JP3407508B2 - 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法Info
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- JP3407508B2 JP3407508B2 JP30144995A JP30144995A JP3407508B2 JP 3407508 B2 JP3407508 B2 JP 3407508B2 JP 30144995 A JP30144995 A JP 30144995A JP 30144995 A JP30144995 A JP 30144995A JP 3407508 B2 JP3407508 B2 JP 3407508B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置及び
固体撮像装置の製造方法に関する。
固体撮像装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置等の半導体装置を形成する
ための半導体基板としては、ＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓ
ｋｉ）法で成長させたＣＺ基板、ＭＣＺ（Ｍａｇｎｅｔ
ｉｃｆｉｅｌｄ ａｐｐｌｉｅｄ ＣＺ）法で成長させ
たＭＣＺ基板や、これらのＣＺ基板やＭＣＺ基板の表面
にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル半導体基
板が一般に多く用いられている。
ための半導体基板としては、ＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓ
ｋｉ）法で成長させたＣＺ基板、ＭＣＺ（Ｍａｇｎｅｔ
ｉｃｆｉｅｌｄ ａｐｐｌｉｅｄ ＣＺ）法で成長させ
たＭＣＺ基板や、これらのＣＺ基板やＭＣＺ基板の表面
にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル半導体基
板が一般に多く用いられている。
【０００３】特に、固体撮像装置用としては、ドーパン
ト濃度むら（Ｓｔｒｉａｔｉｏｎ）に起因する画像コン
トラストむらを低減する為に、エピタキシャル半導体基
板やＭＣＺ基板が主として使用されている。この内、エ
ピタキシャル半導体基板は、素子形成層下に低抵抗領域
（例えば埋込み領域又は低抵抗基板）を形成することが
でき、低電力駆動、低消費電力化として有効であり、今
後の用途の拡大が期待されている。
ト濃度むら（Ｓｔｒｉａｔｉｏｎ）に起因する画像コン
トラストむらを低減する為に、エピタキシャル半導体基
板やＭＣＺ基板が主として使用されている。この内、エ
ピタキシャル半導体基板は、素子形成層下に低抵抗領域
（例えば埋込み領域又は低抵抗基板）を形成することが
でき、低電力駆動、低消費電力化として有効であり、今
後の用途の拡大が期待されている。
【０００４】シリコンエピタキシャル半導体基板では、
実用的な方法としてＣＶＤ（化学気相成長）法が用いら
れており、以下の主な４種類のソースガスが使われてい
る。
実用的な方法としてＣＶＤ（化学気相成長）法が用いら
れており、以下の主な４種類のソースガスが使われてい
る。
【０００５】水素還元法としては、ＳｉＣｌ4 〔ＳｉＣ
ｌ4 ＋２Ｈ2 →Ｓｉ＋４ＨＣｌ〕と、ＳｉＨＣｌ3 〔Ｓ
ｉＨＣｌ3 ＋Ｈ2 →Ｓｉ＋３ＨＣｌ〕の２種のソースガ
スが用いられている。熱分解法としては、ＳｉＨ2 Ｃｌ
2 〔ＳｉＨ2 Ｃｌ2 →Ｓｉ＋２ＨＣｌ〕と、ＳｉＨ
4 〔ＳｉＨ4 →Ｓｉ＋２Ｈ2 〕の２種のソースガスが用
いられている。
ｌ4 ＋２Ｈ2 →Ｓｉ＋４ＨＣｌ〕と、ＳｉＨＣｌ3 〔Ｓ
ｉＨＣｌ3 ＋Ｈ2 →Ｓｉ＋３ＨＣｌ〕の２種のソースガ
スが用いられている。熱分解法としては、ＳｉＨ2 Ｃｌ
2 〔ＳｉＨ2 Ｃｌ2 →Ｓｉ＋２ＨＣｌ〕と、ＳｉＨ
4 〔ＳｉＨ4 →Ｓｉ＋２Ｈ2 〕の２種のソースガスが用
いられている。
【０００６】この内、固体撮像用としては、主にＳｉＨ
Ｃｌ3 が、その安価なこと、成長速度が早く厚膜エピタ
キシャル層の成長に適していることなどの理由から用い
られている。
Ｃｌ3 が、その安価なこと、成長速度が早く厚膜エピタ
キシャル層の成長に適していることなどの理由から用い
られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、ソースガ
スＳｉＨＣｌ3 で形成したエピタキシャル層は、エピタ
キシャル成長中に混入する金属不純物（特に重金属不純
物）が多く、固体撮像素子の暗電流である白傷欠陥が十
分に低減できず、特性や歩留りを悪くする原因となって
いた。
スＳｉＨＣｌ3 で形成したエピタキシャル層は、エピタ
キシャル成長中に混入する金属不純物（特に重金属不純
物）が多く、固体撮像素子の暗電流である白傷欠陥が十
分に低減できず、特性や歩留りを悪くする原因となって
いた。
【０００８】重金属不純物の発生源としてはエピタキシ
ャル成長装置のＳＵＳ系のベルジャーからのもの、原料
ガス配管からのもの等が考えられる。ソースガスにＣｌ
系が含まれていると、成長時に分解してＨＣｌが作ら
れ、之がＳＵＳ系を腐蝕して塩化物としてソースガス中
に取り込まれ、之がさらにエピタキシャル層中に取り込
まれるものと考えられる。
ャル成長装置のＳＵＳ系のベルジャーからのもの、原料
ガス配管からのもの等が考えられる。ソースガスにＣｌ
系が含まれていると、成長時に分解してＨＣｌが作ら
れ、之がＳＵＳ系を腐蝕して塩化物としてソースガス中
に取り込まれ、之がさらにエピタキシャル層中に取り込
まれるものと考えられる。
【０００９】本発明は、上述の点に鑑み、エピタキシャ
ル層への金属不純物の混入を少なくし、白傷欠陥を低減
した固体撮像装置及びその製造方法を提供するものであ
る。
ル層への金属不純物の混入を少なくし、白傷欠陥を低減
した固体撮像装置及びその製造方法を提供するものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る固体撮像装
置は、ＳｉＨ 4 のソースガスを用い１０５０℃未満以下
のエピタキシャル成長温度でエピタキシャル層を成長さ
せたエピタキシャル半導体基板と、このエピタキシャル
半導体基板のエピタキシャル層に形成された固体撮像素
子とを具備して成る。
置は、ＳｉＨ 4 のソースガスを用い１０５０℃未満以下
のエピタキシャル成長温度でエピタキシャル層を成長さ
せたエピタキシャル半導体基板と、このエピタキシャル
半導体基板のエピタキシャル層に形成された固体撮像素
子とを具備して成る。
【００１１】ＳｉＨ 4 のソースガスを用い１０５０℃未
満以下のエピタキシャル成長温度でエピタキシャル層を
成長させたエピタキシャル半導体基板は、エピタキシャ
ル層内への金属不純物の混入が少ない。このエピタキシ
ャル半導体基板のエピタキシャル層に固体撮像素子が形
成されるので、固体撮像装置における白傷欠陥が大幅に
低減される。
満以下のエピタキシャル成長温度でエピタキシャル層を
成長させたエピタキシャル半導体基板は、エピタキシャ
ル層内への金属不純物の混入が少ない。このエピタキシ
ャル半導体基板のエピタキシャル層に固体撮像素子が形
成されるので、固体撮像装置における白傷欠陥が大幅に
低減される。
【００１２】本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、
ＳｉＨ4 のソースガスを用い、１０５０℃未満以下のエ
ピタキシャル成長温度でエピタキシャル層を成長させた
エピタキシャル半導体基板を作成し、エピタキシャル半
導体基板のエピタキシャル層に固体撮像素子を形成す
る。
ＳｉＨ4 のソースガスを用い、１０５０℃未満以下のエ
ピタキシャル成長温度でエピタキシャル層を成長させた
エピタキシャル半導体基板を作成し、エピタキシャル半
導体基板のエピタキシャル層に固体撮像素子を形成す
る。
【００１３】ＳｉＨ4 のソースガスを用い１０５０℃未
満以下のエピタキシャル成長温度でエピタキシャル層を
成長させたエピタキシャル半導体基板を用いて固体撮像
素子を形成するので、金属不純物の混入が少なく、白傷
欠陥の少ない固体撮像装置が作成される。
満以下のエピタキシャル成長温度でエピタキシャル層を
成長させたエピタキシャル半導体基板を用いて固体撮像
素子を形成するので、金属不純物の混入が少なく、白傷
欠陥の少ない固体撮像装置が作成される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。
施例を説明する。
【００１５】各ソースガスＳｉＣｌ4 ，ＳｉＨＣｌ3 ，
ＳｉＨ2 Ｃｌ2 及びＳｉＨ4 を夫々用いて、図１に示す
