JPH09331155A - 多層プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents
多層プリント配線板およびその製造方法Info
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- JPH09331155A JPH09331155A JP17061296A JP17061296A JPH09331155A JP H09331155 A JPH09331155 A JP H09331155A JP 17061296 A JP17061296 A JP 17061296A JP 17061296 A JP17061296 A JP 17061296A JP H09331155 A JPH09331155 A JP H09331155A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】多層プリント配線板において、電気的に信頼性
の優れたインタスティシャルバイアホールを形成する。 【解決手段】多層プリント配線板において、内層の電気
回路と外層の電気回路との間の回路基材３に外層電気回
路用銅箔３１ａの開口径よりも小径のレーザー光で非貫
通孔６を形成する。同非貫通孔６は、その後、有機溶剤
で化学的に洗浄することによって回路基材３を溶解して
断面形状をほぼＶ字状とする。同非貫通孔６に内層の電
気回路２１と外層電気回路用銅箔３１ａとを電気的に接
続するための銅めっき層５を設けてインタスティシャル
バイアホールＩＶＨ１を形成する。
の優れたインタスティシャルバイアホールを形成する。 【解決手段】多層プリント配線板において、内層の電気
回路と外層の電気回路との間の回路基材３に外層電気回
路用銅箔３１ａの開口径よりも小径のレーザー光で非貫
通孔６を形成する。同非貫通孔６は、その後、有機溶剤
で化学的に洗浄することによって回路基材３を溶解して
断面形状をほぼＶ字状とする。同非貫通孔６に内層の電
気回路２１と外層電気回路用銅箔３１ａとを電気的に接
続するための銅めっき層５を設けてインタスティシャル
バイアホールＩＶＨ１を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層プリント配線板
およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、インタス
ティシャルバイアホールを備える多層プリント配線板お
よびその製造方法に関する。
およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、インタス
ティシャルバイアホールを備える多層プリント配線板お
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層プリント配線板のうち、４層プリン
ト配線板の代表例を説明すると、４層プリント配線板
は、銅張積層板を使用して内層の電気回路を形成した内
層回路基材の両面にプリプレグを外層回路基材として使
用し、外層電気回路用銅箔を積層し、固着し、貫通孔ま
たは非貫通孔を形成し、銅めっきを施し、外層回路用銅
箔および銅めっき層をエッチングするなどして外層の電
気回路を形成するようにしている。また、内層の電気回
路と外層の電気回路はインタスティシャルバイアホール
（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ Ｖｉａ Ｈｏｌｅ．以
下、「ＩＶＨ」と記す。）により、電気的に接続されて
いる。
ト配線板の代表例を説明すると、４層プリント配線板
は、銅張積層板を使用して内層の電気回路を形成した内
層回路基材の両面にプリプレグを外層回路基材として使
用し、外層電気回路用銅箔を積層し、固着し、貫通孔ま
たは非貫通孔を形成し、銅めっきを施し、外層回路用銅
箔および銅めっき層をエッチングするなどして外層の電
気回路を形成するようにしている。また、内層の電気回
路と外層の電気回路はインタスティシャルバイアホール
（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ Ｖｉａ Ｈｏｌｅ．以
