JP2007294531A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の固体撮像装置は、光電変換領域、画素出力回路、および移送ゲートを備える。光電変換領域は、半導体基板上に画素単位に配列され、受光量に応じて信号電荷を生成する。画素出力回路は、信号電荷を取り込み、画像信号を走査出力する。移送ゲートは、光電変換領域から画素出力回路への電荷移送を制御する。本発明は、この光電変換領域と画素出力回路との間にトレンチ部を形成し、このトレンチ部の内部に移送ゲートを設けたことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
また、この種のCCD撮像装置では、電子シャッタ制御を実現することもできる。即ち、光電変換領域のリセット時点(光電変換時間の開始時点)と、インターラインCCDへの電荷移送時点(光電変換時間の終了時点)との時間間隔を設定変更することによって、光電変換時間(シャッタ時間)を適宜に調整することができる。
さらに、この種のCCD撮像装置では、電子シャッタ制御において、各画素の光電変換時刻を一定に揃えるグローバルシャッタ機能を実現することもできる。
一方、この機械式シャッタを省くことによって、固体撮像装置の受光面は常に光に晒されることになる。その結果、撮像動作に寄与しない光によって、スミア現象が発生しやすくなる。
そこで、本発明は、スミア現象を抑制する固体撮像装置を提供することを目的とする。
光電変換領域は、半導体基板上に画素単位に配列され、受光量に応じて信号電荷を生成する。
画素出力回路は、信号電荷を取り込んで、画像信号を走査出力する。
移送ゲートは、光電変換領域から画素出力回路への電荷移送を制御する。
本発明は、この光電変換領域と画素出力回路との間にトレンチ部を形成し、このトレンチ部の内部に移送ゲートを設けたことを特徴とする。
《2》 なお好ましくは、移送ゲートは、トレンチ部の内壁に対し、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を設けて構成され、(トレンチ部の内壁の屈折率)>(ゲート絶縁膜の屈折率)を満足する。
《3》 また好ましくは、光電変換領域の移送ゲート側の端部を、移送ゲートの最深部の深さ近傍に配置する。
《4》 なお好ましくは、光電変換領域の移送ゲート側の端部を、移送ゲートの最深部の底面下に延長配置する。
《5》 また好ましくは、画素出力回路は、電荷保持部、および制御電極を供える。この電荷保持部は、移送ゲートによって移送された信号電荷を一旦保持する。制御電極は、電荷保持部の上部に設けられ、電荷保持部による信号電荷の保持動作を制御する。一方、移送ゲートは、トレンチ部の溝内に設けたゲート電極を備える。これらゲート電極と制御電極とは一体に形成される。
《6》 なお好ましくは、移送ゲートは、予め定められた光電変換時間の完了に合わせて、光電変換領域から信号電荷を移送して、画素出力回路に一旦保持させる。一方、画素出力回路は、一旦保持した信号電荷に対応する画素出力を、予め定められた画像信号の走査タイミングに合わせて走査出力する。
図1は、固体撮像装置11における移送ゲート21の断面図である。
図1において、半導体基板12上には、エピタキシャル層13が層形成される。このエピタキシャル層13に対してウェル層14が形成される。このウェル層14には、埋め込み型の光電変換領域15が画素単位に配列される。この光電変換領域15は、画素単位に入射光を光電変換し、生成される信号電荷を蓄積する。
この信号電荷の移送先には、電荷保持部16が設けられる。この電荷保持部16は、ゲート電極21bを用いたセルフアラインで形成することが可能である。電荷保持部16は、光電変換領域15から移送される信号電荷を一旦保持する機能を有する。この電荷保持部16には、絶縁膜(ゲート絶縁膜21aと一体に形成することが好ましい)を介して制御電極17が設けられる。この制御電極17は、電荷保持部16による信号電荷の保持動作を制御する。このような電荷保持部16および制御電極17は、後述する画素出力回路の一部を構成する。この画素出力回路の上方は、光が直接的に入射しないよう、遮光膜23が設けられる。
なお、固体撮像装置11の画素出力回路は、XYアドレス方式およびCCD方式のいずれも可能である。以下、これらの方式別に画素出力回路の構成および動作を説明する。
図2は、XYアドレス方式の画素出力回路30を示す図である。なお、図1に示した部分的な断面は、図2中に示すB−B′ラインの断面に相当する。
図2において、電荷保持部16の隣接箇所には、副移送ゲート31を介して、浮遊拡散領域32が設けられる。この浮遊拡散領域32は、電荷保持部16から移送される信号電荷を、静電容量によって信号電圧に変換する。この信号電圧は、配線36を介して、増幅素子37のゲート電極に印加される。この増幅素子37のドレイン領域は、電源ラインVDDに接続される。一方、増幅素子37のソース領域は、選択電極38の電圧制御により、垂直信号線39に接続される。この状態で、ソース領域は、垂直信号線39を介して、不図示の電流源に接続されることより、増幅素子37はソースホロワ回路として機能する。その結果、浮遊拡散領域32の信号電圧に対応した電圧を垂直信号線39に出力する。垂直信号線39上の電圧は、公知の水平転送回路を介し、画像信号として外部に走査出力される。
