JPH09318569A - ガスセンサおよびその製造方法 - Google Patents
ガスセンサおよびその製造方法Info
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- JPH09318569A JPH09318569A JP13630596A JP13630596A JPH09318569A JP H09318569 A JPH09318569 A JP H09318569A JP 13630596 A JP13630596 A JP 13630596A JP 13630596 A JP13630596 A JP 13630596A JP H09318569 A JPH09318569 A JP H09318569A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱のためのヒータにおける消費電力が少な
くて済むようにセンサ部が熱絶縁されたガスセンサを提
供するとともに、基板表面に形成されたセンサ部がエッ
チング液に浸されることなく、センサ部をチップ上の他
の部分から熱的に分離することができるガスセンサの製
造方法を提供することである。 【解決手段】 本発明によるガスセンサは、単結晶Ｓｉ
基板１の表面にフィールド絶縁膜２およびゲート絶縁膜
３が形成され、このゲート絶縁膜３を用いてセンサ部が
形成され、このセンサ部の下方部分の単結晶Ｓｉ（島状
部１０）の周囲の単結晶Ｓｉが取り除かれることによっ
て、前記センサ部の下方部分の単結晶Ｓｉ（島状部１
０）が他の部分の単結晶Ｓｉから島状に独立するととも
に前記センサ部が前記フィールド絶縁膜２によって支持
され、前記センサ部が前記基板１上の他の部分から熱絶
縁されていることを特徴とする。
くて済むようにセンサ部が熱絶縁されたガスセンサを提
供するとともに、基板表面に形成されたセンサ部がエッ
チング液に浸されることなく、センサ部をチップ上の他
の部分から熱的に分離することができるガスセンサの製
造方法を提供することである。 【解決手段】 本発明によるガスセンサは、単結晶Ｓｉ
基板１の表面にフィールド絶縁膜２およびゲート絶縁膜
３が形成され、このゲート絶縁膜３を用いてセンサ部が
形成され、このセンサ部の下方部分の単結晶Ｓｉ（島状
部１０）の周囲の単結晶Ｓｉが取り除かれることによっ
て、前記センサ部の下方部分の単結晶Ｓｉ（島状部１
０）が他の部分の単結晶Ｓｉから島状に独立するととも
に前記センサ部が前記フィールド絶縁膜２によって支持
され、前記センサ部が前記基板１上の他の部分から熱絶
縁されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガスセンサおよびそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ガスセンサとしては、ガス感
応膜の仕事関数の変化によるＦＥＴのしきい値電圧の変
化によってガス濃度を測定しようとするＦＥＴガスセン
サ等が知られている。ＦＥＴガスセンサとしては、たと
えば、ＭＩＳＦＥＴ（金属−絶縁膜−半導体型ＦＥＴ）
のゲート金属としてＰｄを用いてＰｄ−ＳｉＯ2 −Ｓｉ
構造を有し、各種ガスの濃度を検出するガスセンサが従
来から知られている。
応膜の仕事関数の変化によるＦＥＴのしきい値電圧の変
化によってガス濃度を測定しようとするＦＥＴガスセン
サ等が知られている。ＦＥＴガスセンサとしては、たと
えば、ＭＩＳＦＥＴ（金属−絶縁膜−半導体型ＦＥＴ）
のゲート金属としてＰｄを用いてＰｄ−ＳｉＯ2 −Ｓｉ
構造を有し、各種ガスの濃度を検出するガスセンサが従
来から知られている。
【０００３】この種のガスセンサは加熱することによっ
て応答性の向上等の効果が得られるため、センサ部をた
とえば１００〜２００℃程度に加熱して使用することが
望ましい。そこで、従来はセンサ部を加熱するためのヒ
ータを設け、このヒータに電流を流すことによってセン
サ部を加熱して使用していた。
て応答性の向上等の効果が得られるため、センサ部をた
とえば１００〜２００℃程度に加熱して使用することが
