JPH09320482A

JPH09320482A - 抵抗素子及び陰極線管

Info

Publication number: JPH09320482A
Application number: JP8135494A
Authority: JP
Inventors: Tsuneo Muchi; 常雄鞭; Kenichi Ozawa; 兼一小沢; Tsunenari Saito; 恒成斎藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-05-29
Filing date: 1996-05-29
Publication date: 1997-12-12
Also published as: SG60036A1; CN1169586A; CN1106668C; US5914559A

Abstract

(57)【要約】【課題】チャージアップを生じずに安定に分割電圧を供
給できる安価な抵抗素子及びその抵抗素子を具備する陰
極線管を提供する。【解決手段】基体２上に抵抗体３２が形成され、陰極線
管の電子銃２０に高電圧を電圧分割して供給する抵抗素
子において、基体２の一部又は全部を最表面層としての
高抵抗導電性材料層３で被覆する。また、この抵抗素子
を用いて電子銃への抵抗分割として用いる陰極線管とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の利用分野】本発明は、陰極線管の電子銃に用い
られ、陽極電圧を偏向電圧、電極電圧等に電圧分割して
供給する抵抗素子及びそれを有する陰極線管に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、トリニトロン方式の陰極線管
（ＣＲＴ）では、電子ビームを集中（コンバーゼンス）
させるために、静電偏向板に陽極電圧より４〜８％低い
電圧（コンバーゼンス電圧）を印加する。このような偏
向板へのコンバーゼンス電圧の供給方法として、ＩＢＲ
（Inner Breeder Resistor）と呼ばれる抵抗素子を用い
る方法がある。

【０００３】このＩＢＲを有する陰極線管は、図９の陰
極線管のネック部の断面図に示すように、陰極線管１０
の外部から陽極電圧がアノードボタン１１から内装カー
ボン１２を通じて電子銃２０、ＩＢＲに高圧が供給さ
れ、ＩＢＲによってコンバーゼンス電圧が抵抗分割さ
れ、偏向板２６に供給される構造になっている。

【０００４】このＩＢＲと電子銃の概要を図１０に示
す。この電子銃２０は、ユニポテンシャル型であり、陰
極線管１０の後ろ側から管面側に向かって第１グリッド
Ｇ₁、第２グリッドＧ₂、第３グリッドＧ₃、第４グリ
ッドＧ₄、第５グリッドＧ₅、そして偏向板２６の順に
同軸で配されている。例えば、第１グリッドＧ₁には０
ボルト、第２グリッドＧ₂には３００ボルト、第３グリ
ッドＧ₃には２７ｋＶ、第４グリッドＧ₄には８ｋＶ、
第５グリッドＧ₅には２７ｋＶがそれぞれ印加される。
偏向板２６には第５グリッドＧ₅から電極Ａを介して供
給される高電圧がＩＢＲにより抵抗分割されて電極Ｃを
介して印加される。

【０００５】ＩＢＲは、図１０（ｂ）に示すように、平
板状で、第５グリッドＧ₅と第１グリッドＧ₁間に亘っ
てグリッドＧ₁〜Ｇ₅に近接して配設されている。その
平板状基体３１の表面において、電極Ａと電極Ｃの間、
及び電極Ｃと電極Ｂの間に抵抗体３２が形成されてお
り、電極Ａが第５グリッドＧ₅と接続され、電極Ｃが偏
向板２６と接続され、電極Ｂは３００〜１０００ボルト
の外部電源とステム２７を介して接続されている。

【０００６】ＩＢＲの平面図を図１１（ａ）に、側面図
を同図（ｂ）にそれぞれ示す。ＩＢＲは、平板状の９６
％アルミナの高絶縁性基体３１の上に酸化ルテニウム系
の低抵抗ペーストを用いて電極Ａ、Ｂ、Ｃが形成されて
いる。また、電極Ａと電極Ｃの間、電極Ｃと電極Ｂの間
にそれぞれ酸化ルテニウム系ペーストの塗布焼き付けに
より抵抗体３２が蛇行状に形成されている。この抵抗体
３２を保護するため、高耐圧、高絶縁性のガラスフリッ
ト（オーバーコートという場合がある）（Ｂ₂Ｏ₃−Ｓ
ｉＯ₂−ＰｂＯ系）３３ａと３３ｂとが抵抗体を被覆し
て積層され、また、抵抗体が形成されている面の反対面
にはガラスフリット３３ｃが形成され、それぞれ塗布焼
き付けされて基体３１を被覆している。

