JPH0219579B2 - - Google Patents
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- JPH0219579B2 JPH0219579B2 JP54139382A JP13938279A JPH0219579B2 JP H0219579 B2 JPH0219579 B2 JP H0219579B2 JP 54139382 A JP54139382 A JP 54139382A JP 13938279 A JP13938279 A JP 13938279A JP H0219579 B2 JPH0219579 B2 JP H0219579B2
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- resistor
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- electron gun
- gun assembly
- electrodes
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/485—Construction of the gun or of parts thereof
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は少なくとも１本の電子ビームを射出す
る電子銃構体及びその製造方法に関するものであ
る。
る電子銃構体及びその製造方法に関するものであ
る。
例えば多電子ビームを射出する電子銃構体を内
装する通常のカラー受像管に於いては、陰極から
放出される熱電子は複数個の電子レンズにより集
束され、集中して、螢光面に射突されるようにな
つている。
装する通常のカラー受像管に於いては、陰極から
放出される熱電子は複数個の電子レンズにより集
束され、集中して、螢光面に射突されるようにな
つている。
そして、前記電子レンズは一般に静電界で形成
されて、この静電界が電子ビームの径路にほぼ直
角かつ電子ビームの通過する開口部を有する少な
くとも２個の隣接電極間に形成される。この電子
レンズの特性は電極間の電圧差、開孔部の寸法、
電極間の距離などにより変えることができる。
されて、この静電界が電子ビームの径路にほぼ直
角かつ電子ビームの通過する開口部を有する少な
くとも２個の隣接電極間に形成される。この電子
レンズの特性は電極間の電圧差、開孔部の寸法、
電極間の距離などにより変えることができる。
一方電子銃構体の性能は前述した電子レンズの
倍率と、その球面収差が少ない程良いとされてお
り、このため、一般に長焦点距離を有する電子レ
ンズとすることが有効であるとされている。即
ち、最も効果的な電極間電圧による方法は一般に
受像管のステム部で放電を起さない範囲としなけ
ればならない。また開口部寸法は受像管のネック
直径が他の電気的条件から制約を受けるため、任
意に大きく設定することはできない。また、電極
間の距離を大きくすることは、受像管のネツク内
面上に生じる浮遊電界および電子銃内の他の不所
望な電界によつて電子レンズ特性が影響をうける
ので、これも適当ではない。いずれにせよ、電子
レンズの設計は受像管の設計から定められる物理
的条件によつて制約を受けることになる。特にカ
ラー受像管の場合、多電子ビーム用電子銃を必要
とするので、前述した制約は著しいものである。
倍率と、その球面収差が少ない程良いとされてお
り、このため、一般に長焦点距離を有する電子レ
ンズとすることが有効であるとされている。即
ち、最も効果的な電極間電圧による方法は一般に
受像管のステム部で放電を起さない範囲としなけ
ればならない。また開口部寸法は受像管のネック
直径が他の電気的条件から制約を受けるため、任
意に大きく設定することはできない。また、電極
間の距離を大きくすることは、受像管のネツク内
面上に生じる浮遊電界および電子銃内の他の不所
望な電界によつて電子レンズ特性が影響をうける
ので、これも適当ではない。いずれにせよ、電子
レンズの設計は受像管の設計から定められる物理
的条件によつて制約を受けることになる。特にカ
ラー受像管の場合、多電子ビーム用電子銃を必要
とするので、前述した制約は著しいものである。
前記制約を回避するための一般的な傾向は、長
焦点距離電子レンズを作るために、電極電圧およ