望ましい。そこで、従来はセンサ部を加熱するためのヒ
ータを設け、このヒータに電流を流すことによってセン
サ部を加熱して使用していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、センサ部は
チップ上のごく一部分であるが、センサ部とチップが一
体化していて熱が伝わり易いために、センサ部を加熱す
るとチップ全体も同時に加熱する結果となり、センサ部
のみを加熱することができない。そのため、センサ部を
加熱する熱がチップを介してチップ固定台等に拡散して
しまうため、加熱するのはセンサ部のみでよいのにかか
わらず、余分な熱が必要となりヒータによる消費電力が
大きなものになってしまっていた。
チップ上のごく一部分であるが、センサ部とチップが一
体化していて熱が伝わり易いために、センサ部を加熱す
るとチップ全体も同時に加熱する結果となり、センサ部
のみを加熱することができない。そのため、センサ部を
加熱する熱がチップを介してチップ固定台等に拡散して
しまうため、加熱するのはセンサ部のみでよいのにかか
わらず、余分な熱が必要となりヒータによる消費電力が
大きなものになってしまっていた。
【０００５】一方、ガスセンサを熱的に絶縁するため
に、センサ部の周囲の基板をエッチングしようとする
と、基板全体をエッチング液に浸してしまうことにな
り、基板表面に形成されたセンサ部の素子がエッチング
液に浸されることになってしまう。このため、特に、ゲ
ート金属のＰｄ等がエッチング液により変質し、センサ
として使い物にならなくなってしまう。
に、センサ部の周囲の基板をエッチングしようとする
と、基板全体をエッチング液に浸してしまうことにな
り、基板表面に形成されたセンサ部の素子がエッチング
液に浸されることになってしまう。このため、特に、ゲ
ート金属のＰｄ等がエッチング液により変質し、センサ
として使い物にならなくなってしまう。
【０００６】本発明は上記の点にかんがみてなされたも
ので、加熱のためのヒータにおける消費電力が少なくて
済むようにセンサ部が熱絶縁されたガスセンサを提供す
るとともに、基板表面に形成されたセンサ部がエッチン
グ液に浸されることなく、センサ部を基板上の他の部分
から熱的に分離することができるガスセンサの製造方法
を提供することを目的とする。
ので、加熱のためのヒータにおける消費電力が少なくて
済むようにセンサ部が熱絶縁されたガスセンサを提供す
るとともに、基板表面に形成されたセンサ部がエッチン
グ液に浸されることなく、センサ部を基板上の他の部分
から熱的に分離することができるガスセンサの製造方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によるガスセンサは、単結晶Ｓｉ基板の表
面に絶縁膜が形成され、この絶縁膜の一部を用いてセン
サ部が形成され、このセンサ部の下方部分の単結晶Ｓｉ
の周囲の単結晶Ｓｉが取り除かれることによって、前記
センサ部の下方部分の単結晶Ｓｉが他の部分の単結晶Ｓ
ｉから島状に独立するとともに前記センサ部が前記絶縁
膜によって支持され、前記センサ部が前記基板上の他の
部分から熱絶縁されていることを特徴とする。
めに、本発明によるガスセンサは、単結晶Ｓｉ基板の表
面に絶縁膜が形成され、この絶縁膜の一部を用いてセン
サ部が形成され、このセンサ部の下方部分の単結晶Ｓｉ
の周囲の単結晶Ｓｉが取り除かれることによって、前記
センサ部の下方部分の単結晶Ｓｉが他の部分の単結晶Ｓ
ｉから島状に独立するとともに前記センサ部が前記絶縁
膜によって支持され、前記センサ部が前記基板上の他の
部分から熱絶縁されていることを特徴とする。
【０００８】また、本発明によるガスセンサの製造方法
は、単結晶Ｓｉ基板の表面に絶縁膜を形成し、この絶縁
膜の一部を用いてセンサ部を形成し、前記基板の裏面の
うち前記センサ部の下方部分と前記センサ部の下方部分
の周囲を除く部分とにエッチングに対する保護膜を形成
し、前記基板の表面のセンサ部がエッチング液にさらさ
れることがないように前記基板の裏面から異方性エッチ
