JPH0552621B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、カラー陰極線管等の管体内に、電子
銃と共に組込まれる内蔵抵抗器に関する。

従来の技術 従来、カラーテレビジヨン受像機に用いられる
カラー陰極線管等において、陽極電圧以外に、例
えば、コンバージエンス電極やフオーカス電極等
に供給される高電圧が必要とされるものがある。
斯かる場合、管体内に電子銃と共に分圧用の抵抗
器を内蔵抵抗器として組込み、これによつて陽極
電圧を分圧して夫々の高電圧を得るようにするこ
とが提案されており、このように使用される従来
の内蔵抵抗器の一例として、第３図及び第４図に
示される如くものが知られている。

第３図は外表部を形成する絶縁被膜上から透視
した状態の従来の内蔵抵抗器７を示し、第４図は
この従来の内蔵抵抗器７の全体の側面を示す。こ
の第３図及び第４図に示される内蔵抵抗器７にお
いては、セラミツク板等の絶縁基板１上に、導電
層が被着されて形成された端子部、即ち、陰極線
管の陽極電圧が供給される高圧電極端子２、コン
バージエンス電極用の高電圧、即ち、コンバージ
エンス電圧が得られるコンバージエンス電極端子
（以下、CV電極端子という）３及びアース電極端
子４が設けられ、また、CV電極端子３とアース
電極端子４との間には所要の抵抗値を有するジグ
ザグ状パターンとされた抵抗体層５ａが、高圧電
極端子２とCV電極端子３との間には同じく所要
の抵抗値を有する抵抗体層５ｂが、さらに、抵抗
体層５ａ及び５ｂとCV電極端子３の間に微調整
用抵抗体層５ｃが、夫々被着されて、分圧抵抗体
層５が形成されている。そして、第３図の斜線部
分には、分圧抵抗体層５を覆つて、鉛ガラス等か
らなる絶縁被膜６が施されている。なお、微調整
用抵抗体層５ｃは、内蔵抵抗器７の製造工程にお
いてその一部を削除することにより、各端子間の
抵抗体層５ａ及び５ｂの抵抗値を調整することが
できるように設けられている。

斯かる構成を有する内蔵抵抗器７がカラー陰極
線管に組込まれた状態を第５図に示す。ここで、
陰極線管の管体８のネツク部８ａ内に電子銃構体
９が配置されており、この電子銃構体９は、３個
のカソードＫに対して共通に第１グリツド電極Ｇ
１、第２グリツド電極Ｇ２、第３グリツド電極Ｇ
３、第４グリツド電極Ｇ４及び第５グリツド電極
Ｇ５が順次同軸上に配列されて形成されている。
そして、第５グリツド電極Ｇ５の後段には、コン
バージエンス手段１０が配置されている。各電極
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４及びＧ５、及び、コンバ
ージエンス手段１０は、相互に所定の位置関係を
保持して、ビーデイングガラス１１によつて機械
的に連結されており、第３グリツド電極Ｇ３と第
５グリツド電極Ｇ５とは、導線１３によつて電気
的に接続されている。また、コンバージエンス手
段１０は、導電板１４を介して第５グリツド電極
Ｇ５に電気的に接続されて相対向する内側偏向電
極板１０ａ及び１０ｂと、その外側にこれら内側
偏向電極板１０ａ及び１０ｂと対向して配置され
る外側偏向電極板１０ｃ及び１０ｄとを有して形
成されている。

このような電子銃構体９に対して、第３図及び
第４図に示される如くの内蔵抵抗器７が取り付け
られており、この内蔵抵抗器７の高圧電極端子２
が第５グリツド電極Ｇ５に導電性取付け片１２を
介して連結されている。管体８のフアンネル部８
ｂの内壁には、ネツク部８ａの内壁にまで伸びる
グラフアイト導電膜１５が被着されており、フア
ンネル部８ｂに設けられた高圧供給ボタン、即
ち、陽極ボタン（図示されていない）を通じて陽
極電圧が供給される。そして、導電板１４には、
導電スプリング１６が設けられていて、この導電
スプリング１６がグラフアイト導電膜１５に接触
することにより、第５グリツド電極Ｇ５、第３グ
リツド電極Ｇ３、コンバージエンス手段１０の内
側偏向電極板１０ａ及び１０ｂ、及び、内蔵抵抗
器７の高圧電極端子２の陽極電圧が供給される。