【０００７】電極Ｂ近傍の拡大図を図１２に示す。オー
バーコート層３３ａ、３３ｂ、３３ｃは、厚く形成する
ためにシルク印刷により塗布される。オーバーコート層
には、ピンホールＰＨや泡ＢＢが発生しやすく、これら
による絶縁性不良があると抵抗体３２を損傷するので、
絶縁を確保するため抵抗体３２上では、第１オーバーコ
ート膜３３ａと第２オーバーコート膜３３ｂの２層形成
され、その全体の厚さは約０．５ｍｍ程度である。抵抗
体３２が形成されている反対側の面に形成されているオ
ーバーコート層３３ｃは、基体３１からのガスの放出を
防止するためのものであり、例えば２０μｍ程度の厚さ
で形成されている。また、電極Ａ、電極Ｃの端部側にも
オーバーコート膜３３ｄが形成されている

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このようなＩＢＲのＡ
電極には約２７ｋＶの高電圧が印加され、３００〜１０
００ボルトのＢ電極との電位差が大きく、高絶縁性のオ
ーバーコート膜３３ｂの表面がチャージアップし、Ｂ電
極に向かって徐々に高圧化し、ついにはＢ電極との間、
あるいは電子銃２０の第１グリッドＧ₁、第２グリッド
Ｇ₂、第４グリッドＧ₄との間、更に抵抗体３２との間
で放電する。この放電の状態を図１４で説明する。

【０００９】図１３（ａ）に示すＩＢＲは、Ｂ電極側の
抵抗体３２の蛇行の密度が高くなっている。ＩＢＲは図
１３（ｂ）に示す電子銃に近接して配置されている。抵
抗体３２の蛇行の密度を変えているのは、図１３（ｃ）
に示すように、抵抗体の電位をのように抵抗体３２の
蛇行の密度が低い部分で電位勾配を緩やかにして、第３
グリッドＧ₃（アノード電位が印加される）との電位差
を少なくするためである。陰極線管を使用してＩＢＲの
抵抗体３２に電流が流れると、その抵抗密度の高い部分
で発熱が大きく、そのため、抵抗密度が低い部分では約
８０℃程度の発熱であるが、抵抗密度の高い部分では約
１５０℃になることが観測されている。

【００１０】抵抗体３２を被覆するオーバーコート膜３
３ａ，３３ｂは高絶縁性であるため、オーバーコート膜
３３ｂ表面が高圧電位にチャージアップする。電子銃を
使用し始めたときは、図１３（Ｃ）のの線のようにＡ
電極からＢ電極に向かってほぼ電位は直線上に低下する
が、時間が経過すると、の線のようにＢ電極に向かっ
て徐々に高圧化し、ついにはＢ電極と、あるいは第１グ
リッドＧ₁、第２グリッドＧ₂、更には第４グリッドＧ
₄、更に抵抗体３２との間に放電を生じる。放電する
と、チャージアップが解除され、の線に戻るが、再び
経時と共にチャージアップし、同様な放電を繰り返す。
このような放電により、オーバーコート膜３３ａ、３３
ｂの絶縁破壊がおこり抵抗体３２が損傷を受けると、Ｃ
電極電位が変化し、これによりコンバーゼンス電位が変
化して画面上の色ずれが生じてしまうという問題があ
る。

【００１１】このようにＩＢＲの絶縁性は重要であるた
め、絶縁性を確保するため、抵抗体３２上のオーバーコ
ート膜は２層塗布して全体で０．４〜０．５ｍｍ程度と
厚く形成すると共に、ＩＢＲの完成品は厳密な外観検査
がされている。そのため、生産性を損なう原因となって
いる。

【００１２】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、チャージアップを生じずに安定に分割電圧を供給で
きる安価な抵抗素子及びその抵抗素子を具備する陰極線
管を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、基体上に抵抗体が形成され、陰極線管の電
子銃に高電圧を電圧分割して供給する抵抗素子におい
て、該基体の一部又は全部を最表面層としての高抵抗導
電性材料層で被覆してなることを特徴とする抵抗素子を
提供する。