ングを行って前記センサ部の下方部分の単結晶Ｓｉの周
囲の単結晶Ｓｉを取り除き、前記センサ部の下方部分の
単結晶Ｓｉが他の部分の単結晶Ｓｉから島状に独立する
とともに前記センサ部が前記絶縁膜によって支持される
ようにし、前記センサ部を前記基板上の他の部分から熱
絶縁することを特徴とする。
は、単結晶Ｓｉ基板の表面に絶縁膜を形成し、この絶縁
膜の一部を用いてセンサ部を形成し、前記基板の裏面の
うち前記センサ部の下方部分と前記センサ部の下方部分
の周囲を除く部分とにエッチングに対する保護膜を形成
し、前記基板の表面のセンサ部がエッチング液にさらさ
れることがないように前記基板の裏面から異方性エッチ
ングを行って前記センサ部の下方部分の単結晶Ｓｉの周
囲の単結晶Ｓｉを取り除き、前記センサ部の下方部分の
単結晶Ｓｉが他の部分の単結晶Ｓｉから島状に独立する
とともに前記センサ部が前記絶縁膜によって支持される
ようにし、前記センサ部を前記基板上の他の部分から熱
絶縁することを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に本発明を図面に基づいて説
明する。
明する。
【００１０】図１ないし図５は、本発明によるガスセン
サの製造方法の一実施の形態を説明する図であり、ガス
センサを製作する基板の断面図である。
サの製造方法の一実施の形態を説明する図であり、ガス
センサを製作する基板の断面図である。
【００１１】まず、図１に示すように、ｐ型Ｓｉの基板
１の表面にＳｉＯ2 のフィールド絶縁膜２およびゲート
絶縁膜３を形成するとともに、基板１の裏面にＳｉＯ2
の保護膜４および５を形成する。基板１は面方位（１０
０）の単結晶Ｓｉであり、その表面のゲート絶縁膜３の
部分に後に示すようにＭＯＳＦＥＴを製作し、センサ部
となる。保護膜４は、基板１の裏面であってゲート絶縁
膜３に対向する位置に、センサ部よりもやや大きめに形
成される。保護膜５は、保護膜４の周囲に、保護膜４と
所定の間隔を置いて形成される。
１の表面にＳｉＯ2 のフィールド絶縁膜２およびゲート
絶縁膜３を形成するとともに、基板１の裏面にＳｉＯ2
の保護膜４および５を形成する。基板１は面方位（１０
０）の単結晶Ｓｉであり、その表面のゲート絶縁膜３の
部分に後に示すようにＭＯＳＦＥＴを製作し、センサ部
となる。保護膜４は、基板１の裏面であってゲート絶縁
膜３に対向する位置に、センサ部よりもやや大きめに形
成される。保護膜５は、保護膜４の周囲に、保護膜４と
所定の間隔を置いて形成される。
【００１２】次に、図２に示すように、センサ部を構成
するＭＯＳＦＥＴを製作する。すなわち、不純物を導入
してｎ型のソース７とドレイン８を形成するとともに、
ゲート６を形成する。ゲート６にはＰｄが用いられる。
また、ヒータ９は不純物導入による拡散層であり、この
ヒータ９は電流を流すことにより発熱し、センサ部を加
熱することができる。なお、本発明によるガスセンサは
ＭＯＳＦＥＴ型ガスセンサに限らずＭＩＳＦＥＴ型ガス
センサに適用できることは言うまでもない。
するＭＯＳＦＥＴを製作する。すなわち、不純物を導入
してｎ型のソース７とドレイン８を形成するとともに、
ゲート６を形成する。ゲート６にはＰｄが用いられる。
また、ヒータ９は不純物導入による拡散層であり、この
ヒータ９は電流を流すことにより発熱し、センサ部を加
熱することができる。なお、本発明によるガスセンサは
ＭＯＳＦＥＴ型ガスセンサに限らずＭＩＳＦＥＴ型ガス
センサに適用できることは言うまでもない。
【００１３】次に、図３に示すように、基板１の裏面か
らエッチング処理を行う。エッチング液としてはＫＯＨ
やＴＭＡＨ等のＳｉエッチング液を用い、このエッチン
グ液に基板１の裏面のみを浸す。このとき、基板１の表
面にエッチング液がまわり込まないようにガードしてお
く。保護膜４および５はＳｉＯ2 に限定されるものでは
なく、エッチング液に浸食されなければよいので、たと
えばＳｉ3 Ｎ4 等であってもよい。このエッチングは単
結晶Ｓｉの（１１１）面に対しては他の面と比較してエ
ッチング速度が非常に遅い異方性エッチングである。