下、「ＩＶＨ」と記す。）により、電気的に接続されて
いる。
【０００３】次に、図１に代表的な４層プリント配線板
の断面図を示す。４層プリント配線板１は、内層回路基
材２とその両面に積層された外層回路基材３，４とから
構成されている。この４層プリント配線板１は３種類の
ＩＶＨ、すなわちＩＶＨ１とＩＶＨ２とＩＶＨ３とを有
している。
の断面図を示す。４層プリント配線板１は、内層回路基
材２とその両面に積層された外層回路基材３，４とから
構成されている。この４層プリント配線板１は３種類の
ＩＶＨ、すなわちＩＶＨ１とＩＶＨ２とＩＶＨ３とを有
している。
【０００４】これらＩＶＨにおいて、ＩＶＨ３は本発明
とは直接関係しないので、その説明を省略し、ＩＶＨ１
とＩＶＨ２とについて説明する。
とは直接関係しないので、その説明を省略し、ＩＶＨ１
とＩＶＨ２とについて説明する。
【０００５】ＩＶＨ１は、外層回路基材３に非貫通孔を
設け、外層回路基材３の外層の電気回路３１と内層回路
基材２の第１の電気回路２１とを銅めっき層５で電気的
に接続するようにしたものである。電気回路３１は、銅
箔３１ａと銅めっき層５とから構成される。また、電気
回路２１は、銅箔２１ａとその表面に形成された銅めっ
き層２１ｂとから構成される。しかし、電気回路２１は
銅めっき層２１ｂを形成することなく、銅箔２１ａのみ
であってもよい。
設け、外層回路基材３の外層の電気回路３１と内層回路
基材２の第１の電気回路２１とを銅めっき層５で電気的
に接続するようにしたものである。電気回路３１は、銅
箔３１ａと銅めっき層５とから構成される。また、電気
回路２１は、銅箔２１ａとその表面に形成された銅めっ
き層２１ｂとから構成される。しかし、電気回路２１は
銅めっき層２１ｂを形成することなく、銅箔２１ａのみ
であってもよい。
【０００６】ＩＶＨ２は、外層回路基材３と内層回路基
材２とに非貫通孔を設け、外層回路基材３の電気回路３
１と、内層回路基材２の第１の電気回路２１と、内層回
路基材２の第２の電気回路２２とを銅めっき層５で電気
的に接続するように構成したものである。この場合、第
１の電気回路２１は、銅めっき層５で一緒に電気的に接
続しないようにしてもよい。また、電気回路２２は電気
回路２１と同様に、銅箔２２ａとその表面に形成された
銅めっき層２２ｂとから構成される。しかし、電気回路
２２は銅めっき層２２ｂを構成することなく、銅箔２２
ａのみであってもよい。
材２とに非貫通孔を設け、外層回路基材３の電気回路３
１と、内層回路基材２の第１の電気回路２１と、内層回
路基材２の第２の電気回路２２とを銅めっき層５で電気
的に接続するように構成したものである。この場合、第
１の電気回路２１は、銅めっき層５で一緒に電気的に接
続しないようにしてもよい。また、電気回路２２は電気
回路２１と同様に、銅箔２２ａとその表面に形成された
銅めっき層２２ｂとから構成される。しかし、電気回路
２２は銅めっき層２２ｂを構成することなく、銅箔２２
ａのみであってもよい。
【０００７】上記の構造を有する４層プリント配線板１
において、ＩＶＨ１の非貫通孔およびＩＶＨ２の非貫通
孔は、レーザー光を照射して形成することが多い。レー
ザー光源としては、炭酸レーザーやエキシマレーザーな
どのように、そのレーザー光が銅を溶かさずに内層回路
基材２と外層回路基材３，４のみを溶かす特性を備えた
ものを用いることが一般的である。なお、レーザー光
は、銅箔３１ａを予め所定の口径で除去した位置に照射
する。
において、ＩＶＨ１の非貫通孔およびＩＶＨ２の非貫通
孔は、レーザー光を照射して形成することが多い。レー
ザー光源としては、炭酸レーザーやエキシマレーザーな
どのように、そのレーザー光が銅を溶かさずに内層回路
基材２と外層回路基材３，４のみを溶かす特性を備えた
ものを用いることが一般的である。なお、レーザー光
は、銅箔３１ａを予め所定の口径で除去した位置に照射
する。
【０００８】次に、銅を溶かさないレーザー光を用い
て、ＩＶＨ１を製造する従来の方法を図４にもとづいて
説明する。なお、ＩＶＨ２はＩＶＨ１の変形例であるの
で、ＩＶＨ２を製造する従来の方法については説明を省
略する。
て、ＩＶＨ１を製造する従来の方法を図４にもとづいて
説明する。なお、ＩＶＨ２はＩＶＨ１の変形例であるの
