の銅メッキによりシールドできるところにある。
【０００６】
本発明に係る端子間シールドコネクタの第２の特徴は、上記シェルの素材が液晶ポリマーであるところにある。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図面を参照して本発明の実施例を説明する。端子間シールドコネクタは雄型コネクタと雌型コネクタとを嵌合し、一体化させてからこの雌型コネクタを回路基板に実装するものであるが、この雄、雌の両型コネクタは本発明の技術的思想において実質的に同一構成のものであるので、本発明の実施の形態では、図６に示す雄型コネクタを参照してその製法について説明し、雌型コネクタの説明は省略する。
【０００８】
先ず、図１に示すように、合成樹脂により一次成形品であるシェル（Ｓｈｅｌｌ）１を成形し、このシェルには複数の貫通孔１ａ…が上下方向に２列の貫通状態で射出成形してある。このシェル１の素材の合成樹脂としては、単一のプラスチックのみならず、ガラス繊維、ピロリン酸カルシウム、チタン酸カリウル繊維などのフィラーを混入したもの、その他液晶ポリマーが使用され、このポリマーとしては、芳香族系ポリエステル液晶ポリマー、熱可塑性結晶ポリエステル樹脂がある。その後、図２に示すように、シェル１の全面にシールド用のメッキ２が施されるが、予めこのメッキ用の触媒を付与しておくことが必要である。この触媒付与方法には、実用的なものとしてキャタリスト・アクセレータ法とセンシタイジング・アクチペーチング法とがあり、前者は、錫，パラジウム系の混合触媒液に浸漬した後、塩酸，硫酸などの酸で活性化し、シェルの表面にパラジウムを析出させる方法である。後者は、先ず塩化第１錫，次亜リン酸，塩化ヒトラジンなどの比較的強い還元剤をシェル表面に吸着させ、ついでパラジウム、金などの貴金属イオンを含む触媒溶液に浸漬し、このシェル表面に貴金属を析出させる方法である。
【０００９】
シールド用のメッキ２は、図３，４に示すように、先ず下地として無電解の銅メッキ２１をした後、さらにこの銅メッキの上に透磁性金属メッキ例えば電界ニッケル・鉄メッキ２２を施し二重層とする。このニッケル・鉄メッキ２２は、ニッケル８０％、鉄２０％のアロイメッキで、鉄を含んでいるため透磁性が極めて高い。また、メッキ厚は、銅メッキ２１が５ミクロン、ニッケル・鉄メッキ２２が１０ミクロン程度であれば、低周波領域のノイズ例えば５０ＫＨｚ〜３ＧＨｚでのシールドは十分である。
【００１０】
その後、図３〜５に示すようにシェル１の貫通孔１ａ内に絶縁性樹脂を充填することにより、複数の端子ピン挿着孔３ａ…を有する端子ピン挿着体３を射出成形して二次成形品を成形する。なお、前記の絶縁性樹脂としては、液晶ポリマーが使用され、このポリマーとしては、芳香族系ポリエステル液晶ポリマー、熱可塑性結晶ポリエステル樹脂がある。
【００１１】
二次成形品の端子ピン挿着孔３ａ…のそれぞれには、端子ピン４…を挿着し、図６に示す完成品としての雄型コネクタ５ができる。
【００１２】
したがって、雄型コネクタ５の内部構造は、図３，４に示すように、２列の端子ピン４，４の間は、シェル１を芯部としてその両側（全周）は、二重層のメッキ２１，２２が施してある。即ち、両端子ピン４，４の間は、シェル１を芯部として両側の二重層メッキ２１，２２により二段階のシールド作用を有する。さらに、２列の端子ピン４，４のそれぞれの外側も、シェル１を芯部として２段階の二重層メッキ２１，２２により２段階のシールド作用を有する。
【００１３】
次に本発明の作用について説明すると、図７，８に示すように雄型コネクタ５のシェル１の全面にシールド用のメッキ２の銅メッキ２１とニッケル・鉄メッキ２２の二重層である。なお、雌型コネクタも図示していないが、雄型コネクタ５同様にそのシェルの全面にメッキが施してあり、このメッキも、銅メッキとニッケル・鉄メッキの二重層としてあるので、銅メッキ２１は、その導電性により電界ノイズをシールドし、ニッケル・鉄メッキ２２は、その高透磁性により磁界ノイズをシールドするものである。
【００１４】
さらに具体的に説明する。先ず磁界ノイズのシールドについて説明すると、図７に示すように、端子ピン４…からのノイズＮ１はニッケル・鉄メッキ２２によりシールドされて、ノイズＮ２のようにシールドされる。また、磁界ノイズＮ１が、もしニッケル・鉄メッキ２２を通過しても、この磁界ノイズは減衰しており、この減衰した磁界ノイズは第１段の下地の銅メッキ２１を通過し、ノイズＮ３となって芯部たるシェル１内部を通過し、第２段の銅メッキ２１も通過するが、この第２段のニッケル・鉄メッキ２２により完全にシールドされ、ノイズＮ４のように内部反射するため磁界ノイズの透過波はなくなる。これは、ニッケル・鉄メッキ２２に、もしピンホールがあった場合も同様なシールド効果を有する。
【００１５】
電界によるノイズは、図８のＮ１０に示すように導電体であるニッケル・鉄メッキ２２において、少なくとも一部はシールドされる。一部の電界ノイズがこのニッケル・鉄メッキを透過しても、このニッケル・鉄メッキよりも高い導電性である銅メッキ２１の前面で内部反射するため、Ｎ２０に示すようにこのノイズは完全にシールドされる。また、電界ノイズＮ１０が、もし第１段の銅メッキ２１を通過することがあっても、ノイズはＮ３０に示すように直ちに減衰し、芯部たるシェル１を通過しても、このノイズはＮ４０に示すように第２段の銅メッキ２１により内部反射して遮断され、この電界ノイズの透過波はなくなり、シールド効果は完全かつ確実となる。これは第１段の銅メッキ２１にピンホールがあった場合でも、電界ノイズに対するシールド効果において同一である。