なお、浮遊拡散領域32は、リセット電極34の電圧制御によって、リセットドレイン35に接続される。このリセットドレイン35は、電源ラインVDDに接続されるため、浮遊拡散領域32内の電荷をリセットすることができる。
このような構成では、以下の読み出し手順によって、電子シャッタ制御が可能になる。
次に、選択行の副移送ゲート31を電圧制御して、電荷保持部16の保持する信号電荷を、同じ画素内の浮遊拡散領域32に移送する。このとき、制御電極17により電荷保持部16のポテンシャル井戸を浅く制御することにより、信号電荷の完全移送を実現することが好ましい。このように移送される信号電荷の分だけ、選択行の浮遊拡散領域32は、リセット電圧から相対的に電圧変化する。変化した信号電圧は、増幅素子37を介し、選択行の信号出力として、垂直信号線39の群に列単位に出力される。
以上の動作により、垂直信号線39には、選択行のリセット出力および信号出力が順番に出力される。
なお、上述した読み出し手順は、主に静止画撮影に関するものであり、同じ手順で動画撮影しても、スムーズな動画は得ることが難しい。スムーズな動画を得るためには、図2の構成に加えた光電変換領域15の電荷を任意時刻に直接排出する構造を追加することが好ましい。
図3は、CCD方式の画素出力回路40を示す図である。なお、図1に示した部分的な断面は、図3中に示すB−B′ラインの断面に相当する。
図3において、電荷保持部16は、垂直CCDのCCD拡散層に該当する。一方、制御電極17は、垂直CCDのCCD電極に該当する。図3では、1画素当たり2枚の制御電極17を設けることにより、2相のCCD電極を構成している。この場合、CCD拡散層の不純物濃度に画素単位の段差を設けることで、垂直CCDの電荷転送方向が一方向に定まるようにしている。なお、CCD電極の相数については、3相以上にしてもよい。
このような構成では、以下の読み出し手順によって、電子シャッタ制御が可能になる。
なお、XYアドレス方式の場合と同様に、上述した読み出し手順は、主に静止画撮影に関する。CCD方式の場合は、垂直オーバーフロードレイン(VDD)構造であることが多いので、光電変換領域15の電荷を任意時刻に基板に排出する動作を追加すればよい。
図4は、本実施形態と比較するため、移送ゲートの従来構造を示す説明図である。
本発明者は、スミア現象の主要な発生箇所を、この図4に示すゲート電極21xの付近と考えた。なぜならば、ゲート電極21xの付近は、光電変換領域に隣接するために光の影響を受けやすく、かつ信号電荷の通り道に当たるために分離イオン注入などのクロストーク対策を有効に施すことができないからである。
まず、第1の発生原因は、漏光である。即ち、光電変換領域側からの斜入射光が、ゲート電極21xの下方をそのまま通過し、画素出力回路(図4では電荷保持部16)に漏れ込む。この漏光によって画素出力回路内にノイズ電荷が生じ、スミア現象が発生する。
また、第2の発生原因は、電荷混入である。即ち、光電変換領域に蓄積されなかった電荷が拡散電流となってゲート電極21xの下方を移動し、画素出力回路(図4では電荷保持部16)に混入する。この電荷混入によって、スミア現象が発生する。
図5は、本実施形態における漏光の抑制効果を示す説明図である。
図5において、ゲート電極21bに向かって漏れ込んだ光は、トレンチ部20の内壁と、ゲート絶縁膜21aとの内壁界面に到達する。この内壁界面において、
(トレンチ部20の内壁の屈折率n2)>(ゲート絶縁膜21aの屈折率n1)
…[屈折率条件A]
の屈折率条件Aを満足すれば、漏光の少なくとも一部を全反射することが可能になる。
この場合、内壁界面における全反射の臨界角θthは、スネルの法則から、
臨界角θth=sin-1(n1/n2) …[1]
となる。この臨界角θth以上の入射角θinで内壁界面に到達する漏光は、全反射によってゲート絶縁膜21aを透過できない。その結果、画素出力回路(図5では電荷保持部16)への漏光が減少し、漏光に起因するスミア現象が効果的に抑制される。
また例えば、ゲート絶縁膜21aを窒化シリコン膜とすると、屈折率n1≒2となる。この場合、[1]式から臨界角θthは、約30度となる。したがって、この臨界角30度を超える入射角θinで内壁界面に到達する漏光を、トレンチ部20で遮断することが可能になる。
固体撮像装置11の基板表面(図5に示すS)に入射角θ1で到達する光は、下記のスネルの法則を満足する出射角θ2で基板内に入る。
n1×sinθ1=n2×sinθ2 …[2]
ここで、トレンチ部20の内壁の角度をα(図5参照)とすると、図5に示すように、内壁界面に到達する漏光の入射角θinは、
θin=(α−θ2) …[3]
