JP2002057482A - ポータブル電子デバイスのためのｅｍｉシールド - Google Patents
ポータブル電子デバイスのためのｅｍｉシールドInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
- H05K9/009—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising electro-conductive fibres, e.g. metal fibres, carbon fibres, metallised textile fibres, electro-conductive mesh, woven, non-woven mat, fleece, cross-linked
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D04—BRAIDING; LACE-MAKING; KNITTING; TRIMMINGS; NON-WOVEN FABRICS
- D04C—BRAIDING OR MANUFACTURE OF LACE, INCLUDING BOBBIN-NET OR CARBONISED LACE; BRAIDING MACHINES; BRAID; LACE
- D04C1/00—Braid or lace, e.g. pillow-lace; Processes for the manufacture thereof
- D04C1/06—Braid or lace serving particular purposes
-
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0007—Casings
- H05K9/002—Casings with localised screening
- H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
- H05K9/0024—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
- H05K9/003—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields made from non-conductive materials comprising an electro-conductive coating
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D10—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBLASSES OF SECTION D, RELATING TO TEXTILES
- D10B—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBLASSES OF SECTION D, RELATING TO TEXTILES
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- D10B2401/16—Physical properties antistatic; conductive
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Knitting Of Fabric (AREA)
- Braiding, Manufacturing Of Bobbin-Net Or Lace, And Manufacturing Of Nets By Knotting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポータブル電子製品、とくに携帯電話および
無線電話、のための能率よくかつコストに対する効果の
高いＥＭＩシールドの解決法を提供する。 【解決手段】 ファイバメッシュネットを、携帯電話や
無線電話のようなポータブル電子デバイスのカバー構造
の内部空間にインサートモールドしてＥＭＩシールドす
る。ファイバメッシュネットはポリマーシートの一方の
面に常時接着され、さらに他方の面に電子回路を支持す
ることにより、ラミネートを形成し、該ラミネートをカ
バー構造にインサートモールドして、電子デバイスカバ
ーからアクセスするためにファイバメッシュネットの選
択されたファイバを介して電子回路機能を拡張する。
無線電話、のための能率よくかつコストに対する効果の
高いＥＭＩシールドの解決法を提供する。 【解決手段】 ファイバメッシュネットを、携帯電話や
無線電話のようなポータブル電子デバイスのカバー構造
の内部空間にインサートモールドしてＥＭＩシールドす
る。ファイバメッシュネットはポリマーシートの一方の
面に常時接着され、さらに他方の面に電子回路を支持す
ることにより、ラミネートを形成し、該ラミネートをカ
バー構造にインサートモールドして、電子デバイスカバ
ーからアクセスするためにファイバメッシュネットの選
択されたファイバを介して電子回路機能を拡張する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、広くは、電磁干渉
（ＥＭＩ）シールドに関し、そしてより詳細には、しか
し排他的にではなく、携帯（セル方式）電話または無線
電話のような、ポータブル電子デバイスのためのＥＭＩ
シールドに関する。
（ＥＭＩ）シールドに関し、そしてより詳細には、しか
し排他的にではなく、携帯（セル方式）電話または無線
電話のような、ポータブル電子デバイスのためのＥＭＩ
シールドに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】たと
えば、コンピュータ、通信機器、携帯電話または無線電
話のようなポータブル電子デバイスなどの電子機器の通
常の動作は、機器の電子的回路構成内の電磁信号の発生
を伴う。そのような電磁信号は、しばしば、電磁場とし
て、または過渡現象として、電磁波スペクトルの無線周
波数帯域内、すなわち約１０ＫＨｚと１０ＧＨｚのあい
だで発生し、そして他の近接した電子的デバイスの電子
的回路構成の適正な動作に対する干渉として知られる電
磁干渉すなわちＥＭＩと称される。携帯電話または無線
電話は、とくに、移動電話のための型式承認仕様に定め
られた法定の電磁両立性（ＥＭＣ）の限界に従うことが
法律により要求される。「ＥＭＣ」は、ある電子機器
の、その意図された電磁的環境において適切に機能する
ための能力として、そして当該環境に対する電磁的汚染
の発生源とならない能力として定義されている。
えば、コンピュータ、通信機器、携帯電話または無線電
話のようなポータブル電子デバイスなどの電子機器の通
常の動作は、機器の電子的回路構成内の電磁信号の発生
を伴う。そのような電磁信号は、しばしば、電磁場とし
て、または過渡現象として、電磁波スペクトルの無線周
波数帯域内、すなわち約１０ＫＨｚと１０ＧＨｚのあい
だで発生し、そして他の近接した電子的デバイスの電子
的回路構成の適正な動作に対する干渉として知られる電
磁干渉すなわちＥＭＩと称される。携帯電話または無線
電話は、とくに、移動電話のための型式承認仕様に定め
られた法定の電磁両立性（ＥＭＣ）の限界に従うことが
法律により要求される。「ＥＭＣ」は、ある電子機器
の、その意図された電磁的環境において適切に機能する
ための能力として、そして当該環境に対する電磁的汚染
の発生源とならない能力として定義されている。
【０００３】ＥＭＩの効果を低減しまたは減衰させるた
めに、ＥＭＩエネルギを吸収しおよび／または反射する
能力を有するシールドが、ソース（発生源）デバイス内
にＥＭＩエネルギをとじこめるため、および当該デバイ
スまたは他の被害対象デバイスを他のソースデバイスか
ら絶縁するための両方に、採用されるであろう。そのよ
うなシールドは、ソースと他のデバイスとのあいだに挿
入されるバリア（障壁）として設けられ、そして典型的
には、電気的に伝導性であって接地された該デバイスを
収容するハウジングとして構成される。前記デバイス
は、一般にサービスなどのためにアクセス可能でなけれ
ばならないので、大部分のハウジングには、ドア、ハッ
チ、パネルまたはカバーのような、開放可能または取り
外し可能なアクセス部が設けられる。通常は、前記アク
セス部と対応する継ぎ合わせ（マッチ）面とのあいだに
ギャップが存在し、それを通して電磁エネルギが漏洩す
るかまたはデバイスの内部へまたは外部へ通過する開口
となることにより、該シールドの効果を減弱させる。さ
らに、そのようなギャップは、ハウジングまたは他のシ
ールドの面およびグラウンド伝導度における不連続をあ
らわし、そしてスロットアンテナの形態として機能する
ことにより、ＥＭＩ放射の二次的な発生源を生成するこ
とさえありうる。デバイスハウジング内に誘起されるい
かなるバルク（体積）または表面電流も、シールド内の
いかなるインタフェースギャップにもそれを横切る電位
勾配を発生し、それによって、前記ギャップにＥＭＩノ
イズを放射するアンテナとしての機能を生じさせる。
めに、ＥＭＩエネルギを吸収しおよび／または反射する
能力を有するシールドが、ソース（発生源）デバイス内
にＥＭＩエネルギをとじこめるため、および当該デバイ