【００１６】
また、下地の銅メッキ２１の腐食は、ニッケル・鉄メッキ２２により防止されるばかりでなく、この銅メッキは、その線膨脹係数（０．１６７８）が、一次成形品のシェル１の素材の液晶ポリマーに比較的に近いので熱環境変化に対した密着性が確保できる。
【００１７】
【発明の効果】
本発明は、一次成形品であるシェルには、銅と透磁性金属の二重層のメッキしてあるので、電界、磁界両方のノイズに対するシールドの信頼性をさらに高め、二重層にすることで周波数に応じて必要最小限の厚さにすることで軽量化を実現し、構造および製造工程が簡単になっているので製造コストの低減を図ることができる。特に、端子ピンはシェルを芯部として２段階の二重層構造のシールド用メッキによってシールドされているので、電界、磁界両方のノイズに対するこのシールド効果はさらに確実である。また、一次成形品の素材として液晶ポリマーを使用した場合は、銅メッキはこの一次成形品との密着性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】 雄型コネクタの一次成形品の斜視図である。
【図２】 雄型コネクタの一次成形品にシールド用メッキを施した状態の斜視図である。
【図３】 図６ａ−ａ線拡大断面図である。
【図４】 図３のＡ部の拡大断面図である。
【図５】 端子ピン挿着体を形成した二次成形品と端子ピンとを展開して示す斜視図である。
【図６】 雄型コネクタの完成品の斜視図である。
【図７】 図４を更に拡大し磁界によるノイズのシールド状態を示す拡大断面図である。
【図８】 図４を更に拡大し電界によるノイズのシールド状態を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
１ 一次成形品（シェル）
１ａ 貫通孔
２ シールド用のメッキ
２１ 下地の銅メッキ
２２ 透磁性金属メッキ（ニッケル・鉄メッキ）
３ 端子ピン挿着体
３ａ 端子ピン挿着孔
４ 端子ピン
５ 雄型コネクタ
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばパーソナルコンピュータのインターフェース用として使用される高速用の端子間シールドコネクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、パーソナルコンピュータでの電波の信号スピードは極めて早くなり、そのため、信号間に混線が発生する危険性が高まって、このノイズ対策が必要である。そのため、従来から絶縁性樹脂で成形された一次成形品であるシェルの壁内にシールド板を圧入することにより埋設したものがあり、このような端子間シールにより端子間に流れる電波を遮断することが必要になっている。そこで、本願出願人は、先にシェル（ハウジング）と、端子ピン挿着体と、端子ピンとからなり、上記シェルは、合成樹脂製で複数の貫通孔を有しかつ全面にシールド用の無電解メッキとして銅メッキを施してあり、上記端子ピン挿着体は、絶縁性樹脂製であり上記シェルの上記貫通孔を被覆しかつ端子ピン挿着孔を有し、上記端子ピンは、上記端子ピン挿着孔に挿着してあることを特徴とする端子間シールドコネクタを提案した（特願平７−１７５６３１号）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、一次成形品に施された銅メッキは、電界によるノイズ対策としては導電性が高いので有効であるが、磁界によるノイズに対しては透磁性がないためシールド効果がない。
【０００４】
そこで本発明の目的は、電界、磁界の両方によるノイズに対するシールドの信頼性をさらに高め、軽量化を実現し、製造コストの低減を図ることのできる端子間シールドコネクタおよびその製法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る端子間シールドコネクタの特徴は、シェルと、端子ピン挿着体と、複数の端子ピンとからなり、上記シェルは、合成樹脂製で複数の貫通孔を有しかつ全面にシールド用メッキが施してあり、上記メッキは、下地の銅メッキに透磁性金属メッキを施した二重層構造であり、上記端子ピン挿着体は、絶縁性樹脂製であり上記シェルの上記貫通孔を被覆しかつ端子ピン挿着孔を有し、上記端子ピンは、上記端子ピン挿着孔のそれぞれに挿着してあり、上記複数の端子ピンの間及びこの端子ピンの外側は、上記シェルを芯部としてその全周は第１段、第２段の二段階のシールド作用をするための上記二重層構造のシールド用メッキによってシールドされており、上記端子ピンからの磁界ノイズは上記第１段の透磁性金属メッキでシールドされ、この透磁性金属メッキを通過した磁界ノイズは上記第２段の透磁性金属メッキによりシールドでき、上記端子ピンからの電界ノイズは上記第１段の銅メッキでシールドされ、この銅メッキを通過した電界ノイズは上記第２段の銅メッキによりシールドできるところにある。
【０００６】
本発明に係る端子間シールドコネクタの第２の特徴は、上記シェルの素材が液晶ポリマーであるところにある。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図面を参照して本発明の実施例を説明する。端子間シールドコネクタは雄型コネクタと雌型コネクタとを嵌合し、一体化させてからこの雌型コネクタを回路基板に実装するものであるが、この雄、雌の両型コネクタは本発明の技術的思想において実質的に同一構成のものであるので、本発明の実施の形態では、図６に示す雄型コネクタを参照してその製法について説明し、雌型コネクタの説明は省略する。