らエッチング処理を行う。エッチング液としてはＫＯＨ
やＴＭＡＨ等のＳｉエッチング液を用い、このエッチン
グ液に基板１の裏面のみを浸す。このとき、基板１の表
面にエッチング液がまわり込まないようにガードしてお
く。保護膜４および５はＳｉＯ2 に限定されるものでは
なく、エッチング液に浸食されなければよいので、たと
えばＳｉ3 Ｎ4 等であってもよい。このエッチングは単
結晶Ｓｉの（１１１）面に対しては他の面と比較してエ
ッチング速度が非常に遅い異方性エッチングである。
【００１４】エッチングが進行すると、図４に示すよう
に、保護膜５の上方部分は残り、保護膜４の上方部分が
エッチングされていく。
に、保護膜５の上方部分は残り、保護膜４の上方部分が
エッチングされていく。
【００１５】さらにエッチングが進行すると、図５に示
すように、保護膜４は剥離し、基板１のうちセンサ部の
下方部分が残って基板１の他の部分と分離された島状部
１０となるので、この状態でエッチングをやめる。この
ようにすることによりセンサ部を熱絶縁することがで
き、ヒータ９による熱がセンサ部以外の部分に拡散する
ことがないため、ヒータ９によりセンサ部を加熱するた
めの消費電力が少なくて済む。
すように、保護膜４は剥離し、基板１のうちセンサ部の
下方部分が残って基板１の他の部分と分離された島状部
１０となるので、この状態でエッチングをやめる。この
ようにすることによりセンサ部を熱絶縁することがで
き、ヒータ９による熱がセンサ部以外の部分に拡散する
ことがないため、ヒータ９によりセンサ部を加熱するた
めの消費電力が少なくて済む。
【００１６】図６は図３に示した基板１を裏面から見た
斜視図である。
斜視図である。
【００１７】上述したように、本発明で用いるエッチン
グ処理は単結晶Ｓｉの（１１１）面に対するエッチング
速度が非常に遅い異方性エッチングであるため、基板１
を裏面からエッチングしていくと、単結晶Ｓｉの（１１
１）面が現れている部分はほとんどエッチングされな
い。図６における２つの（１１１）面の境界部分には凸
状態になっている辺ａと凹状態になっている辺ｂが存在
し、辺ｂのような凹部分では（１１１）面でエッチング
が停止する。しかし、辺ａのような凸部では（１１１）
面が現れていてもエッチングが進行する性質があり、図
４ないし図５に示すように島状部１０が残るようなエッ
チング処理を行うことができる。
グ処理は単結晶Ｓｉの（１１１）面に対するエッチング
速度が非常に遅い異方性エッチングであるため、基板１
を裏面からエッチングしていくと、単結晶Ｓｉの（１１
１）面が現れている部分はほとんどエッチングされな
い。図６における２つの（１１１）面の境界部分には凸
状態になっている辺ａと凹状態になっている辺ｂが存在
し、辺ｂのような凹部分では（１１１）面でエッチング
が停止する。しかし、辺ａのような凸部では（１１１）
面が現れていてもエッチングが進行する性質があり、図
４ないし図５に示すように島状部１０が残るようなエッ
チング処理を行うことができる。
【００１８】図７ないし図１１は、本発明によるガスセ
ンサの製造方法の別の実施の形態を説明する図であり、
ガスセンサを製作する基板の断面図である。
ンサの製造方法の別の実施の形態を説明する図であり、
ガスセンサを製作する基板の断面図である。
【００１９】まず、図７に示すように、ｐ型Ｓｉの基板
１１の表面にＳｉＯ2 のフィールド絶縁膜１２およびゲ
ート絶縁膜１３を形成するとともに、基板１１の裏面に
ＳｉＯ2 の保護膜１４および１５を形成する。基板１１
は面方位（１００）の単結晶Ｓｉであり、その表面のゲ
ート絶縁膜１３の部分に後に示すようにＭＯＳＦＥＴを
製作し、センサ部となる。保護膜１４は、基板１１の裏
面であってゲート絶縁膜１３に対向する位置に、センサ
部よりもやや大きめに形成される。保護膜１５は、保護
膜１４の周囲に、保護膜１４と所定の間隔を置いて形成
される。
１１の表面にＳｉＯ2 のフィールド絶縁膜１２およびゲ
ート絶縁膜１３を形成するとともに、基板１１の裏面に
ＳｉＯ2 の保護膜１４および１５を形成する。基板１１
は面方位（１００）の単結晶Ｓｉであり、その表面のゲ