直径４インチのＣＺシリコン基板（比抵抗８〜１２Ωｃ
ｍの隣ドープのｎ型基板）１上に、厚さ１２μｍで比抵
抗４０〜５０Ωｃｍのｎ型（隣ドープ）のシリコンエピ
タキシャル層２を成長したエピタキシャル半導体基板３
を作成した。エピタキシャル層本来の品質を比較するた
めに、ゲッタリングは施していない。
ＳｉＨ2 Ｃｌ2 及びＳｉＨ4 を夫々用いて、図１に示す
直径４インチのＣＺシリコン基板（比抵抗８〜１２Ωｃ
ｍの隣ドープのｎ型基板）１上に、厚さ１２μｍで比抵
抗４０〜５０Ωｃｍのｎ型（隣ドープ）のシリコンエピ
タキシャル層２を成長したエピタキシャル半導体基板３
を作成した。エピタキシャル層本来の品質を比較するた
めに、ゲッタリングは施していない。
【００１６】この４種のエピタキシャル半導体基板に夫
々ＣＣＤ固体撮像素子を形成して図２に示すような固体
撮像装置２３を作成した。
々ＣＣＤ固体撮像素子を形成して図２に示すような固体
撮像装置２３を作成した。
【００１７】この固体撮像装置２３は、上記エピタキシ
ャル半導体基板３のｎ型エピタキシャル層２にｐ型のウ
エル領域４を形成し、このｐ型ウエル領域４内にｎ型の
不純物拡散領域５と垂直転送レジスタ６を構成するｎ型
転送チャネル領域７並びにｐ型チャネルストップ領域８
が形成され、ｎ型の不純物拡散領域５上にｐ型の正電荷
蓄積領域９が、ｎ型転送チャネル領域７の直下に第２の
ｐ型ウエル領域１０が夫々形成されている。
ャル半導体基板３のｎ型エピタキシャル層２にｐ型のウ
エル領域４を形成し、このｐ型ウエル領域４内にｎ型の
不純物拡散領域５と垂直転送レジスタ６を構成するｎ型
転送チャネル領域７並びにｐ型チャネルストップ領域８
が形成され、ｎ型の不純物拡散領域５上にｐ型の正電荷
蓄積領域９が、ｎ型転送チャネル領域７の直下に第２の
ｐ型ウエル領域１０が夫々形成されている。
【００１８】ｎ型不純物拡散領域５とｐ型ウエル領域４
とのｐｎ接合ｊによるフォトダイオードＰＤによって受
光部（光電変換部）１１が構成される。この受光部１１
は画素となるもので、複数の受光部１１がマトリックス
状に配列されている。
とのｐｎ接合ｊによるフォトダイオードＰＤによって受
光部（光電変換部）１１が構成される。この受光部１１
は画素となるもので、複数の受光部１１がマトリックス
状に配列されている。
【００１９】垂直転送レジスタ６を構成する転送チャネ
ル領域７、チャネルストップ領域８及び読み出しゲート
部１２上にＳｉＯ2 膜１５、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１６、ＳｉＯ
2 膜１７からなるゲート絶縁膜１８を介して第１及び第
２の多結晶シリコンからなる複数の転送電極１９が形成
され、転送チャネル領域７、ゲート絶縁膜１８及び転送
電極１９により垂直転送レジスタ６が構成される。
ル領域７、チャネルストップ領域８及び読み出しゲート
部１２上にＳｉＯ2 膜１５、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１６、ＳｉＯ
2 膜１７からなるゲート絶縁膜１８を介して第１及び第
２の多結晶シリコンからなる複数の転送電極１９が形成
され、転送チャネル領域７、ゲート絶縁膜１８及び転送
電極１９により垂直転送レジスタ６が構成される。
【００２０】さらに、層間絶縁層２０を介して各垂直転
送レジスタ６上を覆うようにＡｌ遮光膜２１（このＡｌ
遮光膜２１はシャント配線層を兼ねる場合もある）が形
成される。転送電極１９には例えば４相の垂直転送クロ
ックパルスφＶ1 〜φＶ4 が印加される。
送レジスタ６上を覆うようにＡｌ遮光膜２１（このＡｌ
遮光膜２１はシャント配線層を兼ねる場合もある）が形
成される。転送電極１９には例えば４相の垂直転送クロ
ックパルスφＶ1 〜φＶ4 が印加される。
【００２１】図３に、ソースガス種（ＳｉＣｌ4 ，Ｓｉ
ＨＣｌ3 ，ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ，ＳｉＨ4 ）とＣＣＤ固体撮
像装置の白傷良品率との相関を示す。縦軸は任意単位と
なっている。
ＨＣｌ3 ，ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ，ＳｉＨ4 ）とＣＣＤ固体撮
像装置の白傷良品率との相関を示す。縦軸は任意単位と
なっている。
【００２２】この図３から明らかなように、従来のソー