スまたは他の被害対象デバイスを他のソースデバイスか
ら絶縁するための両方に、採用されるであろう。そのよ
うなシールドは、ソースと他のデバイスとのあいだに挿
入されるバリア（障壁）として設けられ、そして典型的
には、電気的に伝導性であって接地された該デバイスを
収容するハウジングとして構成される。前記デバイス
は、一般にサービスなどのためにアクセス可能でなけれ
ばならないので、大部分のハウジングには、ドア、ハッ
チ、パネルまたはカバーのような、開放可能または取り
外し可能なアクセス部が設けられる。通常は、前記アク
セス部と対応する継ぎ合わせ（マッチ）面とのあいだに
ギャップが存在し、それを通して電磁エネルギが漏洩す
るかまたはデバイスの内部へまたは外部へ通過する開口
となることにより、該シールドの効果を減弱させる。さ
らに、そのようなギャップは、ハウジングまたは他のシ
ールドの面およびグラウンド伝導度における不連続をあ
らわし、そしてスロットアンテナの形態として機能する
ことにより、ＥＭＩ放射の二次的な発生源を生成するこ
とさえありうる。デバイスハウジング内に誘起されるい
かなるバルク（体積）または表面電流も、シールド内の
いかなるインタフェースギャップにもそれを横切る電位
勾配を発生し、それによって、前記ギャップにＥＭＩノ
イズを放射するアンテナとしての機能を生じさせる。
【０００４】一つの望ましいシールドの解決法は、電子
デバイスによって生成されるいかなるＥＭＩ放射エネル
ギをも吸収しかつシールドすべく金属で作製されたカバ
ーまたはハウジングシェルを使用することである。その
ような金属カバーの一つの欠点は、該電子デバイスに加
えられる付加的な重量とコストである。さらなる欠点
は、前記電子デバイスハウジングの所望の形状および輪
郭に金属シートを形成することの不可能性および困難性
であり、それによって、もしもＥＭＩシールドのために
必要とされる金属エンクロージャ（容器）がない場合に
比べて、該電子デバイスが大きくかつ審美的に好ましく
なくなることである。電子デバイスの重量を低減しかつ
形状および輪郭を考慮した解決法の一つの提案は、電子
デバイスハウジングを形成する軽量プラスチックまたは
他の適当な軽量材料の内部に金属による表面被覆をスプ
レーすることである。これは、重量を低減する利点を有
しているが、金属被覆を施す付加的なステップ、そして
それが製造プロセスを複雑化することおよび金属被覆そ
れ自体のコストに起因してコストが増大する。さらに加
えて、前記金属被覆は、そのシールド効果を減弱させる
傷が付きやすい。
デバイスによって生成されるいかなるＥＭＩ放射エネル
ギをも吸収しかつシールドすべく金属で作製されたカバ
ーまたはハウジングシェルを使用することである。その
ような金属カバーの一つの欠点は、該電子デバイスに加
えられる付加的な重量とコストである。さらなる欠点
は、前記電子デバイスハウジングの所望の形状および輪
郭に金属シートを形成することの不可能性および困難性
であり、それによって、もしもＥＭＩシールドのために
必要とされる金属エンクロージャ（容器）がない場合に
比べて、該電子デバイスが大きくかつ審美的に好ましく
なくなることである。電子デバイスの重量を低減しかつ
形状および輪郭を考慮した解決法の一つの提案は、電子
デバイスハウジングを形成する軽量プラスチックまたは
他の適当な軽量材料の内部に金属による表面被覆をスプ
レーすることである。これは、重量を低減する利点を有
しているが、金属被覆を施す付加的なステップ、そして
それが製造プロセスを複雑化することおよび金属被覆そ
れ自体のコストに起因してコストが増大する。さらに加
えて、前記金属被覆は、そのシールド効果を減弱させる
傷が付きやすい。
【０００５】さらなる問題は、材料に関係なく電子デバ
イスのハウジングカバーの当接面は、当接界面が完全に
平面ではなくそこからＥＭＩ放射エネルギが漏洩し得る
ギャップを形成することである。ガスケットおよび他の
シール（封止具）が、ハウジングおよび他のＥＭＩシー
ルド構造の当接面内のギャップを、該構造を横切る電気
的連続性を維持しつつ、ふさぐために提案されている。
そのようなガスケットまたはシールは、当接面の一方
に、接着されまたは機械的に取り付けられ、または圧入
され、かつ面のあいだの不整合に対して印加される圧力
のもとに順応させることによりそこを横切って連続する
伝導路を確立するために、いかなる界面ギャップをも閉
じるべく、機能する。しかしながら、ガスケット界面上
の圧力でさえも、また、ガスケット面とグラウンド層と
のあいだにギャップを生成しかつＥＭＩノイズを放射す
るスロットアンテナとして機能するかもしれない。さら
に加えて、ガスケットもまた、圧縮率、弾性、および取
付けについての問題に起因してシールド不全を被りやす
い。さらに、新たな製品には、ねじ、取り付け具および
接合点の数を削減することにより、それらを小さくする
という要求が増大しており、これらの要求を満たすため
に効率的で低コストなＥＭＩシールドが要求されてい
る。
イスのハウジングカバーの当接面は、当接界面が完全に
平面ではなくそこからＥＭＩ放射エネルギが漏洩し得る
ギャップを形成することである。ガスケットおよび他の
シール（封止具）が、ハウジングおよび他のＥＭＩシー
ルド構造の当接面内のギャップを、該構造を横切る電気
的連続性を維持しつつ、ふさぐために提案されている。
そのようなガスケットまたはシールは、当接面の一方
に、接着されまたは機械的に取り付けられ、または圧入
され、かつ面のあいだの不整合に対して印加される圧力
のもとに順応させることによりそこを横切って連続する
伝導路を確立するために、いかなる界面ギャップをも閉
じるべく、機能する。しかしながら、ガスケット界面上
の圧力でさえも、また、ガスケット面とグラウンド層と
のあいだにギャップを生成しかつＥＭＩノイズを放射す
るスロットアンテナとして機能するかもしれない。さら
に加えて、ガスケットもまた、圧縮率、弾性、および取
付けについての問題に起因してシールド不全を被りやす
い。さらに、新たな製品には、ねじ、取り付け具および
接合点の数を削減することにより、それらを小さくする
という要求が増大しており、これらの要求を満たすため
に効率的で低コストなＥＭＩシールドが要求されてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明の目
的は、ポータブル電子製品、とくに携帯電話および無線
電話のための能率よくかつコストに対する効果の高いＥ
ＭＩシールドの解決法を提供することにある。
的は、ポータブル電子製品、とくに携帯電話および無線
電話のための能率よくかつコストに対する効果の高いＥ
ＭＩシールドの解決法を提供することにある。
【０００７】本発明の一つの態様においては、ポータブ
ル電子デバイスのためのＥＭＩシールドの解決法は、前
記デバイス内に収容される第１の電子的回路構成を取り
囲みかつシールドするために、前記デバイスの内部キャ
ビティを区画する壁部内にインサートモールドされた電
気的伝導性ファイバ（繊維）のメッシュネット（網目ネ
ット）を含んでいる。
ル電子デバイスのためのＥＭＩシールドの解決法は、前
記デバイス内に収容される第１の電子的回路構成を取り
囲みかつシールドするために、前記デバイスの内部キャ
ビティを区画する壁部内にインサートモールドされた電
気的伝導性ファイバ（繊維）のメッシュネット（網目ネ
ット）を含んでいる。
【０００８】本発明のさらなる態様においては、前記フ
ァイバメッシュネットの少なくとも一部が、前記電子デ
バイス内の回路基板上に設けられるグラウンドプレーン
（接地平面）との、直接連続的な機械的でかつ電気的な
接続に供される。
ァイバメッシュネットの少なくとも一部が、前記電子デ
バイス内の回路基板上に設けられるグラウンドプレーン
（接地平面）との、直接連続的な機械的でかつ電気的な
接続に供される。
【０００９】本発明の他の態様においては、ポータブル
電子デバイスのためのＥＭＩシールドの解決法は、ポリ
マーフィルムシート（重合体膜シート）の表面にラミネ
ート（積層）される電気的伝導性ファイバメッシュネッ
トを含んでいる。
電子デバイスのためのＥＭＩシールドの解決法は、ポリ
マーフィルムシート（重合体膜シート）の表面にラミネ
ート（積層）される電気的伝導性ファイバメッシュネッ
トを含んでいる。
【００１０】本発明のさらなる態様においては、前記ポ
リマーフィルムシートは、第２の電子回路構成を支持す
るために、前記ファイバメッシュネットの面の反対側に
電気的に非伝導の面を有し、そして前記ファイバメッシ
ュネットの少なくとも一部は、前記第２の電子的回路構
成に機械的にかつ電気的に結合するために非伝導側に延
びている。
リマーフィルムシートは、第２の電子回路構成を支持す
るために、前記ファイバメッシュネットの面の反対側に
電気的に非伝導の面を有し、そして前記ファイバメッシ
ュネットの少なくとも一部は、前記第２の電子的回路構
成に機械的にかつ電気的に結合するために非伝導側に延
びている。
【００１１】本発明のまたさらなる態様においては、前
記ファイバメッシュネットは、伝導および非伝導のファ
イバの混合物であり、前記伝導ファイバの少なくとも一
つは、前記プリント回路基板上の前記第１の電子的回路
構成から前記第２の電子的回路構成へ電気信号を搬送す
る。
記ファイバメッシュネットは、伝導および非伝導のファ