ート絶縁膜１３の部分に後に示すようにＭＯＳＦＥＴを
製作し、センサ部となる。保護膜１４は、基板１１の裏
面であってゲート絶縁膜１３に対向する位置に、センサ
部よりもやや大きめに形成される。保護膜１５は、保護
膜１４の周囲に、保護膜１４と所定の間隔を置いて形成
される。
【００２０】次に、図８に示すように、センサ部を構成
するＭＯＳＦＥＴを製作する。すなわち、不純物を導入
してｎ型のソース１７とドレイン１８を形成するととも
に、ゲート１６を形成する。ゲート１６にはＰｄが用い
られる。また、ヒータ１９はたとえば堆積した多結晶Ｓ
ｉ層をパターニングしたものであり、このヒータ１９は
電流を流すことにより発熱し、センサ部を加熱すること
ができる。なお、本実施の形態によるガスセンサもＭＯ
ＳＦＥＴ型ガスセンサに限らずＭＩＳＦＥＴ型ガスセン
サに適用できることは言うまでもない。
するＭＯＳＦＥＴを製作する。すなわち、不純物を導入
してｎ型のソース１７とドレイン１８を形成するととも
に、ゲート１６を形成する。ゲート１６にはＰｄが用い
られる。また、ヒータ１９はたとえば堆積した多結晶Ｓ
ｉ層をパターニングしたものであり、このヒータ１９は
電流を流すことにより発熱し、センサ部を加熱すること
ができる。なお、本実施の形態によるガスセンサもＭＯ
ＳＦＥＴ型ガスセンサに限らずＭＩＳＦＥＴ型ガスセン
サに適用できることは言うまでもない。
【００２１】次に、図９に示すように、基板１１の裏面
からエッチング処理を行う。エッチング液としてはＫＯ
ＨやＴＭＡＨ等のＳｉエッチング液を用い、このエッチ
ング液に基板１１の裏面のみを浸す。このとき、基板１
１の表面にエッチング液がまわり込まないようにガード
しておく。保護膜１４および１５はＳｉＯ2 に限定され
るものではなく、エッチング液に浸食されなければよい
ので、たとえばＳｉ3Ｎ4 等であってもよい。このエッ
チングは単結晶Ｓｉの（１１１）面に対しては他の面と
比較してエッチング速度が非常に遅い異方性エッチング
である。
からエッチング処理を行う。エッチング液としてはＫＯ
ＨやＴＭＡＨ等のＳｉエッチング液を用い、このエッチ
ング液に基板１１の裏面のみを浸す。このとき、基板１
１の表面にエッチング液がまわり込まないようにガード
しておく。保護膜１４および１５はＳｉＯ2 に限定され
るものではなく、エッチング液に浸食されなければよい
ので、たとえばＳｉ3Ｎ4 等であってもよい。このエッ
チングは単結晶Ｓｉの（１１１）面に対しては他の面と
比較してエッチング速度が非常に遅い異方性エッチング
である。
【００２２】エッチングが進行すると、図１０に示すよ
うに、保護膜１５の上方部分は残り、保護膜１４の上方
部分がエッチングされていく。
うに、保護膜１５の上方部分は残り、保護膜１４の上方
部分がエッチングされていく。
【００２３】さらにエッチングが進行すると、図１１に
示すように、保護膜１４は剥離し、基板１１のうちセン
サ部の下方部分が残って基板１１の他の部分と分離され
た島状部２０となるので、この状態でエッチングをやめ
る。このようにすることによりセンサ部を熱絶縁するこ
とができ、ヒータ１９による熱がセンサ部以外の部分に
拡散することがないため、ヒータ１９によりセンサ部を
加熱するための消費電力が少なくて済む。
示すように、保護膜１４は剥離し、基板１１のうちセン
サ部の下方部分が残って基板１１の他の部分と分離され
た島状部２０となるので、この状態でエッチングをやめ
る。このようにすることによりセンサ部を熱絶縁するこ
とができ、ヒータ１９による熱がセンサ部以外の部分に
拡散することがないため、ヒータ１９によりセンサ部を
加熱するための消費電力が少なくて済む。
【００２４】なお、以上説明した発明の実施の形態にお
いては、センサ部のゲート絶縁膜３、１３にＳｉＯ2 を
用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、たと
えばＳｉ3 Ｎ4 等を用いてもよい。
いては、センサ部のゲート絶縁膜３、１３にＳｉＯ2 を