スガスＳｉＨＣｌ3 を用いてエピタキシャル層２を形成
した場合より、ソースガスＳｉＣｌ4 や、ソースガスＳ
ｉＨ4 を用いてエピタキシャル層２を形成した方が良
く、特に、ソースガスＳｉＨ4によるエピタキシャル層
２ではソースガスＳｉＨＣｌ3 によるエピタキシャル層
２の約４倍も良品率が改善されている。想定原因として
は、エピタキシャル半導体基板３の作成において、ソー
スガスＳｉＨ4 では腐蝕性の高いＨＣｌガスが発生しな
い為に、エピタキシャル層２内にエピタキシャル成長装
置のベルジャー内部に使用されている金属（ＳＵＳ系
等）成分の混入が抑制されることが考えられる。
スガスＳｉＨＣｌ3 を用いてエピタキシャル層２を形成
した場合より、ソースガスＳｉＣｌ4 や、ソースガスＳ
ｉＨ4 を用いてエピタキシャル層２を形成した方が良
く、特に、ソースガスＳｉＨ4によるエピタキシャル層
２ではソースガスＳｉＨＣｌ3 によるエピタキシャル層
２の約４倍も良品率が改善されている。想定原因として
は、エピタキシャル半導体基板３の作成において、ソー
スガスＳｉＨ4 では腐蝕性の高いＨＣｌガスが発生しな
い為に、エピタキシャル層２内にエピタキシャル成長装
置のベルジャー内部に使用されている金属（ＳＵＳ系
等）成分の混入が抑制されることが考えられる。
【００２３】次に、ＳｉＨ4 ガスを用いて、エピタキシ
ャル成長温度を異ならして上述と同構造のエピタキシャ
ル層２を形成し、同じくＣＣＤ固体撮像装置の白傷良品
率を評価した結果を図４に示す。
ャル成長温度を異ならして上述と同構造のエピタキシャ
ル層２を形成し、同じくＣＣＤ固体撮像装置の白傷良品
率を評価した結果を図４に示す。
【００２４】通常、ＳｉＨ4 ガスによるエピタキシャル
層は、１０５０℃で形成される場合が多く、エピタキシ
ャル成長温度のエピタキシャル層品質への影響、即ち結
晶性又は金属混入量への影響は、これまで明確でない。
層は、１０５０℃で形成される場合が多く、エピタキシ
ャル成長温度のエピタキシャル層品質への影響、即ち結
晶性又は金属混入量への影響は、これまで明確でない。
【００２５】図４から明らかなように、低温側では白傷
良品率がよく、１０５０℃以上では一定の傾向が見られ
る。従って、本発明では、エピタキシャル成長温度を１
０５０℃未満以下、好ましくは１０３０℃以下にするこ
とで良品率を従来に比較して約２倍改善することができ
る。
良品率がよく、１０５０℃以上では一定の傾向が見られ
る。従って、本発明では、エピタキシャル成長温度を１
０５０℃未満以下、好ましくは１０３０℃以下にするこ
とで良品率を従来に比較して約２倍改善することができ
る。
【００２６】低温で白傷良品率が改善される理由として
は、エピタキシャル成長装置のベルジャー構成部の金属
不純物やサセプターを介して混入する金属不純物が、低
温化により抑制されるためと考えられる。
は、エピタキシャル成長装置のベルジャー構成部の金属
不純物やサセプターを介して混入する金属不純物が、低
温化により抑制されるためと考えられる。
【００２７】図５〜図７は、本発明に係る固体撮像装置
の製造方法の一例を示す。本例は、前述の図２に示すと
同様のＣＣＤ固体撮像装置に適用した場合である。
の製造方法の一例を示す。本例は、前述の図２に示すと
同様のＣＣＤ固体撮像装置に適用した場合である。
【００２８】先ず、図５Ａに示すように、ｎ型のＣＺシ
リコン基板１を設ける。このシリコン基板１は、主面が
（１００）面を有し、比抵抗１０Ωｃｍの直径４インチ
基板である。
リコン基板１を設ける。このシリコン基板１は、主面が
（１００）面を有し、比抵抗１０Ωｃｍの直径４インチ
基板である。
【００２９】次に、図５Ｂに示すように、基板１の一主
面上にＳｉＨ4 ソースガスによる熱分解法を用いて、１
０３０℃のエピタキシャル成長温度で約１２μｍのｎ型
シリコンエピタキシャル層２を成長し、ｎ型シリコンエ
ピタキシャル基板３を形成する。ｎ型不純物であるドー
プガスはＰＨ3 を用いている。シリコンエピタキシャル
層２の比抵抗は４０〜５０Ωｃｍである。
面上にＳｉＨ4 ソースガスによる熱分解法を用いて、１
０３０℃のエピタキシャル成長温度で約１２μｍのｎ型
シリコンエピタキシャル層２を成長し、ｎ型シリコンエ
ピタキシャル基板３を形成する。ｎ型不純物であるドー
プガスはＰＨ3 を用いている。シリコンエピタキシャル
層２の比抵抗は４０〜５０Ωｃｍである。
