JPH0961674A - 光モジュール及びその製造方法 - Google Patents
光モジュール及びその製造方法Info
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Abstract
等の光導波路体を基板に固定した光モジュールを提供す
る。 【解決手段】 光ファイバ34の端面位置決めする溝壁
面を有する矩形溝38を形成し、Si基板31上のメタ
ライズ膜41上に光ファイバ34を載置して、メタライ
ズ膜41とメタライズ膜42とを接触させ、矩形溝38
に光ファイバ34の端面の一部を接触させて、光ファイ
バ34の位置決めをし、加熱した状態で、ボンディング
ツールによって、Si基板31と光ファイバ34との一
方を他方へ押圧することにより、メタライズ膜41の表
面及びメタライズ膜42の表面の界面エネルギーを上昇
させ、両メタライズ膜の金属原子を相互に拡散させるこ
とにより両メタライズ膜を接合し、これによりSi基板
31へ光ファイバ34を固着することにより、接着剤や
ハンダ材を介在させずに光ファイバ34を基板に固定し
た光モジュールを得る。
Description
どに用いられる光モジュール及びその製造方法に関す
る。
等の光素子が固定されている基板上に、光ファイバ等の
光導波路体を、該光素子との光学結合が最適になるよう
に、位置決めし、その最適状態を維持する必要がある。
に、基板と光導波路体をそれぞれ金属被膜で覆い、ハン
ダ材または接着剤などを介在させることにより、光導波
路体を基板に固定していた。
体と光素子との光学結合を最適にするために、それぞれ
の位置決めをする方法として、例えば、特開昭62−2
24097(以下、引用例1)に提案されているもの
と、IEEE Trans.CHMT,vol.13,
No.4,1990(以下、引用例2)において提案さ
れているものとがある。
示されるように、半導体レーザ32が固定されているS
i基板31上に、ハンダ材47になじみ易い材料からな
る光ファイバ固定用の網目状または縞状の覆い46を形
成し、光ファイバ34をその覆い46の中に通し、その
後、全体をハンダ接合することによって、半導体レーザ
32と光ファイバ34の位置決めをしている。
9に示されるように、半導体レーザ32は、Si基板3
1上にハンダバンプ33で固定される。また、Si基板
31上にはSi基板31を異方性エッチングすることに
よってV溝35が形成され、光ファイバ34は、そのV
溝35に、半導体レーザ32の光軸と光ファイバ34の
光軸とが整合するように、位置決め固定される。ここ
で、半導体レーザ32の接合位置決めは、ハンダバンプ
33がリフローすることにより起こるセルフアライメン
ト効果によって、自動的に行なわれる。また、光ファイ
バ34はハンダ材や接着剤に依り基板に固定されてい
る。したがって、引用例2においては、調芯工程の無
い、低コストなモジュールの組み立てが可能である。
の場合も、光ファイバ等の光導波路体と基板との間にハ
ンダ剤または接着剤が介在している。
高い粘性をもっているため、例えば、ハンダ材をハンダ
ごてにて溶融した場合、溶融したハンダ材から、ハンダ
ごてを離そうとするとハンダ材の表面張力により、ハン
ダ材がハンダごての移動方向に引っ張られる現象が生じ
る。
圧力をかけることは困難なため、ハンダ材が冷えて固ま
った時や接着剤が固まった時に結果として厚みのばらつ
きが生じる。
ァイバ等の光導波路体の固着位置精度が低下し、結果と
して、半導体レーザ等の光素子と光ファイバ等の光導波
路体との間で光軸のずれが生じ、光結合効率が低下する
問題があった。
めに、接着剤やハンダ材を介在させずに光ファイバ等の
光導波路体を基板に固定した光モジュールを提供するこ
とにある。
と、細長い光導波路体と、前記光素子と前記光導波路体
とを搭載した基板とからなる光モジュールにおいて、前
記基板は、前記光導波路体を搭載した位置に第1の金属
被膜を有し、前記光導波路体は、前記基板と対向する位