【０００８】
先ず、図１に示すように、合成樹脂により一次成形品であるシェル（Ｓｈｅｌｌ）１を成形し、このシェルには複数の貫通孔１ａ…が上下方向に２列の貫通状態で射出成形してある。このシェル１の素材の合成樹脂としては、単一のプラスチックのみならず、ガラス繊維、ピロリン酸カルシウム、チタン酸カリウル繊維などのフィラーを混入したもの、その他液晶ポリマーが使用され、このポリマーとしては、芳香族系ポリエステル液晶ポリマー、熱可塑性結晶ポリエステル樹脂がある。その後、図２に示すように、シェル１の全面にシールド用のメッキ２が施されるが、予めこのメッキ用の触媒を付与しておくことが必要である。この触媒付与方法には、実用的なものとしてキャタリスト・アクセレータ法とセンシタイジング・アクチペーチング法とがあり、前者は、錫，パラジウム系の混合触媒液に浸漬した後、塩酸，硫酸などの酸で活性化し、シェルの表面にパラジウムを析出させる方法である。後者は、先ず塩化第１錫，次亜リン酸，塩化ヒトラジンなどの比較的強い還元剤をシェル表面に吸着させ、ついでパラジウム、金などの貴金属イオンを含む触媒溶液に浸漬し、このシェル表面に貴金属を析出させる方法である。
【０００９】
シールド用のメッキ２は、図３，４に示すように、先ず下地として無電解の銅メッキ２１をした後、さらにこの銅メッキの上に透磁性金属メッキ例えば電界ニッケル・鉄メッキ２２を施し二重層とする。このニッケル・鉄メッキ２２は、ニッケル８０％、鉄２０％のアロイメッキで、鉄を含んでいるため透磁性が極めて高い。また、メッキ厚は、銅メッキ２１が５ミクロン、ニッケル・鉄メッキ２２が１０ミクロン程度であれば、低周波領域のノイズ例えば５０ＫＨｚ〜３ＧＨｚでのシールドは十分である。
【００１０】
その後、図３〜５に示すようにシェル１の貫通孔１ａ内に絶縁性樹脂を充填することにより、複数の端子ピン挿着孔３ａ…を有する端子ピン挿着体３を射出成形して二次成形品を成形する。なお、前記の絶縁性樹脂としては、液晶ポリマーが使用され、このポリマーとしては、芳香族系ポリエステル液晶ポリマー、熱可塑性結晶ポリエステル樹脂がある。
【００１１】
二次成形品の端子ピン挿着孔３ａ…のそれぞれには、端子ピン４…を挿着し、図６に示す完成品としての雄型コネクタ５ができる。
【００１２】
したがって、雄型コネクタ５の内部構造は、図３，４に示すように、２列の端子ピン４，４の間は、シェル１を芯部としてその両側（全周）は、二重層のメッキ２１，２２が施してある。即ち、両端子ピン４，４の間は、シェル１を芯部として両側の二重層メッキ２１，２２により二段階のシールド作用を有する。さらに、２列の端子ピン４，４のそれぞれの外側も、シェル１を芯部として２段階の二重層メッキ２１，２２により２段階のシールド作用を有する。
【００１３】
次に本発明の作用について説明すると、図７，８に示すように雄型コネクタ５のシェル１の全面にシールド用のメッキ２の銅メッキ２１とニッケル・鉄メッキ２２の二重層である。なお、雌型コネクタも図示していないが、雄型コネクタ５同様にそのシェルの全面にメッキが施してあり、このメッキも、銅メッキとニッケル・鉄メッキの二重層としてあるので、銅メッキ２１は、その導電性により電界ノイズをシールドし、ニッケル・鉄メッキ２２は、その高透磁性により磁界ノイズをシールドするものである。
【００１４】
さらに具体的に説明する。先ず磁界ノイズのシールドについて説明すると、図７に示すように、端子ピン４…からのノイズＮ１はニッケル・鉄メッキ２２によりシールドされて、ノイズＮ２のようにシールドされる。また、磁界ノイズＮ１が、もしニッケル・鉄メッキ２２を通過しても、この磁界ノイズは減衰しており、この減衰した磁界ノイズは第１段の下地の銅メッキ２１を通過し、ノイズＮ３となって芯部たるシェル１内部を通過し、第２段の銅メッキ２１も通過するが、この第２段のニッケル・鉄メッキ２２により完全にシールドされ、ノイズＮ４のように内部反射するため磁界ノイズの透過波はなくなる。これは、ニッケル・鉄メッキ２２に、もしピンホールがあった場合も同様なシールド効果を有する。
【００１５】
電界によるノイズは、図８のＮ１０に示すように導電体であるニッケル・鉄メッキ２２において、少なくとも一部はシールドされる。一部の電界ノイズがこのニッケル・鉄メッキを透過しても、このニッケル・鉄メッキよりも高い導電性である銅メッキ２１の前面で内部反射するため、Ｎ２０に示すようにこのノイズは完全にシールドされる。また、電界ノイズＮ１０が、もし第１段の銅メッキ２１を通過することがあっても、ノイズはＮ３０に示すように直ちに減衰し、芯部たるシェル１を通過しても、このノイズはＮ４０に示すように第２段の銅メッキ２１により内部反射して遮断され、この電界ノイズの透過波はなくなり、シールド効果は完全かつ確実となる。これは第１段の銅メッキ２１にピンホールがあった場合でも、電界ノイズに対するシールド効果において同一である。
【００１６】
また、下地の銅メッキ２１の腐食は、ニッケル・鉄メッキ２２により防止されるばかりでなく、この銅メッキは、その線膨脹係数（０．１６７８）が、一次成形品のシェル１の素材の液晶ポリマーに比較的に近いので熱環境変化に対した密着性が確保できる。
【００１７】
【発明の効果】