イバの混合物であり、前記伝導ファイバの少なくとも一
つは、前記プリント回路基板上の前記第１の電子的回路
構成から前記第２の電子的回路構成へ電気信号を搬送す
る。
【００１２】本発明のまたさらなる態様においては、前
記ファイバメッシュは、コットン（木綿）および他のセ
ルロース（繊維素）ファイバ、シルク（絹）または他の
タンパク質ファイバ、および／または、ガラスまたは他
のセラミックファイバのような天然ファイバ（繊維）ま
たはフィラメント（細糸）により構成される。
記ファイバメッシュは、コットン（木綿）および他のセ
ルロース（繊維素）ファイバ、シルク（絹）または他の
タンパク質ファイバ、および／または、ガラスまたは他
のセラミックファイバのような天然ファイバ（繊維）ま
たはフィラメント（細糸）により構成される。
【００１３】本発明のまたさらなる態様においては、前
記ファイバメッシュは、ポリエステル、ポリアミド、ポ
リプロピレン、ポリエチレンおよびセルロース誘導体の
ような人造の合成、再生または金属ファイバおよびフィ
ラメントにより構成され、そしてとくにふさわしいの
は、ＰＥＳ、ＰＡ６．６、ＰＡ６、ＰＰおよび銅であ
る。ファイバ、フィラメント、およびヤーン（糸）は、
１０〜１００００ｎｍの厚さの伝導性金属層の薄層によ
り被覆（コート）され得、そして望ましくは、前記伝導
金属層は、銀、ニッケルまたはアルミニウム層である。
前記ファイバの細さは、０．０５ｄｅｎ（０．０５５ｄ
ｔｅｘ）のマイクロファイバから、１００ｄｅｎ（１１
０ｔｅｘ）のモノフィラメントまで変化され得るのに対
して、前記ヤーンの細さは、メッシュタイプに従って３
００ｄｅｎ（３３０ｔｅｘ）まで、拡張することができ
る。
記ファイバメッシュは、ポリエステル、ポリアミド、ポ
リプロピレン、ポリエチレンおよびセルロース誘導体の
ような人造の合成、再生または金属ファイバおよびフィ
ラメントにより構成され、そしてとくにふさわしいの
は、ＰＥＳ、ＰＡ６．６、ＰＡ６、ＰＰおよび銅であ
る。ファイバ、フィラメント、およびヤーン（糸）は、
１０〜１００００ｎｍの厚さの伝導性金属層の薄層によ
り被覆（コート）され得、そして望ましくは、前記伝導
金属層は、銀、ニッケルまたはアルミニウム層である。
前記ファイバの細さは、０．０５ｄｅｎ（０．０５５ｄ
ｔｅｘ）のマイクロファイバから、１００ｄｅｎ（１１
０ｔｅｘ）のモノフィラメントまで変化され得るのに対
して、前記ヤーンの細さは、メッシュタイプに従って３
００ｄｅｎ（３３０ｔｅｘ）まで、拡張することができ
る。
【００１４】本発明のまたさらなる態様においては、前
記ファイバメッシュネットは、インチあたり６から３４
個の開口、および平方メートルあたり１０から５０グラ
ムの比重量を有するボビネット（メッシュが六角の機械
製網織物）織り３方向性ネットで構成される。
記ファイバメッシュネットは、インチあたり６から３４
個の開口、および平方メートルあたり１０から５０グラ
ムの比重量を有するボビネット（メッシュが六角の機械
製網織物）織り３方向性ネットで構成される。
【００１５】本発明のさらなる態様においては、前記フ
ァイバメッシュは、縦糸編みの、ラッシェル編みなどに
編まれた、組みひも状の、不織布の、または紡いだ多方
向性ネットからそれぞれ構成される。
ァイバメッシュは、縦糸編みの、ラッシェル編みなどに
編まれた、組みひも状の、不織布の、または紡いだ多方
向性ネットからそれぞれ構成される。
【００１６】本発明のその他の特徴および利点は、以下
の記述および添付図面により、直ちに明らかになるであ
ろう。
の記述および添付図面により、直ちに明らかになるであ
ろう。
【００１７】
【発明の実施の形態】さて、図１〜７を参照すると、本
発明により工夫されたタイプのファイバメッシュネット
が示されており、全体が１０で示されている。ファイバ
メッシュネット１０は、典型的には、スレッド（より
糸）１４、１４を形成すべく、撚り合わされている多数
の電気的伝導性のファイバ（繊維）またはストランド
（糸）１２、１２により作製されている。スレッド１
４、１４は、図１に示されているもののように、シート
状の構造を形成すべく、繰り返しパターンにて織られま
たは編まれている。本発明において実施できるタイプの
ファイバメッシュネットの一部分のさらに拡大された図
が図４に示され、全体が２０で示されている。ファイバ
メッシュネット２０の一部分の拡大図が、図５に示され
ている。図５に見られ得るように、スレッド１４、１４
は、図１に示されたファイバメッシュネット１０につい
て図２において示されたのと類似したパターンに織られ
ている。図６は、本発明において実施できるタイプのフ
ァイバメッシュネットのまたさらなる例が図解されてお
り、全体が３０で示されている。図６において図解され
かつ図７に示されたファイバメッシュネット３０の一部
分の拡大図は、ファイバメッシュネット３０の織られた
スレッドのパターンを示している。図６において図解さ
れたファイバメッシュネット３０およびそれに対応して
図７において図解されたその拡大されたパターンは、図
１および図４において図解されたファイバメッシュネッ
ト１０、２０とは異なっており、それぞれにおいてスレ
ッド１４、１４は、スレッド３２、３２とは撚り合わさ
れていないで、むしろスレッド３２，３２のおかげで適
正位置に保持されており、ボビネット織りファイバメッ
シュとして知られているものを形成している。結果とし
て得られるファイバメッシュネット織物は、ボビネット
と呼ばれる。ボビネットは、六角形メッシュの組合わせ
により区画され、かつ図２、図５および図７の拡大図か
らわかるように、繰り返しパターンは、それぞれそこに
示されているように、まとめてａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ
で示される各辺を有する６辺形である。該繰り返しパタ
ーンの各々は、図２、図５および図７におけるまとめて
１１、２１、３１で示された開口をそれぞれ区画する。
発明により工夫されたタイプのファイバメッシュネット
が示されており、全体が１０で示されている。ファイバ
メッシュネット１０は、典型的には、スレッド（より
糸）１４、１４を形成すべく、撚り合わされている多数
の電気的伝導性のファイバ（繊維）またはストランド
（糸）１２、１２により作製されている。スレッド１
４、１４は、図１に示されているもののように、シート
状の構造を形成すべく、繰り返しパターンにて織られま
たは編まれている。本発明において実施できるタイプの
ファイバメッシュネットの一部分のさらに拡大された図
が図４に示され、全体が２０で示されている。ファイバ
メッシュネット２０の一部分の拡大図が、図５に示され
ている。図５に見られ得るように、スレッド１４、１４
は、図１に示されたファイバメッシュネット１０につい
て図２において示されたのと類似したパターンに織られ
ている。図６は、本発明において実施できるタイプのフ
ァイバメッシュネットのまたさらなる例が図解されてお
り、全体が３０で示されている。図６において図解され
かつ図７に示されたファイバメッシュネット３０の一部
分の拡大図は、ファイバメッシュネット３０の織られた
スレッドのパターンを示している。図６において図解さ
れたファイバメッシュネット３０およびそれに対応して
図７において図解されたその拡大されたパターンは、図
１および図４において図解されたファイバメッシュネッ
ト１０、２０とは異なっており、それぞれにおいてスレ
ッド１４、１４は、スレッド３２、３２とは撚り合わさ
れていないで、むしろスレッド３２，３２のおかげで適
正位置に保持されており、ボビネット織りファイバメッ
シュとして知られているものを形成している。結果とし
て得られるファイバメッシュネット織物は、ボビネット
と呼ばれる。ボビネットは、六角形メッシュの組合わせ
により区画され、かつ図２、図５および図７の拡大図か
らわかるように、繰り返しパターンは、それぞれそこに
示されているように、まとめてａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ
で示される各辺を有する６辺形である。該繰り返しパタ
ーンの各々は、図２、図５および図７におけるまとめて
１１、２１、３１で示された開口をそれぞれ区画する。
【００１８】一つの望ましい実施の形態においては、フ
ァイバメッシュネットは、１インチあたり６から３４個
の開口、および１平方メートルあたり１０から５０グラ
ムの比重量を有するボビネット織り３方向性ネットであ
る。ファイバメッシュネット１０、２０、３０は、望ま
しくはボビネット織りファイバメッシュネットである
が、所望の電気的伝導性ＥＭＩシールド特性を提供す
る、縦糸編み、ラッシェル編みなどに編まれた、組みひ
も状の、不織布の、または紡いだ多方向性構造のような
他の織物構造も、本発明のＥＭＩシールド構造を提供す
るために使用可能である。ラッシェルはトリコットに似
たゆるく編んだ編地であり、編み物の技術分野における
熟達者により知られているように、針ざお（needle bar
s）、べら針（メリヤス針）（latch needles）、ならび
に除去および保持カムによる縦糸編みにより特徴付けら
れる。
ァイバメッシュネットは、１インチあたり６から３４個
の開口、および１平方メートルあたり１０から５０グラ
ムの比重量を有するボビネット織り３方向性ネットであ