置に第2の金属被膜を有し、前記第1及び第2の金属被
膜の表面同士が接触し、両金属被膜の金属原子同士が相
互に拡散することにより接合されており、これにより前
記基板へ前記光導波路体が固着されていることを特徴と
する光モジュールが得られる。
において、前記基板は、前記光導波路体を受ける光導波
路体受け溝を有し、該光導波路体受け溝の内面に前記第
1の金属被膜が設けられていることを特徴とする光モジ
ュールが得られる。
において、前記光導波路体の前記光素子と対向し光学的
に接続される光導波路体端面を有し、前記基板は、前記
光導波路体受け溝に交差して、前記光導波路体端面を位
置決めしている溝壁面を有する光導波路体端面位置決め
溝を有していることを特徴とする光モジュールが得られ
る。
において、前記光導波路体端面は、該光導波路体の光軸
に対し直角をなす平面であり、前記光導波路体端面位置
決め溝は、断面矩形であることを特徴とする光モジュー
ルが得られる。
において、前記第1及び第2の金属被膜は、いずれもA
uからなることを特徴とする光モジュールが得られる。
において、前記第1及び第2の金属被膜は、いずれもP
tからなることを特徴とする光モジュールが得られる。
において、前記第1及び第2の金属被膜の少なくとも一
方は、柔らかく塑性変形し易い金属からなる第1の金属
層を有し、該第1の金属層の上に酸化し難い金属からな
る第2の金属層を有することを特徴とする光モジュール
が得られる。
において、前記光導波路体と前記基板とを、前記第1及
び第2の金属被膜の接合部を含むように、覆う充填剤を
有することを特徴とする光モジュールが得られる。
において、前記基板は、余分な前記充填剤が前記光導波
路体端面に付着するのを防ぐための充填剤トラップ溝を
有することを特徴とする光モジュールが得られる。
路体と、前記光素子と前記光導波路体とを搭載する基板
とからなる光モジュールの製造方法において、前記基板
の前記光導波路体を搭載する位置に第1の金属被膜を形
成し、前記光導波路体の前記基板と対向する位置に第2
の金属被膜を形成し、前記基板上の前記第1の金属被膜
上に前記光導波路体を載置して、前記第1の金属被膜と
前記第2の金属被膜とを接触させ、加熱した状態で、加
圧手段によって、前記基板と前記光導波路体との一方を
他方へ押圧することにより、前記第1の金属被膜の表面
および前記第2の金属被膜の表面の界面エネルギーを上
昇させ、前記第1の金属被膜の金属原子と前記第2の金
属被膜の金属原子とを相互に拡散させることにより両金
属被膜を接合し、これにより前記基板へ前記光導波路体
を固着することを特徴とする光モジュールの製造方法が
得られる。
の製造方法において、前記加圧手段による押圧の際に、
前記基板及び前記光導波路体の少なくとも一方に振動を
加えることを特徴とする光モジュールの製造方法が得ら
れる。
路体と、前記光素子と前記光導波路体とを搭載する基板
とからなる光モジュールの製造方法において、前記基板
の前記光導波路体を搭載する位置に光導波路体を受ける
光導波路体受け溝を形成し、前記基板の前記光導波路体
受け溝の内面に第1の金属被膜を形成し、前記光導波路
体の前記光導波路体受け溝と対向する位置に第2の金属
被膜を形成し、前記基板上に、前記光導波路体受け溝に
交差して、且つ、前記光導波路体端面を位置決めする溝
壁面を有する光導波路体端面位置決め溝を形成し、前記
基板上の前記第1の金属被膜上に前記光導波路体を載置
して、前記第1の金属被膜と前記第2の金属被膜とを接
触させ、前記光導波路体端面位置決め溝の壁面に前記光
導波路体端面の一部を接触させて、前記光導波路体の位
置決めをし、加熱した状態で、加圧手段によって、前記
基板と前記光導波路体との一方を他方へ押圧することに
より、前記第1の金属被膜の表面および前記第2の金属
被膜の表面の界面エネルギーを上昇させ、前記第1の金
属被膜の金属原子と前記第2の金属被膜の金属原子とを
相互に拡散させることにより両金属被膜を接合し、これ
により前記基板へ前記光導波路体を固着することを特徴