び電極数を許容される範囲で組合せることでおこ
なわれている。例えば特開昭51−76072号、特開
昭51−77061号両公報に述べられている電子銃構
体がその例である。
焦点距離電子レンズを作るために、電極電圧およ
び電極数を許容される範囲で組合せることでおこ
なわれている。例えば特開昭51−76072号、特開
昭51−77061号両公報に述べられている電子銃構
体がその例である。
これら公報にみられるように電極電圧、電極の
種類を組合せる方法は一般に電子銃構体を複雑に
したり、電子レンズを形成させるために更に他の
電圧を付与しなければならず、電子銃構体の構造
を複雑にし、製造コストの上昇を招きやすい。
種類を組合せる方法は一般に電子銃構体を複雑に
したり、電子レンズを形成させるために更に他の
電圧を付与しなければならず、電子銃構体の構造
を複雑にし、製造コストの上昇を招きやすい。
この様な欠点を回避する方法として発明者らは
電子銃構体の電極を支持している支持体の少なく
とも１個が抵抗体または抵抗体を１部に有する絶
縁体とし、この抵抗体により複数個の電極のうち
の所定の電極に陽極電圧を抵抗分割して印加する
構造の電子銃構体を出願したが、この様な抵抗体
としては種々な問題点があることを見出した。
電子銃構体の電極を支持している支持体の少なく
とも１個が抵抗体または抵抗体を１部に有する絶
縁体とし、この抵抗体により複数個の電極のうち
の所定の電極に陽極電圧を抵抗分割して印加する
構造の電子銃構体を出願したが、この様な抵抗体
としては種々な問題点があることを見出した。
本発明は前記従来の欠点と先願の問題点に鑑み
なされたものであり、陽極電圧を抵抗分割して所
定の電極に極めて効率的に所定の電圧を与えるこ
とが可能な電子銃構体及びその製造方法を提供す
ることを目的としている。
なされたものであり、陽極電圧を抵抗分割して所
定の電極に極めて効率的に所定の電圧を与えるこ
とが可能な電子銃構体及びその製造方法を提供す
ることを目的としている。
次に本発明の一実施例を第１図及び第２図によ
つて説明する。
つて説明する。
即ち、電子銃構体１は１対の支持体２1，２2を
介して図示しないヒータを内装する１列配設され
た３個の陰極３，４，５、第１グリツド６、第２
グリツド７、第３グリツド８、第４グリツド９、
第５グリツド１０、第６グリツド１１及びコンバ
ーゼンス電極１２からなり、コンバーゼンス電極
１２を除く各電極はそれぞれ植設部６1，７1，８
１，９1，１０1，１１1を介して支持体２1，２2に
植設されている。この場合、陰極３，４，５はそ
れぞれ支持部材３1，４1，５1を介して１列配列
されるように支持体２1，２2に植設されている。
介して図示しないヒータを内装する１列配設され
た３個の陰極３，４，５、第１グリツド６、第２
グリツド７、第３グリツド８、第４グリツド９、
第５グリツド１０、第６グリツド１１及びコンバ
ーゼンス電極１２からなり、コンバーゼンス電極
１２を除く各電極はそれぞれ植設部６1，７1，８
１，９1，１０1，１１1を介して支持体２1，２2に
植設されている。この場合、陰極３，４，５はそ
れぞれ支持部材３1，４1，５1を介して１列配列
されるように支持体２1，２2に植設されている。
そして、第１グリツド６と第２グリツド７は近
接配置された平板状電極であり、それぞれ各電子
ビーム径路に整合した３個の開口部を有する。第
３グリツド８は第２グリツド７に近接配置され、
接合された２個のカツプよりなり、それぞれ各電
子ビームの径路に整合した３個の開口部を有す
る。第４グリツド９も２個のカツプよりなり、そ
れぞれ各電子ビームの径路に整合した３個の開口
部を有する。特に第１図にはこの電極に所定電圧
を印加する構造として順次接続されたリード線１
７、ステムピン１８および外部電源１９が示され
ている。第５グリツド１０は第４グリツド９に近
接配置され、電子ビーム径路に整合した３個の開
口部を有する複数のカツプよりなる。そしてリー
ド線１６により第３グリツド８に電気的に接続さ
れ、同電位接続されている。
接配置された平板状電極であり、それぞれ各電子
ビーム径路に整合した３個の開口部を有する。第
３グリツド８は第２グリツド７に近接配置され、
接合された２個のカツプよりなり、それぞれ各電
子ビームの径路に整合した３個の開口部を有す
る。第４グリツド９も２個のカツプよりなり、そ
れぞれ各電子ビームの径路に整合した３個の開口
部を有する。特に第１図にはこの電極に所定電圧