【００１４】また、本発明は、上記目的を達成するた
め、電子銃と、基体上に抵抗体が形成され、該基体の一
部又は全部が最表面層としての高抵抗導電性材料層で被
覆され、該電子銃に高電圧を電圧分割して供給する抵抗
素子とを有することを特徴とする陰極線管を提供する。

【００１５】本発明の抵抗素子は、最表面に高抵抗導電
性材料層が形成されていることから、微少リーク電流が
この高抵抗導電性材料を介して流れるため、電位が安定
化し、表面がチャージアップすることがない。また、高
抵抗導電性材料層の電位はリーク経路に比例し、その下
に存する抵抗体の抵抗電位との電位差が圧縮される。

【００１６】チャージアップがなくなるため、表面電位
が安定化し、周辺との放電が減少すると共に、抵抗体と
の電位差が少なくなるため、抵抗体との放電も起こり難
くなる。その結果、オーバーコート膜、抵抗体の損傷が
なくなり、抵抗値が長期にわたって安定化し、コンバー
ゼンス電位が安定化するため、色ずれもなくなる。

【００１７】更に、抵抗体を絶縁膜で被覆している場合
には、この絶縁膜の泡やピンホール等の存在による抵抗
体への放電も生じ難くなるため、絶縁膜の外観検査も簡
略化することも可能になり、あるいは絶縁膜を薄く形成
でき、場合によっては絶縁膜を省略して抵抗体を高抵抗
導電性材料だけで覆うことも可能であり、これによりコ
ストダウンが可能となる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明するが、本発明は、下記の実施の形態について制
限されるものではない。図１は、本発明の抵抗素子の一
形態の概要を示す断面図である。なお、従来と同様の部
分については同じ符号を付す。この抵抗素子１は、例え
ば平板状の９６％アルミナで構成される絶縁性基体２の
上に、例えば酸化ルテニウム系の低抵抗電極Ａ，Ｂ，Ｃ
が形成されており、それらの電極の間には例えば酸化ル
テニウム系の高抵抗抵抗体３２が形成されている。抵抗
体３２が形成された基体２の表面には、電極を除きほぼ
全面に高耐圧、高絶縁性のガラスフリット（例えばＢ₂
Ｏ ₃−ＳｉＯ₂−ＰｂＯ系）絶縁膜３３が形成されてお
り、抵抗体３２を被覆している。更にこの絶縁膜３３の
上の電極Ａと電極Ｂの間の絶縁膜３３上には、最表面層
として高抵抗導電性材料層３が絶縁膜３３を被覆し、電
極間Ａと電極Ｂ間に電気的に接続されて配設されてい
る。この抵抗素子１の電極や抵抗体３２については、図
１１（ａ）、あるいは図１３（ａ）に示したように、従
来のものと変わりがない。従って、抵抗体の構成や電極
の位置、構成などはいかなるものでもよい。

【００１９】高抵抗導電性材料の抵抗率は、例えば１５
０℃で１０⁶〜１０¹⁴Ω・ｃｍ程度であることが好まし
い。これより高抵抗であると、微少リーク電流を流すこ
とが困難になる場合があり、一方、低抵抗であるとリー
ク電流が大きくなりすぎて陰極線管の消費電力が大きく
なりすぎる場合がある。このような高抵抗導電性材料
は、例えば鉛ガラスを主成分として、スズ酸化物、アン
チモン酸化物を１０〜２５％程度配合したガラスを例え
ばスクリーン印刷法で塗布した後、５００〜５８５℃で
焼成することにより形成することができる。その厚さ
は、例えば０．０１〜０．０５ｍｍ程度とすることがで
きるが、消費電力、表面電位の安定化を考慮して選定す
ることが好ましい。なお、導電性を付与する材料として
は、上記スズ酸化物、アンチモン酸化物以外に、酸化
鉄、酸化マンガンなどがあり、特に限定されるものでは
ない。