で、ＩＶＨ２を製造する従来の方法については説明を省
略する。
【０００９】ＩＶＨ１の製造方法について説明すると、
レーザー光で非貫通孔を形成するのに際し、従来は、図
４（ａ）に示すように銅箔３１ａの開口径Ｔ１よりもレ
ーザー光を照射する幅（以下、「レーザー光幅」と記
す。）Ｗ２の方が大きいものであった。このため、例え
ば、直径１５０μｍの非貫通孔を形成しようとする場合
には、１５０μｍの開口径Ｔ１に対して、これを上回る
例えば５００μｍ幅Ｗ２のレーザー光を照射しなければ
ならなかった。レーザー光は、銅箔３１ａの開口径Ｔ１
に規制された照射幅のもとで外層回路基材３に到達し、
外層回路基材３を蒸散させ、最終的には内層回路基材２
の第１の電気回路２１の表面まで到達する。その結果、
外層回路基材３に形成される非貫通孔の開口径Ｔ２も１
５０μｍとなり、結果的に図４（ａ）に示すように非貫
通孔６の開口径はＴ１＝Ｔ２＝１５０μｍとなって形成
されることになる。
レーザー光で非貫通孔を形成するのに際し、従来は、図
４（ａ）に示すように銅箔３１ａの開口径Ｔ１よりもレ
ーザー光を照射する幅（以下、「レーザー光幅」と記
す。）Ｗ２の方が大きいものであった。このため、例え
ば、直径１５０μｍの非貫通孔を形成しようとする場合
には、１５０μｍの開口径Ｔ１に対して、これを上回る
例えば５００μｍ幅Ｗ２のレーザー光を照射しなければ
ならなかった。レーザー光は、銅箔３１ａの開口径Ｔ１
に規制された照射幅のもとで外層回路基材３に到達し、
外層回路基材３を蒸散させ、最終的には内層回路基材２
の第１の電気回路２１の表面まで到達する。その結果、
外層回路基材３に形成される非貫通孔の開口径Ｔ２も１
５０μｍとなり、結果的に図４（ａ）に示すように非貫
通孔６の開口径はＴ１＝Ｔ２＝１５０μｍとなって形成
されることになる。
【００１０】上記のようにして形成した非貫通孔６の内
壁面３ａには荒れ（凹凸や傷など）が生じていて、ま
た、溶解した外層回路基材３の残滓も非貫通孔６内に残
留している。内壁面３ａの荒れや外層回路基材３の残滓
があると、後工程で非貫通孔６内に良好な銅めっきを施
せない。そのため、前処理として非貫通孔６内を有機溶
剤で洗浄して、内壁面３ａの荒れや外層回路基材３の残
滓を化学的に溶解して除去している。その後、銅めっき
を施すことにより、図４（ｂ）に示すような銅めっき層
５を備えるＩＶＨ１が形成されていた。
壁面３ａには荒れ（凹凸や傷など）が生じていて、ま
た、溶解した外層回路基材３の残滓も非貫通孔６内に残
留している。内壁面３ａの荒れや外層回路基材３の残滓
があると、後工程で非貫通孔６内に良好な銅めっきを施
せない。そのため、前処理として非貫通孔６内を有機溶
剤で洗浄して、内壁面３ａの荒れや外層回路基材３の残
滓を化学的に溶解して除去している。その後、銅めっき
を施すことにより、図４（ｂ）に示すような銅めっき層
５を備えるＩＶＨ１が形成されていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来の
製造方法によると、非貫通孔６の開口径Ｔ２が銅箔３１
ａの開口径Ｔ１の幅に規制されているので、銅めっきの
前処理の洗浄で非貫通孔６内に有機溶剤を流し込む際に
滞留する空気の抜けを悪くしていた。よって、洗浄に十
分な有機溶剤を非貫通孔６内に流し込むことが困難であ
るという問題があった。
製造方法によると、非貫通孔６の開口径Ｔ２が銅箔３１
ａの開口径Ｔ１の幅に規制されているので、銅めっきの
前処理の洗浄で非貫通孔６内に有機溶剤を流し込む際に
滞留する空気の抜けを悪くしていた。よって、洗浄に十
分な有機溶剤を非貫通孔６内に流し込むことが困難であ
るという問題があった。
【００１２】また、同前処理では、内壁面３ａ自体も溶
解してしまうので、Ｔ１＝Ｔ２であった非貫通孔６の開
口径Ｔ２が、開口径Ｔ２１となり、Ｔ１＜Ｔ２１となっ
てしまっていた。また、上述の非貫通孔６の形状では、
有機溶剤の円滑な排出が困難であり、有機溶剤が非貫通
孔６内に残留しやすかった。その結果、内壁面３ａ自体
の溶解も大きいものであった。最終的に、銅めっきを行
なう前に得られる非貫通孔６は、銅箔３１ａが外層回路
基材３から庇状に張り出したオーバーハング状の形状
（図４（ｂ）参照。）を有していた。
