JPH0552021B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、カラー陰極線管等の管体内に、電子
銃と共に組込まれる内蔵抵抗器に関する。

背景技術とその問題点 従来、カラーテレビジヨン受像機に用いられる
カラー陰極線管等において、陽極電圧以外に、例
えば、コンバージエンス電極やフオーカス電極等
に供給される高電圧が必要とされるものがある。
斯かる場合、管体内に電子銃と共に分圧用の抵抗
器を内蔵抵抗器として組込み、これによつて陽極
電圧を分圧して夫々の高電圧を得るようにするこ
とが提案されており、このように使用される従来
の内蔵抵抗器の一例として、第１図及び第２図に
示される如くのものが知られている。

第１図は外表部を形成する絶縁被膜上から透視
した状態の従来の内蔵抵抗器７を示し、第２図は
この従来の内蔵抵抗器７の全体の側面を示す。こ
の第１図及び第２図に示される内蔵抵抗器７にお
いては、セラミツク板等の絶縁基板１上に、導電
層が被着されて形成された端子部、即ち、高電圧
が供給される高圧電極端子２、コンバージエンス
電極用の高電圧、即ち、コンバージエンス電圧が
得られるコンバージエンス電極端子（以下、CV
電極端子という）３及びアース電極端子４が設け
られ、また、CV電極端子３とアース電極端子４
との間には所要の抵抗値を有するジグザグ状パタ
ーンとされた抵抗体層５ａが、高圧電極端子２と
CV電極端子３との間には同じく所要の抵抗値を
有する抵抗体層５ｂが、さらに、抵抗体層５ａ及
び５ｂとCV電極端子３の間に微調整用抵抗体層
５ｃが、夫々被着されて、分圧抵抗体層５が形成
されている。そして、第１図の斜線部分には、分
圧抵抗体層５を覆つて、鉛ガラス等からなる絶縁
被膜６が施されている。尚、微調整用抵抗体層５
ｃは、内蔵抵抗器７の製造工程においてその一部
を削除することにより、各端子間の抵抗体層５ａ
及び５ｂの抵抗値を調整することができるように
設けられている。

斯かる構成を有する内蔵抵抗器７がカラー陰極
線管に組込まれた状態を第３図に示す。ここで、
管体８のネツク部８ａ内に電子銃構体９が配置さ
れており、この電子銃構体９は、３個のカソード
Ｋに対して共通に第１グリツド電極Ｇ１、第２グ
リツド電極Ｇ２、第３グリツド電極Ｇ３、第４グ
リツド電極Ｇ４及び第５グリツド電極Ｇ５が順次
同軸上に配列されて形成されている。そして、第
５グリツド電極G5の後段には、コンバージエン
ス手段１０が配置されている。各電極Ｇ１，Ｇ
２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５、及びコンバージエンス手
段１０は、相互に所定の位置関係を保持して、ビ
ーデイングガラス１１によつて機械的に連結され
ており、第３グリツド電極Ｇ３と第５グリツド電
極Ｇ５とは、導線１３によつて、電気的に接続さ
れている。また、コンバージエンス手段１０は、
導電板１４を介して第５グリツド電極Ｇ５に電気
的に接続されて、相対向する内側偏向電極板１０
ａ及び１０ｂと、その外側にこれら電極板１０ａ
及び１０ｂと対向して配置される外側偏向電極板
１０ｃ及び１０ｄとを有して形成されている。

このような電子銃構体９に対して、第１図及び
第２図に示される如くの内蔵抵抗器７が取り付け
られており、この内蔵抵抗器７の高圧電極端子２
が第５グリツド電極Ｇ５に導電性取付け片１２を
介して連結されている。管体８のフアンネル部８
ｂの内壁には、ネツク部８ａの内壁にまで伸びる
グラフアイト導電膜１５が被着されており、フア
ンネル部８ｂに設けられた高圧供給ボタン、即
ち、陽極ボタン（図示しない）を通して陽極電圧
が供給される。そして、導電板１４には、導電ス
プリング１６が設けられていて、このスプリング
１６がグラフアイト導電膜１５に接触することに
より、第５グリツド電極Ｇ５、第３グリツド電極
Ｇ３、コンバージエンス手段１０の内側偏向電極
板１０ａ及び１０ｂ、及び、内蔵抵抗器７の高圧
電極端子２に陽極電圧が供給される。