【００２０】このような抵抗素子１は、図９、図１０に
示したように、陰極線管の電子銃近傍に取り付けられ、
陽極電圧を抵抗分割して偏向電圧あるいは電極電圧を供
給するＩＢＲとして用いることができる。この場合、電
極Ａには約２７ｋＶ程度、電極Ｃにはこれより数ｋＶ低
い電圧、電極Ｂには３００〜１０００Ｖ程度の電圧が印
加される。そのため、高抵抗導電性材料層３には高電圧
が印加される。

【００２１】図７に、高抵抗導電性材料の印加電圧と抵
抗の関係をスズ酸化物、アンチモン酸化物の配合量をパ
ラメーターにしてプロットした実測図を示した。の線
は、スズ酸化物とアンチモン酸化物の合計量が１５％の
鉛ガラスを５２０℃で焼成したもの、の線は、スズ酸
化物とアンチモン酸化物の合計量が１５％の鉛ガラスを
５８０℃で焼成したもの、の線は、スズ酸化物とアン
チモン酸化物の合計量が２０％の鉛ガラスを５８０℃で
焼成したもの、の線は、スズ酸化物とアンチモン酸化
物の合計量が２５％の鉛ガラスを５８０℃で焼成したも
ののそれぞれの結果である。スズ酸化物とアンチモン酸
化物の配合量が多くなると抵抗値が低くなることが認め
られる。この中でのものが、アノード電圧の２７ｋｖ
で抵抗が約１０¹¹Ω程度であることから、最も好まし
い。この高抵抗導電性セラミックの温度特性は、例えば
図８に示すように、温度が上昇しても抵抗の変化が少な
く、安定である。

【００２２】図１に示した抵抗素子に８０℃で３０ｋＶ
の電圧を印加したときの高抵抗導電性材料層（抵抗率１
０¹¹Ω・ｃｍ程度）に流れる電流値を測定したところ、
時間の経過に対して電流値にほとんど変化がなく、１５
０〜２００ｎＡの範囲で安定に微少リーク電流が流れて
いることが確認された。これから、消費電力は、４．５
〜６×１０^-3Ｗであり、従来のＩＢＲ（抵抗値は約１０
⁹Ω・ｃｍ程度）の消費電力が１Ｗであるのに比べて極
めて低く、実用上問題にならない。

【００２３】このように、最表面に高抵抗導電性材料層
が存し、この高抵抗導電性材料層には微少リーク電流が
流れるので、本発明の抵抗素子は、表面がチャージアッ
プすることがない。高抵抗導電性材料層の電位勾配は、
図１３（ｃ）のに示したようなリーク経路に比例して
直線状になる。例えば、図１０の（ａ）中の第２グリッ
ドＧ₂（電圧が約３００Ｖ）の上の高抵抗導電性材料層
３３Ｐ点の電位は３ｋＶ程度で安定する。従来のＩＢＲ
では、図１３（ｃ）に示したように、２７ｋＶから約３
ｋＶまでチャージアップ、放電の繰り返しで変化する。
この表面電位の安定化により、電極Ｂとの電位差は低く
なり、電極Ｂとの放電は生じ難い。また、第１グリッド
Ｇ₁、第２グリッドＧ₂、及び第４グリッドＧ₄との電
位差も少なくなるので、これらのグリッドへの放電も生
じ難くなる。特に、抵抗体３２との電位差も極めて少な
くなるので、抵抗体３２への放電も生じ難くなる。ま
た、リード線その他にも放電が生じ難くなる。

【００２４】そのため、絶縁膜や抵抗体に損傷が生じる
ことが起き難くなり、抵抗値が長期に亘って安定化する
ため、コンバーゼンス電位が安定化し、長期に亘って色
ずれが生じ難くなる図１に示した抵抗素子の製造工程について説明すると、
まず基体２上に例えば酸化ルテニウム系の低抵抗ペース
トを用いて電極Ａ、Ｂ、Ｃを印刷した後、更に抵抗体３
２を酸化ルテニウム系の高抵抗ペーストを用いて印刷す
る。その後、例えば８５０℃で焼成する。次に、抵抗を
測定して、抵抗体３２のトリミングを行って抵抗値を所
定の値にする。その後、絶縁膜３３を例えばＢ₂Ｏ₃−
ＳｉＯ₂−ＰｂＯ系のガラスフリットをシルク印刷法な
どで塗布した後、例えば６００℃程度で焼成する。そし
て、スズ酸化物とアンチモン酸化物が１５％程度配合さ
れた鉛ガラスペーストを用いて絶縁膜上に例えばシルク
印刷法などで塗布した後、例えば５８０℃で焼成して高
抵抗導電性材料層３を形成することができる。抵抗素子
１が完成した後、目視により絶縁膜３３の泡やピンホー
ルなどを検査する。この絶縁膜３３の検査においては、
本発明の抵抗素子１は、絶縁膜３３の泡やピンホールに
よる抵抗体３２への放電が生じ難いので、外観検査を簡
略化でき、コストダウンを図ることができる。