用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、たと
えばＳｉ3 Ｎ4 等を用いてもよい。
【００２５】また、基板１、１１、ソース７、１７、ド
レイン８、１８の導電型は逆でも構わないのは言うまで
もない。
レイン８、１８の導電型は逆でも構わないのは言うまで
もない。
【００２６】また、上述の発明の実施の形態において
は、ガスセンサがＭＩＳＦＥＴ型のガスセンサの場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限られるものではな
く、たとえばガスセンサがＭＩＳダイオード型のガスセ
ンサであっても構わない。
は、ガスセンサがＭＩＳＦＥＴ型のガスセンサの場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限られるものではな
く、たとえばガスセンサがＭＩＳダイオード型のガスセ
ンサであっても構わない。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
加熱のためのヒータにおける消費電力が少なくて済むよ
うにセンサ部が熱絶縁されたガスセンサを提供すること
ができる。
加熱のためのヒータにおける消費電力が少なくて済むよ
うにセンサ部が熱絶縁されたガスセンサを提供すること
ができる。
【００２８】また、基板表面に形成されたセンサ部がエ
ッチング液に浸されることなく、センサ部をチップ上の
他の部分から熱的に分離することができるガスセンサの
製造方法を提供することができる。
ッチング液に浸されることなく、センサ部をチップ上の
他の部分から熱的に分離することができるガスセンサの
製造方法を提供することができる。
【図１】本発明によるガスセンサの製造方法の一実施の
形態を説明する図である。
形態を説明する図である。
【図２】本発明によるガスセンサの製造方法の一実施の
形態を説明する図であり、図１に続く工程を説明する図
である。
形態を説明する図であり、図１に続く工程を説明する図
である。
【図３】本発明によるガスセンサの製造方法の一実施の
形態を説明する図であり、図２に続く工程を説明する図
である。
形態を説明する図であり、図２に続く工程を説明する図
である。
【図４】本発明によるガスセンサの製造方法の一実施の
形態を説明する図であり、図３に続く工程を説明する図
である。
形態を説明する図であり、図３に続く工程を説明する図
である。
【図５】本発明によるガスセンサの製造方法の一実施の
形態を説明する図であり、図４に続く工程を説明する図
である。
形態を説明する図であり、図４に続く工程を説明する図
である。
【図６】図６は図３に示した基板１を裏面から見た斜視
図である。
図である。
【図７】本発明によるガスセンサの製造方法の別の実施
の形態を説明する図である。
の形態を説明する図である。
【図８】本発明によるガスセンサの製造方法の別の実施
の形態を説明する図であり、図７に続く工程を説明する
図である。
の形態を説明する図であり、図７に続く工程を説明する
図である。
【図９】本発明によるガスセンサの製造方法の別の実施
の形態を説明する図であり、図８に続く工程を説明する
図である。
の形態を説明する図であり、図８に続く工程を説明する
図である。
【図１０】本発明によるガスセンサの製造方法の別の実
施の形態を説明する図であり、図９に続く工程を説明す
る図である。
施の形態を説明する図であり、図９に続く工程を説明す
る図である。
【図１１】本発明によるガスセンサの製造方法の別の実
施の形態を説明する図であり、図１０に続く工程を説明
する図である。
施の形態を説明する図であり、図１０に続く工程を説明
する図である。
１、１１ 基板 ２、１２ フィールド絶縁膜 ３、１３ ゲート絶縁膜 ４、５、１４、１５ 保護膜 ６、１６ ゲート ７、１７ ソース ８、１８ ドレイン ９、１９ ヒータ １０、２０ 島状部
Claims (6)
- 【請求項１】 単結晶Ｓｉ基板の表面に絶縁膜が形成さ
れ、該絶縁膜の一部を用いてセンサ部が形成され、該セ
ンサ部の下方部分の単結晶Ｓｉの周囲の単結晶Ｓｉが取
