JPH0936667A - ダブルバランス型ミキサ回路 - Google Patents

ダブルバランス型ミキサ回路

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JPH0936667A
JPH0936667A JP20136095A JP20136095A JPH0936667A JP H0936667 A JPH0936667 A JP H0936667A JP 20136095 A JP20136095 A JP 20136095A JP 20136095 A JP20136095 A JP 20136095A JP H0936667 A JPH0936667 A JP H0936667A
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JP
Japan
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balun
circuit board
balun transformer
mixer circuit
printed circuit
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JP20136095A
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English (en)
Inventor
Motoharu Koide
基晴 小出
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 個別部品としてのバラントランスを用いたダ
ブルバランス型ミキサ回路における厚さ寸法が大きいこ
と、組立工数が多いこと、高周波回路に対するインピー
ダンス整合がとり難いことを解消する。 【解決手段】 プリント基板1の表裏面にそれぞれ対向
して形成された導体パターン31,41と32,42か
らなる一対のバラントランス11,12と、プリント基
板1の表面に搭載されたダイオードブリッジ等の非線形
素子16と、プリント基板1の表面側に配置され、かつ
バラントランス11,12の裏面側の導体パターン4
1,42とスルーホール5,6を介して接続される入出
力端子13,15とを含んで構成される。バラントラン
ス11,12を導体パターンで形成でき、薄型化が実現
できる。プリント基板の表面側において非線形素子16
を搭載し、かつ入出力端子13〜15を配設するために
組立工数が削減でき、導体パターンの幅を変化すること
で入出力インピーダンスが変化調整可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波回路に使用さ
れるダブルバランス型ミキサ回路に関し、特に薄型化を
図ったダブルバランス型ミキサ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のダブルバランス型ミキサ回路とし
て、図3に等価回路を示すように、一対のバラントラン
ス11,12の間に4個のダイオードD1〜D4の非線
形素子をブリッジ接続し、かつ一方のバラントランス1
1の一端を例えばLO(局部発振信号)入力端子13と
し、他方のバラントランス12の一端をRF(高周波信
号)入力端子15とし、その中間端子をIF(中間周波
信号)出力端子14とする。このようなダブルバランス
型ミキサ回路は、図4に示すように、絶縁板102の表
裏面に導体パターン103を形成したプリント基板10
1に、フェライトコアを用いたバラントランス104,
105と、ダイオード等の非線形素子106とを搭載し
た構成とされている。
【0003】このバラントランス104,105は、図
5に示すように、フェライトコア110にポリウレタン
等の保護皮膜付の銅線111を巻き付けて構成される。
そして、3本の銅線の各端部をそれぞれ導体配線に接続
することで図3の等価回路が構成でき、ダブルバランス
型ミキサ回路が構成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のダブ
ルバランス型ミキサ回路は、個別部品としてのバラント
ランスを用いているため、プリント基板に搭載したとき
にその厚さ寸法が大きくなるという問題がある。また、
バラントランスをプリント基板に搭載する際には、銅線
の6つの端部を導体配線に半田付け等により接続する作
業が必要であり、組立工数が多いという問題もある。
【0005】さらに、ダブルバランス型ミキサ回路の入
出力端子でのインピーダンスはバラントランスで決まっ
てしまうため、高周波回路における50Ω系で使用する
場合には別にインピーダンス整合回路を用意する必要が
あり、使い勝手が悪いという問題もある。本発明は薄型
化を図るとともに、組立工数を低減でき、しかも高周波
回路に対するインピーダンスの整合を取り易くしたダブ