内蔵抵抗器７のCV電極端子３は、導電性取付
け片１７を介しコンバージエンス手段１０の外側
偏向電極板１０ｃ及び１０ｄに連結され、CV電
極端子３に、陽極電圧が抵抗体層５ａ及び５ｂに
より分圧されて得られるコンバージエンス電圧
が、外側偏向電極板１０ｃ及び１０ｄに供給され
る。また、内蔵抵抗器７のアース電極端子４が、
管体８のネツク部８ａの基部におけるステム１８
に貫通埋設されたアース電極端子ピン１９に連結
され、直接もしくは調整用外付け抵抗器を介して
接地電位点に接続される。

斯かる陰極線管にあつて、例えば、電子銃構体
９の各部に尖鋭な突起部分等があると、実際の使
用にあたつて不所望な放電を生じることになる。
そこで、陰極線管の製造過程において、電子銃構
体９における尖鋭突起部分等の放電を生じ易い部
分については、予め放電を生じさせて溶解整形す
ること等により、完成品とされた後の実際の使用
時の動作を安定化することを目的としたノツキン
グ処理が行われる。

このようなノツキング処理工程においては、例
えば、陰極線管の実働時に比して２〜３倍とされ
た高電圧（ノツキング電圧）が、第３グリツド電
極Ｇ３、第５グリツド電極Ｇ５及び内蔵抵抗器７
の高圧電端子２に印加され、また、第１、第２及
び第４の各グリツド電極Ｇ１，Ｇ２及びＧ４、及
び、内蔵抵抗器７のアース電極端子４は接地状態
とされる。このノツキング処理時には、内蔵抵抗
器７の絶縁被膜６の表面は、一部を除いて、比較
的高い電位に帯電せしめられ、この絶縁被膜６に
は、特に、分圧抵抗体層５を形成する抵抗体層５
ａの低圧側で、実働時に比して大なる電位差がか
かることになる。第６図は、横軸に内蔵抵抗器７
の絶縁基板１上における、低圧側とされるアース
電極端子４からの高圧側とされるCV電極端子３
側への距離Ｌをとり、縦軸に電位Ｖをとつて、ノ
ツキング処理時における内蔵抵抗器７の絶縁被膜
６の表面電位（曲線ａ）、アース電極端子４とCV
電極端子３との間に配された抵抗体層５ａの各部
の電位（曲線ｂ）及び両電位の差（曲線ｃ）を示
す。これから明らかなように、絶縁基板１上の、
高電圧が印加される第３グリツド電極Ｇ３に近接
した位置Ｐにおける、比較的低電位とされる抵抗
体層５ａの部分での、抵抗体層５ａと絶縁被膜６
の表面との間の電位差が最大となり、従つて、こ
の位置（最大電位差位置）Ｐで絶縁被膜６に最大
の電位差がかかることになる。このため、第３グ
リツド電極Ｇ３付近で、絶縁被膜６の耐圧を越え
る電位がかかつて絶縁被膜６の絶縁劣化もしくは
破壊を生じ、その結果、抵抗体層５ａが被害を受
けてその抵抗値が著しく変化してしまう虞れがあ
る。

斯かる絶縁劣化もしくは破壊による抵抗体層５
ａの抵抗値変化の問題に対しては、絶縁被膜６の
厚さを大として、耐圧を高めることが有利とな
る。即ち、絶縁被膜６の膜厚を大に形成すること
で、絶縁被膜６の絶縁劣化もしくは破壊を阻止
し、抵抗体層５ａの抵抗値の変化を抑えることが
可能となる。しかしながら、内蔵抵抗器７にとつ
て絶縁被膜６の膜厚が無闇に大とされることはコ
ストの面で不利となり、また、絶縁基板１と絶縁
被膜６との膨張係数の差に起因する内蔵抵抗器７
の全体の反りを生じ、使用時の昇温及び不使用時
の降温の熱サイクルによつて絶縁被膜６が絶縁基
板１から剥離する、あるいは亀裂を生じる等の信
頼性の低下につながる不都合を伴うことになる。