本発明は、一次成形品であるシェルには、銅と透磁性金属の二重層のメッキしてあるので、電界、磁界両方のノイズに対するシールドの信頼性をさらに高め、二重層にすることで周波数に応じて必要最小限の厚さにすることで軽量化を実現し、構造および製造工程が簡単になっているので製造コストの低減を図ることができる。特に、端子ピンはシェルを芯部として２段階の二重層構造のシールド用メッキによってシールドされているので、電界、磁界両方のノイズに対するこのシールド効果はさらに確実である。また、一次成形品の素材として液晶ポリマーを使用した場合は、銅メッキはこの一次成形品との密着性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】 雄型コネクタの一次成形品の斜視図である。
【図２】 雄型コネクタの一次成形品にシールド用メッキを施した状態の斜視図である。
【図３】 図６ａ−ａ線拡大断面図である。
【図４】 図３のＡ部の拡大断面図である。
【図５】 端子ピン挿着体を形成した二次成形品と端子ピンとを展開して示す斜視図である。
【図６】 雄型コネクタの完成品の斜視図である。
【図７】 図４を更に拡大し磁界によるノイズのシールド状態を示す拡大断面図である。
【図８】 図４を更に拡大し電界によるノイズのシールド状態を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
１ 一次成形品（シェル）
１ａ 貫通孔
２ シールド用のメッキ
２１ 下地の銅メッキ
２２ 透磁性金属メッキ（ニッケル・鉄メッキ）
３ 端子ピン挿着体
３ａ 端子ピン挿着孔
４ 端子ピン
５ 雄型コネクタ
Claims (2)
- シェルと、端子ピン挿着体と、複数の端子ピンとからなり、
上記シェルは、合成樹脂製で複数の貫通孔を有しかつ全面にシールド用メッキが施してあり、
上記シールド用メッキは、下地の銅メッキに透磁性金属メッキを施した二重層構造であり、
上記端子ピン挿着体は、絶縁性樹脂製であり上記シェルの上記貫通孔を被覆しかつ端子ピン挿着孔を有し、
上記端子ピンは、上記端子ピン挿着孔のそれぞれに挿着してあり、
上記複数の端子ピンの間及びこの端子ピンの外側は、上記シェルを芯部としてその全周は第１段、第２段の二段階のシールド作用をするための上記二重層構造のシールド用メッキによってシールドされており、
上記端子ピンからの磁界ノイズは上記第１段の透磁性金属メッキでシールドされ、この透磁性金属メッキを通過した磁界ノイズは上記第２段の透磁性金属メッキによりシールドでき、
上記端子ピンからの電界ノイズは上記第１段の銅メッキでシールドされ、この銅メッキを通過した電界ノイズは上記第２段の銅メッキによりシールドできる
ことを特徴とする端子間シールドコネクタ。 - 請求項１において、上記シェルの素材は液晶ポリマーである
ことを特徴とする端子間シールドコネクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23792995A JP3679470B2 (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 端子間シールドコネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23792995A JP3679470B2 (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 端子間シールドコネクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0963703A JPH0963703A (ja) | 1997-03-07 |
| JP3679470B2 true JP3679470B2 (ja) | 2005-08-03 |
Family
ID=17022554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23792995A Expired - Fee Related JP3679470B2 (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 端子間シールドコネクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3679470B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11444397B2 (en) | 2015-07-07 | 2022-09-13 | Amphenol Fci Asia Pte. Ltd. | Electrical connector with cavity between terminals |
| US11469554B2 (en) | 2020-01-27 | 2022-10-11 | Fci Usa Llc | High speed, high density direct mate orthogonal connector |
| US11522310B2 (en) | 2012-08-22 | 2022-12-06 | Amphenol Corporation | High-frequency electrical connector |
| US11539171B2 (en) | 2016-08-23 | 2022-12-27 | Amphenol Corporation | Connector configurable for high performance |
| US11715914B2 (en) | 2014-01-22 | 2023-08-01 | Amphenol Corporation | High speed, high density electrical connector with shielded signal paths |