【００３０】次に、図５Ｃに示すように、ｎ型シリコン
エピタキシャル層２に第１のｐ型ウエル領域４を形成
し、このｐ型ウエル領域４の表面上に絶縁膜例えばＳｉ
Ｏ2 膜１５を形成した後、第１のｐ型ウエル領域４内に
ｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的にイオン注入して、
垂直転送レジスタを構成するｎ型の転送チャネル領域７
と、ｐ型のチャネルストップ領域８と、第２のｐ型ウエ
ル領域１０を夫々形成する。
エピタキシャル層２に第１のｐ型ウエル領域４を形成
し、このｐ型ウエル領域４の表面上に絶縁膜例えばＳｉ
Ｏ2 膜１５を形成した後、第１のｐ型ウエル領域４内に
ｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的にイオン注入して、
垂直転送レジスタを構成するｎ型の転送チャネル領域７
と、ｐ型のチャネルストップ領域８と、第２のｐ型ウエ
ル領域１０を夫々形成する。
【００３１】次に、図６Ｄに示すように、ＳｉＯ2 膜１
５上の全面にＳｉ3 Ｎ4 膜１６及びＳｉＯ2 膜１７を順
次積層した後、受光部１１となる部分のＳｉ3 Ｎ4 膜１
６及びＳｉＯ2 膜１７を選択的にエッチング除去する。
ここで除去されずに残った積層膜、即ちｎ型転送チャネ
ル領域７、チャネルストップ領域８、読み出しゲート部
１２に対応する部分上のＳｉＯ2 膜１５、Ｓｉ3 Ｎ4 膜
１６及びＳｉＯ2 膜１７の積層膜がゲート絶縁膜１８と
して構成される。その後、ゲート絶縁膜１８上に多結晶
シリコン層による転送電極１９を形成する。
５上の全面にＳｉ3 Ｎ4 膜１６及びＳｉＯ2 膜１７を順
次積層した後、受光部１１となる部分のＳｉ3 Ｎ4 膜１
６及びＳｉＯ2 膜１７を選択的にエッチング除去する。
ここで除去されずに残った積層膜、即ちｎ型転送チャネ
ル領域７、チャネルストップ領域８、読み出しゲート部
１２に対応する部分上のＳｉＯ2 膜１５、Ｓｉ3 Ｎ4 膜
１６及びＳｉＯ2 膜１７の積層膜がゲート絶縁膜１８と
して構成される。その後、ゲート絶縁膜１８上に多結晶
シリコン層による転送電極１９を形成する。
【００３２】次に、図６Ｅに示すように、転送電極１９
をマスクとしてｎ型不純物、例えば燐（Ｐ）を第１のｐ
型ウエル領域４内、特に基板３表面から深さ０．４μｍ
位に選択的にイオン注入し、Ｎ2 アニールを施してｎ型
不純物拡散領域５を形成する。このとき、ｎ型不純物拡
散領域５と第１のｐ型ウエル領域４とのｐｎ接合による
フォトダイオードＰＤによって受光部１１が構成され
る。
をマスクとしてｎ型不純物、例えば燐（Ｐ）を第１のｐ
型ウエル領域４内、特に基板３表面から深さ０．４μｍ
位に選択的にイオン注入し、Ｎ2 アニールを施してｎ型
不純物拡散領域５を形成する。このとき、ｎ型不純物拡
散領域５と第１のｐ型ウエル領域４とのｐｎ接合による
フォトダイオードＰＤによって受光部１１が構成され
る。
【００３３】次に、図７Ｆに示すように、転送電極１９
をマスクとしてｐ型不純物、例えばボロン（Ｂ）を受光
部１１の表面に選択的にイオン注入し、Ｎ2 中で熱処理
してイオン注入されたｐ型不純物を拡散、活性化させて
受光部１１の表面にｐ型の正電荷蓄積領域９を形成す
る。
をマスクとしてｐ型不純物、例えばボロン（Ｂ）を受光
部１１の表面に選択的にイオン注入し、Ｎ2 中で熱処理
してイオン注入されたｐ型不純物を拡散、活性化させて
受光部１１の表面にｐ型の正電荷蓄積領域９を形成す
る。
【００３４】次に、図７Ｇに示すように、転送電極１９
を含む全面にＰＳＧ（リンシリケートガラス）等からな
る層間絶縁層２０を介してＡｌ遮光膜２１を選択的に形
成する。このようにして、目的のＣＣＤ固体撮像装置２
３を得る。
を含む全面にＰＳＧ（リンシリケートガラス）等からな
る層間絶縁層２０を介してＡｌ遮光膜２１を選択的に形
成する。このようにして、目的のＣＣＤ固体撮像装置２
３を得る。
【００３５】上述の実施例によれば、シリコン基板１上
にソースガスとしてＳｉＨ4 を用い、１０５０℃未満以
下、好ましくは１０３０℃以下のエピタキシャル成長温
度でエピタキシャル層２を成長させることにより、金属
不純物の混入が少ないシリコンエピタキシャル基板３を
作成することができる。そして、このシリコンエピタキ
シャル基板３を用いて、エピタキシャル層２に固体撮像
素子を形成することにより、白傷欠陥数を大幅に低減し