を印加する構造として順次接続されたリード線１
７、ステムピン１８および外部電源１９が示され
ている。第５グリツド１０は第４グリツド９に近
接配置され、電子ビーム径路に整合した３個の開
口部を有する複数のカツプよりなる。そしてリー
ド線１６により第３グリツド８に電気的に接続さ
れ、同電位接続されている。
また第６グリツド１１は３個の開口部を有する
２個のカツプよりなるが、その開口部のうち、中
央のものは第１グリツド６から第５グリツド１０
までの開口部に整合し、両側の開口部は夫々中央
のものから外方に離れるように僅かに偏心してい
る。この偏心は３本の電子ビームを螢光面上で一
点に集中させるために、中央の電子ビームを除く
他の２本の電子ビームに僅かに非対称電界による
偏向を与えるためである。そしてこの第６グリツ
ド１１には３個の開口部が形成されたコンバーゼ
ンス電極１２が取付けられている。このコンバー
ゼンス電極１２にはスプリング１５が取着されて
おり、このスプリング１５がネツク１３内壁の図
示しない陽極端子に導電接続された内部導電被膜
１４に弾接するようになつており、このスプリン
グ１５を介してコンバーゼンス電極１２および第
６グリツド１１に約25kVの電圧が印加される。
２個のカツプよりなるが、その開口部のうち、中
央のものは第１グリツド６から第５グリツド１０
までの開口部に整合し、両側の開口部は夫々中央
のものから外方に離れるように僅かに偏心してい
る。この偏心は３本の電子ビームを螢光面上で一
点に集中させるために、中央の電子ビームを除く
他の２本の電子ビームに僅かに非対称電界による
偏向を与えるためである。そしてこの第６グリツ
ド１１には３個の開口部が形成されたコンバーゼ
ンス電極１２が取付けられている。このコンバー
ゼンス電極１２にはスプリング１５が取着されて
おり、このスプリング１５がネツク１３内壁の図
示しない陽極端子に導電接続された内部導電被膜
１４に弾接するようになつており、このスプリン
グ１５を介してコンバーゼンス電極１２および第
６グリツド１１に約25kVの電圧が印加される。
この様な複数個の電極を植設部を介して支持す
る支持体２1及び２2のうち、例えば２2は溶着に
より一体化された抵抗体２ａを一部に有する絶縁
体２ｂから構成され、その抵抗体２ａに植設部８
１，９1，１０1，１１1が植設されており、絶縁体
２ｂに植設部７1，６1及び陰極３，４，５の支持
部材３1，４1，５1が植設されている。
る支持体２1及び２2のうち、例えば２2は溶着に
より一体化された抵抗体２ａを一部に有する絶縁
体２ｂから構成され、その抵抗体２ａに植設部８
１，９1，１０1，１１1が植設されており、絶縁体
２ｂに植設部７1，６1及び陰極３，４，５の支持
部材３1，４1，５1が植設されている。
前述した構造の電子銃構体１に於て、陽極端
子、内部導電被膜１４、スプリング１５、コンバ
ーゼンス電極１２を介して第６グリツド９に印加
される約25kVの陽極電圧と、外部電源１９、ス
テムピン１８、リード線１７を介して第４グリツ
ド９に印加された低電圧が抵抗体２ａによつて抵
抗分割され、第５グリツド１０及び第３グリツド
８に約8kVの中電圧が与えられる。そして、第３
グリツド８、第４グリツド９、第５グリツド１０
により補助電子レンズとしてのユニポテンシヤル
形レンズが形成され、第５グリツド１０と第６グ
リツド１１により主電子レンズとしてのバイポテ
ンシヤル形レンズが形成され、この２個の電子レ
ンズにより図示しない螢光面上の電子ビームの焦
点を極めて小さくするようになされた複合電子レ
ンズを有する電子銃構体となつている。即ち、こ
の様な構造にすることにより、第３グリツド８及
び第５グリツド１０に印加される約8kVの中電圧
はステムピンを介することなく得られるので、ス
テムには第４グリツド９に印加する約100V、第
２グリツド７に印加する約500V、第１グリツド
６に印加する0V、陰極３，４，５に印加する０
乃至150Vの電圧のみとなるので、複雑な構造の
電子銃構体でありながら、ステム部は従来のもの
で良く、更にステムピンの数も減少させることが
出来る。
子、内部導電被膜１４、スプリング１５、コンバ
ーゼンス電極１２を介して第６グリツド９に印加
される約25kVの陽極電圧と、外部電源１９、ス
テムピン１８、リード線１７を介して第４グリツ
ド９に印加された低電圧が抵抗体２ａによつて抵
抗分割され、第５グリツド１０及び第３グリツド