となる。この[3]式に示す入射角θinが、常に[1]式に示す臨界角θth以上であれば、内壁界面に到達する漏光全部を全反射することができる。
入射角θin≧臨界角θth=sin-1(n1/n2) …[4]
なお、基板表面Sの入射角θ1は、最大でも90°である。この条件を[1]式に入れると、
θ2≦sin-1(n1/n2) …[5]
となる。つまり、θ2の最大角は、sin-1(n1/n2)を超えない。
以上の[2]〜[5]式を解くことにより、基板表面Sから入射し、内壁界面に到達する漏光全てを全反射するための屈折率条件は、
(n1/n2)≦sin(α/2) …[屈折率条件B]
となる。この屈折率条件Bを満足することにより、画素出力回路(図5では電荷保持部16)に漏れ込む漏光がより確実に遮られ、漏光に起因するスミア現象を更に抑制できる。
図6は、本実施形態における電荷混入の抑制効果を示す説明図である。光電変換領域15に蓄積されない不要電荷は拡散電流となって、移送ゲート21の付近に到達し得る。しかし、この不要電荷は、ゲート絶縁膜21aに遮られ、移送ゲート21内に侵入することはできない。
さらに、移送ゲート21の周囲(トレンチ部20の内壁に沿った箇所)は、電荷移送の期間以外、チャネル経路が閉じられ、高抵抗状態に維持される。そのため、不要電荷の殆どは、移送ゲート21の周囲を迂回する間に再結合して消滅する。
以上のような理由から、トレンチ構造の移送ゲート21を設けることによって、電荷混入に起因するスミア現象を抑制することが可能になる。
図7および図8は、光電変換領域15の変形例を示す図である。
まず、図7[A]は、光電変換領域15aの全体を、移送ゲート21の最深部の深さ近傍まで下げたものである。この構成により、移送ゲート21の周囲のチャネル経路を短縮し、移送ゲート21の電荷移送効率を高めることができる。なお、この光電変換領域15aは、基板表面から深い箇所に配置できるため、長波長側の光検出感度を高めることもできる。
また、図8[D]〜[F]に示したように、光電変換領域15d〜fの端部を、移送ゲート21の最深部の底面下に延長配置した場合、1画素当たりの面積を増やすことなく、光電変換領域15d〜fの体積を立体的に拡大することができる。その結果、多画素化の要求に応えつつ、光電変換領域15d〜fの電荷蓄積容量を増やすことが可能になる。
上述した実施形態では、ゲート電極21bと制御電極17とを別体に構成し、独立に電圧制御するケースについて説明した。しかしながら、この構成に限定されるものではない。
例えば、図9[A]に示すように、ゲート電極21zと制御電極17zを一体に構成してもよい。この場合、制御電極17z(ゲート電極21z)を3値の電圧値に制御することによって、電荷移送動作と電荷保持動作を別々に制御することが可能になる。
図9[B]は、この電極一体化構造を、XYアドレス方式の固体撮像装置に適用したケースである。この場合、制御電極17zを、光電変換領域15に近づけ、トレンチ構造のゲート電極21zと一体化させる。なお、その他の構造は、図2と同じため、ここでの説明を省略する。
なお、光電変換領域の構成については、特に限定していないが、上述した光電変換領域15,15a〜fのいずれも選択可能である。
以下、図9[A]の構造モデルにおける2次元シミュレーションの結果を説明する。 ここでは、半導体基板12およびエピタキシャル層13をN型とし、ウェル層14をP型とする。また、光電変換領域15および電荷保持部16はN型とする。ウェル層14の接合深さをシリコン表面から5μm程度とし、光電変換領域15および電荷保持部16のピーク深さをシリコン表面から1μm以内とする。
なお、光電変換領域15および電荷保持部16は、ヒ素イオンを12乗オーダーで注入して形成し、光電変換領域は埋め込み型とするために、シリコン表面にボロンイオンを更に注入する。この場合、光電変換領域15から深さ方向に向かってNPN構造となるため、基板表面から深い箇所で発生した信号電荷は基板側へ流れる。
さらに、注入箇所のパターン面積は(2次元シミュレーションのため長さで示す)は下記の通りである。
光電変換領域15…3μm
電荷保持部16…3μm
ゲート電極21z…1μm
また、入射光の条件は下記の通りである。
入射幅…3μm(光電変換領域15の開口と同一幅)
入射角…光電変換領域15の真上から垂直入射
波長…波長380〜800nm
光強度…1E-5W/cm2
さらに、バイアス電圧の条件は下記の通りである。
N型光電変換領域15…5V(完全空乏化を想定)
N型電荷保持部16…5V(完全空乏化を想定)
N型半導体基板12…5V
P型ウェル層14…0V
ゲート電極21z…0V(電荷保持状態を想定)
また、2次元シミュレーションでは、光電変換領域15、電荷保持部16、ウェル層14,半導体基板12、ゲート電極21zそれぞれにプローブ電極を接続し、定常状態における光電変換領域15から電荷保持部16へのクロストーク電流の発生比率を求めた。なお、電流値を読み取る際に、光を当てない状態で生じる暗電流の分を差し引いている。
