JPH04324231A

JPH04324231A - 平面型表示装置

Info

Publication number: JPH04324231A
Application number: JP3094185A
Authority: JP
Inventors: ▲桜▼井　光一; Koichi Sakurai; Eishin Murakami; 村上　英信
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1991-04-24
Filing date: 1991-04-24
Publication date: 1992-11-13
Also published as: US5245249A; NL9200623A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、電子ビームを利用し
た平面型表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図２は、例えば特開昭６３−１８４２３
９号公報に示された従来の平面型表示装置の一部を示す
斜視図である。図において、１は支持体に接続され通電
することによって電子を放射する電子放射源としての線
状熱陰極、３は有孔カバー電極で、線状熱陰極１の前方
に線状熱陰極１を覆うように配置され、断面形状は例え
ば楕円の一部であり、線状熱陰極１から熱電子を引き出
して加速する。この有孔カバー電極３は電子を通過させ
るための多数の小孔１ａを有しており、適当な電位を印
加することで線状熱陰極１から電子２が引き出される。８は前面ガラスであり、電子２により励起されて赤、緑
、青に発光する３種の蛍光体９が内面側にドット状に塗
膜され、さらにその上に導電性を持たせるためのアルミ
膜（図示せず）が形成されている。このアルミ膜に５〜
３０ｋＶ程度の電圧を印加することにより電子２が加速
されて、蛍光体９を励起し発光させる。

【０００３】さらに、４は制御電極で、前面ガラス８と
線状熱陰極１との間に介在し、線状熱陰極１と実質的に
平行に配置されている。制御電極４は、有孔カバー電極
３によって引き出されて前面ガラス８へ向かう電子２を
通過又は遮断して、通過する放出電子流を制御する。こ
の制御電極４は、絶縁性基板５、金属電極６、及び金属
電極７で構成されている。さらに、２０は線状熱陰極１
に対して有孔カバー電極３と反対側に配置した背面電極
である。

【０００４】図３に制御電極４の分解構成図を示す。絶
縁性基板５は前面ガラス８上の画素に対応する電子通過
孔５ａを有する。短冊状の金属電極６は絶縁性基板５の
下面に画素の１列ずつに対応して配列され、電子通過孔
６ａを有する。この金属電極６は第１の制御電極群を構
成する。同様に短冊状の金属電極７は電子通過孔７ａを
有して絶縁性基板５の上面に画素の１行ずつに対応して
配列され、第２の制御電極群を構成する。これら第１、
第２の制御電極群６、７はそれぞれの電子通過孔６ａ、
７ａが、絶縁性基板５の電子通過孔５ａと一致するよう
に接着されている。

【０００５】次に動作について説明する。線状熱陰極１
から放出された電子２は有孔カバー電極３に印加された
約２〜２０Ｖの正（プラス）電位によって引き出される
。さらに線状熱陰極１と直交する方向に配設された金属
電極６からなる第１の制御電極群のうちの一本に線状熱
陰極１の電位に対して約２０〜５０Ｖの正電位を印加す
ることにより、電子はこの電極に引き寄せられて、制御
電極４に達する。ここで、有孔カバー電極３の楕円柱形
状、第１の制御電極群６の位置、及びそれぞれの金属電
極６への印加電圧を調整することにより、第１の制御電
極群６の任意の一本の金属電極前面での電子流密度がほ
ぼ均一になるように構成されている。

【０００６】図４は引き出された電子の動きを示す説明
図であり、図２の断面方向から示したものである。図４
に示すように、有孔カバー電極３から引き出された時の
初速度によって、電子２は必ずしも制御電極４に垂直に
入射しない。垂直に入射する電子２ａと斜めに入射する
電子２ｂが存在する。

【０００７】制御電極４の動作については特開昭６３ー
１８４２３９号公報には説明されていないが、例えば特
開昭６２ー１７２６４２号公報や特開平１ー１２６６８
８号公報などに詳しく記載されている。

【０００８】図３の第１の制御電極群６のうち１本の金
属電極のみ正電位となり他は負（マイナス）電位となっ
ていれば、線状熱陰極１から放出された熱電子はこの正
電位の１本の金属電極６にのみ引き寄せられ、その金属
電極６の各電子通過孔６ａを通って絶縁性基板５の電子
通過孔５ａに入っていく。ただしこの電子通過孔５ａに
入った電子はそのまま全てが前面ガラス８側へ通過する
のではない。