【００２５】高抵抗導電性セラミック層を形成する態様
を図２〜図４に示す。それぞれの図において、（ａ）
は、抵抗体３２を形成した面の平面図、（ｂ）は、側面
図、（ｃ）は、抵抗体３２を形成した面の裏側の平面図
である。図２は、基体２の抵抗体３２を形成した面にの
み高抵抗導電性材料層３を形成した例であり、図３は両
面に形成した例、図４は、両面及び側面に形成した例で
ある。性能的に最もよいのは、図４に示したようなほぼ
基体２前面を覆うように形成した場合であり、基体２の
ほぼ全面に亘ってチャージアップを防止することができ
るが、コストの観点からは不利である。

【００２６】次に、高抵抗導電性材料層の塗布態様につ
いて説明する。図５（ａ）〜（ｅ）にＢ電極近傍の拡大
図を示す。（ａ）の抵抗素子１ｄは、従来の２層オーバ
ーコート膜３３ａ、３３ｂの上に高抵抗導電性材料層３
を積層した例である。即ち、基体２上に電極Ａと抵抗体
３２が形成され、基板２の末端と電極Ｂの間には絶縁膜
３３ｄが形成されている。抵抗体３２が形成されている
基体２の電極を除くほぼ全面には第１絶縁膜３３ａが形
成され、その第１絶縁膜３３ａ上に更に第２絶縁膜３３
ｂが積層されている。そして、高抵抗導電性材料層３が
第２絶縁膜３３ｂの上に端部が電極Ｂと接続されて設け
られている。

【００２７】（ｂ）の抵抗素子１ｅは、（ａ）とほぼ同
じ構成であるが、高抵抗導電性材料層３の端部が電極Ｂ
と離間しており、電極Ｂと高抵抗導電性材料層３とが電
気的に接続されていない点が異なる。このように電極と
高抵抗導電性材料層３とが電気的に接続されていなくて
も、実用上は問題がない。高抵抗導電性材料層３の形成
は、通常シルク印刷法で行い、シルク印刷法では段差凹
部に塗布するのは困難であるため、このような構造とす
る製造上の利点がある。

【００２８】（ｃ）の抵抗素子１ｆは、絶縁膜３３が１
層で、その上に高抵抗導電性材料３が電極Ｂと電気的に
接続されて積層されている。高抵抗導電性材料層３の電
極Ｂ近傍の電位は低く安定化するので、絶縁膜３３の絶
縁耐力は小さくてもよく、そのため絶縁膜３３を厚くす
る必要がなくなる。従って、（ｃ）のように絶縁膜３３
を従来の２層から１層に簡略化することができる。この
場合、絶縁膜３３の厚さは、例えば０．２〜０．３ｍｍ
程度とすることができる。絶縁膜３３を１層にした場合
も、（ｄ）に示すように、高抵抗導電性材料層３と電極
Ｂとを電気的に分離しておくことも可能である。更に、
高抵抗導電性材料層３が抵抗体３２を損傷させずに、か
つ反応しない場合は、（ｅ）に示すように、絶縁層３３
を省略して高抵抗導電性材料層３のみで抵抗体３２を被
覆する構造とすることもでき、更にコストダウンを図る
ことができる。また、図６に示すように、基体２ａ
を、例えば８５％がアルミナで残りの１５％がニオブ、
鉄、マンガン等で構成し、１５０℃での抵抗率が１０⁶
〜１０¹⁴Ω・ｃｍの高抵抗導電性セラミックで構成する
ことができる。このような高抵抗導電性セラミックで基
体２ａを構成すると、基体２ａに微少リーク電流が流
れ、基体２ａがチャージアップすることがなくなり、抵
抗素子１ｉの電位が更に安定化する。また、抵抗体３２
が形成されている面と反対面に高抵抗導電性セラミック
膜を形成することを省略することも可能となり、コスト
ダウンが可能である。