そこで、特開昭58−102455号公報に記載されて
いる如くに、上述の問題に対処すべく、絶縁基板
上に配された抵抗体層を覆う絶縁被膜の表面に、
低圧側とされるアース電極端子に接続された避雷
針電極が設けられた内蔵抵抗器も提案されてい
る。斯かる内蔵抵抗器にあつては、陰極線管の電
子銃に取り付けられてノツキング処理が行われる
場合、絶縁被膜表面に設けられた避雷針電極によ
り絶縁被膜の表面の帯電が低減され、その結果、
絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊が防止されて、
絶縁基板上のアース電極端子とコンバージエンス
電極端子との間に配された抵抗体層の抵抗値のノ
ツキング処理前後における変化が抑制されること
になる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上述の如くの避雷針電極を備え
た内蔵抵抗器にあつては、絶縁被膜の表面に避雷
針電極が設けられるので、絶縁被膜を印刷手法に
より形成するにあたつて工程の複雑化をまねくこ
とになり、また、ノツキング処理時に避雷針電極
を形成する金属材料が蒸発して陰極線管の管本体
のネツク部内壁に付着し、その結果、ネツク部内
壁に付着した金属材料とネツク部との熱膨張係数
の差に起因してネツク部に亀裂を生じることにな
る虞れがあるという不都合が伴われる。

斯かる点に鑑み本発明は、絶縁基板上に所定の
パターンを有した抵抗体層が形成され、この抵抗
体層が絶縁被膜で覆われた構成を有し、陰極線管
のノツキング処理時等においても、絶縁基板上の
高電位差部位における抵抗体層の抵抗値変化を効
果的に軽減でき、その結果、ノツキング処理前後
等での抵抗体層全体の抵抗値の変化を最小限に抑
えることができ、しかも、製造コストの上昇や製
造工程の複雑化を伴なわず、また、陰極線管のネ
ツク部に損傷を来す虞れがないようにされた陰極
線管の内蔵抵抗器を提供することを目的とする。

問題点を解決するための手段 上述の目的を達成すべく、本発明に係る陰極線
管の内蔵抵抗器は、絶縁基板上に、複数の電極端
子と、これら電極端子のうちの低圧側とされる第
１の端子と高圧側とされる第２の端子との間にお
いて所定のパターンを有して配される抵抗体層
と、この抵抗体層に接触することなく配されて上
述の第１の端子に接続される導電体層部とが形成
されるとともに、抵抗体層と導電体層部とを被覆
する絶縁被膜が設けられて構成される。そして、
上述の導電体層部は、絶縁基板上の、この導電体
層部がない場合に絶縁被膜の表面電位と第１及び
第２の端子の間の部位の電位との差が大とされる
高電位差部位に配されるものとされる。

作 用 このように構成された本発明に係る陰極線管の
内蔵抵抗器にあつては、陰極線管に電子銃ととも
に組込まれ、例えば、陰極線管のノツキング処理
に供される場合、高圧側とされる第２の端子に高
圧であるノツキング電圧が供給されるとともに低
圧側とされる第１の端子が接地され、それによ
り、第１の端子に接続された導電体層部は接地電
位が与えられる。このため、この導電体層部の位
置、即ち、絶縁基板上の、導電体層部がない場合
に絶縁被膜の表面電位と第１及び第２の端子の間
の部位の電位との差が大とされる高電位差部位に
おける絶縁被膜の表面電位の上昇が抑制されて、
高電位差部位における絶縁被膜の表面と絶縁基板
との間の電位差、即ち、絶縁被膜にかかる電位差
が低減されることになる。

このため、陰極線管のノツキング処理に際して
の高電圧が印加される状況下においても、絶縁被
膜の絶縁劣化もしくは破壊が効果的に回避され、
その結果、ノツキング処理前後での抵抗体層の抵
抗値の変化が最小限に抑えられる。

実施例 以下、本発明の実施施例について図面を参照し
て述べる。

第１図は、本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器
の一例を示す。この例は、第３図及び第４図に示
される従来の内蔵抵抗器７と同様に、絶縁基板上
に分圧抵抗体層とこれを被覆する絶縁被膜が設け
られて形成され、第１図においては、外表部を形
成する絶縁被膜上から透視した状態が示されてい
る。なお、第１図において、第３図及び第４図に
示される各部に対応する部分には第３図及び第４
図と共通の符号を付して示し、それらについての
詳細説明を省略する。