８に約8kVの中電圧が与えられる。そして、第３
グリツド８、第４グリツド９、第５グリツド１０
により補助電子レンズとしてのユニポテンシヤル
形レンズが形成され、第５グリツド１０と第６グ
リツド１１により主電子レンズとしてのバイポテ
ンシヤル形レンズが形成され、この２個の電子レ
ンズにより図示しない螢光面上の電子ビームの焦
点を極めて小さくするようになされた複合電子レ
ンズを有する電子銃構体となつている。即ち、こ
の様な構造にすることにより、第３グリツド８及
び第５グリツド１０に印加される約8kVの中電圧
はステムピンを介することなく得られるので、ス
テムには第４グリツド９に印加する約100V、第
２グリツド７に印加する約500V、第１グリツド
６に印加する0V、陰極３，４，５に印加する０
乃至150Vの電圧のみとなるので、複雑な構造の
電子銃構体でありながら、ステム部は従来のもの
で良く、更にステムピンの数も減少させることが
出来る。
前述した電子銃構体１に使用される抵抗体２ａ
に於て、抵抗体の体積抵抗率が大きすぎると、そ
の特性は絶縁体の特性に近づき、不要な電荷の蓄
積などが起り不都合を生じる。また体積抵抗率が
小さすぎる場合には抵抗体を流れる電流が許容量
以上となり、抵抗体の熱的破損を生ずる。この熱
的破損を防止するには抵抗体の容量を増加させな
ければならないが、一般に受像管のネツク内には
抵抗体の容量を増加させる空間的余裕がない。従
つて抵抗体を熱的破損をひきおこすことなく使用
するには適当な体積抵抗率に設定しなければなら
ないことになる。
に於て、抵抗体の体積抵抗率が大きすぎると、そ
の特性は絶縁体の特性に近づき、不要な電荷の蓄
積などが起り不都合を生じる。また体積抵抗率が
小さすぎる場合には抵抗体を流れる電流が許容量
以上となり、抵抗体の熱的破損を生ずる。この熱
的破損を防止するには抵抗体の容量を増加させな
ければならないが、一般に受像管のネツク内には
抵抗体の容量を増加させる空間的余裕がない。従
つて抵抗体を熱的破損をひきおこすことなく使用
するには適当な体積抵抗率に設定しなければなら
ないことになる。
発明者らの実験によると、前述した電子銃構体
に於て、抵抗体の断面積は約6.2mm2であり、２本
の支持体に抵抗体を設けているので、これを２倍
し、長さを約８mm、印加される電圧を25kV乃至
30kVとしたとき、抵抗体を流れる電流としては
数十ナノアンペア以下が適当であつた。従つて抵
抗体の体積抵抗率は108Ω・cm乃至10013Ω・cm程
度が適当な値となる。このとき抵抗体に埋め込ん
だ各電極の植設部間の距離は第６グリツド１１と
第５グリツド１０の各植設部１１1，１０1間を
9.75mm、第５グリツド１０と第４グリツド９の各
植設部１０1，９1間を3.65mmとした。
に於て、抵抗体の断面積は約6.2mm2であり、２本
の支持体に抵抗体を設けているので、これを２倍
し、長さを約８mm、印加される電圧を25kV乃至
30kVとしたとき、抵抗体を流れる電流としては
数十ナノアンペア以下が適当であつた。従つて抵
抗体の体積抵抗率は108Ω・cm乃至10013Ω・cm程
度が適当な値となる。このとき抵抗体に埋め込ん
だ各電極の植設部間の距離は第６グリツド１１と
第５グリツド１０の各植設部１１1，１０1間を
9.75mm、第５グリツド１０と第４グリツド９の各
植設部１０1，９1間を3.65mmとした。
次に抵抗体の材料について考えて見ると、支持
体２1，２2に各電極の植設部を植設するには支持
構体２1，２2を高温に加熱して一時的に溶かし、
これを植設部に外圧をかけて植設するが、この時
抵抗体２ａと絶縁体２ｂとはほぼ同等な熱膨張率
をもつていないと、両者間の熱膨張率の差により
支持体２1，２2に熱歪が残り、破壊しやすくな
る。このため絶縁体２ｂとして従来のビードガラ
ス即ち熱膨張率26〜24×10-7／℃を使用した場
合、抵抗体２ａの熱膨張率は実験によると最大30
×10-7／℃であり、従つて抵抗体の熱膨張率とし
ては30×10-7／℃以下であることが必要である。
前述した様な特性をもつ絶縁体２ｂと溶着可能な
ガラス抵抗体としては、SiO2を75重量％含むガ
ラス粉末にFe2O3、WO3、V2O5またMnOなどの
遷移金属酸化物を前記ガラス粉末に対して20乃至
40重量％加えて混合した混合体粉末を成型、焼結
することによつて形成したものが良好であつた。
体２1，２2に各電極の植設部を植設するには支持