た固体撮像装置を作成することができる。
にソースガスとしてＳｉＨ4 を用い、１０５０℃未満以
下、好ましくは１０３０℃以下のエピタキシャル成長温
度でエピタキシャル層２を成長させることにより、金属
不純物の混入が少ないシリコンエピタキシャル基板３を
作成することができる。そして、このシリコンエピタキ
シャル基板３を用いて、エピタキシャル層２に固体撮像
素子を形成することにより、白傷欠陥数を大幅に低減し
た固体撮像装置を作成することができる。
【００３６】上記実施例では、ゲッタリング法を用いて
いないが、本発明に種々のゲッタリング（イントリンシ
ックゲッタリング、多結晶シリコンゲッタリング、リン
ゲッタリング、炭素注入ゲッタリング等）を組み合わせ
れば、より白傷欠陥数が低減することが確認されてい
る。
いないが、本発明に種々のゲッタリング（イントリンシ
ックゲッタリング、多結晶シリコンゲッタリング、リン
ゲッタリング、炭素注入ゲッタリング等）を組み合わせ
れば、より白傷欠陥数が低減することが確認されてい
る。
【００３７】尚、上例ではｎ型のシリコンエピタキシャ
ル基板３に形成したｐ型ウエル領域４の表面にｎ型不純
物拡散領域５を形成して、ｐ型ウエル領域４とｎ型不純
物拡散領域５とのｐｎ接合によってフォトダイオードＰ
Ｄを形成した例であるが、ｐ型のシリコンエピタキシャ
ル基板にｎ型不純物拡散領域５を形成してフォトダイオ
ードＰＤを作成する場合にも適用できる。
ル基板３に形成したｐ型ウエル領域４の表面にｎ型不純
物拡散領域５を形成して、ｐ型ウエル領域４とｎ型不純
物拡散領域５とのｐｎ接合によってフォトダイオードＰ
Ｄを形成した例であるが、ｐ型のシリコンエピタキシャ
ル基板にｎ型不純物拡散領域５を形成してフォトダイオ
ードＰＤを作成する場合にも適用できる。
【００３８】また、上例ではＣＣＤ固体撮像装置に適用
したが、その他の固体撮像装置、例えば増幅型固体撮像
装置等の製造にも本発明は適用できる。
したが、その他の固体撮像装置、例えば増幅型固体撮像
装置等の製造にも本発明は適用できる。
【００３９】上例ではｎ型半導体基板１にｎ型エピタキ
シャル層２を形成してなるエピタキシャル半導体基板に
適用したが、勿論ｐ型半導体基板にｐ型エピタキシャル
層を形成してなるエピタキシャル半導体基板にも適用で
きる。さらに、第１導電型の半導体基板に第２導電型の
エピタキシャル層を形成してなるエピタキシャル半導体
基板にも適用できる。
シャル層２を形成してなるエピタキシャル半導体基板に
適用したが、勿論ｐ型半導体基板にｐ型エピタキシャル
層を形成してなるエピタキシャル半導体基板にも適用で
きる。さらに、第１導電型の半導体基板に第２導電型の
エピタキシャル層を形成してなるエピタキシャル半導体
基板にも適用できる。
【００４０】
【発明の効果】本発明に係る固体撮像装置によれば、金
属不純物の混入が少なく、白傷欠陥が大幅に低減した信
頼性の高い固体撮像装置を提供することができる。
属不純物の混入が少なく、白傷欠陥が大幅に低減した信
頼性の高い固体撮像装置を提供することができる。
【００４１】また、本発明に係る固体撮像装置の製造方
法によれば、金属不純物の混入の少ないエピタキシャル
半導体基板を用いることにより、固体撮像装置の白傷欠
陥数を大幅に低減することができる。
法によれば、金属不純物の混入の少ないエピタキシャル
半導体基板を用いることにより、固体撮像装置の白傷欠
陥数を大幅に低減することができる。
【図１】本発明に係る固体撮像装置に適用されるエピタ
キシャル半導体基板の一例を示す断面図である。
キシャル半導体基板の一例を示す断面図である。
【図２】本発明に係る固体撮像装置の一例を示す構成図
である。
である。
【図３】本発明の説明に供する固体撮像装置における白
傷欠陥のソースガス依存性を示すグラフである。
傷欠陥のソースガス依存性を示すグラフである。
【図４】本発明の説明に供する固体撮像装置における白
傷欠陥のエピタキシャル成長温度依存性を示すグラフで
ある。
傷欠陥のエピタキシャル成長温度依存性を示すグラフで
ある。
【図５】Ａ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図で
ある。 Ｂ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。 Ｃ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。