内蔵抵抗器７のCV電極端子３は、導電性取付
け片１７を介しコンバージエンス手段１０の外側
偏向電極板１０ｃ及び１０ｄに連結され、CV電
極端子３に、陽極電圧が抵抗体層５ａ及び５ｂに
より分圧されて得られるコンバージエンス電圧
が、外側偏向電極板１０ｃ及び１０ｄに供給され
る。また、内蔵抵抗器７のアース電極端子４が、
管体８のネツク部８ａの基部におけるステム１８
に貫通埋設されたアース電極端子ピン１９に連結
され、直接もしくは調整用外付け抵抗を介して接
地される。

斯かる陰極線管にあつて、例えば、電子銃構体
９に各部に尖鋭な突起部分等があると、実際の使
用にあたつて不所望な放電を生じることになる。
そこで、陰極線管の製造過程において、電子銃構
体９における尖鋭突起部分等の放電を生じ易い部
分については、予め放電を生じさせて溶解成型す
ること等により、完成品とされた後の実際の使用
時の動作を安定化することを目的としたノツキン
グ処理が行われる。このようなノツキング処理工
程においては、例えば、陰極線管の実働時に比し
て２〜３倍とされた高電圧（ノツキング電圧）
が、第３グリツド電極Ｇ３、第５グリツド電極Ｇ
５及び内蔵抵抗器７の高圧電極端子２に印加さ
れ、また、第１、第２及び第４の各グリツド電極
Ｇ１，Ｇ２及びＧ４は接地状態とされる。このノ
ツキング処理時には、内蔵抵抗器７の絶縁被膜６
の表面は、一部を除いて、比較的高い電位に帯電
せしめられ、この絶縁被膜６には、特に、分圧抵
抗体層５を形成する抵抗体層５ａの低圧側で、実
働時に比して大なる電位差がかかることになる。
第４図は、横軸に内蔵抵抗器７の絶縁基板１上に
おける、低圧側とされるアース電極端子４からの
高圧側とされるCV電極端子３側への距離Ｌをと
り、縦軸に電位Ｖをとつて、ノツキング処理時に
おける内蔵抵抗器７の絶縁被膜６の表面電位（曲
線ａ）、アース電極端子４とCV電極端子３との間
に配された抵抗体層５ａの各部の電位（曲線ｂ）
及び両電位の差（曲線ｃ）を示す。これから明ら
かなように、絶縁基板１上の、高電圧が印加され
る第３グリツド電極G3に近接した位置Ｐにおけ
る、比較的低電位とされる抵抗体層５ａの部分で
の、抵抗体層５ａと絶縁被膜６の表面との間の電
位差が最大となり、従つて、この位置（最大電位
差位置）Ｐで絶縁被膜６に最大の電位差がかかる
ことになる。このため、第３グリツド電極Ｇ３付
近で、絶縁被膜６の耐圧を越える電位がかかつ
て、絶縁被膜６の絶縁劣化もしくは破壊を生じ、
その結果、抵抗体層５ａが被害を受けてその抵抗
値が著しく変化してしまう虞れがある。

斯かる絶縁劣化もしくは破壊による抵抗体層５
ａの抵抗値変化に関しては、絶縁被膜６の厚さを
大として、耐圧を高めることが有利となる。即
ち、絶縁被膜６の膜厚を大に形成することで、絶
縁被膜６の絶縁劣化もしくは破壊を阻止し、抵抗
体層５ａの抵抗値の変化を抑えることが可能とな
るが、内蔵抵抗器７にとつて絶縁被膜６の膜厚が
無闇に大とされることはコストの面で不利とな
り、また、絶縁基板１と絶縁被膜６との膨張係数
の差に起因する内蔵抵抗器７の全体の反りを生
じ、使用時の昇温及び不使用時の降温の熱サイク
ルによつて絶縁被膜６が絶縁基板１から剥離す
る、あるいは亀裂を生じる等の信頼性の低下につ
ながる問題を伴うことになる。