とする光モジュールの製造方法が得られる。
路体と、前記光素子と前記光導波路体とを搭載する基板
とからなる光モジュールの製造方法において、前記基板
の前記光導波路体を搭載する位置に前記光導波路体を受
ける光導波路体受け溝を形成し、前記基板の前記光導波
路体受け溝の内面に第1の金属被膜を形成し、前記光導
波路体の前記光導波路体受け溝と対向する位置に第2の
金属被膜を形成し、前記基板上に、前記光導波路体受け
溝に交差して、前記光導波路体の端面を位置決めする溝
壁面を有する光導波路体端面位置決め溝を形成し、前記
基板上に、前記光導波路体受け溝に交差して、且つ、前
記光導波路体端面位置決め溝から離れた位置に充填剤ト
ラップ溝を形成し、前記基板上の前記第1の金属被膜上
に前記光導波路体を載置して、前記第1の金属被膜と前
記第2の金属被膜とを接触させ、前記光導波路体端面位
置決め溝の壁面に前記光導波路体端面の一部を接触させ
て、前記光導波路体の位置決めをし、加熱した状態で、
加圧手段によって、前記基板と前記光導波路体との一方
を他方へ押圧することにより、前記第1の金属被膜の表
面および前記第2の金属被膜の表面の界面エネルギーを
上昇させ、前記第1の金属被膜の金属原子と前記第2の
金属被膜の金属原子とを相互に拡散させることにより両
金属被膜を接合し、これにより前記基板へ前記光導波路
体を固着し、固着後、接合部周囲で前記光導波路体端面
から前記充填剤トラップ溝までを除いた部分を充填剤で
覆い、余分な充填剤は、前記充填剤トラップ溝にて受け
ることを特徴とする光モジュールの製造方法が得られ
る。
複数の光導波路体と、前記複数の光素子と前記複数の光
導波路体とを搭載する基板とからなる光モジュールであ
って、前記基板上に前記複数の光導波路体が平行に並べ
られ搭載される光モジュールの製造方法において、前記
基板の前記複数の光導波路体を搭載するそれぞれの位置
に前記複数の光導波路体を受ける複数の光導波路体受け
溝を形成し、前記基板の前記複数の光導波路体受け溝の
それぞれの内面に複数の第1の金属被膜を形成し、前記
複数の光導波路体の前記複数の光導波路体受け溝と対向
するそれぞれの位置に複数の第2の金属被膜を形成し、
前記基板上に、前記複数の光導波路体受け溝に交差し
て、且つ、前記複数の光導波路体の端面を位置決めする
溝壁面を有する光導波路体端面位置決め溝を形成し、前
記基板上に、前記複数の光導波路体受け溝に交差して、
且つ、前記光導波路体端面位置決め溝から離れた位置に
充填剤トラップ溝を形成し、前記基板上の前記複数の第
1の金属被膜上それぞれに前記複数の光導波路体を載置
して、前記複数の第1の金属被膜と前記複数の第2の金
属被膜とをそれぞれ接触させ、前記光導波路体端面位置
決め溝の壁面に前記複数の光導波路体の端面の一部を接
触させて、前記光導波路体の位置決めをし、前記複数の
光導波路体の上に均一な厚みをもつ緩衝材を載せ、加熱
した状態で、前記緩衝材を挟むようにして加圧手段によ
って、前記基板と前記複数の光導波路体との一方を他方
へ押圧することにより、前記複数の光導波路体のそれぞ
れに前記加圧手段による圧力が均一に掛かるようにし、
前記複数の第1の金属被膜の表面および前記複数の第2
の金属被膜の表面の界面エネルギーを上昇させ、前記複
数の第1の金属被膜の金属原子と前記複数の第2の金属
被膜の金属原子とを相互に拡散させることにより両金属
被膜を接合し、これにより前記基板へ前記複数の光導波
路体を固着し、固着後、接合部周囲で前記複数の光導波
路体の端面から前記充填剤トラップ溝までを除いた部分
を充填剤で覆い、余分な充填剤は、前記充填剤トラップ
溝にて受けることを特徴とする光モジュールの製造方法
が得られる。
1、光素子として半導体レーザ32、光導波路体として
光ファイバ34を例にして、本発明の第1の実施の形態
について図1乃至図11を参照して説明する。
トリソグラフィにより、基板側電極パッド37と光ファ
イバ34を受けるためのV溝35を形成する。ここで、