構体２1，２2を高温に加熱して一時的に溶かし、
これを植設部に外圧をかけて植設するが、この時
抵抗体２ａと絶縁体２ｂとはほぼ同等な熱膨張率
をもつていないと、両者間の熱膨張率の差により
支持体２1，２2に熱歪が残り、破壊しやすくな
る。このため絶縁体２ｂとして従来のビードガラ
ス即ち熱膨張率26〜24×10-7／℃を使用した場
合、抵抗体２ａの熱膨張率は実験によると最大30
×10-7／℃であり、従つて抵抗体の熱膨張率とし
ては30×10-7／℃以下であることが必要である。
前述した様な特性をもつ絶縁体２ｂと溶着可能な
ガラス抵抗体としては、SiO2を75重量％含むガ
ラス粉末にFe2O3、WO3、V2O5またMnOなどの
遷移金属酸化物を前記ガラス粉末に対して20乃至
40重量％加えて混合した混合体粉末を成型、焼結
することによつて形成したものが良好であつた。
即ち、例えばガラス抵抗体の組成としてSiO2
を75重量％以上含むガラス粉末にSnO2を28重量
％添加したものは常温で体積抵抗率が1012Ω・
cm、熱膨張率が27.8×10-7／℃となつた。
を75重量％以上含むガラス粉末にSnO2を28重量
％添加したものは常温で体積抵抗率が1012Ω・
cm、熱膨張率が27.8×10-7／℃となつた。
ところで、上述の様に最適な体積抵抗率、熱膨
張率を有する抵抗体を溶着により絶縁体に一体化
した支持体を使用して複数個の電極を支持する
と、本質的にこの一体化支持体をもつ電子銃構体
の特徴、即ち抵抗体に直接的に電極を支持させる
ため、抵抗体と電極とを接続するリード線が不要
になる。また２本の支持体間隔を抵抗体をもたな
い通常の電子銃構体の支持体間隔と同じにするこ
とができるため、抵抗体がネツク内面に接近した
ときに生ずる不所望な電界現像を防止できるなど
の特徴を生かして、抵抗体により陽極電圧を分割
して所定の電極に所定の電圧を印加することがで
き、しかも、電子銃構体組立て時およびその後の
受像管製造時の加熱に対しても破損することがな
く、極めて特性のすぐれた電子銃構体を容易に得
ることができるので、その工業的価値は極めて大
である。
張率を有する抵抗体を溶着により絶縁体に一体化
した支持体を使用して複数個の電極を支持する
と、本質的にこの一体化支持体をもつ電子銃構体
の特徴、即ち抵抗体に直接的に電極を支持させる
ため、抵抗体と電極とを接続するリード線が不要
になる。また２本の支持体間隔を抵抗体をもたな
い通常の電子銃構体の支持体間隔と同じにするこ
とができるため、抵抗体がネツク内面に接近した
ときに生ずる不所望な電界現像を防止できるなど
の特徴を生かして、抵抗体により陽極電圧を分割
して所定の電極に所定の電圧を印加することがで
き、しかも、電子銃構体組立て時およびその後の
受像管製造時の加熱に対しても破損することがな
く、極めて特性のすぐれた電子銃構体を容易に得
ることができるので、その工業的価値は極めて大
である。
第１図は本発明の電子銃構体の一実施例をネツ
ク内に装着した状態を示す説明用断面図、第２図
ま第１図の要部拡大説明用断面図である。 ２1，２2……支持体、２ａ……抵抗体、２ｂ…
…絶縁体、３，４，５……陰極、６……第１グリ
ツド、７……第２グリツド、８……第３グリツ
ド、９……第４グリツド、１０……第５グリツ
ド、１１……第６グリツド、１２……コンバーゼ
ンス電極、１３……ネツク、１４……内部導電
膜、１５……スプリング。
ク内に装着した状態を示す説明用断面図、第２図
ま第１図の要部拡大説明用断面図である。 ２1，２2……支持体、２ａ……抵抗体、２ｂ…
…絶縁体、３，４，５……陰極、６……第１グリ
ツド、７……第２グリツド、８……第３グリツ
ド、９……第４グリツド、１０……第５グリツ
ド、１１……第６グリツド、１２……コンバーゼ
ンス電極、１３……ネツク、１４……内部導電
膜、１５……スプリング。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定間隔をもつて配置された複数個の電極
と、この複数個の電極を支持する電極支持体から
少なくとも成る電子銃構体において、 前記電極支持体は一体化された絶縁体と抵抗体
から成り、前記抵抗体は少なくとも所定の電極の
対向面に位置し、前記抵抗体により前記複数個の
電極のうち所定の電極を支持し、これにより陽極
電圧を抵抗分割して前記所定の電極に電圧を供給
するものであつて、 前記絶縁体は熱膨張率が26〜24×10-7／℃のガ