解してしまうので、Ｔ１＝Ｔ２であった非貫通孔６の開
口径Ｔ２が、開口径Ｔ２１となり、Ｔ１＜Ｔ２１となっ
てしまっていた。また、上述の非貫通孔６の形状では、
有機溶剤の円滑な排出が困難であり、有機溶剤が非貫通
孔６内に残留しやすかった。その結果、内壁面３ａ自体
の溶解も大きいものであった。最終的に、銅めっきを行
なう前に得られる非貫通孔６は、銅箔３１ａが外層回路
基材３から庇状に張り出したオーバーハング状の形状
（図４（ｂ）参照。）を有していた。
【００１３】非貫通孔６は、上記の形状を有するので、
めっき液の流し込みが円滑にはいかず、非貫通孔６内の
銅めっき層５に薄い部分や存在しない部分ができてい
た。さらには、内壁面３ａから銅めっき層５が剥離した
り剥落しやすかった。上述のように、良好な銅めっき層
５を非貫通孔６内に形成することができなかったので、
ＩＶＨの電気的な信頼性を損なってしまっていた。
めっき液の流し込みが円滑にはいかず、非貫通孔６内の
銅めっき層５に薄い部分や存在しない部分ができてい
た。さらには、内壁面３ａから銅めっき層５が剥離した
り剥落しやすかった。上述のように、良好な銅めっき層
５を非貫通孔６内に形成することができなかったので、
ＩＶＨの電気的な信頼性を損なってしまっていた。
【００１４】本発明は上記の課題に鑑み、電気的に信頼
性の優れたＩＶＨを備えた多層プリント配線板とその製
造方法を提供することを目的としたものである。
性の優れたＩＶＨを備えた多層プリント配線板とその製
造方法を提供することを目的としたものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、多層プリント
配線板が備えるＩＶＨにおいて、外層の銅箔の開口径よ
りも回路基材の開口径が小さい非貫通孔を形成し、非貫
通孔をほぼＶ字状の形状に形成したことを特徴としたも
のである。本発明の製造方法は、非貫通孔を形成する際
に、銅箔の開口部に、その開口径よりも照射幅が小さ
く、かつ銅を溶かさないレーザー光を照射し、被照射面
を溶解して底面に電気回路を露出させて銅箔の開口径よ
りも小さい口径の非貫通孔を形成し、その後、非貫通孔
内を有機溶剤で化学的に洗浄して非貫通孔をほぼＶ字状
の形状にした後、銅めっき層を設けることによりＩＶＨ
を形成したことを特徴としたものである。
配線板が備えるＩＶＨにおいて、外層の銅箔の開口径よ
りも回路基材の開口径が小さい非貫通孔を形成し、非貫
通孔をほぼＶ字状の形状に形成したことを特徴としたも
のである。本発明の製造方法は、非貫通孔を形成する際
に、銅箔の開口部に、その開口径よりも照射幅が小さ
く、かつ銅を溶かさないレーザー光を照射し、被照射面
を溶解して底面に電気回路を露出させて銅箔の開口径よ
りも小さい口径の非貫通孔を形成し、その後、非貫通孔
内を有機溶剤で化学的に洗浄して非貫通孔をほぼＶ字状
の形状にした後、銅めっき層を設けることによりＩＶＨ
を形成したことを特徴としたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明に係るＩＶＨの製造方法の
代表例を図２（ａ），（ｂ）にもとづいて説明する。図
２（ａ），（ｂ）は、図１のＩＶＨ１を形成する際の工
程を拡大して示した図である。
代表例を図２（ａ），（ｂ）にもとづいて説明する。図
２（ａ），（ｂ）は、図１のＩＶＨ１を形成する際の工
程を拡大して示した図である。
【００１７】図２（ａ）は、本発明に係るＩＶＨ１の非
貫通孔６を形成した状態を示すが、例えば、レーザー光
の光幅Ｗ１を１５０μｍで照射し、非貫通孔６を形成す
る場合に、銅箔３１ａの開口径Ｔ１１をレーザー光幅Ｗ
１よりも大きな口径、例えば、２５０μｍで形成してお
き、レーザー光を照射すると、レーザー光は、外層回路
基材３に到達し、外層回路基材３を蒸散させ、最終的に
は内層回路基材２の第１の電気回路２１の表面まで到達
する。その結果、外層回路基材３に形成される非貫通孔
６の開口径Ｔ２２もレーザー光幅Ｗ１と同じ１５０μｍ
となる。よって、非貫通孔６の開口径はＴ２２（１５０
μｍ）＜Ｔ１１（２５０μｍ）となり、階段状の形状と
なった非貫通孔６が得られる。本発明に使用されるレー
ザー光源としては、従来から用いられてきた銅を溶かさ