り除かれることによって、前記センサ部の下方部分の単
結晶Ｓｉが他の部分の単結晶Ｓｉから島状に独立すると
ともに前記センサ部が前記絶縁膜によって支持され、前
記センサ部が前記基板上の他の部分から熱絶縁されてい
ることを特徴とするガスセンサ。 - 【請求項２】 前記ガスセンサがＭＩＳＦＥＴ型センサ
であることを特徴とする請求項１に記載のガスセンサ。 - 【請求項３】 前記ガスセンサがＭＩＳダイオード型セ
ンサであることを特徴とする請求項１に記載のガスセン
サ。 - 【請求項４】 単結晶Ｓｉ基板の表面に絶縁膜を形成
し、該絶縁膜の一部を用いてセンサ部を形成し、前記基
板の裏面のうち前記センサ部の下方部分と前記センサ部
の下方部分の周囲を除く部分とにエッチングに対する保
護膜を形成し、前記基板の表面のセンサ部がエッチング
液にさらされることがないように前記基板の裏面から異
方性エッチングを行って前記センサ部の下方部分の単結
晶Ｓｉの周囲の単結晶Ｓｉを取り除き、前記センサ部の
下方部分の単結晶Ｓｉが他の部分の単結晶Ｓｉから島状
に独立するとともに前記センサ部が前記絶縁膜によって
支持されるようにし、前記センサ部を前記基板上の他の
部分から熱絶縁することを特徴とするガスセンサの製造
方法。 - 【請求項５】 前記ガスセンサがＭＩＳＦＥＴ型センサ
であることを特徴とする請求項４に記載のガスセンサの
製造方法。 - 【請求項６】 前記ガスセンサがＭＩＳダイオード型セ
ンサであることを特徴とする請求項４に記載のガスセン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13630596A JPH09318569A (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | ガスセンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13630596A JPH09318569A (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | ガスセンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09318569A true JPH09318569A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15172096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13630596A Withdrawn JPH09318569A (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | ガスセンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09318569A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007519928A (ja) * | 2004-01-27 | 2007-07-19 | エイチツースキャン コーポレイション | 薄膜ガスセンサー構成 |
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| WO2009084871A1 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Korea Electronics Technology Institute | Fabricating method for micro gas sensor and the same |
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-
1996
- 1996-05-30 JP JP13630596A patent/JPH09318569A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030805 |