ルバランス型ミキサ回路を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のダブルバランス
型ミキサ回路は、プリント基板の表裏面にそれぞれ対向
して形成された導体パターンからなる一対のバラントラ
ンスと、このプリント基板の表面に搭載されて各バラン
トランスに接続される非線形素子と、プリント基板の表
面側に配置され、かつバラントランスの裏面側の導体パ
ターンとスルーホールを介して接続される入出力端子と
で構成される。すなわち、バラントランスはプリント基
板の2箇所にそれぞれ形成され、非線形素子は4個のダ
イオードをブリッジ接続したブリッジ回路体で構成さ
れ、各バラントランスの一方の端部にブリッジ回路体が
接続され、各バラントランスの他方の端部がそれぞれ入
出力端子として構成される。
【0007】
【発明の実施の形態】図1は本発明のダブルバランス型
ミキサ回路の実施形態の一例を示す図であり、図3に示
した等価回路のミキサ回路を構成しており、(a)はそ
の表面図、(b)は裏面図である。プリント基板1は矩
形の絶縁板2の表裏面にそれぞれ所要のパターンの導体
パターン3,4が形成されており、これら表裏面の各導
体パターンによってバラントランス11,12が構成さ
れている。すなわち、バラントランス11は、表面に形
成されたC字型のパターン31の両端部31a,31b
と中間部31cとをそれぞれ端子とし、両端部31a,
31bはプリント基板1の中央部にまで延長させ、中間
部31cは表面アースパターン33に接続している。そ
して、裏面には前記C字型パターン31と背反する向き
の逆C字型パターン41が形成され、その一端41aを
裏面アースパターン43に接続し、他端41bをLO入
力端子13として構成している。なお、このLO入力端
子13はスルーホール5を介して表面側に設けたLO入
力端子パターン34に電気接続を行っている。
【0008】また、バラントランス12についても同様
であり、表面に形成された逆C字型のパターン32の両
端部32a,32bと中間部32cとをそれぞれ端子と
し、両端部32a,32bはプリント基板1の中央部に
まで延長させ、中間部31cはIF出力端子14として
IF出力端子パターン35と一体に形成している。そし
て、裏面には前記逆C字型パターン32と背反する向き
のC字型パターン42が形成され、その一端42aを裏
面アースパターン43に接続し、他端をRF入力端子1
5として構成している。なお、このRF入力端子はスル
ーホール6を介して表面側に設けたRF入力端子パター
ン36に電気接続を行っている。
【0009】そして、前記プリント基板1の表面側の中
央部には、4個のダイオードD1〜D4をブリッジ接続
状態で一体形成したブリッジ回路体16を搭載し、各ダ
イオードの端部を前記バラントランス11,12の両端
部31a,31b,32a,32bにそれぞれ接続す
る。この接続に際してはフェースダウンボンディング法
等が採用できる。また、前記表面アースパターン33と
裏面アースパターン43とはプリント基板の周辺部に設
けた多数個のスルーホール7により相互に電気接続され
ている。
【0010】このように、構成されたダブルバランス型
ミキサ回路は、図2に示すように、、高周波回路を構成
する回路基板8の上に搭載され、回路基板8の表面の接
地導体8aに前記裏面アースパターン43が接続され
る。また、回路基板のLO配線、RF配線、IF配線に
はそれぞれプリント基板の表面に設けたLO入力端子1
3、RF入力端子15、IF出力端子14をボンディン
グワイヤ9により電気接続している。このため、LO入
力端子13とRF入力端子15からの入力信号はそれぞ
れバラントランス11,12と、ダイオードD1〜D4
のブリッジ回路によりミキシングされ、IF出力端子1
4よりRF信号とLO信号の周波数差の周波数のIF信
号として出力されることになる。
【0011】そして、このダブルバランス型ミキサ回路
では、その厚さ寸法はプリント基板1の厚さに、ダイオ
ードを組み込んでいるブリッジ回路体16の厚さを加え
た厚さであり、特にブリッジ回路体16をモノリシック
型の半導体装置で構成すればその厚さを極めて薄くでき
るため、全体として極めて薄いダブルバランス型ミキサ
回路として構成することができる。特に、この実施形態
では、プリント基板1の裏に形成したC字型及び逆C字
型の各パターン41,42に対してスルーホール5,6
で表面側のパターンに電気接続を行っているため、ミキ
サ回路と外部の高周波回路とを電気接続する際には、プ
リント基板1の表面側に対してのみボンディングワイヤ
9を接続すればよく、ミキサ回路を平面実装することが
でき、実装をより簡単に行うことが可能となる。
【0012】また、このダブルバランス型ミキサ回路の
組み立てに際しては、ブリッジ回路体16をプリント基
板1に搭載するだけでよく、しかもその際にフェースダ
ウンボンディング法等を用いれば、極めて簡単に搭載を
完成することができる。なお、スルーホール5,6,7
は導体パターン3,4と一体的に形成されており、プリ