V溝35は、前記フォトリソグラフィにおいて、Si基
板31をヒドラジン等で異方性エッチングすることによ
り形成される。
及び図3に示す。ここで、図2は、前記の工程により得
られるものの斜視図であり、図3は、図2におけるA−
A´ラインでの断面図である。
異方性エッチングにより形成されたV溝35の端部(図
2に矢印Pで示す)が斜めになっていることである。
の周辺にAuからなるメタライズ膜41を蒸着により形
成する。
の表面に無電解メッキによってAuからなるメタライズ
膜42を形成する。
をプレス打ち抜き法にて、供給、熱圧着し、これを溶融
することによってAuSnからなるハンダバンプ33を
形成する。
ンダバンプ33に対応する半導体レーザ側電極パッド3
9を形成する。
ぞれの半導体レーザ側電極パッド39を対応するそれぞ
れのハンダバンプ33上に仮搭載し、加熱し、ハンダバ
ンプ33をリフローさせることにより起こるセルフアラ
イメント効果により、半導体レーザ32に対して図5に
示されるX,Y,Z方向の位置決めが自動的に行なわれ
る。
ファイバ34の端面を位置決めするため矩形溝38を切
削加工によりSi基板31上に形成する。
32が搭載された位置と反対側の位置に、後述する充填
剤のうち余分な充填剤が流れ込むように充填剤トラップ
溝43を切削加工により形成する。
び充填剤トラップ溝43を形成する工程と、Si基板3
1上のV溝35及びその周辺にメタライズ膜41を形成
する工程とは、理屈の上では、どちらが先になってもよ
いが、現実には、Si基板31上に矩形溝38及び充填
剤トラップ溝43をメタライズ膜41より先に形成して
しまうと、フォトレジストの塗布において、レジストの
塗布の厚さにばらつきが生じたり、矩形溝38及び充填
剤トラップ溝43のせいでSi基板31上のレジストを
塗布される面がレジストをはじいてしまうなどの不具合
が起こるため、矩形溝38及び充填剤トラップ溝43の
形成は、メタライズ膜41の形成の後に行なった方がよ
い。
された光ファイバ34を入れることにより、図5に示さ
れるXY方向の光ファイバ34の位置決めが行なわれ
る。また、光ファイバ34をV溝35に沿って送り調整
し、光ファイバ34の端面の一部を矩形溝38の壁面に
つき当てることによって、図5に示されるZ軸方向すな
わち光ファイバ34の光軸方向に位置決めが行なわれ
る。
定後、図6乃至図8に示すように、Si基板31を加熱
し、光ファイバ34の上方から、ボンディングツール4
0により光ファイバ34をV溝35の底面に押圧する。
ここで、ボンディングツール40により押圧する光ファ
イバ34上の位置は、光ファイバ34の上側で、且つ、
光ファイバ34の下に矩形溝38及び充填剤トラップ溝
43が無い位置である。Si基板31を加熱した状態で
ボンディングツール40により光ファイバ34を押圧す
ると、熱と圧力により、V溝35側のメタライズ膜41
と光ファイバ34側のメタライズ膜42とのメタライズ
膜同士の接触界面において、界面エネルギが上昇する。
この接触界面における界面エネルギの上昇により、接触
界面付近の金属原子の移動が容易になり、光ファイバ3
4側のメタライズ膜42の表面とSi基板31側のメタ
ライズ膜41の表面との間で金属原子の相互拡散が起こ
り、両メタライズ膜41,42が接合される。これによ
り、光ファイバ34は、Si基板31に固着される。
金属原子の相互拡散が起こるためには、光ファイバ34
及びSi基板31の双方のメタライズ膜の表面に酸化膜
などの不純物がないことが挙げられる。この実施の形態
でメタライズ膜に用いているAuは酸化性が低いため酸
化膜の影響を排除できる。
ァイバ34を加圧する際、ボンディングツールを介して
超音波振動を加えることにより、金属原子の相互拡散を
促進させることができ、更に、メタライズ膜表面に酸化
膜があった場合、この超音波振動により酸化膜を分断破
壊することができる。
ァイバ34を加圧する時、光ファイバ34の光軸が調整
された位置の精度に影響を与えない範囲でそれぞれのメ