【０００９】図５は制御電極４を電子が通過する様子を
示す説明図であり、図３では電子通過孔５ａの内側壁面
に電極が形成されていないが、図５では電子通過孔５ａ
の内側壁面にも電極が形成されているものを示している
。０Ｖまたは負電位となっている第２の制御電極７ｘの
電子通過孔５ａ内には、第２の制御電極７ｘのつくる負
のポテンシャル領域１０があるため、電子２は電子通過
孔５ａ内で止まってしまう。図５（ｂ）に示す様に、上
記のように制御電極４に垂直に入射しない電子２ｂが、
電子通過孔５ａの内壁の負のポテンシャル領域１０では
ない正電位の範囲に入射する場合がある。ここには絶縁
性基板５が露出しており、電子が絶縁物に入射した場合
、絶縁物は帯電（チャージアップ）する。

【００１０】図６（ａ）に示すように、電子通過孔５ａ
上部に配置された第２の制御電極７のうち、例えば４０
〜１００Ｖの電位が印加されている電子通過孔５ａでは
、電子２が通過できる。しかし、図６（ｂ）に示すよう
にやはり制御電極４に垂直に入射しない電子２ｂは、電
子通過孔５ａの内壁に入射する場合がある。従って、図
５、図６いずれの場合も露出している絶縁性基板５に電
子が入射して帯電することになる。

【００１１】図５、図６より、第１の制御電極６のうち
正電位の印加された電極と、第２の制御電極７のうち正
電位が印加されている電極との交点の電子通過孔のみを
電子が通過することがわかる。そしてその通過電子によ
り、その電子通過孔に対応する画素の位置の蛍光体９が
発光し、画面表示が行われる。よって、上記交点が所望
の位置に対応するように各金属電極６、７への電位印加
を制御すれば、所望の画像表示が行える。

【００１２】即ち、制御電極４は、ある時には０Ｖから
数１０Ｖの小さい負電位を印加すれば電子通過孔５ａを
負のポテンシャル領域１０で封鎖でき、またある時には
正電位を印加すれば所望の電子流が電子通過孔を通過で
きるように構成する必要がある。このため、制御電極４
は形状を工夫して形成しなければならない。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の平
面型表示装置では、第１の制御電極６及び第２の制御電
極７が各列、各行に配設される短冊状電極で形成されて
いるので、この短冊状電極を分離して製作、接着しなけ
ればならず、製作が困難であった。最も現実的な解決方
法は、制御電極４の製造方法を一般的なプリント配線基
板のようにすることである。例えば、絶縁性基板５の表
面及び電子通過孔５ａ内の側壁面に導電性物質の薄膜を
めっきなどの方法で形成し、エッチングで所望の位置の
薄膜を除去することによって制御電極４を形成する。

【００１４】一例として、特開昭５８ー４６５６２号公
報を取り上げて説明する。図７（ａ），（ｂ）のように
、絶縁性基板４１、５１に帯状の導電性膜４３、５３を
形成し、それに配列状に電子線通過孔４２、５２を加工
し、その穴内壁にも導電性膜を形成する。そしてその基
板２枚４５、５５を図７（ｃ）に示すように、絶縁スペ
ーサの役割をする絶縁性物質６１、６２によって接着す
る。図７（ｃ）は図７（ａ），（ｂ）のＡ−Ａ線におけ
る断面を示している。このように、電子通過孔の内壁に
は、絶縁性物質である絶縁スペーサ６１が露出する構造
となり、この絶縁スペーサ６１は通過電子の入射によっ
て帯電する。このように、電子流通過地点付近に帯電し
た絶縁物があると、表示装置の機能に様々な障害を起こ
す。この障害の例を以下に挙げる。

【００１５】まず第１に、表示画面の輝度の低下である
。図８にあるように絶縁性基板５が帯電した場合、図８
（ａ）にように絶縁物表面の負電荷１１によって負のポ
テンシャル領域１０が形成される。このため、図８（ｂ
）に示すように、電子の通過できる範囲が実効的に狭め
られ、同じ口径の電子通過孔５ａでも、取り出せる電流
量が小さくなる。この結果、表示画面の輝度が低下して
しまう。