| US11757215B2 (en) | 2018-09-26 | 2023-09-12 | Amphenol East Asia Electronic Technology (Shenzhen) Co., Ltd. | High speed electrical connector and printed circuit board thereof |
| US11757224B2 (en) | 2010-05-07 | 2023-09-12 | Amphenol Corporation | High performance cable connector |
| US11799246B2 (en) | 2020-01-27 | 2023-10-24 | Fci Usa Llc | High speed connector |
| US11817655B2 (en) | 2020-09-25 | 2023-11-14 | Amphenol Commercial Products (Chengdu) Co., Ltd. | Compact, high speed electrical connector |
| US11942716B2 (en) | 2020-09-22 | 2024-03-26 | Amphenol Commercial Products (Chengdu) Co., Ltd. | High speed electrical connector |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7481676B2 (en) * | 2006-08-30 | 2009-01-27 | Tyco Electronics Corporation | Electrical connector with ESD protection |
| CN100463309C (zh) * | 2006-09-30 | 2009-02-18 | 番禺得意精密电子工业有限公司 | 一种电连接器及其制造方法 |
| JP2014011137A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-20 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 基板を備える電気機器 |
| DE102012022004B3 (de) | 2012-11-12 | 2014-02-06 | HARTING Electronics GmbH | Isolierkörper mit Schirmkreuz |
| JP2017054757A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | オムロン株式会社 | 磁気シールド構造 |
| CN113991341B (zh) * | 2021-10-25 | 2022-11-11 | 东莞市安阔欣精密电子有限公司 | 高频性能较优的连接器及其制备方法 |
-
1995
- 1995-08-24 JP JP23792995A patent/JP3679470B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11757224B2 (en) | 2010-05-07 | 2023-09-12 | Amphenol Corporation | High performance cable connector |
| US11901663B2 (en) | 2012-08-22 | 2024-02-13 | Amphenol Corporation | High-frequency electrical connector |
| US11522310B2 (en) | 2012-08-22 | 2022-12-06 | Amphenol Corporation | High-frequency electrical connector |
| US11715914B2 (en) | 2014-01-22 | 2023-08-01 | Amphenol Corporation | High speed, high density electrical connector with shielded signal paths |
| US11955742B2 (en) | 2015-07-07 | 2024-04-09 | Amphenol Fci Asia Pte. Ltd. | Electrical connector with cavity between terminals |
| US11444397B2 (en) | 2015-07-07 | 2022-09-13 | Amphenol Fci Asia Pte. Ltd. | Electrical connector with cavity between terminals |
| US11539171B2 (en) | 2016-08-23 | 2022-12-27 | Amphenol Corporation | Connector configurable for high performance |
| US11757215B2 (en) | 2018-09-26 | 2023-09-12 | Amphenol East Asia Electronic Technology (Shenzhen) Co., Ltd. | High speed electrical connector and printed circuit board thereof |