タライズ膜を塑性変形させることにより、接触面積を増
加させることができ、接合強度を増すことができる。
に、光ファイバ34とSi基板31とを、それらのメタ
ライズ膜間の接合部を含むように充填剤44で覆う。こ
れにより、光ファイバ34とSi基板31との接合部お
よび光ファイバをガードすることができ、また、接合の
補強にもなる。この充填剤44を塗布する際、余分な充
填剤44は、前述の充填剤トラップ溝43に流れ込むこ
とになるので、光ファイバ34の端面に充填剤44が回
り込まず充填剤44による光結合損失の増加を防ぐこと
ができる。
に従えば、接着剤やハンダ材を介さずに光ファイバ34
をSi基板31に固着できるので、予期せぬ接合位置ず
れが無く、所望の結合効率を得ることができる。
明する。本発明の第1の実施の形態において、光ファイ
バ34及びSi基板31に形成されたメタライズ膜は、
Auからなっていたが、第2の実施の形態においてはP
tを選択する。Ptは、酸化性が低いため、第1の実施
の形態において述べたような酸化膜の影響を排除でき、
所望の接合を得ることができる。
明する。本発明の第1及び第2の実施の形態において、
光ファイバ34及びSi基板31に形成されたメタライ
ズ膜は、AuまたはPtの単層構造であったが、第3の
実施の形態においては、光ファイバ34のメタライズ膜
42を二層構造とする。
ることにより容易に塑性変形するSnのような金属から
なる第1のメタライズ層を形成し、Snのような金属か
らなる第1のメタライズ層の上に、AuまたはPtのよ
うに酸化しにくい金属からなる第2のメタライズ層を形
成する。Si基板31上のメタライズ膜41は、第2の
メタライズ層と同じ金属で形成する。
のし難さを合わせ持つ、本発明の実施に適したメタライ
ズ膜を得ることができる。
明する。
図13に示すように、第1の実施の形態をアレイファイ
バに適合させたものである。
34を押圧するボンディングツール40は、アレイファ
イバの幅を十分カバーできる大きさである。
が、均一にそれぞれの光ファイバ34に伝わるようにボ
ンディングツール40の底面とアレイファイバとの間に
緩衝材45を介在させる。緩衝材の材質としては、例え
ば、厚さ0.5〜1mm程度の樹脂シートなどが適当で
ある。接合方法その他については、第1の実施の形態と
同様である。
の形態では、半導体レーザ32と光ファイバ34の接合
についてのべてきたが、LED(Light Emit
ting Diode)、PD(Photo Diod
e)、光アンプ素子、光集積回路などの光素子と、光導
波路等、光ファイバ34以外の光伝送路やロッド形レン
ズ等との結合についても同様の方法で接合することがで
きる。
決めし固定する方法としては、ハンダバンプ33のセル
フアライメント効果を利用していたが、例えば、基板上
に設けられた位置決めキーやストッパなどに光素子をつ
き当てるパッシブアライメント法(J.V.Colli
ns、他9名,Electron.Lett.,vo
l.31,No.9,pp.730−731,(199
5)参照)、基板と光素子に設けられたマーカを画像認
識することによって位置合わせする方法(山内,蔵田,
河合,栗原,石川,1994年電子情報通信学会春期大
会講演文集,C−292,p.4−289(1994)
参照)等を用いてもよい。
による光ファイバ34の位置決めを必要とせず、他の方
法で位置決めし、固定する様な場合、V溝35は、必要
無く、光ファイバ34は、Si基板31平面上のメタラ
イズ膜が形成された位置に固着してもよい。
は、V溝35としていたが、光ファイバ34を受けるこ
とができ、光ファイバ34の位置決めができればよいの
で、溝の形状は、他の形状でもよい。
35をSi基板31上に形成する方法としては、異方性
エッチングを行なっていたが、例えば、切削加工や等方
性エッチングでもよい。
めのための矩形溝38及び余分な充填剤を取り除くため
の充填剤トラップ溝43の形成方法として、切削加工を
行なっていたが、等方性エッチングでもよい。