【００１６】実験として、基板には快削性セラミック、
導電性電極にはＮｉ蒸着膜を用い、図８（ａ）中ｄで示
す絶縁物の露出距離が１００μｍ（板厚６００μｍ）と
５００μｍの２枚の制御電極を試作し、画面輝度の比較
を行なった。この結果、同一条件下で約１０倍（カンデ
ラ値換算）の画面輝度の差が見られた。帯電の影響を小
さく抑える手段として、電極６、７に印加する電圧を高
くすることも考えられる。しかし、動画表示を行うため
には、電極６、７に少なくとも数ｋＨｚ以上の信号を印
加する必要があり、テレビジョンのような量産品への応
用を考えると、この高電圧化の方法は得策ではない。

【００１７】第２に、画面表示動作が安定しない事であ
る。具体的には、絶縁物の帯電量が一定値に達するまで
に時間がかかることによって、表示装置のスイッチを投
入してから比較的安定した画面表示動作に至るまでに時
間を要する事である。上記の試作機（絶縁物露出距離ｄ
：１００μｍ）では、数十分を要した。それ以降は、帯
電した絶縁物の放電が電極のいたるところで不規則に起
こり、画面がチラチラする、といった現象がみられた。

【００１８】特開昭５８ー４６５６２号公報では、上記
のような絶縁物６１のチャージアップによる悪影響を排
除するため、スペーサを内壁から後退させるという解決
案を記述している。しかし、孔内壁に絶縁性物質が露出
している限り、帯電による悪影響を完全に排除すること
は非常に困難である。

【００１９】従来例の図４及び図５を用いて説明した通
り、電子の径方向の速度成分によって、電子通過孔の内
壁への電子の入射が避けられない。また、このような電
子線を用いた画像表示装置の真空部分の真空度は、例え
ばテレビジョン装置のブラウン管は１０−７Ｔｏｒｒ程
度であり、一度帯電した電荷は真空部分を通して放電し
にくい。

【００２０】仮に、絶縁性基板５を内壁から後退するこ
とによって、帯電による悪影響を抑止できたとしても、
そのような構造の制御電極４を実際に量産するのはたい
へんに困難である。図９（ａ）は制御電極４の上面図で
あり、図９（ｂ）は図９（ａ）Ｂ−Ｂ線断面図である。この図に基いて、制御電極４を実際に量産する場合を考
える。例えば、画素ピッチを０．６ｍｍ、電子通過孔径
を０．４ｍｍとし、孔内壁から後退せなければならない
距離を５０μｍ以上と仮定すると、絶縁性基板５の配置
可能範囲（図中、Ｗで示す）はわずか１００μｍ以下し
かない。テレビジョン装置の画面全域（２０インチ角に
もおよぶ）にわたって、この範囲内に絶縁性基板５を位
置精度よく配置した制御電極４を歩留りよく量産するこ
とは、困難である。困難である最大の理由は、２０イン
チの画面全体では表示画素数が約３０万にもおよび、そ
のうち不良画素が１つでもあれば、画像表示装置として
の商品価値がなくなってしまうことである。

【００２１】一方、帯電による悪影響を小さくするには
、図８に示した絶縁物露出距離ｄを小さくすることも考
えられる。しかし、悪影響を無視できる程にするために
は、ｄを非常に短くする必要がある。前述の実験によれ
ば、ｄは数十μｍ以下でなければならない。ところが、
逆に露出距離ｄをあまり短くしすぎると、上下の電極６
，７の絶縁に支障をきたしてしまう。即ち、ｄは、孔深
さ（＝板厚）数百μｍの孔内壁に、数十μｍ以下の所定
の範囲内で精度良く形成する必要がある。上記と同様に
、３０万にもおよぶ表示画素全部に対して、このような
制御電極を歩留りよく量産することは、大変に困難であ
る。

【００２２】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、構造が平易で量産性に優れてい
ると共に、電子通過孔内壁に絶縁性基板の露出部をなく
し、画面輝度が高く、表示動作の安定性が高く、さらに
画面の高精細化を可能にできる平面型表示装置を得るこ
とを目的としている。

【００２３】

【課題を解決するための手段】この発明に係る平面型表
示装置は、制御電極の通過孔内の絶縁体露出部分に抵抗
被膜を形成したものである。

【００２４】また、制御電極の抵抗被膜を半導体で形成
したものである。

【００２５】また、制御電極は、通過孔を有する表面絶
縁性基板の、通過孔内の側壁面もしくは表面及び通過孔
内の側壁面に、導電性物質膜を形成し、その上に抵抗被
膜を形成して構成したものである。