図10によれば、短波長側(480nm程度まで)では、移送ゲート21をトレンチ構造にすることによって、電荷混入を大きく抑えることができる。また、この短波長側については、トレンチ構造の深さに係わらず、電荷混入をゼロ%近くまで抑制できる。この現象は、トレンチ構造の移送ゲート21が、シリコン基板の浅い領域で発生する短波長光の電荷を確実に遮るためと考えられる。
逆に、長波長側については、トレンチ構造を深くするほど、電荷混入を抑制することができる。この場合、トレンチ構造の深さをウェル層14の接合深さ(ここでは4μm)に近づけることにより、電荷混入をゼロ%近くまで抑制できる。
以上の結果から、広範囲の波長域(例えば380〜600nm)の光が入射される場合、移送ゲート21のトレンチ構造をウェル層14の接合深さに近づけることによって、電荷混入に起因するスミア現象を確実に抑制できる。
なお、上述した実施形態では、トレンチ部20の内壁の角度αを90度としている。しかしながら、漏光または電荷混入の阻止効果を少なくとも奏する範囲であれば、トレンチ部20の形状に限定されない。例えば、トレンチ部20を先細状(例えば三角断面やV断面やU断面やγ断面)にすることにより、チャネル経路の底面長の分を短縮して電荷移送効率を高めてもよい。
さらに、トレンチ部20を、移送ゲート21の範囲に限らず、設けることも可能である。この場合、トレンチ部20の設置箇所において電荷混入の抑制効果を得ることができる。さらに、このトレンチ部20の内壁に低屈折率膜(上述した屈折率条件AまたはBを満たすもの)を形成することより、漏光の遮断効果を得ることもできる。
Claims (6)
- 半導体基板上に画素単位に配列され、受光量に応じて信号電荷を生成する光電変換領域と、
前記信号電荷を取り込んで、画像信号を走査出力する画素出力回路と、
前記光電変換領域から前記画素出力回路への電荷移送を制御する移送ゲートとを備え、
前記光電変換領域と前記画素出力回路との間にトレンチ部が形成され、前記トレンチ部の内部に前記移送ゲートが設けられた
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項1に記載の固体撮像装置において、
前記移送ゲートは、前記トレンチ部の内壁に対し、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を設けて構成され、
(前記トレンチ部の内壁の屈折率)>(前記ゲート絶縁膜の屈折率)である
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項1または請求項2に記載の固体撮像装置において、
前記光電変換領域の前記移送ゲート側の端部を、前記移送ゲートの最深部の深さ近傍に配置した
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項3に記載の固体撮像装置において、
前記光電変換領域の前記移送ゲート側の端部を、前記移送ゲートの最深部の底面下に延長配置した
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の固体撮像装置において、
前記画素出力回路は、
前記移送ゲートによって移送された前記信号電荷を一旦保持する電荷保持部と、
前記電荷保持部の上部に設けられ、前記電荷保持部による前記信号電荷の保持動作を制御する制御電極とを備え、
前記移送ゲートは、前記トレンチ部の溝内に設けたゲート電極を備え、
前記ゲート電極と前記制御電極とは一体に形成される
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の固体撮像装置において、
前記移送ゲートは、予め定められた光電変換時間の完了に合わせて、前記光電変換領域から前記信号電荷を移送して、前記画素出力回路に一旦保持させ、
前記画素出力回路は、
一旦保持した前記信号電荷に対応する画素出力を、予め定められた前記画像信号の走査タイミングに合わせて走査出力する
ことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006118146A JP2007294531A (ja) | 2006-04-21 | 2006-04-21 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007294531A true JP2007294531A (ja) | 2007-11-08 |
Family
ID=38764875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006118146A Pending JP2007294531A (ja) | 2006-04-21 | 2006-04-21 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
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