発明の目的 斯かる点に鑑み本発明は、絶縁基板上に所定の
パターンを有した抵抗体層が形成され、この抵抗
体層が絶縁被膜で覆われた構成を有し、陰極線管
のノツキング処理時等においても、絶縁基板上の
高電位差部位における抵抗体層の抵抗値変化を効
果的に軽減でき、その結果、ノツキング処理前後
等での抵抗体層全体の抵抗値の変化を最小限に抑
えることができ、しかも、製造コスト面や信頼性
の面での不利をまねかないようにされた陰極線管
の内蔵抵抗器を提供することを目的とする。

発明の概要 本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器は、絶縁基
板上に複数の電極端子と、これら電極端子のうち
の低圧側とされる第１の端子と高圧側とされる第
２の端子との間において、導電層部を伴い、所定
のパターンを有して配される抵抗体層とが形成さ
れ、さらに、抵抗体層を被覆する絶縁被膜が設け
られて成り、上述の導電層部が絶縁基板上の、絶
縁被膜の表面電位と上述の第１及び第２の端子の
間の部位の電位との差が大とされる高電位差部位
に配されて構成される。

このように構成されることにより、陰極線管の
ノツキング処理時等において絶縁被膜に特に大な
る電位差がかかる高電位差部位での抵抗体層の抵
抗値が変化する確率を低くすることができ、抵抗
体層の抵抗値変化を軽減することができる。

実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照して
詳述する。

第５図は本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の
一例を示す。この例の内蔵抵抗器は、第１図及び
第２図に示される内蔵抵抗器７と同様に、絶縁基
板１上に分圧抵抗体層とこれを被覆する絶縁被膜
が設けられて形成され、第５図においては、外表
部を形成する絶縁被膜上から透視した状態が示さ
れている。なお、第５図において、第１図及び第
２図に示される各部に対応する部分には、第１図
及び第２図と共通の符号を付して示し、それらに
ついての詳細説明を省略する。

第５図に示される本発明に係る内蔵抵抗器の一
例においては、絶縁基板１上に設けられ、かつ、
例えば、鉛ガラスからなる絶縁被膜６（簡略図
示）によつて被覆された分圧抵抗体層５′が、CV
電極端子３とアース電極端子４との間にジグザグ
状パターンを有し、その一部分上に、例えば、極
めて低抵抗の酸化ルテニウムペーストが焼成され
て形成された導電層２０が被着されて配された抵
抗体層５′ａと、高圧電極端子２とCV電極端子３
との間に配された、第１図及び第２図に示される
ものと同様の、抵抗体層５ｂ及び微調整抵抗体層
５ｃで形成されている。

ここで、分圧抵抗体層５′は、一様な断面積を
有して、均一な抵抗材料、例えば、高抵抗の酸化
ルテニウムペースト焼成体で形成され、その上に
被着された導電層２０を伴うものとなされてい
る。そして、抵抗体層５′ａは、全体的に、一定
の蛇行幅を有したジグザグ状パターンをもつもの
とされ、その上の、第１図、第２図及び第４図に
示される内蔵抵抗器７における最大電位差位置Ｐ
に対応する、例えば、導電層２０を伴うことな
く、第３図に示される如くの陰極線管内に電子銃
構体９とともに組まれて電圧が印加されるとした
とき、絶縁被膜の表面電位と抵抗体層５′ａの電
位との間の差が最大となる位置である最大電位差
位置P′を含む高電位差部位において、導電層２０
が被着されて構成されている。ここで、抵抗体層
５′ａの導電層２０が被着された部分は、抵抗体
層としての機能を持たなくなる。

このため、斯かる第５図に示される内蔵抵抗器
が、第３図に示される如くの陰極線管の電子銃構
体９に、従来の内蔵抵抗器７と同様にして取り付
けられ、陰極線管のノツキング処理時において、
高圧電極端子２にノツキング電圧が印加される場
合には、横軸を絶縁基板１上におけるアース電極
端子４からのCV電極端子３側への距離Ｌとし、
縦軸を電位Ｖとして表される第６図のグラフにお
いて折線b′で示される如く、導電層２０が被着さ
れた抵抗体層５′ａの各部の電位は、第６図にお
いて破線ｂで示される従来の内蔵抵抗器７の場合
の電位と異なり、最大電位差位置P′を含む高電位
差部位に配された導電層２０の位置において一定
電位を有するものとなり、また、このときの絶縁
被膜の表面電位は第６図において曲線a′で示され
る如くとなる。