めのための溝は、矩形としていたが、光ファイバ34の
端面を固定できればよく、例えば台形でもよい。
8による光ファイバ34の光軸方向の位置決めを必要と
せず、他の方法で位置決めをする場合、光ファイバ34
の光軸方向の位置決めのための矩形溝38は、無くても
よい。
形成は、蒸着以外の方法、例えば、スパッタ法によって
もよく、光ファイバ34表面のメタライズ膜42の形成
は、蒸着、スパッタ法などで行なってもよいが、光ファ
イバ34のメタライズ膜12の形成に関しては、無電解
メッキによれば光ファイバ34の表面全体にメタライズ
膜42を形成することが可能であることから、接合作業
がしやすくなるという利点がある。
打ち抜き法を行なっていたが、例えば、蒸着やメッキな
どによってもよい。
光素子の高精度高信頼実装という点で、AuSnが好ま
しいが、PbSnなどを用いてもよい。
形成されるメタライズ膜の材質は、金属表面の酸化膜の
影響による接合不良を避けるためAuやPtが適してい
るが、これ以外の材質を用いても本発明の実施は可能で
ある。その際、加熱による酸化膜の生成を抑制するため
に、Si基板31と光ファイバ34との接合プロセスを
非酸化性雰囲気、あるいは還元性雰囲気中、例えば、N
2 チャンバー中などで行なってもよいし、接合を行なう
前にメタライズ膜表面を塩化亜鉛などの還元剤で処理
し、酸化膜を予め除去してもよい。
と光ファイバ34との固着部の補強、及び光ファイバ3
4のガードのために行なったが、十分な固着強度がある
等の場合、充填剤44は無くてもよい。
場合、充填剤トラップ溝43は、無くてもよい。
37の膜構成は、Ti−Pt−Auとし、その寸法は、
φ50μmとした。また、V溝35の幅は、80μm、
Vの角度は、54.7度とした。また、矩形溝38は、
幅100μm、深さ100μmとした。また、ハンダバ
ンプ33を形成する際、ハンダの供給量は、1.27×
105μm3 とした。また、接合後のハンダバンプの高
さは約47μmとした。また、半導体レーザ32とSi
基板31とを接合する際、N2 雰囲気中で330℃まで
加熱した。
光導波路体と基板との間に接着剤やハンダなどの層を介
さずに両者を接合できるため、高精度な光ファイバの固
定が可能であり、光軸無調整化を図ることができるとい
う効果を有する。
基板を示す斜視図である。
にフォトリソグラフィを行なった後の状態を示す斜視図
である。
その周辺にメタライズ膜を形成した後を示す斜視図であ
る。
上に矩形溝及び充填剤トラップ溝を形成し、半導体レー
ザ及び光ファイバをSi基板に搭載する際の状態を示す
斜視図である。
バを上側からボンディングツールを用いて加圧している
状態を示す斜視図である。
バをSi基板に固着した後、充填剤を塗布した状態を示
す斜視図である。
る。
る。
ファイバを緩衝材を介してボンディングツールで加圧し
ている状態を示す断面図である。
ファイバをSi基板上に固着した後、充填剤を塗布した
状態を示す断面図である。
る。
る。
る。
る。
Claims (14)
- 【請求項1】 光素子と、細長い光導波路体と、前記光
素子と前記光導波路体とを搭載した基板とからなる光モ
ジュールにおいて、 前記基板は、前記光導波路体を搭載した位置に第1の金
属被膜を有し、 前記光導波路体は、前記基板と対向する位置に第2の金
属被膜を有し、 前記第1及び第2の金属被膜の表面同士が接触し、両金
属被膜の金属原子同士が相互に拡散することにより接合
されており、これにより前記基板へ前記光導波路体が固
着されていることを特徴とする光モジュール。 - 【請求項2】 請求項1記載の光モジュールにおいて、 前記基板は、前記光導波路体を受ける光導波路体受け溝
を有し、該光導波路体受け溝の内面に前記第1の金属被
膜が設けられていることを特徴とする光モジュール。 - 【請求項3】 請求項2記載の光モジュールにおいて、 前記光導波路体の前記光素子と対向し光学的に接続され
る光導波路体端面を有し、 前記基板は、前記光導波路体受け溝に交差して、前記光