る。ファイバメッシュネット１０、２０、３０は、望ま
しくはボビネット織りファイバメッシュネットである
が、所望の電気的伝導性ＥＭＩシールド特性を提供す
る、縦糸編み、ラッシェル編みなどに編まれた、組みひ
も状の、不織布の、または紡いだ多方向性構造のような
他の織物構造も、本発明のＥＭＩシールド構造を提供す
るために使用可能である。ラッシェルはトリコットに似
たゆるく編んだ編地であり、編み物の技術分野における
熟達者により知られているように、針ざお（needle bar
s）、べら針（メリヤス針）（latch needles）、ならび
に除去および保持カムによる縦糸編みにより特徴付けら
れる。
【００１９】図８は、図１、図４および図６のファイバ
メッシュネットの、スレッド１４，１４の末端を示す、
いくぶんか概念的な端縁図を示している。スレッド１
４，１４は、ストランド（糸）を多重撚りされたものと
して示されているが、該スレッドは、単一のストランド
またはファイバ（繊維）とすることもできる。
メッシュネットの、スレッド１４，１４の末端を示す、
いくぶんか概念的な端縁図を示している。スレッド１
４，１４は、ストランド（糸）を多重撚りされたものと
して示されているが、該スレッドは、単一のストランド
またはファイバ（繊維）とすることもできる。
【００２０】本発明のファイバメッシュネットのシール
ド効果は、ファイバ材料および該ファイバの太さすなわ
ち直径に依存しかつ関連している。前記ファイバ材料
は、天然または合成、金属または合金、伝導または非伝
導、あるいは伝導性被覆された非伝導性材料であっても
よい。たとえば、ファイバメッシュは、コットン（綿）
または他のセルロースファイバ、シルク（絹）または他
のタンパク質ファイバ、またはガラスまたは他のセラミ
ックファイバのような天然のファイバまたはフィラメン
トにより構成されてもよい。前記ファイバメッシュは、
また、人造の合成、再生または金属のファイバまたはフ
ィラメント、たとえば、ＰＥＳ（ポリ（エチレンテレフ
タレート）およびジオールおよびテレフタル酸および他
の酸からの他のポリエステル）、ＰＡ６．６（ポリ（ヘ
キサメチレンアジピン酸アミド）、ＰＡ６（ポリ（ε−
カプロラクタム））、ＰＰ（ポリプロピレンまたはポリ
プロペン）のような、ポリエステル、ポリアミド、ポリ
プロピレン、ポリエチレンまたはセルロース誘導体、ま
たは銅により作られてもよい。ファイバ、フィラメン
ト、およびヤーン（糸）は、１０から１００００ｎｍの
厚さを有する薄い伝導性金属層により被覆（コート）さ
れてもよく、そして望ましくは、前記伝導金属層は、
銀、ニッケルまたはアルミニウム層である。前記ファイ
バの細さは、０．０５ｄｅｎ（０．０５５ｄｔｅｘ）の
マイクロファイバから、１００ｄｅｎ（１１０ｔｅｘ）
のモノフィラメントまで変化され得るのに対して、前記
ヤーンの細さは、メッシュタイプに従って３００ｄｅｎ
（３３０ｔｅｘ）まで、拡張され得る。
ド効果は、ファイバ材料および該ファイバの太さすなわ
ち直径に依存しかつ関連している。前記ファイバ材料
は、天然または合成、金属または合金、伝導または非伝
導、あるいは伝導性被覆された非伝導性材料であっても
よい。たとえば、ファイバメッシュは、コットン（綿）
または他のセルロースファイバ、シルク（絹）または他
のタンパク質ファイバ、またはガラスまたは他のセラミ
ックファイバのような天然のファイバまたはフィラメン
トにより構成されてもよい。前記ファイバメッシュは、
また、人造の合成、再生または金属のファイバまたはフ
ィラメント、たとえば、ＰＥＳ（ポリ（エチレンテレフ
タレート）およびジオールおよびテレフタル酸および他
の酸からの他のポリエステル）、ＰＡ６．６（ポリ（ヘ
キサメチレンアジピン酸アミド）、ＰＡ６（ポリ（ε−
カプロラクタム））、ＰＰ（ポリプロピレンまたはポリ
プロペン）のような、ポリエステル、ポリアミド、ポリ
プロピレン、ポリエチレンまたはセルロース誘導体、ま
たは銅により作られてもよい。ファイバ、フィラメン
ト、およびヤーン（糸）は、１０から１００００ｎｍの
厚さを有する薄い伝導性金属層により被覆（コート）さ
れてもよく、そして望ましくは、前記伝導金属層は、
銀、ニッケルまたはアルミニウム層である。前記ファイ
バの細さは、０．０５ｄｅｎ（０．０５５ｄｔｅｘ）の
マイクロファイバから、１００ｄｅｎ（１１０ｔｅｘ）
のモノフィラメントまで変化され得るのに対して、前記
ヤーンの細さは、メッシュタイプに従って３００ｄｅｎ
（３３０ｔｅｘ）まで、拡張され得る。
【００２１】前記説明において用いられている略語は、
次のように定義される。ｄｅｎは、デニールの略語であ
り、それは、９０００メートル毎に１グラムの重さのヤ
ーンまたはファイバの細さに等しいヤーンまたはファイ
バについての細さまたは線密度の単位である。ｄｔｅｘ
は、デシテックスの略語であり、それは、１０，０００
メートル毎に１グラムの重さのヤーンまたはファイバの
細さに等しいヤーンまたはファイバについての細さまた
は線密度の単位である。テックス（ｔｅｘ）は、１，０
００メートル毎に１グラムの重さのヤーンまたはファイ
バの細さに等しいヤーンまたはファイバについての細さ
または線密度の単位である。
次のように定義される。ｄｅｎは、デニールの略語であ
り、それは、９０００メートル毎に１グラムの重さのヤ
ーンまたはファイバの細さに等しいヤーンまたはファイ
バについての細さまたは線密度の単位である。ｄｔｅｘ
は、デシテックスの略語であり、それは、１０，０００
メートル毎に１グラムの重さのヤーンまたはファイバの
細さに等しいヤーンまたはファイバについての細さまた
は線密度の単位である。テックス（ｔｅｘ）は、１，０
００メートル毎に１グラムの重さのヤーンまたはファイ
バの細さに等しいヤーンまたはファイバについての細さ
または線密度の単位である。
【００２２】Ａｇ（銀）混合ＰＥＴから作られたファイ
バメッシュネット１０のテスト計測の結果、１ＧＨｚに
おいて３９．７ｄＢｍのシールド効果が得られた。ポリ
アミドＰＡおよび銀被覆ポリアミド（ＰＡ−Ａｇ）の組
み合わせから作られた、２１ｇ／ｍ2の重さおよび０．
１ミリメートルの直径を有するファイバメッシュネット
２０のテスト計測の結果、１ＧＨｚにおいて３４．０ｄ
Ｂｍのシールド効果が得られた。ＰＡおよび（ＰＡ−Ａ
ｇ）の組み合わせから作られた、１７ｇ／ｍ2の重さお
よび０．６ミリメートルの直径を有するファイバメッシ
ュネット３０のテスト計測の結果、１ＧＨｚにおいて３
１．１ｄＢｍのシールド効果が得られた。
バメッシュネット１０のテスト計測の結果、１ＧＨｚに
おいて３９．７ｄＢｍのシールド効果が得られた。ポリ
アミドＰＡおよび銀被覆ポリアミド（ＰＡ−Ａｇ）の組
み合わせから作られた、２１ｇ／ｍ2の重さおよび０．
１ミリメートルの直径を有するファイバメッシュネット
２０のテスト計測の結果、１ＧＨｚにおいて３４．０ｄ
Ｂｍのシールド効果が得られた。ＰＡおよび（ＰＡ−Ａ
ｇ）の組み合わせから作られた、１７ｇ／ｍ2の重さお
よび０．６ミリメートルの直径を有するファイバメッシ
ュネット３０のテスト計測の結果、１ＧＨｚにおいて３
１．１ｄＢｍのシールド効果が得られた。
【００２３】さて、図９、図１０および図１１を参照し
つつ、本発明のＥＭＩシールドシステムをさらに説明す
る。図９は、全体を４２で指示されたファイバメッシュ
ネットが、カバーの壁部４６および内側すなわちカバー
４０の電子的回路構成に面する側５２の内壁４８、５０
により形成されて、予め区画された内部キャビティ４４
内にインサートモールドされて示されているカバー構造
すなわちハウジングシェル４０のいくぶんか概念的な部
分切欠縦断面図を示している。内部キャビティ４４は、
カバーが、電子デバイスを受け入れるハウジングシェル
またはそのベース構造（図示されていない）上に配置さ
れるとき、ＥＭＩシールドされることが所望される電子
デバイス内の電子回路構成の領域を収容すべく、カバー
内に配置される。図９に示されるように、ファイバメッ
シュネット４２は、それぞれ内部キャビティ４４を区画
する壁部４８、４６および５０の内面５４、５６、５８
とひと続きにインサートモールドされる。ファイバメッ
シュネット４２の周辺端縁の部分６０、６２は、それぞ
れ壁部４８、５０の下面６４、６６へ延在する。ファイ
バメッシュネット部分６０、６２は、露出され、かつ必
要なＥＭＩシールドを有効とさせるために必要なグラウ
ンド電圧を供給するため電気的プリント回路基板（図９
には示されていない）との機械的でかつ電気的な接触の
ための接触面を構成する。ファイバメッシュネット４２
は、該ファイバメッシュネット４２が内部キャビティ４
４を区画する内面５４、５６、５８と一体化されるよう
に、カバー４０に沿ってインサートモールドされる。
つつ、本発明のＥＭＩシールドシステムをさらに説明す
る。図９は、全体を４２で指示されたファイバメッシュ
ネットが、カバーの壁部４６および内側すなわちカバー
４０の電子的回路構成に面する側５２の内壁４８、５０
により形成されて、予め区画された内部キャビティ４４
内にインサートモールドされて示されているカバー構造
すなわちハウジングシェル４０のいくぶんか概念的な部
分切欠縦断面図を示している。内部キャビティ４４は、
カバーが、電子デバイスを受け入れるハウジングシェル
またはそのベース構造（図示されていない）上に配置さ
れるとき、ＥＭＩシールドされることが所望される電子