このように、抵抗体層５′ａ上の電位と絶縁被
膜の表面電位との間の電位差が第となる高電位差
部位に導電層２０が配されるので、高電位差部位
における絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊が生じ
た場合、その影響は導電層２０に及び易くなり、
抵抗体層５′ａに及び確率が低くなる。従つて、
高電位差部位において、抵抗体層５′ａの抵抗値
が変化する確率が効果的に低下せしめられること
になり、抵抗体層５′ａの抵抗値変化が軽減され
る。

第７図は、本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器
の他の例を示す。第７図においても、第１図及び
第２図に示される各部に対応する部分には、第１
図及び第２図と共通の符号を付して示し、それら
についての詳細説明を省略する。そして、この例
においてうも、第５図の例と同様に絶縁基板１上
の、CV電極端子３とアース電極端子４との間に
おいて、導電層２０を伴う一定の蛇行幅を有した
ジグザグ状のパターンを持つものとされた抵抗体
層５″ａが設けられるが、この例の場合、導電層
２０は絶縁基板１上に直接に配され、抵抗体層
５″ａは２分割されて、夫々の分割部分が導電層
２０によつて互いに接続された構成とされてい
る。そして、この場合にも、導電層２０は、第５
図の例における最大電位差位置P′に対応する位置
P″を含む高電位差部位に配されている。

斯かる構成を有した内蔵抵抗器も、例えば、第
３図に示される如くの陰極線管の電子銃構体９に
取り付けられて用いられる場合、第５図の例と同
様な作用効果が得られる。

発明の効果 以上の説明から明らかな如く、本発明に係る陰
極線管の内蔵抵抗器は、陰極線管内に電子銃と共
に組込まれて電圧印加状態とされるとき、その絶
縁器板上に配された抵抗体層を被覆する絶縁被膜
の表面電位と抵抗体層の電位との間の電位差が、
大とされる高電位部位において抵抗体層を部分的
に覆う、もしくは、抵抗体層に変わる導電層が配
され、陰極線管のノツキング処理に際しての高電
圧が印加される状況下において絶縁被膜の絶縁劣
化もしくは破壊が生じたとき、その影響が導電層
に及び易くされて抵抗体層に及び確率が低減され
るので、高電位差部位における抵抗体層の抵抗値
変化を生じる確率が著しく低下せしめられ、抵抗
体層全体の抵抗値を変化を効果的に軽減できる優
れた特性を示すものとなる。しかも、絶縁被膜の
絶縁劣化もしくは破壊を防ぐべく、その膜厚を増
大するという手法がとられるものではないので、
絶縁基板と絶縁被膜との熱膨張係数の差に起因す
る全体の反りや絶縁被膜の絶縁基板からの剥離等
が生じる欠点を伴わず、さらに、安価に製造する
ことができるものとなる利点を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来の陰極線管の内蔵抵抗
器を示す平面図及び側面図、第３図は第１図及び
第２図に示される内蔵抵抗器が組込まれた陰極線
管の要部を示す概略構成図、第４図は第３図に示
される隠居線管内における内蔵抵抗器の各部にお
ける電位関係の説明に供される特性図、第５図は
本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の一例を示す
平面図、第６図は第５図に示される例が陰極線管
に組込まれた場合の各部における電位関係の説明
に供される特性図、第７図は本発明に係る陰極線
管の内蔵抵抗器の他の例を示す平面図である。 図中、１は絶縁基板、２は高圧電極端子、３は
コンバージエンス電極端子、４はアース電極端
子、５′は分圧抵抗体層、５′ａ及び５″ａは分圧
抵抗体層５′を構成する抵抗体層、９は電子銃構
体、２０は導電層である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 絶縁基板上に、複数の電極端子と、該電極端
   子のうちの低圧側とされる第１の端子と高圧側と
   される第２の端子との間において、導電層部を伴
   い、所定のパターンを有して配される抵抗体層と
   が形成されるとともに、上記抵抗体層を被膜する
   絶縁被膜が設けられ、上記導電層部が、上記絶縁
   基板上の、上記絶縁被膜の表面電位と上記第１及
   び第２の端子の間の部位の電位との差が大とされ
   る高電位差部位に配されたことを特徴とする陰極
   線管の内蔵抵抗器。