【００２６】また、制御電極は、通過孔を有する表面絶
縁性基板の、通過孔内の側壁面もしくは表面及び通過孔
内の側壁面に、抵抗被膜を形成し、その上に導電性物質
膜を形成して構成したものである。

【００２７】

【作用】この発明における平面型表示装置の制御電極に
おいては、電子通過孔内壁の絶縁物露出部分に抵抗被膜
を形成したので、露出絶縁物の帯電が防止され、電子通
過孔の電子通過率が増加して表示画面の輝度が増大し、
表示装置の動作が安定する。さらに、絶縁物の露出距離
を精密に制御する必要がないため、容易に量産できる。

【００２８】

【実施例】

実施例１．以下、この発明の一実施例を図に基づいて説
明する。図１はこの発明の一実施例による平面型表示装
置の制御電極部１４の電子通過孔１個の部分を示す断面
図であり、６は第１の制御電極、７は第２の制御電極、
１２は１０５　Ωｃｍの電気抵抗率を有するアモルファ
スシリコン膜、５は表面絶縁基板、５ａは電子通過孔で
ある。

【００２９】平面型表示装置全体の構造及び動作は、従
来例とほぼ同様である。ただし、制御電極１４の通過孔
５ａ内にはアモルファスシリコン膜による抵抗被膜１２
が形成されており、絶縁性基板５が露出していない。従
来と同様に制御電極１４は、前面ガラス８と線状熱陰極
１との間に位置し、画面の各画素に対応する多数の電子
通過孔５ａを有し、有孔カバー電極３によって引き出さ
れて前面ガラス８へ向かう電子２を通過又は遮断する。通過した電子２は、蛍光体９を発光させ、所望の画像が
表示される。全面ガラス８の蛍光体９のドット、ピッチ
は制御電極部１４の電子通過孔１６に対応させて形成さ
れている。

【００３０】図１にあるように、表面絶縁性基板５の絶
縁物露出面はアモルファスシリコン膜１２のような抵抗
被膜で覆われているので、仮に電子が入射しても、従来
例のように表面に電荷が蓄積されて帯電することはない
。従って、図４の場合と同様に、電子通過孔５のほぼ全
域にわたって電子が通過可能になり、ビーム電流が大き
くとれ、高い表示画面輝度が得られる。また、帯電の影
響が無視できるため、表面絶縁性基板５の絶縁体露出長
さを、従来のように精密に制御する必要がないため、量
産が容易になる。

【００３１】ここで、この制御電極部１４の製造方法の
一例を説明する。ステンレスあるいはアルミニウムなど
で形成された導電性基板に電子が通過するための貫通し
た電子通過孔５ａをエッチング法を用いて穴あけ加工す
る。この導電性基板の電子通過孔５ａの内側壁面を含む
全表面に絶縁膜を形成することにより表面絶縁性基板５
が構成される。例えばアルミニウム板の場合は、陽極酸
化法を用いれば厚み３０μｍ程度のアルマイト層を形成
できる。

【００３２】この表面絶縁性基板５の下面に、電子通過
孔５ａの１列ずつに対応するように複数に分割してニッ
ケルなどの導電性物質からなる第１の制御導電膜６を無
電解メッキ法とマスキング法などの手法を用いて被膜す
る。同様に表面絶縁性基板５の上面に、基板露出部を形
成しながら電子通過孔５ａの１行ずつに対応するように
複数に分割されて被膜された導電膜からなる第２の制御
導電膜７を形成する。基板露出部は、となりあった制御
導電膜を電気的に絶縁するためのものである。このよう
な構成により、各導電膜６、７に対し、各列もしくは各
行毎独立に個別の電位が印加できる。

【００３３】次に、その基板の表面および電子通過孔に
、プラズマＣＶＤ法によって、アモルファスシリコン（
α−Ｓｉ）の半導体膜を形成する。１μｍ成膜するのに
、約４０分程度を要した。α−Ｓｉは、ボロンやリンの
ドーピングによって、抵抗率を１０２　〜１０１０Ωｃ
ｍの間で任意に制御可能である。成膜時の基板温度を約
４００度以上にすれば、真空排気時のベーキングによる
加熱にも耐えうる膜を形成できる。また、孔内壁の膜厚
も基板表面とほぼ同等に制御できる。抵抗被膜として半
導体膜を選択した理由は、前述の成膜速度や抵抗率の制
御性、耐熱性など、生産技術が確立されており、容易に
所望の被膜を形成できるからである。この実施例では電
子通過孔を有する表面絶縁性基板として、通過電子制御
電位が印加される導電膜を被膜することにより構成した
ので、従来のような短冊状電極を用いる場合に比べて微
細な構造を有する制御電極が容易に量産できる。