デバイス内の電子回路構成の領域を収容すべく、カバー
内に配置される。図９に示されるように、ファイバメッ
シュネット４２は、それぞれ内部キャビティ４４を区画
する壁部４８、４６および５０の内面５４、５６、５８
とひと続きにインサートモールドされる。ファイバメッ
シュネット４２の周辺端縁の部分６０、６２は、それぞ
れ壁部４８、５０の下面６４、６６へ延在する。ファイ
バメッシュネット部分６０、６２は、露出され、かつ必
要なＥＭＩシールドを有効とさせるために必要なグラウ
ンド電圧を供給するため電気的プリント回路基板（図９
には示されていない）との機械的でかつ電気的な接触の
ための接触面を構成する。ファイバメッシュネット４２
は、該ファイバメッシュネット４２が内部キャビティ４
４を区画する内面５４、５６、５８と一体化されるよう
に、カバー４０に沿ってインサートモールドされる。
【００２４】図１０は、図９に関連して説明された所望
のＥＭＩシールドの解決法を具体化するために、カバー
構造内にファイバメッシュネットをインサートモールド
するための一つの手段を概念的に示している。図１０に
示されるように、発明を実施するものであって全体を７
０で指示されるファイバメッシュネットシートは、全体
を７２で示されるモールドによって、モールドされるべ
きカバー構造における所望の個所の上方に配置される。
モールド構造７２は、典型的には、マルチキャビティモ
ールドであり、そして、図示されているように、特定の
キャビティ７４は、所望のＥＭＩシールドを提供すべ
く、本発明のファイバメッシュネットが、インサートモ
ールドされるであろうカバー構造内の内部キャビティに
対応している。前記カバー構造のモールドプロセスのあ
いだ、ファイバメッシュネットシート７０は、矢印７
６、７６で示される方向にインサートモールドされ、か
つカバーキャビティの内面に沿うカバー構造の材料と融
合する。最終的なカバー構造は、図１１に示されかつ全
体を８０で示されている。８２で示されるインサートモ
ールドされたファイバメッシュネットは、カバー構造８
０の内部キャビティ８４内に示されている。インサート
モールドされたファイバメッシュネット８２の周縁８６
を区画するファイバメッシュネット８２の一部は、キャ
ビティ８４に間近に隣接する面８８とひと続きであり、
かつ面８８に沿って露出する。ファイバメッシュネット
８２の面は、内部キャビティ８４内に露出されまたは部
分的に露出されるが、ファイバメッシュネット８２は、
カバー構造８０を形成する材料によってかつその中に全
てカバーされ得る。ファイバメッシュネット８２がモー
ルドキャビティ内に挿入される深さは、特別に設計され
たカバー構造のために必要ならば制御され得る。
のＥＭＩシールドの解決法を具体化するために、カバー
構造内にファイバメッシュネットをインサートモールド
するための一つの手段を概念的に示している。図１０に
示されるように、発明を実施するものであって全体を７
０で指示されるファイバメッシュネットシートは、全体
を７２で示されるモールドによって、モールドされるべ
きカバー構造における所望の個所の上方に配置される。
モールド構造７２は、典型的には、マルチキャビティモ
ールドであり、そして、図示されているように、特定の
キャビティ７４は、所望のＥＭＩシールドを提供すべ
く、本発明のファイバメッシュネットが、インサートモ
ールドされるであろうカバー構造内の内部キャビティに
対応している。前記カバー構造のモールドプロセスのあ
いだ、ファイバメッシュネットシート７０は、矢印７
６、７６で示される方向にインサートモールドされ、か
つカバーキャビティの内面に沿うカバー構造の材料と融
合する。最終的なカバー構造は、図１１に示されかつ全
体を８０で示されている。８２で示されるインサートモ
ールドされたファイバメッシュネットは、カバー構造８
０の内部キャビティ８４内に示されている。インサート
モールドされたファイバメッシュネット８２の周縁８６
を区画するファイバメッシュネット８２の一部は、キャ
ビティ８４に間近に隣接する面８８とひと続きであり、
かつ面８８に沿って露出する。ファイバメッシュネット
８２の面は、内部キャビティ８４内に露出されまたは部
分的に露出されるが、ファイバメッシュネット８２は、
カバー構造８０を形成する材料によってかつその中に全
てカバーされ得る。ファイバメッシュネット８２がモー
ルドキャビティ内に挿入される深さは、特別に設計され
たカバー構造のために必要ならば制御され得る。
【００２５】カバー構造８０の概念的な断面切欠図が、
カバー８０が電子デバイスの９０で示される受け入れハ
ウジングシェル９０またはベース構造とどのように協働
するかを示すために図１２に示されている。ハウジング
シェル９０は、プリント回路基板９２を支持し、その上
に電子回路構成コンポーネント９４、９４が支持され、
かつ該コンポーネント９４、９４はＥＭＩシールドされ
ることとなる。プリント回路基板９２は、カバー構造８
０に面する面９８上にグラウンドプレーン（接地平面）
９６を有している。カバー構造８０が、方向矢印１０
０、１００によって示されるようにハウジングシェル９
０と協同関係におかれたとき、内部キャビティ８４内に
インサートモールドされたファイバメッシュネット８２
の縁部８６は、回路基板９２のグラウンド平面９６に機
械的にかつ電気的に接触させ、そして所要のＥＭＩシー
ルドを提供する。
カバー８０が電子デバイスの９０で示される受け入れハ
ウジングシェル９０またはベース構造とどのように協働
するかを示すために図１２に示されている。ハウジング
シェル９０は、プリント回路基板９２を支持し、その上
に電子回路構成コンポーネント９４、９４が支持され、
かつ該コンポーネント９４、９４はＥＭＩシールドされ
ることとなる。プリント回路基板９２は、カバー構造８
０に面する面９８上にグラウンドプレーン（接地平面）
９６を有している。カバー構造８０が、方向矢印１０
０、１００によって示されるようにハウジングシェル９
０と協同関係におかれたとき、内部キャビティ８４内に
インサートモールドされたファイバメッシュネット８２
の縁部８６は、回路基板９２のグラウンド平面９６に機
械的にかつ電気的に接触させ、そして所要のＥＭＩシー
ルドを提供する。
【００２６】図１３には、本発明のさらなる実施の形態
が示され、そこでは、本発明を実施するファイバメッシ
ュネットＥＭＩシールド構造が図示されており、全体が
１１０で示される。ファイバメッシュネット１１０は、
この実施の形態において、たとえば、携帯電話または無
線電話等のポータブル電子デバイスをケースに入れるた
めに用いられる型のような、カバー構造１１６の対応す
る内部キャビティ１１２の形状、サイズおよび輪郭に整
合させるべく、前もって形成されたモールド片として説
明されている。図１３に示された実施の形態において、
ファイバメッシュネット１１０は、キャビティ１１２を
囲む面１１４上に位置された対応する周辺面領域１２０
上に載置される下側面１２４を有する外側周辺フランジ
またはリップ１１８を設けるように形成される。方向矢
印１２２により示されたように、ファイバメッシュネッ
トモールド１１０がキャビティ１１２内に挿入されたと
き、周辺面１２６に沿うファイバメッシュネットモール
ド１１０の電気的に伝導するファイバは、図１２の説明
に関連して説明された構成と類似したプリント回路基板
グラウンド平面（図１３には示されていない）に対峙す
る関係で配置される。ファイバメッシュネットモールド
１１０は、面対面の係合を介してキャビティ１１２内に
維持されるが、他の適切な接続手段を用いてもよい。
が示され、そこでは、本発明を実施するファイバメッシ
ュネットＥＭＩシールド構造が図示されており、全体が
１１０で示される。ファイバメッシュネット１１０は、
この実施の形態において、たとえば、携帯電話または無
線電話等のポータブル電子デバイスをケースに入れるた
めに用いられる型のような、カバー構造１１６の対応す
る内部キャビティ１１２の形状、サイズおよび輪郭に整
合させるべく、前もって形成されたモールド片として説
明されている。図１３に示された実施の形態において、
ファイバメッシュネット１１０は、キャビティ１１２を
囲む面１１４上に位置された対応する周辺面領域１２０
上に載置される下側面１２４を有する外側周辺フランジ
またはリップ１１８を設けるように形成される。方向矢
印１２２により示されたように、ファイバメッシュネッ
トモールド１１０がキャビティ１１２内に挿入されたと
き、周辺面１２６に沿うファイバメッシュネットモール
ド１１０の電気的に伝導するファイバは、図１２の説明
に関連して説明された構成と類似したプリント回路基板
グラウンド平面（図１３には示されていない）に対峙す
る関係で配置される。ファイバメッシュネットモールド
１１０は、面対面の係合を介してキャビティ１１２内に
維持されるが、他の適切な接続手段を用いてもよい。
【００２７】ファイバメッシュネットの取扱いを容易に
するために、図１４において、概念的な縁端図に示され
たように、ラミネートを形成すべく、ポリマー膜層と共
に図１、図４または図６に示されるファイバメッシュネ
ットに結合することが望まれ得る。全体を１３０で指示
されるポリマー膜層および全体を１３２で示されるファ
イバメッシュネットは、ポリマー膜層１３０の面１３４
上に配置されかつそれに接着される。ポリマー膜層１３