導波路体端面を位置決めしている溝壁面を有する光導波
路体端面位置決め溝を有していることを特徴とする光モ
ジュール。 - 【請求項4】 請求項3記載の光モジュールにおいて、 前記光導波路体端面は、該光導波路体の光軸に対し直角
をなす平面であり、 前記光導波路体端面位置決め溝は、断面矩形であること
を特徴とする光モジュール。 - 【請求項5】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
の光モジュールにおいて、 前記第1及び第2の金属被膜は、いずれもAuからなる
ことを特徴とする光モジュール。 - 【請求項6】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
の光モジュールにおいて、 前記第1及び第2の金属被膜は、いずれもPtからなる
ことを特徴とする光モジュール。 - 【請求項7】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
の光モジュールにおいて、 前記第1及び第2の金属被膜の少なくとも一方は、柔ら
かく塑性変形し易い金属からなる第1の金属層を有し、
該第1の金属層の上に酸化し難い金属からなる第2の金
属層を有することを特徴とする光モジュール。 - 【請求項8】 請求項1乃至請求項7のいずれかに記載
の光モジュールにおいて、 前記光導波路体と前記基板とを、前記第1及び第2の金
属被膜の接合部を含むように、覆う充填剤を有すること
を特徴とする光モジュール。 - 【請求項9】 請求項8記載の光モジュールにおいて、 前記基板は、余分な前記充填剤が前記光導波路体端面に
付着するのを防ぐための充填剤トラップ溝を有すること
を特徴とする光モジュール。 - 【請求項10】 光素子と、光導波路体と、前記光素子
と前記光導波路体とを搭載する基板とからなる光モジュ
ールの製造方法において、 前記基板の前記光導波路体を搭載する位置に第1の金属
被膜を形成し、 前記光導波路体の前記基板と対向する位置に第2の金属
被膜を形成し、 前記基板上の前記第1の金属被膜上に前記光導波路体を
載置して、前記第1の金属被膜と前記第2の金属被膜と
を接触させ、 加熱した状態で、加圧手段によって、前記基板と前記光
導波路体との一方を他方へ押圧することにより、前記第
1の金属被膜の表面および前記第2の金属被膜の表面の
界面エネルギーを上昇させ、前記第1の金属被膜の金属
原子と前記第2の金属被膜の金属原子とを相互に拡散さ
せることにより両金属被膜を接合し、これにより前記基
板へ前記光導波路体を固着することを特徴とする光モジ
ュールの製造方法。 - 【請求項11】 請求項10記載の光モジュールの製造
方法において、 前記加圧手段による押圧の際に、前記基板及び前記光導
波路体の少なくとも一方に振動を加えることを特徴とす
る光モジュールの製造方法。 - 【請求項12】 光素子と、光導波路体と、前記光素子
と前記光導波路体とを搭載する基板とからなる光モジュ
ールの製造方法において、 前記基板の前記光導波路体を搭載する位置に光導波路体
を受ける光導波路体受け溝を形成し、 前記基板の前記光導波路体受け溝の内面に第1の金属被
膜を形成し、 前記光導波路体の前記光導波路体受け溝と対向する位置
に第2の金属被膜を形成し、 前記基板上に、前記光導波路体受け溝に交差して、且
つ、前記光導波路体端面を位置決めする溝壁面を有する
光導波路体端面位置決め溝を形成し、 前記基板上の前記第1の金属被膜上に前記光導波路体を
載置して、前記第1の金属被膜と前記第2の金属被膜と
を接触させ、 前記光導波路体端面位置決め溝の壁面に前記光導波路体
端面の一部を接触させて、前記光導波路体の位置決めを
し、 加熱した状態で、加圧手段によって、前記基板と前記光
導波路体との一方を他方へ押圧することにより、前記第
1の金属被膜の表面および前記第2の金属被膜の表面の
界面エネルギーを上昇させ、前記第1の金属被膜の金属
原子と前記第2の金属被膜の金属原子とを相互に拡散さ