【００３４】抵抗被膜１２を形成することにより、電極
６，７に異なる電圧が印加された場合、電子通過孔５ａ
の内壁にリーク電流が流れる。もしくは、電極６の隣あ
ったもの同士の間に異なる電圧が印加された場合でも、
電極６の間にリーク電流が流れる。従って、膜の抵抗率
を低く設定しすぎると、リーク電流が大きくなり、電圧
を印加する電源に負担がかかる。逆に、抵抗率の設定値
を高くしすぎると表面が帯電してしまう。膜厚も、孔径
、成膜速度などにより制約をうける。これらの理由から
、抵抗率は１０２　〜１０９　Ωｃｍの範囲が望ましい
。この実施例では、抵抗率を１０５　Ωｃｍ、膜厚を１μ
ｍとした。リーク電流は、電極全体で数ｍＡのオーダで
あった。

【００３５】このような構成の平面型表示装置において
は、第１、第２の制御導電膜６、７に電子の通過を制御
する電位を印加することにより、各画素単位で蛍光体９
の発光を制御し所望の画像を表示することができる。第
１、第２の制御導電膜６、７に印加する電圧を上記従来
例と同レベルとしてそのオン−オフ動作の確認を行ない
、蛍光体の発光体の発光状態を観察比較した結果、優れ
た表示性能が確認された。

【００３６】なお、上記実施例では電子通過孔５ａが丸
孔の場合を例に説明したが、四角形状など他の形状にお
いても同様の効果がある。

【００３７】また、上記実施例では第１、第２の制御導
電膜６、７半導電膜を電子通過孔５ａの内側壁面まで被
膜したものを示したが、導電膜を表面絶縁性基板５の上
面及び下面にのみ被膜してもよい。

【００３８】また、実施例１では表面絶縁性基板５とし
てアルミニウムからなる導電性基板の表面にアルマイト
層からなる絶縁膜を形成したものを用いた場合を示した
が、この表面絶縁性基板５は、アルミニウム以外の金属
板上に例えば蒸着法により酸化物、窒化物、あるいはポ
リイミドなどの樹脂などの絶縁層を形成して構成しても
よい。または、表面絶縁性基板５を絶縁性のガラスある
いはセラミックのみで構成してもよい。しかしながら、
加工性や性能面を鑑みると、表面絶縁性基板としては絶
縁層を形成した金属性基板から構成したしたものが最も
適している。その理由は、電子通過孔の孔加工において
金属性基板はエッチング法により加工が容易であるから
である。

【００３９】また、実施例１においては、第２の制御導
電膜群７が電子通過孔５ａの内側壁面まで被膜されてい
るので電磁レンズが電子通過孔内部側（深さ方向）に形
成され、これにより電子通過孔を通過した電子が発散す
る作用を受ける。前面ガラス８と制御電極１４間に、制
御電極を通過した電子を収束する収束電極板を配設して
もよい。これにより電子が収束され所定外のところへ飛
んでいくことを防止すると、コントラストなど画質向上
に有効である。

【００４０】また、実施例１においては、抵抗被膜を電
子通過孔の内壁を含む基板全面に形成したが、これは電
子通過孔内壁のみ、もしくは電子通過孔と、基板表面片
側でもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。

【００４１】実施例２．また、実施例１は、図１（ａ）
のように表面絶縁性基板５の表面及び通過孔５ａ内の側
壁面に、導電性物質の薄膜６，７を形成し、その上に抵
抗被膜１２を形成した。しかし実施例２では、図１（ｂ
）のように、表面絶縁性基板５の表面及び通過孔５ａ内
の側壁面に抵抗被膜１２を形成した後、導電性物質の薄
膜６，７を形成してもよく、上記実施例と同様の効果を
奏する。