０およびファイバメッシュネット１３２により形成され
概して１３６で示されるラミネートは、ファイバメッシ
ュネット面の少なくとも一部が、さきにて説明したよう
にプリント回路基板上でグラウンド平面への機械的にか
つ電気的な接続のために露出され、そしてさらに前記説
明において開示しかつ述べたように、柔軟性を提供しか
つカバー構造内に定義される内部キャビティにインサー
トモールドするようになっている。
するために、図１４において、概念的な縁端図に示され
たように、ラミネートを形成すべく、ポリマー膜層と共
に図１、図４または図６に示されるファイバメッシュネ
ットに結合することが望まれ得る。全体を１３０で指示
されるポリマー膜層および全体を１３２で示されるファ
イバメッシュネットは、ポリマー膜層１３０の面１３４
上に配置されかつそれに接着される。ポリマー膜層１３
０およびファイバメッシュネット１３２により形成され
概して１３６で示されるラミネートは、ファイバメッシ
ュネット面の少なくとも一部が、さきにて説明したよう
にプリント回路基板上でグラウンド平面への機械的にか
つ電気的な接続のために露出され、そしてさらに前記説
明において開示しかつ述べたように、柔軟性を提供しか
つカバー構造内に定義される内部キャビティにインサー
トモールドするようになっている。
【００２８】図１５には、全体を１４１で示される本発
明のＥＭＩシールド構造のさらなる実施の形態が示され
ている。図１５に示される縦断面図は、それぞれ、全体
を１５４で示される内部キャビティを区画する壁部１４
８、１５０、１５２の内面１４２、１４４、１４６にラ
ミネートされる全体を１４０で示されるファイバメッシ
ュネットを示している。ファイバメッシュネット１４０
の端部１５６、１５８は、壁部１４８、１５０の下側端
面１６０、１６２のまわりに延在する。端部１５６、１
５８は、適切なＥＭＩシールドのために必要なグラウン
ド電位を提供すべく、プリント回路基板（図１５には図
示されていない）のグラウンド平面またはグラウンド回
路パスに接触する。全体を１６４で示されて概念的に図
示される電気的回路構成は、ファイバメッシュネット１
４０がラミネートされる面１４４上で、該面１４４と反
対の面１６６上に支持される。端部１５６におけるファ
イバメッシュネット１４０は、１６８で示される接続点
において回路構成１６４に電気的に接触する下端面１６
０を横切って延びる。面１６６上に指示される電気的回
路構成１６４は、ファイバメッシュネット１４０の端部
１５８までポリマー膜面１６６を完全に横切って延びる
わけではないことに留意すべきである。図１５に示され
た実施の形態において、グラウンド電位は、以上に述べ
たように、カバーが適正位置に組み立てられたときに、
プリント回路基板グラウンド平面から電気的回路構成１
６４まで運ばれる。
明のＥＭＩシールド構造のさらなる実施の形態が示され
ている。図１５に示される縦断面図は、それぞれ、全体
を１５４で示される内部キャビティを区画する壁部１４
８、１５０、１５２の内面１４２、１４４、１４６にラ
ミネートされる全体を１４０で示されるファイバメッシ
ュネットを示している。ファイバメッシュネット１４０
の端部１５６、１５８は、壁部１４８、１５０の下側端
面１６０、１６２のまわりに延在する。端部１５６、１
５８は、適切なＥＭＩシールドのために必要なグラウン
ド電位を提供すべく、プリント回路基板（図１５には図
示されていない）のグラウンド平面またはグラウンド回
路パスに接触する。全体を１６４で示されて概念的に図
示される電気的回路構成は、ファイバメッシュネット１
４０がラミネートされる面１４４上で、該面１４４と反
対の面１６６上に支持される。端部１５６におけるファ
イバメッシュネット１４０は、１６８で示される接続点
において回路構成１６４に電気的に接触する下端面１６
０を横切って延びる。面１６６上に指示される電気的回
路構成１６４は、ファイバメッシュネット１４０の端部
１５８までポリマー膜面１６６を完全に横切って延びる
わけではないことに留意すべきである。図１５に示され
た実施の形態において、グラウンド電位は、以上に述べ
たように、カバーが適正位置に組み立てられたときに、
プリント回路基板グラウンド平面から電気的回路構成１
６４まで運ばれる。
【００２９】以下に述べるように、電気的回路構成は、
グラウンド電圧電位接続を、電子デバイスのハウジング
シェル内に支持されるプリント回路基板から離れかつカ
バー構造の外部に位置する付加的なコンポーネントに提
供するために使用することもできる。ファイバメッシュ
ネットに１４０の選択されたストランドは、ポリマー層
１４３の面１６６により支持される電気的回路構成１６
４に電気的に結合される。図１５のＥＭＩシールド構造
１４１は、前述したような、カバー構造における内部キ
ャビティのようにその内部にＥＭＩシールド構造がイン
サートモールドされるキャビティの輪郭に整合させるべ
く予め成型されまたは予め形成され得る。
グラウンド電圧電位接続を、電子デバイスのハウジング
シェル内に支持されるプリント回路基板から離れかつカ
バー構造の外部に位置する付加的なコンポーネントに提
供するために使用することもできる。ファイバメッシュ
ネットに１４０の選択されたストランドは、ポリマー層
１４３の面１６６により支持される電気的回路構成１６
４に電気的に結合される。図１５のＥＭＩシールド構造
１４１は、前述したような、カバー構造における内部キ
ャビティのようにその内部にＥＭＩシールド構造がイン
サートモールドされるキャビティの輪郭に整合させるべ
く予め成型されまたは予め形成され得る。
【００３０】図１６は、全体を１７０で示されるカバー
構造の概念的な部分切欠縦断面図を示しており、該カバ
ーは、図９に図解されたカバー構造と類似している。図
１５に関連して述べられたように一方の面１４４上のフ
ァイバメッシュネット１４０およびその反対の面上の電
気的回路構成１６４がラミネートされたポリマー膜は、
カバー１７０の壁部１７４とカバー１７０の内側１８０
の内壁１７６、１７８とにより形成される予め区画され
た内部キャビティ１７２内にインサートモールドされ
る。内部キャビティ１７２は、ＥＭＩシールドされるこ
とが望まれるプリント回路基板（図１６には図示されて
いない）上に支持される電子的回路構成の領域を取り囲
むように配置される。図１６に示されるように、ファイ
バメッシュネット１４０は、それぞれキャビティ１７２
を区画する壁部１７４、１７６、１７８の内面１４２、
１４４、１４６とひと続きになっている。ファイバメッ
シュネット１４０の端部１５６、１５８は、図１２に関
連してさきに説明されたように、プリント回路基板上の
グラウンド平面における電気的なかつ機械的な接触のた
めに露出されたままとされる。
構造の概念的な部分切欠縦断面図を示しており、該カバ
ーは、図９に図解されたカバー構造と類似している。図
１５に関連して述べられたように一方の面１４４上のフ
ァイバメッシュネット１４０およびその反対の面上の電
気的回路構成１６４がラミネートされたポリマー膜は、
カバー１７０の壁部１７４とカバー１７０の内側１８０
の内壁１７６、１７８とにより形成される予め区画され
た内部キャビティ１７２内にインサートモールドされ
る。内部キャビティ１７２は、ＥＭＩシールドされるこ
とが望まれるプリント回路基板（図１６には図示されて
いない）上に支持される電子的回路構成の領域を取り囲
むように配置される。図１６に示されるように、ファイ
バメッシュネット１４０は、それぞれキャビティ１７２
を区画する壁部１７４、１７６、１７８の内面１４２、
１４４、１４６とひと続きになっている。ファイバメッ
シュネット１４０の端部１５６、１５８は、図１２に関
連してさきに説明されたように、プリント回路基板上の
グラウンド平面における電気的なかつ機械的な接触のた
めに露出されたままとされる。
【００３１】さて、図１７には、本発明のさらなる実施
の形態が、そこに携帯電話または無線電話のようなポー
タブル電子デバイスに実施されるものとして図示されて
いる。電磁放射を生成しかつ放出するコンポーネント１
９２，１９２を含む電子的回路構成を支持するプリント
回路基板１９０は、電子デバイス（図１７には図示され
ていない）のハウジングシェル内に支持されかつ収容さ
れている。グラウンド電圧電位回路パスすなわちグラウ
ンドプレーン（接地平面）１９４は、プリント回路基板
１９０の面１９６上に支持されている。その中に本発明
のファイバメッシュネット２０２がインジェクトされ
（注入され）モールドされた、２００で示されるカバー
の概念的な分解図が、カバー２００がハウジングシェル
に位置合わせされかつそれに取り付けられたときに、フ
ァイバメッシュネット２０２の外部周辺下側縁面２０４
が、所望のＥＭＩシールドのための必要な電気的グラウ
ンドを提供すべく、プリント回路基板面１９６により支
持されるグラウンド平面１９４に機械的にかつ電気的に
接触されるであろうように、電子的コンポーネント１９
２、１９２の上方に配置されて示されている。
の形態が、そこに携帯電話または無線電話のようなポー
タブル電子デバイスに実施されるものとして図示されて
いる。電磁放射を生成しかつ放出するコンポーネント１
９２，１９２を含む電子的回路構成を支持するプリント
回路基板１９０は、電子デバイス（図１７には図示され
ていない）のハウジングシェル内に支持されかつ収容さ