ある。 Ｂ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。 Ｃ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。
【図６】Ｄ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図で
ある。 Ｅ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。
ある。 Ｅ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。
【図７】Ｆ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図で
ある。 Ｇ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。
ある。 Ｇ 本発明に係る固体撮像装置の製造工程図である。
１ シリコン基板
２ シリコンエピタキシャル層
３ エピタキシャル半導体基板
４ 第１のｐ型ウエル領域
５ ｎ型不純物拡散領域
６ 垂直転送レジスタ
７ 転送チャネル領域
８ チャネルストップ領域
１１ 受光部
１２ 読み出しゲート部
１８ ゲート絶縁膜
１９ 転送電極
２１ Ａｌ遮光膜
２３ ＣＣＤ固体撮像装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/339
H01L 27/14 - 27/148
H01L 29/762 - 29/768
H01L 21/205
Claims (2)
- 【請求項１】 ＳｉＨ 4 のソースガスを用い、１０５０
℃未満以下のエピタキシャル成長温度でエピタキシャル
層を成長させたエピタキシャル半導体基板と、 該エピタキシャル半導体基板の前記エピタキシャル層に
形成された固体撮像素子とを具備して成る ことを特徴と
する固体撮像装置。 - 【請求項２】 ＳｉＨ4 のソースガスを用い、１０５０
℃未満以下のエピタキシャル成長温度でエピタキシャル
層を成長させたエピタキシャル半導体基板を作成し、該
エピタキシャル半導体基板の前記エピタキシャル層に固
体撮像素子を形成することを特徴とする固体撮像装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30144995A JP3407508B2 (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30144995A JP3407508B2 (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148553A JPH09148553A (ja) | 1997-06-06 |
| JP3407508B2 true JP3407508B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=17897031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30144995A Expired - Fee Related JP3407508B2 (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3407508B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353434A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP6489321B2 (ja) * | 2016-03-14 | 2019-03-27 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
1995
- 1995-11-20 JP JP30144995A patent/JP3407508B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09148553A (ja) | 1997-06-06 |
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