ずに回路基材のみを溶解することのできるレーザー光源
ならば全て用いることができる。
貫通孔６を形成した状態を示すが、例えば、レーザー光
の光幅Ｗ１を１５０μｍで照射し、非貫通孔６を形成す
る場合に、銅箔３１ａの開口径Ｔ１１をレーザー光幅Ｗ
１よりも大きな口径、例えば、２５０μｍで形成してお
き、レーザー光を照射すると、レーザー光は、外層回路
基材３に到達し、外層回路基材３を蒸散させ、最終的に
は内層回路基材２の第１の電気回路２１の表面まで到達
する。その結果、外層回路基材３に形成される非貫通孔
６の開口径Ｔ２２もレーザー光幅Ｗ１と同じ１５０μｍ
となる。よって、非貫通孔６の開口径はＴ２２（１５０
μｍ）＜Ｔ１１（２５０μｍ）となり、階段状の形状と
なった非貫通孔６が得られる。本発明に使用されるレー
ザー光源としては、従来から用いられてきた銅を溶かさ
ずに回路基材のみを溶解することのできるレーザー光源
ならば全て用いることができる。
【００１８】次に、従来の製造方法と同様に、外層回路
基材３の内壁面３ａの荒れと外層回路基材３の残滓を除
去するために、非貫通孔６内を銅を溶解することのない
有機溶剤で化学的に洗浄する。有機溶剤としては、濃硫
酸や過マンガン酸カリウムなどを挙げることができる。
この場合、有機溶剤は、開口径Ｔ１１よりも小さな開口
径Ｔ２２を有する階段状の形状の非貫通孔６内に流し込
まれることになるので、外層回路基材３の開口端縁の溶
解が最も促進される。そのため、外層回路基材３の開口
端縁が削られて図２（ｂ）に示すようにほぼＶ字状を呈
する断面形状を備えた非貫通孔６が形成される。したが
って、非貫通孔６内から有機溶剤などを円滑に排出する
ことができる。
基材３の内壁面３ａの荒れと外層回路基材３の残滓を除
去するために、非貫通孔６内を銅を溶解することのない
有機溶剤で化学的に洗浄する。有機溶剤としては、濃硫
酸や過マンガン酸カリウムなどを挙げることができる。
この場合、有機溶剤は、開口径Ｔ１１よりも小さな開口
径Ｔ２２を有する階段状の形状の非貫通孔６内に流し込
まれることになるので、外層回路基材３の開口端縁の溶
解が最も促進される。そのため、外層回路基材３の開口
端縁が削られて図２（ｂ）に示すようにほぼＶ字状を呈
する断面形状を備えた非貫通孔６が形成される。したが
って、非貫通孔６内から有機溶剤などを円滑に排出する
ことができる。
【００１９】上記の洗浄処理を終えた後、従来と同様に
銅めっき層５を形成し、第１の電気回路２１と銅箔３１
ａとを電気的に接続させたＩＶＨ１（図２（ｂ）参
照。）を形成する。
銅めっき層５を形成し、第１の電気回路２１と銅箔３１
ａとを電気的に接続させたＩＶＨ１（図２（ｂ）参
照。）を形成する。
【００２０】一方、図３（ａ），（ｂ）は、本発明に係
る製造方法により形成した図１のＩＶＨ２の工程を拡大
して示したものである。ＩＶＨ２は、ＩＶＨ１の変形例
であり、レーザー光の照射は図２に示した本発明に係る
ＩＶＨ１と同様の条件のもとで行なわれる。図３に示し
たＩＶＨ２は、４層以上の電気回路を積層した多層プリ
ント配線板の３層以上の電気回路相互を１つの非貫通孔
で電気的に接続させたＩＶＨを形成する際に適用され
る。
る製造方法により形成した図１のＩＶＨ２の工程を拡大
して示したものである。ＩＶＨ２は、ＩＶＨ１の変形例
であり、レーザー光の照射は図２に示した本発明に係る
ＩＶＨ１と同様の条件のもとで行なわれる。図３に示し
たＩＶＨ２は、４層以上の電気回路を積層した多層プリ
ント配線板の３層以上の電気回路相互を１つの非貫通孔
で電気的に接続させたＩＶＨを形成する際に適用され
る。
【００２１】図３（ａ）は、本発明に係るＩＶＨ２の非
貫通孔７を形成した状態を示すが、例えば、レーザー光
の光幅Ｗ１を１５０μｍで照射し、非貫通孔７を形成す
る場合に、銅箔３１ａの開口径Ｔ１１をレーザー光幅Ｗ
１よりも大きな口径、例えば、２５０μｍで形成してお
くとともに、内層回路基材２の第１の電気回路２１にも
レーザー光幅Ｗ１よりも大きな口径で、かつ銅箔３１ａ
の開口径Ｔ１１と同等以下の口径の、例えば２００μｍ
で開口径Ｔ３を形成しておき、レーザー光を照射する
と、レーザー光は、外層回路基材３と内層回路基材２と
を蒸散させ、内層回路基材２の第２の電気回路２２の表
面まで到達する。その結果、外層回路基材３と内層回路
基材２とに形成される非貫通孔７の開口径Ｔ２２，Ｔ４
もレーザー光幅Ｗ１と同じ１５０μｍとなる。よって、
非貫通孔７の開口径はＴ１１（２５０μｍ）＞Ｔ３（２
００μｍ）＞Ｔ２２（１５０μｍ）＝Ｔ４（１５０μ
ｍ）となり、断面形状で銅箔３１ａと第１の電気回路２
１とが、外層回路基材３と内層回路基材２よりも凹んだ
段差を有する非貫通孔７が得られる。
貫通孔７を形成した状態を示すが、例えば、レーザー光
の光幅Ｗ１を１５０μｍで照射し、非貫通孔７を形成す
る場合に、銅箔３１ａの開口径Ｔ１１をレーザー光幅Ｗ
１よりも大きな口径、例えば、２５０μｍで形成してお
くとともに、内層回路基材２の第１の電気回路２１にも
レーザー光幅Ｗ１よりも大きな口径で、かつ銅箔３１ａ
の開口径Ｔ１１と同等以下の口径の、例えば２００μｍ
で開口径Ｔ３を形成しておき、レーザー光を照射する
と、レーザー光は、外層回路基材３と内層回路基材２と
を蒸散させ、内層回路基材２の第２の電気回路２２の表
面まで到達する。その結果、外層回路基材３と内層回路
基材２とに形成される非貫通孔７の開口径Ｔ２２，Ｔ４
もレーザー光幅Ｗ１と同じ１５０μｍとなる。よって、
非貫通孔７の開口径はＴ１１（２５０μｍ）＞Ｔ３（２
００μｍ）＞Ｔ２２（１５０μｍ）＝Ｔ４（１５０μ
ｍ）となり、断面形状で銅箔３１ａと第１の電気回路２
１とが、外層回路基材３と内層回路基材２よりも凹んだ
段差を有する非貫通孔７が得られる。
【００２２】次に、外層回路基材３の内壁面３ａの荒れ
および外層回路基材３の残滓ならびに内層回路基材２の
内壁面２ａの荒れおよび内層回路基材２の残滓を除去す
るために、非貫通孔７内を銅を溶解することのない有機
溶剤で化学的に洗浄する。この場合、有機溶剤は、本発
明に係るＩＶＨ１と同様に、開口径Ｔ１１よりも小さな
開口径Ｔ２２を有する階段状の形状の非貫通孔６内に流
し込まれることになるので、外層回路基材３の両開口端
縁および内層回路基材２の開口端縁の溶解が最も促進さ
れる。そのため、外層回路基材３の両開口端縁と内層回
路基材２の開口端縁とが削られて、図３（ｂ）に示すよ
うにほぼＶ字状を呈する断面形状を備えた非貫通孔７が
形成される。
および外層回路基材３の残滓ならびに内層回路基材２の
内壁面２ａの荒れおよび内層回路基材２の残滓を除去す
るために、非貫通孔７内を銅を溶解することのない有機
溶剤で化学的に洗浄する。この場合、有機溶剤は、本発
明に係るＩＶＨ１と同様に、開口径Ｔ１１よりも小さな
開口径Ｔ２２を有する階段状の形状の非貫通孔６内に流
し込まれることになるので、外層回路基材３の両開口端
縁および内層回路基材２の開口端縁の溶解が最も促進さ
れる。そのため、外層回路基材３の両開口端縁と内層回
路基材２の開口端縁とが削られて、図３（ｂ）に示すよ
うにほぼＶ字状を呈する断面形状を備えた非貫通孔７が
形成される。
【００２３】上記の洗浄処理を終えた後、従来と同様に
銅めっき層５を形成し、銅箔３１ａと第１の電気回路２
１と第２の電気回路２２とを相互に電気的に接続させた
ＩＶＨ２（図３（ｂ）参照。）を形成する。なお、この
場合、従来のＩＶＨ２と同様に第１の電気回路２１は、
銅めっき層５で一緒に電気的に接続しないようにしても
よい。
銅めっき層５を形成し、銅箔３１ａと第１の電気回路２
１と第２の電気回路２２とを相互に電気的に接続させた
ＩＶＨ２（図３（ｂ）参照。）を形成する。なお、この
場合、従来のＩＶＨ２と同様に第１の電気回路２１は、
銅めっき層５で一緒に電気的に接続しないようにしても
よい。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように本発明に係る製造方法
おいては、ＩＶＨの非貫通孔を形成する際に、外層側に
位置する銅箔の開口径よりも小径のレーザー光をその銅
箔の開口径に照射してＩＶＨの非貫通孔を形成してい
る。
おいては、ＩＶＨの非貫通孔を形成する際に、外層側に
位置する銅箔の開口径よりも小径のレーザー光をその銅
箔の開口径に照射してＩＶＨの非貫通孔を形成してい
る。
【００２５】本発明に係る非貫通孔は、有機溶剤で洗浄
する場合に回路基材の開口端縁が最も溶解を促進される
ため、非貫通孔の断面形状がほぼＶ字状となり、非貫通
孔内に有機溶剤を円滑に供給することができる。しか
も、非貫通孔内の有機溶剤と回路基材の残滓とを円滑に
排出することができるので、洗浄効果を高めることがで
きる。
する場合に回路基材の開口端縁が最も溶解を促進される
ため、非貫通孔の断面形状がほぼＶ字状となり、非貫通
孔内に有機溶剤を円滑に供給することができる。しか
も、非貫通孔内の有機溶剤と回路基材の残滓とを円滑に
排出することができるので、洗浄効果を高めることがで
きる。
【００２６】さらに、非貫通孔が断面形状でほぼＶ字状
を呈するので、めっき液の流し込みも円滑に行なうこと
ができ、銅めっき層の薄い部分や銅めっき層の存在しな
い部分ができないばかりでなく、均等な厚さを備えた銅
めっき層を形成できる。さらには、非貫通孔の内壁面か
ら銅めっき層が剥離したり剥落することもなくなり、電
気的に信頼性の高い多層プリント配線板を提供すること
ができる。
を呈するので、めっき液の流し込みも円滑に行なうこと
ができ、銅めっき層の薄い部分や銅めっき層の存在しな
い部分ができないばかりでなく、均等な厚さを備えた銅
めっき層を形成できる。さらには、非貫通孔の内壁面か
ら銅めっき層が剥離したり剥落することもなくなり、電
気的に信頼性の高い多層プリント配線板を提供すること
ができる。
【図１】ＩＶＨを備える標準的な４層プリント配線板の
要部構造を示す模式図である。
要部構造を示す模式図である。
【図２】図１との対応のもとで本発明に係る製造方法の
一例についての工程を（ａ），（ｂ）として拡大して示
す説明図である。
一例についての工程を（ａ），（ｂ）として拡大して示
す説明図である。
【図３】図１との対応のもとで本発明に係る製造方法の
他例についての工程を（ａ），（ｂ）として拡大して示
す説明図である。
他例についての工程を（ａ），（ｂ）として拡大して示
す説明図である。
【図４】図２に相当する従来方法についての工程を
（ａ），（ｂ）として拡大して示す説明図である。
（ａ），（ｂ）として拡大して示す説明図である。
１ ４層プリント配線板 ２，３，４ 回路基材 ２ａ，３ａ 内壁面 ６，７ 非貫通孔 ２１，２２，３１ 電気回路 ２１ａ，２２ａ，３１ａ 銅箔 ２１ｂ，２２ｂ，５ 銅めっき層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年７月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
Claims (3)
- 【請求項１】 内層回路基材の表面に形成した内層の電
気回路と、外層回路基材の表面に形成した外層の電気回
路と、内層の電気回路と外層の電気回路との間の回路基
材に外層電気回路用銅箔の開口径よりも小径に形成した
断面形状がほぼＶ字状の非貫通孔と、内層の電気回路と
外層の電気回路間を電気的に接続するために非貫通孔に
形成した銅めっき層とからなるインタスティシャルバイ
アホールを備えたことを特徴とする多層プリント配線
板。 - 【請求項２】 内層回路基材の一方の表面に形成した開
口を有する第１の電気回路と、内層回路基材の他方の表
面に形成した第２の電気回路と、外層回路基材の表面に
形成した外層の電気回路と、外層回路基材と第１の電気
回路と内層回路基材とに外層電気回路用銅箔の開口径よ
りも小径に形成した断面形状がほぼＶ字状の非貫通孔
と、第１の電気回路と第２の電気回路と外層の電気回路
とを電気的に接続するために非貫通孔に形成した銅めっ
き層とからなるインタスティシャルバイアホールを備え
たことを特徴とする多層プリント配線板。 - 【請求項３】 外層電気回路用銅箔の開口に同開口径よ
りも小径のレーザー光を照射して回路基材に非貫通孔を
形成し、非貫通孔内を有機溶剤で化学的に洗浄して非貫
通孔をほぼＶ字状に形成し、しかる後に非貫通孔内に銅
めっき層を形成して外層の電気回路と内層の電気回路と
を電気的に接続したインタスティシャルバイアホールを
製造することを特徴とした多層プリント配線板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17061296A JP3785223B2 (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17061296A JP3785223B2 (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09331155A true JPH09331155A (ja) | 1997-12-22 |