ラスからなり、前記抵抗体は熱膨張率が30×
10-7／℃以下、体積抵抗率が108乃至1013Ω・cm
のガラス抵抗材からなることを特徴とする電子銃
構体。 ２ 所定間隔をもつて配置された複数個の電極
と、この複数個の電極を支持する電極支持体から
少なくとも成り、前記電極支持体は一体化された
絶縁体と抵抗体から構成され、前記抵抗体により
前記複数個の電極のうち所定の電極を支持し、こ
れにより陽極電圧を抵抗分割して前記所定の電極
に電圧を供給する電子銃構体の製造方法に於い
て、前記抵抗体はSiO2を75重量％以上含むガラ
ス粉末に遷移金属酸化物を前記ガラス粉末に対し
て20重量％乃至40重量％添加して混合した混合粉
末を所定形状に成形し焼結して形成することを特
徴とする電子銃構体の製造方法。 ３ 遷移金属酸化物がFe2O3、WO3、MoO3、
V2O5またはMnOの少なくとも１種からなること
を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の電子銃
構体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13938279A JPS5663756A (en) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | Electron gun frame and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13938279A JPS5663756A (en) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | Electron gun frame and its manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5663756A JPS5663756A (en) | 1981-05-30 |
| JPH0219579B2 true JPH0219579B2 (ja) | 1990-05-02 |
Family
ID=15244006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13938279A Granted JPS5663756A (en) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | Electron gun frame and its manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5663756A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0251137B1 (en) * | 1986-06-27 | 1991-12-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | A resistor and an electron tube incorporating the same |
| CN106277725B (zh) * | 2016-09-26 | 2019-07-16 | 北京首量科技股份有限公司 | 一种玻璃绝缘子的烧结方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5389360A (en) * | 1977-01-17 | 1978-08-05 | Sony Corp | Electronic gun constituent |
-
1979
- 1979-10-30 JP JP13938279A patent/JPS5663756A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5389360A (en) * | 1977-01-17 | 1978-08-05 | Sony Corp | Electronic gun constituent |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5663756A (en) | 1981-05-30 |
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