斯かる第１図に示される例においては、絶縁基
板１上に、高圧電極端子２とCV電極端子３との
間に配された、第３図に示される抵抗体層５ｂ及
び微調整用抵抗体層５ｃと同様の、抵抗体層５
b′及び微調整用抵抗体層５c′と、CV電極端子３
とアース電極端子４との間に配された、第３図に
示される抵抗体層５ａに相当する、その一部に介
在せしめられたコ字状の導電性接続部２２を伴
い、一定の蛇行幅を有したジグザグ状パターンを
もつて配された抵抗体層５a′とで形成さる分圧抵
抗体層５′が設けられている。また、絶縁基板１
上のCV電極端子３とアース電極端子４との間に
おいて、高圧電極端子２、CV電極端子３及びア
ース電極端子４と同様に、例えば、極めて低抵抗
化された酸化ルテニウムペーストが焼成されて形
成された導電体層部２０が、抵抗体層５a′の一部
分に介在せしめられたコ字状の導電性接続部２２
に対応する位置をもつて配されている。この導電
体層部２０は、抵抗体層５a′及びコ字状の導電性
接続部２２には接触せず、それから伸びる接続部
２１を介してアース電極端子４に接続されてい
る。そして、これら分圧抵抗体層５′と導電体層
部２０とが、第１図において斜線で示される如く
の、例えば、鉛ガラス等からなる絶縁被膜６で覆
われている。

ここで、分圧抵抗体層５′は、導電性接続部２
２の部分を除き、一様な断面積を有して、均一な
材料、例えば、高抵抗の酸化ルテニウムペースト
焼成で形成されており、導電性接続部２２によ
り、夫々の分割部分が互いに接続されている。

そして、上述の導電性接続部２２及び導電体層
部２０は、第３図に示される内蔵抵抗器７におけ
る最大電位差位置Ｐに対応する、第１図の例が、
例えば、第５図に示される如くの陰極線管内に組
み込まれて電圧が印加されるとき、導電性接続部
２２及び導電体層部２０が存在せず抵抗体層５
a′が一様なジグザグ状パターンをもつて配されて
いるとした場合に、絶縁被膜６の表面電位と低圧
側とされるアース電極端子４及び高圧側とされる
CV電極端子３の間の部位の電位との電位差が最
大となる位置である最大電位差位置P′を含む、斯
かる電位差が大となる高電位差部位に配されてい
る。

このように構成される第１図に示される例が、
第５図に示される如くの陰極線管の電子銃構体９
に従来の内蔵抵抗器７と同様に取り付けられ、陰
極線管がノツキング処理に供されるに際して、導
電体層部２０が接続されたアース電極端子４が第
５図に示される如くのアース電極端子ピン１９に
連結されて接地されるとともに高圧電極端子２に
ノツキング電圧が印加される場合、絶縁基板１上
の最大電位差位置P′を含む高電位差部位に配され
た導電体層部２０が接地電位とされることによ
り、斯かる最大電位差位置P′を含む高電位差部位
に対応する絶縁被膜６の表面部分における帯電電
荷量が低減され、絶縁被膜６の最大電位差位置
P′を含む電位差部位に対応する部分における表面
電位の上昇が抑制される。

斯かる第１図に示される例が取り付けられた電
子銃を備える陰極線管がノツキング処理に供され
て、アース電極端子４が接地され、高圧電極端子
２に第５図に示される内蔵抵抗器７の場合と同様
のノツキング電圧が供給される場合における絶縁
被膜６の表面電位及び抵抗体層５a′の各部の電位
は、第２図に示される如くとなる。

第２図のグラフは、横軸に絶縁基板１上におけ
るアース電極端子４からのCV電極端子３側への
距離Ｌをとり、縦軸に電位Ｖをとるもので、この
第２図のグラフにおいて、絶縁被膜６の表面電位
は曲線a′で示され、接地電位とされた導電体層部
２０の影響を受けて絶縁被膜６の表面における帯
電電荷量が低減される結果、最大電位差位置P′を
含む高電位差部位に対応する部分における電位上
昇が緩やかになるものとされる。また、抵抗体層
５a′の各部の電位は折線b′で示され、導電性接続
部２２が介在せしめられた最大電位差位置P′を含
む高電位差部位において一定電位を有するものと
なる。そして、抵抗体層５a′の各部の電位とそれ
に対応する絶縁被膜６の表面電位との差、即ち、
絶縁被膜６にかかる電位差は、曲線c′で示され、
最大電位差位置P′を含む高電位差部位において、
絶縁被膜６の表面電位の上昇が接地電位とされた
導電体層部２０の影響を受けて抑制されることに
より、従来の内蔵抵抗器７の場合における最大電
位差位置Ｐにおける電位差に比して、著しく低減
されることになる。