ント基板1の製造工程と同時に形成されるものであるこ
とは言うまでもない。
【0013】さらに、このダブルバランス型ミキサ回路
では、バラントランス11,12を構成するC字型パタ
ーンと逆C字型パターン31,32,41,42のそれ
ぞれのパターン幅を変えることにより、ダブルバランス
型ミキサ回路の入出力インピーダンスを変化させること
ができ、例えば高周波回路のような50Ω系に対しても
インピーダンス整合回路を用いることなくインピーダン
ス整合を取ることが可能となる。
【0014】なお、前記した実施形態は本発明の一例を
示しているものであり、プリント基板上におけるバラン
トランスの配置、すなわち表裏面のC字型パターンと逆
C字型パターンの配置やダイオード等の配置は適宜に変
更できることは言うまでもない。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、プリント
基板の表裏面にそれぞれ対向して形成された導体パター
ンからなるバラントランスに対して、プリント基板の表
面において非線形素子を接続し、かつバラントランスの
裏面側の導体パターンをスルーホールを介して表面側の
入出力端子に接続した構成としているので、個別部品と
してのバラントランスを不要にして薄型化が実現できる
とともに、プリント基板の表面側に対してワイヤ接続を
行えばよく、組み立てを簡易化できる。また、導体パタ
ーンの幅を変化すれば、入力インピーダンスを任意の値
に設定することができ、特に高周波回路への適用が容易
となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態におけるプリント基板の表面
図と裏面図である。
【図2】本発明の実施形態における縦断面図である。
【図3】本発明が適用されるダブルバランス型ミキサ回
路の等価回路図である。
【図4】従来のダブルバランス型ミキサ回路の一例の斜
視図である。
【図5】従来の回路で用いられるバラントランスの一例
の斜視図である。
【符号の説明】
1 プリント基板 2 絶縁板 3,4 導体パターン 5〜7 スルーホール 8 回路基板 9 ボンディングワイヤ 11,12 バラントランス 13 LO入力端子 14 IF出力端子 15 RF入力端子 16 ブリッジ回路体 31,32,41,42 導体パターン 33,43 アースパターン

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プリント基板の表裏面にそれぞれ対向し
    て形成された導体パターンからなる一対のバラントラン
    スと、前記プリント基板の表面に搭載されて前記各バラ
    ントランスの間に接続される非線形素子と、前記プリン
    ト基板の表面側に配置され、かつ前記バラントランスの
    裏面側の導体パターンとスルーホールを介して接続され
    る入出力端子とで構成したことを特徴とするダブルバラ
    ンス型ミキサ回路。
  2. 【請求項2】 バラントランスはプリント基板の2箇所
    にそれぞれ形成され、非線形素子は4個のダイオードを
    ブリッジ接続したブリッジ回路体で構成され、前記各バ
    ラントランスの一方の端部に前記ブリッジ回路体が接続
    され、各バラントランスの他方の端部がそれぞれ入出力
    端子として構成される請求項1のダブルバランス型ミキ
    サ回路。
  3. 【請求項3】 プリント基板の表面の一部に形成された
    導体パターンと、これに対向する位置の裏面に形成され
    た導体パターンとで第1のバラントランスが形成され、
    プリント基板の表面の他の一部に形成された導体パター
    ンと、これに対向する位置の裏面に形成された導体パタ
    ーンとで第2のバラントランスが形成され、前記第1及
    び第2のバラントランスの表面側の導体パターンにおい
    ては、それぞれ開放された端部に非線形素子のブリッジ
    回路体が接続され、かつ第1のバラントランスの端部は
    アース接続され、第2のバラントランスの端部はIF出
    力端子とされ、前記第1及び第2のバラントランスの裏
    面側の導体パターンにおいてはそれぞれスルーホールを
    介して表面側の端子に接続され、第1のバラントランス
    の端子がLO入力端子とされ、第2のバラントランスの
    端子がRF入力端子とされることを特徴とするダブルバ
    ラン型ミキサ回路。
  4. 【請求項4】 ブリッジ回路体は4個のダイオードを一
    体化した半導体装置として構成されてなる請求項1ない
    し3のいずれかのダブルバランス型ミキサ回路。
JP20136095A 1995-07-15 1995-07-15 ダブルバランス型ミキサ回路 Pending JPH0936667A (ja)

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