【００２９】抵抗素子を完成した後、電子銃に組み込
み、排気封止後、定格より高い電圧を印加するコンディ
ショニング又はアーキングと呼ばれる処理を行う。この
処理前後で抵抗体の抵抗の値が変化することは、抵抗体
が損傷されたことを示す。この処理で上記図２〜図４に
示した抵抗素子に高電圧を印加したところ、高抵抗導電
性材料層を形成した面は発光せず、形成していない部分
はピンク色に発光した。何れも抵抗体の抵抗値の変化は
ほとんどなく、全く問題にならなかった。この結果よ
り、高抵抗導電性材料層の形成により、抵抗素子の表面
電位が安定化したのが確認された。

【００３０】図１その他の図面では、基体は全て平板状
としているが、円柱型、円筒型その他いかなる形状でも
よい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変
更が可能である。

【００３１】

【発明の効果】本発明の抵抗素子は、陰極線管の高電圧
の抵抗分割素子の放電を少なくして安定に電圧を供給す
ることができる。また、本発明の陰極線管は、このよう
な抵抗素子を電子銃の抵抗分割に用いているので、動作
が長期に亘って安定している。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の抵抗素子の概略断面図である。

【図２】基体に高抵抗導電性材料層を形成する態様を示
すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は
底面図である。

【図３】基体に高抵抗導電性材料層を形成する別の態様
を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、
（ｃ）は底面図である。

【図４】基体に高抵抗導電性材料層を形成する更に別の
態様を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、
（ｃ）は底面図である。

【図５】（ａ）〜（ｅ）は、基体に高抵抗導電性材料層
を形成する態様を示すそれぞれ電極Ｂ近傍の拡大断面図
である。

【図６】本発明の抵抗素子の別の態様を示す断面図であ
る。

【図７】高抵抗導電性材料の印加電圧と抵抗の関係を示
すグラフである。

【図８】高抵抗導電性材料の抵抗の温度特性を示すグラ
フである。

【図９】陰極線管におけるＩＢＲの配置を示す概略図で
ある。

【図１０】ＩＢＲと電子銃の配置を示す概略図である。

【図１１】ＩＢＲの例を示すもので（ａ）は、平面図、
（ｂ）は側面図である。

【図１２】図１１（ｂ）の円で囲った部分の拡大図であ
る。

【図１３】（ａ）はＩＢＲの平面図、（ｂ）は電子銃の
概略図、（ｃ）は陰極線管のＸ軸方向における電位を説
明するグラフである。

【符号の説明】

１…抵抗素子、２…基体、３…高抵抗導電性材料層、１
０…陰極線管、２０…電子銃、３２…抵抗体、３３…絶
縁膜、Ａ…アノード電極、Ｂ…アース電極、Ｃ…コンバ
ーゼンス電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体上に抵抗体が形成され、陰極線管の電
子銃に高電圧を電圧分割して供給する抵抗素子におい
て、該基体の一部又は全部を最表面層としての高抵抗導電性
材料層で被覆してなることを特徴とする抵抗素子。
【請求項２】該基体上の抵抗体を被覆する絶縁膜を介し
て高抵抗導電性材料層が形成されている請求項１記載の
抵抗素子。
【請求項３】高抵抗導電性材料の抵抗率が１５０℃で１
０⁶〜１０¹⁴Ω・ｃｍである請求項１記載の抵抗素子。
【請求項４】該抵抗体の電極間に接続するように高抵抗
導電性材料層が形成されている請求項１記載の抵抗素
子。
【請求項５】上記基体が高抵抗導電性セラミックで構成
されている請求項１記載の抵抗素子。
【請求項６】電子銃と、基体上に抵抗体が形成され、該基体の一部又は全部が最
表面層としての高抵抗導電性材料層で被覆され、該電子
銃に高電圧を電圧分割して供給する抵抗素子とを有する
ことを特徴とする陰極線管。