せることにより両金属被膜を接合し、これにより前記基
板へ前記光導波路体を固着することを特徴とする光モジ
ュールの製造方法。 - 【請求項13】 光素子と、光導波路体と、前記光素子
と前記光導波路体とを搭載する基板とからなる光モジュ
ールの製造方法において、 前記基板の前記光導波路体を搭載する位置に前記光導波
路体を受ける光導波路体受け溝を形成し、 前記基板の前記光導波路体受け溝の内面に第1の金属被
膜を形成し、 前記光導波路体の前記光導波路体受け溝と対向する位置
に第2の金属被膜を形成し、 前記基板上に、前記光導波路体受け溝に交差して、前記
光導波路体の端面を位置決めする溝壁面を有する光導波
路体端面位置決め溝を形成し、 前記基板上に、前記光導波路体受け溝に交差して、且
つ、前記光導波路体端面位置決め溝から離れた位置に充
填剤トラップ溝を形成し、 前記基板上の前記第1の金属被膜上に前記光導波路体を
載置して、前記第1の金属被膜と前記第2の金属被膜と
を接触させ、 前記光導波路体端面位置決め溝の壁面に前記光導波路体
端面の一部を接触させて、前記光導波路体の位置決めを
し、 加熱した状態で、加圧手段によって、前記基板と前記光
導波路体との一方を他方へ押圧することにより、前記第
1の金属被膜の表面および前記第2の金属被膜の表面の
界面エネルギーを上昇させ、前記第1の金属被膜の金属
原子と前記第2の金属被膜の金属原子とを相互に拡散さ
せることにより両金属被膜を接合し、これにより前記基
板へ前記光導波路体を固着し、 固着後、接合部周囲で前記光導波路体端面から前記充填
剤トラップ溝までを除いた部分を充填剤で覆い、 余分な充填剤は、前記充填剤トラップ溝にて受けること
を特徴とする光モジュールの製造方法。 - 【請求項14】 複数の光素子と、複数の光導波路体
と、前記複数の光素子と前記複数の光導波路体とを搭載
する基板とからなる光モジュールであって、前記基板上
に前記複数の光導波路体が平行に並べられ搭載される光
モジュールの製造方法において、 前記基板の前記複数の光導波路体を搭載するそれぞれの
位置に前記複数の光導波路体を受ける複数の光導波路体
受け溝を形成し、 前記基板の前記複数の光導波路体受け溝のそれぞれの内
面に複数の第1の金属被膜を形成し、 前記複数の光導波路体の前記複数の光導波路体受け溝と
対向するそれぞれの位置に複数の第2の金属被膜を形成
し、 前記基板上に、前記複数の光導波路体受け溝に交差し
て、且つ、前記複数の光導波路体の端面を位置決めする
溝壁面を有する光導波路体端面位置決め溝を形成し、 前記基板上に、前記複数の光導波路体受け溝に交差し
て、且つ、前記光導波路体端面位置決め溝から離れた位
置に充填剤トラップ溝を形成し、 前記基板上の前記複数の第1の金属被膜上それぞれに前
記複数の光導波路体を載置して、前記複数の第1の金属
被膜と前記複数の第2の金属被膜とをそれぞれ接触さ
せ、 前記光導波路体端面位置決め溝の壁面に前記複数の光導
波路体の端面の一部を接触させて、前記光導波路体の位
置決めをし、 前記複数の光導波路体の上に均一な厚みをもつ緩衝材を
載せ、 加熱した状態で、前記緩衝材を挟むようにして加圧手段
によって、前記基板と前記複数の光導波路体との一方を
他方へ押圧することにより、前記複数の光導波路体のそ
れぞれに前記加圧手段による圧力が均一に掛かるように
し、前記複数の第1の金属被膜の表面および前記複数の
第2の金属被膜の表面の界面エネルギーを上昇させ、前
記複数の第1の金属被膜の金属原子と前記複数の第2の
金属被膜の金属原子とを相互に拡散させることにより両
金属被膜を接合し、これにより前記基板へ前記複数の光
導波路体を固着し、 固着後、接合部周囲で前記複数の光導波路体の端面から
前記充填剤トラップ溝までを除いた部分を充填剤で覆
い、 余分な充填剤は、前記充填剤トラップ溝にて受けること
を特徴とする光モジュールの製造方法。
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