【００４２】また、上記実施例においては、抵抗被膜１
２を形成する際、プラズマＣＶＤ法によって抵抗率が１
０５　Ωｃｍのアモルファスシリコンを１μｍ成膜した
。しかしこれは、他の方法、例えば熱ＣＶＤ法であっても
よく、他の材料、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）や酸化クロ
ムなどであってもよい。抵抗率、膜厚も必ずしも実施例
の値でなくてもよい。即ち、膜に要求される機能とは、
帯電を抑止すること、および電極６と電極７の電位差を
保つことであって、これらの機能さえ満足すれば、材料
、膜厚、成膜方法、抵抗率などが上記実施例と同じでな
くとも、上記実施例と同様の効果を奏する。

【００４３】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、線状
熱陰極と、この線状熱陰極の前方に配置されかつ線状熱
陰極を覆い、線状熱陰極から熱電子を引き出して加速す
る有孔カバー電極と、線状熱陰極に対して有孔カバー電
極と反対側に配置した背面電極と、有孔カバー電極の前
方に線状熱陰極と実質的に平行に配置され放出電子が通
過する通過孔を有し、かつ通過する放出電子流を制御す
る制御電極と、この制御電極と実質的に平行に配置され
放出電子の照射により発光する発光体を有する前面ガラ
スとを備えた平面型表示装置において、制御電極の通過
孔内の絶縁体露出部分に抵抗被膜を形成したことにより
、短冊状電極を用いる場合に比べて微細な構造を有する
制御電極が容易に量産でき、さらに電子通過孔内壁の絶
縁物の帯電が防止され、電子通過孔の電子通過率が増加
して表示画面の輝度が増大し、表示装置の動作が安定す
る効果がある。さらに、絶縁物の露出距離を精密に制御
する必要がないため、上記構造の制御電極を容易に量産
できるという効果がある。さらに、絶縁物の帯電を抑止
できるので、帯電した場合と比較して、制御電極に印加
する電圧を低くでき、安価な平面型表示装置が得られる
という効果がある。

【００４４】さらに、制御電極の抵抗被膜を半導体で形
成したので、容易に被膜を形成できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例による平面型表示装置に係
る制御電極の一部分を示す断面図である。

【図２】従来の平面型表示装置を示す斜視図である。

【図３】従来の平面型表示装置の制御電極の分解構成図
である。

【図４】従来の平面型表示装置に係り引き出された電子
の動きを示す説明図である。

【図５】従来の制御電極において電子が通過する様子を
示す説明図である。

【図６】従来の制御電極において電子が通過する様子を
示す説明図である。

【図７】従来の制御電極の製造方法を示す説明である。

【図８】従来の制御電極において電子が通過する様子を
示す説明図である。

【図９】従来の制御電極の製作寸法を説明する拡大断面
図である。

【符号の説明】

１　　線状熱陰極２　　電子３　　有孔カバ−電極５　　絶縁性基板５ａ　　電子通過孔６　　第１の制御導電膜７　　第２の制御導電膜８　　前面ガラス９　　蛍光体１２　　抵抗被膜１４　　制御電極２０　　背面電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　線状熱陰極と、この線状熱陰極の前方
に配置されかつ上記線状熱陰極を覆い、上記線状熱陰極
から熱電子を引き出して加速する有孔カバー電極と、上
記線状熱陰極に対して上記有孔カバー電極と反対側に配
置した背面電極と、上記有孔カバー電極の前方に上記線
状熱陰極と実質的に平行に配置され上記放出電子が通過
する通過孔を有し、かつ通過する放出電子流を制御する
制御電極と、この制御電極と実質的に平行に配置され上
記放出電子の照射により発光する発光体を有する前面ガ
ラスとを備えた平面型表示装置において、上記制御電極
の通過孔内の絶縁体露出部分に抵抗被膜を形成したこと
を特徴とする平面型表示装置。
【請求項２】　　制御電極の抵抗被膜を半導体で形成し
たことを特徴とする請求項第１項記載の平面型表示装置
。
【請求項３】　　制御電極は、通過孔を有する表面絶縁
性基板の、上記通過孔内の側壁面もしくは表面及び上記
通過孔内の側壁面に、導電性物質膜を形成し、その上に
抵抗被膜を形成して構成したことを特徴とする請求項第
１項又は第２項記載の平面型表示装置。
【請求項４】　　制御電極は、通過孔を有する表面絶縁
性基板の、上記通過孔内の側壁面もしくは表面及び上記
通過孔内の側壁面に、抵抗被膜を形成し、その上に導電
性物質膜を形成して構成したことを特徴とする請求項第
１項又は第２項記載の平面型表示装置。