| US11799246B2 (en) | 2020-01-27 | 2023-10-24 | Fci Usa Llc | High speed connector |
| US11817657B2 (en) | 2020-01-27 | 2023-11-14 | Fci Usa Llc | High speed, high density direct mate orthogonal connector |
| US11469553B2 (en) | 2020-01-27 | 2022-10-11 | Fci Usa Llc | High speed connector |
| US11469554B2 (en) | 2020-01-27 | 2022-10-11 | Fci Usa Llc | High speed, high density direct mate orthogonal connector |
| US11942716B2 (en) | 2020-09-22 | 2024-03-26 | Amphenol Commercial Products (Chengdu) Co., Ltd. | High speed electrical connector |
| US11817655B2 (en) | 2020-09-25 | 2023-11-14 | Amphenol Commercial Products (Chengdu) Co., Ltd. | Compact, high speed electrical connector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0963703A (ja) | 1997-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3679470B2 (ja) | 端子間シールドコネクタ | |
| CN101174494B (zh) | 线缆及其制造方法 | |
| JP2002057482A (ja) | ポータブル電子デバイスのためのｅｍｉシールド | |
| JP2003522387A (ja) | 差分信号電気コネクタ | |
| JP2001006820A (ja) | コネクタ及びその製造方法 | |
| JPH11233200A (ja) | コネクター | |
| CN105101621A (zh) | 信号线路及其制造方法 | |
| US7210943B1 (en) | Connector | |
| US20140199890A1 (en) | Plug and method for producing same | |
| TWM362524U (en) | Card connector | |
| JPH097697A (ja) | 端子間シールドコネクタとその製法 | |
| JPH1167367A (ja) | 電子部品 | |
| JP2006302790A (ja) | 同軸ケーブル及び同軸コネクタ | |
| JP2002094218A (ja) | 成形回路部品の製造方法 | |
| TW202211557A (zh) | 具有應變釋放件之高速連結器 | |
| JP2693863B2 (ja) | 複数の独立した立体的導電回路を内蔵封入した立体成形品の製造方法 | |
| CN111676495A (zh) | 局部电镀方法 | |
| CN219739482U (zh) | 一种沉板式rj-45网络线接头结构 | |
| CN111416233A (zh) | 连接器壳体及其制造方法和连接器 | |
| JPH0666538B2 (ja) | 成形回路部品 | |
| TWI707513B (zh) | 電連接器及其製造方法 | |
| TW255091B (en) | A hybrid integrated circuit device and process of manufacturing thereof | |
| JP3327201B2 (ja) | 配線板 | |
| CN219321759U (zh) | 一种线缆连接器及连接器组件 | |
| JP2597015Y2 (ja) | 高速伝送用コネクタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040824 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040831 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041015 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041207 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050124 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050419 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050513 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090520 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |