JPH09321266A - 半導体基板の製造方法及び固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造方法及び固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH09321266A JPH09321266A JP8132431A JP13243196A JPH09321266A JP H09321266 A JPH09321266 A JP H09321266A JP 8132431 A JP8132431 A JP 8132431A JP 13243196 A JP13243196 A JP 13243196A JP H09321266 A JPH09321266 A JP H09321266A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/148—Charge coupled imagers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体撮像用のエピタキシャル半導体基板の作
成において、白傷欠陥を低減するために金属不純物の混
入が少ないエピタキシャル層の形成を可能にする。 【解決手段】 固体撮像用のエピタキシャル半導体基板
３の作成において、ＳｉＨＣｌ3 のソースガスを用い、
エピタキシャル成長直前に基板表面をＨＣｌエッチング
せずに、１１３０℃未満、好ましくは１１００℃以下、
更に好ましくは１０７０℃以下のエピタキシャル成長温
度でエピタキシャル層２を成長するようになす。
成において、白傷欠陥を低減するために金属不純物の混
入が少ないエピタキシャル層の形成を可能にする。 【解決手段】 固体撮像用のエピタキシャル半導体基板
３の作成において、ＳｉＨＣｌ3 のソースガスを用い、
エピタキシャル成長直前に基板表面をＨＣｌエッチング
せずに、１１３０℃未満、好ましくは１１００℃以下、
更に好ましくは１０７０℃以下のエピタキシャル成長温
度でエピタキシャル層２を成長するようになす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像用の半導
体基板の製造方法に関する。また、本発明は、この半導
体基板を用いて作成する固体撮像装置の製造方法に関す
る。
体基板の製造方法に関する。また、本発明は、この半導
体基板を用いて作成する固体撮像装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置等の半導体装置を形成する
ための半導体基板としては、ＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓ
ｋｉ）法で成長させたＣＺ基板、ＭＣＺ（Ｍａｇｎｅｔ
ｉｃｆｉｅｌｄ ａｐｐｌｉｅｄ ＣＺ）法で成長させ
たＭＣＺ基板や、これらのＣＺ基板やＭＣＺ基板の表面
にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル半導体基
板が一般に多く用いられている。
ための半導体基板としては、ＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓ
ｋｉ）法で成長させたＣＺ基板、ＭＣＺ（Ｍａｇｎｅｔ
ｉｃｆｉｅｌｄ ａｐｐｌｉｅｄ ＣＺ）法で成長させ
たＭＣＺ基板や、これらのＣＺ基板やＭＣＺ基板の表面
にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル半導体基
板が一般に多く用いられている。
【０００３】特に、固体撮像装置用としては、ドーパン
ト濃度むら（Ｓｔｒｉａｔｉｏｎ）に起因する画像コン
トラストむらを低減する為に、エピタキシャル半導体基
板やＭＣＺ基板が主として使用されている。この内、エ
ピタキシャル半導体基板は、素子形成層下に低抵抗領域
（例えば埋込み領域又は低抵抗基板）を形成することが
でき、低電力駆動、低消費電力化として有効であり、今
後も用途の拡大が期待されている。
ト濃度むら（Ｓｔｒｉａｔｉｏｎ）に起因する画像コン
トラストむらを低減する為に、エピタキシャル半導体基
板やＭＣＺ基板が主として使用されている。この内、エ
ピタキシャル半導体基板は、素子形成層下に低抵抗領域
（例えば埋込み領域又は低抵抗基板）を形成することが
でき、低電力駆動、低消費電力化として有効であり、今
後も用途の拡大が期待されている。
【０００４】シリコンエピタキシャル半導体基板では、
実用的な方法としてＣＶＤ（化学気相成長）法が用いら
れており、以下の主な４種類のソースガスが使われてい
る。
実用的な方法としてＣＶＤ（化学気相成長）法が用いら
れており、以下の主な４種類のソースガスが使われてい
る。
【０００５】水素還元法としては、ＳｉＣｌ4 〔ＳｉＣ
ｌ4 ＋２Ｈ2 →Ｓｉ＋４ＨＣｌ〕と、ＳｉＨＣｌ3 〔Ｓ
ｉＨＣｌ3 ＋Ｈ2 →Ｓｉ＋３ＨＣｌ〕の２種のソースガ
スが用いられている。熱分解法としては、ＳｉＨ2 Ｃｌ
2 〔ＳｉＨ2 Ｃｌ2 →Ｓｉ＋２ＨＣｌ〕と、ＳｉＨ
4 〔ＳｉＨ4 →Ｓｉ＋２Ｈ2 〕の２種のソースガスが用
いられている。
ｌ4 ＋２Ｈ2 →Ｓｉ＋４ＨＣｌ〕と、ＳｉＨＣｌ3 〔Ｓ
ｉＨＣｌ3 ＋Ｈ2 →Ｓｉ＋３ＨＣｌ〕の２種のソースガ
スが用いられている。熱分解法としては、ＳｉＨ2 Ｃｌ
2 〔ＳｉＨ2 Ｃｌ2 →Ｓｉ＋２ＨＣｌ〕と、ＳｉＨ
4 〔ＳｉＨ4 →Ｓｉ＋２Ｈ2 〕の２種のソースガスが用
いられている。
【０００６】この内、固体撮像装置用としては、主にＳ
ｉＨＣｌ3 が、その安価なこと、成長速度が大きく厚膜
エピタキシャル層の成長に適していることなどの理由か
ら用いられている。
ｉＨＣｌ3 が、その安価なこと、成長速度が大きく厚膜
エピタキシャル層の成長に適していることなどの理由か
ら用いられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、ソースガ
スＳｉＨＣｌ3 を用いて形成したエピタキシャル層は、
エピタキシャル成長中に混入する金属不純物（特に重金
属不純物）が多く、固体撮像素子の暗電流である白傷欠
陥が十分に低減できず、特性や歩留りを悪くする原因と
なっていた。
スＳｉＨＣｌ3 を用いて形成したエピタキシャル層は、
エピタキシャル成長中に混入する金属不純物（特に重金
属不純物）が多く、固体撮像素子の暗電流である白傷欠
陥が十分に低減できず、特性や歩留りを悪くする原因と
なっていた。
【０００８】重金属不純物の発生源としては、エピタキ
シャル成長装置のベルジャー内のＳＵＳ系部材からのも
の、原料ガス配管からのもの等が考えられる。ソースガ
スに塩素（Ｃｌ）系が含まれていると、成長時に分解し
てＨＣｌが作られ、之がＳＵＳ系部材を腐蝕して塩化物
としてソースガス中に取り込まれ、これが更にエピタキ
シャル層中に取り込まれるものと考えられる。
シャル成長装置のベルジャー内のＳＵＳ系部材からのも
の、原料ガス配管からのもの等が考えられる。ソースガ
スに塩素（Ｃｌ）系が含まれていると、成長時に分解し
てＨＣｌが作られ、之がＳＵＳ系部材を腐蝕して塩化物
としてソースガス中に取り込まれ、これが更にエピタキ
シャル層中に取り込まれるものと考えられる。
【０００９】本発明は、上述の点に鑑み、エピタキシャ
ル層に金属不純物の混入が少ない半導体基板、いわゆる
エピタキシャル半導体基板の製造方法を提供するもので
ある。また、本発明は、白傷欠陥を低減した固体撮像装
置の製造方法を提供するものである。
ル層に金属不純物の混入が少ない半導体基板、いわゆる
エピタキシャル半導体基板の製造方法を提供するもので
ある。また、本発明は、白傷欠陥を低減した固体撮像装
置の製造方法を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体基板
の製造方法は、ＳｉＨＣｌ3 のソースガスを用い、エピ
タキシャル成長直前に基板表面をＨＣｌエッチングせず
にエピタキシャル層を成長する。
の製造方法は、ＳｉＨＣｌ3 のソースガスを用い、エピ
タキシャル成長直前に基板表面をＨＣｌエッチングせず
にエピタキシャル層を成長する。
【００１１】ＳｉＨＣｌ3 のソースガスを用い、エピタ
キシャル成長直前に基板表面をＨＣｌエッチングせず
に、エピタキシャル層を成長することにより、金属不純
物の混入が少ないエピタキシャル半導体基板が作成され
る。
キシャル成長直前に基板表面をＨＣｌエッチングせず
に、エピタキシャル層を成長することにより、金属不純
物の混入が少ないエピタキシャル半導体基板が作成され
る。
【００１２】本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、
ＳｉＨＣｌ3 のソースガスを用い、エピタキシャル成長
直前に基板表面をＨＣｌエッチングせずに、エピタキシ
ャル層を成長させ、このエピタキシャル層に、固体撮像
素子を形成する。
ＳｉＨＣｌ3 のソースガスを用い、エピタキシャル成長
直前に基板表面をＨＣｌエッチングせずに、エピタキシ
ャル層を成長させ、このエピタキシャル層に、固体撮像
素子を形成する。
【００１３】ＳｉＨＣｌ3 のソースガスを用い、エピタ
キシャル成長直前に基板表面をＨＣｌエッチングせず
に、エピタキシャル層を成長させたエピタキシャル半導
体基板を用いて固体撮像素子を形成するので、金属不純
物の混入が少なく、白傷欠陥の少ない固体撮像装置が作
成される。
キシャル成長直前に基板表面をＨＣｌエッチングせず
に、エピタキシャル層を成長させたエピタキシャル半導
体基板を用いて固体撮像素子を形成するので、金属不純
物の混入が少なく、白傷欠陥の少ない固体撮像装置が作
成される。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体基板の製造方
法は、固体撮像用のエピタキシャル半導体基板の作成に
おいて、ＳｉＨＣｌ3 のソースガスを用い、エピタキシ
ャル成長直前に基板表面をＨＣｌエッチングせずに、エ
ピタキシャル層を成長する。
法は、固体撮像用のエピタキシャル半導体基板の作成に
おいて、ＳｉＨＣｌ3 のソースガスを用い、エピタキシ
ャル成長直前に基板表面をＨＣｌエッチングせずに、エ
ピタキシャル層を成長する。
【００１５】本発明は、上記半導体基板の製造方法にお
いて、エピタキシャル層の成長を、１１３０℃未満のエ
ピタキシャル成長温度で行うようにする。
いて、エピタキシャル層の成長を、１１３０℃未満のエ
ピタキシャル成長温度で行うようにする。
【００１６】本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、
ＳｉＨＣｌ3 のソースガスを用い、エピタキシャル成長
直前に基板表面をＨＣｌエッチングせずに、エピタキシ
ャル層を成長させたエピタキシャル半導体基板を作成
し、このエピタキシャル半導体基板のエピタキシャル層
に固体撮像素子を形成する。
ＳｉＨＣｌ3 のソースガスを用い、エピタキシャル成長
直前に基板表面をＨＣｌエッチングせずに、エピタキシ
ャル層を成長させたエピタキシャル半導体基板を作成
し、このエピタキシャル半導体基板のエピタキシャル層
に固体撮像素子を形成する。
【００１７】本発明は、上記固体撮像装置の製造方法に
おいて、エピタキシャル半導体基板のエピタキシャル層
の成長を１１３０℃未満のエピタキシャル成長温度で行
うようにする。
おいて、エピタキシャル半導体基板のエピタキシャル層
の成長を１１３０℃未満のエピタキシャル成長温度で行
うようにする。
【００１８】以下、図面を参照して本発明の実施例を説
明する。
明する。
【００１９】各ソースガスＳｉＣｌ4 ，ＳｉＨＣｌ3 ，
ＳｉＨ2 Ｃｌ2 及びＳｉＨ4 を夫々用いて、図１に示す
直径４インチのＣＺシリコン基板（比抵抗８〜１２Ωｃ
ｍの隣ドープのｎ型基板）１上に、厚さ１２μｍで比抵
抗４０〜５０Ωｃｍのｎ型（隣ドープ）のシリコンエピ
タキシャル層２を成長したエピタキシャル半導体基板３
を作成した。この場合、エピタキシャル層本来の品質を
比較するために、基板にはゲッタリングは施していな
い。
ＳｉＨ2 Ｃｌ2 及びＳｉＨ4 を夫々用いて、図１に示す
直径４インチのＣＺシリコン基板（比抵抗８〜１２Ωｃ
ｍの隣ドープのｎ型基板）１上に、厚さ１２μｍで比抵
抗４０〜５０Ωｃｍのｎ型（隣ドープ）のシリコンエピ
タキシャル層２を成長したエピタキシャル半導体基板３
を作成した。この場合、エピタキシャル層本来の品質を
比較するために、基板にはゲッタリングは施していな
い。
【００２０】この４種のソースガスを用いてエピタキシ
ャル成長条件を振って作成したエピタキシャル半導体基
板に夫々ＣＣＤ固体撮像素子を形成して図２に示すよう
な固体撮像装置２３を作成した。
ャル成長条件を振って作成したエピタキシャル半導体基
板に夫々ＣＣＤ固体撮像素子を形成して図２に示すよう
な固体撮像装置２３を作成した。
【００２１】この固体撮像装置２３は、上記エピタキシ
ャル半導体基板３のｎ型エピタキシャル層２にｐ型のウ
エル領域４を形成し、このｐ型ウエル領域４内にｎ型の
不純物拡散領域５と垂直転送レジスタ６を構成するｎ型
転送チャネル領域７並びにｐ型チャネルストップ領域８
が形成され、ｎ型の不純物拡散領域５上にｐ型領域９
が、ｎ型転送チャネル領域７の直下に第２のｐ型ウエル
領域１０が夫々形成されている。
ャル半導体基板３のｎ型エピタキシャル層２にｐ型のウ
エル領域４を形成し、このｐ型ウエル領域４内にｎ型の
不純物拡散領域５と垂直転送レジスタ６を構成するｎ型
転送チャネル領域７並びにｐ型チャネルストップ領域８
が形成され、ｎ型の不純物拡散領域５上にｐ型領域９
が、ｎ型転送チャネル領域７の直下に第２のｐ型ウエル
領域１０が夫々形成されている。
【００２２】ｎ型不純物拡散領域５とｐ型ウエル領域４
とのｐｎ接合ｊによるフォトダイオードＰＤによって受
光部（光電変換部）１１が構成される。この受光部１１
は画素となるもので、複数の受光部１１がマトリックス
状に配列されている。
とのｐｎ接合ｊによるフォトダイオードＰＤによって受
光部（光電変換部）１１が構成される。この受光部１１
は画素となるもので、複数の受光部１１がマトリックス
状に配列されている。
【００２３】垂直転送レジスタ６を構成する転送チャネ
ル領域７、チャネルストップ領域８及び読み出しゲート
部１２上に例えばＳｉＯ2 膜１５、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１６、
ＳｉＯ2 膜１７からなるゲート絶縁膜１８を介して第１
及び第２の多結晶シリコンからなる複数の転送電極１９
が形成される。さらに、層間絶縁層２０を介して各垂直
転送レジスタ６上を覆うようにＡｌ遮光膜２１が形成さ
れる。
ル領域７、チャネルストップ領域８及び読み出しゲート
部１２上に例えばＳｉＯ2 膜１５、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１６、
ＳｉＯ2 膜１７からなるゲート絶縁膜１８を介して第１
及び第２の多結晶シリコンからなる複数の転送電極１９
が形成される。さらに、層間絶縁層２０を介して各垂直
転送レジスタ６上を覆うようにＡｌ遮光膜２１が形成さ
れる。
【００２４】図３は、ソースガス種（ＳｉＣｌ4 ，Ｓｉ
ＨＣｌ3 ，ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ，ＳｉＨ 4 ）とＣＣＤ固体撮
像装置の白傷良品率との相関を示す。図３の●印は、本
発明に先立ち既に出願してある特願平７−３０１４４９
号の実施例で、全て、エピタキシャル成長直前に基板表
面をＨＣｌエッチング（約０．３μｍ程度除去）してい
る。
ＨＣｌ3 ，ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ，ＳｉＨ 4 ）とＣＣＤ固体撮
像装置の白傷良品率との相関を示す。図３の●印は、本
発明に先立ち既に出願してある特願平７−３０１４４９
号の実施例で、全て、エピタキシャル成長直前に基板表
面をＨＣｌエッチング（約０．３μｍ程度除去）してい
る。
【００２５】ＨＣＩエッチングは、エピタキシャル層の
結晶製を良くする為に、基板表面の自然酸化膜、有機
物、ダスト等をシリコンごと除去するエピタキシャル装
置内での高温エッチングであり、通常行われている。
結晶製を良くする為に、基板表面の自然酸化膜、有機
物、ダスト等をシリコンごと除去するエピタキシャル装
置内での高温エッチングであり、通常行われている。
【００２６】図３の●印では、ソースガスＳｉＨ4 で形
成したエピタキシャル基板を用いた固体撮像素子の白傷
がＳｉＣｌ4 ，ＳｉＨＣｌ3 ，ＳｉＨＣｌ2 のものより
良く、これは、ソースガスＳｉＨ4 では腐食性の高いＨ
Ｃｌガスが発生しない為、エピタキシャル層内に混入す
る金属不純物が少ないことによると考えられた。
成したエピタキシャル基板を用いた固体撮像素子の白傷
がＳｉＣｌ4 ，ＳｉＨＣｌ3 ，ＳｉＨＣｌ2 のものより
良く、これは、ソースガスＳｉＨ4 では腐食性の高いＨ
Ｃｌガスが発生しない為、エピタキシャル層内に混入す
る金属不純物が少ないことによると考えられた。
【００２７】しかしながら、その後の調査で、ＨＣｌエ
ッチングで混入する金属不純物も決して少なくない事が
判り、図３中の○印で示したように、エピタキシャル成
長直前の基板表面に対するＨＣｌエッチングをなくせ
ば、ＳｉＨＣｌ3 でもＳｉＨ4と同じ程度に改善される
ことが明らかになった。
ッチングで混入する金属不純物も決して少なくない事が
判り、図３中の○印で示したように、エピタキシャル成
長直前の基板表面に対するＨＣｌエッチングをなくせ
ば、ＳｉＨＣｌ3 でもＳｉＨ4と同じ程度に改善される
ことが明らかになった。
【００２８】また、ＨＣｌエッチングをなくすことによ
るエピタキシャル層の結晶性の悪化は、エピタキシャル
成長前の洗浄を最適化すれば問題ないことも判明した。
ＳｉＨＣｌ3 ガスを用いて良質なエピタキシャル層が形
成できれば、ＳｉＨ4 ガスに比べて、安価に、しかも短
時間にエピタキシャル基板の作成が可能となる。
るエピタキシャル層の結晶性の悪化は、エピタキシャル
成長前の洗浄を最適化すれば問題ないことも判明した。
ＳｉＨＣｌ3 ガスを用いて良質なエピタキシャル層が形
成できれば、ＳｉＨ4 ガスに比べて、安価に、しかも短
時間にエピタキシャル基板の作成が可能となる。
【００２９】次に、ＳｉＣｌ3 ガスを用いて、エピタキ
シャル成長温度を振って上述と同構造のエピタキシャル
層２を形成し、同じくＣＣＤ固体撮像素子の白傷良品率
を評価した結果を図４に示す。
シャル成長温度を振って上述と同構造のエピタキシャル
層２を形成し、同じくＣＣＤ固体撮像素子の白傷良品率
を評価した結果を図４に示す。
【００３０】ＳｉＨＣｌ3 ガスによるエピタキシャル層
は、１１３０℃前後で形成される場合が多く、エピタキ
シャル成長温度のエピタキシャル層品質への影響、即
ち、結晶性又は金属不純物への影響は、これまで明確で
ない。図４から明らかなように、低温側では白傷良品率
が良い事が判る。
は、１１３０℃前後で形成される場合が多く、エピタキ
シャル成長温度のエピタキシャル層品質への影響、即
ち、結晶性又は金属不純物への影響は、これまで明確で
ない。図４から明らかなように、低温側では白傷良品率
が良い事が判る。
【００３１】従って、本発明では、エピタキシャル成長
温度を、１１３０℃未満、好ましくは１１００℃以下、
更に好ましくは１０７０℃以下にする事で良品率を従来
に比して約２倍改善することができる。低温で白傷欠陥
が低減する理由としては、エピタキシャル装置のベルジ
ャー構成部の金属不純物やサセプタを介して混入する金
属不純物が、低温化により抑制されるためと考えられ
る。
温度を、１１３０℃未満、好ましくは１１００℃以下、
更に好ましくは１０７０℃以下にする事で良品率を従来
に比して約２倍改善することができる。低温で白傷欠陥
が低減する理由としては、エピタキシャル装置のベルジ
ャー構成部の金属不純物やサセプタを介して混入する金
属不純物が、低温化により抑制されるためと考えられ
る。
【００３２】図５〜図７は、本発明に係る固体撮像装置
の製造方法の一例を示す。本例は、前述の図２に示すと
同様のＣＣＤ固体撮像装置に適用した場合である。
の製造方法の一例を示す。本例は、前述の図２に示すと
同様のＣＣＤ固体撮像装置に適用した場合である。
【００３３】先ず、図５Ａに示すように、ｎ型のＣＺシ
リコン基板１を設ける。このシリコン基板１は、主面が
（１００）面を有し、比抵抗１０Ωｃｍの直径４インチ
基板である。
リコン基板１を設ける。このシリコン基板１は、主面が
（１００）面を有し、比抵抗１０Ωｃｍの直径４インチ
基板である。
【００３４】次に、図５Ｂに示すように、基板１の一主
面上に、エピタキシャル成長直前の基板表面に対するＨ
Ｃｌエッチングをせずに、ＳｉＨＣｌ3 ソースガスによ
る熱分解法を用いて、１０７０℃のエピタキシャル成長
温度で約１２μｍのｎ型シリコンエピタキシャル層２を
成長し、ｎ型シリコンエピタキシャル基板３を形成す
る。ｎ型不純物であるドープガスはＰＨ3 を用いてい
る。シリコンエピタキシャル層２の比抵抗は４０〜５０
Ωｃｍである。
面上に、エピタキシャル成長直前の基板表面に対するＨ
Ｃｌエッチングをせずに、ＳｉＨＣｌ3 ソースガスによ
る熱分解法を用いて、１０７０℃のエピタキシャル成長
温度で約１２μｍのｎ型シリコンエピタキシャル層２を
成長し、ｎ型シリコンエピタキシャル基板３を形成す
る。ｎ型不純物であるドープガスはＰＨ3 を用いてい
る。シリコンエピタキシャル層２の比抵抗は４０〜５０
Ωｃｍである。
【００３５】次に、図５Ｃに示すように、ｎ型シリコン
エピタキシャル層２に第１のｐ型ウエル領域４を形成
し、このｐ型ウエル領域４の表面上に絶縁膜例えばＳｉ
Ｏ2 膜１５を形成した後、第１のｐ型ウエル領域４内に
ｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的にイオン注入して、
垂直転送レジスタを構成するｎ型の転送チャネル領域７
と、ｐ型のチャネルストップ領域８と、第２のｐ型ウエ
ル領域１０を夫々形成する。
エピタキシャル層２に第１のｐ型ウエル領域４を形成
し、このｐ型ウエル領域４の表面上に絶縁膜例えばＳｉ
Ｏ2 膜１５を形成した後、第１のｐ型ウエル領域４内に
ｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的にイオン注入して、
垂直転送レジスタを構成するｎ型の転送チャネル領域７
と、ｐ型のチャネルストップ領域８と、第２のｐ型ウエ
ル領域１０を夫々形成する。
【００３６】次に、図６Ｄに示すように、ＳｉＯ2 膜１
５上の全面に例えばＳｉ3 Ｎ4 膜１６及びＳｉＯ2 膜１
７を順次積層した後、受光部１１となる部分のＳｉ3 Ｎ
4 膜１６及びＳｉＯ2 膜１７を選択的にエッチング除去
する。ここで除去されずに残った積層膜、即ちｎ型転送
チャネル領域７、チャネルストップ領域８、読み出しゲ
ート部１２に対応する部分上のＳｉＯ2 膜１５、Ｓｉ3
Ｎ4 膜１６及びＳｉＯ 2 膜１７の積層膜がゲート絶縁膜
１８として構成される。その後、ゲート絶縁膜１８上に
多結晶シリコン層による転送電極１９を形成する。
５上の全面に例えばＳｉ3 Ｎ4 膜１６及びＳｉＯ2 膜１
７を順次積層した後、受光部１１となる部分のＳｉ3 Ｎ
4 膜１６及びＳｉＯ2 膜１７を選択的にエッチング除去
する。ここで除去されずに残った積層膜、即ちｎ型転送
チャネル領域７、チャネルストップ領域８、読み出しゲ
ート部１２に対応する部分上のＳｉＯ2 膜１５、Ｓｉ3
Ｎ4 膜１６及びＳｉＯ 2 膜１７の積層膜がゲート絶縁膜
１８として構成される。その後、ゲート絶縁膜１８上に
多結晶シリコン層による転送電極１９を形成する。
【００３７】次に、図６Ｅに示すように、転送電極１９
をマスクとしてｎ型不純物、例えば燐（Ｐ）を第１のｐ
型ウエル領域４内、特に基板３表面から深さ０．４μｍ
位に選択的にイオン注入し、Ｎ2 アニールを施してｎ型
不純物拡散領域５を形成する。このとき、ｎ型不純物拡
散領域５と第１のｐ型ウエル領域４とのｐｎ接合による
フォトダイオードＰＤによって受光部１１が構成され
る。
をマスクとしてｎ型不純物、例えば燐（Ｐ）を第１のｐ
型ウエル領域４内、特に基板３表面から深さ０．４μｍ
位に選択的にイオン注入し、Ｎ2 アニールを施してｎ型
不純物拡散領域５を形成する。このとき、ｎ型不純物拡
散領域５と第１のｐ型ウエル領域４とのｐｎ接合による
フォトダイオードＰＤによって受光部１１が構成され
る。
【００３８】次に、図７Ｆに示すように、転送電極１９
をマスクとしてｐ型不純物、例えばボロン（Ｂ）を受光
部１１の表面に選択的にイオン注入し、Ｎ2 中で熱処理
してイオン注入されたｐ型不純物を拡散、活性化させて
受光部１１の表面にｐ型の正電荷蓄積領域９を形成す
る。
をマスクとしてｐ型不純物、例えばボロン（Ｂ）を受光
部１１の表面に選択的にイオン注入し、Ｎ2 中で熱処理
してイオン注入されたｐ型不純物を拡散、活性化させて
受光部１１の表面にｐ型の正電荷蓄積領域９を形成す
る。
【００３９】次に、図７Ｇに示すように、転送電極１９
を含む全面にＰＳＧ（リンシリケートガラス）等からな
る層間絶縁層２０を介してＡｌ遮光膜２１を選択的に形
成する。このようにして、目的のＣＣＤ固体撮像装置２
３を得る。
を含む全面にＰＳＧ（リンシリケートガラス）等からな
る層間絶縁層２０を介してＡｌ遮光膜２１を選択的に形
成する。このようにして、目的のＣＣＤ固体撮像装置２
３を得る。
【００４０】上述の実施例によれば、シリコン基板１上
にエピタキシャル成長直前の基板表面に対するＨＣｌエ
ッチングをせずに、ソースガスとしてＳｉＨＣｌ3 を用
い、１１３０℃未満、好ましくは１１００℃以下、更に
好ましくは１０７０℃以下のエピタキシャル成長温度で
エピタキシャル層２を成長させることにより、金属不純
物の混入が少ないシリコンエピタキシャル基板３を安価
に且つ短時間で作成することができる。そして、この金
属不純物の混入の少ないシリコンエピタキシャル基板３
を用いて、エピタキシャル層２に固体撮像素子を形成す
ることにより、白傷欠陥数を大幅に低減した固体撮像装
置を作成することができる。
にエピタキシャル成長直前の基板表面に対するＨＣｌエ
ッチングをせずに、ソースガスとしてＳｉＨＣｌ3 を用
い、１１３０℃未満、好ましくは１１００℃以下、更に
好ましくは１０７０℃以下のエピタキシャル成長温度で
エピタキシャル層２を成長させることにより、金属不純
物の混入が少ないシリコンエピタキシャル基板３を安価
に且つ短時間で作成することができる。そして、この金
属不純物の混入の少ないシリコンエピタキシャル基板３
を用いて、エピタキシャル層２に固体撮像素子を形成す
ることにより、白傷欠陥数を大幅に低減した固体撮像装
置を作成することができる。
【００４１】上記実施例では、ゲッタリング法を用いて
いないが、本発明に種々のゲッタリング（イントリンシ
ックゲッタリング、多結晶シリコンゲッタリング、燐ゲ
ッタリング、炭素注入ゲッタリング等）を組み合わせれ
ば、より白傷欠陥数が低減することが確認されている。
いないが、本発明に種々のゲッタリング（イントリンシ
ックゲッタリング、多結晶シリコンゲッタリング、燐ゲ
ッタリング、炭素注入ゲッタリング等）を組み合わせれ
ば、より白傷欠陥数が低減することが確認されている。
【００４２】尚、上例ではｎ型のシリコンエピタキシャ
ル基板３に形成したｐ型ウエル領域４の表面にｎ型不純
物拡散領域５を形成して、ｐ型ウエル領域４とｎ型不純
物拡散領域５とのｐｎ接合によってフォトダイオードＰ
Ｄを作成して固体撮像素子を形成した例であるが、ｐ型
のシリコンエピタキシャル基板にｎ型不純物拡散領域５
を形成してフォトダイオードＰＤを作成する場合にも適
用できる。
ル基板３に形成したｐ型ウエル領域４の表面にｎ型不純
物拡散領域５を形成して、ｐ型ウエル領域４とｎ型不純
物拡散領域５とのｐｎ接合によってフォトダイオードＰ
Ｄを作成して固体撮像素子を形成した例であるが、ｐ型
のシリコンエピタキシャル基板にｎ型不純物拡散領域５
を形成してフォトダイオードＰＤを作成する場合にも適
用できる。
【００４３】また、上例ではＣＣＤ固体撮像装置に適用
したが、その他の固体撮像装置、例えば増幅型固体撮像
装置等の製造にも本発明は適用できる。
したが、その他の固体撮像装置、例えば増幅型固体撮像
装置等の製造にも本発明は適用できる。
【００４４】上例ではｎ型半導体基板１にｎ型エピタキ
シャル層２を形成してなるエピタキシャル半導体基板に
適用したが、勿論ｐ型半導体基板にｐ型エピタキシャル
層を形成してなるエピタキシャル半導体基板にも適用で
きる。さらに、第１導電型の半導体基板に第２導電型の
エピタキシャル層を形成してなるエピタキシャル半導体
基板にも適用できる。
シャル層２を形成してなるエピタキシャル半導体基板に
適用したが、勿論ｐ型半導体基板にｐ型エピタキシャル
層を形成してなるエピタキシャル半導体基板にも適用で
きる。さらに、第１導電型の半導体基板に第２導電型の
エピタキシャル層を形成してなるエピタキシャル半導体
基板にも適用できる。
【００４５】
【発明の効果】本発明に係る半導体基板の製造方法によ
れば、半導体基板上に、ソースガスとしてＳｉＨＣｌ3
を用いて、エピタキシャル成長直前に基板表面をＨＣｌ
エッチングせずにエピタキシャル成長することにより、
また、特にエピタキシャル成長温度を１１３０℃未満と
することにより、そのエピタキシャル層に金属不純物の
混入が少ない半導体基板を作成することができる。
れば、半導体基板上に、ソースガスとしてＳｉＨＣｌ3
を用いて、エピタキシャル成長直前に基板表面をＨＣｌ
エッチングせずにエピタキシャル成長することにより、
また、特にエピタキシャル成長温度を１１３０℃未満と
することにより、そのエピタキシャル層に金属不純物の
混入が少ない半導体基板を作成することができる。
【００４６】また、本発明に係る固体撮像装置の製造方
法によれば、上記の金属不純物の混入の少ないエピタキ
シャル半導体基板を用いることにより、固体撮像装置の
白傷欠陥を大幅に低減することができる。
法によれば、上記の金属不純物の混入の少ないエピタキ
シャル半導体基板を用いることにより、固体撮像装置の
白傷欠陥を大幅に低減することができる。
【図１】本発明に係るエピタキシャル半導体基板の一例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明に係る固体撮像装置の一例を示す構成図
である。
である。
【図３】本発明の説明に供する固体撮像装置における白
傷欠陥のソースガス依存性を示すグラフである。
傷欠陥のソースガス依存性を示すグラフである。
【図４】本発明の説明に供する固体撮像装置における白
傷欠陥のエピタキシャル成長温度依存性を示すグラフで
ある。
傷欠陥のエピタキシャル成長温度依存性を示すグラフで
ある。
【図５】Ａ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図で
ある。 Ｂ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。 Ｃ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。
ある。 Ｂ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。 Ｃ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。
【図６】Ｄ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図で
ある。 Ｅ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。
ある。 Ｅ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。
【図７】Ｆ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図で
ある。 Ｇ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。
ある。 Ｇ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。
１ シリコン基板、２ シリコンエピタキシャル層、３
エピタキシャル半導体基板、４ 第１のｐ型ウエル領
域、５ ｎ型不純物拡散領域、６ 垂直転送レジスタ、
７ 転送チャネル領域、８ チャネルストップ領域、１
１ 受光部、１２ 読み出しゲート部、１８ ゲート絶
縁膜、１９ 転送電極、２１ Ａｌ遮光膜、２３ ＣＣ
Ｄ固体撮像装置
エピタキシャル半導体基板、４ 第１のｐ型ウエル領
域、５ ｎ型不純物拡散領域、６ 垂直転送レジスタ、
７ 転送チャネル領域、８ チャネルストップ領域、１
１ 受光部、１２ 読み出しゲート部、１８ ゲート絶
縁膜、１９ 転送電極、２１ Ａｌ遮光膜、２３ ＣＣ
Ｄ固体撮像装置
Claims (4)
- 【請求項１】 固体撮像用のエピタキシャル半導体基板
の作成において、 ＳｉＨＣｌ3 のソースガスを用い、エピタキシャル成長
直前に基板表面をＨＣＩエッチングせずに、エピタキシ
ャル層を成長することを特徴とする半導体基板の製造方
法。 - 【請求項２】 前記エピタキシャル層の成長を、１１３
０℃未満のエピタキシャル成長温度で行うことを特徴と
する請求項１に記載の半導体基板の製造方法。 - 【請求項３】 ＳｉＨＣｌ3 のソースガスを用い、エピ
タキシャル成長直前に基板表面をＨＣＩエッチングせず
に、エピタキシャル層を成長させたエピタキシャル半導
体基板を作成し、 該エピタキシャル半導体基板の前記エピタキシャル層に
固体撮像素子を形成することを特徴とする固体撮像装置
の製造方法。 - 【請求項４】 前記エピタキシャル半導体基板のエピタ
キシャル層の成長を１１３０℃未満のエピタキシャル成
長温度で行うことを特徴とする請求項２に記載の固体撮
像装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8132431A JPH09321266A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 半導体基板の製造方法及び固体撮像装置の製造方法 |
| US08/862,394 US5956570A (en) | 1996-05-27 | 1997-05-23 | Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing solid state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8132431A JPH09321266A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 半導体基板の製造方法及び固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09321266A true JPH09321266A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15081221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8132431A Pending JPH09321266A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 半導体基板の製造方法及び固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5956570A (ja) |