このように、第１図の例にあつては、絶縁基板
１上の最大電位差位置P′を含む高電位差部位にお
ける絶縁被膜６の表面電位の上昇を抑制して、斯
かる部位において絶縁被膜６にかかる電位差を低
減させることができるので、絶縁被膜６の絶縁劣
化もしくは破壊が生じることがなく、抵抗体層５
a′の大幅な変化が防止されることになる。

また、絶縁基板１上の最大電位差位置P′を含む
高電位差部位において放電が生じても、放電電流
は導電体層部２０を通じて流れ易くなり、抵抗体
層５a′が放電の影響を受ける確率は著しく低いも
のとされる。

なお、上述の本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗
器の例においては、アース電極端子４に接続され
る導電体層部２０が、例えば、低抵抗の酸化ルテ
ニウムペーストで焼成されて形成されるが、この
導電体層部２０は、分圧抵抗体層５′の抵抗値よ
りも低い抵抗値を有する抵抗材料で形成されても
よく、斯かる場合には、陰極線管のノツキング処
理時等において絶縁基板１上の最大電位差位置
P′を含む高電位差部位に放電が生じる際に、導電
体層部２０を通じて流れる放電電流を低減させる
ことができる。

発明の効果 以上の説明から明らかな如く、本発明に係る陰
極線管の内蔵抵抗器は、陰極線管体内に電子銃と
共に組み込まれて電圧印加状態とされるとき低圧
側とされる第１の端子及び高圧側とされる第２の
端子の間の絶縁基板上に、低圧側とされる第１の
端子に接続された導電体層部が配され、その位置
が、斯かる導電体層部がない場合に絶縁基板上に
配された抵抗体層を被覆する絶縁被膜の表面電位
と第１の端子及び第２の端子の間の部位の電位と
の差が大とされる高電位差部位に選定されるの
で、斯かる高電位差部位において、絶縁被膜の表
面電位の上昇が抑制され、その結果、絶縁被膜に
かかる電位差が効果的に低減せしめられることに
なる。そのため、陰極線管のノツキング処理に際
して高電圧が印加さる状況下においても、高電位
差部位において絶縁被膜にかかる電位差が絶縁被
膜の耐圧を越えないものとされ、絶縁被膜の絶縁
劣化もしくは破壊の発生が防止されて、ノツキン
グ処理前後での抵抗体層の抵抗値変化を最小限に
抑制することができる優れた特性を示すものとな
る。

しかも、絶縁被膜の表面に避雷針電極の如くの
金属導電体が設けられる構成とはされないので、
金属導電体が蒸発して陰極線管の管本体のネツク
部内壁に付着し、それが原因となつてネツク部に
亀裂が生じるという事故を引き起こす虞れがな
い。

さらに、絶縁基板上に導電体層部を形成するこ
とは容易になし得ることであるので、製造工程の
複雑化をまねくことがなく、安価に製造すること
ができるものとなる利点を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の
一例を示す平面図、第２図は第１図に示される例
が陰極線管に組み込まれた場合の各部における電
位関係の説明に供される図、第３図及び第４図は
従来の陰極線管の内蔵抵抗器を示す平面図及び側
面図、第５図は第３図及び第４図に示される内蔵
抵抗器が組み込まれた陰極線管の要部を示す概略
構成図、第６図は第５図に示される陰極線管内に
おける内蔵抵抗器の各部における電位関係の説明
に供される特性図である。 図中、１は絶縁基板、２は高圧電極端子、３は
コンバージエンス電極端子、４はアース電極端
子、５′は分圧抵抗体層、５a′は分圧抵抗体層
５′を構成する抵抗体層、６は絶縁被膜、９は電
子銃構体、２０は導電体層部、２１は接続部であ
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 絶縁基板上に、複数の電極端子と、該電極端
   子のうちの低圧側とされる第１の端子と高圧側と
   される第２の端子との間において所定のパターン
   を有して配される抵抗体層と、該抵抗体層に接触
   することなく配されて上記第１の端子に接続され
   る導電体層部とが形成されるとともに、上記抵抗
   体層と上記導電体層部とを被覆する絶縁被膜が設
   けられ、上記導電体層部が、上記絶縁基板上の、
   該導電体層部がない場合に上記絶縁被膜の表面電
   位と上記第１及び第２の端子の間の部位の電位と
   の差が大とされる高電位差部位に配されたことを
   特徴とする陰極線管の内蔵抵抗器。