れている。グラウンド電圧電位回路パスすなわちグラウ
ンドプレーン（接地平面）１９４は、プリント回路基板
１９０の面１９６上に支持されている。その中に本発明
のファイバメッシュネット２０２がインジェクトされ
（注入され）モールドされた、２００で示されるカバー
の概念的な分解図が、カバー２００がハウジングシェル
に位置合わせされかつそれに取り付けられたときに、フ
ァイバメッシュネット２０２の外部周辺下側縁面２０４
が、所望のＥＭＩシールドのための必要な電気的グラウ
ンドを提供すべく、プリント回路基板面１９６により支
持されるグラウンド平面１９４に機械的にかつ電気的に
接触されるであろうように、電子的コンポーネント１９
２、１９２の上方に配置されて示されている。
【００３２】図１７にさらに説明されているように、２
０６で示される付加的な電子的回路構成は、上方の外方
に対峙する面２０８上に支持され、かつ２１０で示され
る付加的なラミネートオーバレイと協同し、そしてそれ
は、たとえば、携帯電話または無線電話のダイヤルパッ
ドのキー２１２，２１２を支持していてもよい。図１７
に示された実施の形態においては、ファイバメッシュネ
ットおよびポリマーフィルムラミネート２０２の上面２
０８上に支持される付加的な電子的回路構成２０６は、
カバー２００における適切な寸法および形状とした開口
部２１４を通ってラミネートオーバレイ２１０にアクセ
ス可能である。図１７に図示され、ラミネート２０２の
外側面２０８に支持される電子的回路構成２０６は、キ
ーパッドラミネートオーバレイ２１０のためのグラウン
ド電圧電位を提供するが、付加的な機能的な回路構成
は、面２０８上に支持され得るとともに、携帯電話また
は無線電話の機能電子回路構成のための付加的な機能お
よび／または付加的な取り付け領域を提供すべく、プリ
ント回路基板１９０上に支持された他の電子的回路構成
２１６と相互連結することもできる。伝導リンクおよび
電気回路コンポーネントとの相互接続を用いてプリント
回路パスとグラウンド平面とを施す技術は、フレキシブ
ル回路サブストレート（基板）上に電子的回路構成を作
成する技術に熟達した者にはよく知られている。
０６で示される付加的な電子的回路構成は、上方の外方
に対峙する面２０８上に支持され、かつ２１０で示され
る付加的なラミネートオーバレイと協同し、そしてそれ
は、たとえば、携帯電話または無線電話のダイヤルパッ
ドのキー２１２，２１２を支持していてもよい。図１７
に示された実施の形態においては、ファイバメッシュネ
ットおよびポリマーフィルムラミネート２０２の上面２
０８上に支持される付加的な電子的回路構成２０６は、
カバー２００における適切な寸法および形状とした開口
部２１４を通ってラミネートオーバレイ２１０にアクセ
ス可能である。図１７に図示され、ラミネート２０２の
外側面２０８に支持される電子的回路構成２０６は、キ
ーパッドラミネートオーバレイ２１０のためのグラウン
ド電圧電位を提供するが、付加的な機能的な回路構成
は、面２０８上に支持され得るとともに、携帯電話また
は無線電話の機能電子回路構成のための付加的な機能お
よび／または付加的な取り付け領域を提供すべく、プリ
ント回路基板１９０上に支持された他の電子的回路構成
２１６と相互連結することもできる。伝導リンクおよび
電気回路コンポーネントとの相互接続を用いてプリント
回路パスとグラウンド平面とを施す技術は、フレキシブ
ル回路サブストレート（基板）上に電子的回路構成を作
成する技術に熟達した者にはよく知られている。
【００３３】適切なそして所望の電子信号は、本発明の
ファイバメッシュネットの一部として予め識別されかつ
製作された特定の伝送ファイバを介してプリント回路基
板回路構成コンポーネント２１６へおよびそれから運ば
れる。あるスレッド、たとえば図７に示されているよう
にスレッド３２は、電子的信号が、それを通してプリン
ト回路基板１９０上の回路構成２１６およびラミネート
面２０８上の回路構成２０６から双方向に通過するであ
ろう電子的電流搬送中心導体を覆って絶縁された外部ジ
ャケットを支持してもよい。前記導体の最終端は、たと
えば図１８および図１９に示されたような、当該技術に
おける熟達者にはよく知られている種々の手段を介して
プリント回路基板に接続されてもよい。図１８は、導体
２２０がステーク（棒）すなわちポスト（柱）２２２に
巻回されて、該ポストに対する電気的および機械的に接
続させるラッピング技術を示している。ポスト２２２
は、それから、プリント回路基板１９０上に取り付けら
れた適切な対応する受け入れコネクタ２２４に挿入され
る。図１９は、ピン２３０の端部２２８内に受け入れら
れる導体端部２２６を示しており、該ピン２３０もま
た、プリント回路基板１９０上に取り付けられた適切な
対応する受け入れコネクタ２３２内に挿入される。ファ
イバメッシュネットのファイバからおよびそれへの接続
点の密度を向上させるために、超音波ウェルディング
（溶接）のような適切な小型化技術が用いられ得る。
ファイバメッシュネットの一部として予め識別されかつ
製作された特定の伝送ファイバを介してプリント回路基
板回路構成コンポーネント２１６へおよびそれから運ば
れる。あるスレッド、たとえば図７に示されているよう
にスレッド３２は、電子的信号が、それを通してプリン
ト回路基板１９０上の回路構成２１６およびラミネート
面２０８上の回路構成２０６から双方向に通過するであ
ろう電子的電流搬送中心導体を覆って絶縁された外部ジ
ャケットを支持してもよい。前記導体の最終端は、たと
えば図１８および図１９に示されたような、当該技術に
おける熟達者にはよく知られている種々の手段を介して
プリント回路基板に接続されてもよい。図１８は、導体
２２０がステーク（棒）すなわちポスト（柱）２２２に
巻回されて、該ポストに対する電気的および機械的に接
続させるラッピング技術を示している。ポスト２２２
は、それから、プリント回路基板１９０上に取り付けら
れた適切な対応する受け入れコネクタ２２４に挿入され
る。図１９は、ピン２３０の端部２２８内に受け入れら
れる導体端部２２６を示しており、該ピン２３０もま
た、プリント回路基板１９０上に取り付けられた適切な
対応する受け入れコネクタ２３２内に挿入される。ファ
イバメッシュネットのファイバからおよびそれへの接続
点の密度を向上させるために、超音波ウェルディング
（溶接）のような適切な小型化技術が用いられ得る。
【００３４】本発明を実施するＥＭＩシールド構造が、
いくつかの望ましい実施の形態について以上に説明され
てきた。当該技術における熟達者により、ここで提示し
た発明の意図および範囲を逸脱することなく多数の変形
が施され得ることは認識されかつ理解されるであろう。
それゆえ、本発明は限定よりもむしろ説明によって示さ
れている。
いくつかの望ましい実施の形態について以上に説明され
てきた。当該技術における熟達者により、ここで提示し
た発明の意図および範囲を逸脱することなく多数の変形
が施され得ることは認識されかつ理解されるであろう。
それゆえ、本発明は限定よりもむしろ説明によって示さ
れている。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、ポータブル電子製品、
とくに携帯電話および無線電話、のための能率よくかつ
コストに対する効果の高いＥＭＩシールドの解決法を提
供することができる。
とくに携帯電話および無線電話、のための能率よくかつ
コストに対する効果の高いＥＭＩシールドの解決法を提
供することができる。
【図１】本発明において実施され得るタイプのファイバ
メッシュネットの一例の写真再現図である。
メッシュネットの一例の写真再現図である。
【図２】図１のファイバメッシュネットの織物ファイバ
の拡大図である。
の拡大図である。
【図３】ファイバメッシュネットの電気伝導ファイバの
ねじり合わせファイバを示す、図２に示されたファイバ
メッシュネットの一部分のさらなる拡大図である。
ねじり合わせファイバを示す、図２に示されたファイバ
メッシュネットの一部分のさらなる拡大図である。
【図４】本発明において実施され得るタイプのファイバ
メッシュネットのさらなる例の写真再現図である。
メッシュネットのさらなる例の写真再現図である。
【図５】図４のファイバメッシュネットの織物ファイバ
のパターンを示す拡大図である。
のパターンを示す拡大図である。
【図６】本発明において実施され得るタイプのファイバ
メッシュネットのまたさらなる例の写真再現図である。
メッシュネットのまたさらなる例の写真再現図である。
【図７】図６のファイバメッシュネットの織物ファイバ
のパターンを示す拡大図である。
のパターンを示す拡大図である。
【図８】図１、図４および図６のファイバメッシュネッ
トのいくぶんか概念的な端縁部分の図である。
トのいくぶんか概念的な端縁部分の図である。
【図９】本発明のインサートモールドされたファイバメ
ッシュネットを実施するカバー構造の概念的な部分切欠
縦断面図である。
ッシュネットを実施するカバー構造の概念的な部分切欠
縦断面図である。
【図１０】カバー構造とともにインサートモールドのた
めにキャビティ上に配置されたファイバメッシュネット
シートを有する多キャビティモールドの１つのキャビテ
ィを示す部分拡大図である。
めにキャビティ上に配置されたファイバメッシュネット
シートを有する多キャビティモールドの１つのキャビテ