| JP (1) | JPH09321266A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7253019B2 (en) * | 1997-02-10 | 2007-08-07 | Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba | Buried, fully depletable, high fill factor photodiodes |
| JP2007294531A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Nikon Corp | 固体撮像装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4419264B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2010-02-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP3885769B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2007-02-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
| KR100630679B1 (ko) * | 2003-12-17 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 포토 다이오드 및 이의 제조 방법 |
| JP4739706B2 (ja) * | 2004-07-23 | 2011-08-03 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2006041117A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
| US7808022B1 (en) | 2005-03-28 | 2010-10-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Cross talk reduction |
| US7750958B1 (en) | 2005-03-28 | 2010-07-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Pixel structure |
| JP5192277B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2013-05-08 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| US8476567B2 (en) | 2008-09-22 | 2013-07-02 | Semiconductor Components Industries, Llc | Active pixel with precharging circuit |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5261960A (en) * | 1987-06-24 | 1993-11-16 | Epsilon Technology, Inc. | Reaction chambers for CVD systems |
| JP3353277B2 (ja) * | 1992-09-25 | 2002-12-03 | ソニー株式会社 | エピタキシャルウェハの製造方法 |
-
1996
- 1996-05-27 JP JP8132431A patent/JPH09321266A/ja active Pending
-
1997
- 1997-05-23 US US08/862,394 patent/US5956570A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7253019B2 (en) * | 1997-02-10 | 2007-08-07 | Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba | Buried, fully depletable, high fill factor photodiodes |
| JP2007294531A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Nikon Corp | 固体撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5956570A (en) | 1999-09-21 |
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