| JP3785223B2 JP3785223B2 (ja) | 2006-06-14 |
Family
ID=15908095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17061296A Expired - Lifetime JP3785223B2 (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3785223B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0949855A2 (en) * | 1998-04-10 | 1999-10-13 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Multilayer circuit board |
| EP0969707A2 (en) * | 1998-06-30 | 2000-01-05 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Multilayer printed wiring board and method for manufacturing same |
| WO2000016597A1 (en) * | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
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| US11039535B2 (en) | 2019-01-31 | 2021-06-15 | At&S (China) Co. Ltd. | Manufacturing holes in component carrier material |
-
1996
- 1996-06-10 JP JP17061296A patent/JP3785223B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US7691189B2 (en) | 1998-09-14 | 2010-04-06 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
| US7230188B1 (en) | 1998-09-14 | 2007-06-12 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
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| US7827680B2 (en) | 1998-09-14 | 2010-11-09 | Ibiden Co., Ltd. | Electroplating process of electroplating an elecrically conductive sustrate |
| US8065794B2 (en) | 1998-09-14 | 2011-11-29 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
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| US8492659B2 (en) | 2008-02-22 | 2013-07-23 | Tdk Corporation | Printed wiring board and manufacturing method therefor |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3785223B2 (ja) | 2006-06-14 |
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