ィを示す部分拡大図である。
【図１１】カバー構造内にインサートモールドされる本
発明のファイバメッシュネットを示すカバー構造の部分
図である。
発明のファイバメッシュネットを示すカバー構造の部分
図である。
【図１２】ＥＭＩシールドを提供するために容器と協働
するインサートモールドされたファイバメッシュネット
カバー構造の概念的な切欠断面展開図である。
するインサートモールドされたファイバメッシュネット
カバー構造の概念的な切欠断面展開図である。
【図１３】カバー構造における受け入れキャビティ内へ
のインサートのための予備成型モールドされたファイバ
メッシュネットを図解した図である。
のインサートのための予備成型モールドされたファイバ
メッシュネットを図解した図である。
【図１４】ポリマー膜上にラミネートされた図１、図４
および図６に示されるファイバメッシュネットの概念的
な端縁部分の図である。
および図６に示されるファイバメッシュネットの概念的
な端縁部分の図である。
【図１５】ポリマー膜の一方の面にラミネートされたフ
ァイバメッシュネットおよび該ポリマー膜の反対の面上
に支持された電気回路構成を示す概念的な縦断面図であ
る。
ァイバメッシュネットおよび該ポリマー膜の反対の面上
に支持された電気回路構成を示す概念的な縦断面図であ
る。
【図１６】図１５に示された発明のインサートモールド
されたファイバメッシュネットの実施の形態を有するカ
バー構造の概念的な部分切欠縦断面図である。
されたファイバメッシュネットの実施の形態を有するカ
バー構造の概念的な部分切欠縦断面図である。
【図１７】ファイバメッシュネットがポリマー膜の一方
の面にラミネートされ、かつ電子回路構成が、カバーに
対する機能性を拡張するために反対側に支持されたポー
タブル電子デバイスの断片化した部分分解組立て図であ
る。
の面にラミネートされ、かつ電子回路構成が、カバーに
対する機能性を拡張するために反対側に支持されたポー
タブル電子デバイスの断片化した部分分解組立て図であ
る。
【図１８】プリント回路基板への電気的接続を行なうた
めの伝導ポストのまわりをラップしたファイバメッシュ
ネットの少なくとも１つのスレッドを示す図である。
めの伝導ポストのまわりをラップしたファイバメッシュ
ネットの少なくとも１つのスレッドを示す図である。
【図１９】プリント回路基板への電気的接続を行なうた
めのピンに取り付けたファイバメッシュネットの少なく
とも１つのスレッドを示す図である。
めのピンに取り付けたファイバメッシュネットの少なく
とも１つのスレッドを示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｂ２９Ｌ 31:34 (72)発明者 テルホ カイクランタ フィンランド共和国、20760 ピイスパン リスティ、ソルバクヤ ７ (72)発明者 ペルッティ ノウシアイネン フィンランド共和国、33720 タンペレ、 ティムプリンカツ ２ (72)発明者 イルポ ピイッケ フィンランド共和国、33270 タンペレ、 ツウルナンカツ ８ (72)発明者 ペンッティ ヤルベレ フィンランド共和国、33720 タンペレ、 メスタリンカツ 12 (72)発明者 マルヤ リッサネン フィンランド共和国、33610 タンペレ、 エンセニンカツ 29 アー ３ Ｆターム(参考） 4F100 AB10 AB16 AB24 AJ04 AJ09 AK01B AK07 AK41 AK42 AK48 AR00C AS00D AT00B BA03 BA04 BA07 BA10A BA10C BA10D DG01A DG03 DG04 DG07A DG12A DG13A DG14A DG15A JG01 JG03 JG04C JG10 YY00A 4F206 AD03 AD05 AD08 AD16 AH33 JA07 JB12 JF05 JL02 JM04 JN11 JQ81 4L002 AC03 CB02 FA06 4L046 AA10 AA24 AB09 BA00 BB00 5E321 AA01 AA14 AA22 AA23 BB23 BB41 BB44 CC16 GG05
Claims (17)
- 【請求項１】 ポータブル電子デバイスをＥＭＩシール
ドするための方法であって、前記デバイス内に収容され
る第１の電子的回路構成をシールドするために、前記デ
バイスの壁部内に電気的伝導性ファイバのメッシュネッ
トをインサートモールドすることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記ファイバメッシュネットの少なくと
も一部が、前記電子デバイス内の回路基板上に設けられ
たグラウンドプレーンに、直接連続的に機械的および電
気的に接続される請求項１記載のポータブル電子デバイ
スをＥＭＩシールドするための方法。 - 【請求項３】 前記ファイバメッシュネットが、ポリマ
ーフィルムシートに積層される請求項１記載のポータブ
ル電子デバイスをＥＭＩシールドするための方法。 - 【請求項４】 前記ポリマーフィルムシートが、第２の
電子回路構成を支持するために、前記ファイバメッシュ
ネットの面の反対側に電気的に非伝導の面を有し、そし
て前記ファイバメッシュネットは、前記第２の電子的回
路構成に機械的にかつ電気的に結合するために非伝導側
に延びる部分を少なくとも有する、請求項３記載のポー
タブル電子デバイスをＥＭＩシールドするための方法。 - 【請求項５】 前記ファイバメッシュネットの一部が、
伝導および非伝導のファイバの混合物からなり、前記伝
導ファイバの少なくとも一つは、前記プリント回路基板
上の前記第１の電子的回路構成から前記第２の電子的回
路構成へ電気信号を搬送する請求項４記載のポータブル
電子デバイスをＥＭＩシールドするための方法。 - 【請求項６】 ポータブル電子デバイスをＥＭＩシール
ドするための方法であって、前記デバイス内に収容され
る第１の電子的回路構成を取り囲む内部キャビティを区
画する壁面内に電気的伝導性ファイバのメッシュネット
をインサートモールドすることを特徴とし、前記ファイ
バメッシュネットはボビネット織りファイバメッシュネ
ットに形成されていることをさらに特徴とする方法。 - 【請求項７】 前記ファイバメッシュネットが縦糸編
み、ラッシェル編みなどに編まれた、組みひも状の、不
織布の、または紡いだ多方向性織物構造を含む織物構造
を有する請求項６記載のポータブル電子デバイスをＥＭ
Ｉシールドするための方法。 - 【請求項８】 ポータブル電子デバイスのためのＥＭＩ
シールド装置であって、前記電子デバイスの壁面内にイ
ンサートモールドされ、前記電子的デバイス内の第１の
電子的回路構成を取り囲むためのサイズ、形状および輪
郭を有する内部キャビティを区画する電気的伝導性ファ
イバのメッシュネットを備えたことを特徴とする装置。 - 【請求項９】 前記インサートモールドされた電気的伝
導性ファイバメッシュネットが、前記電子デバイス内の
回路基板上に設けられるグラウンドプレーンに、実質的
に連続的に機械的および電気的に接続されている請求項
８記載のＥＭＩシールド装置。 - 【請求項１０】 前記ファイバメッシュネットが、ボビ
ネット織りファイバメッシュネットである請求項９記載
のＥＭＩシールド装置。 - 【請求項１１】 前記ファイバメッシュネットが、ボビ
ネット織り３方向性ファイバメッシュネットである請求
項９記載のＥＭＩシールド装置。 - 【請求項１２】 前記ファイバメッシュネットが、少な
くとも、縦糸編み、ラッシェル編みなどに編まれた、組
みひも状の、不織布の、または紡いだ多方向性ファイバ
メッシュネットを含む織物構造メッシュネットを備える
請求項８記載のＥＭＩシールド装置。 - 【請求項１３】 前記ファイバメッシュネットが、ポリ
マーフィルムシートに積層されている請求項８記載のＥ
ＭＩシールド装置。 - 【請求項１４】 前記ポリマーフィルムシートが、第２
の電子的回路構成を支持するために、前記ファイバメッ
シュネット面の反対側に電気的に非伝導な面を有し、か
つ前記ファイバメッシュネットが、前記第１および第２
の電子的回路構成のあいだに電子的信号を通すため、前
記電気デバイス内に、少なくとも前記第２の電子回路構
成におよび前記第１の電子回路構成に電気的に結合され
る部分を有する請求項１３記載のＥＭＩシールド装置。 - 【請求項１５】 前記ボビネット織り３方向性ファイバ
メッシュネットが、インチあたり６から３４個の開口、
および平方メートルあたり１０から５０グラムの比重量
によって特徴づけられた請求項１１記載のＥＭＩシール
ド装置。 - 【請求項１６】 前記ファイバメッシュネットが、前記
内部キャビティにインサートモールドするために、当該
内部キャビティのサイズ、形状および輪郭に前もって形
成される請求項８記載のＥＭＩシールド装置。 - 【請求項１７】 前記ファイバメッシュネットが、前記
第２の電子的回路構成が、前記カバーの外部に支持され
た他の電子的回路構成に電子的に結合されかつ前記他の
回路構成と前記第２の回路構成とのあいだで電気的信号
を伝えるべく、機能的に前記第２の電気回路構成と協働
するように設けられるように、前記電気デバイスのカバ
ー部分内にインサートモールドされる請求項１４記載の
ＥＭＩシールド装置。
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